KR910002029A - 박막 제조용 스퍼터링 방법 - Google Patents
박막 제조용 스퍼터링 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910002029A KR910002029A KR1019890007998A KR890007998A KR910002029A KR 910002029 A KR910002029 A KR 910002029A KR 1019890007998 A KR1019890007998 A KR 1019890007998A KR 890007998 A KR890007998 A KR 890007998A KR 910002029 A KR910002029 A KR 910002029A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pressure
- sputtering chamber
- sputtering
- flow rate
- glow discharge
- Prior art date
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 스퍼터링 장치의 전형적인 구성도,
제 2도는 본 발명의 첫 번째 실시예에 대한 스퍼터링 챔버내 가스압력의 변화와 주입가스의 유속을 설명하는 타이밍도,
제 3도는 본 발명에 대한 바람직한 가스 흐름을 실현하기 위한 가스 흐름라인 시스템.
Claims (8)
- 스퍼터링 챔버에서 발생되는 글로우 방전에 대한 물체위의 재료를 스퍼터링하는 방법에 있어서, 상기 물체 위의 스퍼터되는 재료로 구성되는 타켓을 가지는 스퍼터링 챔버에 물체를 설치하고, 스퍼터링 챔버를 베기시키는 단계(a)와 ; 상기 스퍼터링 챔버에서 가스를 주입하고, 상기 스퍼터링 챔버내의 압력을 첫 번째 압력범위P1으로 증가시키고 상기 글로우 방전을 개시하고, 상기 첫 번째 압력 범위 P1에서, 글로우 방전이 개시될 수 있고 유지될 수 있는 단계(b)와 ; 주입가스의 유속을 감소시키고, 상기 스퍼터링 챔버내의 압력을 두 번째 압력범위 P2로 감소시키고, 상기 두 번째 압력P2에서, 글로우 방전이 개시될 수 없으나 일단 글로우 방전이 상기 첫 번째 압력범위에서 개시되면 제한된 시간동안 유지될 수 없고 그런다음 압력이 상기 두 번째 압력범위로 감소되는 단계(c)와 ; 주입가스의 유속을 증가시키고, 스퍼터링 챔버내의 압력이 첫 번째 압력보다 낮은 압력레벨인 소정의 두 번째 압력으로 감소될 때 글로우 방전을 보강하기 위해 소정의 첫 번째 압력으로 스퍼터링 챔버내의 압력을 증가시키는 단계(d)와 ; 주입가스의 유속의 변화를 반복하고, 상기 첫 번째 압력과 상기 두 번째 압력사이에서 감소시키고 증가시키기 위해 스퍼터링 내의 압력을 변화시키는 단계(e)들로 이루어지는 스퍼터링 방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계(b)에서, 가스가 첫 번째 시간주기 T1동안 일정하게 유지되는 첫 번째 유속 F1으로 주입되고, 상기 첫 번째 시간 주기 T1내에서, 상기 스퍼터링 챔버내의 압력이 상기 첫 번째 압력범위로 증가되고, 글로우 방전이 시작되고, 처리가 단계(c)로 변환되고; 상기 단계(d)에서, 가스 유속이 상기 첫 번째 시간주기 T1보다 긴 두 번째 시간주기 T2동안 일정하게 유지되는 유속 F2로 감소되고, 상기 두 번째 주기 T2동안에, 상기 스퍼터링 챔버내의 압력이 상기 소정의 두 번째 압력으로 감소되고, 처리가 단계 d)로 변환되고 ; 상기 단계 d)에서, 가스 유속이 상기 첫 번째 시간주기 동안에 상기 첫 번째 유속F1으로 증가되고, 상기 스퍼터링 챔버내의 압력이 상기 첫 번째 압력범위P1으로 증가되고, 글로우 방전이 보강되고; 상기 단계(e)에서, 상기 단계들(c) 및 (d)가 스퍼터링 처리 동안에 반복되는 스퍼터링 방법.
- 제2항에 있어서,상기 두 번째 압력이 상기 두 번째 압력범위내에 있고, 상기 두 번째 압력에서, 글로우 방전이 바로 두드러지게 되는 스퍼터링 방법.
- 제2항에 있어서,상기 두 번째 유속 F2가 상기 스퍼터링 챔버를 배기시키기 위한 배기속도의 1/10보다 적고, 상기 두 번째 시간주기 T2가 상기 첫 번째 시간주기T1보다 10배정도 많은 스퍼터링 방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계(b)에서, 상기 주입가스가 점차적으로 증가되는 유속으로 상기 스퍼터링 챔버에 주입되고, 전기 방전이 개시될 때, 단계가 단계(c)로 변환되고 ; 상기 단계(c)에서, 상기 주입가스의 유속이 점차적으로 감소되고, 상기 스퍼터링 챔버내의 압력이 두 번째 압력범위 P2로 감소되고, 스퍼터링 챔버내의 가스압력이 소정의 두 번째 압력으로 감소될 때, 단계가 (d)로 변환되고 ; 상기 단계(d)에서, 주입가스의 압속이 점차적으로 증가되고, 스퍼터링 챔버내의 압력이 소정의 첫 번째 압력으로 증가되고, 글로우 방전이 보강될 때, 단계가 단계(e)로 변환되고; 상기 단계 (e)에서 상기 단계들(c)와 (d)가 스퍼터링처리 동안에 반복되는 스퍼터링 방법.
- 제5항에 있어서,상기 두 번째 압력이 상기 두 번째 압력범위내이고, 상기 두 번째 압력에서 글로우방전이 바로 두드러지게 되는 스퍼터링 방법.
- 제5항에 있어서,상기 단계(c)에 대한 지속시간이 상기 단계(d)에 대한 지속 시간보다 짧은 스퍼터링 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 첫 번째 압력이 상기 두 번째 압력보다 높고, 첫 번째 압력과 두 번째 압력 모두가 상기 두 번째 압력내인 스퍼터링 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63141507A JPH01312851A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
JP63-141507 | 1988-06-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910002029A true KR910002029A (ko) | 1991-01-31 |
KR930001501B1 KR930001501B1 (ko) | 1993-03-02 |
Family
ID=15293566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890007998A KR930001501B1 (ko) | 1988-06-10 | 1989-06-10 | 박막 제조용 스퍼터링 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5049251A (ko) |
EP (1) | EP0345487B1 (ko) |
JP (1) | JPH01312851A (ko) |
KR (1) | KR930001501B1 (ko) |
DE (1) | DE68913077T2 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6876592B2 (en) | 2000-03-08 | 2005-04-05 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor memory device |
KR100599924B1 (ko) * | 2004-03-26 | 2006-07-12 | 어플라이드 필름스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 반응성 스퍼터링용 장치 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2264718B (en) * | 1992-03-04 | 1995-04-26 | Univ Hull | Coatings produced by vapour deposition |
KR100333237B1 (ko) * | 1993-10-29 | 2002-09-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마에칭챔버내에서오염물질을감소시키는장치및방법 |
US6465043B1 (en) * | 1996-02-09 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle contamination in a substrate processing chamber |
US5902494A (en) * | 1996-02-09 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle generation by limiting DC bias spike |
US5667645A (en) * | 1996-06-28 | 1997-09-16 | Micron Technology, Inc. | Method of sputter deposition |
JP3429957B2 (ja) * | 1996-08-28 | 2003-07-28 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング方法及び装置 |
US6013159A (en) * | 1997-11-16 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Particle trap in a magnetron sputtering chamber |
US6174811B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Integrated deposition process for copper metallization |
US6733513B2 (en) | 1999-11-04 | 2004-05-11 | Advanced Bioprosthetic Surfaces, Ltd. | Balloon catheter having metal balloon and method of making same |
US6458251B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-10-01 | Applied Materials, Inc. | Pressure modulation method to obtain improved step coverage of seed layer |
US7235092B2 (en) * | 1999-11-19 | 2007-06-26 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Guidewires and thin film catheter-sheaths and method of making same |
US10172730B2 (en) | 1999-11-19 | 2019-01-08 | Vactronix Scientific, Llc | Stents with metallic covers and methods of making same |
US7195641B2 (en) | 1999-11-19 | 2007-03-27 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Valvular prostheses having metal or pseudometallic construction and methods of manufacture |
US6936066B2 (en) * | 1999-11-19 | 2005-08-30 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Complaint implantable medical devices and methods of making same |
US7736687B2 (en) | 2006-01-31 | 2010-06-15 | Advance Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Methods of making medical devices |
US6537310B1 (en) | 1999-11-19 | 2003-03-25 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Endoluminal implantable devices and method of making same |
US8458879B2 (en) * | 2001-07-03 | 2013-06-11 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd., A Wholly Owned Subsidiary Of Palmaz Scientific, Inc. | Method of fabricating an implantable medical device |
US6379383B1 (en) | 1999-11-19 | 2002-04-30 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Endoluminal device exhibiting improved endothelialization and method of manufacture thereof |
US6849085B2 (en) | 1999-11-19 | 2005-02-01 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Self-supporting laminated films, structural materials and medical devices manufactured therefrom and method of making same |
US7300457B2 (en) | 1999-11-19 | 2007-11-27 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Self-supporting metallic implantable grafts, compliant implantable medical devices and methods of making same |
US6312568B2 (en) | 1999-12-07 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Two-step AIN-PVD for improved film properties |
US6695865B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-02-24 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Embolic protection device |
US8845713B2 (en) | 2000-05-12 | 2014-09-30 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd., A Wholly Owned Subsidiary Of Palmaz Scientific, Inc. | Self-supporting laminated films, structural materials and medical devices manufactured therefrom and methods of making same |
AU2002233936A1 (en) | 2000-11-07 | 2002-05-21 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Endoluminal stent, self-fupporting endoluminal graft and methods of making same |
