KR830003151A - Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof - Google Patents

Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR830003151A
KR830003151A KR1019800002241A KR800002241A KR830003151A KR 830003151 A KR830003151 A KR 830003151A KR 1019800002241 A KR1019800002241 A KR 1019800002241A KR 800002241 A KR800002241 A KR 800002241A KR 830003151 A KR830003151 A KR 830003151A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
photoconductor
photoelectric conversion
conversion device
semiconductor substrate
Prior art date
Application number
KR1019800002241A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR840001163B1 (en
Inventor
히데아끼 야마모도
야스오 다나까
에이이찌 마루야마
사찌오 이시오까
도시히사 쓰가다
유끼오 다까사끼
다다아끼 히라이
도오루 바지
Original Assignee
요시야마 히로기찌
가부시기 가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 요시야마 히로기찌, 가부시기 가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 요시야마 히로기찌
Priority to KR1019800002241A priority Critical patent/KR840001163B1/en
Publication of KR830003151A publication Critical patent/KR830003151A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR840001163B1 publication Critical patent/KR840001163B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation

Abstract

내용 없음No content

Description

광전변환 장치 및 그 제조방법Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제1도는 고체촬상 장치의 원리를 나타낸 도면,1 is a view showing the principle of a solid state imaging device,

제2도는 회소부의 단면도,2 is a cross-sectional view of the recall portion,

제3도는 본 발명에 관계되는 대표적인 광전변화 재료층의 성분 분포도,3 is a component distribution diagram of a representative photoelectric change material layer according to the present invention,

제4도에서 제9도 및 제11도는 각각 본 발명의 고체촬상 장치의 제조공정을 나타낸 요부단면도,4 to 9 and 11 are main cross-sectional views showing the manufacturing process of the solid-state imaging device of the present invention,

제10도는 실시예의 고체촬상 장치의 평면도,10 is a plan view of the solid state imaging device of the embodiment;

제12도는 주사회로로서 CCD를 사용한 실시예의 설명도,12 is an explanatory diagram of an embodiment using a CCD as a scanning circuit,

제13도는 CCD 전송 영역의 단면도,13 is a sectional view of a CCD transmission region,

제14도는 수광부(受光部) 단면도이다.14 is a cross-sectional view of a light receiving portion.

Claims (11)

반도체기체 형성된 불순물 층의 적어도 일부에 접촉하는 제1의 전극과, 상기 제1 전극의 상부에 형성된 광도전체층과, 상기 광도전체층상에 형성된 투광성인 제2의 전극을 적어도 가진 광전변환 장치에 있어서, 상기 광도전체층이 Se를 주체로 한 비정질 칼코게나이드 재료로 된 것을 특징으로하는 광전 변환장치.A photoelectric conversion device having at least a first electrode in contact with at least a portion of a semiconductor gas-formed impurity layer, a photoconductor layer formed on the first electrode, and a transmissive second electrode formed on the photoconductor layer. And the photoconductor layer is made of an amorphous chalcogenide material mainly composed of Se. Se를 주체로 한 비정질 칼코게나이트 재료로 이루어지는 상기 광도전체층이 그 막두께 방향의 적어도 일부분에 Te가 첨가된 영역을 가진 것을 특징으로 하는 청구범위 제1항 기재의 광전 변환장치.The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the photoconductor layer made of an amorphous chalcogenite material mainly composed of Se has a region in which Te is added to at least a portion of the film thickness direction. 상기 광도전체층이, (a). Sc를 함유하고, 그리고 Te 또는 Se중에서 깊은 준위를 만드는 원소의 적어도 하나가 첨가되고,Te의 량 및 Se 중에서 깊은 준위를 만드는 원소량이 각각 평균 10원자% 이상인 제1의 부분과, (b) Se를 함유하고, 그 속에 첨가되어 있는 Se 중에서 깊은 준위를 만드는 원소의 연속적 분포의 절정 농도가 15원자% 이상인 제2의 부분과, (C) Se를 함유하고, 그 속에서 첨가되어 있는 Te의 역속적분포의 절정 농도가 15원자% 이상인 제3의 부분과, (d) Se 중에서 깊은 준위를 만드는 원소의 적어도 하나가 첨가되고, Te의 량 및 Se중에서 깊은 준위를 만드는 원소의 량이 각각 평균 15원자% 이하인 제4의 부분으로 적어도 형성되어 상기 각 부분이 순차인접하여 이루어진 것을 특징으로하는 청구범위 제2항의 광전 변환장치.The photoconductor layer is (a). A first portion containing Sc, and at least one of the elements making the deep level in Te or Se added, the first portion having an average amount of 10 atomic% or more of Te and the amount of making the deep level in Se, respectively, and (b) The second part of Se containing and adding in it the peak concentration of the continuous distribution of the element which makes a deep level is 15 atomic% or more, and (C) of Te containing and containing Se A third portion having a peak concentration of reverse inverse distribution of 15 atomic percent or more, and (d) at least one of the elements making the deep level in Se is added, and the amount of Te and the amount of the element making the deep level in Se are on average 15 The photoelectric conversion device according to claim 2, wherein the photoelectric conversion device according to claim 2 is formed at least in a fourth portion which is atomic percent or less, and the respective portions are sequentially adjacent to each other. 상기 Se중에서 깊은 준위를 만드는 원소가 상기 제2의 부분중에서 농도 구배를 가지고, 상기 제3의 부분과의 계면부근에서 가장 농도가 높고, 상기 제1의 부분과의 계면부근으로 향하여 순조롭게 감소하여 가고 있는 것을 특징으로 하는 청구범위 제3항의 광전 변환장치.The element which makes a deep level in Se has a concentration gradient in the second part, the highest concentration near the interface with the third part, and decreases smoothly toward the interface near the first part. The photoelectric conversion device according to claim 3, wherein the photoelectric conversion device is located. 청구범위 제1항-4항에 있어서, 상기 광도전체층상에 블록킹층을 개재하여 투과성의 제2전극이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 한다.The method of claim 1, wherein the transparent second electrode is formed on the photoconductive layer via a blocking layer. 청구범위 제1항-제4항에 있어서, 상기 반도체 기체는 소망하는 반도체기판에 매트릭스상으로 배열된 스위치수단이 설치되고, 이러한 스위치수단을 구동하여 신호를 취출하기 위한 수평주사회로, 수직주사회로 및 이 수평 및 수직주사회로에 의해 선택되는 각각 독립된 복수개의 전극을 적어도 가진 반도체기체로 된 것을 특징으로 하는 것이다.The semiconductor substrate according to claims 1 to 4, wherein the semiconductor substrate is provided with a switch means arranged in a matrix on a desired semiconductor substrate, and is a horizontal scan for driving the switch means to extract a signal. And a semiconductor gas having at least a plurality of independent electrodes each selected by the furnace and the horizontal and vertical furnaces. 반도체기체의 상부에 적어도 일층의 광도전체층을 형성하는 공정, 상기 광도전체층을 포함하는 광도전체막의 상부에 투광성전극을 형성하는 공정을 가진 광전변환 장치의 제조방법에 있어서 상기 반도체기체의 상부에 형성하는 적어도 일층의 광도전체층의 형성중 또는 이 광도전체층을 형성한 후 이 광도전체의 연화점 이상의 온도에서 가열처리를 실시하고, 이 광도전체막을 평탄화 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 광전변환 장치의 제조방법.A method of manufacturing a photoelectric conversion device, the method comprising: forming a photoconductor layer of at least one layer on top of a semiconductor substrate, and forming a translucent electrode on the photoconductor film including the photoconductor layer. And forming a photoconductor layer of at least one layer to be formed or performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than the softening point of the photoconductor, and planarizing the photoconductor film. Manufacturing method. 특허청구 범위 제7항 기체의 광전변환 장치의 제조방법에 있어서 상기 반도체 기체의 상부에 형성하는 적어도 일층의 광도전체막을 이 광도전체의 연화점 이상의 온도에서 가열처리를 실시하고, 이 광도전막을 평탄화 한후 이 광도 전막상에 그리고 적어도 일층의 광도전막을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 광전변환 장치의 제조방법.Claim 7 In the method of manufacturing a gas photoelectric conversion device, at least one photoconductor film formed on the semiconductor substrate is subjected to heat treatment at a temperature equal to or more than the softening point of the photoconductor, and the photoconductive film is planarized. And a step of forming at least one layer of the photoconductive film on the photoconductive film. 청구범위 제7항의 광전변환 장치의 제조방법에 있어서 상기 반도체 기체의 상부에 제2의 광도전체층을 형성하고, 이어서 상기 반도체 기체를 가열하면서 제2 광도전체층을 형성하는 공정, 그리고 소정의 광도전체층을 적층하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a photoelectric conversion device according to claim 7, wherein a second photoconductor layer is formed on top of the semiconductor substrate, and then a second photoconductor layer is formed while heating the semiconductor substrate, and a predetermined luminous intensity. It has a process of laminating | stacking an entire layer. 광도전체층은 Se를 주체로 하는 비정질 칼코게나이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제7항-제9항 기재의 장치의 제조방법.The method of manufacturing a device according to claims 7 to 9, wherein the photoconductor layer consists of amorphous chalcogenide mainly composed of Se. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019800002241A 1980-06-07 1980-06-07 Photoelectric device KR840001163B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019800002241A KR840001163B1 (en) 1980-06-07 1980-06-07 Photoelectric device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019800002241A KR840001163B1 (en) 1980-06-07 1980-06-07 Photoelectric device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR830003151A true KR830003151A (en) 1983-05-31
KR840001163B1 KR840001163B1 (en) 1984-08-11

Family

ID=19216742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019800002241A KR840001163B1 (en) 1980-06-07 1980-06-07 Photoelectric device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR840001163B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101303868B1 (en) * 2011-10-13 2013-09-04 한국과학기술연구원 Color image sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR840001163B1 (en) 1984-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS54111798A (en) Image sensor of charge transfer type
JPH10209421A (en) Manufacture of solid-state imagine device
JPS5539404A (en) Solid state pickup device
JPH0456468B2 (en)
KR20010009867A (en) Method for manufacturing solid state image sensing device the same
JP3049015B2 (en) Active pixel cell with bandgap design
KR950002410A (en) Solid-state imaging device
KR830003151A (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
CN101183663A (en) Image sensor and method for manufacturing the same
JPS5739588A (en) Solid state image pickup device
JPS56150877A (en) Photoelectric converter
JPS63102361A (en) Contact type solid-state image pickup device
JPS5863164A (en) Optical read-out element
JPS5721876A (en) Photosensor
JPS56102169A (en) Solid image pickup device
JPS6442169A (en) Solid-state image sensor
RU2309485C2 (en) Single-section color-division photocell
JPS58118142A (en) Semicondutor device
JPS5742174A (en) Solid image pickup device
JPH08204164A (en) Multilayered solid-state image sensing device and its manufacture
JPS577979A (en) Solid-state image picking up device
JPS6213067A (en) Solid-state image pickup device with lens region
JPH0258381A (en) Photoelectric conversion element and line image sensor
JPS58212271A (en) Solid-state image pickup element
RU2273074C1 (en) Vidicon target