KR20240137062A - 포지티브형 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 화합물 - Google Patents
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022027346 | 2022-02-24 | ||
| JPJP-P-2022-027346 | 2022-02-24 | ||
| PCT/JP2023/005338 WO2023162837A1 (ja) | 2022-02-24 | 2023-02-15 | ポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240137062A true KR20240137062A (ko) | 2024-09-19 |
Family
ID=87765950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020247027983A Pending KR20240137062A (ko) | 2022-02-24 | 2023-02-15 | 포지티브형 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 화합물 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2023162837A1 (https=) |
| KR (1) | KR20240137062A (https=) |
| TW (1) | TW202338501A (https=) |
| WO (1) | WO2023162837A1 (https=) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20240184201A1 (en) * | 2022-11-11 | 2024-06-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polymer, photoresist compositions including the same, and pattern formation methods |
| JPWO2024111511A1 (https=) * | 2022-11-24 | 2024-05-30 | ||
| JP2025086674A (ja) | 2023-11-28 | 2025-06-09 | 信越化学工業株式会社 | ポリマー、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP2025087601A (ja) | 2023-11-29 | 2025-06-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017138267A1 (ja) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP6743158B2 (ja) | 2016-09-26 | 2020-08-19 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156306A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-19 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 新規な透明樹脂及び高屈折率透明光学用樹脂 |
-
2023
- 2023-02-15 KR KR1020247027983A patent/KR20240137062A/ko active Pending
- 2023-02-15 WO PCT/JP2023/005338 patent/WO2023162837A1/ja not_active Ceased
- 2023-02-15 JP JP2024503082A patent/JPWO2023162837A1/ja active Pending
- 2023-02-23 TW TW112106681A patent/TW202338501A/zh unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017138267A1 (ja) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP6743158B2 (ja) | 2016-09-26 | 2020-08-19 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2023162837A1 (https=) | 2023-08-31 |
| WO2023162837A1 (ja) | 2023-08-31 |
| TW202338501A (zh) | 2023-10-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| D21 | Rejection of application intended |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D21-EXM-PE0902 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
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| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
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| P11 | Amendment of application requested |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-P10-P11-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
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| P11-X000 | Amendment of application requested |
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|
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |