KR840002469B1 - Power circuit - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 원형적인 쵸퍼형 전원회로도.1 is a circular chopper-type power circuit diagram.
제2도는 종래의 쵸퍼형 전원회로도.2 is a conventional chopper-type power supply circuit diagram.
제3도는 본 발명의 회로도.3 is a circuit diagram of the present invention.
제4도는 본 발명의 파형도.4 is a waveform diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 브릿지 정류회로부 2 : 스윗칭 회로부1: bridge rectification circuit part 2: switching circuit part
3 : 쵸퍼 트랜스 회로부 4 : 양파배압 정류부3: chopper transformer circuit part 4: onion back pressure rectifier
5 : 오차검출 및 제어회로부5: Error detection and control circuit
DI : 플라이 휠 다이오드(Fly wheel diode)DI: Fly Wheel Diode
e, f : 트리거펄스 입력단자e, f: Trigger pulse input terminal
본 발명은 텔레비젼 수상기등의 전자기기에 적용키 위한 전원 회로에 관한 것으로서 특히 상용교류전압 80V 이상 270V 이하의 광범위한 입력에 대응하여 일정한 직류출력전압을 자동으로 조절하여 얻을 수 있도록 된 쵸퍼형 자동변환 전원회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
제1도는 종래의 쵸퍼회로중 SMPS(Switching Mode Power Supply)회로의 기본이 되는 원형적(原形的)인 쵸퍼(Chopper)회로를 나타낸 것으로 이는 주(主)스윗칭 트랜지스터(TR1)를 제어하기가 용이하지 않으며 여진(勵振)을 하기 위한 별도의 발진회로 및 여진용트랜스포머를 필요로 하기 때문에 회로구성이 복잡하여질 뿐만 아니라 제조원가도 비교적 높아지는 결점을 가지고 있다.FIG. 1 shows a circular chopper circuit that is the basis of a switching mode power supply (SMPS) circuit among conventional chopper circuits, and it is difficult to control the main switching transistor TR1. Since it is not easy and requires a separate oscillation circuit and an aftershock transformer for excitation, the circuit configuration is complicated and the manufacturing cost is relatively high.
제2도는 종래 실제로 사용되어 오던 회로의 일례를 나타낸 것으로 주스윗칭 트랜지스터(TR1)를 여진하기 위한 여진 트랜스포머가 없는 대신 스윗칭용 권선(L1)에 별도권선(L3)을 유도 결합시켜서 트랜지스터(TR1)의 자려발진 회로를 구성하고 있다, 또한 트랜지스터(TR1)를 용이하게 제어하기 위하여 별도권선(L2)을 권선(L1)에 유도결합시켜서 트랜지스터(TR1)의 스윗칭 오프(Switching off)시 권선(L1)에 발생한 축적에너지를 권선(L2)에 유기되도록 하여 플라이 휠 다이오드(D1)을 통해 출력축으로 전섬하게 되어있는 점이 제1도의 회로와 다른점이다.FIG. 2 shows an example of a circuit that has been actually used in the prior art. Instead of the excitation transformer for exciting the juice switching transistor TR1, the transistor L1 is inductively coupled to the winding L1 by a separate winding L3. In order to easily control the transistor TR1, a separate winding L2 is inductively coupled to the winding L1 so that the winding L1 is switched off when the transistor TR1 is switched off. The difference between the circuit of FIG. 1 and FIG. 1 is that the accumulated energy generated in the above is induced in the winding L2 and transferred to the output shaft through the flywheel diode D1.
그러나 제2도의 회로와 같은 스윗칭 방식에 있어서는 권선(L1)에 발생한 축적에너지를 권선(L2)에 유기시킨 후 출력축으로 전송하도록 되어있기 때문에 스윗칭 트랜스포머(L1)의 변성(變性)효율이 매우 좋지 않으면 안된다는 까다로운 조건이 수반된다. 또한 이의 변 성효율을 좋게하기 위해서 권선(L1)과 권선(L2)간의 결합도는 고도의 밀결합이 되어야 하기 때문에 트랜스포머(T1)의 제작과 제조원가상에 큰 난점을 가지고 있다.However, in the switching method such as the circuit of FIG. 2, since the accumulated energy generated in the winding L1 is induced in the winding L2 and transmitted to the output shaft, the conversion efficiency of the switching transformer L1 is very high. It is accompanied by a tricky condition that it must be done. In addition, the coupling degree between the winding (L1) and the winding (L2) has to be a high tight coupling in order to improve its transformation efficiency, which has a great difficulty in manufacturing and manufacturing the transformer (T1).
또한 상술한 결합도가 아무리 좋도록 설계된다 하더라도 100%의 결합도는 불가능하며 자연히 변성 손실이 수반되므로 전원회로 전체의 효율이 비교적 낮아지게 되거니와 결합도가 완전치 못할 경우에는 트랜지스터(TR1)의 스윗칭 오프(OFF)시 순시적인 임펄스가 콜렉터에 가해지게되므로 트랜지스터(TR1)의 콜랙에미터간의 내전압이 비교적 여유 있도록 큰 값으로 설정하지 않으면 파괴될 위험도가 커지게 된다.In addition, no matter how good the coupling degree is, the coupling degree of 100% is impossible and the loss of efficiency of the entire power supply circuit is relatively low due to the denaturation loss. Since the instantaneous impulse is applied to the collector when switching off, the risk of breakage increases unless the breakdown voltage between the collim emitters of the transistor TR1 is set to a large value.
본 발명은 상기한 종래의 쵸퍼형 전원변환회로가 가지는 제결점을 제거한 것으로 별도의 자려발진회로나 여진용 트랜스포머 대신 쵸크겸용 트랜스포머(T11)를 사용하고 스윗칭 트랜스포머(T1)의 설치를 배제하며 전체적인 변환효율을 향상시키고 기기를 소형경량화하는 동시에 제조원가를 절감시키도록 함에 발명의 목적이 있다.The present invention eliminates the drawbacks of the conventional chopper-type power conversion circuit as described above. Instead of a separate self-oscillating circuit or an aftershock transformer, a choke-type transformer (T11) is used and the installation of the switching transformer (T1) is eliminated. It is an object of the invention to improve the conversion efficiency and to reduce the manufacturing cost while miniaturizing the device.
이하 본 발명의 구성 및 작용효과를 예시도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 통상의 브릿지 정류회로부(1)에 스윗칭 트랜지스터(TR11)로 구동되는 스윗칭 회로부(2)를 연결하고 쵸퍼트랜스 회로부(3)와 유도 결합된 양파배압 정류부(4)의 출력단을 스위칭 트랜지스터(TR11)의 베이스에 연결하며 쵸퍼트랜스 회로부(3)의 일단에 연결된 오차검출 및 제어회로부(5)의 출력단과 트리거펄스 입력단자(e)를 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스에 연결한 구조로 되어 있다.The present invention connects the
미설명부호 D11은 플라이 휠 다이오드(Fly wheel diode), a, b는 교류입력단자, g, h는 직류 정전압 출력단자를 나타낸다.Reference numeral D11 denotes a flywheel diode, a and b denote AC input terminals, and g and h denote DC constant voltage output terminals.
제3도는 상기한 구조로 되어 있는 본 발명의 구체적인 회로도를 나타낸 것으로 교류입력단자(a)(b)간에 80V 내지 270V 범위의 임의의 상용교류 전압이 입력되면 이 교류전압은 스윗치(SW) 및 휴즈를 통해 통상의 브릿지 정류회로부(1)에 가해지게 되어 평활콘덴서(C11)에는 직류전압이 충전된다. 이 전압은 전원주파수에 의한 맥동 성분을 포함하고 있는 직류전압으로써 교류입력이 80V에서 270V정도까지 변동함에 따라 대략 100V 내지 360V범위에서 변동을 하게 되는데, 어떤 특정주파수(텔레비젼에 적용할 경우는 대략 15.75KHz 또는 15.625KHz)로 스윗칭 회로부(2)의 스윗칭 트랜지스터(TR11)를 펄스폭변조(pulse width modulation)방식에 의해 스윗칭시켜 주므로써 맥동 전압은 출력전압 평활 콘덴서(C13)양단인 출력단자(g)(h)간에 일정전압의 직류출력 전압으로 변환된다.FIG. 3 shows a specific circuit diagram of the present invention having the above-described structure. When an arbitrary commercial AC voltage in the range of 80 V to 270 V is input between the AC input terminals (a) and (b), the AC voltage is converted into a switch (SW) and a fuse. It is applied to the normal bridge
여기에서 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 스윗칭 동작은 다음과 같이 실시된다. 즉, 평활콘덴서(C11)에 충전된 전압에 의하여 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스에는 기동(起動) 저항(R11)을 통하여 베이스 전류(IBO)가 최초로 흐르게 된다. 이에 따라 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 증폭전류가 권선(L11)에 흐르게 되는데 트랜지스터(TR11)의 콜렉터 전류(IC)는 지수적(指數的)으로 증가하게 된다. 이때의 권선(L11)의 양단전압을 ep라고 하면,Here, the switching operation of the switching transistor TR11 is performed as follows. That is, the base current IBO first flows to the base of the switching transistor TR11 through the starting resistor R11 due to the voltage charged in the smoothing capacitor C11. As a result, an amplifying current of the switching transistor TR11 flows in the winding L11, and the collector current IC of the transistor TR11 increases exponentially. If the voltage at both ends of the winding (L11) at this time, ep,
가 된다. Becomes
단, Lp는 권선(L11)의 인덕턴스, I D 는 권선(L11)을 통하여 다이오드(D11)로 흐르는 전류를 표시한다.However, Lp denotes an inductance of the winding L11, and I D denotes a current flowing to the diode D11 through the winding L11.
이와 동시에 트랜스포머(T11)의 2차측 권선(L13)의 양단에는 2차와 1차의 권선비(n2/n1)에 비례한 전압이 발생되는데 이 전압을 es라고 하면,At the same time, a voltage is generated at both ends of the secondary winding L13 of the transformer T11 in proportion to the secondary and primary winding ratios n2 / n1.
가 된다. Becomes
단,는 권선비, Lp는 권선(L11)의 인덕턴스, IC는 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 콜렉터전류, I D 는 다이오드(D11)로 흐르는 전류를 표시한다.only, Is the winding ratio, Lp is the inductance of the winding L11, IC is the collector current of the switching transistor TR11, and I D is the current flowing through the diode D11.
이전압(es)은 양파배압 정류부(4)의 다이오드(D14) 및 콘덴서(C12)에 의하여 양파배압정류로 부우스트(Boost)된 뒤 저항(R13)과 콘덴서(C14)의 직련회로와 병렬접속 되어 있는 저항(R12)을 통하여 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스전류(IB)를 증가시켜준다. 여기에서 트랜지스터(TR11)의 베이스 전류(IB)는,This voltage es is boosted by onion back pressure rectification by the diode D14 and the capacitor C12 of the onion
가 된다. Becomes
단, es논 권선(L13)의 양단 전압을 나타낸다.However, the voltage at both ends of the es non winding L13 is shown.
따라서 베이스전류(IB)는 거의 일정한 값이 되어 제4도의 (4)와 같은 파형의 전류가 흐른다. 이때 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스전류가 최초 IBO에서 IB의 일정치까지 상승하는 것은 트랜스포머(T11)를 통한 정궤환에 의해서 이루어지기 때문에 자려발진 현상이 되며 따라서 트랜지스터(TR11)의 베이스에 흐르는 전류는 순간적으로 상승하게 된다. 이때 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 콜렉터와 에미터간의 전압(VCE)은 거의 0으로 된다. 여기에서 저항(R13(과 콘덴서(C14)의 직렬회로는 베이스전류(IB)의 상승 또는 하강속도를 빠르게 해주는 동작을 하고 있다. 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 직류전류 증폭율을 h FE 라고 할 경우 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 콜렉터전류(IC)의 최대치는Therefore, the base current IB becomes a substantially constant value, so that a current having a waveform as shown in (4) of FIG. 4 flows. At this time, the base current of the switching transistor TR11 rises from the first IBO to a constant value of IB because it is caused by the positive feedback through the transformer T11, and thus the current flowing through the base of the transistor TR11. Will rise momentarily. At this time, the voltage VCE between the collector and the emitter of the switching transistor TR11 becomes almost zero. Here, the series circuit of the resistor R13 (and the capacitor C14) operates to increase or decrease the speed of the base current IB. When the DC current amplification ratio of the switching transistor TR11 is h FE The maximum value of the collector current IC of the switching transistor TR11 is
IC=h FE ·IB가 되며 그 이상으로는 흐르지 않는다. 왜냐하면 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스 전류(IB)는 전술한 바대로 일정한 값으로 상승하여 유지되고 있기 때문이다. 이리하여 IC=h FE ·IB에서 전류 IC의 증가가 더 이상 없을 경우 1차권선(L11)의 전류 변화율은 0으로 되고, 따라서 2차권선(L13)의 양단 유기전압도 0으로 된다. 이에 따라 베이스전류(IB)는 급격히 감소되고 콜렉터전류(IC)도 급격히 감소되어 결국 전류변화율은 부(負)가 되기에 이르며, 2차권선(L13)에 발생하는 전압도 부(負)로 되어 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스에 역바이어스가 가해져서 스윗칭 트랜지스터(TR11)를 컷오프(Cut OFF)시킨다. 이때 콜렉터 전류(IC)는 순간적으로 0으로 떨어지게 된다.IC = h FE · IB and no more flow. This is because the base current IB of the switching transistor TR11 is maintained at a constant value as described above. Thus, if there is no increase in the current IC at IC = h FE · IB, the current change rate of the primary winding (L11) Becomes 0, and therefore, the induced voltage across the secondary winding L13 also becomes zero. Accordingly, the base current IB is drastically reduced and the collector current IC is also drastically reduced, resulting in a current change rate. Becomes negative, and the voltage generated in the secondary winding L13 is also negative, and a reverse bias is applied to the base of the switching transistor TR11 to cut off the switching transistor TR11. Cut OFF). At this time, the collector current IC instantaneously falls to zero.
스윗칭 트랜지스터(TR11)의 컷오프(Cut OFF)상태에 의해권선(L11)에 축적된 에너지(E)는,The energy E accumulated in the winding L11 by the cut-off state of the switching transistor TR11 is
이 된다. Becomes
단, Lp는 권선(L11)의 인덕턴스, IC는 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 콜렉터전류를 나타낸다.Where Lp is the inductance of the winding L11, and IC is the collector current of the switching transistor TR11.
이 에너지(E)는 플라이 휠 다이오드(Fly wheel diode)(D11)에 전류를 흐르게 하여 부하(Load)쪽으로 방출된다. 다이오드(D11)에 전류(I D )가 흐를때 (t1)~ 시간(t3)의 기간동안에는 권선(L13)에는 역방향의 유기전압이 발생되므로 스윗칭 트랜지스터(TR11)는 컷 오프(Cut OFF)상태가 된다. 에너지 방출이 끝난 시점인 시간(t3) 이후에는 다시 기동저항(R11)에 의하여 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 초기 베이스 전류(IBO)가 흐르고 앞에서 설명한 자려발진(自勵發振)을 재차 시작하여 같은 동작을 반복하게 된다.This energy E is caused to flow through the flywheel diode D11 to be discharged toward the load. When the current I D flows through the diode D11, the reverse voltage is generated in the winding L13 during the period of (t1) to the time t3, so that the switching transistor TR11 is cut off. Becomes After the time t3 at which the energy is released, the initial base current IBO of the switching transistor TR11 flows again by the starting resistor R11, and the self-oscillation described above is started again. The operation will be repeated.
이상의 설명은 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스에 트리거(Trigger)펄스 입력이 없는 자유발진 상태하에서의 동작상태를 나타내었으나 제4도의 (7)과 같은 트리거펄스 전압을 트리거 펄스 입력단자(e)(f)와의 사이에 공급했을 때에는 저항(R19)과 다이오드(D13)를 통해 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 베이스를 트리거하게 되므로 일정 주파수로서 동기발진이 가능하게 되고, 이때 정상 동작시이트랜스포머(T11)의 1처권선(L11)에 흐르는 전류(I C + I D )는 제4도의 (8)과 같이 된다.Although the above description shows the operating state under the free oscillation state without the trigger pulse input at the base of the switching transistor TR11, the trigger pulse input terminal (e) (f) as shown in FIG. When the power supply is supplied between the transistors R1 and D13, the base of the switching transistor TR11 is triggered through the resistor R19 and the diode D13, so that synchronous oscillation is possible at a constant frequency. The current I C + I D flowing through the winding line L11 becomes as shown in FIG. 8 (8).
따라서 자유발진 주파수는 외부동기를 하기 위한 트리거 페스의 주기보다 길도록 설정되어 진다.Therefore, the free oscillation frequency is set to be longer than the period of the trigger pass for external synchronization.
여기에 사용하는 트리거 펄스는 FBT(Fly Bac Transformer)의 2차측에 절연된 권선을 감아서 얻어낼 수가 있다.The trigger pulse used here can be obtained by winding an insulated winding on the secondary side of an FBT (Fly Bac Transformer).
상술한 바와같이 스윗칭 트랜지스터(TR11)가 스위칭 동작을 함으로써 콜렉터 전류(IC) 및 다이오드(D11)의 전류(ID)에 의하여 출력 평활콘덴서(C13)는 충전되며 직류 전압을 부하(Load)측 출력단자(g)(h)간에 공급할 수 있게 되는 것이다. 그러나 이때 교류입력단자(a)(b)간의 교류 입력전압이 변동하든가, 또는 출력단자(g)(h)간에 접속되는 부하측의 부하조건이 변동하였을때는 직류 출력전압은 일정전압을 유지하지 못하고 변동하게 된다. 이러한 출력직류전압을 일정하게 유지하기 위한 회로부분이 제너다이오드(D12), 저항(R14)(R15)(R16)(R17)(R18), 트랜지스터(TR12)(TR13)로 구성되는 오차검출 및 제어회로(5)인 것이다.As described above, when the switching transistor TR11 performs a switching operation, the output smoothing capacitor C13 is charged by the collector current IC and the current ID of the diode D11, and the DC voltage is output to the load side. It is possible to supply between the terminals g and h. At this time, however, when the AC input voltage between the AC input terminals (a) and (b) changes or the load condition on the load side connected between the output terminals (g) and (h) changes, the DC output voltage does not maintain a constant voltage. Done. The circuit portion for maintaining the constant output DC voltage consists of a zener diode D12, resistors R14, R15, R16, R17, R18, and transistors TR12,
예를들어 출력단자(g)(h)간의 출력전압이 상승하였다고 하면, 트랜지스터(TR13)의 베이스-에미터간의 전위차가 증가하여 베이스 전류가 흐르게 되고, 이에 따라 제너다이오드(D12)를 통하여 트랜지스터(TR13에는 콜렉터 전류가 흐르게 되며 이는 저항(R18)을 통하여 트랜지스터(TR12)의 베이스 전류가 된다. 따라서 트랜지스터(TR12)는 스윗칭트랜지스터(TR11)의베이스 전류(IB)를 선트(shunt)하게 되므로 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 콜렉터전류(IC)의 흐름을 중지된다. 또한, 다이오드(D11)의 전류(ID)의 흐름도 중지되며 결과적으로 출력단자(g)(h)간의 출력직류 전압은 낮아지게 된다. 만일 출력전압이 규정치 이하로 하강하게 되면 전술한 설명과 반대 동작이 실시되어 출력전압은 상승한다. 저항(R14)은 제너다이오드(D12)의 기본전류 션트용 저항으로써 제너다이오드(D12)의 양단전압을 일정하게 유지시켜 주는 역할을 한다.For example, when the output voltage between the output terminals g and h rises, the potential difference between the base and the emitter of the transistor TR13 increases, so that the base current flows. Accordingly, the transistor (through Zener diode D12) causes the transistor ( The collector current flows through TR13, which becomes the base current of the transistor TR12 through the resistor R18. Therefore, the transistor TR12 shunts the base current IB of the switching transistor TR11. The flow of the collector current IC of the transistor TR11 is stopped, and the flow of the current ID of the diode D11 is stopped, and as a result, the output DC voltage between the output terminals g and h is lowered. If the output voltage falls below the specified value, the operation opposite to the above description is performed, and the output voltage rises, and the resistor R14 is a resistor for the basic current shunt of the zener diode D12 and the zener diode D12. It serves to maintain a constant voltage across the.
이상과 같이 본 발명은 주기(t0~t2)가 일정한 외부동기 펄스에 의해서 스윗칭 동작을 실시하므로 교류입력 단자(a)(b)간의 교류입력 전압이 낮을 때에는 전류변화을이 작아지므로 기간(t0~t1)이 길어 지게 되고, 교류 입력전압이 높아지면 전류변화율이 커지게 되므로 기간(t0~t1)을 짧아지게 된다. 즉, 입력교류전압의 고저(高低)와 출력측의 부하 변동에 따라서 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 스윗칭 동작의 듀리 사이클(Duty cycle)이 변동하게 된다.As described above, according to the present invention, the switching operation is performed by external synchronization pulses having a constant period t0 to t2. Since the period becomes small, the period (t0 to t1) becomes long, and when the AC input voltage increases, the current change rate Since this becomes large, the period t0 to t1 is shortened. That is, the duty cycle of the switching operation of the switching transistor TR11 varies according to the high and low input AC voltage and the load variation on the output side.
이로부터 스윗칭 트랜지스터(TR11)는 펄스폭 변조(Pulse width Modulation) 형태로 스윗칭 동작을 하게 되므로 출력 직류전압에서 교류주파수에 의한 맥동 성분 및 전압 변동이 제거되어 순수한 직류의 정전압 출력을 얻을 수 있게 되는 것이다.From this, the switching transistor TR11 performs a switching operation in the form of pulse width modulation, thereby eliminating pulsating components and voltage fluctuations caused by the AC frequency in the output DC voltage, thereby obtaining a pure DC constant voltage output. Will be.
상기한 바와 같이 본 발명에서는 제1도와 같은 원형적인 쵸퍼(chopper)회로의 쵸크코일(CHI)에 수회정도의 발진용 2차측권선을 추가하여 쵸크겸 트랜스포머(T11)로 사용하기 때문에 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 자려(自勵)발진이 가능해지고, 따라서 별도의 발진회로나 여진(勵振)용 트랜스포머가 필요치 않게 되며 스윗칭 트랜지스터(TR11)가 컷오프(Cut OFF)될때에 권선(L11)에 축적된 에너지를 플라이휠다이오드(D11)를 통하여 부하측으로 직접 방출하므로 변성 손실되는 에너지 없이 변환효율을 고효율화 할 수 있는 장점이 있다.As described above, in the present invention, since the secondary side winding for oscillation is added to the choke coil CHI of the circular chopper circuit as shown in FIG. 1 and used as the choke and transformer T11, a switching transistor ( The self-oscillation of TR11 is made possible, thus eliminating the need for a separate oscillation circuit or an excitation transformer and accumulating in the winding L11 when the switching transistor TR11 is cut off. Since the discharged energy is directly discharged to the load side through the flywheel diode (D11), there is an advantage in that the conversion efficiency can be improved with high efficiency without the loss of denaturation.
즉, 제2도와 같은 종래의 방식의 변환효율(교류입력 전력에 대한 직류출력전력의 출력율)을 약 80%정도였으나, 본 발명은 약 90~95%정도까지 변환효율을 개선할 수 있다.That is, although the conversion efficiency (output ratio of DC output power to AC input power) of the conventional method as shown in FIG. 2 is about 80%, the present invention can improve the conversion efficiency by about 90 to 95%.
한편, 종래방식에 비하여 변환효율이 높아지고 축적에너지 변성용 2차권선(종래의 트랜스포머(T1)에서의 권선(L2)을 설치할 필요가 없기 때문에 쵸퍼 트랜스포머(T11)가 소형화 되며 기기 경량화가 가능하게 된다. 더우기 종래 방식에서는 권선(L1)과 권선(L2)간에 고도의 유도밀 결합도를 유지하지 않으면 축적에너지의 변성효율이 나빠지므로 유도밀 결합도를 얻기 위해서 쵸퍼트랜스의 제작상에 매우 까다로운 문제가 수 반되었으나 본 발명에서는 이는한 형태의 쵸퍼트랜스를 사용하지 않으므로 제조원가의 절감효과를 거둘수 있게 된다.On the other hand, since the conversion efficiency is higher than that of the conventional method and the secondary winding for modifying energy accumulation (no need to install the winding L2 in the conventional transformer T1), the chopper transformer T11 can be miniaturized and the device weight can be reduced. Moreover, in the conventional method, if the induction tight coupling degree between the winding L1 and the winding L2 is not maintained, the conversion efficiency of accumulated energy becomes worse. Therefore, a very difficult problem in the manufacture of the chopper transformer is required to obtain the induction tight coupling degree. Accompanying this, in the present invention, it does not use a type of chopper transformer, thereby reducing the manufacturing cost.
또한, 종래의 스윗칭 트랜지스터(TR1)에 있어서 쵸퍼트랜스포머(T1)의 1차권선(L1)과 2권선(L2)간의 유도결합도가 불완전할 경우에는 쵸퍼트랜스(T1)의 1차권선(L1)에 임펄스(Impulse)전압이 발생하므로 콜렉터와 에미터간 전력(VCE)의 최대정격이 높은 스윗칭 트랜지스터(TR1)를 사용치 않으면 안되었으나, 본 발명에서는 스윗칭 트랜지스터(TR11)의 콜렉터 에미터간에 평활콘덴서(C11)의 충전전압 이상의 고전압이 인가 되지 않으므로 최대 정격이 비교적 낮은 트랜지스터를 사용하여도 되는 장점이 있다.Further, in the conventional switching transistor TR1, when the inductive coupling degree between the primary winding L1 and the secondary winding L2 of the chopper transformer T1 is incomplete, the primary winding L1 of the chopper transformer T1. Since an impulse voltage is generated at the power supply), a switching transistor TR1 having a high maximum rating of the power VCE between the collector and the emitter has to be used. However, in the present invention, a switching emitter between the collector transistors of the switching transistor TR11 is used. Since a high voltage above the charging voltage of the smoothing capacitor C11 is not applied, a transistor having a relatively low maximum rating may be used.
Claims (1)
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---|---|---|---|
KR1019830002041A KR840002469B1 (en) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Power circuit |
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KR1019830002041A KR840002469B1 (en) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Power circuit |
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Family Applications (1)
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KR1019830002041A KR840002469B1 (en) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Power circuit |
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-
1983
- 1983-05-12 KR KR1019830002041A patent/KR840002469B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR850000150A (en) | 1985-02-25 |
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