KR900015275A - 자기정합법에 의한 디램 셀 및 그 제조방법 - Google Patents
자기정합법에 의한 디램 셀 및 그 제조방법Info
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- KR900015275A KR900015275A KR1019890003795A KR890003795A KR900015275A KR 900015275 A KR900015275 A KR 900015275A KR 1019890003795 A KR1019890003795 A KR 1019890003795A KR 890003795 A KR890003795 A KR 890003795A KR 900015275 A KR900015275 A KR 900015275A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890003795A KR0136777B1 (ko) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 자기정합법에 의한 디램 셀 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890003795A KR0136777B1 (ko) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 자기정합법에 의한 디램 셀 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900015275A true KR900015275A (ko) | 1990-10-26 |
KR0136777B1 KR0136777B1 (ko) | 1998-04-24 |
Family
ID=19284801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890003795A KR0136777B1 (ko) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 자기정합법에 의한 디램 셀 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0136777B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100574931B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 자기정합 구조를 갖는 반도체 메모리장치의 제조방법 |
-
1989
- 1989-03-25 KR KR1019890003795A patent/KR0136777B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100574931B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 자기정합 구조를 갖는 반도체 메모리장치의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0136777B1 (ko) | 1998-04-24 |
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