KR910000801B1 - Nf_3/o_2 가스 혼합물을 사용한 디스미어 및 부식 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

NF3/O2가스 혼합물을 사용한 디스미어 및 부식
본 도면은 O2중의 CF4와 비교한 O2중의 NF3플라즈마의 상대적인 부식 비율을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 에폭시나 폴리이미드 중합체와 같은 중합체로 적층된 다층으로 이루어진 프린트 회로판의 제조 및 세척에 관한 것이다. 더 구체적으로 본 발명은 O2및 NF3의 가스 혼합물을 사용하여 에폭시나 폴리이드의 플라즈마 디스미어링(desmearing) 및 부식에 관한 것이다.
디스미어링과 부식은 두 개의 습윤 화학 물질 및 플라즈마 기술을 판 제작업에 실시하는 공지된 기술이다. 미합중국 특허 제4,328,081호는 플라즈마 디스미어링을 수행하기 위한 특별한 챔버(chamber)구조를 기술하고 있다. 상기 특허에서 디스미어링에 바람직한 플라즈마는 산소 및 카본 테트라플루오라이드로 이루어진 컬럼 2, 라인 46으로 기술된다.
미합중국 특허 제4,425,210호는 프린트 회로판 또는 다층의 프린트 배선판의 플라즈마 디스미어리에 적합한 다전극 세트 구조를 기술하고 있다. 또한 컬럼 2, 라인 46에서, 선택된 플라즈마는 산소 및 카본 테트라 플루오라이드를 포함한다.
미합중국 특허 제4,496,420호는 플라즈마 디스미어링과 함께 개구판을 사용한 다층으로 적층된 프린트 회로판을 디스미어링하는 방법을 기술하고 있다. 적합한 판 조성물은 아크릭, 폴리임드, 캅톤(kap ton), 켈바(kelvar) 및 에폭시를 포함한다. 상기의 모든 물질들은 그후 전기적인 접촉이나 조립을 위해 프린트 회로판을 거쳐 구멍을 뚫는 공정에서 가장 현저하게 얼룩지는 것으로 공지되었다.
재허여된 30,505호는 거의 산소 및 할로탄소로 구성된 이성분 혼합물로 고형 물질의 플라즈마 부식에 관한 방법을 기술하고 있으며, 여기에서 상기 물질의 최소한 하나의 탄소가 불소 원자에 지배적으로 연결되어 있다.
미합중국 특허 제3,930,913호는 유기 물질의 패턴 층을 금속성 보조층으로부터 제거하는 방법을 기술하고 있는데, 여기에서 산소 및 질소의 혼합물로 구성된 플라즈마가 유기 물질을 제거하는데 사용된다. 산소 및 질소 둘다는 비결합된 원소 형태로 제공된다.
미합중국 특허 제 4,310,380호는 가스 혼합물을 사용한 규소 표면에 대한 부수 플라즈마 부식 방법을 기술하고 있는데, 상기 가스 조성물의 화합물은 염화 트리플루오라이드, 질소화 트리플루오라이드, 브롬화 트리플루오라이드 및 요오드화 트리플루오라이드로 구성된 기에서 선택된다.
미합중국 특허 제4,374,698호는 카본 테트라플루오라이드 및 할로 플루오로 카본의 혼합을 사용하여 이산화규소로부터 질화 규소를 차등 부식하는 부식 방법을 기술하고 있다. 상기 가스 부식제는 산소나 이산화 질소를 함유할 수도 있다.
미합중국 특허 제4,473,437호는 산소 및 질소를 함유하는 혼합물의 무수 플라즈마를 사용하여 유기성 물질층을 부식하는 방법을 기술하고 있다.
미합중국 특허 제4,522,681호는 이산화 규소의 구멍을 부식하는 방법을 기술하고 있는데, 아르곤, 질소화 트리플루오라이드 및 산소의 무수 플라즈마 부식 가스를 사용할 수도 있다. 메트아크릴산과 공중합체 뿐만 아니라 폴리메틸 메트아크릴레이트, 에틸 메트아크릴 레이트, 메틸 이소프로필 케톤 등의 중합성 감광성 내식막 물질들을 사용할 수도 있다. 표준 신규의 AC감광성 내식막에 대한 상기의 감광성 내식막 물질류는 본 발명의 성공적인 실시에 요구된다.
미합중국 특허 제4,568,410호는 질소화 트리플루오라이드 및 산소를 사용하여 질화 규소를 부식하는 무수 플라즈마 부식 방법을 기술하고 있다. 질화 규소의 부식에 대한 양호한 결과는 컬럼 5, 라인 65에서 산소에대한 질소화 트리플루오라이드의 상대 비율(산소에 대한 20-35SCCM과 NF3의 10-20SCCM의 비교)로 나타낸다. 상기 가스는 또한 일반적인 내식막을 부식할 수 있는 것으로 공지되었다.
본 발명은 배기 챔버내의 한쌍의 전극사이에 생성된 플라즈마 가스 매체를 사용하여 프린트 회로판을 디스미어 또는 부식하는 방법에 관한 것으로서, 상기 디스미디어 또는 부식되는 물질을 에폭시 및 폴리이미드의 기에서 선택되며, 20-50% NF3와 잔유량이 O2인 가스 혼합물로 이루어진 플라즈마로 디스미디어링(desmearing)이나 부식을 개선한다.
플라즈마 부식 챔버는 1000-3000밀리-torr의 압력으로 배기되는 것이 바람직하다.
플라즈마를 생성하는데 사용하는 출력 밀도는 전극 표면이 0.08-0.25watt/cm2범위이면 바람직하다.
프린트 회로판에서 디스미디어되는 물질은 에폭시가 적합하다.
플라즈마의 온도는 80-140℃ 범위가 바람직하며, 약 100℃가 가장 적합하다.
플라즈마 가스 혼합물은 25-40%의 NF3, 잔여량의 O2로 구성되는 것이 적합하다.
이면 및 다층 프린트 회로판 또는 다층 프린트 배선판(이후는 둘다를 프린트 회로판으로 언급함)은 수많은 마이크로 전자 회로 장치를 위한 공통적인 기질이다. 제작하는 동안, 전기적인 접속 및 물리적 맞춤 및 상호 접속을 위해 프린트 회로판을 구멍을 뚫고, 절단한다. 드릴 및 절단 과정에서 판의 중합체 물질은 전위적인 전기 접속을 거쳐 얼룩이 생긴다. 과거에는 상기 문제들을 습윤 화학적 부식법으로 해결하였다. 그러나 이러한 습윤 화학적 기법은 심한 결점을 가지며 무수 플라즈마 부식의 잇점을 상실한다. 플라즈마 디스미어 및 부식은 에폭시 같은 유기성 표면 및 더 구체적으로는 프린트 배선판이나 회로판의 구멍에 활성 가스를 사용하여 결과 화학적 반응으로 바람직하지 않은 중합체나 에폭시 파편의 구멍을 세척하는 기술이다. 반응 생성물은 휘발성이여서 플라즈마 부식이나 디스미어 공정용 챔버내의 진공 시스템을 통하여 펌프된다.
디스미어링은 초기 스미어링의 산출물을 세척하는데 필수적이다. 프린트 회로판내의 구멍을 통한 스미어는 절연체나 외부 물질 또는 이 두 물질의 혼합이 내부 전도 회로에 걸쳐 존재하는 것으로 규정하며, 이것을 제거하지 않으면 프린트 회로판의 구멍에 무전해 구리가 축적된 후 약한 전기 및 역학적 중간 접속을 일으킨다.
플라즈마 부식은 오랜 시간동안 상기 중합체를 반응성 플라즈마에 노출하고, 따라서 내부 전도층으로부터 중합체를 제거하는 것이다. 본 명세서에 사용한 "디스미어링"이란 말은 관례적인 디스미어링 및 부식 둘다의 경우에 사용한다. 스미어는 원칙적으로 프린트 회로판을 제작함에 있어서 드릴을 하는 동안에 형성된다. 스미어의 가능성은 수지의 경화 문제점들을 야기하는 부적당한 적층화 순환으로부터 발생하며 결과적으로 판 위에 부드러운 점들이 생긴다. 또한 스미어를 일으키는 표준 이하의 수지 특성이 있을 수 있다. 또한 드릴 성능 및 드릴의 조작이 둔하거나 부적합한 기하학이 있을 경우에 스미어가 발생할 수 있다. 속도, 공급비율 및 지지체가 부적당해도 스미어(smear)가 생길 수 있다. 또한 패드 단면에 대한 구멍의 크기 및 구멍 사이의 간격이 적합하게 규정되지 않을 경우에도 스미어가 생길 수 있다. 드릴링 및 라미네이션(lamination)에 있어서의 기술적인 발전으로 스미어의 양이 감소하였지만, 여전히 대량의 프린트 배선판 및 프린트 회로판을 생성함에 있어서 경제적으로 스미어가 없는 구멍을 제조하는 것이 실질상 불가능하다.
최근에는 종래의 습윤 화학적 방법 대신에 플라즈마 기법을 사용하여 스미어를 제거할 수 있다는 것이 입증되었다. 플라즈마 디스미어링은 판의 매트릭스를 전체적으로 더 균일하게 한다. 플라즈마는 상승된 에너지 상태의 물질이다. 플라즈마 상태에 있는 물질의 물리적 특성은 가스 상태의 그 물질과 다소 유사하다. 플라즈마 상태에서 유속 양상 및 특성은 매우 격력해지는 반면 가스는 거의 원상태이다. 플라즈마나 활성물질은 한쌍의 무선 주파수 출력 전극 사이의 영역에서 발생하여 표적면 즉 본 발명의 대상으로 전형적인 프린트 회로판의 구멍인 표적면(target surface)을 향하게 된다.
프린트 회로판의 플라즈마 디스미어링은 전형적으로 산소 및 카본 테트라플루오라이드를 사용하여 수행된다. 상기 가스 혼합물로 진공 상태에서 RF 전극을 관통시키면, 본래의 산소 및 원자 상태의 불소가 활성 물질로 형성된다. 상기 활성 물질들을 프린트 회로판의 구멍의 중합체와 반응시켜서, 휘발성 생성물을 형성하는데 이것은 이후 배기로 제거된다. 근본적으로 플라즈마를 사용하는 디스미어링 방법은 챔버, 진공 펌프, RF에너지 원 및 계기용 가스들이 필요하다. 챔버는 진공에서도 견딜수 있어야만 하고, 더 중요하게는 플라즈마의 활성 물질의 적합한 유속이 가능하고 또한 판의 매트릭스에 상기 물질의 흐름이 전반적으로 일정하게 될수 있도록 프린트 회로판을 조정해야만 한다. 상기의 플라즈마 디스미어링 기구 및 방법은 1982년 5월 4일에 허여된 미합중국 특허 제4,328,081호에 더 자세히 기술되어 있다. 이 특허를 본 명세서에 참고로 하였다.
본 발명자들은 O2중의 NF3는 종래의 O2중의 CF4플라즈마 보다 에폭시 및 폴리이미드 스미어에 대한 디스미어 효과가 월등하다는 것을 확인하였다. 더 특별하게는 20-50% NF3, 잔여량 O2, 적합하게는 25-40% NF3, 잔여량 O2를 사용하며 에폭시 프린트 회로판 스미어를 디스미어 하는데에 결정적인 장점을 갖는다는 것을 발견하였다. 질소화 트리플루오라이드 및 산소의 혼합은 과거 플라즈마 디스미어 및 부식 기술에 사용되지 않았었다. 질소화 트리플루오라이드 및 산소가 규소-함유 집적회로를 부식하는 것은 공지되어 있다. 상기 규소의 부식과정에서, 종래의 기술로는 질소화 트리플루오라이드 및 산소로 감광성 내식막도 부식하였다.
그러나 광중합체 및 에폭시와 폴리이미드 중합체간의 부식의 특징은 명확하게 상이하여, 결과 종래 기술인 카본 테트라 플루오라이드 및 산소 이외의 가스 혼합물을 사용하여 디스미어 조작을 할 수 있는 특성을 갖는 디스미어 업에 감광성 내식막에 대한 부식 비율이 발표되지는 않았다.
도면에서 볼 수 있듯이, 본 발명자들은 종래의 산소중의 카본 테트라플루오라이드에 비해 산소중의 질소화 트리플루오라이드로 판을 디스미어링하는 것이 현저한 효과가 있다는 것을 발견하였다.
도면의 비교 곡선은, lin2단면을 통상적인 크기 1로 하는 에폭시 쿠우폰상에서 0.25watts/cm2출력 밀도로 수행한 것이다.
Y축의 부식비율은 분당 제거되는 물질의 마이크로그램이고, X축의 농도는 산소중의 NF3또는 CF4퍼센트 농도이다. 상기 도면은 산소중의 카본 테트라플루오라이드보다 산소중의 NF3를 사용할 경우 에폭시의 디스미어링 비율이 현저하게 증가함을 나타낸다. 구체적으로, 20-50% NF3, 더 구체적으로는 25-40% NF3에서 최대치를 나타낸다. 에폭시나 폴리이미드를 디스미어 하는데 있어서 NF3및 산소의 장점은 규소 부식에 NF3및 산소를 사용하는 종래의 기술(이것은 프린트 회로판을 제작하는 종래의 중합체 감광성 내식막과 에폭시 기질간의 부식 특성의 현저한 차이 때문에 감광성 내식막이 부식되는 것으로 공지됨)로부터 외삽 될수 없다.
하기에 표 1에서, 산소중의 NF3및 산소중의 CF4둘다에 대한 부식 비율의 현저한 차이가 0.25W/㎠의 출력 밀도에서 프린트 회로판 물질을 구성하는 마이크로 전자 감광성 내식막 중합체 및 에폭시 중합체 면에서 논증되었는데, 통상적으로 프린트 회로판 제작 기법에서 디스미어된다.
[표 1]
Figure kpo00001
종래의 감광성 내식막을 부식하는 기술은 폴리이미드 같은 프린트 회로판의 물질이나 에폭시를 디스미어하는 NF3및 산소의 뛰어난 효과를 입증할 수 없음이 명백하다. 구체적으로, 4287㎍m/min의 최대 부식 비율을 달성할 수 있는 에폭시 중합체상의 35% NF3/65% 산소 플라즈마 가스혼합물의 통상의 활성은 질소화 트리플루오라이드 및 산소의 규소 부식이나 카본 테트라플루오라이드 산소 혼합물의 종래 기법으로는 이루어질 수 없다. 상기 표는 산소중의 NF3가 감광성 내식막 중합체에 대해 산소중의 카본 테트라플루오라이드 만큼 낮은 활성을 가짐을 나타내고 있다.
본 특허의 방법은 구체적으로 바람직한 구체화에 관해 기술하고 있으나 본 기술에 숙련된 자들은 이하의 청구범위에 기술한 범위로 본 발명의 다른 면도 숙고할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 디스미어될(desmeared)물질이 에폭시 및 폴리이미드로 구성된 기로부터 선택되었으며, 배기 챔버내의 한쌍의 전극 사이에서 생성된 플라즈마 가스 디스미어링(desmearing) 매체를 사용하여 프린트 회로판을 디스미어하는 방법에 있어서, 20-50% NF3, 잔여량 O2의 가스 혼합물로 구성된 플라즈마로 디스미어를 개선한 방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 챔버가 1000 내지 3000밀리-torr 범위의 압력으로 배기됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 플라즈마를 생성하는데 사용되는 출력밀도가 0.08 내지 0.25watt/cm2범위임을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 디스미어되는 물질이 에폭시 임을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 플라즈마의 온도가 80 내지 140℃임을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 플라즈마의 온도가 약 100℃임을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 가스 혼합물이 25 내지 40%의 NF3와 잔여량의 O2로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 가스 혼합물이 거의 35% NF3와 65% O2로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
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