KR880003264Y1 - 급속(Quick)뮤트 회로 - Google Patents

급속(Quick)뮤트 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR880003264Y1
KR880003264Y1 KR2019850015685U KR850015685U KR880003264Y1 KR 880003264 Y1 KR880003264 Y1 KR 880003264Y1 KR 2019850015685 U KR2019850015685 U KR 2019850015685U KR 850015685 U KR850015685 U KR 850015685U KR 880003264 Y1 KR880003264 Y1 KR 880003264Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
circuit
output
mute
quick
Prior art date
Application number
KR2019850015685U
Other languages
English (en)
Other versions
KR870009058U (ko
Inventor
조현덕
Original Assignee
삼성전자 주식회사
정재은
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 정재은 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR2019850015685U priority Critical patent/KR880003264Y1/ko
Publication of KR870009058U publication Critical patent/KR870009058U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR880003264Y1 publication Critical patent/KR880003264Y1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/34Muting amplifier when no signal is present or when only weak signals are present, or caused by the presence of noise signals, e.g. squelch systems
    • H03G3/348Muting in response to a mechanical action or to power supply variations, e.g. during tuning; Click removal circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/305Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

급속(Quick)뮤트 회로
제1도는 종래 회로도.
제2도는 본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
R1-R10: 저항 Q1-Q2,Q12-Q14: 트랜지스터
C1-C2: 캐패시터 CPU : 중앙처리장치
TOCL : 음(Tone)제어회로
본 고안은 뮤팅회로에 관한 것으로, 특히 뮤팅신호 발생 즉시 이를 감지하여 뮤팅되도록 한 급속(Quick)뮤트 회로에 관한 것이다.
제1도는 종래회로도로서 제1도중 R1-R4는 저항, Q1-Q2는 트랜지스터, C1은 캐패시터, CPU은 중앙처리장치, TOCL은 음(Tone)제어회로이며 상술한 구성 중앙처리장치(이하 CPU라 칭함)의 출력단에서 뮤팅시 "로우"가 출력되어 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되면 트랜지스터(Q1)이 오프되어 트레랜지스터(Q1)의 콜렉터가 "하이"가 된다. 이때 또한 트랜지스터(Q2)가 오프되며 트랜지스터(Q2)의 베이스는 "로우"가 되어 캐패시터(C1)의 방전통로가 형성되면서 방전시간은 C1×(R4+R5)가 된다. 따라서 음(Tone) 제어회로(TOCL)입력이 0전위(Zero Voltage)로 되어 뮤트된다.
그러나 상술한 바와같이 방전시간이 길어서 뮤팅이 빨리 이루어지지 않아 종래의 불쾌음이 자주 발생되는 결점을 가져왔다.
따라서 본 고안의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위해 뮤트 동작신호가 입력되면 즉시 뮤팅되도록 한 회로를 제공하는데 있다.
본 고안의 다른 목적은 마이크로 컴퓨터의 중앙처리장치(CPU)의 출력 신호를 DC화하여 음(Tone)량을 조절할 수 있도록 함에 있다.
이하 본 고안의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안의 회로도로서, 제2도중 점선으로 도시한 부분이 본 고안의 회로이며, 여기서 R7-R10은 저항, Q12-Q14는 트랜지스터, C2는 캐패시터로 CPU에서 뮤트신호 "로우"가 출력되면 트랜지스터(Q1)이 오프되면서 트랜지스터(Q1) 콜렉터가 "하이"되어, 상술한 트랜지스터(Q2)의 에미터가 "로우"되며, 또한 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 출력이 저항(R7)를 지나 트랜지스터(Q12)의 베이스에 "하이"로 인가되어 트랜지스터(Q12)을 온(ON)시키면 트랜지스터(Q12)의 콜렉터로 "로우"가 출력되어, 저항(R8)와 캐패시터(C2)로 구성된 필터회로가에 입력된다.
여기서 DC(직류)화 되어 펄스의 충격주기(Duty cycle)에 따라 DC전압이 결정되며, 이 DC전압으로 음량(volume)을 조절한다. 즉 CPU(마이크로컴퓨터)에서 내보내는 신호의 충격주기에 따라서 음량조절범위(Range)가 결정된다. 그리고 이때 트랜지스터(Q13)의 베이스에 "로우"가 인가되어 트랜지스터(Q13)은 오프되면서 저항(R10)을 통한 전압이 즉시 트랜지스터(Q13)의 콜렉터 출력에 "하이"가 입력되어 트랜지스터(Q14)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(Q14)가 온(ON)되어 즉시 캐패시터(C1)의 방전통로가 형성되면서 방전시간은 C1×Rf(Rf=트랜지스터 Q14의 내부저항)로 결정되어 뮤팅 신호가 입력되면 즉시 0전위로 되어 뮤팅된다.
따라서 상술한 바와 같이 뮤트신호가 들어오면 이를 즉시 검출하여 트랜지스터(Q14)를 온 시키므로 음량제어기의 입력을 0전위로 하게 되어 뮤팅동작이 빨리 이루어지는 이점이 있다.

Claims (1)

  1. CPU로부터 출력되는 뮤트 신호로서 2단의 반전용 트랜지스터(Q1,Q2)를 제어하여 음 제어회로(TOCL)의 뮤트신호 인가용 콘덴서(C1)의 방전경로를 제공하도록 구성된 뮤트회로에 있어서, 상기 트랜지스터(Q1)의 출력단자에 반전용 트랜지스터(Q12)와 저역필터(R8,C2)와 반전용 트랜지스터(Q13)를 순차 연결하고, 상기 트랜지스터(Q13)의 출력신호로서 상기 콘덴서(C1)와 접지사이에 연결된 트랜지스터(Q14)를 스위칭 제어하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 급속 뮤트회로.
KR2019850015685U 1985-11-27 1985-11-27 급속(Quick)뮤트 회로 KR880003264Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019850015685U KR880003264Y1 (ko) 1985-11-27 1985-11-27 급속(Quick)뮤트 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019850015685U KR880003264Y1 (ko) 1985-11-27 1985-11-27 급속(Quick)뮤트 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870009058U KR870009058U (ko) 1987-06-15
KR880003264Y1 true KR880003264Y1 (ko) 1988-09-15

Family

ID=19246746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019850015685U KR880003264Y1 (ko) 1985-11-27 1985-11-27 급속(Quick)뮤트 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR880003264Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR870009058U (ko) 1987-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4115748A (en) MOS IC Oscillation circuit
US3828267A (en) Muting circuit
KR880003264Y1 (ko) 급속(Quick)뮤트 회로
JPH0521445B2 (ko)
US3870898A (en) Frequency-to-voltage converter
KR930004653Y1 (ko) Op 앰프의 출력 제어회로
KR890006639Y1 (ko) 음향기기의 뮤팅 회로
KR930000346Y1 (ko) Tv 스위치 턴 오프시 팝잡음 뮤트회로
KR900009976Y1 (ko) 뮤팅 회로
GB1286036A (en) Automatic signal level control for an amplifier
JPS6122345Y2 (ko)
KR840001563Y1 (ko) 일시정지 스위치를 이용한 녹음 뮤팅회로
JPS5763935A (en) Bootstrap circuit
KR890001540Y1 (ko) 주파수 합성방식 tv의 채널 선국시 뮤팅회로
JPS6221049Y2 (ko)
KR920002973Y1 (ko) 볼륨제어회로
KR890003111Y1 (ko) 피크 검출 회로
KR860000482Y1 (ko) 음성 험 방지회로
KR0176858B1 (ko) 비교기를 이용한 전자식 벨
JPS57194677A (en) Signal processing circuit of solid state image pickup device
SU480982A1 (ru) Устройство сравнени двух токов
KR960008144Y1 (ko) 정전류 회로
SU410535A1 (ko)
KR870006717A (ko) 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로
KR920004814Y1 (ko) Rf자동이득제어회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19970829

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee