KR880003415Y1 - 정 전압 제어 회로 - Google Patents
정 전압 제어 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880003415Y1 KR880003415Y1 KR2019850018199U KR850018199U KR880003415Y1 KR 880003415 Y1 KR880003415 Y1 KR 880003415Y1 KR 2019850018199 U KR2019850018199 U KR 2019850018199U KR 850018199 U KR850018199 U KR 850018199U KR 880003415 Y1 KR880003415 Y1 KR 880003415Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- resistor
- collector
- transistor
- pnp transistor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/227—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
첨부 도면은 본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
TR1, TR2 : PNP 트랜지수터 TR3 : NPN 트랜지스터
R1-R7 : 저항
본 고안은 전자제품에 공급되는 공급 전압에 있어서 PNP트랜지스터와 NPN트랜지스터를 이용하여 이들 트랜지스터의 스위칭 작용으로 입력측 전압에 관계 없이 항상 일정한 출력전압을 공급하도록 한 정 전압 제어회로에 관한 것이다.
종래에는 전자제품으로 공급되는 전압을 트랜스를 써서 조정하거나 전자 제품의 내부에 퓨우즈를 사용하여 입력 전압의 변동에 대비하도록 하였으나 외부로 부터 정격 이상의 과전압이 인가되는 경우에는 그 정격 이상의 전압이 전자 제품에 공급되므로 기기내부에 설치된 퓨우즈가 단락되면서 내부의 전자제품이나 회로를 과전압으로 부터 보호할 수 있으나 공급전압이 다시 정격 전압으로 환원되더라도 퓨우즈를 교환하여야만 전자제품을 사용할 수 있으며, 외부로 부터 정격 미만의 낮은 전압이 인가되는 경우에는 이를 조정할수 있는 장치가 마련되어 있지 않으므로 이 낮은 전압으로 인해 전자제품의 효율이나 성능이 저하 되는 등의 문제점이 있었다.
위와 같은 문제점을 보완하기 위한 본 고안은 인가되는 정(+)의 전압에 대한 부(-)의 전압을 얻도록 한 것으로 인가되는 정(+)의 전압을 두 PNP트랜지스터의 콜렉터와 베이스에 각각 인가하여 교호로 턴온, 턴오프 되는 스위칭 동작을 이용하므로서 NPN 트랜지스터의 에미터에 인가되는 부(-)의 비교 전압과 상호 연관 적용으로 항상 일정한 부(-)의 전압을 출력시키도록 한 것으로 이를 첨부 된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
정(+)의 전압 입력단자(VCC)에서 저항(R6)을 통한 후 PNP 트랜지스터(TR2)의 베이스와 연결하는 한편, 저항(R7)을 거쳐 출력단자(Vout)와 연결하고, 정(+)의 전압 입력단자(VCC)에서 저항(R1), 제너다이오드(ZD)및 저항(R2)을 거쳐 두 PNP트랜지스터(TR1), (TR2)의 에미터에 각각 연결하며, 베이스가 접지된 PNP 트랜지스터(TR1)의 콜렉터에서 저항(R4)을 통하여 NPN 트랜지스터(TR3)의 베이스에연결하고, 에미터가 부(-)의 비교 전압 입력단(-VDC)와 연결된 NPN 트랜지스터(TR3)의 콜렉터에서 PNP트랜지스터(TR2)의 콜렉터와 저항(R5)을 거쳐 연결하는 동시에 출련단자(Vout)와도 연결한 것이다.
이와같이 본 고안은 정(+)의 전압 입력단자(VCC)로 정격보다 높은 전압이 인가 될 때에는 트랜지스터(TR2)의 베이스로 높은 전압이 인가 되므로 PNP 트랜지스터(TR2)는 턴오프 되고 PNP 트랜지스터(TR1)가 턴온 되어 구동하면서 NPN 트랜지스너(TR3)의 베이스로 높은 전압이 인가 되고 턴온 되어 구동하면서 저항(R6), (R7)을 통해 흐르는 전압을 콘트롤 하는 것이다.
그리고 정(+)의 전압 입력단자(VCC)로 정격보다 낮은 전압이 인가 될 때에는PNP 트랜지스터(TR2)의 베이스로 인가되는 전압이, 정(+) 전압입력 단자(VCC)로 인가되는 정(+)전압과 부(-)의 비교 전압 입력단자(-VAC)로 인가되는 부(-)전압과의 바란스가 맞지 않으므로 그 차이 전압 값이 되어 PNP 트랜지스터(TR2)가 턴 오프되고, PNP 트랜지스터(TR1)가 턴온되어 구동하면서 NPN 트랜지스터(TR3)로 턴온시켜 구동 하므로서 그의 콜렉터 전류가 저항(R6), (R7)으로 흐르게 되므로 출력전압은 부(-)의 비교 전압과 거의 같은 전압으로 되어 출력된다.
또 정(+)의 전압 입력단자로 인가되는 전압의 절대치가 낮게 되어 부(-)의 전압 입력 단자로 인가되는 전압과 같은 전압이 인가 될 때에는 PNP 트랜지스터(TR2)의 베이스로 인가되는 전압은 정(+)의 인가 전압과 부(-)의 인가 전압의 바란스가 맞게 된 상태이므로 OV로 되어 트랜지스터(TR2)가 턴온 되어 구동하고, 그 때 PNP트랜지스터 (TR1)의 베이스에 인가되는 바이어스 전압보다 더절대치가 작은 바이어스 전압이 인가되므로 PNP 트랜지스터 (TR1)은 턴 오프 된다.
그러므로 PNP 트랜지스터(TR2)의 콜렉터에서 흐르는 전류(IC2)와 저항(R6), (R7)으로 흐르는 정(+)의 전압 입력 단자 측의 전류(IR)는 PNP트랜지스터(TR2)가 턴온 된 상태이므로 항상 일정한 전류가 흐르게 되어 NPN트랜지스터(TR3)의 콜렉터로 흐르는 전류(IC3)가 IC3=IC2+IR 로 된다.
이 NPN 트랜지스터(TR3)의 콜렉터 전류(IC3)는 PNP 트랜지스터(TR2)가 구동하기 시작한 후에는 입력 전압이 더 작아진다 하더라도 계속 일정한 전류가 흐르게 되어 항상 일정한 출력 전압을 얻을 수 있는 것이다.
이와같이 정(+)의 전압 입력단자로 공급되는 전압과 부(-)의 비교 전압 입력단자로 공급되는 전압과 부(-)의 비교전압 입력단자로 공급되는 전압이 PNP 트랜지스터(TR1), (TR2)의 교호로 스위칭하는 동작과 NPN 트랜지스터(TR3)의 구동으로 상호 작용을 하면서 출력측에 항상 일정한 전압이 흐르도록 한 것이다.
Claims (1)
- 정(+)의 전압 입력단자(VCC)에서 저항(R6)을 통하여 PNP 트랜지스터(TR2)의 베이스와 연결하는 한편 저항(R7)을 거쳐 출력단자(Vout)와 연결하고, 정(+)의 입력단자(VCC)에서 저항(R1), 제너다이오드(ZD)및 저항(R2)을 거쳐 두 PNP 트랜지스터(TR1), (TR2)의 에미터에 각각 연결하며, 베이스가 접지된 PNP 트랜지스터(TR1)의 콜렉터에서 저항(R4)을 통하여 NPN 트랜지스터(TR3)의 베이스에 연결하고, 에미터가 부(-)의 비교 전압 입력단(-VDC)와 연결된 NPN 트랜지스터(TR3)의 콜렉터에서 저항(R5)을 거쳐 PNP 트랜지스터(TR2)의 콜렉터와 연결하는 동시에 출력단자(Vout)와도 연결하여 구성한 정 전압 제어 회로.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019850018199U KR880003415Y1 (ko) | 1985-12-30 | 1985-12-30 | 정 전압 제어 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019850018199U KR880003415Y1 (ko) | 1985-12-30 | 1985-12-30 | 정 전압 제어 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR870010881U KR870010881U (ko) | 1987-07-13 |
KR880003415Y1 true KR880003415Y1 (ko) | 1988-09-29 |
Family
ID=19247753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019850018199U KR880003415Y1 (ko) | 1985-12-30 | 1985-12-30 | 정 전압 제어 회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR880003415Y1 (ko) |
-
1985
- 1985-12-30 KR KR2019850018199U patent/KR880003415Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR870010881U (ko) | 1987-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7205733B2 (en) | Self-startup circuit for DC fan | |
US3819986A (en) | Excess voltage protecting circuit | |
US4471245A (en) | FET Gating circuit with fast turn-on capacitor | |
EP0084722B1 (en) | Differential circuit | |
KR880003415Y1 (ko) | 정 전압 제어 회로 | |
US4716359A (en) | Output stage control circuit | |
KR970013619A (ko) | 단전원에서의 파워 트랜지스터 구동 회로 | |
EP0533184B1 (en) | Apparatus for controlling AC generator in vehicle | |
GB2168867A (en) | Improvements in or relating to integrated switching control circuits | |
US5552644A (en) | Proximity switches | |
US4572927A (en) | Current limiter for telephone office signalling | |
CN113300698B (zh) | 信号输出电路 | |
KR880002186Y1 (ko) | 오디오 기기에서의 전원 온,오프 제어회로 | |
KR900010907Y1 (ko) | 정전류 led구동회로 | |
KR890007652Y1 (ko) | 스위치를 이용한 전원공급회로 | |
KR890002555Y1 (ko) | 파우어 트랜지스터 구동 회로 | |
KR870000858Y1 (ko) | 햄머 구동회로 | |
KR0117401Y1 (ko) | 전원보호용 회로 | |
KR830001155Y1 (ko) | 유류 연소기의 펌프 제어회로 | |
SU1665352A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
JPH05146193A (ja) | モータの駆動回路 | |
KR910006194Y1 (ko) | 무접점의 주전원 스위칭 회로 | |
KR910005340Y1 (ko) | 수평 편향회로의 안정화 전원 공급회로 | |
KR900008267Y1 (ko) | 레이저 다이오드의 스위칭 구동회로 | |
SU565291A1 (ru) | Стабилизатор посто нного тока |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
REGI | Registration of establishment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19970829 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |