KR920011968A - 연속기공 네트워크(continuous pore network) 구조를 갖는 다공질의 RB-SiC 제조방법 - Google Patents
연속기공 네트워크(continuous pore network) 구조를 갖는 다공질의 RB-SiC 제조방법 Download PDFInfo
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내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 RS-SiC에 있어서, 내재하는 유리 Si함량 또는 기공율에 따른 강도변화를 나타내는 그래프로서, 유리 Si를 함유하는 것은 -O-으로, 1600℃에서 열처리한 것은 -●-으로, 1780℃에서 열처리한 것은 -▲-으로 표시하였다. 제2도는 유리 Si를 함유하는 RB-SiC를 열처리하여 연속기공 네트워크 구조를 갖는 RB-SiC를 제조할 때 기공형태의 변화를 나타내는 모식도이다.
Claims (3)
- RB-SiC(SiC반응소결체)속에 존재하는 유리 Si를 고온열처리하여 제거함으로서 연속기공 네트워크를 11∼40% 갖는 다공질의 RB-SiC를 형성시킨 다음, 진공중에서 고온열처리하여 강도를 향상시킴을 특징으로 하는 다공질 RB-SiC의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 유리 Si제거를 위한 열처리는 1600℃에서 90분간 행함을 특징으로 하는 다공질 RB-SiC의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 강도향상을 위한 열처리는 진공중 1780℃에서 2시간동안 행함을 특징으로 하는 다공질 RB-SiC의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900021622A KR920011968A (ko) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 연속기공 네트워크(continuous pore network) 구조를 갖는 다공질의 RB-SiC 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019900021622A KR920011968A (ko) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 연속기공 네트워크(continuous pore network) 구조를 갖는 다공질의 RB-SiC 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920011968A true KR920011968A (ko) | 1992-07-25 |
Family
ID=67538236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900021622A KR920011968A (ko) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 연속기공 네트워크(continuous pore network) 구조를 갖는 다공질의 RB-SiC 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920011968A (ko) |
-
1990
- 1990-12-24 KR KR1019900021622A patent/KR920011968A/ko not_active Application Discontinuation
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