KR840001277Y1 - 마이크로 프로세서를 이용한 충전 제어회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마이크로 프로세서를 이용한 충전 제어회로

제1도는 종래의 회로도.

제2도는 본 고안의 블럭 다이어 그램.

제3도는 본 고안의 요부인 완·급속 충전회로부.

제4부는 본 고안의 플로우 챠트.

* 도면중 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 마이크로 프로세서 2, 3 : 완·급속 충전 드라이버 회로부

4 : 충전회로부 5 : 충전용 전지

6 : 데이타 저장소인 시-모오스 램(C-MOS RAM)

7 : 전기 감시 회로부

본 고안은 마이크로 프로세서를 이용한 충전제어 회로에 관한 것으로 시-모오스램의 전지부에 급속 및 완충전회로를 형성시켜 장치내의 전원이 끊어졌을 경우에도 데이타가 정상적인 값으로 유지되도록 하기 위한 것이다.

종래의 충전회로에 있어서는 제1도와 같이 장치 전원을 통하여 계속해서 충전되도록 되어 있었기 때문에 급속 충전 회로를 구성하면 과충전될 우려가 있어 사용할 수 없고, 완충전의 경우로 실현되고 있는 금전등록기등에 있어서는 완충전으로 인하여 충전이 충분히 되지 않은 상태 즉, 마이크로 컴퓨터가 로직(logic) “0”으로 인식하게 하는 경우에 있어서도 장치 전원이 있는 한 정상적으로 동작하게 되므로 장치 전원이 오프 (OFF)되면서 시-모오스램의 데이타가 변하게 되어 데이타를 오래 보존해야 하는 금전등록기의 경우네는 누적 합상기능(일명 그랜드 토탈(GT)기능이라 한다)에 치명적인 결점이 될 뿐만 아니라, 장기간 사용하지 않은 경우에는 오동작을 일으킬 우려가 있는 것이다.

본 고안은 이와 같은 점을 감안하여 시-모오스램의 전지부에 급속 및 완충전 회로를 구성시켜 기기의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 회로를 안출한 것으로서 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도의 블럭 다이어 그램에서 나타낸바와 같이 시-모오스램(6)에 마이크로 프로세서(1)를 연결하여 상기 시-모오스램(7)에 저장된 데이타가 마이크로 프로세서 (1)에서 처리되도록 하고, 상기 마이크로 프로세서(1)의 입출력단자에 전류 이득이 낮은 트랜지스터(T₁)를 사용한 제3도의 블럭 2와 같은 완충전 하기 위한 드라이버 회로( 2)와 전류 이득이 높은 트랜지스터(T₂)를 사용한 제3도의 블럭 3과 같은 급속 충전하기 위한 드라이버회로(3) 및 충전용 전지(5)의 상태를 체크(check)하여 전지 교환 여부를 판단하는 감시회로 부(7)를 연결하고, 상기 드라이버회로(2,3)의 출력단에는 충전회로(4)를 통하여 충전용전지(5)를 연결하는 한편, 시-모오스램(6)에 연결하여서 구성된 것으로, 이와 같은 본 고안의 동작상태를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

전원을 온(ON)시킬 후에 시스템의 리세트 및 초기조건을 만족시켜 놓으면 제4도와 같은 정해진 프로그램에 의해서 기기가 작동되는데, 이때 감시회로부(7)에서 전지(5)의 레벨 상태가 “0”(Low)인지 “1”(High)인지를 판별하면 이 신호에 의해서 마이크로 프로세서에서는 전지(5)를 급충전할 것인가, 아니면 완충전할 것인가를 결정하게 되는 것인데, 전지의 레벨이 “0”일때는 전류이득율이 높은 급속 충전 드라이버 회로(3)를 통하여 충전회로(4)에 가해서 전지(5)를 급속충전하는 것이고, 전지(5)의 레벨 상태가 “1”일때는 과충전을 방지하기 위해서 전류 이득율이 낮은 완충전 드라이버 회로(2)를 통해 충전회로(4)에 가해지므로서 전지(5)는 완속으로 충전되는 것이다.

이를 일예로서 상술하면, 금전등록기에 사용되는 마이크로 프로세서(1)의 입출력 단자에 전류가 200마이크로 암페어(μA)인 상태에서 전지의 상태가 양호할 경우에는 전류 이득율이 100정도의 비교적 낮은 트랜지스터(T₁)를 드라이버 회로(2)에 사용하여 20밀리 암페이(mA)정도의 전류로 완충전되는 것이고, 전지(5)의 상태가 저조하여 급속충전할 경우에는 전류이득율이 500정도의 높은 트랜지스터(T₂)를 드라이버회로(3)에 사용하면 100밀리 암페어(mA)정도의 전류가 충전회로(4)내로 흘러 들어가 충전용 전지(5)를 급속으로 충전시키게 되는 것이다.

이와 같이 충전용 전지 감시회로부(7)에 의해서 진지(5)를 완충전할 것인가, 급속충전할 것인가가 결정되면, 급속 충전일 경우에는 기기의 기억장치내에 플래그(FL AG)를 세트시키고, 급속충전 단자를 온(ON)시킨 후에 급속 충전시간 카운터를 세트시켜 시스템의 메인 프로그램으로 진행시킨 다음 플래그를 체크하고, 타임 카운터를 체크하여 충전 여부를 판단한 후 전지 교환 여부를 결정하는 것이다.

이상과 같이 마이크로 프로세서(1)를 이용하여 충전용전지(5)를 감시하는 회로 (7)의 신호에 의해서 완·급속 충전 드라이버 회로(2,3)를 컨트롤 하므로서 장치 전원이 오프(OFF)되어도 데이타를 정상적인 값으로 유지시키기 때문에 데이타를 오래 보존해야 하는 금전등록기에 있어서는 정부에서 필수 기능으로 지정해 놓은 총 누적 합산 기능(GT 기능)을 완벽하게 하므로서 시스템 기기의 신뢰성을 보장할 수 있으며, 전지의 상태를 체크하고자 할 경우에 기기를 분해할 필요가 없으므로 사용상의 편의를 제공한 유익한 특징을 지닌 것이다.

Claims (1)

1. 전원을 통하여 충전회로(4)를 거쳐 시-모오스 램(6)에 연결된 것에 있어서 마이크로 프로세서(1)의 입출력 단자를 이용하여 상기 시-모오스램(6)의 전지부에 트랜지스터(T₁,T₂)를 사용한 완·급속 충전드라이버회로(2,3)를 연결하고 충전용 전지(5)의 상태를 체크하는 감시 회로부(7)를 연결하여 구성된 것으로 완·급속으로 충전제어 할 수 있는 마이크로 프로세서를 이용한 충전제어 회로.