KR910012326A - 무개스 아아크 방전 이온 플레이팅 방법 및 그 장치 - Google Patents

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KR910012326A
KR910012326A KR1019890020398A KR890020398A KR910012326A KR 910012326 A KR910012326 A KR 910012326A KR 1019890020398 A KR1019890020398 A KR 1019890020398A KR 890020398 A KR890020398 A KR 890020398A KR 910012326 A KR910012326 A KR 910012326A
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홍재화
정창영
이영백
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정명식
포항종합제철 주식회사
박태준
재단법인 산업과학기술연구소
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Abstract

내용 없음

Description

무개스 아아크 방전 이온 플레이팅 방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 이온 플레이팅 장치의 개략적인 수직 단면도와 여기에 부가되는 전기적 회로 구성도.
제2도는 제1도의 A-A선 단면에서 바라본 본 발명 장치의 필라멘트, 증발원 및 이온화 전극의 상호관련평면 배치도.

Claims (8)

  1. 아아크 방전을 이용한 이온 플레이팅 장치에 있어서. 진공 챔버(1)의 상부에는 기판가열용 열선을 내장한 기판 홀더(2)를 설치하고, 이 기판홀더(2)에는 기판전압이 인가되는 기판(3)을 고정하고, 상기 기판(3)에 대향하는 진공챔버(1)의 하부에는 각각의 증발용 전원을 가지는 1개 이상의 증발원 (5, 5')을 설치하고, 상기 증발원 (5, 5') 좌,우측에는 상,하 및 좌,우 위치이 조절가능하며 각기 AC 및 DC 전압이 인가되는 필라멘트(6)와 이온화 전극(7)을 설치하고, 상기 기판(3)과 1개 이상의 증발원(5,5') 사이에는 셔터 (8)를 설치하여 구성하는 것을 특징으로 하는 무개스 아아를 방전 이온 플레이팅 장치.
  2. 제1항에 있어서, 필라멘트(6)는 수냉장치를 포함하는 구리블록을 통하여 필라멘트용 전원(14)에 연결되며 타원형의 텅스텐선인 것을 특징으로 하는 무 개스 아아크 방전 이온 플레이팅 장치.
  3. 제1항에 있어서, 이온화전극(7)은 필라멘트(6)에 대해 결사면을 가지는 구리불록으로 형성되며 필라멘트(6)보다 낮은 위치에 설치되는 것을 특징으로 하는 무 개스 아아크방전이온 플레이팅 장치.
  4. 제1항에 있어서, 증발원(5,5')은 저항 가열원인 것을 특징으로 하는 무 개스 아아크방전이온 플레이팅 장치.
  5. 제4항에 있어서, 저항가열원 텅스텐 보우트, 볼리브덴 보우트, 탄탈륨 보우트 알루미나 보우트, 텅스텐선 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무 개스 아아크 방전 이온 플레이팅 장치.
  6. 아아크 방전을 이용한 이온 플레이팅 장치에 있어서 증발원(5,5')과 필라멘트(6)와 이온화 전극(7)의 배치위치를 조절하고 증발원(5,5')에 증발물질을 배치하고 셔터(8)를 닫는 다음 로터리 펌프와 확산펌프를 이용하여 소정의 고진공도를 확보하는 단계와, 필라멘트(6)와 이온화 전극(7)에 각각 저 전류와 저 전압을 인가하여 증발원에 남아 있는 불순물을 제거하기 위한 무 개스화 단계와, 필라멘트(5)의 전류를 증가시켜 증발원(5,5') 상의 증발물질의 이온화에 따른 고전류 아아크 방전을 일으키는 단계와 상기 아아크 방전의 조절 및 안정화 이후 셔터(8)를 열어 이온 플레이팅을 실행하는 단계를 포함하는 무 개스 아이크 방전 이온 플레이팅 장치.
  7. 제6항에 있어서, 로타리펌프와 확산 펌프에 의한 진공챔버(1)의 진공도는 10 Torr이하인 것을 특징으로 하는 무 개스 아아크 방전 이온 플레이팅 방법.
  8. 제6항에 있어서, 아아크 방전의 조절은 필라멘트(6)와 이온화전극(7)의 위치 조절을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무 개스 아아크 방전 이온 플레이팅 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890020398A 1989-12-30 1989-12-30 무 개스 아아크 방전 이온 플레이팅 방법 및 그 장치 KR920000532B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100624745B1 (ko) * 2004-09-13 2006-09-15 한국전기연구원 방전 안정성이 우수한 중공 캐소드 방전건
KR100702846B1 (ko) * 2006-05-16 2007-04-03 삼성전자주식회사 이온주입설비의 정전척 크리닝장치

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KR100624745B1 (ko) * 2004-09-13 2006-09-15 한국전기연구원 방전 안정성이 우수한 중공 캐소드 방전건
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