KR900001403B1 - El 표시 소자의 백 전극 제조방법 - Google Patents
El 표시 소자의 백 전극 제조방법 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 EL 표시 소자 구성도.
제2도는 종래 EL 표시 소자의 동작 상태도.
제3도는 본 발명에 따른 백 전극을 부가한 EL 표시 소자의 구성도.
제4도는 본 발명에 따른 EL 표시 소자의 동작 상태도.
제5도는 콘트라스트와 주변광의 관계 도시표.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
6 : 알루미늄 백 전극 10 : 크롬(Cr)-니켈(Ni)합금층
11 : 몰리브덴(Mo)-탄소(C)합금층
본 발명은 교류 구동형 EL(Electroluminescnce) 표시 소자의 백(Back)전극 제조방법에 관한 것으로 특히 높은 콘트라스트와 뛰어난 부착성을 갖는 산화 방지용 백 전극을 제조하는데 적당하도록 한 EL 표시 소자의 전극 제조방법에 관한 것이다.
종래의 EL 표시 소자는 소자의 구조와 구동 방식에 따라 교류 구동형 EL 소자와 직류 구동형 EL 소자로 구분되며, EL 표시 소자의 백 전극은 알루미늄(Al) 증착막에 의해 제조되어 주변광에 대한 반사율에 높고 부착력이 약하며 산화가 잘 이루어져 소자의
따라서 본 발명은 상기한 단점을 개선시킬 목적으로 3층구조의 백 전극을 형성하고 높은 콘트라스트와 뛰어난 부착력을 갖도록 하므로써 소자의 표시 품질과 신뢰성 및 재현성의 향상을 제공하려는 것이다.
종래의 EL 표시 소자는 다음과 같은 구성으로 이를 도면에 따라 설명하면 다음과 같다.
제1도에 도시된 바와같이, 파이렉스와 같은 내열성 유리로 제작된 유리기판(1)에 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2)를 진공 증착하여 띠 형상의 투명전극(2)을 평형 배열하고 그 상측으로 질화규소(Si3N4), 산화알루미늄(Al2O3)등의 제1절연층(3)과 형광체[황화아연(ZnS) : 망간(Mn)]의 발광층(4)과 질화규소(Si3N4), 산화알루미늄(Al2O3)등의 제2절연층(5)을 진공 증착법을 사용하여 순차적으로 적층하고 상측에 알루미늄(Al)을 2000Å정도로 진공 증착하고 포토-리쏘그라피(Photo-lithography)법으로 에칭시켜 형성된 띠형상의 백 전극(6)을 투명전극(2)과 수직방향으로 평행 배열하여서 된 것이다.
상기한 바와같은 종래의 EL 표시 소자는 제2도에 도시한 바와같이 투명 전극(2)과 백전극(6)에 외부 교류전원(7)을 인가하면 발광층(4)에서 파장(λ)이 5850Å인 황동색의 광이 발생한다.
또한 알루미늄(Al)증착으로 형성된 백전극(6)은 제2절연층(5) 상측면에 2000Å정도로 진공증착 및 에칭 시키므로써 증착 및 에칭시에 알루미늄(Al)표면이 산화하여 백 전극(6)의 상측면에는 산화 알루미늄(Al2O3-x)의 산화막(6')이 형성된다.
또한 알루미늄(Al)의 부착강도는 70g/mm2이기 때문에 제2절연층(5)과의 부착력이 약화되어 막이 벗겨질 염려가 있고, 백 전극(6)의 반사율(r)이 50%정도이므로 소자 동작시에 주변광(8)이 외부에서 소자 내부로 인가되면 백 전극(6)의 저면(9)에서 반사되며 반사된 주변광(8)은 발광층(4)에서 생성된 발생광(λ)과 혼합되어 방출되므로 콘크라스트는 떨어지게 된다.
즉 EL 표시 소자의 콘트라스트(C)=
로써 결정되어 콘크라스트를 높이기 위해서는 주변광(A)과 반사율(r)이 작아야 하고 휘도(B)는 커야 한다.
또한 백 전극(6)의 상부면에 알루미늄(Al)이 산화되어 형성된 산화 알루미늄(Al2O3-x)의 산화막(6')은 저항이 커서 소자 구동시에 쥬울(Joule) 열(H)이 발생되어 소자의 신뢰성을 저하시키며, 알루미늄(Al)증착막을 에칭시키는 공정에서 쉽게 에칭이 되지않고 남게되어 잔류된 산화 알루미늄(Al2O3-x)의 산화막(6'')은 주변의 백 전극(6)에 연결되어 소자 재현성을 떨어뜨리는 단점이 발생되었다.
따라서 상기한 단점을 개선 시키기 위한 본 발명은 다음과 같은 방법으로 백 전극(6)을 형성한다.
제3도에 도시한 바와 같이 EL 표시 소자의 백 전극(6)은 콘트라스트 및 부착력을 개선시키기 위한 크롬(Cr)-니켈(Ni)합금층(10)과 알루미늄(Al)층(6)과 산화방지를 위한 몰리브덴(Mo)-탄소(C)합금층(11)으로 진공증착 에칭시켜 형성되는 것으로서 좀 더 상세히 설명하면 질화규소(Si3N4), 산화알루미늄(Al2O3)의 제2절연층(5) 상부표면에 막의2 -6 3
상기한 방법으로 제조된 본발명에 따른 백 전극(6)은 크롬(Cr)-니켈(Ni)합금층(10)의 부착력이 750g/mm2이므로 알루미늄(Al)의 전극에 대한 부착력 70g/mm2이므로 약 10배 이상 강하고, 주변광(8)의 반사율(r')도 20%정도이므로 알루미늄(Al)의 반사율(r=50%)보다 매우 적게되어 콘트라스트는 개선된다.
즉 콘트라스트(C)=
의 공식에 따라 결정되며 이때 반사율(r')이 20%정도이므로 콘트라스트는 크게 개선된다.
또한 진공 증착기 속에서 알루미늄(Al)층(6)상부표면에 산화 방지용 몰리브덴(Mo)-탄소(C)합금을 증착시켜 몰리브텐(Mo)-탄소(C)합금층(11)이 형성되므로 알루미늄층(6)은 쉽게 산화 되지 않아 산화 알루미늄(Al2O3-x)의 산화막은 형성되지 않고 이로 인해 전기저항이 적으므로, 쥬울 열의 발생을 방지할 수 있으며, 에칭 공정시에 쉽게 에칭되어 주변의 백 전극(6)과의 연결현상을 방지하여 소자의 신뢰성과 재현성이
또한 제5도는 EL 표시 소자의 콘트라스트와 주변광의 비교파형으로써 종축은 콘트라스트의 비를 표시하며 횡축은 주변광(A)을 나타내며 제5도의 (a)는 종래 EL 소자의 콘크라스트비, 제5도의(b)는 본 발명에 다른 EL 소자의 콘트라스트 비를 표시하며, 본 발명에 다른 EL 소자를 콘트라스트비가 주변광(A)이 20(fl)이하일때 상당히 개선됨을 알 수 있다.
따라서 본 발명에 따른 3층 구조의 백 전극은 주변광(8)의 반사율(r')이 작아 콘트라스트가 크게 개선되며 크롬(Cr)-니켈(Ni)합금층(10)의 부착력이 강해 EL 소자의 전극에 대한 부착력은 강화되며 알루미늄층(6) 상부면에 산화 방비용 몰리브덴(Mo)-탄소(C)합금층(11)을 증착하므로써 알루미늄(6)의 상부면에 산화알루미늄(Al2O3-x)의 산화막이 발생되지 않게 되어 전기저항이 작아져 쥬울열의 발생을 방지할 수 있고, 에칭이 쉽게 되므로써 소자의 신뢰성 및 재현성이 뛰어나게 개선되는 장점이 있다.
또한 상기의 방법과 유사한 방법으로 전자장치의 전극을 제조할 수 있다. 미설명 부호 1은 유리기판이고, 2는 투명전극이며, 3은 제1절연층이고, 4는 발광층이며, 5는 제2절연층이고, 6'은 산화 알루미늄의 산화막이며, 6''는 잔류된 산화알루미늄이고, 7은 외부 교류 전원이며, 8은 주변광이고, 9는 백 전극의 저면이다.
Claims (1)
- EL 표시 소자의 백 전극(6)을 형성함에 있어서 알루미늄 백 전극(6)과 제2절연층(5)사이에 100Å정도로 크롬(Cr)-니켈(Ni)합금층(10)을 진공증착시키고, 백 전극(6)의 상부면을 100Å정도로 몰리브덴(Mo)-탄소(C)합금층(11)을 증착시켜 3층 구조의 백 전극(6)을 형성하는 것을 특징으로 하는 EL 표시 소자의 백 전극 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860004624A KR900001403B1 (ko) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | El 표시 소자의 백 전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860004624A KR900001403B1 (ko) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | El 표시 소자의 백 전극 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880001063A KR880001063A (ko) | 1988-03-31 |
| KR900001403B1 true KR900001403B1 (ko) | 1990-03-09 |
Family
ID=19250418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860004624A KR900001403B1 (ko) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | El 표시 소자의 백 전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900001403B1 (ko) |
-
1986
- 1986-06-11 KR KR1019860004624A patent/KR900001403B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880001063A (ko) | 1988-03-31 |
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| A201 | Request for examination | ||
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