Claims (2)
풀 칼라형 EL 소자에 있어서, 유리기판(11)상에 게이트 전극(12)이 형성되고, 그 위에 게이트 절연층(13)이 형성되며, 그위에 비정질 실리콘층(14)이 형성되고, 비정질 실리콘층(14)사이에는 화소 전극을 투명도 전막(15)이 형성되며, 비정질실리콘층(14) 양측면에는 소오스전극(17)과 드레인전극(16)이 형성되어 드레인전극(16)이 상기 투명도전막(15)의 한쪽면과 전기적으로 접촉되고, 상기 투명전도막(15)상에 적색 필터층(18), 녹색필터층(19) 및 청색필터층(20)이 각각 배열형성되며, 그위에 보호막(21)이 형성되고, 그위에 제1절연층(22), 발광층(23), 제2절연층(24) 및 배면전극(25)이 순차로 형성되어 구성된 것을 특징으로 하는 풀 칼라형 EL 소자.In a full color EL element, a gate electrode 12 is formed on a glass substrate 11, a gate insulating layer 13 is formed thereon, an amorphous silicon layer 14 is formed thereon, and an amorphous silicon A transparent electrode film 15 is formed between the layers 14 and pixel electrodes, and source and drain electrodes 17 and 16 are formed on both sides of the amorphous silicon layer 14, and the drain electrode 16 is formed of the transparent conductive film ( 15 is in electrical contact with one side of the transparent conductive film 15, and a red filter layer 18, a green filter layer 19, and a blue filter layer 20 are arranged on the transparent conductive film 15, and a protective film 21 thereon is formed thereon. And a first insulating layer (22), a light emitting layer (23), a second insulating layer (24) and a back electrode (25) formed on top of each other.
유리기판(11)상에 게이트전극(12)을 형성하고 그위체 게이트 절연층(13)을 형성하며 그위에 비정질 실리콘층(14)을 형성하고 비정질 실리콘층(14) 사이에는 화소 전극용 투명도전막(15)을 형성하며, 비정질 실리콘층(14) 양측면에 소오스 전극(17)과 드레인 전극(16)을 형성하며 드레인전극(16)을 상기 투명도전막(15)의 한쪽면과 전기적으로 접촉시킨후, 상기 공정을 거친 기판을 전기전착조(30)내부의 적, 녹, 또는 청색 염료를 포함하고 있는 유제(31)속에 침적시키고 스위칭 회로(32)의 어드레스 라인과 데이터 라인에 상기 게이트전극(12)과 소오스 전극(17)을 결선하여 스위칭회로(32)에는 직류 전원의 양전압을 인가하며, 상기 화소전극용 투명도전막(15)을 전착의 한전극으로 사용하고, 다른하나의 금속판전극(33)을 직류전원의 음전압에 연결하여 상기 유제(31)속에 침적시키고 두 전극간에 전압을 인가하여 상기 화소 전극용 투명도전막(15)에 적, 녹, 또는 청색필터층(18)(19)(20)을 선택 전착한 후 그 필터층(18)(19)(20)위에 실리콘나이트라이드로 보호막(21)을 형성하고 그위에 제1절연층(22), 발광층(23), 제2절연층(24) 및 배면전극(25)을 순차적으로 형성함을 특징으로 하는 풀칼라형 EL 소자.A gate electrode 12 is formed on the glass substrate 11, a gate insulating layer 13 is formed thereon, an amorphous silicon layer 14 is formed thereon, and a transparent conductive film for pixel electrodes is formed between the amorphous silicon layer 14. A source electrode 17 and a drain electrode 16 on both sides of the amorphous silicon layer 14, and the drain electrode 16 is electrically contacted with one side of the transparent conductive film 15. The deposited substrate is deposited in an emulsion 31 containing red, green, or blue dye in the electrodeposition tank 30 and the gate electrode 12 on the address line and the data line of the switching circuit 32. ) And the source electrode 17 are connected, and a positive voltage of DC power is applied to the switching circuit 32, and the transparent conductive film 15 for pixel electrodes is used as one electrode for electrodeposition, and the other metal plate electrode 33 ) Is connected to the negative voltage of the DC power supply into the emulsion 31 Depositing and applying a voltage between the two electrodes to selectively electrodeposit red, green, or blue filter layers 18, 19, 20 on the transparent conductive film 15 for the pixel electrode, and then filter layers 18, 19, 20 (20). The first protective layer 21, the light emitting layer 23, the second insulating layer 24 and the back electrode 25 are sequentially formed on the protective film 21 of silicon nitride on the Full color EL device.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.