KR920004528A - 저온 경화성 음이온 전착 조성물 - Google Patents

저온 경화성 음이온 전착 조성물 Download PDF

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헬렌 에이. 파블릭크
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Abstract

내용 없음

Description

저온 경화성 음이온 전착 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (19)

  1. (a) 수지 고형물을 기준으로 적어도 약 50%의 인산화 에폭시 수지 및 (b)저급 알콕시 및 고급 알콕시 그룹의 조합을 갖는 아미노플라스트 수지의 효과적인 배합물을 함유하는 염기－중화된 수지성 조성물의 수성 분산액을 포함하는 저온 경화성의 한외여과둔감성 음이온 전착 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 아미노플라스트 수지가 전체 수지 고형물을 기준으로 10 내지 50%의 양으로 존재하는 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 응집제를 또한 포함하는 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 인산화 에폭시 수지가 폴리페놀의 폴리글라시딜 에테르, 에톡시 작용성 아크릴 수지, 노볼락 수지 및 그의 혼합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 에폭시 수지로부터 유도된 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 인산화 에폭시 수지가 인산화 에폭시 작용성 에틸렌형 불포화 단량체들로부터 유도된 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저급 알콕시 그룹이 3개 미만의 탄소원자를 갖고, 상기 고급 알콕시 그룹이 3개 이상의 탄소원자를 갖는 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 저급 알콕시 그룹이 메톡시 또는 에톡시 그룹인 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 상기 고급 알콕시 그룹이 프로폭시 또는 부톡시 그룹인 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 페놀계 수지를 또한 포함하는 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 아크릴 수지를 또한 포함하는 저온 경화성 음이온 전착 조성물.
  11. (a)수지 고형물을 기준으로 적어도 약 50%의 인산화 에폭시 수지 및 (b)아미노플라스트 수지의 효과적인 배합물을 함유하는 염기－중화된 수지성 조성물의 수성 분산액을 함유하는 전착욕과 접촉하고 있는 음극과 양극으로 작용하는 전도성 기재사이에 전류를 통과시킨 다음 상기 기재를 20 내지 60분간 225℉미만의 온도로 가열시킴을 포함하는, 저온에서 전도성 기재상에 코팅물을 제공하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 조성물이 아크릴 수지를 또한 포함하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 아미노플라스트 수지가 전체 수지 고형물을 기준으로 10 내지 50%의 양으로 존재하는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 아미노플라스트 수지가 저급 알콕시와 고급 알콕시 그룹의 조합을 갖는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 저급 알콕시 그룹이 메톡시 또는 에톡시이고, 상기 고급 알콕시 그룹이 프로폭시 또는 부톡시인 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 조성물이 페놀계 수지를 포함하는 방법.
  17. 제11항의 방법에 의해 제조된 제품.
  18. (a)수지 고형물을 기준으로 적어도 약 50%의 인산화 에폭시 수지 및 (b)저급 알콕시와 고급 알콕시 그룹의 조합을 갖는 아미노플라스트 수지의 효과적인 배합물을 함유하는 염기－중화된 수지성 조성물의 수성 분산액을 함유하는 전착욕과 접촉하고 있는 음극과 양극으로 작용하는 전도성 기재사이에 전류를 통과시킨 다음 상기 기재를 20 내지 60분간 180℉ 내지 350℉의 온도로 가열시킴을 포함하는, 저온에서 전도성 기재상에 코팅물의 색변화를 조절하는 방법.
  19. 제18항의 방법에 의해 제조된 제품.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910013417A 1990-08-03 1991-08-02 저온 경화성 음이온 전착 조성물 KR920004528A (ko)

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