KR910004129B1 - 다중염소화 비페닐 오염물의 처리방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

다중염소화 비페닐 오염물의 처리방법 및 장치

제 1 도는 본 발명의 일례에 따르는 장치의 공정도이다.

제 2 도는 제 1 도의 라인 2-2에 따라 취해진 확대 단면도이다.

제 3 도는 제 1 도의 라인 3-3에 따라 취해진 확대부분 단면도이다.

본 발명은 다중염소화 비페닐(PCB)에 의한 모래, 진흙등의 오염물을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 이러한 오염물은 PCB로 오염된 호수 및 냇가의 저부를 형성하고 있다.

1978년 이래로, 미합중국에서는 다중염소화 비페닐(PCB)의 제조를 금지하여왔다. 이러한 화학물질들은 변압기, 무탄소지, 유압펌프, 코오킹 화합물, 잉크, 페인트 및 곤충 스프레이등에 널리 사용되어 왔으나, 암 및 출생저하를 야기시키게 되자 엄청난 양의 상기 화학물질들은 수년간에 걸쳐 분별없이 폐기되었다. 주로, 이러한 화학물질들은 호수, 냇가 및 수로에 폐기된 바 상당히 농축된 상태로 호수, 냇가등의저부에 영구적으로 퇴적되었다.

이러한 화합물질들을 무분별하게 폐기시킴으로써 엄청난 양의 다른 물질이 오염되었던 것이다. 종래에는, 이러한 유체들로 오염된 저부토양이나 기타의 것들은 소각이나 매립으로 처리되었으나, PCB로 오염된 물질들의 특성을 고려할때, 소각은 지극히 어려웠고 매립 또한 일순간의 처리 방법일 뿐이었다.

다중염소화 유기 화합물들의 높은 열안정성에도 불구하고, 이들 유기 화합물은 열분해가 가능하다는 것을 알아내었다. 미합중국 특허 제 4,140,066호에서는 850℃의 온도에서 매우 강한 난류 및 파동으로 0.1초의 단체류시간 동안 작동하는 연소실내에서 열노출시킴으로서 PCB 오염물질을 분해하는 방법을 기술하고 있다. 그러나, 상기 특허에서는 엄청난 양의 오염물질, 즉, 비교적 낮은 발열량을 가진 습윤물질의 처리법 및 장치를 제공하지 못했다. 따라서, 상기 특허에 의한 방법은 비교적 소량의 PCB 함유 화합물을 제거하는데에는 매우 유용했을지 모르나, 오염물에 잔류하는 톤급 정도의 오염물을 처리하는데는 도움을 주지 못했다. 폐기물질 소각법에 대한 각종 기술들은 미합중국 특허 제 4,245,570호, 제 3,858,534호, 제 3,829,558호, 제 3,812,794호, 제 3,716,339호 및 제 3,511,194호 등이다.

본 발명의 주목적은 엄청난 양의 오염물로부터 PCB를 분리할 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이며, 또한 오염된 강, 호수, 수로의 저부를 형성하고 있는 오염물질을 효율적이고 경제적인 방법으로 처리하는 방법 및 장치를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 방법에 대한 목적 및 장점은 PCB 오염물질의 처리법에 의해 달성되었는데, 본 방법은 454.4-1371.1℃(850-2500°F)에서 고온 가스에 노출시켜 오염물질들을 가열한 다음, 오염물로부터 물과 다중염소화 비폐닐을 제거하여 무수 입자 물질만을 남게하는 단계로 구성되어 있다. 상기 PCB 물질은 가스류로 변형되어 연소용으로 가공된다.

또 다른 본 발명의 실례를 보면, PCB 오염물을 처리하는 장치가 처리될 오염물을 혼합하는 혼합장치를 포함하고 있다는 것이다. 건조장치는 오염물로부터 PCB와 물을 분리시키는데, 이장치는 오염물을 고온가스류에 노출시키는 장치를 포함하고 있다. 또 다른 장치는 가스류로부터 미립자들을 제거시키는 장치이다. 연소기는 PCB 가스 물질을 연소시키는데, 이 장치로는 공기 및/또는 산소농축공기를 연소기 길이에 걸쳐 일정한 간격으로 배열된 지점에서 공기를 교차하여 주입시킴으로서 연소 불꽃을 강하게하는 주위공기 및/또는 산소의 주입장치를 포함하고 있다.

