KR850001780Y1 - 파워 트랜지스터의 구동회로 - Google Patents

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KR850001780Y1
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Abstract

내용 없음.

Description

파워 트랜지스터의 구동회로
제1도는 본 고안의 회로도.
제2도, 제3도는 본 고안의 실시예.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
PC : 포토 커플러 R1∼R6: 저항
C0: 콘덴서 D0∼D2: 다이오드
TR1∼TR3: 트랜지스터 TR4: 파워트랜지스터
Vcc : 동작전원.
본 고안은 전력용으로 사용되는 파워 트랜지스터를 구동시키기 위한 전자회로에 관한 것이다.
주로 안정화 전원회로등에 이용되는 종래의 파워 트랜지스터는 일반적으로 스위칭타임이 느리기 때문에 파워 트랜지스터의 구동시 열저항이 커지고, 회로내에 설치된 트랜지스터를 파괴시키는 경우가 종종 발생하는 등의 단점이 있었다.
본 고안은 상기한 단점들을 개선한 것으로써, 파워트랜지스터의 스위칭타임을 빠르게 하기 위해서 파워트랜지스터의 베이스에 서로 교대로 동작하는 트랜지스터를 설치하고 파워 트랜지스터의 턴-오프(turn-off)시 파워트랜지스터의 베이스에 역전류를 흐르게하므로써 트랜지스터간의 단락을 방지하고 트랜지스터와 내부회로를 보호하며 회로의 안정도를 높여주는 파워 트랜지스터의 구동회로를 제공함에 고안의 목적이 있다.
이하 본 고안의 구성 및 작용, 효과를 예시도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안은 전원(Vcc1)에 연결된 포토 커플러(PC)의 컬렉터는 저항(R1)을 통해 트랜지스터(TR1)의 베이스에 연결하고, 전원( Vcc1)은 저항(R2)과 다이오드(D1)를 통해 트랜지스터(TR2)의 베이스에 연결하며, 또한 저항(R2)은 다이오드(D2)를 통해 트랜지스터(TR3)의 컬렉터에 연결하되 다이오드(D2)의 일측은 저항(R3)을 통해 트랜지스터(TR1)의 베이스에 연결하고, 포토 커플러(PC)의 에미터는 저항(R4)을 통해 트랜지스터(TR3)의 베이스에 연결하되 일측이 트랜지스터(TR3)의 베이스에 연결된 저항(R5)의 타측을 트랜지스터(TR2)의 에미터에 연결하며, 트랜지스터(TR3)의 에미터에는 콘덴서(C0)와 다이오드(D0)를 연결해서 그 일측을 트랜지스터(TR4)의 에미터에 연결하고, 트랜지스터(TR2)의 컬렉터는 일측이 트랜지스터(TR1)의 컬렉터에 연결된 저항(R6)과 트랜지스터(TR4)의 베이스에 각각 연결시킨 구조로 되어있다.
미설명부호 Cnt는 제어부, S1∼S3, S1'∼S'3는 각 구동회로의 입력단, M은 부하를 나타낸다.
제1도는 본 고안의 회로도를 나타낸 것으로써, 제어부(Cnt)에서 포토 커플러(PC)의 포토 다이오드로 하이레벨의 신호를 입력시키면 포토 트랜지스터가 턴-온(turn-on)됨에 따라 트랜지스터(TR3)의 베이스에는 저항(R4)(R5)에 의해서 동작전원(Vcc1)이 바이어스전압으로 인가되기 때문에 트랜지스터(TR3)는 턴-온 된다. 따라서 저항(R2)을 통과하는 전류는 주로 다이오드(D2)와 트랜지스터(TR3)로 흐르고 다이오드(D1)쪽으로는 미약한 전류만 흘러서 트랜지스터(TR2)는 턴-오프(turn-off) 상태에 놓여있게 된다. 또한, 트랜지스터(TR3)가 턴-온된 상태에 있으므로 저항(R1)(R3)과 트랜지스터(TR2)로 이어지는 회로가 구성되나 저항(R1) 값은 저항(R3)값보다 훨씬 크게 설정되어 있기 때문에 트랜지스터(TR1)의 베이스에는 로우레벨의 전압이 인가되어서 트랜지스터(TR1)는 턴-온된다. 그러면, 트랜지스터(TR1)의 에미터와 컬렉터 및 저항(R6)을 통해서 파워 트랜지스터(TR4)의 베이스로 전류가 흘러서 파워 트랜지스터(TR4)를 턴-온시킨다. 따라서 내부회로에는 파워 트랜지스터(TR4)를 통해서 전력이 공급된다.
그러나, 포토 커플러(PC)의 발광부인 포토 다이오드에 로우레벨의 신호가 인가되면 포토 트랜지스터가 동작을 하지 않으므로, 트랜지스터(TR3)의 베이스로 전류가 공급되지 못해서 트랜지스터(TR3)는 턴-오프된다.
그리하여 저항(R2)을 통해 흐르던 전류는 다이오드(D2)쪽으로 흐르지 않고 다이오드(D1)로 흐르며 이 전류는 트랜지스터(TR2)의 베이스 전류로 공급되어 트랜지스터(TR2)가 턴-온 되기 때문에 트랜지스터(TR2)의 컬렉터전위는 제로레벨에 가깝게 된다. 또한 트랜지스터(TR3)가 턴-오프된 상태이므로 저항(R1)으로 흐르는 하이레벨의 전류는 트랜지스터(TR1)의 베이스로 흘러서 트랜지스터(TR1)를 턴-오프시킨다.
따라서, 파워 트랜지스터(TR4)의 베이스전위는 제로레벨에 가까운 트랜지스터(TR2)의 컬렉터전위와 같게 되어서 파워 트랜지스터(TR4)는 턴-오프된다.
위와 같이 트랜지스터(TR1)와 트랜지스터(TR2)는 서로 상보관계에 놓여 있으므로 파워트랜지스터(TR4)의 스위칭타임을 단축시키게 되고, 다이오드(D0)와 콘덴서(C0)는 파워 트랜지스터(TR4)의 베이스와 에미터사이에 역바이어스전위를 형성하므로 파워 트랜지스터(TR4)가 턴-오프되었을때 파워 트랜지스터(TR4)의 베이스에 충분한 역전류를 공급하게 되어서 파워 트랜지스터(TR4)의 스위칭손실을 절감시키게 된다.
제2도는 본 고안에 따른 일실시예로써 3상 파워 트랜지스터 인버터를 나타낸다.
제3도는 제2도의 3상 파워 트랜지스터 인버터를 동작시키기 위한 베이스 구동회로를 나타내는데 이는 제1도의 구동회로를 6개 사용한 것이다.
제어부(Cnt)에서는 제3도에 도시한 구동회로의 각 입력단(S1)(S2)(S3)에 위상이 120°씩 늦는 신호를 각각 입력시키고, 또한 입력단(S1)과 입력단(S'1), 입력단(S'2)과 입력단(S'2), 입려단(S'3)과 입력단(S'3)에는 180°의 위상차를 갖는 신호가 각각 입력된다.
그러면, 각각의 구동회로는 전술한 바와 같은 동작을 하여서 각각의 트랜지스터(Q1)(Q2)(Q3)는 120°의 위상차이를 두고 교대로 턴-온되는데 이에 따라 부하(M)에는 120°의 위상 차이를 갖는 교류가 공급되는 것이다.
상기한 바와 같이 본 고안은 파워 트랜지스터의 턴-오프타임을 빠르게 하므로써 트랜지스터간의 단락을 방지하여 트랜지스터가 파괴되는 것을 방지하고, 트랜지스터의 스위칭손실을 줄일 수 있으며, 또한 내부회로가 보호됨으로 인해서 안정도가 증가되는 장점이 있다.

Claims (1)

  1. 전원(Vcc)에 연결된 포포 커플러(PC)의 컬렉터는 저항(R1)을 통해 트랜지스터(TR1)의 베이스에 연결하고, 전원(Vcc1)은 저항(R2)과 다이오드(D1)를 통해 트랜지스터(TR2)의 베이스에 연결하며, 또한 저항(R2)은 다이오드(D2)를 통해 트랜지스터(TR3)의 컬렉터에 연결하되 다이오드(D2)의 일측은 저항(R3)을 통해 트랜지스터(TR1)의 베이스에 연결하고, 포토 커플러(PC)의 에미터는 저항(R4)을 통해 트랜지스터(TR3)의 베이스에 연결하되 일측이 트랜지스터(TR3)의 베이스에 연결된 저항(R5)의 타측을 트랜지스터(TR2)(TR3)의 에미터에 연결하며, 트랜지스터(TR2)의 에미터에는 콘덴서(C0)와 다이오드(D0)를 연결해서 그 일측을 트랜지스터(TR4)의 에미터에 연결하고, 트랜지스터(TR2)의 컬렉터는 일측이 트랜지스터(TR1)의 컬렉터에 연결된 저항(R6)과 트랜지스터(TR4)의 베이스에 각각연결시켜서 된 파워 트랜지스터의 구동회로.
KR2019830009932U 1983-11-24 1983-11-24 파워 트랜지스터의 구동회로 KR850001780Y1 (ko)

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