Claims (34)
외부 전압단자, 외부접지단자, 입력단자. 출력단자, 모든 상기 단자에 전기적으로 접속되고, 내부 접지전위점과 내부 동작전압점을 갖는 능동 내부회로, 상기 내부접지전위점에서 상기 외부 접지단자로 전류가 흐를 수 있게 전기적으로 접속된 1방향성 소자와, 전류가 상기 내부회로의 내부접지점에서 상기 입력 및 출력단자의 적어도 어느 한 단자로 흘러 통과하도록 전기적으로 접속된 1방향성소자를 포함하는 반도체 집적회로 장치.External voltage terminal, external ground terminal, input terminal. An output terminal, an active internal circuit electrically connected to all of the terminals, an active internal circuit having an internal ground potential point and an internal operating voltage point, and a unidirectional element electrically connected to allow the current to flow from the internal ground potential point to the external ground terminal. And a unidirectional element electrically connected to allow a current to flow through at least one terminal of the input and output terminals at an internal ground point of the internal circuit.
특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 또 전류가 상기 내부접지전위점에서 입력 및 출력단자의 어느 1단자로 통과하도록 전기적으로 접속된 1방향성소자를 포함하는 반도체 집적회로 장치.The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a unidirectional element electrically connected such that a current passes through any one terminal of an input and an output terminal at the internal ground potential point.
특허청구의 범위 제 2 항에 있어서, 상기 1방향성소자는 다이오드 형태의 트랜지스터인 반도체 집적회로 장치.The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein the one-directional element is a transistor in the form of a diode.
특허청구의 범위 제 2 항에 있어서, 각각의 소자를 분리하고 상기 내부회로접지에 접속되는 분리영역을 포함하는 반도체 집적회로 장치.The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, further comprising a separation region that separates each element and is connected to the internal circuit ground.
특허청구의 범위 제 2 항에 있어서, 전류가 상기 외부 전압단자에서 내부 동작전압점으로 흐를 수 있게 전기적으로 접속된 1방향성소자 및 전류가 상기 입력 및 출력단자의 적어도 1단자로부터 내부 동작전압점으로 통과되도록 전기적으로 접속된 1방향성소자를 포함하는 반도체 집적회로 장치.The method according to claim 2, wherein the unidirectional element and the current which are electrically connected so that a current flows from the external voltage terminal to an internal operating voltage point are transferred from at least one terminal of the input and output terminals to an internal operating voltage point. A semiconductor integrated circuit device comprising a unidirectional element electrically connected to pass through.
특허청구의 범위 제 5 항에 있어서, 전류가 상기 입력 및 출력단자의 어느 1단자로부터 상기 내부동작 전압점으로 통과되도록 전기적으로 접속된 1방향성소자를 포함하는 반도체 집적회로 장치.6. The semiconductor integrated circuit device according to claim 5, comprising a unidirectional element electrically connected such that a current passes from any one terminal of the input and output terminals to the internal operating voltage point.
특허청구의 범위 제 6 항에 있어서, 상기 1방향성소자는 다이오드 형태의 트랜지스터인 반도체 집적회로 장치.The semiconductor integrated circuit device according to claim 6, wherein the one-directional element is a transistor in the form of a diode.
특허청구의 범위 제 6 항에 있어서, 상기 각각의 소자를 분리하고 내부회로접지에 접속된 분리영역을 포함하는 반도체 집적회로 장치.7. The semiconductor integrated circuit device according to claim 6, comprising a separation region separating said respective elements and connected to an internal circuit ground.
외부전압단자, 외부접지단자, 입력단자, 출력단자, 상기의 모든 단자에 전기적으로 접속되고, 내부접지전위정과 내부동작전압점을 갖는 능동내부회로, 전류가 상기 외부전압단자에서 내부동작전압점으로 통하도록 전기적으로 접속된 1방향성소자 및 전류가 상기 입력 및 출력단자의 적어도 어느 한 단자에서 내부동작전 압정으로 통하도록 전기적으로 접속된 1방향성소자를 포함하는 반도체 집적회로 장치.An active internal circuit electrically connected to an external voltage terminal, an external ground terminal, an input terminal, an output terminal, and all of the above terminals, and having an internal ground potential and an internal operating voltage point, and a current from the external voltage terminal to an internal operating voltage point. And a unidirectional element electrically connected to each other so that the unidirectional element is electrically connected to pass through and a current flows from the at least one terminal of the input and output terminals to the tack before internal operation.
