KR890003001A - 반도체장치 제조방법 - Google Patents

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이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 3 도는 본 발명의 방법에 따른 반도체 구조상의 보호층의 형성에 수반되는 순차적인 단계를 보이는 단면도.

Claims (20)

  1. 평면기판상의 반도체 구조물의 표면형태를 선택적으로 처리하며, 상기 형태는 구조물에 있어서, 예정 수직 레벨 이상에서 배치되는, 반도체장치 제조방법에 있어서, (1)층을 건조시키며 경화시키는 예정레벨로 상부 표면의 층을 떨어뜨리게 하는 충분한 양을 용매 확장, 이완성, 상온보존 중합합성물의 연속적인 층으로, 처리되는 형태를 포함하는 구조물의 표면을 덮는 단계와, (2) 용매-확장층이 건조되고 보존되도록 하여, 용적을 줄이며, 층의 상부층을 예정레벨로 강하시키며, 상기 층을 예정레벨 이상에 배치된 표면형태로부터 제거되게 하여, 처리하기 위해, 표면형태를 노출시키는 단계와, (3) 노출된 표면특성을 처리하는 단계와, (4) 구조물로부터 중합체층을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 중합체 조성물은 느슨하게 가교된 적은 체인형 중합체소자를 가지며, 비극성 용매를 추가함으로 팽창될수 있거나 pH가 증가되며, 용매의 손실을 경감시켜 경화된 보호층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 중합체 조성물은 단위 몰당 약 72 내지 4500그램의 평균분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 중합체 조성물은 단위 몰당 120 내지 1200그램의 평균 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 중합체 조성물은 하이드록실 및 카르복실 작용그룹을 가진 수용성 아크릴수지 조성물 및 알코올-수용 아크릴수지 조성물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 용매-확장 중합체 조성물은 중합체 조성물의 초기 용적의 약 1 내지 10배의 용적을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 용매는 물의 혼합물이며, 최소한 하나의 비극성 용매인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 비극성 용매는 전 용매의 용적에 대해 최소한 3%의 용적을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 처리되는 돌출부를 덮는 용매-확장층의 두께는 처리되는 돌출부를 둘러싸는 층 두께의 약 60%까지 되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 처리되는 돌출부를 덮는 용매 확장층의 두께는 처리되는 돌출부를 둘러싸는 층 두께의 약 25%까지 되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 용매-확장층은 건조 및 정화하는 동안에 약 5 내지 40용적 퍼센트까지 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 예정레벨은 보호되는 표면형태의 상부상에서 최소한 400옹스트롬이 되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 처리되는 표면형태는 실리콘 이산화물인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 처리되는 표면형태는 화학적 에칭으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 화학부식제는 불화수소산, 수용성 불화수소산 수용액 및 버퍼 불화수소산 수용액으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 에칭은 부식된 표면상에 최소한 하나의 재질층을 배치시킴으로 이행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 재질은 실리콘, 실리콘 이산화물 및 내화성 금속텅스텐 산염으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  19. 제14항에 있어서, 처리되는 표면형태는 불순물로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 불순물은 n타입 및 p타입이며, 다른 레벨로 도핑되어 하나 또는 복수의 PN정션을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880008927A 1987-07-20 1988-07-18 반도체장치 제조방법 KR890003001A (ko)

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