KR20240106358A - 발광표시장치 - Google Patents

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KR20240106358A
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display device
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KR1020220189144A
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이인구
유현혜
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 상에, 표시영역의 다수의 화소영역 각각에 대응되는 개구를 갖는 뱅크와; 상기 뱅크에 아래에, 상기 다수의 화소영역 각각에 배치된 경사진 반사부와; 상기 개구에 배치된 발광다이오드를 포함하고, 상기 다수의 화소영역 각각은, 해당 개구와 반사부가 커스프(cusp)를 갖는 심장형 구조로 구성되고, 상기 다수의 화소영역은, 해당 심장형 구조가 제1방위에 위치하는 화소영역과, 해당 심장형 구조가 상기 제1방위과 반대인 제2방위에 위치하는 화소영역을 포함하는 발광표시장치를 제공한다.

Description

발광표시장치{Light emitting display device}
본 발명은 발광표시장치에 관한 것이다.
최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다.
평판표시장치 중에서, 발광다이오드와 같은 발광소자를 구비한 발광표시장치는, 애노드 및 캐소드 사이에 형성된 발광층에 전하를 주입하여 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다.
기존의 발광표시장치는 광효율이 높지 않아 이를 개선할 필요가 있다.
본 발명은 광효율을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 것에 과제가 있다.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에, 표시영역의 다수의 화소영역 각각에 대응되는 개구를 갖는 뱅크와; 상기 뱅크에 아래에, 상기 다수의 화소영역 각각에 배치된 경사진 반사부와; 상기 개구에 배치된 발광다이오드를 포함하고, 상기 다수의 화소영역 각각은, 해당 개구와 반사부가 커스프(cusp)를 갖는 심장형 구조로 구성되고, 상기 다수의 화소영역은, 해당 심장형 구조가 제1방위에 위치하는 화소영역과, 해당 심장형 구조가 상기 제1방위과 반대인 제2방위에 위치하는 화소영역을 포함하는 발광표시장치를 제공한다.
상기 표시영역 내에서, 상기 제1방위의 화소영역의 수와 상기 제2방위의 화소영역의 수는 동일할 수 있다.
상기 제1,2방위의 화소영역은 일방향을 따라 교대로 배치될 수 있다.
상기 다수의 화소영역은, 적색,녹색,청색 화소영역을 포함하고, 상기 적색,녹색,청색 화소영역 각각은, 상기 제1,2방위의 화소영역을 포함할 수 있다.
상기 심장형 구조는, r = r0*(1+εcos(θ/2))로 정의되며, 상기 θ는 방위각이고, r0는 상기 커스프에서의 반경이고, r은 θ에서의 반경이고, ε은 변형계수일 수 있다.
상기 개구의 심장형 구조는, 해당 화소영역의 수평 방향의 광에 대한 공진을 구현하도록 구성될 수 있다.
상기 발광다이오드는 제1전극과, 상기 제1전극 상의 발광층과, 상기 발광층 상의 제2전극을 포함하고, 상기 반사부는 상기 제1전극에서 연장될 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 기판 상의 표시영역에 배치된 다수의 화소영역 각각에, 뱅크의 측면과 상기 심장형 구조의 계면을 이루는 발광층을 포함하는 발광다이오드와; 상기 뱅크 아래에, 상기 계면 외측에 배치된 경사진 반사부를 포함하고, 상기 다수의 화소영역은, 해당 심장형 구조가 제1방위에 위치하는 화소영역과, 해당 심장형 구조가 상기 제1방위과 반대인 제2방위에 위치하는 화소영역을 포함하는 발광표시장치를 제공한다.
상기 표시영역 내에서, 상기 제1방위의 화소영역의 수와 상기 제2방위의 화소영역의 수는 동일할 수 있다.
상기 제1,2방위의 화소영역은 일방향을 따라 교대로 배치될 수 있다.
상기 다수의 화소영역은, 적색,녹색,청색 화소영역을 포함하고, 상기 적색,녹색,청색 화소영역 각각은, 상기 제1,2방위의 화소영역을 포함할 수 있다.
상기 심장형 구조는, r = r0*(1+εcos(θ/2))로 정의되며, 상기 θ는 방위각이고, r0는 상기 심장형 구조의 커스프에서의 반경이고, r은 θ에서의 반경이고, ε은 변형계수일 수 있다.
상기 계면의 심장형 구조는, 해당 화소영역의 수평 방향의 광에 대한 공진을 구현하도록 구성될 수 있다.
상기 반사부는, 해당 화소영역의 상기 계면과 동일한 심장형 구조를 가질 수 있다.
상기 발광다이오드는, 상기 발광층의 하부 및 상부에 각각 배치된 제1,2전극을 포함하고, 상기 반사부는 상기 제1전극에서 연장될 수 있다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 기판 상에, 적어도 하나의 화소영역에 대응되는 요입홈을 갖는 오버코트층; 상기 요입홈의 경사면을 따라 배치되어 반사부를 갖는 제1전극; 상기 제1전극 상에 배치되며 개구부를 갖는 뱅크와; 상기 개구부에 배치되는 유기발광층과 제2전극을 포함하고, 상기 요입홈, 상기 반사부 및 상기 개구부 중 적어도 두 개는 커스프(cusp)를 갖는 심장형 구조로 구성되는 발광표시장치를 제공한다.
상기 적어도 하나의 화소영역은 상기 개구부에 대응되는 제1발광영역과, 상기 반사부에 대응되며 상기 제1 발광영역을 둘러싸는 제2발광영역을 갖고, 상기 제2발광영역은 상기 커스프 구간에서 블랙 상태이거나 휘도가 낮아 비연속적일 수 있다.
본 발명에서는, 광 경로에 대한 혼돈 특성을 갖는 심장형 구조로 화소영역을 구성함으로써, 수평 방향의 도파 광은 그 경로가 혼돈되어 급격히 변경될 수 있게 되므로, 발광표시장치의 광추출 효율이 극대화될 수 있다.
그리고, 표시영역에 심장형 구조의 방위가 서로 반대되는 화소영역들을 함께 배치함으로써, 발광표시장치의 정면 시야각 방향에서 발광 특성이 강화될 수 있게 된다.
더욱이, 위와 같이, 본 실시예들에 따른 발광표시장치는 광 효율이 향상됨에 따라, 전력 소모가 절감될 수 있어 저전력으로 구동될 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2 내지 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 화소영역의 심장형 광추출 구조를 개략적으로 도시한 평면도.
도 5 및 6은 비교예의 원형 구조와 본 실시예의 심장형 구조에 대한 광추출시뮬레이션 결과를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 발광표시장치의 표시영역 내 화소영역의 배치 구조를 개략적으로 도시한 평면도.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 심장형 구조의 화소영역의 출광 분포를 도시한 도면.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 수 있다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, "상에", "상부에", "하부에", "옆에" 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, 예를 들면, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 실시예에서는 동일 유사한 구성에 대해서는 동일 유사한 도면번호가 부여되고, 그 구체적인 설명은 생략될 수도 있다.
<제1실시예>
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2 내지 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 화소영역의 심장형 광추출 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
구체적인 설명에 앞서, 본 발명의 실시예에 따른 발광표시장치(10)는, 자발광소자인 발광다이오드(OD)를 구비하여 영상을 표시하는 모든 종류의 표시장치를 포함할 수 있다.
본 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 발광표시장치(10)로서 유기발광표시장치를 예로 든다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 발광표시장치(10)는, 기판(101)의 상부 방향으로 광이 출력되어 영상을 표시하는 상부 발광 방식의 표시장치일 수 있다.
발광표시장치(10)의 기판(101) 상에는, 영상을 표시하는 표시영역(AA)에 다수의 화소영역(P)이 다수의 행라인과 다수의 열라인을 따라 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 한편, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 기판(101) 상에는 행방향을 따라 연장된 다수의 게이트배선과 열방향을 따라 연장된 다수의 데이터배선이 형성될 수 있다. 각 화소영역(P)은 대응되는 게이트배선 및 데이터배선과 연결될 수 있다.
다수의 화소영역(P)은, 컬러 영상을 표시하는 단위 화소를 구성하는 서로 다른 컬러들로서 예를 들어 적색(R),녹색(G),청색(B)을 각각 표시하는 R,G,B 화소영역(P)을 포함할 수 있다.
각 화소영역(P)에는, 기판(101) 상에 다수의 박막트랜지스터와 적어도 하나의 캐패시터와 발광다이오드(OD)가 형성될 수 있다. 한편, 도 1에서는, 설명의 편의를 위해, 제1화소영역(P1)에 1개의 박막트랜지스터(T) 예를 들어 구동 박막트랜지스터(T)를 도시하였다.
보다 상세하게 살펴보면, 기판(101)의 내면 상에 반도체층(112)이 형성될 수 있다. 이때, 반도체층(112)은 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘이나 산화물 반도체물질로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
반도체층(112)은 중앙의 채널영역과 이 양측의 소스영역 및 드레인영역을 포함할 수 있다.
반도체층(112) 상에는 절연물질로 이루어진 절연층으로서 게이트절연층(115)이 형성될 수 있다. 게이트절연층(115)은 산화실리콘이나 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
게이트절연층(115) 상에는 금속 등의 도전성 물질로 이루어진 게이트전극(120)이 반도체층(112)의 채널영역에 대응하여 형성될 수 있다.
또한, 게이트절연층(115) 상에는, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트전극과 연결된 게이트배선이 형성될 수 있다.
게이트전극(120) 상에는 절연물질로 이루어진 절연층으로서 제1층간절연층(125)이 기판(101) 전면에 형성될 수 있다.
제1층간절연층(125)은 산화실리콘이나 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
제1층간절연층(125) 및 이 하부의 게이트절연층(115)에는, 반도체층(112)의 소스영역 및 드레인영역을 각각 노출하는 제1콘택홀(CH1) 및 제2콘택홀(CH2)이 구비될 수 있다.
제1콘택홀(CH1) 및 제2콘택홀(CH2)은 게이트전극(120)의 양측에 게이트전극(120)과 이격되어 위치한다.
제1층간절연층(125) 상에는 금속 등의 도전성 물질로 이루어진 소스전극(131) 및 드레인전극(133)이 형성될 수 있다.
또한, 제1층간절연층(125) 상에는, 게이트배선과 교차하고 스위칭 박막트랜지스터의 소스전극과 연결되는 데이터배선이 형성될 수 있다.
소스전극(131) 및 드레인전극(133)은 게이트전극(120)을 중심으로 이격되어 위치하고, 각각 제1콘택홀(CH1) 및 제2콘택홀(CH2)을 통해 반도체층(112)의 소스영역 및 드레인영역과 접촉할 수 있다.
위와 같이 구성된 반도체층(112)과, 게이트전극(120)과, 소스전극(131) 및 드레인전극(133)은 박막트랜지스터(T)를 구성할 수 있다.
다른 예로서, 박막트랜지스터(T)는 반도체층(112)의 하부에 게이트전극(120)이 위치하고 반도체층(112)의 상부에 소스전극(131) 및 드레인전극(133)이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다.
소스전극(131) 및 드레인전극(133) 상부에는 절연물질로 이루어진 절연층으로서 제2층간절연층(135)이 기판(101) 전면에 형성될 수 있다.
제2층간절연층(135)은 산화실리콘이나 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
제2층간절연층(135) 상에는 오버코트층(또는 평탄화층)(140)이 형성될 수 잇다. 이와 같은 오버코트층(140)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
오버코트층(140) 및 제2층간절연층(135)에는 드레인전극(133)을 노출하는 제3콘택홀(또는 드레인콘택홀)(CH3)이 형성될 수 있다.
오버코트층(140)은, 각 화소영역(P)의 경계(또는 가장자리)를 따라 상부로 돌출된 돌출부(또는 격벽)(141)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 오버코트층(140)에는 돌출부(141)에 의해 이의 내측에 정의되는 요입홈(GR)이 정의될 수 있다. 한편, 요입홈(GR) 아래에(또는 요입홈(GR)의 바닥면 아래에) 위치하는 오버코트층(140) 부분은 그 상면이 실질적으로 평탄한 형태로서 평탄부(또는 기저부)(145)라고 할 수 있다.
이와 같은 돌출부(141)는 상부 방향으로 폭이 좁하지는 테이퍼 형상을 갖도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 돌출부(141)는 그 측면(SSo)이 경사진 형태의 경사면(SSo)으로 구성될 수 있다. 이에 대해, 돌출부(141)의 경사면(SSo)은, 해당 화소영역(P)을 기준으로 외측 방향으로 일정 각도 경사진 형태를 갖도록 구성될 수 있다. 여기서, 경사면(SSo)은 경사각이 일정한 선형의 형태이거나, 하단에서 상단으로 갈수록 경사각이 작아지는 돌출된 곡선형의 형태일 수 있다. 본 실시예에서는, 경사면(SSo)이 선형인 경우를 예로 든다.
이러한 경사면(SSo)은 요입홈(GR)을 둘러싸 요입홈(GR)을 정의할 수 있다. 이에 따라, 요입홈(GR)은 경사면(SSo)에 대응되는 경사진 측면(또는 외주면)을 갖는다고 할 수 있다.
오버코트층(140) 상에는, 각 화소영역(P) 단위로 제1전극(또는 애노드)(150)이 형성될 수 있다.
이와 같은 각 화소영역(P)의 제1전극(150)은 오버코트층(140)의 각 요입홈(GR)에 대응하게 위치하여, 돌출부(141)를 사이에 두고 이웃한 화소영역(P)의 제1전극(150)과 분리된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 돌출부(141)의 상면에서, 이웃한 제1전극(150)은 이격될 수 있다.
제1전극(150)은 고반사율의 금속물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1전극(150)은 Al, Ag, Ti, APC(Al-Pd-Cu) 합금을 포함할 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 제1전극(150)은 단일층 구조나 다층 구조로 형성될 수 있다. 다층 구조로 형성되는 경우에, 예를 들면, Al 및 Ti의 적층 구조(일예로, Ti/Al/Ti), Al 및 ITO의 적층 구조(일예로, ITO/Al/ITO), APC 합금 및 ITO의 적층 구조(일예로, ITO/APC/ITO) 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
이와 같은 제1전극(150)은, 오버코트층(140)의 경사면(SS)을 따라 형성된 반사부(또는 경사부)(151)를 포함할 수 있다. 이와 같은 반사부(151)는, 오버코트층(140)의 평탄부(145) 상에 위치하는 제1전극(150) 부분의 끝단에서 경사면(SSo)을 따라 상부 방향으로 경사지게 연장되는 형태를 가질 수 있다. 여기서, 오버코트층(140)의 평탄부(145) 상에 위치하는 평탄한 형태의 제1전극(150) 부분은 평면부(또는 기저부)(152)라고 할 수 있다.
제1전극(150) 상에는 이의 가장자리를 덮는 뱅크(160)가 형성될 수 있다. 이와 같은 뱅크(160)는 화소영역(P)의 경계를 따라 배치되며, 제1전극(150)의 반사부(151)를 포함한 가장자리 부분을 덮고 오버코트층(140)의 돌출부(141)를 덮는 형태로 형성될 수 있다.
뱅크(160)는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로부텐 및 포토레지스트 중 적어도 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
이와 같은 구성된 뱅크(160)는 그 내부에, 각 화소영역(P)의 제1전극(150)을 노출하는 개구(OP)를 가질 수 있다.
이러한 뱅크(160)는 실질적으로 오버코트층(140)과 동일한 형태(또는 대응되는 형태)로 형성될 수 있다.
이에 대해, 뱅크(160)는 상부 방향으로 폭이 좁하지는 테이퍼 형상을 갖도록 구성될 수 있다. 이러한 뱅크(160)의 테이퍼 형상은, 그 하부에 위치하는 오버코트층(140)의 돌출부(141)의 테이퍼 형상과 동일할 수 있다.
이에 따라, 뱅크(160)는 그 측면(SSb)이 경사진 형태의 경사면(SSb)으로 구성될 수 있다. 이러한 뱅크(160)의 경사면(SSb)은, 그 하부에 위치하는 돌출부(141)의 경사면(SSo)과 실질적으로 동일한 경사각을 가질 수 있다.
이러한 뱅크(160)의 경사면(SSb)은 개구(OP)을 둘러싸게 된다. 이에 따라, 개구(OP)는 경사면(SSb)에 대응되는 경사진 측면(또는 외주면)을 갖는다고 할 수 있다.
여기서, 개구(OP)는 제1전극(150)의 평면부(152)를 노출할 수 있다. 보다 상세하게는, 뱅크(160)가 제1전극(150)의 평면부(152)의 가장자리를 덮도록 구성되어, 개구(OP)는 평면부(152)의 가장자리를 제외한 부분을 노출할 수 있다.
각 화소영역(P)의 제1전극(150) 상에는 발광층(165)이 형성될 수 있다. 이와 같은 발광층(165)은, 뱅크(160)의 개구를 통해 노출된 제1전극(150)과 접촉할 수 있다.
발광층(165)은 화소영역(P) 단위로 형성되거나, 실질적으로 기판(101) 전면을 따라 전체 화소영역들(P)에 대응하여 연속적으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 화소영역(P) 단위로 형성된 경우를 예로 든다.
각 화소영역(P)의 발광층(165)은 모두 백색(white)을 발광하는 백색 발광층으로 구성될 수 있다. 다른 예로서, 각 화소영역(P)의 발광층(165)은 해당 화소영역의 컬러를 발광하는 발광층으로 구성될 수 있는데, 예를 들면 적색(R),녹색(G),청색(B) 화소영역(P) 각각은 해당 적색(R),녹색(G),청색(B) 발광층으로 구성될 수 있다.
발광층(165) 상에는 제2전극(또는 캐소드)(169)이 기판(101) 전면에 형성될 수 있다.
여기서, 제2전극(169)은 투명한 특성을 갖는 투명전극으로 구성될 수 있으며, 이 경우에 ITO와 같은 투명도전성 물질로 형성될 수 있다.
한편, 수직 방향의 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과를 구현하는 경우에, 제2전극(169)은 반투과 특성을 갖는 반투과전극층을 포함하도록 구성될 수 있고, 이 반투과전극층을 포함하여 다층 구조로 형성될 수 있다. 제2전극(169)의 반투과전극층은 예를 들어 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg) 및 은(Ag)의 합금(MgAg)과 같은 금속물질로 형성될 수 있는데 이에 한정되지 않으며, 이와 같은 금속물질은 반투과 특성이 구현될 수 있을 정도의 얇은 두께로 형성될 수 있다.
화소영역(P) 내에서 위와 같이 배치된 제1전극(150)과 발광층(165) 및 제2전극(169)은 발광다이오드(OD)를 구성하게 된다.
이와 같은 발광다이오드(OD)는, 제1,2전극(150,169) 사이에 개재된 발광층(165)에서 광을 방출하게 되고, 이와 같이 방출된 광은 상부 방향으로 진행하여 출력될 수 있다.
한편, 발광층(165)에서 발생된 광 중 일부 광은 화소영역(P)의 측면 방향(또는 수평 방향)으로 전반사하면서 진행되어 표시장치 내부에 갇힐 수 있다. 이와 같이 측면 방향으로 진행되는 소위 도파 모드(waveguide mode)의 광은, 발광다이오드(OD)의 측면 방향에 배치된 제1전극(150)의 반사부(151)에 의해 반사되어 상부 방향으로 출광될 수 있다. 이처럼, 제1전극(150)의 반사부(151)는 측면 방향으로 진행하는 광을 상부 방향으로 반사시키는 미러(mirror)의 기능을 할 수 있다.
이와 같은 제1전극(150)의 반사부(151)에 의해, 발광표시장치(10)의 광추출 효율이 상승될 수 있다.
여기서, 개구(OP)에 의해 노출된 제1전극(150)에 대응되는 영역은 실질적으로 발광다이오드(OD)가 배치되어 광을 발생시키는 실효적인(또는 실질적인) 발광영역에 해당되는 것으로서 이는 제1발광영역(또는 주발광영역)(EA1)이라 할 수 있다. 그리고, 반사부(151)가 배치된 영역은, 그 내측에 위치하는 발광층(165)에서 발생된 후 측면 방향으로 진행된 광이 반사되어 상부로 출광되는 소위 반사 발광영역에 해당되는 것으로서 이는 제2발광영역(또는 부발광영역)(EA2)이라 할 수 있다.
각 화소영역(P)은 이러한 제1발광영역(EA1) 및 제2발광영역(EA2)을 포함하는 발광영역(EA)을 구비한다고 볼 수 있다. 제1발광영역(EA1)은 개구(OP)에 의해 노출된 제1전극(150)에 대응되는 영역의 형상과 실질적으로 대응될 수 있고, 제2발광영역(EA2)은 제1발광영역(EA1)과 일부 이격되어(예를 들어, 이 이격된 영역은 제1비발과영역이라 할 수 있음) 이를 둘러싸는 형상일 수 있다. 다만, 제2발광영역(EA2)은 심장형 구조의 커스프(cusp)(도 2의 CU 참조) 구간에서 블랙 상태(black state)이거나 휘도가 낮은 상태로 비연속적인 띠 형상 일 수 있다.
제2전극(169) 상에는 봉지막(180)이 형성될 수 있다. 봉지막(180)은 발광다이오드(OD) 내부로 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
이와 같은 봉지막(180)은, 예를 들면 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 일예로 하부의 제1무기막과 그 상부의 유기막과 그 상부의 제2무기막이 적층된 구조로 봉지막(180)이 구성될 수 있다.
봉지막(180) 상에는 블랙매트릭스(BM)와 컬러필터층(195)이 배치될 수 있다.
이에 대해, 블랙매트릭스(BM)는 각 화소영역(P)의 가장자리에 대응하여 형성될 수 있다.
그리고, 컬러필터층(195)은, 각 화소영역(P)에 대응하여 형성될 수 있다. 여기서, 컬러필터층(195)은 적색(R),녹색(G),청색(B) 화소영역(P) 각각에 대응하는 적색,녹색,청색 컬러필터(195r,195g,195b)를 포함할 수 있다.
이와 같이 컬러필터(195r,195g,195b)를 해당 화소영역(P)에 대응하여 배치함으로써, 해당 화소영역(P)에서 출사되는 광의 색순도가 향상될 수 있다.
블랙매트릭스(BM) 및 컬러필터층(195) 상에는 이들을 덮어 보호하는 오버코트막(199)이 형성될 수 있다. 이러한 오버코트막(199)이 형성된 기판은 실질적으로 평탄한 표면을 가질 수 있게 된다.
한편, 전술한 바와 같은 본 실시예의 발광표시장치(10)에서는, 광추출 효율을 극대화하기 위해 뱅크(160)의 개구(OP)(또는 그 경사면(SSb))와 반사부(151)를 소위 심장형(cadioid-shaped) 구조로 형성할 수 있다.
이와 같이 심장형 구조로 뱅크(160)의 개구(OP)를 형성하게 되면, 발광층(165)과 뱅크(160)(또는 그 경사면(SSb)) 사이의 계면을 따라 계속해서 전반사되어 출광되지 못하고 발광층(165) 내에 갇히는 도파 광인 휘스퍼링 갤러리 모드(whispering gallery mode) 광을 추출하여 활용할 수 있다. 이에 따라, 광추출 효율이 극대화될 수 있다.
이러한 심장형 구조의 광추출에 대해 보다 상세하게 설명한다.
도 1과 함께 도 2 및 3을 참조하면, 본 실시예의 뱅크(160)의 개구(OP)(또는 그 경사면(SSb))는 평면적으로 볼 때 비대칭 형태인 심장형으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 개구(OP) 내에 위치하는 발광다이오드(OD) 또한 심장형으로 형성될 수 있다.
그리고, 오버코트층(140)의 요입홈(GR)(또는 돌출부(141)의 경사면(SSo))과 제1전극(150)의 반사부(151) 또한, 뱅크(160)와 실질적으로 동일하게 심장형으로 형성될 수 있다.
이에 대해, 오버코트층(140)의 요입홈(GR)을 심장형으로 형성하게 되면, 요입홈(GR)을 정의하는 경사면(SSo)을 따라 형성되는 제1반사부(151) 또한 심장형으로 형성되고, 제1반사부(151)를 덮는 뱅크(160)의 개구(OP) 또한 심장형으로 형성될 수 있다.
더욱이, 뱅크(160)의 개구(OP)에 위치하는 발광층(165)(또는 발광다이오드(OD)) 또한 그 측면(또는 외주면)이 심장형을 가질 수 있게 된다.
위와 같은 구성요소들의 심장형 구조에 대해, 도 3에 도시한 뱅크(160)의 심장형 구조를 대표로 하여 살펴본다.
도 3에서는, 설명의 편의를 위해, 도면에서 상측 방향(또는 위 방향)인 +y 방향을 0도의 방위각(θ)으로 설정하고, 하측 방향(또는 아래 방향)인 -y 방향을 +180도 또는 -180도 방위각(θ)으로 설정하였다. 이때, 0도 방위각(θ)을 기준으로 시계 방향(즉, 도면에서 우측 둘레 방향)으로 갈수록 방위각(θ)이 +180도까지 증가하며, 반시계 방향(즉, 도면에서 좌측 둘레 방향)으로 갈수록 방위각(θ)이 -180도까지 감소한다고 한다(또는 방위각(θ)의 절대값이 180도까지 증가한다고 한다).
여기서, 뱅크(160)의 심장형 구조는 개구(OP)의 내부를 향해 뾰족한 형태의 커스프(cusp)(CU)를 가지며, 이 커스프(CU)는 예를 들어 -y 방향의 방위각(+180도 또는 -180도)에 위치하도록 설정하였다.
이와 같은 경우에, 0도의 방위각 지점(A0)을 기준으로 커스프(CU) 지점까지 시계 방향으로 방위각(θ)이 증가할수록(즉, 0도 -> +180도), 곡률이 연속적으로 증가하며(또는 반경이 연속적으로 감소하며) 대략 우측으로 볼록한 곡면 형태가 형성된다. 그리고, 0도의 방위각 지점(A0)을 기준으로 커스프(CU) 지점까지 반시계 방향으로 방위각(θ)이 감소할수록(즉, 0도 -> -180도), 곡률이 연속적으로 증가하며(또는 반경이 연속적으로 감소하며) 좌측으로 볼록한 곡면 형태가 형성된다.
다시 말하면, 커스프(CU)를 기준으로 할 때, 커스프(CU)의 반대 방향에 위치하는 부분(A0)까지 곡률이 연속적으로 감소(또는 반경이 연속적으로 증가)하는 곡면 형태가 형성된다.
이와 같은 심장형 구조는 다음과 같은 수식1에 따라 그 형태(또는 평면적 형태)가 정의될 수 있다.
수식1: r = r0*(1 + ε*cos(θ/2)).
이러한 수식1은 방위각(θ)에 따른 심장형 구조의 곡면의 반경(r)을 정의하는 수식으로서, r0는 방위각이 +180 또는 -180도인 위치 즉 커스프(CU)에서의 반경(즉, 최소 반경)이고, ε은 변형 계수(deformation parameter)이다.
이에 따라, 변형 계수(ε)에 의해 심장형 구조의 곡률의 변화율이 결정되어 그 형태가 결정될 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 변형 계수(ε)가 증가하게 되면, 심장형 구조의 곡률의 변화율이 상승하게 되고, 이에 따라 심장형 구조의 커스프(CU) 부분은 더 뾰족해지게 된다. 이처럼, 변형 계수(ε)가 증가하게 되면, 심장형 구조의 비대칭성이 높아지게 되어, 심장형 구조를 통한 추출광의 분포 범위가 좁아지고 추출광의 집광 특성이 높아질 수 있게 된다.
이와 같은 심장형 구조로 뱅크(160)가 구성될 수 있다. 이에 대해, 뱅크(160)의 개구(OP)(또는 경사면(SSb))는, 평면적으로 볼 때 곡률의 변이점인 커스프(CU)를 갖고 이를 기준으로 둘레방향(또는 개구(OP)의 외주방향)을 따라 곡률이 감소하는 곡면 형태의 심장형 구조로 구성될 수 있다.
이처럼 뱅크(160)가 비대칭 형태의 심장형 구조로 형성되는바, 위치에 따라 그 폭이 차등화될 수 있다. 이에 대해 예를 들면, 방위각이 0도,45도,90도,120도인 지점 각각에서 그 반대편 지점 까지의 거리인 폭에 대해, 방위각 0도인 지점에서의 폭이 가장 작고(예를 들어, 2.50um), 45도인 지점에서의 폭이 그 다음이며(예를 들어, 2.65um), 120도인 지점에서의 폭이 그 다음이며(예를 들어, 2.68um), 90도인 지점에서의 폭이 가장 클 수 있다(예를 들어, 2.71um). 이처럼, 심장형 구조로 형성됨으로써, 뱅크(160)는 위치 별로(또는 방위 별로) 폭이 차등화될 수 있게 된다.
한편, 뱅크(160)의 심장형 구조와 마찬가지로, 오버코트층(140)의 요입홈(GR)(또는 이의 경사면(SSo))과 제1전극(150)의 제1반사부(151) 또한 커스프(CU)를 갖는 심장형 구조로 구성될 수 있다.
위와 같이, 비대칭 형태의 심장형 구조로 뱅크(160)를 형성함으로써, 그 형태적 특성에 의해 뱅크(160)와 발광층(165)의 계면을 타고 전반사되는 도파 광을 용이하게 추출할 수 있게 된다.
이와 관련하여 도 4를 참조하여 살펴본다. 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 심장형 구조에 의한 도파광 추출 매커니즘을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 발광층(165)에서 발생되고 수평 방향으로 진행하는 광 중 일부 광(Lwg)은, 발광층(165)과 뱅크(160) 간의 계면에 전반사 임계각 이상의 각도로 입사되어 계면을 따라 도파될 수 있다.
그런데, 본 실시예에 따르면, 뱅크(160)가 심장형 구조로 형성되므로, 뱅크(160)와 발광층(165) 간의 계면은 커스프(CU)를 향해 곡률이 증가하게 된다.
이러한 심장형 구조의 형태적 특성에 의해, 계면을 따라 도파되는 광(Lwg)은 뾰족한 형태의 커스프(CU) 근방(또는 주변)에서 경로가 급격하게 변경될 수 있게 되는데, 곡률이 큰 커스프(CU) 근방에서 반사된 후 이 반사 지점(Pr1)과 실질적으로 반대편의 지점(Pr2) 즉 커스프(CU)의 전방에 위치하는 지점(Pr2)으로 진행하게 된다.
이와 같이 커스프(CU)의 전방 지점(Pr2)에 입사된 도파 광(Lwg)은, 급격한 경로 변경에 의해 전반사 임계각 보다 작은 입사각을 가질 수 있게 된다.
이에 따라, 도파 광(Lwg)은 커스프(CU)의 전방 지점(Pr2)의 계면을 통과(즉, 굴절되면서 통과)할 수 있게 된다.
이와 같이 계면을 통과하여 추출된 도파 광(Lwg)은 그 진행 방향에 위치하는 경사진 반사부(151)에서 반사되어, 발광표시장치(10)의 상부를 향해 진행하여 외부로 출광될 수 있게 된다.
위와 같이, 심장형 구조는 곡률 변이점인 커스프(CU)를 구비함으로써 광 경로를 급격하게 변화시키는 혼돈 특성을 갖게 된다. 이에 따라, 계면을 따라 도는 도파 광(Lwg)은 대부분 커스프(CU) 근방에서 반사되어 경로가 급격하게 변경됨으로써 입사각이 전반사 임계각 미만이 되어 계면을 통과할 수 있게 된다. 이와 같이 추출된 광(Lwg)은 그 진행 방향에 놓여진 반사부(151)에 의해 반사되어, 최종적으로 발광표시장치(10)의 상부 방향으로 출광될 수 있게 된다.
이처럼, 광 경로에 대한 혼돈 특성을 갖는 심장형 구조로 뱅크(160)를 형성함으로써, 발광층(165) 내의 도파 광(Lwg)은 그 경로가 혼돈되어 급격히 변경될 수 있게 되므로, 광추출 효율이 극대화될 수 있다.
더욱이, 발광표시장치(10)의 광추출 효율이 극대화됨에 따라, 동일한 광특성을 구현함에 있어 기존의 발광표시장치에 비해 전력 소모가 절감될 수 있으므로, 결과적으로 저전력으로 구동될 수 있게 된다.
한편, 심장형 구조는 도파 광(Lwg)에 대한 공진 특성 또한 구현할 수 있다. 이에 대해 예를 들면, 계면을 따라 전반사되면서 회전하는 도파 광(Lwg)의 경로를 각 화소영역(P)의 컬러 파장대에 매칭되게 설정하게 되면, 도파 광(Lwg)은 매칭된 파장대에서 공진 즉 보강 간섭될 수 있게 된다. 이에 따라, 기판에 수평 방향으로 진행하는 광에 대해서도 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과가 구현될 수 있게 되어, 색재현율이 향상될 수 있게 된다.
도 5 및 6은 비교예의 원형 구조와 본 실시예의 심장형 구조에 대한 광추출시뮬레이션 결과를 도시한 도면이다. 도 5는 비교예의 원형 구조와 본 실시예의 심장형 구조에 대해 원시야에서의 광추출 시뮬레이션 결과를 나타내고 있고, 도 6은 비교예의 원형 구조와 본 실시예의 심장형 구조에 대해 근시야에서의 광추출 시뮬레이션 결과를 나타내고 있다.
도 5 및 6에서, (a)는 도파 광이 포함된 출광(또는 배광) 프로파일이고, (b)는 도파 광이 제외된 출광 프로파일이며, (c)는 (a)-(b)를 하여 산출된 도파 광의 출광 프로파일이다.
도 5의 원시야 출광 특성을 살펴보면, 비교예에서는 (c)에서와 같이 도파 광은 실질적으로 거의 출광되지 않는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 원형 구조로 구성된 경우에, 도파 광은 대부분 외부로 추출되지 못하고 내부에서 갇혀 소멸된다 할 것이다.
반면에, 본 실시예에서는 (c)에서와 같이 상당량의 도파 광이 외부로 출광되는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 심장형 구조로 구성됨으로써, 그 혼돈 특성에 의해 도파 광이 효과적으로 추출될 수 있게 된다.
그리고, 도 6의 근시야 출광 특성을 살펴보면, 비교예에서는 (c)에서와 같이 도파 광은 매우 작은 수준으로 출광되는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 원형 구조로 구성된 경우에, 도파 광은 대부분 외부로 추출되지 못하고 내부에서 갇혀 소멸된다 할 것이다.
반면에, 본 실시예에서는 (c)에서와 같이 상당량의 도파 광이 외부로 출광되는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 심장형 구조로 구성됨으로써, 그 혼돈 특성에 의해 도파 광이 효과적으로 추출될 수 있게 된다.
<제2실시예>
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 발광표시장치의 표시영역 내 화소영역의 배치 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
이하의 설명에서는, 전술한 제1실시예와 동일 유사한 구성에 대해서는 구체적인 설명을 생략할 수 있다.
도 7에서는, 설명의 편의를 위해, 발광표시장치(10)의 표시영역(AA)의 일부에 배치된 화소영역(P)을 도시하였다. 그리고, 화소영역(P)의 발광영역(EA)을 심장형 구조로 간략하게 도시하였다.
본 실시예의 화소영역(P)의 심장형 구조에 대해서는, 전술한 제1실시예를 참고할 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 발광표시장치(10)에는 다수의 화소영역(P)이 표시영역(AA) 내에 배치될 수 있다.
한편, 다수의 화소영역(P)은 서로 다른 컬러의 화소영역들, 예를 들어, 적색(R),녹색(G),청색(B)의 화소영역(P)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 제1,2행에 3개의 적색(R) 화소영역(P) 및 3개의 녹색(G) 화소영역(P)이 배치되고, 제3,4행에 6개의 청색(B) 화소영역(P)이 배치된 경우를 예로 든다. 물론, 적색(R),녹색(G),청색(B) 화소영역(P)의 개수 및 위치는 도 7과 다를 수 있다.
본 실시예의 발광표시장치(10)에서는, 정면 발광(또는 정면 출광) 특성을 강화시킬 수 있도록, 심장형 구조의 방위가 서로 반대되는 화소영역들(P) 예를 들어 제1방위 화소영역(Pz1)과 제2방위 화소영역(Pz2)이 함께 사용될 수 있다.
이에 대해 예를 들면, 제1방위 화소영역(Pz1)은, 그 커스프(CU)가 제1방위각 예를 들어 +y 방향인 0도에 위치할 수 있다. 그리고, 제2방위 화소영역(Pz2)은, 그 커스프(CU)가 제2방위각 예를 들어 -y 방향인 180도(또는 -180도)에 위치할 수 있다.
이러한 제1,2방위 화소영역(Pz1,Pz2)은, 적색(R),녹색(G),청색(B) 화소영역(P) 각각에 대해 적용될 수 있다.
이에 대해 예를 들면, 적색(R) 화소영역(P)에 대해, 제1행에는 적색(R)의 제1방위 화소영역(Pz1)이 배치되고, 제2행에는 적색(R)의 제2방위 화소영역(Pz2)이 배치될 수 있다. 그리고, 녹색(G) 화소영역(P)에 대해, 제1행에는 녹색(G)의 제1방위 화소영역(Pz1)이 배치되고, 제2행에는 녹색(G)의 제2방위 화소영역(Pz2)이 배치될 수 있다. 또한, 청색(B) 화소영역(P)에 대해, 제3행에는 청색(B)의 제1방위 화소영역(Pz1)이 배치되고, 제4행에는 청색(B)의 제2방위 화소영역(Pz2)이 배치될 수 있다.
이처럼, 각 컬러의 화소영역(P)에 대해, 일방향(예를 들어, 열방향)을 따라 제1,2방위 화소영역(Pz1,Pz2)이 교대로 배치될 수 있다.
이러한 제1,2방위 화소영역(Pz1,Pz2) 각각은 표시영역(AA) 내에서 균일하게 분포될 수 있으며, 제1방위 화소영역(Pz1)의 개수와 제2방위 화소영역(Pz2)의 개수는 실질적으로 동일할 수 있다.
이처럼, 심장형 구조가 서로 반대되는 방위 방향으로 배치된 제1,2방위 화소영역(Pz1,Pz2)를 조합하여 사용함으로써, 정면 발광 특성을 강화할 수 있게 된다.
이에 대해, 도 8을 함께 참조하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 심장형 구조의 화소영역의 출광 분포를 도시한 도면이다. 도 8의 출광 분포는, 변형 계수가 0.5이고, 반사부가 직선 형태를 가지면서 경사각이 45도인 경우의 출광 분포이다.
도 8에서는, 설명의 편의를 위해, 제2방위 화소영역(Pz2)의 출광 분포를 도시하였다. 제1방위 화소영역(Pz1)의 출광 분포는 도 8과는 좌우 반대가 된다.
도 8을 참조하면, 심장형 구조의 비대칭성으로 인해, 제2방위 화소영역(Pz2)에서 출력된 광에 대해, 기판 면에 수직한 정면(도 8의 0도 시야각)에서 해당 커스프(CU)가 바라보는 방향(즉, 도 7에서 +y 방향)으로 출광 커브가 조금 치우쳐진 비대칭 형태를 갖게 된다. 이에 따라, 표시영역(AA) 전체에 제2방위 화소영역(Pz2)만이 배치되면, 정면에서 일측(즉, 상측) 방향으로 치우쳐진 경사 시야각 방향에서 발광이 강화되고 상대적으로 정면 시야각의 발광은 다소 감소된다.
이에 대해, 본 실시예서와 같이, 심장형 구조의 방위가 서로 반대되는 제1,2방위 화소영역(Pz1,Pz2)를 함께 배치하게 되면, 발광 강화 방향을 정면으로 보정할 수 있게 된다.
즉, 제1방위 화소영역(Pz1)은 제2방위 화소영역(Pz2)과는 심장형 구조의 방위가 반대가 되므로, 출광 특성 또한 제2방위 화소영역(Pz2)과는 반대가 된다.
이에 따라, 제1방위 화소영역(Pz1)을 제2방위 화소영역(Pz2)와 함께 배치하게 되면, 결과적으로 서로 반대되는 비대칭 출광 특성(또는 비대칭 시야각 특성)이 평균화 되어 정면 방향을 기준으로 출광 분포가 실질적으로 대칭 형태를 가질 수 있므로, 결과적으로 정면 시야각 방향에서 발광 특성이 강화될 수 있게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 광 경로에 대한 혼돈 특성을 갖는 심장형 구조로 화소영역을 구성함으로써, 수평 방향의 도파 광은 그 경로가 혼돈되어 급격히 변경될 수 있게 되므로, 발광표시장치의 광추출 효율이 극대화될 수 있다.
그리고, 표시영역에 심장형 구조의 방위가 서로 반대되는 화소영역들을 함께 배치함으로써, 발광표시장치의 정면 시야각 방향에서 발광 특성이 강화될 수 있게 된다.
더욱이, 위와 같이, 본 실시예들에 따른 발광표시장치는 광 효율이 향상됨에 따라, 전력 소모가 절감될 수 있어 저전력으로 구동될 수 있게 된다.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
10: 발광표시장치 101: 기판
112: 반도체층 115: 게이트절연층
120: 게이트전극 125: 제1층간절연층
131: 소스전극 133: 드레인전극
135: 제2층간절연층 140: 오버코트층
141: 돌출부 145: 평탄부
150: 제1전극 151: 반사부
152: 평면부 160: 뱅크
165: 발광층 169: 제2전극
GR: 요입홈
OP: 개구
SSo: 돌출부의 경사면
SSb: 반사부의 경사면
AA: 표시영역
P: 화소영역
Pz1,Pz2: 제1,2방위 화소영역
CU: 심장형 구조의 커스프

Claims (17)

  1. 기판 상에, 표시영역의 다수의 화소영역 각각에 대응되는 개구를 갖는 뱅크와;
    상기 뱅크에 아래에, 상기 다수의 화소영역 각각에 배치된 경사진 반사부와;
    상기 개구에 배치된 발광다이오드를 포함하고,
    상기 다수의 화소영역 각각은, 해당 개구와 반사부가 커스프(cusp)를 갖는 심장형 구조로 구성되고,
    상기 다수의 화소영역은, 해당 심장형 구조가 제1방위에 위치하는 화소영역과, 해당 심장형 구조가 상기 제1방위과 반대인 제2방위에 위치하는 화소영역을 포함하는
    발광표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시영역 내에서, 상기 제1방위의 화소영역의 수와 상기 제2방위의 화소영역의 수는 동일한
    발광표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1,2방위의 화소영역은 일방향을 따라 교대로 배치된
    발광표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 화소영역은, 적색,녹색,청색 화소영역을 포함하고,
    상기 적색,녹색,청색 화소영역 각각은, 상기 제1,2방위의 화소영역을 포함하는
    발광표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 심장형 구조는, r = r0*(1+εcos(θ/2))로 정의되며,
    상기 θ는 방위각이고, r0는 상기 커스프에서의 반경이고, r은 θ에서의 반경이고, ε은 변형계수인
    발광표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구의 심장형 구조는, 해당 화소영역의 수평 방향의 광에 대한 공진을 구현하도록 구성된
    발광표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 제1전극과, 상기 제1전극 상의 발광층과, 상기 발광층 상의 제2전극을 포함하고,
    상기 반사부는 상기 제1전극에서 연장된
    발광표시장치.
  8. 기판 상의 표시영역에 배치된 다수의 화소영역 각각에, 뱅크의 측면과 상기 심장형 구조의 계면을 이루는 발광층을 포함하는 발광다이오드와;
    상기 뱅크 아래에, 상기 계면 외측에 배치된 경사진 반사부를 포함하고,
    상기 다수의 화소영역은, 해당 심장형 구조가 제1방위에 위치하는 화소영역과, 해당 심장형 구조가 상기 제1방위과 반대인 제2방위에 위치하는 화소영역을 포함하는
    발광표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 표시영역 내에서, 상기 제1방위의 화소영역의 수와 상기 제2방위의 화소영역의 수는 동일한
    발광표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1,2방위의 화소영역은 일방향을 따라 교대로 배치된
    발광표시장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 다수의 화소영역은, 적색,녹색,청색 화소영역을 포함하고,
    상기 적색,녹색,청색 화소영역 각각은, 상기 제1,2방위의 화소영역을 포함하는
    발광표시장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 심장형 구조는, r = r0*(1+εcos(θ/2))로 정의되며,
    상기 θ는 방위각이고, r0는 상기 심장형 구조의 커스프에서의 반경이고, r은 θ에서의 반경이고, ε은 변형계수인
    발광표시장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 계면의 심장형 구조는, 해당 화소영역의 수평 방향의 광에 대한 공진을 구현하도록 구성된
    발광표시장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 반사부는, 해당 화소영역의 상기 계면과 동일한 심장형 구조를 갖는
    발광표시장치.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는, 상기 발광층의 하부 및 상부에 각각 배치된 제1,2전극을 포함하고,
    상기 반사부는 상기 제1전극에서 연장된
    발광표시장치.
  16. 기판 상에, 적어도 하나의 화소영역에 대응되는 요입홈을 갖는 오버코트층;
    상기 요입홈의 경사면을 따라 배치되어 반사부를 갖는 제1전극;
    상기 제1전극 상에 배치되며 개구부를 갖는 뱅크와;
    상기 개구부에 배치되는 유기발광층과 제2전극을 포함하고,
    상기 요입홈, 상기 반사부 및 상기 개구부 중 적어도 두 개는 커스프(cusp)를 갖는 심장형 구조로 구성되는 발광표시장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 화소영역은 상기 개구부에 대응되는 제1발광영역과,
    상기 반사부에 대응되며 상기 제1 발광영역을 둘러싸는 제2발광영역을 갖고,
    상기 제2발광영역은 상기 커스프 구간에서 블랙 상태이거나 휘도가 낮아 비연속적인 발광표시장치.
KR1020220189144A 2022-12-29 발광표시장치 KR20240106358A (ko)

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