KR920002376B1 - 박막 el 표시소자 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
첨부도면은 일반적인 박막 EL 표시소자의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 유리기판 2 : 투명도전막
3 : 제1절연막 4 : 형광막
5 : 제2절연막 6 : 알루미늄 배면전극
본 발명은 박막 EL 표시소자(Thin Film Electro Luminescence display element)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 알루미늄 전극(A1)에 도판트(Dopant)를 첨가하여 타겟(Target)으로 상부전극을 형성하는 박막 표시소자에 관한 것이다.
첨부된 도면은 일반적인 박막 EL표시소자의 단면도를 나타낸 것으로서, 이의 제조공정을 설명하다. 유리기판(1)위에 산화인듐(In03)막을 스퍼터링(sputtering)하여 포토에칭법으로 스트라이프 형상의 투명도전막(2)을 형성하고, 상기 투명도전막(2)위에 질화실리콘(Si3N4)제1절연막(3)을 증착하여, 다시 그 위에 황화아연/망간 (ZnS/Mn) 형광막(4), 질화 실리콘(SiN)제2절연막(5) 및 알루미늄 배면전극(6)을 순차적으로 증착시켜, 투명도전막(2)과 배면전극(6)사이에 교류전압을 인가시킬 때 소정의 화상을 표시하게 구성되어 있다.
이와 같은 박막 EL 표시소자는 투명도전막(2)과 배면전극(6)사이에 170-210V의 교류전압을 인가시켜 형광막(4)의 양면간에 다음의 식에 의해 유도된 10V/㎝의 고전계를 발생시킨다.
E = v/d(V/cm)
이와 같이 고전계를 발생시키면 형광막(4)의 경계면에 밀집되어 있는 전자(e)들은 그 고전계에 의해 가속되면서 형광막(4)내부의 망간(Mn)원자에 충돌하여 망간원자를 여기시키게 되고, 여기된 망간원자는 저기상태로 되면서 파장585nm의 황등색 광을 방출하게 된다.
종래의 박막 EL 표시소자는 배면전극(6)을 알루미늄으로 사용하는데, 이 경우 보통 170-210V의 고전압이 전극 양단에 걸려 발광되므로 다른 박막 소자에 비하여 전자이동(electromigration)효과가 훨씬 커져서 알루미늄의 확산(Diffusion)으로 인하여 제품의 신뢰도가 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 알루미늄에 구리(Cu)을 5-10%첨가시켜 타겟을 제조한 후 스퍼터링(sputtering)에 의하여 배면전극을 형성하는 박막 EL 표시소자를 제공하는 데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유리기판 위에 투명도전막이 형성되고, 그 위에 제1절연막, 형광막, 제2절연막, 알루미늄 배면전극이 순차적으로 형성된 박막 EL표시소자에 있어서, 상기한 알루미늄 배면전극에 구리의 도판트가 5-10%첨가된 박막 EL표시소자를 제공한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
알루미늄 분말(10㎛크기의 입자)에 구리분말(5-10㎛)를 5-10wt%넣어 건조한 상태에서 혼합한다.
충분한 혼합이 된 후 10-20ton/㎠의 압력으로 원하는 크기와 모양으로 압축(Pressing)한다. 알루미늄분말과 구리분말의 성분이 완전히 결합되도록 400-550℃사이의 온도에서 1-2시간정도 소결(Sintering : 융점 이하의 가열로 분말의 입자 또는 압분체의 입자를 결합시키는 것)한다.
모양은 제조용도, 즉 전자빔 및 스퍼터링에 알맞은 금형을 이용하여 압축(press)한다.
상기와 같이 제조된 타겟을 배면전극으로 사용하여 박막 EL표시소자를 제조한다. 박막 EL 표시소자의 제조방법은 일반적인 방법과 동일하게 한다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면, 투명전극과 배면적극 사이에 고압을 인가시켜 발광되는데, 이때 알루미늄 확산 현상을 제거함으로서 소자의 수명과 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
Claims (1)
- 유리기판(1)위에 투명도전막(2)이 형성되고, 그 위에 제1절연막(3), 형광막 (4), 제2절연막(5), 알루미늄 배면전극(6)이 순차적으로 형성된 박막 EL 표시소자에 있어서, 상기한 알루미늄 배면전극(6)에 구리(Cu)의 도판트가 5-10%첨가된 박막 EL표시소자.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890020449A KR920002376B1 (ko) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | 박막 el 표시소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019890020449A KR920002376B1 (ko) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | 박막 el 표시소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910014002A KR910014002A (ko) | 1991-08-08 |
KR920002376B1 true KR920002376B1 (ko) | 1992-03-23 |
Family
ID=19294480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019890020449A KR920002376B1 (ko) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | 박막 el 표시소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920002376B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101067364B1 (ko) * | 2006-10-12 | 2011-09-23 | 울박, 인크 | 도전막 형성 방법, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 갖는 패널 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
-
1989
- 1989-12-30 KR KR1019890020449A patent/KR920002376B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101067364B1 (ko) * | 2006-10-12 | 2011-09-23 | 울박, 인크 | 도전막 형성 방법, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 갖는 패널 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910014002A (ko) | 1991-08-08 |
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