KR880013221A - 반도체장치의 열처리방법 - Google Patents
반도체장치의 열처리방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래 가열로법을 이용했을 경우 불순물 농도에 따른 화학반응 물질의 발생밀도. 제 2 도는 램프법을 이용한 열처리장치. 제 3 도는 본 발명의 열처리방법에서 불순물농도에 따른 화학반응 물질의 발생밀도.
Claims (4)
- 반도체 소자 제조공정시 배선재료로 사용되는 알루미늄 또는 알루미늄합금의 열처리방법에 있어서, 알루미늄 또는 알루미늄합금을 실리콘 반도체기판 위에 증착시킨 후 상기 반도체 웨이퍼를 질소분위기의 석영반응관내에 삽입하고 적외선 램프로 조사하여 소정의 온도에서 소정시간동안 상기 웨이퍼를 가열함을 특징으로 하는 반도체 장치의 열처리 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반응관의 가열시간은 4-6분으로 하고 가열온도는 400-5000C 사이로 함을 특징으로 하는 반도체장치의 열처리방법.
- 반도체 소자 제조공정시 오믹접촉에 사용되는 알루미늄 또는 알루미늄합금의 열처리 방법에 있어서, 오믹접촉이 형성될 부위에 불순물 이온을 이온주입시킨 후 알루미늄 또는 알루미늄합금을 접촉부위에 증착시킨 다음, 상기 실리콘 반도체 웨이퍼를 질소분위기의 석영관내에 삽입하고 적외선램프로 조사하여 소정의 온도에서 소정시간 동안 상기 웨이퍼를 가열함을 특징으로 하는 반도체 장치의 열처리방법.
- 제 2 항에 있어서, 반응관의 가열시간은 4-6분으로 하고 가열온도는 400-5000C 사이로 하며 이온 주입하는 불순물 인, 붕소, 비소이온의 농도는 1017- 1020atom/cm3로 함을 특징으로 하는 반도체장치의 열처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870003107A KR880013221A (ko) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 반도체장치의 열처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870003107A KR880013221A (ko) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 반도체장치의 열처리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880013221A true KR880013221A (ko) | 1988-11-30 |
Family
ID=68461220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR870003107A KR880013221A (ko) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 반도체장치의 열처리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR880013221A (ko) |
-
1987
- 1987-04-02 KR KR870003107A patent/KR880013221A/ko not_active IP Right Cessation
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