KR910013441A - 유기 및 아민기를 이용한 구리 식각 방법 - Google Patents

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에이. 더글라스 몬트
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엔. 라이스 머레트
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    • HELECTRICITY
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Abstract

내용 없음.

Description

유기 및 아민기를 이용한 구리 식각 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법에 사용되는 반응 챔버의 실시예의 개략도.

Claims (10)

  1. 패턴화된 도체를 형성하기 위해 밀폐된 챔버내의 기판상에 있는 구리층을 식각하기 위한 방법에 있어서, 식각되지 않으려는 상기 구리층의 영역을 마스킹하는 단계, 및 유기기가 고강도 자외선에 의해 조사된 후 유기 구리 반응 생성물을 형성하기 위해 상기 밀폐된 챔버내의 상기 구리층에 유기기를 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기 구리 반응 생성물이 거의 휘발성이 되는 온도까지 상기 기판을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기-구리 반응 생성물을 제거하기 위해 상기 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 기판이 200℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기기가 알킬기인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 패턴화된 도체를 형성하기 위해 밀폐된 챔버 내의 기판상에 있는 구리층을 식각하기 위한 방법에 있어서, 식각되지 않으려는 상기 구리층의 영역을 마스킹하는 단계, 아민기가 고강도 자외선에 의해 조사된 후 구리 아민 반응 생성물을 형성하기 위해 상기 밀폐된 챔버내의 상기 구리층에 구리 아민기를 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 구리 아민 반응 생성물이 거의 휘발성이 되는 온도까지 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 구리 아민 반응 생성물을 제거하기 위해 상기 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 기판이 200℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 프로세스.
  10. 제6항에 있어서, 상기 유기기가 알킬인 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900021072A 1989-12-20 1990-12-19 유기 및 아민기를 이용한 구리 식각 방법 KR100194297B1 (ko)

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