특허청구의 범위 제 9 항에 있어서, 전류가 상기 입력 및 출력단자의 어느 한 단자에서 내부동작전압점으로 통하도록 전기적으로 접속된 1방향성소자를 포함하는 반도체 집적회로 장치.10. The semiconductor integrated circuit device according to claim 9, wherein the semiconductor integrated circuit device comprises a unidirectional element electrically connected to a current to an internal operating voltage point at either of the input and output terminals.
특허청구의 범위 제10항에 있어서, 1방향성소자는 다이오드 형태의 트랜지스터인 반도체 집적회로 장치.11. The semiconductor integrated circuit device according to claim 10, wherein the unidirectional element is a transistor in the form of a diode.
전압원과 유도성 부하 사이에 접속되는 하이사이드 유도성부하 구동회로 있어서, 상기 전압원에 접속하기 위한 외부전압단자수단, 상기 유도성 부하에 접속하기 위한 출력단자수단, 상기 유도성 부하의 하이사이드에 전압원을 선택적으로 접속하여 스위칭 입력신호에 접속하기 위한 입력단자수단, 상기 유도성 부하의 로우사이드와 공통접지에 접속하기 위한 외부 접지단자수단, 상기 입력단자수단에서의 상기 스위칭 입력신호에 따라 상기 출력단자수단에서 상기 유도성부하의 상기 하이사이드에 상기 외부 전압단자수단에서의 상기 전압원을 선택적으로 접속하기 위해 상기 입력단자수단, 상기 출력단자수단, 상기 외부 전압단자수단과 상기 외부 접지단자수단에 동작하도록 접속되고, 상기 출력단자수단, 상기 외부 전압단자수단에 접속된 트랜지스터 입력단자 및 트랜지스터의 제어단자에 접속된 트랜지스터 출력단자를 갖는 파워트랜지스터를 갖는 능동내부회로, 상기 파워 트랜지스터 이 출력단자를 갖는 상기 파워트랜지스터의 제어단자를 선택적으로 직접 접속하기 위해 제어전압으로서 상기 스위칭 입력신호를 공급받기 위한 상기 입력단자수단에 접속되며, 상기 스위칭 입력신호가 상기 파워 트랜지스터 수단을 제어하기 위해 사용되는 제어 트랜지스터, 전류가 상기 회로의 접지점에서 상기 외부접지단자수단으로 흐르도록 하고 상기 외부전압단자수단과 상기 외부접지단자수단 사이에 역으로 전원전압이 접속될 때에도 상기 회로소자의 파괴를 막기 위해서 회로의 접지점과 상기 외부접지단자수단 사이에 접속된 반도체 1방향성장치, 내부회로의 출력단자에서 전압 클램핑을 막기 위한 상기 파워 트랜지스터수단의 제어단자에서 전압을 외부접지전위 이하로 감소시킴에 따라서 상기 파워 트랜지스터의 OFF가 보장되는 상기 파워 트랜지스터가 상기 유도성 부하의 파워를 OFF시켜서 상기 출력단자수단의 외부전압 영역이 증가하므로 상기 출력단자수단에서 역기전력이 발생될 경우, 전류가 상기 외부접지단자수단에서 상기 접지전위 이하로 떨어지는 회접지전위를 허용하기 위해 상기 회로이 접지점에서 상기 파워 트랜지스터의 상기 출력단자로 흐르도록 상기 회로의 접지점과 상기 파워 트랜지스터의 상기 출력단자 사이에 접속된 반도체 1방향성소자를 포함하는 하이사이드 유도성 부하 구동회로.A high side inductive load driving circuit connected between a voltage source and an inductive load, comprising: an external voltage terminal means for connecting to the voltage source, an output terminal means for connecting to the inductive load, and a voltage source at the high side of the inductive load An input terminal means for selectively connecting to a switching input signal, an external ground terminal means for connecting to the low side of the inductive load and a common ground, and the output terminal according to the switching input signal from the input terminal means. Means for operating on said input terminal means, said output terminal means, said external voltage terminal means and said external ground terminal means for selectively connecting said voltage source at said external voltage terminal means to said high side of said inductive load. A transistor connected to the output terminal means and the external voltage terminal means. An active internal circuit having a power transistor having a master input terminal and a transistor output terminal connected to a control terminal of the transistor, and the switching as a control voltage for selectively directly connecting a control terminal of the power transistor having the power transistor having an output terminal; A control transistor connected to the input terminal means for receiving an input signal, the switching input signal being used to control the power transistor means, causing a current to flow from the ground point of the circuit to the external ground terminal means and The semiconductor one-way device connected between the grounding point of the circuit and the external ground terminal means and the output terminal of the internal circuit to prevent destruction of the circuit element even when a power supply voltage is connected inversely between the voltage terminal means and the external ground terminal means. To prevent voltage clamping As the voltage decreases below the external ground potential at the control terminal of the power transistor means, the power transistor which is guaranteed to turn off the power transistor turns off the power of the inductive load, thereby increasing the external voltage region of the output terminal means. Therefore, when a counter electromotive force is generated in the output terminal means, the circuit flows from the ground point to the output terminal of the power transistor to allow the ground potential to fall from the external ground terminal means to below the ground potential. And a semiconductor unidirectional element connected between a ground point and said output terminal of said power transistor.
특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기의 각각의 트랜지스터는 MOSFET이며, 상기 파워 스위칭소자는 소오스 플로워인 하이사이드 유도성 부하구동회로.13. The high side inductive load driving circuit as claimed in claim 12, wherein each transistor is a MOSFET and the power switching element is a source follower.
특허청구의 범위 제13항에 있어서, 기판에 있는 상기 파워 MOSFET의 상기 드레인과 상기 기판에 직접 연결된 상기 외부전압단자를 갖는 단일 기판위에 집적된 회로로서 전체가 구성되는 하이사이드 유도성 부하 구동회로.14. The high side inductive load driving circuit of claim 13, wherein the circuit is integrated as a circuit integrated on a single substrate having the drain of the power MOSFET on the substrate and the external voltage terminal directly connected to the substrate.
특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 파워 트랜지스터의 임계전압보다 큰 값이 부가된 제어전압을 공급하기 위해 상기 파워 트랜지스터의 상기 제어단자와 상기 파워 트랜지스터의 상기 입력단자 사이에 승압 수단을 마련하며, 상기 출력단자수단의 전압이 상기 외부 전압단자수단의 입력전압에 비해 감소되지 않는 하이사이드 유도성 부하구동회로.The method of claim 12, further comprising: a boosting means is provided between the control terminal of the power transistor and the input terminal of the power transistor to supply a control voltage having a value greater than a threshold voltage of the power transistor. And a high side inductive load driving circuit in which the voltage of the output terminal means is not reduced compared to the input voltage of the external voltage terminal means.
특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 외부접지와 상기 외부단자수단사이에 접속된 유도성 부하와 상기 외부접지단자수단에 접속된 외부접지와, 상기 입력단자수단에 접속된 정극성 전원전압을 포함한는 하이사이드 유도성 부하구동회로.The method according to claim 13, wherein the inductive load connected between the external ground and the external terminal means, the external ground connected to the external ground terminal means, and the positive power supply voltage connected to the input terminal means. Including high side inductive load driving circuit.
특허청구의 범위 제16항에 있어서, 또 상기 파워 MOSPET의 턴오프 시간의 감소에 따라 상기 파워 MOSFET익 게이트와 소오스를 고차하여 클램프된 상기 역기전압으로서 상기 파워 트랜지스터가 OFF될 때, 상기 유도성 부하로부터 상기 역기전압을 클램핑하기 위해서 상기 유도성 부하의 하이 및 로우사이드 사이에 접속된 전압 클램핑 회로를 포함하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.The inductive load according to claim 16, wherein when the power transistor is turned off as the counter electromotive voltage clamped by higher order of the power MOSFET wing gate and the source according to the decrease in turn-off time of the power MOSPET. And a voltage clamping circuit connected between the high and low side of the inductive load to clamp the counter electromotive voltage from the high side inductive load.
특허청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 클램핑회로는 클램핑전압이 상기 다이오드의 임계전압과 제너다이오드의 제너전압이며, 상기 파워 MOSFET의 스위칭 속도를 증가시키도록 유도성 부하의 외부 에너지가 사용되고, 접지로부터 제너다이오드에 역으로 접속된 직렬의 상기 출력단자수단으로 전류가 통하도록 접속된 다이오드를 포함하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.The method of claim 17, wherein the clamping circuit is a clamping voltage is the threshold voltage of the diode and the zener diode of the zener diode, the external energy of the inductive load is used to increase the switching speed of the power MOSFET, the ground And a diode connected from said circuit to said output terminal means in series connected inversely to said zener diode.
전원에 접속하기 위한 외부전압단자수단, 부하에 접속하기 위한 출력단자수단, 입력신호에 접속하기 위한 입력단자수단, 회로의 외부 접지단자수단에 접속하기 위한 외부 접지단자수단, 상기 입력단자수단에 직접 접속된 제어단자를 갖는 입력트랜지스터를 포함하고, 상기 입력단자수단, 상기 외부 전압단자수단, 상기 외 부 접지단자수단과 상기 출력단자수단에 접속된 능동 내부회로수단, 전류가 상기 외부 접지단자수단으로 통하고 상기 트랜지스터의 상기 출력단자에서 회로의 내부 접지점을 설치하기 위해서 상기 트랜지스터의 출력단자와 상기 외부 접지단자수단 사이에 전기적으로 접속된 1방향성 장치, 전류가 상기 트랜지스터 출력단자에서 상기 트랜지스터 제어단자로만 통하도록 하기 위해서 상기 내부 회로 접지점과 상기 내부단자수단 사이에 접속된 제 2 의 1방향성 장치를 포함하며, 상기 1방향성 장치는 상기 입력단자수단에 공급된 확대된 신호가 전압을 클램프하는 것에 의해 상기 외부 접지단자수단에 공급된 상기 외부접지 이하로 상기 내부 접지점이 저하할 염려없이 상기 외부접지전위 이하로 상기 입력단자수단에 공급된 입력신호의 입력 동적영역을 확대하기 위한수단을 포함하는 입력회로.External voltage terminal means for connecting to a power source, output terminal means for connecting to a load, input terminal means for connecting to an input signal, external ground terminal means for connecting to an external ground terminal means of a circuit, and directly to the input terminal means And an input transistor having a connected control terminal, wherein the input terminal means, the external voltage terminal means, active internal circuit means connected to the external ground terminal means and the output terminal means, and current are supplied to the external ground terminal means. A unidirectional device electrically connected between the output terminal of the transistor and the external ground terminal means to establish an internal ground point of the circuit at the output terminal of the transistor, the current being fed only from the transistor output terminal to the transistor control terminal. The internal circuit ground point and the internal terminal means And a second one-way device connected thereto, wherein the one-way device includes the internal signal below the external ground supplied to the external ground terminal means by clamping a voltage of the expanded signal supplied to the input terminal means. And means for enlarging an input dynamic range of an input signal supplied to said input terminal means below said external ground potential without fear of a ground point deteriorating.
특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 1방향성소자는 상기 내부회로이 접지전위점이 상기 외부접지단자에 공급된 접지전위 이하로 저하하는 상기 입력단자에서의 전위를 따르도록 하여 적어도 상기 입력 및 출력단자의 한 단자에서 상기 동적 전압영역을 증가시키기 위한수단을 포함하는 반도체 집적회로 장치.2. The at least one input and output terminal of claim 1, wherein the unidirectional element is configured such that the internal circuit follows a potential at the input terminal whose ground potential drops below the ground potential supplied to the external ground terminal. Means for increasing the dynamic voltage region at one terminal of the semiconductor integrated circuit device.
특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 1방향성소자는 각 트랜지스터의 베이스단자에 에미터가 있고, 또 상기 단자의 상대적인 전압값을 검출하기 위한 상기 1방향성 트랜지스터 소자의 에미터와 상기 콜렉터 사이에 흐르는 전류를 검출하기 위한 수단을 포함하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.The method of claim 12, wherein the one-way device has an emitter at a base terminal of each transistor, and between the emitter and the collector of the one-way transistor device for detecting a relative voltage value of the terminal. A high side inductive load driving circuit comprising means for detecting a flowing current.
특허청구의 범위 제12항에 있어서, 단일 반도체철상에 집적되고, 부가한 1방향성소자를 통해서 상기 외부 접지단자수단에 접속되어 있는 분리된 2개의 독립 내부 접지점을 갖는 부가 능동구성을 포함하며, 적어도 상기 1개의 입력 및 출력단자에 있어서 부전압의 범주밖에 제2의 내부회로의 접지전위가 존재하도록 하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.13. An additional active configuration as claimed in claim 12, comprising at least two independent internal ground points integrated on a single semiconductor wire and connected to said external ground terminal means via an additional one-way element, at least A high side inductive load driving circuit for causing the ground potential of the second internal circuit to exist outside the range of the negative voltage in the one input and output terminal.
특허청구의 범위 제12항에 있어서, 소오스 플로워 구조의 MOSFET로 된 상기 파워 트랜지스터, 상기 외부전압단자수단에 직접 접속되어 있고 상기 파워 MOSFET의 상기 프레인영역을 형성하는 N형의 상기 기판, 상기 파워 MOSPET의 상기 채널영역으로서의 상기 기판 내에 형성된 P형 영역, 상기 P형 채널 영역으로 형성된 N형 소오스영역, 상기 기판내에 형성되고, 상기 파워 MOSPET에서 분리진 P형 분리영역, 상기 1방향성소자를 구성하기 위해 상기 분리영역내에 형성된 N 및 P형 영역, 상기 P형 분리영역과 상기 N헝 기판사이에 형성된 기생다이오드 및 전원과 접지원의 반전은 상기 기생다이오드를 통한 많은 전류의 흐름을 억제하며 상기 P형 분리영역내에 형성된 상기 1방향성소자만을 통해서 상기 외부 접지단자수단에 접속되어 있는 상기 P형 분리영역이 단일기판상에 집적된 회로로서 전체가 형성되는 하이사이드 유도성 부하구동회로.13. The power transistor according to claim 12, wherein the power transistor is formed of a MOSFET having a source-floor structure, the N-type substrate is directly connected to the external voltage terminal means, and forms the plane region of the power MOSFET, and the power MOSPET. To form a P-type region formed in the substrate as the channel region, an N-type source region formed in the P-type channel region, a P-type isolation region formed in the substrate and separated from the power MOSPET, and the one-directional element. N and P type regions formed in the isolation region, a parasitic diode formed between the P type separation region and the N Hung substrate, and the inversion of the power source and the ground source suppresses the flow of a large amount of current through the parasitic diode and the P type separation. The P-type isolation region, which is connected to the external ground terminal means only through the one-directional element formed in the region, is a single substrate. A high side inductive load driving circuit in which a whole is formed as an integrated circuit on a phase.
특허청구의 범위 제21항에 있어서, 상기 회로의 접지점이 상기 분리 P형 영역에 직접 접속된 하이사이드 유도성 부하구동회로.22. The high side inductive load driving circuit as claimed in claim 21, wherein the ground point of the circuit is directly connected to the separate P-type region.
특허청구의 범위 제22항에 있어서, 또 상기 P형 분리영역내에 N형 분리영역을 포함하고, 그 안에 능동회로소자를 가지며, 내부회로의 접지전위에 직접 접속된 상기 P형 분리영역과 N형 분리영역에 의해서 상기 N형 기판, p형 분리영역과 N형 분리영역 사이에 기생트랜지스터가 형성되는 것을 방지하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.23. The N-type isolation region and N-type isolation region of claim 22, further comprising an N-type isolation region in the P-type isolation region, having active circuit elements therein, and directly connected to the ground potential of the internal circuit. And a parasitic transistor formed between the N-type substrate, the p-type isolation region and the N-type isolation region by the isolation region.
유도성 부하의 고압측을 접속하기 위한 출력단자수단, ON 및 OFF의 상태로 하기 위해 제어전압 입력신호를 공급하는 입력회로수단, 외부 전원전압에 접속하기 위한 전원전압 입력단자수단, 외부 접지에 접속하기 위한 접지단자수단, 상기 전원전압 입력단자수단에 접속하기 위한 드레인과 상기 출력단자수단에 연결하기 위한 소오스 및 게이트단자를 갖는 파워 MOSFET, 상기 내부접지점에서 상기 외부 접지단자수단으로 전류가 통하도록 접속되고, 상기 접지단자수단과 내부 접지점사이에 접속된 제1의 1방향성수단, 전류가 상기 내부 접지점에서 상기 MOSFET의 소오스와 상기 외부 단자수단으로 통하도록 접속되고, 상기 내부 접지점과 상기 파워 MOSFET의 소오스사이에 접속된 제 2 의 1방향성수단, 제어단자를 가지며 상기 파워 MOSFET의 상기 게이트와 소오스를 교차접속하고, 제 1 의 제어 트랜지스터가 OFF될 때 상기 파워 MOSFET가 ON되기 위한 전압을 공급하고, 상기 제 1 의 제어 트랜지스터가 ON될 때 상기 파워 MOSFET를 OFF시키기 위해 상기 파워 MOSFET게이트의 전압을 줄이기 위해 접속된 제 1 의 제어 트랜지스터 수단, 상기 파워 MOSFET를 OFF시키고 상기 입력신호에 따라 상기 제 1 의 제어 트랜지스터가 ON되는 상기 파워 MOSFET의 상기 소오스의 상기 전압을 줄이기 위해서 상기 내부 접지청과 0N하기 위한 상기 파워 MOSFET게이트 사이에 접속된 제 2 의 제어 트랜지스터수단, 상기 파워 MOSFET가 ON될 경우, 상기 파워 MOSFET의 상기 소오스 전압 이하의 전압에 있어서 상기 제1 및 제 2 의 제어 트랜지스터수단의 각각의 상기 제어단자에 상기 입력신호를 공급하며, 상기 제1 및 제 2 의 제어 트랜지스터 수단을 ON으로 하기 위해 상기 능동 입력신호로서 높은 펄스신호를 공급하고 단위 계단램프를 갖는 상기 제 2 의 제어 트랜지스터수단을 OFF시키기 위해 상기 비능동 입력신호로서 낮은 신호를 공급하는 입력회로수단과, 상기 파워 MOSFET 게이트에 상기 펄스신호의공급을 방지하기 위해 상기 제 2 의 제어 트랜지스터의 수단과 상기 파워 MOSFET의 게이트 사이에 접속된 제 3의 1방향성수단을 포함하며, 상기 제 1 의 제어 트랜지스터 수단이 상기 제 2 의 방향성수단, 상기 제 2 의 제어 트랜지스터와 상기 제 3의 1방향성수단에 병렬로 접속되어 있는 하이사이드 유도성 부하구동회로.Output terminal means for connecting the high voltage side of the inductive load, input circuit means for supplying a control voltage input signal for turning on and off, power voltage input terminal means for connecting to an external power supply voltage, and external ground connection A power MOSFET having a ground terminal means for connection, a drain for connecting to the power supply voltage input terminal means, and a source and a gate terminal for connecting to the output terminal means, and a current passing from the internal ground point to the external ground terminal means. A first unidirectional means connected between the ground terminal means and the internal ground point, a current connected to the source of the MOSFET and the external terminal means at the internal ground point, the source of the internal MOSFET and the power MOSFET A second directional means connected between the control terminal and the gate and the source of the power MOSFET Cross-connect, supply a voltage for turning on the power MOSFET when the first control transistor is turned off, and reduce the voltage at the power MOSFET gate to turn off the power MOSFET when the first control transistor is turned on. A first control transistor means connected to the first control transistor means for turning off the power MOSFET and 0N with the internal ground wire to reduce the voltage of the source of the power MOSFET in which the first control transistor is turned on according to the input signal. Second control transistor means connected between the power MOSFET gates, each of the control terminals of the first and second control transistor means at a voltage below the source voltage of the power MOSFET when the power MOSFET is turned on; To supply the input signal to and turn on the first and second control transistor means. Input circuit means for supplying a high pulse signal as the active input signal and for supplying a low signal as the non-active input signal to turn off the second control transistor means having a unit step lamp, and the pulse to the power MOSFET gate; A third first directional means connected between the means of the second control transistor and the gate of the power MOSFET to prevent the supply of a signal, wherein the first control transistor means comprises the second directional means, And a high side inductive load driving circuit connected in parallel to said second control transistor and said third one-directional means.
특허청구의 범위 제26항에 있어서, 단일 기판위에 상기 입력회로수단을 제외하고 전체가 집적회로로 구성되는 하이사이드 유도성 부하구동회로.28. The high side inductive load driving circuit as claimed in claim 26, wherein the entire circuit is composed of integrated circuits except for the input circuit means on a single substrate.
특허청구의 범위 제27항에 있어서, 또 상기 출력단자와 상기 제 1 의 제어 트랜지스터수단의 상기 제어단자 사이의 제어 다이오드 및 상기 출력단자와 상기 유도성 부하의 턴오프가 상기 출력전압이 전지전압에 미치지 못하게 하는 데 있어서 상기 제너 다이오드의 항복전압에 의해 상기 제1 및 제 2 의 제어 트랜지스터이 파괴를 방지하기 위해 상기 제 2 의 제어 트랜지스터 수단의 상기 제어단자 사이의 제너다이오드를 포함하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.28. The method of claim 27, further comprising turning off the control diode and the output terminal and the inductive load between the output terminal and the control terminal of the first control transistor means. A high side inductive load comprising a zener diode between the control terminal of the second control transistor means to prevent the first and second control transistors from being destroyed by the breakdown voltage of the zener diode in attenuating Driving circuit.
특허청구의 범위 제28항에 있어서, 또 상기 제1의 트랜지스터의 상기 제어단자와 역으로 공급되는 전류로부터 상기 출력단자수단에 고전압을 방지하기 위한 상기 입력회로수단 사이의 다이오드수단을 포함하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.The high side according to claim 28, further comprising diode means between the input circuit means for preventing a high voltage from the current supplied back to the control terminal of the first transistor to the output terminal means. Inductive load drive circuit.
특허청구의 범위 제29항에 있어서, 또 상기 제 1 의 제어 트랜지스터가 OFF될 경우, 제어단자 전압의 드레인을 공급하기 위해 상기 제 1 의 제어 트랜지스터수단의 상기 제너다이오드에 병렬로 접속된 저항을 포함하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.30. The device of claim 29, further comprising a resistor connected in parallel to the zener diode of the first control transistor means for supplying a drain of the control terminal voltage when the first control transistor is turned off. High side inductive load driving circuit.
특허청구의 범위 제26항에 있어서, 또 상기 출력단자와 상기 제 1 의 제어 트랜지스터수단의 상기 제어단자 사이의 제어 다이오드와 상기 출력단자와 상기 유도성 부하의 턴오프가 상기 출력전압이 접지전압에 미치지 못하게 하는 데 있어서 상기 제어 다이오드의 상기 항복전압에 의해 상기 제1 및 제 2 의 제어 트랜지스터의 파괴를 방지하기 위해 상기 제 2 의 제어 트랜지스터수단의 상기 제어단자 사이의 제어 다이오드를 포함하는 하이사이드 유도성 부하구동회로.27. The method of claim 26, further comprising turning off the control diode and the output terminal and the inductive load between the output terminal and the control terminal of the first control transistor means such that the output voltage is set to ground voltage. A high side induction comprising a control diode between the control terminals of the second control transistor means to prevent breakdown of the first and second control transistors by the breakdown voltage of the control diode in an overpowering manner. Sung load drive circuit.
전압원과 부하사이에 접속되는 하이사이드 부하 구동회로에 있어서, 상기 전압원에 접속하기 위한 외부 전압단자수단, 상기 부하에 접속하기 위한 출력단자수단, 상기 전압원을 상기 유도성 부하의 고압측에 선택적으로 접속하기 위한 스위칭 입력신호에 접속되는 입력단자수단, 상기 부하의 상기 저압측을 갖는 공통접지에 접속하기 위한 외부 접지단자수단, 상기 입력단자수단의 상기 스위칭 입력신호에 따라 상기 출력단자수단에서 상기 부하의 고압측에 상기 외부전압단자수단의, 상기 전압원을 선택적으로 접속하기 위한 상기 외부접지단자수단, 상기 입력단자수단, 상기 출력단자수단과 상기 외부 전압단자수단에 접속되고 상기 출력단자수단에 접속된 스위치 출력단자, 상기 외부전압 단자수단에 접속된 스위치 입력단자 및 스위치 제어단자를 갖는 파워 스위칭장치를 포함하는 내부능동회로수단, 상기 스위칭 입력신호가 파워 스위칭장치를 제어할 수 있도록, 상기 파워 스위칭수단의 상기 출력단자를 갖는 상기 파워 스위칭장치의 상기 제어단자를 선택적으로 직접 접속하기 위한 제어전압으로서 상기 스위칭 입력신호를 공급받기 위해서 상기 입력단자구단에 접속된 제어장치, 전류가 상기 회로의 접지점에서 상기 외부접지단자수단으로 통하도록 회로의 접지점과 상기 외부 접지단자수단 사이에 접속된 반도체 1방향성장치 및 전류가 상기 회로의 접지점에서 상기 파워 스위칭장치의 출력단자로 통하도록 상기 회로의 접지점과 상기 파워 스위칭장치의 출력단자 사이에 접속된 반도체 1방향성소자를 포함하는 하이사이드 부하구동회로.A high side load driving circuit connected between a voltage source and a load, comprising: an external voltage terminal means for connecting to the voltage source, an output terminal means for connecting to the load, and selectively connecting the voltage source to a high voltage side of the inductive load An input terminal means connected to a switching input signal for supplying, an external ground terminal means for connecting to a common ground having the low voltage side of the load, and the output terminal means of the load according to the switching input signal of the input terminal means. A switch connected to the external terminal terminal means, the input terminal means, the output terminal means and the external voltage terminal means for selectively connecting the voltage source of the external voltage terminal means to the high voltage side and connected to the output terminal means. An output terminal, a switch input terminal and a switch control terminal connected to the external voltage terminal means An internal active circuit means including a power switching device having a direct connection, and selectively directly connecting said control terminal of said power switching device having said output terminal of said power switching means so that said switching input signal can control said power switching device; A control device connected to the input terminal terminal for receiving the switching input signal as a control voltage for the control voltage, and connected between the ground point of the circuit and the external ground terminal means such that a current passes from the ground point of the circuit to the external ground terminal means. A high side load driving circuit comprising a semiconductor unidirectional device and a semiconductor unidirectional device connected between the ground point of the circuit and the output terminal of the power switching device such that a current flows from the ground point of the circuit to the output terminal of the power switching device. .
특허청구의 범위 제32항에 있어서, 상기 스위칭장치가 소오스 플로워 파워 MOSFET인 하이 사이드 부하구동회로.33. The high side load driving circuit according to claim 32, wherein said switching device is a source follower power MOSFET.
특허청구의 범위 제33항에 있어서, 상기 기판이 있는 상기 파워 MOSPET의 상기 드레인과 상기 기판에 직접 접속되어 있는 상기 외부 전압단자를 단일 기관위에 집적회로로 전체가 구성된 하이사이드 부하구동회로.34. The high side load driving circuit according to claim 33, wherein the drain of the power MOSPET having the substrate and the external voltage terminal directly connected to the substrate are entirely formed on an integrated circuit on a single engine.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.