KR880700542A - 공진 감지기 및 그 제조 방법 - Google Patents

공진 감지기 및 그 제조 방법

Info

Publication number
KR880700542A
KR880700542A KR870700114A KR870700114A KR880700542A KR 880700542 A KR880700542 A KR 880700542A KR 870700114 A KR870700114 A KR 870700114A KR 870700114 A KR870700114 A KR 870700114A KR 880700542 A KR880700542 A KR 880700542A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resonant
detector element
resonant structure
piezoelectric
substrate
Prior art date
Application number
KR870700114A
Other languages
English (en)
Inventor
에버리트 오. 올슨
리차드 에이취. 모리슨
고든 더블유. 치리
존 지. 파나고우
폴 엠. 자브락키
Original Assignee
제럴드 에프. 모리스
더 폭스보로 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제럴드 에프. 모리스, 더 폭스보로 캄파니 filed Critical 제럴드 에프. 모리스
Publication of KR880700542A publication Critical patent/KR880700542A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/2468—Tuning fork resonators
    • H03H9/2473—Double-Ended Tuning Fork [DETF] resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/02259—Driving or detection means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
    • H03H2009/02488—Vibration modes
    • H03H2009/02511—Vertical, i.e. perpendicular to the substrate plane
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
    • H03H2009/02488—Vibration modes
    • H03H2009/02519—Torsional
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S73/00—Measuring and testing
    • Y10S73/04—Piezoelectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49103—Strain gauge making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

공진 감지기 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 기본 소자들을 가장 간단한 형태로 도시한, 압전 구동 지역 및 이의 전기 접촉부가 결합된 공진 리본 구조물의 간략한 단면도이다.

Claims (49)

  1. 공진구조물, 이 공진 구조물을 지지하기 위한 장치, 제 1및 제 2표면을 갖고 있는 최소한 1개의 제 1압전 물질 평판, 및 이 제 1압전 물질 평판의 여기에 의해 공진 구조물을 공진 시키기 위한 구동 장치로 구성되고, 제 1압전 물질의 제1표명이 공진 감지기소자를 진동시키기 위해 공진 감지기 소자와 접촉 되어 있는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  2. 제 1항에 있어서, 압전 물질과 전기 접촉하기 우한 장치를 포함하고, 이 전기 접촉 장치가 압전 물질의 제 2표면과 접촉되어 있는 금속층인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  3. 제 1항에 있어서, 공진 구조물의 진동을 감지하기 위해 공진 감지기 소자에 결합된 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  4. 제 3항에 있어서, 공진 소자와 접촉되어 있는 최소한 1개의 부수적인 압전 물질 평판을 포함하고, 이 최소한 1개의 부수적인 압전 물질 평판이 공진 감지기 구조물을 진동시키기에 적합한 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  5. 제 1항에 있어서, 공진 구조물이 기다란 와이어인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  6. 제 1항에 있어서, 공진 구조물이 중공 비임인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  7. 제 6항에 있어서, 공진 구조물이 캔틸레버형 중공 비임인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  8. 제 1항에 있어서, 공진 구조물이 이중 비임인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  9. 제 1항에 있어서, 공진 구조물을 지지하기 위한 장치가 1개 이상의 압축 클램프 장치로 구성된 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  10. 제 1항에 있어서, 제 1압전 물질 평판이 산화 아연 Zno 인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  11. 제 1항에 있어서, 제 1압전 물질 평판이 황화 카드뭄(Cds)인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  12. 제 1항에 있어서, 제 1압전 물질이 비화 갈름(GaAs)인 것을 특징으로하는 공진 감지기 소자.
  13. 제 1항에 있어서, 제 1압전 물질이 납 화학물인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  14. 제 1항에 있어서, 구동 장치가 광섬유 통로에 의해 도통된 방사 에너지로 구성되는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  15. 제 1항에 있어서, 제 1압전 물질 평판이 종합체 - 기본 압전 물질인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  16. 제 2항에 있어서, 공진 구조물 부분들을 전기적으로 절연시키기 위한 절연층 장치를 포함하고, 절연층이 금속 층과 공진 구조물 사이에 잇는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  17. 제 1항에 있어, 공진 구조물이 압전 평판으로 및 압전 평판으로 부터 구동 및 검출 신호를 통신하기 위한 도전성 표면 지역을 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  18. 제 1항에 있어서, 공진 구조물이 전기 절연체인 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  19. 제 4항에 있어서, 제 1및 최소한 1개의 부수적인 압전 물질 평판이 공진 구조물의 한 단부 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  20. 제 4항에 있어서, 제 1및 최소한 1개의 부수적인 압전 물질 평판이 공진 구조물의 각각의 대향 단부 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  21. 제 1항에 있어서, 구동 장치가 외부 전기 구동 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  22. 제 3항에 있어서, 진동을 감지하기 위한 장치가 전기 검출 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  23. 제 3항에 있어서, 진동을 감지하기 위한 장치가 광섬유 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  24. 제 3항에 있어서, 진동을 감지하기 위한 장치가 공진 구조물과 접촉되어 있는 표면을 갖고 있는 제 2 압전 물질 평판인 것을 특징으로 하는 감지기 소자.
  25. 제 1항에 있어서, 공진 구조물이 라미나 형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  26. 제 1항에 있어서, 공진 구조물이 격막한 것을 특징으로 하는 공진 감지기 소자.
  27. 제 1항에 있어서, 공진 구조물이 캔틸버형 고상 비임인 것을 특징으로 하는공진 감지기 소자.
  28. 기판을 준비하는 수단, 이 기판에 라미나 물질을 고정시키는 수단, 노출된 라미나 물질 표면을 소재하는 수단, 라미나 물질 표면상에 제 1저항물질을 패턴화시키는 수단, 저항 물질을 디스컴하는 수단, 공진 구조물을 형성하도록 작업편을 예칭하는 수단, 작업편에 소제하여 굽는 수단, 작업편 표면상에 압전 층을 용착시키는 수단, 압전 평판을 형성하도록 압전층을 패턴화시키어 에칭하는 수단, 작업편을 소제하여 린싱하는 수단, 작업편상에 절연층을 인가하여 패턴화시키는 수단, 작업편상에 도전성 금속층을 용착하여 패턴화시키고 에칭 하는 수단, 및 공진 구조물을 제거시키는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 라미나 공진 구조물 제조 방법.
  29. 제 28항에 있어서, 라미나 물질이 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 28항에 있어서, 기판이 유리인 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제 28항에 있어서, 형성된 공진 구조물이 리본인 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 28항에 있어서, 형성된 공진 구조물이 동조 포오크인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 32항에 있어서, 형성된 공진 구조물이 이중 동조 포오크인 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제 28항에 있어서, 형성된 공진 구조물이 캔틸레버형 비임인 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제 28항에 있어서, 압전층이 산화 아연인 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제 28항에 있어서, 압전층이 황화 카드뮴인 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제 28항에 있어서, 비등방성 식각제, 공정이 공진 구조물을 형성하도록 작업력을 예칭하는 수단에 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 기판을 준비하는 수단, 이 기판상에 금속층을 용착시키는 수단, 노출된 금속층 표면을 소제하는 수단, 금속 표면상에 제 1저항 물질을 패턴화시키는 수단, 저항 물질을 디스컴하는 수단, 공진 구조물을 형성하도록 작업편을 예칭하는 수단, 작업편을 소제하여 굽는 수단, 작업편 표면상에 압전 층을 용착시키는 수단, 압전평판을 형성하도록 압전층을 패턴화시키어 에칭하는 수단, 작업편을 소제하여 린싱하는 수단 작업편 표면상에 절연층을 인가하여 패턴화시키는 수단, 도전성 금속층을 용착하여 패턴화 시키어 애칭하는 수단, 및 공진 구조물을 제거시키는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 라미나 공진 구조물 제조 방법.
  39. 제 38항에 있어서, 라미나 물질이 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제 38항에 있어서, 기판이 유리한 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제 38항에 있어서, 형성된 공진 구조물이 리본인 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제 38항에 있어서, 형성된 공진 구조물이 동조 포오크인 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제 42항에 있어서, 형성된 공진 구조물이 이중 동조 포오크인 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제 38항에 있어서, 형성된 공진기가 캔틸레버형 비임인 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제 38항에 있어서, 압전층이 산화 아연인 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제 38항에 있어서, 압전층이 화화 카드뮴인 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제 28항의 방법에 따라 제조된 라미나 공진 구조물.
  48. 제 38항의 방법에 따라 제도된 라미나 공진 구조물.
  49. 제 1기판 지역의 전방면내의 최소한 1개의 트로프를 애칭하는 수단, 제 1기판 지역의 선택된 트로프 지역을 선정된 에칭 정지 깊이로 도우핑하는 수단, 최소한 1개의 트로프 지역의 선택된 지역에 압전 물질을 용착시키는 수단, 제 1기판 과 압전 물질 사이에 저항성 절연 전류 차단층을 용착시키는 수단, 압전 물질에 구동 및 감지신호를 통신하기위해 금속층 장치를 용착시키는 수단, 제 2기판 지역의 전방 표면내의 최소한 1개의 상보-영상 트로프를 에칭하는 수단, 제 2기판 지역의 선택된 트로프 지역을 선정된 에칭 정지 깊이로 도우핑하는 수단, 결합된 각각의 전방 기판 표면과 정밀한 정합 관계로 제1및 제2기판 지역을 정렬하는 수단, 결합된 전방 기판 표면들을 함께 접착시키는 수단, 및 나머지 기판 물질로부터 도우프된 부분을 안정시키기 위해 도우프된 기판 영역으로 부터 도우프되지 않은 기판을 충분히 에칭하여 안정한 중공형 미소 구조 켄틸레버 비임을 남기는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고증공 비임 공진 구조물 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870700114A 1985-06-11 1986-06-05 공진 감지기 및 그 제조 방법 KR880700542A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US743255 1985-06-11
US06/743,255 US4764244A (en) 1985-06-11 1985-06-11 Resonant sensor and method of making same
PCT/US1986/001249 WO1986007507A1 (en) 1985-06-11 1986-06-05 Resonant sensor and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR880700542A true KR880700542A (ko) 1988-03-15

Family

ID=24988089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR870700114A KR880700542A (ko) 1985-06-11 1986-06-05 공진 감지기 및 그 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4764244A (ko)
EP (1) EP0222012B1 (ko)
JP (1) JPS63500068A (ko)
KR (1) KR880700542A (ko)
AU (1) AU584040B2 (ko)
DK (1) DK167789B1 (ko)
FI (1) FI870542A (ko)
WO (1) WO1986007507A1 (ko)

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216490A (en) * 1988-01-13 1993-06-01 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Bridge electrodes for microelectromechanical devices
US5016072A (en) * 1988-01-13 1991-05-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Semiconductor chip gyroscopic transducer
US4906840A (en) * 1988-01-27 1990-03-06 The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University Integrated scanning tunneling microscope
GB8806214D0 (en) * 1988-03-16 1988-04-13 Avery Ltd W & T Vibrating force sensor
US4836882A (en) * 1988-09-12 1989-06-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of making an acceleration hardened resonator
US5049775A (en) * 1988-09-30 1991-09-17 Boston University Integrated micromechanical piezoelectric motor
EP0419021A3 (en) * 1989-08-30 1991-10-09 Schlumberger Industries Limited Sensors with vibrating elements
US5034608A (en) * 1989-09-08 1991-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Infrared sensor operable without cooling
US5188704A (en) * 1989-10-20 1993-02-23 International Business Machines Corporation Selective silicon nitride plasma etching
US5258868A (en) * 1990-02-02 1993-11-02 Rosemount Inc. Optical process variable transmitter
US5473945A (en) * 1990-02-14 1995-12-12 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical angular accelerometer with auxiliary linear accelerometer
US5126812A (en) * 1990-02-14 1992-06-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical accelerometer
US5966230A (en) * 1990-05-29 1999-10-12 Symbol Technologies, Inc. Integrated scanner on a common substrate
US5625483A (en) * 1990-05-29 1997-04-29 Symbol Technologies, Inc. Integrated light source and scanning element implemented on a semiconductor or electro-optical substrate
US5142912A (en) * 1990-06-15 1992-09-01 Honeywell Inc. Semiconductor pressure sensor
US5165289A (en) * 1990-07-10 1992-11-24 Johnson Service Company Resonant mechanical sensor
US5605598A (en) * 1990-10-17 1997-02-25 The Charles Stark Draper Laboratory Inc. Monolithic micromechanical vibrating beam accelerometer with trimmable resonant frequency
US5408119A (en) * 1990-10-17 1995-04-18 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromechanical vibrating string accelerometer with trimmable resonant frequency
US5162691A (en) * 1991-01-22 1992-11-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Cantilevered air-gap type thin film piezoelectric resonator
US5129983A (en) * 1991-02-25 1992-07-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of fabrication of large area micromechanical devices
US5203208A (en) * 1991-04-29 1993-04-20 The Charles Stark Draper Laboratory Symmetrical micromechanical gyroscope
US5431772A (en) * 1991-05-09 1995-07-11 International Business Machines Corporation Selective silicon nitride plasma etching process
US5331852A (en) * 1991-09-11 1994-07-26 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electromagnetic rebalanced micromechanical transducer
US5635639A (en) * 1991-09-11 1997-06-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical tuning fork angular rate sensor
US5198716A (en) * 1991-12-09 1993-03-30 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Micro-machined resonator
US5339051A (en) * 1991-12-09 1994-08-16 Sandia Corporation Micro-machined resonator oscillator
US5408877A (en) * 1992-03-16 1995-04-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical gyroscopic transducer with improved drive and sense capabilities
US5767405A (en) * 1992-04-07 1998-06-16 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb-drive micromechanical tuning fork gyroscope with piezoelectric readout
US5349855A (en) * 1992-04-07 1994-09-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Comb drive micromechanical tuning fork gyro
US5179499A (en) * 1992-04-14 1993-01-12 Cornell Research Foundation, Inc. Multi-dimensional precision micro-actuator
JPH05300765A (ja) * 1992-04-17 1993-11-12 Seiko Instr Inc 圧電モータ用振動体の製造方法
DE69304443T2 (de) * 1992-06-24 1997-04-03 Algra Holding Ag Verfahren zur Herstellung einer piezoelektrischen drucksensitiven Taste oder Tastatur und durch dieses Verfahren erhaltenes Produkt