WO2004028340A2 (en) | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | High strength vacuum deposited nitionol alloy films, medical thin film graft materials and method of making same |
US20040161536A1 (en) * | 2003-02-14 | 2004-08-19 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing a low-k material having a controlled thickness range |
AU2004238270B2 (en) | 2003-05-07 | 2011-02-03 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Metallic implantable grafts and method of making same |
US7300558B2 (en) * | 2003-10-21 | 2007-11-27 | Seagate Technology Llc | Rapid cycle time gas burster |
DE102004014855A1 (de) * | 2004-03-26 | 2004-10-21 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Einrichtung zum reaktiven Sputtern |
KR101174146B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 |
US9399812B2 (en) * | 2011-10-11 | 2016-07-26 | Applied Materials, Inc. | Methods of preventing plasma induced damage during substrate processing |
JP6239346B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-11-29 | 株式会社アヤボ | パルススパッタ装置 |
DE102015117448A1 (de) * | 2015-09-02 | 2017-03-02 | Von Ardenne Gmbh | Verfahren und Prozessieranordnung |
CN109037117B (zh) * | 2018-09-04 | 2023-11-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 压力调整装置 |
JP7509790B2 (ja) | 2019-02-11 | 2024-07-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルスpvdにおけるプラズマ改質によるウエハからの粒子除去方法 |
US11676632B2 (en) * | 2019-12-26 | 2023-06-13 | Resonac Corporation | Magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic storage device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5729577A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-17 | Anelva Corp | Automatic continuous sputtering apparatus |
JPS58161775A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Anelva Corp | 放電装置 |
US4428812A (en) * | 1983-04-04 | 1984-01-31 | Borg-Warner Corporation | Rapid rate reactive sputtering of metallic compounds |
JP2515977B2 (ja) * | 1986-03-11 | 1996-07-10 | アネルバ株式会社 | スパツタ装置 |
GB8609619D0 (en) * | 1986-04-19 | 1986-05-21 | Procal Analytics | Gas analysis |
JPS63259076A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-26 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置のプラズマ起動方法 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63141507A patent/JPH01312851A/ja active Granted
-
1989
- 1989-05-13 EP EP89108689A patent/EP0345487B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-13 DE DE68913077T patent/DE68913077T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-07 US US07/362,712 patent/US5049251A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-10 KR KR1019890007998A patent/KR930001501B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6876592B2 (en) | 2000-03-08 | 2005-04-05 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor memory device |
KR100599924B1 (ko) * | 2004-03-26 | 2006-07-12 | 어플라이드 필름스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 반응성 스퍼터링용 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68913077D1 (de) | 1994-03-24 |
DE68913077T2 (de) | 1994-06-01 |
EP0345487B1 (en) | 1994-02-16 |
US5049251A (en) | 1991-09-17 |
EP0345487A1 (en) | 1989-12-13 |
JPH01312851A (ja) | 1989-12-18 |
KR930001501B1 (ko) | 1993-03-02 |
JPH0577329B2 (ko) | 1993-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910002029A (ko) | 박막 제조용 스퍼터링 방법 | |
KR880000683A (ko) | 연료분사펌프의 분사제어방법 | |
FI944159A (fi) | Menetelmä ja laite polttoaineen tuomiseksi rinnakkaispolttoainejärjestelmään käyttäen H-palamisprosessia | |
KR840008931A (ko) | 엔진의 연료분사방법 | |
US4285314A (en) | System to decrease operating jolts in a vehicle by controlling fuel and ignition timing of an internal combustion engine therein | |
JPS56124637A (en) | Method of controlling acceleration of engine | |
KR830010288A (ko) | 기관의 연료분사 장치 | |
US4242991A (en) | Method and apparatus for adjusting fuel supply to an internal combustion engine | |
JPS57200633A (en) | Electronic controlling device for fuel injection type engine | |
WO1979000928A1 (en) | Method of controlling pumping water-wheel | |
JPS56110589A (en) | Operating method and controller for pump | |
JPS5718427A (en) | Injection timing control device for diesel engine | |
KR840006390A (ko) | 내연기과용 연료 분사장치 | |
KR910700401A (ko) | 유휴 조정기의 특성을 적응시키기 위한 공정 및 장치 | |
JPS57186029A (en) | Method of controlling hydraulic lines | |
JPS5749070A (en) | Contactless ignition system for engine | |
JPH0650181A (ja) | 過給機付ディーゼル機関の黒煙低減装置 | |
JPS54158502A (en) | Rotor stress estimating turbine controller | |
JPS5445423A (en) | Fuel cut control system for engine | |
Chaiken | Mechanism of low-velocity detonation in liquid explosives | |
JPS57386A (en) | Super-low frequency noise preventer | |
KR970052018A (ko) | 스퍼터링 장비의 밸브 장치 | |
Hamate et al. | Scaling effects on starting processes in small-bore ram accelerator operation | |
JPS56162228A (en) | Control system for two axle type gas turbine | |
JPS56162289A (en) | Overheat preventing apparatus for feed water pump |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19980224 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |