KR900013770A - 고전압 발생회로 - Google Patents

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KR900013770A
KR900013770A KR1019900002198A KR900002198A KR900013770A KR 900013770 A KR900013770 A KR 900013770A KR 1019900002198 A KR1019900002198 A KR 1019900002198A KR 900002198 A KR900002198 A KR 900002198A KR 900013770 A KR900013770 A KR 900013770A
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switching transistor
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세이지 가와베리
히사시 이와모또
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오오가 노리오
소니 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

고전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예를 나타내는 고전압 발생 회로도.
제2도는 플라이백 펄스의 설명도.
제3A도는 플라이백 동작을 설명하는 회로도.

Claims (2)

  1. 전원회로에서 공급되는 전원 에너지를 트랜지스터 기간 중에 LC공진회로에 축적하고, 상기 LC공진회로의공지 주파수로서 정하는 플라이백 기간에 상기 LC공진 회로에 축적된 전기 에너지를 고압의 펄스 전압으로 변환하여 출력하는 고전압 발생회로에 있어서, 상기 전원회로에 스위칭 트랜지스터를 설치하고, 그 스위칭 트랜지스터를 적어도 고전압 발생회로의 댐퍼 기간에서 온 트랜지스터 기간으로서 오프 되도록 제어하는 것에 의하여, 고전압 출력 레벨을 컨트롤 하도록 한 것을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 스위칭 트랜지스터의 오프인 타이밍을 고전압 출력 레벨을 대응하여 제어하고, 정전압 특성이 얻어지도록 한 것을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900002198A 1989-02-23 1990-02-22 고전압 발생 회로 KR0149670B1 (ko)

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KR0149670B1 KR0149670B1 (ko) 1998-10-15

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US5019953A (en) 1991-05-28
JPH02222374A (ja) 1990-09-05
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