US5364742A (en) * 1992-09-21 1994-11-15 International Business Machines Corporation Micro-miniature structures and method of fabrication thereof
US5367217A (en) * 1992-11-18 1994-11-22 Alliedsignal Inc. Four bar resonating force transducer
US5650568A (en) * 1993-02-10 1997-07-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Gimballed vibrating wheel gyroscope having strain relief features
US5728089A (en) * 1993-06-04 1998-03-17 The Regents Of The University Of California Microfabricated structure to be used in surgery
AU6953994A (en) * 1993-06-04 1995-01-03 Regents Of The University Of California, The Microfabricated acoustic source and receiver
US5511427A (en) * 1993-07-21 1996-04-30 Honeywell Inc. Cantilevered microbeam temperature sensor
US5438231A (en) * 1993-08-23 1995-08-01 Rockwell International Corporation Thin film micromechanical resonator gyro
US5456111A (en) * 1994-01-24 1995-10-10 Alliedsignal Inc. Capacitive drive vibrating beam accelerometer
US5492596A (en) * 1994-02-04 1996-02-20 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of making a micromechanical silicon-on-glass tuning fork gyroscope
US5646348A (en) * 1994-08-29 1997-07-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode and fabrication technique therefor
US5581035A (en) * 1994-08-29 1996-12-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromechanical sensor with a guard band electrode
US5725729A (en) * 1994-09-26 1998-03-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Process for micromechanical fabrication
US5528409A (en) * 1994-10-13 1996-06-18 Nt International, Inc. Fiber-optic interface system
US5610431A (en) * 1995-05-12 1997-03-11 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Covers for micromechanical sensors and other semiconductor devices
US5856722A (en) * 1996-01-02 1999-01-05 Cornell Research Foundation, Inc. Microelectromechanics-based frequency signature sensor
US5817942A (en) * 1996-02-28 1998-10-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Capacitive in-plane accelerometer
WO1998001948A1 (en) * 1996-07-03 1998-01-15 International Business Machines Corporation Mechanical signal processor comprising means for loss compensation
US5892153A (en) * 1996-11-21 1999-04-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Guard bands which control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5911156A (en) * 1997-02-24 1999-06-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Split electrode to minimize charge transients, motor amplitude mismatch errors, and sensitivity to vertical translation in tuning fork gyros and other devices
US5783973A (en) * 1997-02-24 1998-07-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Temperature insensitive silicon oscillator and precision voltage reference formed therefrom
US6111520A (en) * 1997-04-18 2000-08-29 Georgia Tech Research Corp. System and method for the wireless sensing of physical properties
US5952574A (en) * 1997-04-29 1999-09-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Trenches to reduce charging effects and to control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US6093330A (en) * 1997-06-02 2000-07-25 Cornell Research Foundation, Inc. Microfabrication process for enclosed microstructures
TW387198B (en) * 1997-09-03 2000-04-11 Hosiden Corp Audio sensor and its manufacturing method, and semiconductor electret capacitance microphone using the same
US6278379B1 (en) * 1998-04-02 2001-08-21 Georgia Tech Research Corporation System, method, and sensors for sensing physical properties
DE19821527A1 (de) * 1998-05-13 1999-12-02 Siemens Ag Schwingkreis
US6180536B1 (en) 1998-06-04 2001-01-30 Cornell Research Foundation, Inc. Suspended moving channels and channel actuators for microfluidic applications and method for making
US6410360B1 (en) * 1999-01-26 2002-06-25 Teledyne Industries, Inc. Laminate-based apparatus and method of fabrication
US6617963B1 (en) 1999-02-26 2003-09-09 Sri International Event-recording devices with identification codes
US7034660B2 (en) * 1999-02-26 2006-04-25 Sri International Sensor devices for structural health monitoring
US6806808B1 (en) 1999-02-26 2004-10-19 Sri International Wireless event-recording device with identification codes
DE19923087B4 (de) 1999-05-20 2004-02-26 Eads Deutschland Gmbh Vorrichtung zur Druck-, Schall- und Vibrationsmessung, sowie Verfahren zur Strömungsanalyse an Bauteiloberflächen
US6444138B1 (en) * 1999-06-16 2002-09-03 James E. Moon Method of fabricating microelectromechanical and microfluidic devices
US6445106B1 (en) 2000-02-18 2002-09-03 Intel Corporation Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using
EP1217735B1 (en) 2000-12-21 2007-11-14 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Time base comprising an integrated micromechanical tuning fork resonator
US6787048B2 (en) * 2001-03-05 2004-09-07 Agilent Technologies, Inc. Method for producing thin bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method
US6693020B2 (en) * 2001-03-12 2004-02-17 Motorola, Inc. Method of preparing copper metallization die for wirebonding
AU2002250325A1 (en) * 2001-03-15 2002-10-03 Molecular Reflection Method for monitoring the oscillatory characteristics of a microfabricated resonant mass sensor
FR2824636B1 (fr) * 2001-05-10 2003-09-05 Schlumberger Services Petrol Capteur de pression microelectronique a resonateur supportant des pressions elevees
JP2003004683A (ja) * 2001-06-15 2003-01-08 Denso Corp 容量式湿度センサ
JP3972790B2 (ja) * 2001-11-27 2007-09-05 松下電器産業株式会社 薄膜微小機械式共振子および薄膜微小機械式共振子ジャイロ
FR2836239B1 (fr) * 2002-02-15 2004-05-07 Centre Nat Rech Scient Amelioration des performances d'un cristal onl
US20040035206A1 (en) * 2002-03-26 2004-02-26 Ward Paul A. Microelectromechanical sensors having reduced signal bias errors and methods of manufacturing the same
US6805809B2 (en) * 2002-08-28 2004-10-19 Board Of Trustees Of University Of Illinois Decal transfer microfabrication
US20040093952A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Spencer Eisenbarth Electronic pressure transducer
AU2003295753A1 (en) * 2002-11-22 2004-06-18 Knowles Electronics, Llc An apparatus for creating acoustic energy in a balance receiver assembly and manufacturing method thereof
JP4359757B2 (ja) * 2003-09-17 2009-11-04 ソニー株式会社 情報表示装置
US7032454B2 (en) * 2004-03-05 2006-04-25 Agilent Technologies, Inc. Piezoelectric cantilever pressure sensor array
US7662545B2 (en) 2004-10-14 2010-02-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Decal transfer lithography
US7790574B2 (en) * 2004-12-20 2010-09-07 Georgia Tech Research Corporation Boron diffusion in silicon devices
US7968364B2 (en) * 2005-10-03 2011-06-28 Analog Devices, Inc. MEMS switch capping and passivation method
EP2122648B1 (en) * 2006-12-22 2012-06-27 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for driving a switch
WO2008149298A1 (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Nxp B.V. Pressure gauge
WO2009028594A1 (ja) * 2007-08-31 2009-03-05 Rohm Co., Ltd. 角速度信号検出回路及び角速度信号検出方法
WO2009041502A1 (ja) * 2007-09-25 2009-04-02 Rohm Co., Ltd. 角速度検出装置及び角速度検出装置の製造方法
US8187902B2 (en) 2008-07-09 2012-05-29 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. High performance sensors and methods for forming the same
DE102009034532A1 (de) * 2009-07-23 2011-02-03 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer strukturierten Beschichtung auf einem Substrat, beschichtetes Substrat sowie Halbzeug mit einem beschichteten Substrat
US9243998B2 (en) * 2011-07-07 2016-01-26 Honeywell International Inc. Resonant photo acoustic system
US9038269B2 (en) * 2013-04-02 2015-05-26 Xerox Corporation Printhead with nanotips for nanoscale printing and manufacturing
JP2014212410A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、電子機器、移動体、および振動子の製造方法
WO2014200460A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-18 Empire Technology Development Llc Graded structure films
WO2015041152A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 株式会社村田製作所 振動装置及びその製造方法
CN104985241B (zh) * 2015-05-16 2017-04-05 哈尔滨工业大学 一种基于压电陶瓷片逆压电效应的一维振动装置
CN112429699B (zh) * 2020-10-20 2024-04-02 北京时代民芯科技有限公司 一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3614677A (en) * 1966-04-29 1971-10-19 Ibm Electromechanical monolithic resonator
US4278492A (en) * 1980-01-21 1981-07-14 Hewlett-Packard Company Frequency trimming of surface acoustic wave devices
JPS56136017A (en) * 1980-03-28 1981-10-23 Clarion Co Ltd Elastic surface wave device and its manufacture
US4531267A (en) * 1982-03-30 1985-07-30 Honeywell Inc. Method for forming a pressure sensor
US4502932A (en) * 1983-10-13 1985-03-05 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Acoustic resonator and method of making same
JPS6112214A (ja) * 1984-06-26 1986-01-20 井関農機株式会社 横送式脱穀装置と結束部との間に設ける穀稈移送装置
US4614119A (en) * 1985-03-08 1986-09-30 The Foxboro Company Resonant hollow beam and method

Also Published As

Publication number Publication date
AU5993286A (en) 1987-01-07
DK65687A (da) 1987-04-10
DK65687D0 (da) 1987-02-10
US4764244A (en) 1988-08-16
FI870542A0 (fi) 1987-02-10
EP0222012A1 (en) 1987-05-20
EP0222012B1 (en) 1991-07-24
DK167789B1 (da) 1993-12-13
JPS63500068A (ja) 1988-01-07
AU584040B2 (en) 1989-05-11
WO1986007507A1 (en) 1986-12-18
FI870542A (fi) 1987-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880700542A (ko) 공진 감지기 및 그 제조 방법
EP0400939B1 (en) Semiconductor sensor with vibrating element
US6797631B2 (en) High sensitive micro-cantilever sensor and fabricating method thereof
US7579662B2 (en) MEMS resonator and method of enhancing an output signal current from a MEMS resonator
KR19980018478A (ko) 레이트 센서 제조 방법
KR970024315A (ko) 센서 및 센서 제조 방법(Sensor and method for manufacturing the same)
US4500940A (en) Capacitive humidity sensor and method for the manufacture of same
JP2007141835A (ja) 高周波マイクロマシンスイッチ及びその製造方法
JPS6025926B2 (ja) 水晶振動子
GB2069277A (en) Prequency trimming of surface acoustic wave devices by dry-etching
JPH1194863A (ja) カンチレバー及びその製造方法
KR970019144A (ko) 공진 주파수를 변화시킬 수 있는 유전체 공진기(dielectric resonator capable of varying resonant frequency)
JP2000156626A (ja) 圧電共振子及びその製造方法
US6265238B1 (en) Electrostatic capacitive sensor and method for manufacturing the same
JPS62200813A (ja) 圧電薄膜共振子
US3517349A (en) Miniature electromechanical filter with magnetic drive
KR100619478B1 (ko) 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자 및 그 제조 방법
KR100476313B1 (ko) 정전기력으로 구동되는 미세전자기계적 스위치 및 그의제작 방법
KR0158161B1 (ko) 가변 임계 미소 스위치 및 그 제조방법
KR20050065885A (ko) 자기유지 중앙지지대를 갖는 미세 전자기계적 스위치 및그의 제조방법
SU1140190A1 (ru) Полупроводниковый переключающий элемент
SU1040596A1 (ru) Кварцевый вибратор АТ среза
KR20240050429A (ko) 스칸듐 도핑된 질화알루미늄의 선택적 식각
US6989513B2 (en) Heat-generating element, heat-generating substrates, heat-generating substrate manufacturing method, microswitch, and flow sensor
JPH0220085A (ja) 半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application