KR910013441A - 유기 및 아민기를 이용한 구리 식각 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법에 사용되는 반응 챔버의 실시예의 개략도.
Claims (10)
- 패턴화된 도체를 형성하기 위해 밀폐된 챔버내의 기판상에 있는 구리층을 식각하기 위한 방법에 있어서, 식각되지 않으려는 상기 구리층의 영역을 마스킹하는 단계, 및 유기기가 고강도 자외선에 의해 조사된 후 유기 구리 반응 생성물을 형성하기 위해 상기 밀폐된 챔버내의 상기 구리층에 유기기를 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 구리 반응 생성물이 거의 휘발성이 되는 온도까지 상기 기판을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유기-구리 반응 생성물을 제거하기 위해 상기 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기판이 200℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유기기가 알킬기인 것을 특징으로 하는 방법.
- 패턴화된 도체를 형성하기 위해 밀폐된 챔버 내의 기판상에 있는 구리층을 식각하기 위한 방법에 있어서, 식각되지 않으려는 상기 구리층의 영역을 마스킹하는 단계, 아민기가 고강도 자외선에 의해 조사된 후 구리 아민 반응 생성물을 형성하기 위해 상기 밀폐된 챔버내의 상기 구리층에 구리 아민기를 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 구리 아민 반응 생성물이 거의 휘발성이 되는 온도까지 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 구리 아민 반응 생성물을 제거하기 위해 상기 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 기판이 200℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 프로세스.
- 제6항에 있어서, 상기 유기기가 알킬인 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US45354389A | 1989-12-20 | 1989-12-20 | |
US453543 | 1989-12-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910013441A true KR910013441A (ko) | 1991-08-08 |
KR100194297B1 KR100194297B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=23800973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900021072A KR100194297B1 (ko) | 1989-12-20 | 1990-12-19 | 유기 및 아민기를 이용한 구리 식각 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0436812B1 (ko) |
JP (1) | JP3313374B2 (ko) |
KR (1) | KR100194297B1 (ko) |
DE (1) | DE69012084T2 (ko) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3376186D1 (en) * | 1983-08-02 | 1988-05-05 | Ibm Deutschland | Dry-etching process and its use |
US4490210A (en) * | 1984-01-24 | 1984-12-25 | International Business Machines Corporation | Laser induced dry chemical etching of metals |
JPH0642456B2 (ja) * | 1984-11-21 | 1994-06-01 | 株式会社日立製作所 | 表面光処理方法 |
JPS61187237A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
US4622095A (en) * | 1985-10-18 | 1986-11-11 | Ibm Corporation | Laser stimulated halogen gas etching of metal substrates |
-
1990
- 1990-11-23 EP EP90122376A patent/EP0436812B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-23 DE DE69012084T patent/DE69012084T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-19 KR KR1019900021072A patent/KR100194297B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-12-20 JP JP40446090A patent/JP3313374B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3313374B2 (ja) | 2002-08-12 |
DE69012084D1 (de) | 1994-10-06 |
DE69012084T2 (de) | 1995-01-19 |
KR100194297B1 (ko) | 1999-06-15 |
JPH03291387A (ja) | 1991-12-20 |
EP0436812A1 (en) | 1991-07-17 |
EP0436812B1 (en) | 1994-08-31 |
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