도면을 참고하면, 제 1 도에 나타난 바와 같이, PCB 오염을 처리장치(10)는 혼합기(12), 분리기(14), 원심분리기(16), 자루포집기(18), 및 로(20)를 포함하고 있다.

습윤 또는 건조 PCB 오염물을 혼합기(12)를 통하여 상기 장치(10)에 함입된다. 오염물은 다양한 화학적 및 물리적 성질을 가지고 있으며, 상기 장치는 수로저부의 찌꺼기 형태인 모래, 진흙, 하수구물질, 유기물질, 악취 유출물등과 작용시키기 위하여 사용한다.

혼합기(12)는 혼합기내에 보통 수평으로 배열된 나사 공급 메카니즘(도시되어 있지 않음)으로 구성되는 종래의 혼합기/공급기이다. 오염물이 혼합기(12)에 함입되어 완전히 혼합되면 PCB 분리기(14)에 도입된다.

제 2 도에 도시된 바와 같이, 오염물은 습윤상태(예를들어 20% 고체함유)로 분리기(14)에 함입되어 신속히 건조된다. 매우 더운 공기는 분리기(14) 저부로부터 윈드박스(바람상자 ; 64)를 통하여 안쪽으로 송풍되어 상기 장치를 통하여 위쪽으로 이동된 다음, 상기 오염물을 고온의 난류공기로 건조한다. 이외에도, 연소기(15)는 분리기(14) 저부에 장치되어 있다. 분리기내(14)의 공기는 454.4-1371.7℃(850-2500°F)이나 본 발명을 바람직하게 달성하기 위해서는 761.1-1094.4℃(1400-2000°F)가 유용하다.

보다 더 큰 미립물은 지연장치(33)에 의해 조절된 속도로 분리기(14)를 통하여 아래로 떨어진다. 상기 장치(33)는 샤프트(24)에 인접한 중앙위치로 상기 미립물을 유도하기 위해 아래쪽으로 경사진 제 1 절두 원추표면(34)을 포함하고 있다. 상기 미립물은 중공(36)을 통해 우산(38)상에 떨어지게 되는데 상기 우산 형태의 장치(38)는 나란히 배열되어 있는 다수의 아암(42)을 포함한다. 상기 우산(38)은 상기 미립물을 수용한 다음, 분리기(14) 주위의 외부로 미립물을 재유도시키기 위해 위쪽으로 유도되는데, 일반적으로 절두원추 형태로 되어 있다. 절두원추형 우산(38)의 아암(42)은 샤프트(24) 주위의 튜브(40) 상단부에 돌쩌기에 의해 안치되어 있다. 우산의 각도조절 메카니즘(44)은 튜브(40)을 자유롭게 에워싸고 있는 튜브(46)을 포함하고 있으며, 핸들(48)에 의해 수직조절되게끔 장치되어 있다. 다수의 링크(50)는 튜브(46)와 우산(38)의 아암(42)을 연결시켜주고 있으며 제 2 도의 화살표로 표시된 바와 같이 아암(42)의 각도를 조절하기 위해 튜브(46)와 아암(42)을 돌쩌귀로 연결시키고 있다. 각 아암(42)의 상면은 다수의 리쥐(산마루 : 51)를 포함하고 있어 아암(42)의 표면을 따라 이동되는 미립물의 이동속도를 조절한다.

결국, 우산(38)끝부분에 있는 미립물은 굴러떨어져 분리기(14) 저부에 포집되어 출구(52)를 통하여 바깥쪽으로 유출된다. 과량의 PCB를 함유하는 상기 미립물은 디버터 밸브(diverter valve ; 55)의 작용을 통해 콘베이어 채널(54)을 경유하여 혼합기(12)에 복귀된다. 상기 혼합기(12)는 건조된 거친 미립물과 유입된 습윤 오염물을 혼합시켜 그 혼합물을 분리기(14)에 공급한다. 알맞게 처리된 오염물은 통로(57)를 경유 원래의 장소로 복귀된다.

