KR900006562A - 기공성의 애노드 산화 알루미늄 막 - Google Patents

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크리스토퍼 푸르 니룩스 로빈
로이 리그비 윌리암
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데이비드 굿차일드
알칸 인터내쇼날 리미티드
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Abstract

내용 없음

Description

기공성의 애노드 산화 알루미늄 막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
본 도면은 본 발명에 따른 애노드 산화알루미늄필름의 단면도이다.

Claims (12)

  1. 제1표면으로부터 연장되는 큰 기공 시스템과 제2표면으로부터 거리(s)만큼 연장되는 작은 기공 시스템과 접속하는 2 주요 표면을 지니는 애노드 산화 알루미늄막에 있어서, 거리(s)는 1마이크론 이상임을 특징으로 하는 애노드 산화 알루미늄 막.
  2. 제1항에 있어서, 거리(s)는 2마이크론 이하인 애노드 산화 알루미늄 막.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 작은 기공은 0.15마이크론 이하의 최소직경을 지니는 애노드 산화 알루미늄 막.
  4. 제3항에 있어서, 0.15마이크론 이상의 직경의 기공으로 인해 비롯되는 결함을 지니지 않는 애노드 산화 알루미늄 막.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 수용성 파아지 또는 미코플라스마 현탁액의 여과 테스트에 챌린지 될 때, 파아지 또는 미코플라스마의 농도는 개시 현탁액 농도의 0.01% 이하인 여액을 산출하는 애노드 산화 알루미늄.
  6. 제1표면으로부터 연장되는 큰 기공 시스템과 제2표면으로부터 연장되는 작은 기공 시스템과 접촉하는 2주요 표면을 지닌 애노드 산화 알루미늄 막을, 알루미늄 금속 기판을 애노드하여 산화물 막을 형성하고, 산화물 막의 부분적 또는 완전한 회수가 전압 강하의 단계를 계속 유지하도록 하는 느린 속도에서 산화물 막을 전압 강하시키고, 산화물 막을 기판으로부터 회수하는 단계에 의해 제조하는 방법에 있어서, 거리(s)를 증가하는데 충분한 시간 동안 어떤 전압에서 전압 강하가 중단됨으로써 작은 기공 시스템이 제2표면으로부터 적어도 0.05마이크론 만큼 연장됨을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 1마이크론 이상의 크기로 거리(s)를 증가시키기에 충분한 시간 동안 전압강하가 중단되는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 전압 강하는 15볼트 이하의 최소 전압까지 계속되는 방법.
  9. 제6항 내지 제8항중 어느 한항에 있어서, 로울-캐스팅에 의해 예-처리되는, 금속/산화물 계면에서 적어도 99.9%의 순도를 지닌 알루미늄 금속 기판이 사용되는 방법.
  10. 제6항 내지 제8항중 어느 한항에 있어서, 균질화 방법에 의해 예-처리되는, 금속/산화물 계면에서 적어도 99.9%의 순도를 지닌 알루미늄 금속 기판이 사용되는 방법.
  11. 제6항 내지 제10항중 어느 한항에 있어서, 금속/산화물 계면에서 적어도 99.98%의 순도를 지닌 알루미늄 금속 기판이 사용되는 방법.
  12. 제6항 내지 제11항중 어느 한항에 있어서, 전압 강하 단계 후 막을 액화 작용에 수반시켜 조절 방식으로 최소 기공 직경을 증가시키도록 작은 기공 시스템을 함유한 막의 일부분을 용해하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890013992A 1988-10-03 1989-09-29 기공성의 애노드 산화 알루미늄 막 KR900006562A (ko)

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