KR890004418A - 휴대용 빌트-온(built-on) 마스크를 갖는 포토레지스트 제품 - Google Patents

휴대용 빌트-온(built-on) 마스크를 갖는 포토레지스트 제품 Download PDF

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KR890004418A
KR890004418A KR1019880010586A KR880010586A KR890004418A KR 890004418 A KR890004418 A KR 890004418A KR 1019880010586 A KR1019880010586 A KR 1019880010586A KR 880010586 A KR880010586 A KR 880010586A KR 890004418 A KR890004418 A KR 890004418A
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KR
South Korea
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photosensitive layer
sufficient
resin
sulfonic acid
product
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Application number
KR1019880010586A
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Inventor
제인 산쟈
에미 살바토르
에스. 필립스 토마스
Original Assignee
켄네트 에이. 제노니
훽스트 셀라네즈 코포레이션
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

휴대용 빌트-온(built-on) 마스크를 갖는 포토레지스트 제품
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (26)

  1. 기질 ; 및 상기 기질상의 제1감광성층(제1감광성층은 상기층이 감광성으로 되어 층이 영상노출되고 현상될 때 영상분화를 제공하기에 충분한 양의 감광성 O-퀴논 디아자이드, 및 이와 혼합된, 상기층을 균일한 필름으로 결합시키기에 충분한 양의 수불용성이고 알칼리 수용액에 가용성인 1개 이상의 수지를 함유한다) ; 및 상기 제1감광성층상의 제2감광성층(제2감광성층은 수용성이고 광표백성인 디아조늄염 1및 디아조늄염에 대한 커플러, C및 디아조늄염 및 커플러는 화학방사선에 영상노출시킬때 표백된 영상분화를 제공하여 충분한 알칼리성증기와 접촉할때 영상비-노출된 영역에서 자외선 흡수 아조염료를 형성하기에 충분한 양으로 존재한다) 및 이와 혼합된, 제2감광성층을 균일한 필름으로 결합시키기에 충분한 양의, 수용성, 필름형성, 설폰산 함유 중합체성 수지를 함유한다.)으로이루어짐을 특징으로 하는 포토레지스트 제품.
  2. 제1항에 있어서, 기질이 실리콘, 알루미늄, 중합체성수지, 실리콘 디옥사이드, 도우프된(doped) 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트라이드, 탄탈, 구리, 폴리 실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물, 갈륨 아르세나이드 및 Ⅲ/Ⅴ족 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택되는 1개 이상의 성분을 함유하는 제품.
  3. 제1항에 있어서, 수지가 노보락, 폴리비닐 페놀 및 비닐 페놀 함유 공중합체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 제품.
  4. 제1항에 있어서, 다이자이드가 하이드록시 벤조페논 또는 하이드록시 알킬페논과 축합된 나프토퀴논(1,2)-디아자이드-4-또는 5-설포닐 클로라이드인 제품.
  5. 제1항에 있어서, 디아조늄염이 2,5-디에톡시-4-모르폴리노 벤젠 디아조늄 클로라이드 1/2 아연 클로라이드염인 제품.
  6. 제1항에 있어서, 제1감광성층이 착색제, 홈-형성방지제, 가소제, 접착촉진제, 속도개선제, 용매 및 계면활성제로 이루어진 그룹중에서 선택되는 1개 이상의 첨가물을 추가로 함유하는 제품.
  7. 제1항에 있어서, 커플러가 아세토아세트 파라크레시딘 설폰산 또는 염인 제품.
  8. 제1항에 있어서, 설폰산이 폴리스티렌 설폰산인 제품.
  9. 제8항에 있어서, 산성수지가 비닐 설폰산 또는 스티렌 설폰산 함유 공중합체인 제품.
  10. 제1항에 있어서, 커플러가 하기 일반식을 갖는 제품.
    상기 식에서 R₁은 알킬, 아릴, O-아릴 또는이고, R₂는 CN, 또는이며, R₃및 R₄는 H,알킬, 아릴,, 아릴 - COOH, 알킬-SO₃H 또는 아릴-SO₃H이다.
  11. 제 1항에 있어서, 제1감광성층이 노출된 제1감광성층의 부위가 노출시 가교결합될 수 있는 가교결합화합물을 추가로 함유하는 제품.
  12. 제11항에 있어서, 가교결합 화합물이 디메틸롤파라크레졸인 제품.
  13. 제1항에 있어서, 디아조늄염과 커프릴러가 커플링 되었을 때 형성된 아조염료가 스펙트럼의 자외선 영역을 흡수하도록 선택된 제품.
  14. 제1항에 있어서, 디아조늄염이 2,5-디에톡시-4-모르폴리노 벤젠 디아조늄 클로라이드 1/2 아연 클로라이드염이고, 커플러가 아세토아세트 파라크레시딘 설폰산이고; 산 수지가 폴리스티렌 설폰산인 제품.
  15. 제13항에 있어서 , 아조 염료가 313내지 436㎚범위를 흡수하는 제품.
  16. 층이 감광성으로 되어 영상노출되고 현상될 때 영상분화를 제공하기에 충분한 양의 O-퀴논 다이자이드, 이와 혼합된, 상기층을 균일한 필름으로 결합시키기에 충분한 양의 수불용성, 수성 알칼리 가용성 수지를 하나 이상 함유하는 제1감광성층으로 기질을 코팅시키고; 상기 제1감광성층상에 제2감광성층으로 코팅시킨다음 [여기에서, 제2감광성층은, 수용성, 광표백성 디아조늄염 및 디아조늄염에 대한 커플러(디아조늄염과 커플러는 화학방사선에 영상 노출시킬 때 표백된 영상분화를 제공하고, 충분한 암모니아 증기와 접촉시킬 때 영상 비노출된 영역에서 자외선 흡수 아조염료를 형성하기에 충분한 양으로 존재한다), 및 이와 혼합된, 제2감광성층을 균일한 필름으로 결합시키기에 충분한 양의, 수용성, 필름형성, 설폰산 함유 중합체성 수지를 함유한다] ; 제품을 제2감광성층의 일부를 표백시키기에 충분한 화학방사선에 영상노출시켜 표백된 부분이 화학방사선에 투과성이 되도록하고; 제품을 충분한 알칼리성 증기와 접촉시켜 영상 비노출된 부위에 자외선 흡수 아조염료를 형성시킨 다음 ; 아조염료가 방사선을 흡수하고 차단하는 파장범위의, 제1감광성층을 영상 노출시키기에 충분한 화학방사선에 처리된 제2감광성층을 통하여 제1감광성층을 전부 노풀시킨 후; 제2감광성층을 전부 제거하고; 제1감광성층을 알칼리 수용액으로 현상시킴을 특징으로 하여, 영상화된 포토레지스트 제품을 제조하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 수지가 노볼락, 폴리비닐페놀 및 비닐페놀 함유 공중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 디아자이드가 하이드록시벤조패논과 축합된 나프토퀴논-(1,2)-디아자이드-4 또는 5-설포닐 클로라이드인 방법.
  19. 제16항에 있어서, 산성수지가 비닐설폰산, 및 폴리스티렌 설폰산으로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 제1감광성층이, 노출시 제1감광성층의 노출부위가 가교결합되고, 현상시 제가티브(negative)영상이 가교결합 화합물을 함유하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 가교결합 화합물이 디메틸롤파라크레졸인 방법.
  22. 제16항에 있어서, 디아조늄염이 2,5-디에톡시-4-모르폴리노 벤젠디아조늄 클로라이드 1/2 아연 클로라이드염인 방법.
  23. 제16항에 있어서, 커플러가 아세토아세트 파라크레시딘 설폰산 또는 이의 염인 방법.
  24. 제16항에 있어서, 아조염료가 313 내지 436㎚범위를 흡수하는 방법.
  25. 제16항에 있어서, 아조염료가 약 436㎚에서 흡수피크를 갖는 방법.
  26. 제16항에 있어서, 수지가 크레졸 포름알데히드 노보락 수지인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880010586A 1987-08-20 1988-08-20 휴대용 빌트-온(built-on) 마스크를 갖는 포토레지스트 제품 KR890004418A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2682126B2 (ja) * 1989-04-10 1997-11-26 住友化学工業株式会社 フォトレジスト組成物
JPH02291559A (ja) * 1989-05-01 1990-12-03 Toyo Gosei Kogyo Kk 遠紫外光用ホトレジスト組成物
CA2041434A1 (en) * 1990-05-02 1991-11-03 Teijiro Kitao Resist composition
US5763135A (en) * 1996-09-30 1998-06-09 Clariant Finance (Bvi) Limited Light sensitive composition containing an arylhydrazo dye

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56119130A (en) * 1980-01-22 1981-09-18 Nippon Kankoushi Kogyo Kk Manufacture of easily corrigible screen printing plate
DE3584306D1 (de) * 1984-05-14 1991-11-14 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung von schutzlackbildern und zusammensetzung dafuer.

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