KR910005535A - 과전압 또는 과전류로 부터 보호하는 보호회로 - Google Patents

과전압 또는 과전류로 부터 보호하는 보호회로 Download PDF

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KR910005535A
KR910005535A KR1019900012888A KR900012888A KR910005535A KR 910005535 A KR910005535 A KR 910005535A KR 1019900012888 A KR1019900012888 A KR 1019900012888A KR 900012888 A KR900012888 A KR 900012888A KR 910005535 A KR910005535 A KR 910005535A
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나루오 요시오카
다카아키 이토오
타카시 쿠리하라
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미쯔비시 고오교오 세멘토 가부시끼가이샤
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    • H—ELECTRICITY
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    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
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Abstract

내용 없음

Description

과전압 또는 과전류로 부터 보호하는 보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는, 제어저항(2)과 함께 전원으로써 본 발명의 보호회로의 쇼트회로를 실험하기 위한 구성을 도식적으로 나타내는 도면,
제4도 및 제5도는, 본 발명에 관한 보호회로의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.

Claims (7)

  1. 반도체 회로 또는 통신(전화) 회선의 보호회로로서, 반도체 회로에 전류를 공급하기 위하여, 반도체 회로 또는 회선에 접속되는 전원(1)과; 상기 전원(1)으로 부터 반도체 회로 또는 회선으로의 서어지를 흡수하기 위하여, 반도체 회로 또는 회선과 병렬로 배치되는 서어지 흡수 소자(5)와; 전원(1)과 서어지 흡수소자(5) 사이의 위치에, 반도체 회로 또는 회선에 직렬로 배치되며, 높은 정저항 온도계수를 가지는 정특성 더어미스터(4) 및, 더어미스터(4)와 전원(1)사이의 위치에, 반도체 회로 또는 회선에 직렬로 접속되는 저항(2)으로 구성되는 보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 더어미스터(4)는 섭씨 65 내지 165 도의 온도에서 스위칭 온도를 가지는 보호회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 더어미스터(4)는, 1킬로오옴 이하의 값으로 명목상의 제로부하 저항치를 가지는 보호회로.
  4. 반도체 회로 또는 전화회선의 보호회로로서, 반도체에 전류를 공급하기 위하여, 반도체 회로 또는 회선에 접속되는 전원(1)과; 상기 전원(1)으로 부터 반도체 회로 또는 회선으로의 서어지를 흡수하기 위하여, 반도체 회로 또는 회선과 병렬로 배치되는 서어지 흡수 소자(5)와; 전원(1)과 서어지 흡수소자(5) 사이의 위치에, 반도체 회로 또는 회선과 직렬로 접속되며, 정 저항 온도 계수를 더어미스터(4)로 구성되는 보호회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 더어미스터(4)는 정저항 온도계수를 가지는 보호회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 더어미스터(4)는 섭씨 65도 내지 165도의 온도에서 스위칭 온도를 가지는 보호회로.
  7. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 더어미스터(4)는 1킬로 오옴 이하의 값에서 명목상의 제로부하 저항치를 가지는 보호회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012888A 1989-08-21 1990-08-21 과전압 또는 과전류로 부터 보호하는 보호회로 KR910005535A (ko)

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