KR870000146B1 - 음극선관(陰極線管)의 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

음극선관(陰極線管)의 제조방법

제1도는 음극선관을 표시하는 단면도.

제2도는 전자총을 표시한 확대 단면도.

제3도는 음극선관의 특성을 표시한 특성도.

제4도는 본 발명의 일 실시예에 의한 전자총을 표시한 단면도.

제5도는 동 실시예의 특성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2 : 전자총 구체(構體) 2R,2G,2B : 전자총

KR,KG,KB : 음극체 G1 : 제어전극체

G4 : 양극체

본 발명은 다수의 전자총을 내장한 음극선관의 제조방법에 관한 것이다.

제1도는 종래의 음극선관을 표시하는 개략적인 단면도로서, (1)은 음극선관의 외위기(外圍器), (2)는 외위기(1)의 목(neck)부분에 수납된 전자총 구체(構體)로 이 전자총구체(2)는 3개의 전자총(2R),(2G),(2B)로서 구성되어 있다. (3)은 형광면, (4)는 새도 마스크(shadow mask)이다. 각 전자총(2R),(2G),(2B)로부터 발사되는 3개의 전자 빔(beam)은 편향코일(도면에는 표시되어 있지 않음)에 의하여 편향되어 새도 마스크(4)를 통과하여 형광면(3)의 일점(1點)에 집중되면서, 주사(走査)된다.

이와같이 전자 빔을 일점에 집중시키기 위하여서는 각 전자총(2R),(2G),(2B)을 경사지게 배치시키는 동시에 목(neck)부분(1a)의 외주에 회전이 자유로운 4극 마그네트 링(magnet ring)(5)를 장착하고 이것을 보정용으로 사용하여 소위 콘버젠스(convergence)조정을 하고 있다.

제2도는 전자총을 확대하여 도시한 도면으로(KR),(KG),(KB)는 음극체, (G1)은 제어전극체, (G2)는 가속전극체, (G3)는 집속 전극체, (G4)는 새도 마스크(4)와 형광면(3)과 같은 전위의 양극체, (1a)는 유리로 된 목 부분이다.

제2도에서 전자총 구체(2)는 작동시에 음극체(KR),(KG),(KB)에 OV, 양극체에 20KV의 고전압이 인가되므로, 절연체로 되는 목부분(1a)의 벽부가 이 전압의 구배와 같은 상태로 되어 전자 빔이 목부분(1a)에 안정된 정전력(靜電力)을 받는것이 소망스럽다.

그렇지만, 음극선관의 제조시에는 예를들면 음극체의 활성화처리 때문에 정상동작 이외의 전압을 각 전자총의 전극체(電極體)에 인가하는 일이 있기 때문에 상기 구배가 불균일하게 되어, 이 불균일성이 정상적인 콘버젠스를 방해하게 되고, 결국 목 부분(1a)내를 통과하는 전자 빔의 궤도(軌道)에 영향을 주어 형광면(3)상에서의 시간의 경과에 따라 3개의 전자 빔의 일점 집중에 이동(移動)이 생기게 되는 소위 드리프트(drift)현상이 생겼었다.

이 드리프트 현상은 음극선관의 정상적인 동작을 계속하여 실시하므로서, 양극전압이 서서히 목 부분(1a)에 침투하여 정(正)의 안정한 전압구배로 되기 때문에, 일정한 치(値)로 된다. 이것은 전자빔의 목부분(1a)으로의 유인이 일정하게 되기 때문이다. 그리고 안정상태로 되면 전압구배의 불균일함이 제거되는 셈이 되기 때문에 안정된 후에는 콘버젠스에 영향을 주지 않는다.

그런데, 종래의 목 부분의 외경(外經)은 36ø 또는 29ø정도는 되었으며, 그래서 전자총의 전극과 목부분과의 사이가 충분히 떨어져 있었기 때문에 목부분에 위에서 설명한 것과 같이 전압구배의 불균일함이 발생하게 되어도 이 영향에 의한 드리프트 현상은 일어나지 않았다.

그러나, 전극의 열변형(熱變形)에 의한 드리프트현상이 발생하고 있었으며, 그 드리프트량은 형광면 상에서 10분∼20분 동안에 0.1∼0.3m/m정도이고, 제조후의 조정을 하는 10분∼20분간의 라이터 에이징(resteraging) 및 4극 마그넷트에 의한 콘버젠스 조정을 하므로써 실용상 사용할 수 있는 정도의 적은 것을 만드는 것이 가능하였었다.

그렇치만 최근에는 목 부분의 유리의 직경이 가늘게 되어가고 있으며, 종래의 외경이 36ø또는 29ø에서 22.5ø정도로 가느른 것을 채용하고 있다. 이때문에 목 부분과 전자총의 전극과의 사이가 좁아지게 되어 목부분의 외경에 관계없이 발생하는 전극의 열 변형에 의한 드리프트와 그 외에 상술한 목 부분의 전압구배의 영향을 받아서 드리프트가 발생하였다.

그러므로, 이 2가지를 합친 드리프트 량은 제3도에서 종축(縱軸)에 스타딕크 콘버젠스 드리프트(static convergence drift)량을, 횡축(橫軸)에 음극선관의 정상동작 시간을 표시한 도표의 실선 a에서 명백한 바와 같이 1.5∼2m/m정도로 되어 열변형만의 드리프트 량에 비하여 한자리 정도 더 크게 되었으며, 이것때문에 정상동작 후 안정한 상태로 되므로 1.5∼2시간이라는 긴 시간이 필요하게 되는 결점이 있었다.

본 발명은 상기의 종래의 음극선관의 목 부분의 외경을 29ø보다 작게 하였을 때에 발생하는 목부분의 전압구배의 불균일에 기인하는 드리프트 현상의 발생을 해소하기 위하여 발명된 것으로 음극체의 활성화 후에 음극체와 제어전극체를 같은 전위로, 양극을 양극전압에 상당하는 고전압에 설정하여 음극체와 양극체의 사이에 최대 에믹숀(emission)에 상당하는 전자 방출을 적어도 5초간 이상하게 함으로 목부분의 전압구배를 안정한 상태로 하여 목 부분의 전압구배의 영향에 의한 드리프트의 발생을 방지하고, 음극선관의 동작시에 항상 발생하게 되는 전극의 열 변형에 의한 드리프트만을 보정하면 되게하므로서 29ø보다 적은 목 부분의 외경을 갖는 음극선관에 있어서도 29ø이상의 목부분의 외경을 갖는 음극선관과 마찬가지로 10∼20분이라는 짧은 시간에 드리프트를 보정할 수 있는 음극선관의 제조방법을 얻는 것이 본 발명의 목적이다.

이하 본 발명의 하나의 실시예를 도면에 따라 설명한다.

제4도에 있어서, 본 발명의 특징은 음극체(K)의 활성화 처리후에 음극체(K)와 제어전극체(G1)를 같은 전위에 설명하고 가속전극체(G2)를 300∼400V에, 접속전극체(G3)을 4∼5KV에, 그리고 양극체(G4)를 20∼25KV에 설정한다. 소위 최대 에믹숀을 적어도 5초간 행하는 것에 있다. 통상의 음극체 선관의 동작에 있어서는 제어전극체가 -100V∼-150V로 설정되므로서 방사전자 빔량(量)의 제어가 행하여 지지만 본 실시예에서는 제어전극체(G1)을 부전압에 절정하여서 음극체(K)로부터의 전자 빔의 방사를 제어하는 것이 아니고, 음극체(K)와 제어전극체(G1)을 같은 전위에 설정하므로서 전자빔의 방사량을 증대시키는 최대 에믹숀처리를 적어도 5초간 이상 행하는 것이다. 본 처리에 의하여 음극체(K)로부터 3㎃에 상당하는 전자빔이 흐르기 때문에 이 전자 빔에 유인되어 양극체의 고전압이 단시간 사이에 목부분(1a)에 유도된다. 소위 샤와(schower)효과에 의하여 목부분(1a)의 전압 구배의 불균일한 것이 단시간 사이에 안정된 상태로 된다.

이 최대 에믹숀처리를 하므로서 제3도의 실선 b,c로 표시된 바와같이 실선 a의 종래의 것보다도 드리프트량이 저감되고 단 시간에 안정된 드리프트량을 얻을 수가 있다. 이 최대 에믹숀처리를 하는 시간은 제5도에서 정상동작을 1.5시간 행한후의 드리프트량을 최대 에믹숀처리를 행하는 시간과의 관계를 표시하는 실험결과에서 명백한 바와같이 적어도 5초간 이상 필요하다.

즉, 최대 에믹숀 처리를 5초간 이상 행하므로서 처음으로 목 부분의 전압구배가 균일하게 안정하게 되는 것이며, 5초간 이내이였을 때에는 그 처리에 의하여 전압구배를 불균일한 상태로 만든 상태에서 처리를 중단하게 되는 것이기 때문에 전압구배의 불균일한 것에 기인하는 드리프트의 발생을 방지하는 것이 아니라, 더하게하는 결과가 된다. 따라서 5초간 이내의 최대 에믹숀 처리로서는 본 발명의 효과는 얻어지지 않는다.

그런데, 종래의 음극선관의 제조에 있어서도 최대 에믹숀을 하고 있었지만 이것은 에믹숀 량의 검사를 목적으로 하는 것이였으며, 그 처리시간은 1∼2초인 단시간의 처리이며, 이러한 처리로서는 상술한 바와같이 전압구배의 불균일함을 이르키기 때문에 드리프트량의 개선이 되지 아니한 것이었다. 또한 상술한 종래의 음극선관의 설명은 이러한 1∼2초의 에믹숀처리를 실시한 것을 전제(前提)로 하고 있다.

또, 제4도에 표시된 바와같은 인라인(in line)형의 전자총에서는 목부분(1a)에 가까운 양측의 음극체(KR),(KB)에만 최대 에믹숀 처리를 하고 중앙의 음극체(KG)는 목부분(1a)으로부터의 정전력(靜電力)이 좌우 대칭으로 영향을 주게되기 때문에, 상기 처리를 필요로 하지 아니한다.

또, 상기 실시예에서는, 최대 에믹숀 량으로 하였지만, 이것에 상당하는 에믹숀으로 하여도 약간만 처리시간을 연장하는 것만으로 상기 실시예와 같은 효과를 얻을 수가 있다.

또, 에믹숀 처리는 각 음극체를 따로따로 하여도 좋고, 또는 모든 음극체를 동시에 실시하여도 좋다.

상술한 바와같이 본 발명에 따르면 목부분의 외경이 29ø보다도 작은 음극선관의 제조방법에 있어서 음극체의 활성화 후에 음극체와 제어전극체를 같은 전위에, 양극체를 양극전압에 상당하는 고전압으로 설정하고 음극체와 양극체와의 사이에 최대 에믹숀에 상당하는 전자방출을 적어도 5초간 이상 실시하므로서 목부분의 전압구배를 안정된 상태로 하여 목부분의 전압구배의 영향에 의하여 일어나는 드리프트의 발생을 방지하고 음극선관의 동작시에 항상 발생하는 전극의 열변형에 의한 드리프트만의 보정이라고 하는 단시간의 보정을 실시하는 것 뿐으로 빔드리프트를 안정시킬 수가 있는 음극선관의 제조방법을 제공할 수가 있다.

Claims (1)

1. 다수의 전자총을 내장한 음극선관의 제조방법에 있어서 전자총의 음극체의 활성화 처리후에 음극체와 제어전극체를 같은 전위에, 양극체를 고전압에 설정하는 것에 의하여 음극체와 양극체와의 사이에 최대 에믹숀에 상당하는 전자 방출을 적어도 5초간 이상 행하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.

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