분리기(14)에서, 더욱더 미세한 건조 미립물은 회전 생성 분리기(56)를 통하여 위쪽으로 추리된다. 모터(58)에 의해 분리기(14) 위부분에서 회전하는 분리기(56)는 적어도 2개의 날(62)를 포함한다. 분리기(14)로부터 기체류에 비말동반된 상기 미립물은 통로(60)를 통하여 분리기(14)로부터 위쪽으로 추진된다. 더 큰입자들은 생성분리기(56)에 의해 분리기(14)로 복귀된다. 분리기(14)로부터 유출되는 미립물과 공기에 비발동반된 물질은 원심분리기(16)에 운반되어 상기 입자들은 비말동반시키는 가스로부터 분리된다. 상기 가스는 개구(65)를 통해 원심분리기(16)로부터 유출되지만 미립자는 출구(66)를 통하여 아래쪽으로 이동한다. 개구(65)를 통하여 유출되는 상기 가스는 자루포집기(18)를 통과하는 바, 이곳에서 보다 더 철저한 상태로 잔류입자들을 제거한다.

상기 잔류가스는 통로(68)를 통하여 축출되지만 새롭게 회수된 입자들은 통로(70)를 통하여 아래쪽으로 떨어져 원심분리기(16)로 포집된 입자들과 합쳐진다. 그후, PCB 악취 유출물은 로(20)에 공급되지만 입자들은 PCB 농도 측정에 의해 시험된다. 이에따라, PCB 농도가 안전하다면 폐기된다. 목탄 여과기(72)는 통로(68)에 장치되어 미립자들은 깨끗하게 세척한다.

상기 전 시스템을 통과하는 가스흐름은 송풍기(71)의 작용에 의한 것이나, 분리된 입자의 운동은 송풍기(73)에 의한 것이다. 송풍기(71)는 동력이 충분하여 분리기(14)내의 진공을 유지시키고 있으며, 약 13,500SCFM의 고온공기를 이동시킬 수 있다.

본문에서, 로(20)에 사용되는 적합한 다중 연료연소장치는 시릴에프. 미난의 미합중국 특허 제 4,273,527호 및 제 3,174,530호에 기술되어 있다. 상기 로(20)는 매우 높은 온도 예를들어 1926. 7-2760℃(3500-5000°F)에서 낮은 발열량의 비재래식 연료를 연소시킬 수 있다. 제 3 도에 도시한 바와 같이, 상기 로(20)는 다수의 병렬 동심 파이프(84)를 포함하고 있는 바, 파이프(84a)는 물을 운반하고, 파이프(84b)는 가압된 공기 및/또는 산소농축공기를 운반하고, 파이프(84c)는 천연가스나 산소로 예합된 천연가스 같은 가압연소성 연료가스를 운반하고 파이프(84d)는 가스에 비발동반된 PCB 형태의 PCB 악취 유출물을 운반한다. 파이프(84b)의 공기는 대기 및/또는 산소농축 공기이다. 파이프(84b, 84c 및 84d)는 원주 상태의 파이프로부터 방사상으로 내부로 흐르는 가스흐름을 관형 연소실(88)로의 중앙으로 유도하기 위해 배열된 다수의 노즐(86)을 포함하고 있다.

이와 같이, 공기, 천연가스 및 악취 유출물을 축상으로 유도된 연소기 불꽃의 길이에 따라 점차적으로 혼합되어 제 3 도의 (90)으로 표시된 천연가스연소기(80)으로부터 방출된다. 횡으로 또는 방사상으로 주입된 공기와 가스는 축상으로 적용된 연소기 불꽃과 혼합하여 PCB를 완전하게 연소시킨다. 파이프(84a)를 통하여 순환하는 물은 상기 공정에서 가열된 다음, 보일러(78)에 사용되어 과열수나 과열류를 생성할 수도 있다. 고온연소가스의 일부는 본 목적을 위해 보일러(78)에 전도된다. 보일러(78)에서 생성된 고온수나 고온류는 동력 생산터빈을 작동시키는데 사용한다. 연소실(88) 내부로부터 나오는 고온연소가스 일부도 통로(82)를 경유하여 유입 오염물을 건조시키는 분리기 전도된다.

연소가스는 보일러(78)로부터 대기에 방출되기전에 방출제어장치(92)로 처리된다. 상기 장치(92)는 화학적 세정기 및/또는 정전기적 침전기를 포함하고 있어 위험한 폐기물들을 제거시키고 있다.

본 장치는 분리기(14)내의 오염물로부터 PCB를 효율적으로 분리해낼 수 있고, 연속적으로 PCB를 분쇄하여 최종처리후에 잔류하는 PCB 양을 1% 이하로 유지시킬 수 있음이 판명되었다. 본 장치의 조작상시, 각 단계에서의 모든 배출물들은 조절되므로 이들의 PCB 농도가 매우 높으면 재순환도기도 한다.

분리기(14)내의 오염물 체류시간은 분리기(14)로부터 큰 미립물의 배출속도를 조절하는 우산(38)각을 제어함으로서 조절할 수 있다. 바람직한 상기 체류시간은 0.5-2초이다. 바람직한 장치는 로울러 밀/분리기내의 입자물질의 체류시간이 약 0.5초인 분리기(14)의 982.2℃(1800°F)하에 있는 공기를 이용하는 것이다. 분리기(14)내의 454.4℃(850°F) 온도에서는 약 10초의 체류시간이 요구된다. 상기 장치(10)는 시간당 10000파운드의 슬러지를 처리할 수 있다. 전술된 상세한 설명은 단지 이해를 돕기 위한 것이지 발명에 제한을 가하려는 것은 아니며 본 기술에 숙련된 자들은 확실히 이해할 것이다.

Claims (44)

1. 다중염소화 비페닐(PCB)로 오염된 수로 바닥의 오염물질을 가열장치내에서 454.4-1371.1℃(850-2500°F) 온도의 고온 가스에 노출시켜 가열한 다음, PCB를 오염물질로부터 분리하는 단계를 포함하는 다중염소화 비페닐(PCB)함유 오염물질을 처리하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 오염물질을 상기 오염물중에 1% 또는 그 이하의 PCB를 남길 정도로 충분한시간 동안 상기 고온 가스에 노출시키는 방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 오염물질을 0.5-10초 동안 상기 고온 가스에 노출시키는 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 고온 가스가 PCB를 증발시키고, 또 물질 일부를 미립자의 형태로 증발된 PCB내에 비말동반하는 방법.
5. 제 1 항에 있어서, 분리기내의 오염물질을 454.4-1371.1℃(850-2500°F)에서 상기 고온난류 가스와 접촉시켜 PCB를 증발시킨후, 상기 오염물질로부터 PCB를 분리한 다음, 일부 미세물질을 미립 형태로 가스중에 비말동반시킴으로써, 1 % 또는 그 이하의 PCB를 함유하는 건조 상태의 거친 미립물질을 남기는 단계를 포함하는 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 물질 760-109.3℃(1400-2000°F)에서 고온난류 공기와 접촉시키는 방법.
7. 제 5 항에 있어서, 고안난류 가스와 접촉시켜 PCB를 증발시키기 위하여 상기 오염물질을 상기 가열 장치의 종심부에 도입시키기 위해 상기 가열장치내에 배치되며 가열장치의 외주면으로부터 가열장치의 종심부로 하향설치된(각이진) 1차 건조 표면상에 상기 물질을 도입시키는 단계 ; 및 상기 물질로부터 PCB를 증발시키는 한편, 상기 가열장치내에 배치되며 상기 물질을 가열장치의 외주면으로 도입시키기 위해 가열장치의 종심부로부터 가열장치의 외주면으로 하향설치된(각이진) 보다 낮은 2차 건조 표면상에서 상기 1차 표면으로부터 상기 물질을 떨어뜨리는 단계를 포함하는 방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 건조 표면이 절두원추형인 방법.
9. PCB 함유 오염물질 처리장치에 있어서, PCB 함유 오염물질로부터 PCB 및 물을 분리하는 분리장치가, 상기 오염물을 고온 가스류에 노출시켜 PCB를 증발시키는 수단 ; 상기 건조 장치로부터 분리된 PCB 및 물을 운반하는 수단 ; 및 물 및 PCB로부터 오염물질 미립자를 분리하는 수단으로 포함하는 장치로 구성된 장치.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 분리장치가 오염물질을 거의 모든 PCB를 증발시키는데 충분한 시간 동안 고온 가스류에 노출시켜, 오염물질중에 PCB를 1% 또는 그 이하로 남게하는 수단을 포함하는 장치.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 분리장치가 상기 오염물질을 고온 가스류에 노출시켜 건조하고, 상기 분리장치에서 분리된 수증기, 가스중에 비밀동반된 PCB 및 일부 오염물질 입자를 운반하는 수단을 포함하는 장치.
12. 제 11 항에 있어서, 상기 분리장치가 오염물질이 분리기의 종심부에 도입된 후 고온 가스 및 PCB 증기와 접촉되도록 분리기의 외주면으로부터 분리기의 종심부로 하향설치된(각이진) 1차 내부 오염물질-고온가스 접촉 ; 그리고 오염물질로부터 PCB를 증발시키는 한편, 상기 오염물질을 분리기의 외주면으로 도입시키기 위해 분리기의 종심부로부터 분리기의 외주면으로 하향설치된(각이진) 보다 낮은 2차 내부 오염물질-고온 가스 접촉면을 포함하는 장치.
13. PCB 함유 오염물질 처리장치에 있어서, PCB 함유 오염물질로부터 PCB 및 물을 분리하는 장치로서, 상기 오염물질을 고온 가스류에 노출시켜 PCB를 증발시키는 수단 ; 상기 건조장치로부터 분리된 PCB 및 물을 운반하는 수단 ; 및 물 및 PCB로부터 오염물질 미립자를 분리하는 수단을 포함하는 장치 ; 및 상기 물 및 PCB를 더욱 처리하는 장치로 구성되는 장치.
14. 제 13 항에 있어서, 상기 분리장치가 오염물질을 거의 모든 PCB를 증발시키는데 충분한 시간 동안 고온 가스류에 노출시켜, 오염물질중에 PCB를 1% 또는 그 이하로 남게하는 수단을 포함하는 장치.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 분리장치가 상기 오염물질을 고온 가스류에 노출시켜 건조하고, 상기 분리장치에서 분리된 수증기, 가스중에 비말동반된 PCB 및 상기 분리장치에서 분리된 일부 오염물질 입자를 운반하는 수단을 포함하는 장치.
16. 제 15 항에 있어서, 상기 분리장치가 오염물질이 분리기의 종심부에 도입된 후 고온 가스 및 PCB 증기와 접촉되도록 분리기의 외주면으로부터 분리기의 종심부로 하향설치된(각이진) 1차 내부 오염물질-고온가스 접촉면 ; 그리고 오염물질로부터 PCB를 증발시키는 한편, 상기 오염물질을 분리기의 외주면으로 도입시키기 위해 분리기의 종심부로부터 분리기의 외주면으로 하향설치된(각이진) 보다 낮은 2차 내부 오염물질-고온 가스 접촉면을 포함하는 장치.
17. PCB 함유 오염물질 처리장치에 있어서, PCB 함유물질로부터 PCB 및 물을 분리하는 장치로서, 상기 오염물질을 고온 가스류에 노출시켜 PCB를 증발시키는 수단 ; 상기 건조장치로부터 분리된 PCB 및 물을 운반하는 수단 ; 및 물 및 PCB로부터 오염물질 미립자를 분리하는 수단을 포함하는 장치 ; 및 상기 분리된 PCB를 연소하기 위하여 버어너 불꽃의 길이 방향을 따라 일정간격을 유지한 버어너 불꽃을 향하여 공기를 횡방향으로 주입시키는 장치로 구성된 장치.
18. 제 17 항에 있어서, 상기 분리장치가 오염물질을 거의 모든 PCB를 증발시키는데 충분한 시간 동안 고온 가스류에 노출시켜, 오염물질중에 PCB를 1% 또는 그 이하로 남게하는 수단을 포함하는 장치.
19. 제 18 항에 있어서, 상기 분리장치가 상기 오염물질을 고온 가스류에 노출시켜 건조하고, 상기 분리장치에서 분리된 수증기, 가스중에 비말동반된 PCB 및 일부 오염물질 입자를 운반하는 수단을 포함하는 장치.
20. 제 19 항에 있어서, 상기 분리장치가 오염물질이 분리기의 종심부에 도입된 후 고온 가스 및 PCB 증기와 접촉되도록 분리기의 외주면으로부터 분리기의 종심부로 하향설치된(각이진) 1차 내부 오염물질-고온물질 가스 접촉면 ; 그리고 오염물질로부터 PCB를 증발시키는 한편, 상기 오염물질을 분리기의 외주면으로 도입시키기 위해 분리기의 종심부로부터 분리기의 외주면으로 하향설치된(각이진) 보다 낮은 2차 내부 오염물질-고온 가스 접촉면을 포함하는 장치.
21. 다중염소화 비페닐(PCB)로 오염된 수로바닥의 오염물질을 가열장치내에서 454.4-1371.1℃(850-2500°F)온도의 고온 가스에 노출시켜 가열한 다음 PCB를 오염물질로부터 분리하는 단계 ; 미립자 및 비말동반된 PCB 가스물질의 유동류를 형성하는 단계 ; 및 상기 미립자로부터 비말동반된 PCB 가스물질을 분리하는 단계를 포하하는 다중염소화 비페닐(PCB)함유 오염물질을 처리하는 방법.
22. 제 21 항에 있어서, 상기 오염물질을 상기 오염물질중에 1% 또는 그 이하의 PCB를 남길 정도로 충분한 시간 동안 상기 고온 가스에 노출시키는 방법.
23. 제 22 항에 있어서, 상기 오염물질을 0.5-10초 동안 상기 고온 가스에 노출시키는 방법.
24. 제 21 항에 있어서, 상기 고온 가스 PCB를 증발시키고, 또 물질 일부를 미립자 형태로 증발된 PCB내에 비말동반하는 방법.
25. 제 21 항에 있어서, 상기 고온 가스가 PCB를 증발시키고 또 상기 물질일부를 미립자 형태로 증발된 PCB 내에 비말동반시키며, 또 PCB로부터 상기 미립자를 분리하는 단계를 포함하는 방법.
26. 제 21 항에 있어서, 분리기내의 오염물질을 454.4-1371.1℃(850-2500°F)에서 상기 고온난류 가스와 접촉시켜 PCB를 증발시킨후, 상기 오염물질로부터 PCB를 분리한 다음, 일부 미세물질을 미립형태로 가스중에 비말동반시킴으로써, 1% 또는 그 이하의 PCB를 함유하는 건조 상태의 거친 미립 물질을 남기는 단계를 포함하는 방법.
27. 제 21 항에 있어서, 분리기내의 오염물질을 454.4-1371.1℃(850-2500°F)에서 상기 고온난류 가스와 접촉시켜 PCB를 증발시킨후, 상기 오염물질로부터 PCB를 분리한 다음, 일부 미세물질을 미립형태로 가스중에 비말동반시킴으로써, 1% 또는 그 이하의 PCB를 함유하는 건조 상태의 거친 미립 물질을 남기는 단계 ; 및 상기 가열장치로부터 비말동반된 미립물질을 운반한 다음, 증발시킨 PCB로부터 상기 미립물질을 분리하는 단계를 포함하는 방법.
28. 제 26 항에 있어서, 상기 물질을 760-1093.3℃(1400-2000°F)에서 고온 난류 공기와 접촉시키는 방법.
29. 제 26 항에 있어서, 고온 난류가스와 접촉시켜 PCB를 증발시키기 위하여 상기 오염물질을 상기 가열장치의 종심부에 도입시키기 위해 상기 가열장치내에 배치되면 외주면으로부터 가열장치의 종심부로 하향설치된(각이진) 1차 건표면상에 상기 물질을 도입시키는 단계 ; 및 상기 물질로부터 PCB를 증발시키는 한편, 상기 가열장치내에 배치되며 상기 물질을 가열장치의 외주면으로 도입시키기 위해 가열장치의 종심부로부터 가열장치의 외주면으로 하향설치된(각이진) 보다 낮은 2차 건조 표면상에 상기 1차 표면으로부터 상기 물질을 떨어뜨리는 단계를 포함하는 방법.
30. 제 29 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 건조 표면이 절두원추형인 방법.
31. 다중염소화 비페닐(PCB)로 오염된 수로바닥의 오염물질을 가열장치내에서 454.4-1371.1℃(850-2500°F) 온도의 고온 가스에 노출시켜 가열한 다음, PCB를 오염물질로부터 분리하는 단계 ; 미립자 및 비말동반된 PCB 가스물질의 유동류를 형성하는 단계 ; 상기 미립자로부터 비말동반된 PCB 가스물질을 분리하는 단계 ; 및 PCB 연소단계를 포함하는 다중염소화 비페닐(PCB)함유 오염물질을 처리하는 방법.
32. 제 31 항에 있어서, 상기 오염물질을 상기 오염물 중에 1% 또는 그 이하의 PCB를 남길 정도로 충분한 시간 동안 상기 고온 가스에 노출시키는 방법.
33. 제 32 항에 있어서, 상기 오염물질을 0.5초-10초 동안 상기 고온 가스에 노출시키는 방법.
34. 제 31 항에 있어서, 상기 고온 가스가 PCB를 증발시키고, 또 물질일부를 미립자 형태로 증발된 PCB내에 비말동반하는 방법.
35. 제 31 항에 있어서, 상기 고온 가스가 PCB를 증발시키고 또 상기 물질일부를 미립자 형태로 증발된 비말동반시키며 또, PCB로부터 상기 미립자를 분리하는 단계를 포함하는 방법.
36. 제 31 항에 있어서, 분리기내의 오염물질을 454.4-1371.1℃(850-2500°F)에서 상기 고온난류 가스와 접촉시켜 PCB를 증발시킨후, 상기 오염물질로부터 PCB를 분리한 다음, 일부 미세물질을 미립 형태로 가스중에 비말동반시킴으로써, 1% 또는 그 이하의 PCB를 함유하는 건조 상태의 거친 미립물질을 남기는 단계를 포함하는 방법.
37. 제 31 항에 있어서, 분리기내의 오염물질을 454.4-1371.1℃(850-2500°F)에서 상기 고온난류 가스와 접촉시켜 PCB를 증발시킨후, 상기 오염물질로부터 PCB를 분리한 다음, 일부에서 물질을 미립 형태로 가스중에 비말동반시킴으로써, 1% 또는 그 이하의 PCB를 함유하는 건조 상태의 거친 미립물질을 남기는 단계 ; 및 상기 가열장치로부터 비말동반된 미립물질을 운반한 다음, 증발시킨 PCB로부터 상기 미립물질을 분리하는 단계를 포함하는 방법.
38. 제 36 항에 있어서, 상기 물질을 760-1093.3℃(1400-2000°F)에서 고온난류 공기와 접촉시키는 방법.
39. 제 36 항에 있어서, 고온난류가스와 접촉시켜 PCB를 증발시키기 위하여 상기 오염물질을 상기 가열장치의 종심부에 도입시키기 위해 상기 가열장치내에 배치되며 가열장치의 외주면으로부터 가열장치의 종심부로 하향설치된(각이진) 1차 건조 표면상에 상기 물질을 도입시키는 단계 ; 및 상기 물질로부터 PCB를 증발시키는 한편, 상기 가열장치내에 배치되며 상기 물질을 가열장치의 외주면으로 도입시키기 위해 가열장치의 종심부로부터 가열장치의 외주면으로 하향설치된(각이진) 보다 낮은 2차 건조 표면상에 상기 1차표면으로부터 상기 물질을 떨어뜨리는 단계를 포함하는 방법.
40. 제 39 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 건조 표면이 절두원추형인 방법.
41. 제 31 항에 있어서, 상기 물질을 불꽃을 따라 일정하게 간격을 둔 지점에서 버어너 불꽃내로 교차하여 주입시켜 연소하는 방법.
42. 제 41 항에 있어서, 연소시에 상기 PCB 물질과 화석연료를 혼합시키는 단계를 포함하는 방법.
43. 제 42 항에 있어서, 버어너 불꽃의 길이 방향을 따라 일정하게 간격을 둔 지점에서 불꽃 길이와 교차하는 방향으로 연소성 연료가스 및 공기를 가하는 단계를 포함하는 방법.
44. 제 41 항에 있어서, 상기 가열단계는 0.5-2초동안 760-1093.3℃(1400-2000°F)로 오염물질을 가열시키는 것을 포함하는 방법.

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