KR20240098234A - 고체 소스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치 제조 시스템 - Google Patents

고체 소스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치 제조 시스템 Download PDF

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KR20240098234A
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Abstract

실시예에 따른 고체소스 공급 장치는, 내부에 고체 소스 원료가 저장되고, 상기 고체 소스 원료를 가열하여 고체 소스 가스를 생성하는 제1 내지 제m 메인 캐니스터를 포함하는 메인 고체소스 공급부; 상기 메인 캐니스터와 배관 연결되어 상기 메인 캐니스터에서 생성한 고체 소스 가스를 공급받아 저장하고, 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하는 제1 내지 제n 서브 캐니스터를 포함하는 서브 고체소스 공급부; 및 상기 메인 고체소스 공급부와 서브 고체소스 공급부의 구동을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 공급하고 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 상기 제2 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 하고, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터에 고체 소스 가스를 공급하여 저장하도록 제어할 수 있다(단, 상기 m 및 n은 각각 2 이상의 자연수를 의미함).

Description

고체 소스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치 제조 시스템{Apparatus for supplying solid source and system for manufacturing semiconductor device including the same}
본 발명은 고체 소스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치 제조 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 평판 디스플레이, 발광다이오드 등과 같은 전자제품을 제조하기 위해서는 기판상에 박막을 증착하는 증착 공정을 수행하며, 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 서로 상이한 소스 물질들을 증착 장치의 반응 챔버 내부로 공급하여 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)이나 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD) 등을 통해 기판상에 원하는 두께의 박막을 형성하도록 하고 있다.
상기 소스 물질은 상온에서 액체 또는 고체 상태일 수 있으며, 일정량의 소 물질을 공급하기 위해서 캐니스터(canister)라는 용기에 소스 물질을 저장하고, 기체 상태가 되도록 소스 물질을 승화시켜 소스 가스를 생성하고, 생성한 소스 가스를 반응 챔버 내부로 공급하고 있으며, 일정량의 소스 가스를 균일하게 공급하기 위한 다양한 형태의 캐니스터 장치가 개발되어 활용되고 있다.
일례로, 고체 전구체 소스를 활용해 소스 가스를 제조하기 위해 활용되고 있는 기존의 캐니스터 장치는, 고체 전구체 소스를 저장하는 캐니스터 용기, 상기 캐니스터 용기에 설치되는 가열 수단, 캐리어 가스 유입 배관, 소스 가스 배출 배관, 소스 가스의 공급을 조절하는 조절 밸브 및 컨트롤러를 포함하는 구조를 갖는다.
상기와 같은 기존의 캐니스터 장치는 캐니스터(canister)에 담지된 고체 소스를 가열하여 승화된 기체를 형성하고, 이를 고체 소스로 반도체 장치의 제조에 직접 공급하는 방식을 활용하고 있다. 이와 같은 직접 공급 방식은 고체 소스의 사용량이 많을 경우 교체 주기가 짧아 복수 개의 캐니스터를 반도체 제조 설비에 연결해야만 하여 캐니스터의 설치 면적이 증가하고, 고체 소스의 공급 라인이 길어 고체 소스의 압력 및 온도 조절이 어려우며, 고체 소스 이송 중 공급 라인 상에서 고체 소스가 고체화(solidification)되는 현상이 쉽게 발생하여 파티클이 형성되고 형성된 파티클에 의해 공급 라인이 막혀 설비 가동이 중단되는 현상이 발생될 우려가 있어 이를 보완할 수 있는 방법에 대한 연구가 필요하다.
일 실시예에 따르면, 고체 전구체 소스의 교체로 인한 제조 설비의 구동 중단을 줄일 수 있고, 파티클 생성이나 배관 막힘 현상을 개선할 수 있는 고체 소스 공급 장치에 대한 기술 내용을 제공하고자 하는 것이다.
일 실시예에 따르면, 반도체 제조 설비에서 고체 소스 공급 수단까지의 거리를 증가시킬 수 있고, 고체 전구체 소스의 공급을 위한 고체소스 공급 장치를 중앙 장치화할 수 있는 고체소스 공급 장치에 관한 기술 내용을 제공하고자 하는 것이다.
일 실시예에 따른 고체소스 공급 장치는, 내부에 고체 소스 원료가 저장되고, 상기 고체 소스 원료를 가열하여 고체 소스 가스를 생성하는 제1 내지 제m 메인 캐니스터를 포함하는 메인 고체소스 공급부; 상기 메인 캐니스터와 배관 연결되어 상기 메인 캐니스터에서 생성한 고체 소스 가스를 공급받아 저장하고, 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하는 제1 내지 제n 서브 캐니스터를 포함하는 서브 고체소스 공급부; 및 상기 메인 고체소스 공급부와 서브 고체소스 공급부의 구동을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 공급하고 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 상기 제2 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 하고, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터에 고체 소스 가스를 공급하여 저장하도록 제어할 수 있다(단, 상기 m 및 n은 각각 2 이상의 자연수를 의미함).
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터의 온도를 각각 개별적으로 제어할 수 있고, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터의 온도를 각각 개별적으로 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 서브 캐니스터는, 상부에 상기 메인 캐니스터와 연결되어 고체 소스 가스를 공급하는 공급 배관, 상기 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 배출하는 배출 배관, 상기 공급 배관의 일측에 설치되는 공급 조절 밸브 및 상기 배출 배관의 일측에 설치되는 배출 조절 밸브를 포함하고, 내부에 수용공간이 형성되어 상기 고체 소스 가스를 공급받아 저장하는 용기 본체부; 상기 용기 본체부의 수용공간의 온도를 조절하는 적어도 하나 이상의 온도 조절부;를 포함하는 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 온도 조절부는, 상기 용기 본체부의 상부에 형성되는 상부 온도 조절부 및 상기 용기 본체부의 하부에 형성되는 하부 온도 조절부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 용기 본체부의 상부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도를 초과하는 온도로 가열되도록 상기 상부 온도 조절부의 구동을 제어하고, 상기 용기 본체부의 하부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도 이하가 되도록 상기 온도 조절부의 구동을 제어하여 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터에 각각 상기 고체 소스 가스를 응결시켜 저장하도록 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 제어하고, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하고, 생성한 고체 소스 가스를 상기 제1 서브 캐니스터에 공급하여 저장하도록 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 상기 공급 대상 영역으로 공급되는 과정에서, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터의 온도를 응결 온도 이상의 온도로 예비 가열하도록 하고, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 예비 가열한 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 제어할 수 있다.
한편, 실시예에 따른 반도체 장치 제조 시스템은, 기판을 처리하기 위한 반응 공간이 형성된 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치 및 상기 공정 챔버에 고체 소스 가스를 공급하는 전술한 고체소스 공급 장치를 포함하는 구조를 가질 수 있다.
한편, 실시예에 따른 고체가스 공급 방법은, 상기한 고체소스 공급 장치를 이용한 고체가스 공급 방법에 있어서, 메인 고체소스 공급부의 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나의 메인 캐니스터로부터 고체 소스 가스를 생성하고, 생성한 고체 소스 가스를 서브 고체소스 공급부의 제1 내지 제n 서브 캐니스터에 공급하여 저장하는 저장단계; 및 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 어느 하나에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하는 공급단계;를 포함하되, 상기 공급단계는, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하고 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역에 공급되도록 하고, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터에 고체 소스 가스를 공급할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 저장단계는, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 공급 배관을 통해 상기 고체 소스 가스가 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 어느 하나에 공급되면, 상기 용기 본체부의 상부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도를 초과하는 온도로 가열되도록 하고, 상기 용기 본체부의 하부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도 이하가 되도록 온도 조절부를 제어하여 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터에 각각 상기 고체 소스 가스를 응결시켜 저장할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 공급단계는, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되는 과정에서, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터의 온도를 응결 온도 이상의 온도로 예비 가열하도록 하고, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 예비 가열한 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 할 수 있다.
실시예에 따른 고체소스 공급 장치는, 복수 개의 대용량 메인 고체소스 공급부에서 고체 소스 가스를 생성하고 서브 고체소스 공급부로 공급하여 저장하는 기술적 구성을 통해 고체 소스의 사용량이 많아 교체 주기가 짧은 경우에도 제조 설비의 작동 중단없이 안정적으로 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급할 수 있다.
또한, 고체소스 공급을 위한 공급 배관의 압력 및 온도를 공정 진행에 필요한 조건으로 단시간에 조절할 수 있고, 공급 대상 영역과 비교적 단거리에 배치되는 서브 고체소스 공급부를 통해 고체 소스 가스를 공급할 수 있도록 함에 따라 고체 소스의 고체화(solidification)에 의한 파티클 발생과 공급 배관의 막힘 현상을 방지할 수 있으며, 대면적 설치 공간이 필요한 대용량 메인 고체소스 공급부가 시스템의 외부에 설치되고, 비교적 설치 공간이 작은 서브 고체소스 공급부가 시스템 내부에 설치되도록 구성할 수 있어 반도체 장치 제조 시스템의 소형화와 중앙공급 장치 구성이 용이하다.
도 1은 실시예에 따른 고체소스 공급 장치를 나타낸 구성도이다.
도 2는 실시예에 따른 고체소스 공급 장치에 구비되는 제1 서브 캐니스터를 나타낸 구조도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 고체소스 공급 장치가 고체소스를 공급하는 과정을 나타낸 구성도이다.
도 8은 실시예에 따른 반도체 제조 시스템을 나타낸 구성도이다.
도 1은 실시예에 따른 고체소스 공급 장치를 나타낸 구성도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 고체소스 공급 장치는, 메인 고체소스 공급부(110); 서브 고체소스 공급부(130); 및 제어부(150)를 포함하는 구조를 갖는다.
먼저, 메인 고체소스 공급부(110)는 내부에 고체 소스 원료가 저장되고, 상기 고체 소스 원료를 가열하여 고체 소스 가스를 후술할 서브 고체소스 공급부(130)에 공급하는 역할을 한다. 이를 위해, 상기 메인 고체소스 공급부(110)는 상기 고체 소스 원료를 가열하여 고체 소스 가스를 생성하는 제1 내지 제m 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)를 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이때, 상기 m은 2 이상의 자연수를 의미하는 것일 수 있다.
상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)는 고체 소스를 기화시켜 고체 소스 가스를 공급하기 위해 활용되는 통상적인 다양한 구조를 갖는 캐니스터를 이용해 구현할 수 있다. 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)는 -50 내지 200 ℃의 범위로 온도를 제어할 수 있어 다양한 고체 소스를 수용하여 고체 소스 가스를 공급할 수 있다.
상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)는 후술할 서브 캐니스터에 비해 고체 소스의 수용 용량이 큰 대용량 캐니스터를 이용해 구현할 수 있다.
또한, 메인 고체소스 공급부(110)는 적어도 2개 이상의 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)를 포함하는 구조를 가질 수 있다. 상기와 같이 적어도 2개 이상의 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)를 포함하는 메인 고체소스 공급부(110)는 복수 개의 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c) 중 어느 하나에 고체소스를 충전하고자 할 경우 충전이 필요한 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)에 고체 소스를 충전하는 과정 중 이외의 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)를 이용해 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)에 고체 소스 가스를 공급할 수 있다.
그리고, 메인 고체소스 공급부(110)는 고체 소스 가스를 단시간에 공급할 수 있도록 복수 개의 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)를 이용해 고체 소스 가스를 생성하여 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)로 각각 공급할 수 있다.
상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)는 각각 일측에 제1 배출 배관(113a, 113b, 113c)이 형성된 구조를 가지며, 상기 제1 배출 배관(113a, 113b, 113c)에는 제1 조절 밸브(mV1, mV2, mV3)가 각각 설치되어 고체 소스 가스의 공급을 조절하는 구조를 형성할 수 있다. 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)와 연결되는 복수 개의 제1 배출 배관(113a, 113b, 113c)은 각각 제1 메인 배출 배관(115)과 연결되어 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)에 고체 소스 가스를 각각 공급하는 구조를 형성할 수 있으며, 상기 제1 메인 배출 배관(115)에는 메인 조절 밸브(117)가 설치되어 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)에서 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)로 고체 소스 가스의 공급을 조절할 수 있다.
한편, 상기 서브 고체소스 공급부(130)는 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)와 연결되어 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)에서 생성한 고체 소스 가스를 공급받아 저장하고, 저장한 고체 소스 가스를 외부, 즉, 공급 대상 영역에 공급하는 역할을 한다.
상기 서브 고체소스 공급부(130)는 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)와 각각 배관 연결되어 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)에서 생성한 고체 소스 가스를 공급받아 저장하고, 저장한 고체 소스 가스를 외부에 공급하는 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)를 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이때, 상기 n은 2 이상의 자연수를 의미하는 것일 수 있다.
상기 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)는, 용기 본체부(1311) 및 상기 용기 본체부(1311)의 온도를 조절하기 위해 설치되는 적어도 하나 이상의 온도 조절부를 포함하는 구조를 가질 수 있다. 일례로, 상기 온도 조절부는 상기 용기 본체부(1311)의 상부에 형성되는 상부 온도 조절부(1313) 및 상기 용기 본체부의 하부에 형성되는 하부 온도 조절부(1315)를 포함하는 구조를 가질 수 있다.
도 2는 실시예에 따른 고체소스 공급 장치에 구비되는 제1 서브 캐니스터(131a)를 나타낸 구조도이다.
도 2를 참조하여 제1 서브 캐니스터(131a)를 예로 들어 각각의 서브 캐니스터의 구조를 상세히 살펴보면, 상기 용기 본체부(1311)는 내부에 수용공간이 형성된 용기 형상의 구조물로서, 상부로부터 고체 소스 가스를 공급받아 하부에 저장할 수 있으며, 고체 소스를 저장하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 용기 본체부(1311)는 상부 일측에 제1 메인 배출 배관(115)과 연결되는 공급 배관(133a, 133b, 133c, 133d)이 각각 연결되는 구조를 가지며, 이에 따라, 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)에서 공급되는 고체 소스 가스를 공급받아 저장할 수 있다. 상기 공급 배관(133a, 133b, 133c, 133d)에는 제2 공급 조절 밸브(sV1, sV2, sV3, sV4)가 각각 설치되어 고체 소스 가스의 공급을 조절하는 구조를 형성할 수 있다. 또한, 상기 용기 본체부(1311)는 상부 타측에 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 공급할 수 있도록 배출 배관(134a, 134b, 134c, 134d)이 연결되어 공급 대상 영역에 고체 소스 가스를 각각 공급하는 구조를 형성할 수 있다. 상기 배출 배관(134a, 134b, 134c, 134d)에는 배출 조절 밸브(sV5, sV6, sV7, sV8)가 각각 설치되어 상기 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)에서 고체 소스 가스의 배출을 조절할 수 있다. 상기 배출 배관(134a, 134b, 134c, 134d)은 제2 메인 배출 배관(135)과 연결되어 공급 대상 영역에 고체 소스 가스의 공급을 조절할 수 있다. 상기 제2 메인 배출 배관(135)에는 제2 메인 조절 밸브(137)가 설치되어 공급 대상 영역에 고체 소스 가스의 공급을 조절할 수 있다.
상기 상부 온도 조절부(1313)는 상기 용기 본체부(1311)의 상부에 형성되며, 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)와 연결된 제1 메인 배출 배관(115)으로부터 공급되는 고체 소스 가스를 가열하는 구조를 형성할 수 있다. 이에 따라, 상부 온도 조절부(1313)를 활용해 상기 용기 본체부(1311)의 상부가 상기 고체 소스 가스의 응결 온도를 초과하는 온도로 가열되도록 한다.
상기 하부 온도 조절부(1313)는 상기 용기 본체부(1311)의 하부에 형성되어 상기 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)의 내부 수용공간에 수용된 고체 소스 가스의 온도를 하부에서 응결 온도 이하가 되도록 낮추도록 하여 공급되는 고체 소스 가스를 고체화하여 응결시킨 상태로 저장할 수 있다.
또한, 상기 하부 온도 조절부(1315)는 상기 상부 온도 조절부(1313)와 함께 고체화시켜 저장한 고체 소스를 가열하여 고체 소스 가스를 생성하는 역할 또한 함께 수행할 수 있다.
상기와 같은 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)는 고체 소스를 기화시켜 고체 소스 가스를 공급하기 위해 활용되는 통상적인 다양한 구조를 갖는 캐니스터를 이용해 구현할 수 있다. 상기 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)는 -50 내지 200 ℃의 범위로 온도를 제어할 수 있어 다양한 고체 소스를 수용하여 고체 소스 가스를 공급할 수 있다.
상기 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)는 고체 소스 가스를 메인 캐니스터로(111a, 111b, 111c)부터 공급받아 저장할 경우 상부 온도 조절부(1313)는 고체 소스 가스의 증기압을 유지할 수 있도록 가열하고, 하부 온도 조절부(1315)는 고체 소스 가스가 응결될 수 있도록 온도를 조절하여 고체 소스 가스를 고체화하여 고체 소스의 형태로 저장하도록 구성할 수 있다.
상기 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)는 공정 진행시 상부 온도 조절부(1313) 및 하부 온도 조절부(1315) 모두를 이용해 가열하여 공급 대상 영역의 공정에 필요한 증기압과 고체 소스 가스를 생성하기 위한 가열 온도를 유지시키도록 하여 공급 대상 영역에 고체 소스 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)는 각각 감지 모듈(미도시)이 설치되어 고체 소스 가스의 저장량을 검출할 수 있으며, 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 범위 이하가 될 경우 고체 소스의 충전을 위한 충전 신호를 생성해 제어부(150)에 전송할 수 있으며, 상기 제어부(150)는 해당 서브 캐니스터의 구동을 중단하고 고체 소스 가스가 저장된 다른 서브 캐니스터를 통해 공정 대상 영역에 고체 소스 가스를 공급하도록 제어할 수 있다.
한편, 상기 제어부(150)는, 상기 메인 고체소스 공급부(110)와 서브 고체소스 공급부(130)의 구동을 제어하는 역할을 한다.
구체적으로, 상기 제어부(150)는, 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 공급하고 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 상기 제2 서브 캐니스터(131b)에 저장한 고체 소스 가스가 외부로 공급되도록 하고, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c) 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 고체 소스 가스를 공급하여 저장하도록 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부(150)는, 상기 제1 메인 배출 배관(115)을 통해 상기 고체 소스 가스가 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d) 중 어느 하나에 공급되면, 상기 상부 온도 조절부(1313)가 상기 본체부(1311)의 상부에서 상기 고체 소스 가스를 응결 온도를 초과하는 온도로 가열하도록 하고, 상기 하부 온도 조절부(1315)는 상기 본체부(1311)의 하부에서 상기 고체 소스 가스가 응결 온도 이하의 온도가 되도록 제어하여 상기 고체 소스 가스를 응결시키도록 하여 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)에 상기 고체 소스 가스를 고체화하여 저장하도록 제어할 수 있다.
특히, 상기 서브 고체소스 공급부(130)는, 복수 개의 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)를 포함할 수 있으며, 상기 제어부(150)는, 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스가 모두 외부로 공급되면 제2 서브 캐니스터(131b)에 저장한 고체 소스 가스가 외부로 공급되도록 하고, 제3 서브 캐니스터(131c)의 하부 온도 조절부(1315)의 온도를 응결 온도를 초과하는 온도로 예비 가열하며, 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c) 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 공급하여 저장하도록 제어할 수 있다. 도 1에는 총 4개의 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)가 설치된 구조로 도시되어있으나, 서브 캐니스터의 개수는 선택적으로 조절할 수 있다.
또한, 상기 서브 고체소스 공급부(130)는, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 제어할 수 있다. 이때, 상기 나머지 서브 캐니스터는 제2 서브 캐니스터(131b)일 수 있으며 제3 서브 캐니스터(131c)일 수도 있다. 이와 같은 경우 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로의 공급시간이 충분히 길 경우 단지 2개의 서브 캐니스터를 설치하는 경우에도 이와 같은 방식으로 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부(150)는, 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스가 상기 공급 대상 영역으로 공급되는 과정에서, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d) 중 상기 제1 서브 캐니스터(131a)를 제외한 나머지 서브 캐니스터(131b, 131c, 131d) 중 어느 하나의 서브 캐니스터의 온도를 응결 온도 이상의 온도로 예비 가열하도록 하고, 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터(131a)의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 예비 가열한 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 제어할 수 있다.
이하에서는, 총 4개의 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)가 설치된 구조를 갖는 고체소스 공급 장치(100)를 예로 들어 고체 소스 가스를 공급하는 과정을 나타낸 설명하도록 한다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 고체소스 공급 장치(100)가 고체 소스 가스를 공급하는 과정을 나타낸 구성도이다.
도 3을 참조하면, 실시예에 따른 고체소스 공급 장치(100)는, 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 공급할 수 있다. 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 제1 서브 캐니스터(131a)에서 고체 소스 가스의 공급을 중단하도록 한다.
도 4를 참조하면, 실시예에 따른 고체소스 공급 장치(100)는, 제1 서브 캐니스터(131a)에서 고체 소스 가스의 공급을 중단하도록 함과 동시에 상기 제2 서브 캐니스터(131b)에 저장한 고체 소스 가스가 외부로 공급되도록 한다. 상기 제2 서브 캐니스터(132a)에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 제3 서브 캐니스터(133a)에서 고체 소스 가스의 공급을 중단하도록 한다. 이와 동시에 제1 서브 캐니스터(131a)에 고체 소스 가스를 충전하고 제1 서브 캐니스터(131a)에 공급되는 고체 소스 가스를 고체화시켜 고체 소스로 저장하도록 한다.
도 5를 참조하면, 실시예에 따른 고체소스 공급 장치(100)는, 제2 서브 캐니스터(131b)에서 고체 소스 가스의 공급을 중단하도록 함과 동시에 상기 제3 서브 캐니스터(131c)에 저장한 고체 소스 가스가 외부로 공급되도록 한다. 이와 동시에 제1 서브 캐니스터(131a) 및 제2 서브 캐니스터(131b)에 고체 소스 가스를 충전하고 제1 서브 캐니스터(131a) 및 제2 서브 캐니스터(131b)에 공급되는 고체 소스 가스를 고체화시켜 고체 소스로 저장하도록 한다.
도 6을 참조하면, 실시예에 따른 고체소스 공급 장치(100)는, 제3 서브 캐니스터(131c)에서 고체 소스 가스의 공급을 중단하도록 함과 동시에 상기 제4 서브 캐니스터(131d)에 저장한 고체 소스 가스가 외부로 공급되도록 한다. 이와 동시에 제1 서브 캐니스터(131a)를 예비 가열하여 상기 제4 서브 캐니스터(131d)에서 고체 소스 가스의 공급이 완료되면 즉시 제1 서브 캐니스터(131a)에서 즉시 고체 소스 가스를 공급하도록 한다. 상기 예비 가열은 제1 서브 캐니스터(131a)에서 고체 소스 가스의 공급하는 경우 제2 서브 캐니스터(131b)를 예비가열하고, 제2 서브 캐니스터(131b)에서 고체 소스 가스의 공급하는 경우에도 제3 서브 캐니스터(131c)를 예비가열하는 과정을 포함하는 것은 자명하다 할 것이다.
도 7을 참조하면, 실시예에 따른 고체소스 공급 장치(100)는, 제4 서브 캐니스터(131d)에서 고체 소스 가스의 공급을 중단하도록 함과 동시에 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스가 외부로 공급되도록 한다. 이때, 제2 서브 캐니스터(131b)에 저장한 고체 소스를 예비 가열하도록 하며, 이와 동시에 제3 서브 캐니스터(131c) 및 제4 서브 캐니스터(131d)에 고체 소스 가스가 공급되도록 한다.
상기와 같은 구조를 갖는 고체소스 공급 장치(100)는 메인 고체소스 공급부(110)에 저장한 고체 소스를 가열하여 승화된 기체 상태의 고체 소스 가스를 생성하고, 점진적인 온도구배를 갖는 공급 배관을 통해 후술할 서브 고체소스 공급부(130)로 공급하며, 서브 고체소스 공급부(130)는 기체 상태로 공급받은 고체 소스 가스를 냉각에 의해 고체화하여 저장한다.
이에 따라, 메인 고체소스 공급부(110)는 공급 대상 영역에서 수행하는 공정진행에 충분한 증기압과 시간당 고체 소스 가스의 사용량을 충당할 필요가 없기 때문에 기존의 고체소스 공급 장치에 비해 비교적 낮은 온도와 압력으로 제어되어도 되며, 메인 고체소스 공급부(110)부터 서브 고체소스 공급부(130)까지 온도 구배를 갖게 하기에 더 용이하고, 이에 의해 파티클 생성이나 배관 막힘 현상을 현저히 개선할 수 있다.
또한, 메인 고체소스 공급부(110)는 공급 대상 영역과 이격거리가 먼 경우에도 안정적으로 고체 소스 가스를 공급할 수 있으며, 정밀한 온도 제어의 필요성이 낮아져 중앙공급 장치화가 용이하다.
또한, 상기 제어부(150)는 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)를 각각 서로 다른 온도를 갖도록 제어하고, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)를 각각 서로 다른 온도를 갖도록 제어할 수 있다. 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c) 및 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)는 각각 -50 내지 200 ℃까지 온도를 자유롭게 제어할 수 있으며, 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)의 공급 배관 및 배출 배관과 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)의 배출 배관의 온도를 각각 제어하는 구조를 형성할 수 있으며, 전술한 공급 배관과 배출 배관에는 온도 조절 수단이 설치될 수 있다.
일반적으로, 공정 대상 영역에 고체 소스 가스를 공급하는 경우 공정 압력과 단위 시간당 소모되는 사용량에 맞게 동일한 량의 고체 소스 가스가 증기압을 유지하는 상태로 공급되어야 하기 때문에 상대적으로 높은 증기압을 유지시키도록 하기 위해서는 가열 및 항온 조건이 필요하여 고체 소스의 공급 경로를 길게하기 어려운 단점이 있다.
실시예에 따른 고체소스 공급 장치(100)는, 공급 대상 영역에 고체 소스 가스를 공급하기 위해서는 충분한 증기압과 시간당 사용량을 충당하기 위해 적정 온도로 고체 소스를 가열해야 하며, 공급 대상 영역에 직접 사용되지 않은 예비 서브 캐니스터는 직접 사용을 대비해 예열을 진행할 수 있다.
한편, 도 8은 실시예에 따른 반도체 장치 제조 시스템을 나타낸 구성도이다.
도 8을 참조하면, 실시예에 따른 반도체 장치 제조 시스템은, 기판 처리 장치(미도시) 및 전술한 구조를 갖는 고체소스 공급 장치(100)를 포함하는 구조를 갖는다.
먼저, 기판 처리 장치(미도시)는 기판 상에 박막을 증착하기 위해 활용되는 통상적인 다양한 형태의 구조의 화학 기상 증착 장치 또는 원자층 증착 장치일 수 있다. 구체적으로, 상기 기판 처리 장치는 기판을 처리하기 위한 반응 공간이 형성된 공정 챔버(210), 기판이 안착되는 기판 지지부, 상기 고체소스 공급 장치(100)와 연결되어 기판에 가스를 분사하는 가스 분사부를 포함하는 구조를 갖는 것일 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 RF 전원부를 포함하여 플라즈마를 생성해 기판 상에 박막을 증착하기 위해 활용되는 박막 증착 장치일 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 샤워헤드에 배관 연결되어 상기 공정 챔버(210)에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부와 반응가스 공급부 및 제2 메인 공급 배관과 연결되는 퍼지 가스 공급부를 포함하는 구조를 가질 수 있다.
상기 고체소스 공급 장치(100)의 제2 메인 조절 밸브(137)에는 상기 고체 소스 가스의 공급량을 확인할 수 있도록 유량 제어 유닛(MFC, 138)이 설치되는 구조를 가질 수 있다.
한편, 실시예에 따른 고체가스 공급 방법은 전술한 바와 같은 고체소스 공급 장치를 이용해 고체소스 가스를 공급할 수 있으며, 저장 단계 및 공급 단계를 포함할 수 있다.
상기 저장 단계에서는, 메인 고체소스 공급부(110)의 제1 내지 제m 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c) 중 적어도 어느 하나의 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c)로부터 고체 소스 가스를 생성하고, 생성한 고체 소스 가스를 서브 고체소스 공급부(130)의 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)에 공급하여 저장할 수 있다.
상기 저장단계에서는, 공급 배관을 통해 상기 고체 소스 가스가 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d) 중 어느 하나에 공급되면, 서브 캐니스터의 상부 온도 조절부(1313)가 본체부(1311)의 상부에서 상기 고체 소스 가스를 응결 온도를 초과하는 온도로 가열하도록 하고, 하부 온도 조절부(1315)는 상기 본체부(1311)의 하부에서 상기 고체 소스 가스가 응결 온도 이하의 온도가 되도록 조절하여 상기 고체 소스 가스를 응결시키도록 제어하여 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d)에 상기 고체 소스 가스를 저장할 수 있다.
또한, 상기 공급 단계에서는, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터(131a, 131b, 131c, 131d) 중 어느 하나에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급할 수 있다.
상기 공급단계에서는, 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하고 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에서 고체 소스 가스의 공급을 중단하며, 상기 제2 서브 캐니스터(131b)에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역에 공급되도록 하고, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c) 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 고체 소스 가스를 공급할 수 있다. 이때, 제어부(150)는 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에서 고체 소스 가스를 공급하는 중에는 제2 서브 캐니스터(131b)를 예비가열하도록 구성할 수 있으며, 고체 소스 가스의 공급량에 따라 제3 서브 캐니스터(131c) 또한 예비가열하도록 구성할 수도 있다.
상기 공급단계는, 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 제2 서브 캐니스터(131b)에 저장한 고체 소스 가스가 외부로 공급되도록 하고, 제3 서브 캐니스터(131c)의 하부 온도 조절부(1315)의 온도를 응결 온도를 초과하는 온도로 예비 가열하며, 상기 메인 캐니스터(111a, 111b, 111c) 중 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터(131a)에 공급하여 저장할 수 있다.
그리고, 상기와 같은 고체 소스의 공급과 저장을 반복 수행하여 공급 대상 영역에 고체 소스 가스를 공급할 수 있다. 상기 공급 대상 영역은 기판 처리를 위한 공정 챔버(210)일 수 있으나 이에 제한받지 않는다.
상기한 바와 같은 실시예에 따른 고체소스 공급 장치는, 복수 개의 대용량 메인 고체소스 공급부에서 고체 소스 가스를 생성하여 서브 고체소스 공급부로 공급하여 저장하는 기술적 구성을 통해 고체 소스의 사용량이 많아 교체 주기가 짧은 경우에도 제조 설비의 작동 중단없이 안정적으로 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급할 수 있다.
또한, 고체소스 공급을 위한 공급 배관의 압력 및 온도를 공정 진행에 필요한 조건으로 단시간에 조절할 수 있고, 공급 대상 영역과 비교적 단거리에 배치되는 서브 고체소스 공급부를 통해 고체 소스 가스를 공급할 수 있도록 함에 따라 고체 소스의 고체화(solidification)에 의한 파티클 발생과 공급 배관의 막힘 현상을 방지할 수 있으며, 대면적 설치 공간이 필요한 대용량 메인 고체소스 공급부가 시스템의 외부에 설치되고, 비교적 설치 공간이 작은 서브 고체소스 공급부가 시스템 내부에 설치되도록 구성할 수 있어 반도체 장치 제조 시스템의 소형화와 중앙공급 장치 구성이 용이하다.
100 : 고체가스 공급 장치
110 : 메인 고체소스 공급부
130 : 서브 고체소스 공급부
150 : 제어부
210 : 공정 챔버

Claims (10)

  1. 내부에 고체 소스 원료가 저장되고, 상기 고체 소스 원료를 가열하여 고체 소스 가스를 생성하는 제1 내지 제m 메인 캐니스터를 포함하는 메인 고체소스 공급부;
    상기 메인 캐니스터와 배관 연결되어 상기 메인 캐니스터에서 생성한 고체 소스 가스를 공급받아 저장하고, 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하는 제1 내지 제n 서브 캐니스터를 포함하는 서브 고체소스 공급부; 및
    상기 메인 고체소스 공급부와 서브 고체소스 공급부의 구동을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 공급하고 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 상기 제2 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 하며, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터에 고체 소스 가스를 공급하여 저장하도록 제어하는 고체소스 공급 장치(단, 상기 m 및 n은 각각 2 이상의 자연수를 의미함).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터의 온도를 각각 개별적으로 제어할 수 있고,
    상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터의 온도를 각각 개별적으로 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 고체소스 공급 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 서브 캐니스터는,
    상부에 상기 메인 캐니스터와 연결되어 고체 소스 가스를 공급하는 공급 배관, 상기 고체 소스 가스를 공급 대상 영역으로 배출하는 배출 배관, 상기 공급 배관의 일측에 설치되는 공급 조절 밸브 및 상기 배출 배관의 일측에 설치되는 배출 조절 밸브를 포함하고, 내부에 수용공간이 형성되어 상기 고체 소스 가스를 공급받아 저장하는 용기 본체부; 및
    상기 용기 본체부의 수용공간의 온도를 조절하는 적어도 하나 이상의 온도 조절부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체소스 공급 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 온도 조절부는,
    상기 용기 본체부의 상부에 형성되는 상부 온도 조절부 및 상기 용기 본체부의 하부에 형성되는 하부 온도 조절부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 용기 본체부의 상부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도를 초과하는 온도로 가열되도록 상기 상부 온도 조절부의 구동을 제어하고,
    상기 용기 본체부의 하부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도 이하가 되도록 상기 온도 조절부의 구동을 제어하여 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터에 각각 상기 고체 소스 가스를 응결시켜 저장하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 고체소스 공급 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 제어하고,
    상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하고, 생성한 고체 소스 가스를 상기 제1 서브 캐니스터에 공급하여 저장하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 고체소스 공급 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 상기 공급 대상 영역으로 공급되는 과정에서,
    상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터의 온도를 응결 온도 이상의 온도로 예비 가열하도록 하고, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 예비 가열한 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 고체소스 공급 장치.
  7. 기판을 처리하기 위한 반응 공간이 형성된 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치 및
    상기 공정 챔버에 고체 소스 가스를 공급하는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 고체소스 공급 장치를 포함하는 반도체 장치 제조 시스템.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 고체소스 공급 장치를 이용한 고체가스 공급 방법에 있어서,
    제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나의 메인 캐니스터로부터 고체 소스 가스를 생성하고, 생성한 고체 소스 가스를 제1 내지 제n 서브 캐니스터에 공급하여 저장하는 저장단계; 및
    상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 어느 하나에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하는 공급단계;를 포함하되,
    상기 공급단계는,
    상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스를 공급 대상 영역에 공급하고 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스의 저장량이 미리 설정된 값 이하가 되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역에 공급되도록 하고, 상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 고체 소스 가스를 생성하여 상기 제1 서브 캐니스터에 고체 소스 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 고체가스 공급 방법(단, 상기 m 및 n은 각각 2 이상의 자연수를 의미함).
  9. 제8항에 있어서,
    상기 저장단계는,
    상기 제1 내지 제m 메인 캐니스터 중 적어도 어느 하나에서 공급 배관을 통해 상기 고체 소스 가스가 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 어느 하나에 공급되면, 상기 용기 본체부의 상부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도를 초과하는 온도로 가열되도록 하고, 상기 용기 본체부의 하부는 상기 고체 소스 가스의 응결 온도 이하가 되도록 온도 조절부를 제어하여 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터에 각각 상기 고체 소스 가스를 응결시켜 저장하는 것을 특징으로 하는 고체가스 공급 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 공급단계는,
    상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되는 과정에서, 상기 제1 내지 제n 서브 캐니스터 중 상기 제1 서브 캐니스터를 제외한 나머지 서브 캐니스터 중 어느 하나의 서브 캐니스터의 온도를 응결 온도 이상의 온도로 예비 가열하도록 하고, 상기 제1 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 모두 공급 대상 영역으로 공급되면 상기 제1 서브 캐니스터의 고체 소스 가스의 공급을 중단하고, 예비 가열한 서브 캐니스터에 저장한 고체 소스 가스가 공급 대상 영역으로 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 고체가스 공급 방법.
KR1020220179302A 2022-12-20 고체 소스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치 제조 시스템 KR20240098234A (ko)

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