KR920003459Y1 - High voltage stabilization and protecting circuit for t.v. - Google Patents

High voltage stabilization and protecting circuit for t.v. Download PDF

Info

Publication number
KR920003459Y1
KR920003459Y1 KR2019890017141U KR890017141U KR920003459Y1 KR 920003459 Y1 KR920003459 Y1 KR 920003459Y1 KR 2019890017141 U KR2019890017141 U KR 2019890017141U KR 890017141 U KR890017141 U KR 890017141U KR 920003459 Y1 KR920003459 Y1 KR 920003459Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
transistor
high voltage
resistor
circuit
Prior art date
Application number
KR2019890017141U
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR910010238U (en
Inventor
한흥수
Original Assignee
삼성전자 주식회사
강진구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 강진구 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR2019890017141U priority Critical patent/KR920003459Y1/en
Publication of KR910010238U publication Critical patent/KR910010238U/en
Application granted granted Critical
Publication of KR920003459Y1 publication Critical patent/KR920003459Y1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/16—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by deflecting electron beam in cathode-ray tube, e.g. scanning corrections
    • H04N3/18—Generation of supply voltages, in combination with electron beam deflecting
    • H04N3/19—Arrangements or assemblies in supply circuits for the purpose of withstanding high voltages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
    • H01F38/42—Flyback transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H2231/00—Applications
    • H01H2231/004—CRT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H2231/00—Applications
    • H01H2231/036—Radio; TV
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)

Abstract

내용 없음.No content.

Description

텔레비젼의 고압 안정화 및 보호회로TV high voltage stabilization and protection circuit

제1도는 본 고안의 회로도.1 is a circuit diagram of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

50 : CR부 100 : 고압검출부50: CR unit 100: high pressure detection unit

200 : 안정화회로 300 : 보호회로200: stabilization circuit 300: protection circuit

R1-R11 : 저항 C1-C6 : 콘덴서R1-R11: Resistor C1-C6: Capacitor

Q1-Q6 : 트랜지스터 ZD1 : 제너다이오드Q1-Q6: Transistor ZD1: Zener Diode

D1-D2 : 다이오드 REL1 : 릴레이D1-D2: Diode REL1: Relay

FBT : 플라이백 트랜스 COM : 비교기FBT: Flyback Trans COM: Comparator

Vref : 기준전압 VR1 : 가변저항Vref: Reference voltage VR1: Variable resistor

본 고안은 칼라 텔레비젼에 있어서 고압발생회로에 관한 것으로, 특히 고압안정화 및 보호회로에 관한 것이다.The present invention relates to a high voltage generating circuit in color television, and more particularly, to a high pressure stabilization and protection circuit.

일반적으로 TV의 대화면화 추세에 따라 CRT의 크기가 커지고 이에 따라 고압레벨도 높아지게 되었으며 빔(Beam) 전류도 기존 TV보다 증가하는 경향이 강해지고 있다.In general, according to the trend of the large screen of the TV, the size of the CRT is increased, the high voltage level is increased accordingly, and the beam current is also increasing more than the conventional TV.

상기와 같은 추세로 되어가고 있음에 따라 종래의 TV에는 사실상 불필요했던 고압보호회로와 안정화 회로가 대화면 디스플레이시에는 필수적 추가요건이 될 수 밖에 없게 되었다.As the trend has been made as described above, the high voltage protection circuit and the stabilization circuit, which are virtually unnecessary for the conventional TV, are indispensable additional requirements for the large screen display.

그러나 현재까지는 상기와 같은 고압보호회로와 안정화회로를 갖추고 있다하더라도 상기 두 회로가 각각 분리되어 있으므로 그 구성부품이 많아 설계 및 경제적 차원에서 볼 때 효율적이지 못한 단점을 갖고 있었다.However, until now, even if the high voltage protection circuit and the stabilization circuit as described above are provided, since the two circuits are separated from each other, there are many components that are not efficient in terms of design and economics.

따라서 본 발명의 목적은 하나의 검출부로 안정화회로 및 보호회로를 모두 동작 가능토록하여 고압상승을 방지하고 빔전류의 변동에 의한 화면 열화를 방지하는 고압안정화 및 보호회로를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-pressure stabilization and protection circuit to prevent the high voltage rise and the screen degradation due to the change of the beam current by operating both the stabilization circuit and the protection circuit with a single detection unit.

이하 본 고안을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings of the present invention.

제1도는 본 고안의 회로도로서, 노드점(1)과 접지사이에 상호병렬 접속된 수평드라이브 트랜지스터(Q6)와 다이오드(D2) 및 콘덴서(C7)와, 상기 노드점(1)에 1차측의 한단이 접속되고 2차측의 한단이 노드점(2)를 통해 CRT의 캐소드 캡과 접속되어 고압을 승압하는 플라이백 트랜스포머(FBT)와, 상기 노드점(2)와 접지사이에 콘덴서(C6)이 연결되고 상기 노드점(2)와 노드점(3)사이에 저항(R7)이 접속되며 상기 노드점(3)과 접지사이에 저항(R6)연결되어 상기 플라이백 트랜스포머(FBT) 2차측 전압을 검출하는 CR부(50)와, 상기 노드점(3)과 접지사이에 접속된 콘덴서(C5)와, 상기 노드점(3)에 베이스가 접속되고 콜렉터가 제1전원 공급단(V1)에 접속되며 에미터가 노드점(4)에 접속된 트랜지스터(Q3), 상기 노드점(4)과 접지사이에 상호병렬 접속된 가변저항(VR1)과 저항(R5) 및 콘덴서(C4), 상기 노드점(4)에 한단이 접속되며 타단으로 기준전압(Vref)이 공급되는 비교기(COM)로 이루어진 고압검출부(100)와, 상기 비교기(COM) 출력단과 노드점(5)사이에 접속된 저항(R8)과 상기 노드점(5)와 접지사이에 접속된 저항(R9)을 구비한 디바이드회로(220), 상기 노드점(5)에 베이스가 접속되며 에미터가 저항(R10)을 통해 접지된 트랜지스터(Q4)와 상기 트랜지스터(Q4)의 콜렉터에 베이스가 접속되며 에미터가 상기 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측에 접속된 트랜지스터(Q5)와 상기 트랜지스터(Q5)의 콜렉터오 베이스사이에 접속된 저항(R11)을 구비한 자기바이어스회로(210)로 이루어진 안정화회로(200)와, 상기 비교기(COM)에 케소드가 접속되고 애노드가 노드점(6)에 접속된 제너다이오드(ZD1), 노드점(6)과 접지사이에 병렬접속된 콘덴서(4) 및 저항(R4), 베이스가 저항(R3)을 통해 노드점(6)에 접속되고 콜렉터가 노드점(7) 및 저항(R2)를 통해 제3전원공급단(V3)에 접속된 트랜지스터(Q2), 베이스가 저항(R1)을 통해 상기 노드점(7)에 접속된 트랜지스터(Q1), 상기 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 제1단(a)이 접속되며 제2단(b)이 노드점(9)를 제2전원 공급단(V2)에 접속되며 제4단(d)이 상기 트랜지스터(Q5)의 콜렉터(Q5)에 접속된 릴레이(REL1), 상기 노드점(9)와 접지사이에 접속된 콘덴서(C2)로 이루어진 보호회로(300)와, 상기 릴레이(REL1)의 제3단(c)에 캐소드가 접속되고 애노드가 제1전원공급단(V1)에 접속된 다이오드(D1)와, 상기 다이오드(D1)의 캐소드와 접지사이에 접속된 콘덴서(C1)로 구성된다.1 is a circuit diagram of the present invention, in which a horizontal drive transistor Q6, a diode D2, a capacitor C7 and a parallel drive connected in parallel between a node point 1 and ground, One end is connected, and one end of the secondary side is connected to the cathode cap of the CRT through the node point (2) to boost the high pressure, and a capacitor (C6) is provided between the node point (2) and the ground. And a resistor R7 is connected between the node point 2 and the node point 3, and a resistor R6 is connected between the node point 3 and the ground to connect the flyback transformer (FBT) secondary voltage. The CR unit 50 to detect, the capacitor C5 connected between the node point 3 and the ground, the base connected to the node point 3, and the collector connected to the first power supply terminal V1. A transistor Q3 having an emitter connected to the node point 4, a variable resistor VR1, a resistor R5, and a condenser connected in parallel with each other between the node point 4 and the ground; C4, a high voltage detector 100 having one end connected to the node point 4 and a comparator COM supplied with a reference voltage Vref to the other end, and the comparator COM output terminal and the node point 5 A divider circuit 220 having a resistor R8 connected between the node R5 and a resistor R9 connected between the node point 5 and the ground, a base connected to the node point 5, and an emitter Transistor Q5 and transistor Q5 having a base connected to the collector of transistor Q4 and the transistor Q4 grounded through R10 and having an emitter connected to the secondary side of the flyback transformer FBT. A stabilization circuit 200 made up of a magnetic bias circuit 210 having a resistor R11 connected between the collector oh bases of the transistors and a cathode connected to the comparator COM, and an anode connected to the node point 6. Zener diode ZD1, capacitor 4 connected in parallel between node point 6 and ground, resistor R4, and base resistor R Transistor Q2 connected to the node point 6 through 3) and the collector connected to the third power supply terminal V3 through the node point 7 and resistor R2, and the base through the resistor R1. The first stage a is connected to the transistor Q1 connected to the node point 7 and the collector of the transistor Q1, and the second stage b connects the node point 9 to the second power supply terminal ( A protection circuit comprising a relay REL1 connected to V2) and a fourth terminal d connected to the collector Q5 of the transistor Q5, and a capacitor C2 connected between the node point 9 and ground. And a diode D1 having a cathode connected to the third terminal c of the relay REL1 and an anode connected to the first power supply terminal V1, and a cathode and ground of the diode D1. It consists of the capacitor | condenser C1 connected between them.

상술한 구성에 의거 본 고안을 상세히 설명한다.Based on the above-described configuration will be described the present invention in detail.

먼저 고압변동에 대한 파라메터(parameter)를 설명하면, 수평출력 트랜지스터(Q6)의 콜렉터 펄스의 피크(peak)치 (Vcp)와 FBT의 1차측 입력전압(B+=200V)과의 관계를 하기한 식으로 표시할 수 있다.First, the parameter for high voltage fluctuation is explained. The relationship between the peak value (Vcp) of the collector pulse of the horizontal output transistor (Q6) and the primary input voltage (B + = 200V) of the FBT is described below. Can be displayed as

또한 귀선기간(Tr)은 하기한(2)식과 같이 표시되며,In addition, the retrace period (Tr) is represented by the following equation (2),

여기서, Lh는 FBT의 1차 인덕턴스이며 Ch는 공진 용량을 의미한다.Where Lh is the primary inductance of FBT and Ch is the resonance capacitance.

CRT의 애노드 전압(EHT)은 하기한 (3)식과 같이 표시된다.The anode voltage EHT of the CRT is expressed as shown in Equation (3) below.

EHT=n·VcpEHT = nVcp

그러므로 상기한 (1)-(3)식에 의해 CRT 애노드전압은 최종적으로 하기한 (4)식과 같이 표시된다.Therefore, by the above formulas (1) to (3), the CRT anode voltage is finally expressed as shown in the following formula (4).

Eb=B+(n : 정수배)Eb = B + (n: integer multiple)

상기 (4)식에 표시된 바와같이 고압변동(빔의 전류)에 따른 변수로써 Eb, Lh, Ch를 들수 있고 상기 변수들을 변화시킴에 따라 고압의 제어가 가능해진다.As shown in Equation (4), Eb, Lh, and Ch may be mentioned as variables according to the high pressure variation (beam current), and the high pressure may be controlled by changing the variables.

이하 제1도를 참조하여 본 공안의 일실시예를 설명하면, FBT의 1차측 제1전원으로 전압(V1)이 입력되어 1차 권선을 통해 수평 트랜지스터(Q6)의 콜렉터로 연결되어 통상의 수평 발진부를 구성하여 동작하게 된다.Hereinafter, an embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIG. 1. A voltage V1 is input to a primary power supply of a primary side of an FBT, connected to a collector of a horizontal transistor Q6 through a primary winding, and thus, a horizontal horizontal line. The oscillator is configured to operate.

이때 상기 플라이백 트랜스포머(FBT)의 2차측에서는 고압이 승압되어 나타나고 CRT의 애노드 캡(Anode Cap)으로 입력되어 화면의 디스플레이에 변수로 작용한다.At this time, the secondary side of the flyback transformer (FBT) appears to be elevated in high pressure and is input to the anode cap of the CRT to act as a variable in the display of the screen.

여기서 고압(EHT)이 출력되는 과정에서 CR부(50)를 거치게 되는데 상기 CR부(100)를 구성하는 블리더 저항은 수백 ㏁의 단수로써 고압을 분압하여 상기 플라이백 트랜스포머(FBT)의 V1전류제어용 트랜지스터(Q3)의 베이스로 인가한다.In the process of outputting the high pressure (EHT) is passed through the CR unit 50, the bleeder resistor constituting the CR unit 100 is divided into a few hundred kW of the high voltage to divide the high voltage V1 current of the flyback transformer (FBT) It is applied to the base of the control transistor Q3.

고압검출부(100)에서는 상기 전압이 인가될 때 상기 트랜지스터(Q3)의 에미터에 연결된 에미터 저항(R5)과 가변저항(VR1)에 의해 유입되는 전류차를 제어하여 고압이 과도하게 걸릴 때 제1전원전압(V1을 200V라 가정함)에 대한 소스전압을 줄여주어 고압의 상승을 어느정도는 방지할 수 있다.When the voltage is applied, the high voltage detector 100 controls the current difference introduced by the emitter resistor R5 and the variable resistor VR1 connected to the emitter of the transistor Q3 to control the current difference. By reducing the source voltage for one power supply voltage (assuming V1 is 200V), the rise of high voltage can be prevented to some extent.

이것은 상기 가변저항(VR1)에 의해 제어가 가능해지며 이 저항 양단에 걸린 전압은 전압비교기(COM)의 하단으로 입력되어 상기 비교기(COM)의 타단으로 인가되는 기준전압(Vref)과 비교된다.This is controlled by the variable resistor VR1 and the voltage across the resistor is input to the lower end of the voltage comparator COM and compared with the reference voltage Vref applied to the other end of the comparator COM.

그러므로 상기 비교기(COM)로부터 출력된 비교결과는 안정회로(200)와 보호회로(300)로 공급되어 하기와 같은 동작이 발생하게 된다.Therefore, the comparison result output from the comparator COM is supplied to the stable circuit 200 and the protection circuit 300 to generate the following operation.

먼저 안정화회로(200)에서는 상기 비교기(COM)의 출력전압이 두 저항(R8)과 (R9)로 구성된 분압회로(220)로 입력되어 미세전압으로 바뀌어진 후 V1(200V)제어용 트랜지스터(Q4)의 베이스로 인가되어 트랜지스터(Q5)와 저항(R11)으로 구성된 자기 바이어스회로(210)의 컨트롤 전압을 제어하게 된다.First, in the stabilization circuit 200, the output voltage of the comparator COM is input to the voltage divider circuit 220 composed of two resistors R8 and R9, and is changed to a minute voltage, and then the transistor Q4 for controlling the V1 (200V). The control voltage of the self bias circuit 210, which is applied to the base of the transistor Q5 and the resistor R11, is controlled.

이때 만일 고압이 과도하게 걸린다면 고압을 내려주기 위해 궁극적으로 제1전원전압(V1)을 내려주게 되는데 이것은 상기 제1전원전압(V1)과 연결된 바이어스저항(R11)과 에미터저항(R10)에 의해서 감소되는 정도가 결정되고 트랜지스터(Q4)는 고압이 상승될때만 포화영역에서 동작하여 제1전원전압(V1)의 부하를 변동시켜 고압제어용 트랜지스터(Q5)의 동작범위를 다이나믹(dynamic)하게 변화시켜 고압이 감소하는 방향으로 동작하게 한다.At this time, if the high voltage is excessively applied, the first power supply voltage V1 is ultimately lowered to lower the high pressure, which is applied to the bias resistor R11 and the emitter resistor R10 connected to the first power supply voltage V1. Is reduced, and the transistor Q4 operates in the saturation region only when the high voltage rises to change the load of the first power supply voltage V1 to dynamically change the operating range of the high voltage control transistor Q5. To operate in the direction of decreasing high pressure.

그 결과 빔(Beam) 전류의 전동을 감소시키기 때문에 화면의 찌그러짐이 발생치 않도록하여 화면의 열화를 방지할 수 있게 된다.As a result, since the transmission of the beam current is reduced, screen distortion is prevented from occurring, thereby preventing deterioration of the screen.

다음으로 비교기(COM)의 출력전압을 입력으로 하는 보호회로(300)의 동작을 설명하면, 상기 비교기(COM) 출력 전압이 일정 레벨 이상 초과 되었을시에는 고압이 급격히 증가하여 화면에서 X-ray가 방출됨을 의미한다.Next, when the output of the comparator COM is input, the operation of the protection circuit 300 is explained. When the output voltage of the comparator COM is exceeded by a predetermined level or more, a high voltage is rapidly increased and an X-ray is displayed on the screen. It means to be released.

그러므로 상기 X-ray의 방출을 방지하기 위해 제너다이오드(ZD1)를 통해 상기 고압검출부(100)출력을 미세전압으로 전환한후 콘덴서(C3)와 저항(R4)으로 구성되는 시정수 회로에서 릴레이 제어전압(5V)을 제어하는 트랜지스터(Q2)의 베이스로 저항(R3)을 통해 입력하여 상기 트랜지스터(Q2)를 포화시켜 드라이브 트랜지스터(Q1)의 동작을 차단시켜 플라이백 트랜스포머(FBT)의 제1전원전압(V1)을 끊어주게 된다.Therefore, in order to prevent the emission of the X-ray, the relay control in the time constant circuit composed of a capacitor (C3) and a resistor (R4) after converting the output of the high-voltage detection unit 100 to a minute voltage through the zener diode (ZD1) The first power source of the flyback transformer FBT is inputted through the resistor R3 to the base of the transistor Q2 for controlling the voltage 5V to saturate the transistor Q2 to block the operation of the drive transistor Q1. The voltage V1 is cut off.

상술한 바와 같이 하나의 검출부를 이용하여 고압안정화 회로 및 보호회로를 모두 동작가능토록 하므로써 고압의 상승을 방지하고 고압의 변동을 적게하여 빔전류의 변동에 의한 화면의 열화를 방지할 수 있는 이점이 있다.As described above, it is possible to operate both the high voltage stabilization circuit and the protection circuit by using one detection unit, thereby preventing the increase of the high voltage and reducing the change of the high voltage, thereby preventing the deterioration of the screen due to the variation of the beam current. have.

Claims (1)

대화면 텔레비젼에 있어서, 1차측이 수평발진부에 연결되며 2차측으로 고압을 승압하는 플라이백 트랜스포머와, 저항 및 콘덴서로 이루어져 상기 플라이백 트랜스포머(FBT)의 2차측 전압을 검출하여 분압한 결과로 CRT의 애노드 캡등으로 출력하는 CR부와, 전류제어용 제3트랜지스터로 상기 분압된 고압 및 제1전원(V1)을 입력하고 상기 제3트랜지스터의 에미터에 접속된 콘덴서 및 저항에 의해 유입 전류차를 조절하여 소정의 기준전압과 비교출력하는 고압검출부와, 상기 고압검출부의 출력을 저항을 이용분압하여 미세전압화 한후 상기 미세전압으로 제4트랜지스터 및 상기 제4트랜지스터에 의해 동작하는 제5트랜지스터와 저항으로 이루어진 자기 바이어스회로를 제어하여 고압상승을 억제하는 안정화회로와, 상기 고압검출부 출력이 일정전압을 초과할시 제너다이오드 및 릴레이 구동용 트랜지스터를 이용하여 제1전원과 플라이백 트랜스(FBT)사이에 릴레이를 오프시켜 과도한 전압이 CRT로 유입되는 것을 방지하는 보호회로(300)로 구성됨을 특징으로 하는 회로.In a large-screen television, the primary side is connected to a horizontal oscillation unit and includes a flyback transformer for boosting the high voltage to the secondary side, and a resistor and a capacitor to detect and divide the secondary voltage of the flyback transformer (FBT). The CR unit outputs to the anode cap and the like, and the divided high voltage and the first power source V1 are input to the third transistor for current control, and the inflow current difference is adjusted by a capacitor and a resistor connected to the emitter of the third transistor. A high voltage detector which compares and outputs a predetermined reference voltage, the output of the high voltage detector is minutely voltage-divided by using a resistor, and then the fourth transistor and the fifth transistor which are operated by the fourth transistor and the resistor at the minute voltage. Stabilization circuit for suppressing the high voltage rise by controlling the self bias circuit, and the output of the high voltage detector exceeds a certain voltage When the circuit, characterized by consisting of a Zener diode, and by using the relay driving transistor, the first power supply and the flyback transformer turns off the relay between (FBT) protection circuitry 300 to prevent the excessive voltage from entering the CRT.
KR2019890017141U 1989-11-20 1989-11-20 High voltage stabilization and protecting circuit for t.v. KR920003459Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019890017141U KR920003459Y1 (en) 1989-11-20 1989-11-20 High voltage stabilization and protecting circuit for t.v.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019890017141U KR920003459Y1 (en) 1989-11-20 1989-11-20 High voltage stabilization and protecting circuit for t.v.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910010238U KR910010238U (en) 1991-06-29
KR920003459Y1 true KR920003459Y1 (en) 1992-05-30

Family

ID=19292031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019890017141U KR920003459Y1 (en) 1989-11-20 1989-11-20 High voltage stabilization and protecting circuit for t.v.

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920003459Y1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR910010238U (en) 1991-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100229969B1 (en) Raster size regulating apparatus
US5010281A (en) High voltage stabilization circuit for video display apparatus
KR920003459Y1 (en) High voltage stabilization and protecting circuit for t.v.
US5428272A (en) Voltage regulator for CRT electrode supply
US5285133A (en) Deflection current generating circuits
US4651063A (en) Horizontal deflection circuit
KR0153440B1 (en) High voltage stabilization circuit
KR200327956Y1 (en) CRT display apparatus
KR930000450Y1 (en) High voltage stabilization circuit for display device
KR100299844B1 (en) High Voltage Stabilization Circuit of Image Display Equipment
KR100261797B1 (en) Flat type crt
KR20010051009A (en) High voltage power supply disabling circuit for video display
JP3442800B2 (en) Flat type CRT
JPS5846599Y2 (en) horizontal deflection circuit
KR100312782B1 (en) A circuit for limiting a phase-difference-voltage of horizontal oscillation circuit in a video display system
JPS61134181A (en) Horizontal deflecting circuit
US6856104B2 (en) High voltage supply for a picture tube
KR930003569Y1 (en) Vertical size control circuit for crt
KR870000552B1 (en) High-voltage stabilized circuit
KR100228390B1 (en) Circuit for selecting screen ratio of image display
KR910003655Y1 (en) High voltage stabilization circuit for tv and monitor
KR0123417B1 (en) A high voltage generating circuits in a monitor
KR920000912Y1 (en) High voltage stabilization circuit
KR920003460Y1 (en) Protecting circuit for a fluorescent plate of brown tube
KR910002945Y1 (en) Power supply circuit for tv crt

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19980327

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee