KR20240077193A - Multiple quantum dot and method for preparation thereof - Google Patents

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김용우
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김동준
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Abstract

본 명세서는 다중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다. 본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점은 카드뮴계 양자점을 포함하지 않으므로, 환경 친화적이다.The present specification is intended to provide multi-shell quantum dots and a method of manufacturing the same. The multi-shell quantum dots described herein do not contain cadmium-based quantum dots and are therefore environmentally friendly.

Description

다중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법{MULTIPLE QUANTUM DOT AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF}Multi-shell quantum dot and method for manufacturing same {MULTIPLE QUANTUM DOT AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF}

본 발명은 다중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to multi-shell quantum dots and methods for manufacturing the same.

양자점(Quantum dot, QD)은 나노 크기의 반도체 물질로서, 크기가 나노스케일로 작아질수록 밴드갭(Band gqp)이 더욱 커지는 양자 제한 효과(Quantum confinement effect)에 의해 에너지 밀도가 늘어나는 특성을 나타낸다. 따라서, 양자점의 크기를 조절하여 가시광에 해당하는 밴드갭을 획득할 수 있다. 또한, 다이렉트 밴드갭(Direct band gap)을 갖는 양자점의 경우, 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.Quantum dot (QD) is a nano-sized semiconductor material that exhibits the characteristic of increasing energy density due to the quantum confinement effect, in which the band gap (Band gqp) increases as the size decreases to the nanoscale. Therefore, it is possible to obtain a band gap corresponding to visible light by adjusting the size of the quantum dots. Additionally, in the case of quantum dots having a direct band gap, luminous efficiency can be further improved.

상기 양자점은 가시광선 영역에서 파장을 쉽게 조절할 수 있고, 광 안정성이 뛰어나므로, 이를 산업적으로 광범위하게 이용할 수 있다. 양자점을 산업적으로 이용한 대표 사례는 발광 다이오드(Light emitting diodes, LED)이며, 상기 발광 다이오드는 일반 조명뿐만 아니라 디스플레이 장치의 백라이트 유닛 등으로 다양하게 사용될 수 있다. 따라서, 양자점의 산업적 요구가 크다.Since the quantum dots can easily adjust the wavelength in the visible light region and have excellent light stability, they can be widely used industrially. A representative example of industrial use of quantum dots is light emitting diodes (LEDs), and the light emitting diodes can be used in a variety of ways, such as backlight units of display devices as well as general lighting. Therefore, the industrial demand for quantum dots is great.

주로, 종래의 양자점 분야에서, 카드뮴(Cd)계 양자점이 널리 알려져 있으나, 카드뮴계 양자점은 높은 독성을 갖고 환경에 잠재적 위험을 갖기 때문에, 그 적용분야가 매우 제한되는 단점을 갖는다. Mainly, in the field of conventional quantum dots, cadmium (Cd)-based quantum dots are widely known, but cadmium-based quantum dots have the disadvantage of being highly toxic and potentially hazardous to the environment, so their application fields are very limited.

현재, 카드뮴계 양자점의 단점을 극복하기 위해, 다른 물질로 구성된 양자점이 개발되고 있으며, 그 중 인듐(In)계 양자점의 개발도 다양한 측면에서 시도되고 있다. 그러나 인듐계 양자점은 상기 카드뮴계 양자점에 비해 양자 수율이 매우 낮고, 제조 공정이 복잡하며, 외부 환경에 취약한 문제가 있다. Currently, in order to overcome the shortcomings of cadmium-based quantum dots, quantum dots composed of other materials are being developed, and among them, the development of indium (In)-based quantum dots is also being attempted in various aspects. However, indium-based quantum dots have a very low quantum yield compared to the cadmium-based quantum dots, the manufacturing process is complicated, and they are vulnerable to the external environment.

따라서, 인듐계 양자점이 갖는 상기 문제를 해결하고, 동시에 인듐계 양자점의 양자효율, 광화학적 안정성, 형광 특성 등의 물성을 개선하고, 제조 공정의 효율성을 개선할 필요가 있다. Therefore, there is a need to solve the above problems of indium-based quantum dots, and at the same time improve physical properties such as quantum efficiency, photochemical stability, and fluorescence characteristics of indium-based quantum dots, and improve the efficiency of the manufacturing process.

본 명세서는 다중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.The present specification is intended to provide multi-shell quantum dots and a method of manufacturing the same.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, In 함유-코어 및 Zn 함유-다중 쉘을 포함하고, 상기 Zn 함유-다중 쉘은 Se를 포함하는 제1 쉘 및 S를 포함하는 제2 쉘을 포함하며, 상기 In 함유-코어의 최대 흡광파장은 510 nm 내지 540 nm의 범위에서 나타나는 것인 다중 쉘 양자점을 제공한다.In one embodiment of the present specification, it includes an In-containing core and a Zn-containing multiple shell, and the Zn-containing multiple shell includes a first shell containing Se and a second shell containing S, and the Provides multi-shell quantum dots where the maximum absorption wavelength of the In-containing core appears in the range of 510 nm to 540 nm.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전구체 용액, 제2 전구체 용액 및 제3 전구체 용액을 준비하는 단계; 270 ℃ 이상의 온도에서 In계 화합물 및 계면활성제의 반응 후, 실온으로 냉각하여 하기 식(1)을 만족하는 In 함유-코어를 형성하는 단계; 300 ℃ 이상의 온도에서 상기 In 함유-코어 상에 상기 제1 전구체 용액 및 상기 제2 전구체 용액을 주입하여 제1 쉘을 형성하는 단계; 및 상기 제1 쉘 상에 상기 제1 전구체 용액 및 상기 제3 전구체 용액을 주입하여 제2 쉘을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 전구체 용액은 Zn 함유 화합물, 분산제 및 유기 용매를 포함하고, 상기 제2 전구체 용액은 Se 분말 및 유기 용매를 포함하고, 상기 제3 전구체 용액은 S 분말 및 계면활성제를 포함하는 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법을 제공한다.Additionally, in one embodiment of the present specification, preparing a first precursor solution, a second precursor solution, and a third precursor solution; After reacting the In-based compound and the surfactant at a temperature of 270° C. or higher, cooling to room temperature to form an In-containing core that satisfies the following formula (1); forming a first shell by injecting the first precursor solution and the second precursor solution onto the In-containing core at a temperature of 300° C. or higher; and forming a second shell by injecting the first precursor solution and the third precursor solution onto the first shell, wherein the first precursor solution includes a Zn-containing compound, a dispersant, and an organic solvent, The second precursor solution includes Se powder and an organic solvent, and the third precursor solution includes S powder and a surfactant.

510 nm ≤ In 함유-코어의 최대 흡광파장 ≤ 540 nm - 식 (1)510 nm ≤ Maximum absorption wavelength of In-containing core ≤ 540 nm - Equation (1)

본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점은 카드뮴계 양자점을 포함하지 않으므로, 환경 친화적이다. The multi-shell quantum dots described herein do not contain cadmium-based quantum dots and are therefore environmentally friendly.

본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점은 종래 양자점에 비해 코어와 쉘 간의 격자 결합을 최소화할 수 있다.The multi-shell quantum dots described herein can minimize lattice coupling between the core and shell compared to conventional quantum dots.

본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점은 좁은 반치폭을 갖고, 색 재현성이 우수하며, 또는 양자효율이 높다.The multi-shell quantum dots described herein have a narrow half width, excellent color reproducibility, or high quantum efficiency.

본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점은 발광 다이오드의 백라이트 유닛, 액정표시장치, 조명기기, 태양전지, 바이오 센서 등의 다양한 산업 분야에 적용될 수 있다.The multi-shell quantum dots described in this specification can be applied to various industrial fields such as backlight units of light emitting diodes, liquid crystal displays, lighting devices, solar cells, and biosensors.

본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법은 코어의 인위적인 추가 성장을 유도하지 않고도 적색 발광이 용이하게 달성될 수 있다.The multi-shell quantum dots and their manufacturing method described herein can easily achieve red light emission without inducing artificial additional growth of the core.

본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법은 코어의 인위적인 추가 성장을 유도하지 않기 때문에, 추가 핵 형성 없이 균일한 코어 합성이 가능하며, 이에 따라 양자효율 및 안정성이 개선될 수 있다. Since the multi-shell quantum dots and their manufacturing method described herein do not induce artificial additional growth of the core, uniform core synthesis is possible without additional nucleation formation, and quantum efficiency and stability can be improved accordingly.

본 명세서에 기재된 다중 쉘 양자점의 제조 방법은 제조 공정마다 전구체의 주입량을 조절하거나 전구체의 종류를 변경이 가능하고, 이에 따라 효율적인 다중 쉘 양자점의 제조가 가능하다. 특히, 셀레늄 전구체의 변경 및/또는 이의 주입량을 조절하여 코어의 추가 성장 없이도 높은 양자효율과 우수한 안정성을 달성하는 다중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법을 구현할 수 있다.The method for manufacturing multi-shell quantum dots described in this specification allows adjusting the injection amount of the precursor or changing the type of precursor for each manufacturing process, thereby enabling efficient production of multi-shell quantum dots. In particular, by changing the selenium precursor and/or controlling its injection amount, a multi-shell quantum dot and its manufacturing method that achieve high quantum efficiency and excellent stability without additional growth of the core can be implemented.

도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 코어의 흡광 스펙트럼이다.
도 2 및 5는 본 발명의 일 실시상태에 따른 다중 쉘 양자점의 발광 스펙트럼이다.
도 3은 본 발명의 일 실시상태에 따른 다중 쉘 양자점의 양자효율 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시상태에 따른 다중 쉘 양자점의 입자에 대한 TEM 사진이다.
도 6은 비교예 2의 코어 입자에 대한 TEM 사진이다.
1 is an absorption spectrum of a core according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 and 5 are emission spectra of multi-shell quantum dots according to an exemplary embodiment of the present invention.
Figure 3 is a graph of quantum efficiency of multi-shell quantum dots according to an exemplary embodiment of the present invention.
Figure 4 is a TEM photograph of particles of multi-shell quantum dots according to an exemplary embodiment of the present invention.
Figure 6 is a TEM photograph of the core particle of Comparative Example 2.

이하, 도면을 참고하여, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명할 것이다. 본 발명은 다양한 형태로 변경 및 구현될 수 있으며, 본 명세서에 기재된 구현예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice it. The present invention may be modified and implemented in various forms, and is not limited to the embodiments described herein.

본 명세서 및 청구범위에 사용되는 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정 해석되지 아니하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. Terms and words used in this specification and claims are not to be construed limited to their ordinary or dictionary meanings, and the inventor can appropriately define the concept of terms to explain his or her invention in the best way. It must be interpreted based on the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is said to “include” a certain element, this means that it may further include other elements rather than excluding other elements, unless specifically stated to the contrary.

명세서 전체 기재에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 다중 쉘 양자점을 제공한다.In one embodiment of the present invention, multi-shell quantum dots are provided.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 다중 쉘 양자점은 In 함유-코어 및 Zn 함유-다중 쉘을 포함하고, 상기 Zn 함유-다중 쉘은 Se를 포함하는 제1 쉘 및 S를 포함하는 제2 쉘을 포함하며, 상기 In 함유-코어의 최대 흡광파장은 510 nm 이상 540 nm 이하의 영역에서 나타날 수 있다.In one embodiment of the present invention, the multi-shell quantum dot includes an In-containing core and a Zn-containing multi-shell, wherein the Zn-containing multi-shell includes a first shell containing Se and a second shell containing S. Including, the maximum absorption wavelength of the In-containing core may appear in the region of 510 nm or more and 540 nm or less.

본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 In 함유-코어의 최대 흡광파장은 약 510 nm 이상, 약 511 nm 이상, 약 512 nm 이상, 약 513 nm 이상, 약 514 nm 이상, 약 515 nm 이상, 또는 약 516 nm 이상의 영역에서 나타날 수 있거나, 또는 540 nm 이하, 약 539 nm 이하, 약 538 nm 이하, 약 537 nm 이하, 또는 약 536 nm 이하의 영역에서 나타날 수 있다.In another embodiment of the present invention, the maximum absorption wavelength of the In-containing core is about 510 nm or more, about 511 nm or more, about 512 nm or more, about 513 nm or more, about 514 nm or more, about 515 nm or more, or It may appear in a region of about 516 nm or less, or it may appear in a region of 540 nm or less, about 539 nm or less, about 538 nm or less, about 537 nm or less, or about 536 nm or less.

본 명세서에서, 최대 흡광파장은 코어의 제조 후, UV/Vis 분광광도계(UV/Vis Spectrophotometer, PerkinElmer 사, Lambda 35 모델)로 측정할 수 있다. 본 명세서에서 도 1의 흡광 스펙트럼을 통해 코어의 최대 흡광파장을 확인할 수 있다.In this specification, the maximum absorption wavelength can be measured with a UV/Vis spectrophotometer (PerkinElmer, Lambda 35 model) after manufacturing the core. In this specification, the maximum absorption wavelength of the core can be confirmed through the absorption spectrum of FIG. 1.

본 명세서에서, 코어의 최대 흡광파장의 측정은 코어의 인위적인 추가 성장의 유무를 확인하기 위한 수단이다. 코어의 추가 성장이 진행될수록, 코어의 추가 성장이 없는 경우 대비, 장파장에서 흡광파장이 나타날 수 있다.In this specification, measurement of the maximum absorption wavelength of the core is a means for confirming the presence or absence of artificial additional growth of the core. As additional growth of the core progresses, absorption wavelengths may appear at longer wavelengths compared to the case where there is no additional growth of the core.

본 발명자들은 코어의 인위적인 추가 성장이 없이, 쉘 전구체(특히, 셀레늄 전구체)의 주입량, 도입 방법 등을 변경함으로써 반치폭과 효율이 개선되고, 원하는 최대 발광 영역의 다중 쉘 양자점을 구현할 수 있음을 발견하였다. 이에 따라, 본 발명의 코어는 비교적 단파장에서 흡광파장이 나타날 수 있으며, 상기 코어를 포함하는 다중 쉘 양자점은 코어의 인위적인 추가 성장 없이도 원하는 발광파장을 도달하면서, 반치폭과 효율이 우수하다. The present inventors found that by changing the injection amount and introduction method of shell precursors (particularly selenium precursors), without artificial additional growth of the core, the half width and efficiency were improved, and it was possible to implement multi-shell quantum dots with the desired maximum emission area. . Accordingly, the core of the present invention can exhibit an absorption wavelength at a relatively short wavelength, and the multi-shell quantum dots including the core reach the desired emission wavelength without artificial additional growth of the core and have excellent half width and efficiency.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다중 쉘 양자점의 최대 발광파장은 620 nm 이상 640 nm 이하에서 나타날 수 있다.In one embodiment of the present invention, the maximum emission wavelength of the multi-shell quantum dot may be between 620 nm and 640 nm.

본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 다중 쉘 양자점의 최대 발광파장은 약 620 nm 이상, 약 621 nm 이상, 약 622 nm 이상, 약 623 nm 이상, 약 624 nm 이상, 또는 약 625 nm 이상에서 나타나거나, 또는 약 640 nm 이하, 약 639 nm 이하, 약 638 nm 이하, 또는 약 637 nm 이하에서 나타날 수 있다. In another embodiment of the present invention, the maximum emission wavelength of the multi-shell quantum dot is greater than about 620 nm, greater than about 621 nm, greater than about 622 nm, greater than about 623 nm, greater than about 624 nm, or greater than about 625 nm. Or, it may appear below about 640 nm, below about 639 nm, below about 638 nm, or below about 637 nm.

본 명세서에서, 최대 발광파장은 다중 쉘 양자점의 제조 후, 양자효율 측정기(하마마츠 사, C11347 모델)로 측정할 수 있다. 본 명세서에서 도 2의 발광 스펙트럼을 통해 다중 쉘 양자점의 발광파장 영역을 확인할 수 있다. In this specification, the maximum emission wavelength can be measured with a quantum efficiency meter (Hamamatsu, C11347 model) after manufacturing multi-shell quantum dots. In this specification, the emission wavelength region of the multi-shell quantum dot can be confirmed through the emission spectrum of FIG. 2.

본 명세서에서, 다중 쉘 양자점의 최대 발광파장의 측정은 코어의 인위적인 추가 성장 없이 전구체의 변경 및 주입량의 조절로 인하여 원하는 적색 발광파장이 달성되는지 확인하기 위한 수단이다.In this specification, the measurement of the maximum emission wavelength of the multi-shell quantum dot is a means to confirm whether the desired red emission wavelength is achieved by changing the precursor and controlling the injection amount without artificial additional growth of the core.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다중 쉘 양자점은 상기 최대 발광파장의 영역에서, 50 nm 이하의 반치폭(Full width at half maximum FWHM)을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the multi-shell quantum dot may have a full width at half maximum FWHM of 50 nm or less in the region of the maximum emission wavelength.

본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 반치폭은, 상기 최대 발광파장의 영역에서, 약 50 nm 이하, 약 49 nm 이하, 또는 약 48 nm 이하일 수 있다. In another embodiment of the present invention, the half width may be about 50 nm or less, about 49 nm or less, or about 48 nm or less in the region of the maximum emission wavelength.

본 명세서에 있어서, 50 nm 이하의 좁은 반치폭은 높은 색순도의 빛으로 변환 및 출력한다는 의미를 가질 수 있다. In this specification, a narrow half width of 50 nm or less may mean converting and outputting light with high color purity.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다중 쉘 양자점은 상기 최대 발광파장의 영역에서, 70% 이상의 양자효율(Quantum efficiency)을 가질 수 있다. 본 명세서에서 도 3의 다중 쉘 양자점의 양자효율 그래프를 통해 확인할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the multi-shell quantum dots may have a quantum efficiency of 70% or more in the region of the maximum emission wavelength. In this specification, it can be confirmed through the quantum efficiency graph of the multi-shell quantum dot in FIG. 3.

본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 양자효율은 약 70% 이상, 약 71% 이상, 약 72% 이상일 수 있다.In another embodiment of the present invention, the quantum efficiency may be about 70% or more, about 71% or more, or about 72% or more.

본 명세서에 있어서, 양자효율은 광자 또는 전자가 다른 에너지의 광자 또는 전자로 변환되는 비율을 의미하는 것으로서, 외부 양자효율(External quantum efficiency, EQE)을 주로 의미할 수 있다. In this specification, quantum efficiency refers to the rate at which photons or electrons are converted into photons or electrons of different energy, and may mainly refer to external quantum efficiency (EQE).

본 명세서에 있어서, 본 기술분야에서 70% 이상의 양자효율은 높은 수준에 해당한다.In this specification, a quantum efficiency of 70% or more is considered a high level in this technical field.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다중 쉘 양자점의 평균 입자 크기는 0 nm 초과 10 nm 이하일 수 있다. 본 명세서에서 도 4의 다중 쉘 양자점의 입자에 대한 TEM 사진을 통해 평균 입자 크기가 확인될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the average particle size of the multi-shell quantum dots may be greater than 0 nm and less than or equal to 10 nm. In this specification, the average particle size can be confirmed through a TEM photograph of the particles of the multi-shell quantum dots of FIG. 4.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 다중 쉘 양자점의 제조 방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention, a method for manufacturing multi-shell quantum dots is provided.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 다중 쉘 양자점의 제조 방법은:In one embodiment of the present invention, the method for manufacturing multi-shell quantum dots is:

제1 전구체 용액, 제2 전구체 용액 및 제3 전구체 용액을 준비하는 단계;Preparing a first precursor solution, a second precursor solution, and a third precursor solution;

270 ℃ 이상의 온도에서 In계 화합물 및 계면활성제의 반응 후, 실온으로 냉각하여 하기 식(1)을 만족하는 In 함유-코어를 형성하는 단계;After reacting the In-based compound and the surfactant at a temperature of 270° C. or higher, cooling to room temperature to form an In-containing core that satisfies the following formula (1);

300 ℃ 이상의 온도에서 상기 In 함유-코어 상에 상기 제1 전구체 용액 및 상기 제2 전구체 용액을 주입하여 제1 쉘을 형성하는 단계; 및forming a first shell by injecting the first precursor solution and the second precursor solution onto the In-containing core at a temperature of 300° C. or higher; and

상기 제1 쉘 상에 상기 제1 전구체 용액 및 상기 제3 전구체 용액을 주입하여 제2 쉘을 형성하는 단계를 포함하고,Forming a second shell by injecting the first precursor solution and the third precursor solution onto the first shell,

상기 제1 전구체 용액은 Zn 함유 화합물, 분산제 및 유기 용매를 포함하고, 상기 제2 전구체 용액은 Se 분말 및 유기 용매를 포함하고, 상기 제3 전구체 용액은 S 분말 및 계면활성제를 포함할 수 있다. The first precursor solution may include a Zn-containing compound, a dispersant, and an organic solvent, the second precursor solution may include Se powder and an organic solvent, and the third precursor solution may include S powder and a surfactant.

510 nm ≤ In 함유-코어의 최대 흡광파장 ≤ 540 nm - 식 (1)510 nm ≤ Maximum absorption wavelength of In-containing core ≤ 540 nm - Equation (1)

본 명세서에 있어서, 제2 전구체 용액은 계면활성제를 포함하지 않으며, 이에 따라 다중 쉘 양자점의 반치폭이 넓어지는 문제를 방지할 수 있다.In the present specification, the second precursor solution does not contain a surfactant, thereby preventing the problem of widening the half maximum width of the multi-shell quantum dots.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전구체 용액 내 Se의 함량은 0.5 mmol 이상 4.0 mmol 이하일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the Se content in the second precursor solution may be 0.5 mmol or more and 4.0 mmol or less.

본 명세서에 있어서, 상기 Se의 함량 범위를 벗어나는 경우, 반치폭이 50 nm 초과로 넓어지거나, 양자효율이 70% 미만으로 낮아지거나, 또는 620 nm 내지 640 nm의 최대 발광파장을 벗어날 수 있다.In the present specification, if the Se content range is outside the range, the half width may become wider than 50 nm, the quantum efficiency may be lowered to less than 70%, or the maximum emission wavelength may be outside of 620 nm to 640 nm.

도 5를 참고하면, 양자효율 측정기(하마마츠 사, C11347 모델)로 측정한 다중 쉘 양자점의 발광파장 그래프가 기재되어 있으며, 세로축은 정규화된 세기이고, 가로축은 파장을 의미한다. 특히, 제2 전구체 용액에서 0.5 mmol 이상 4.0 mmol 이하의 Se 함량을 갖는 경우, 최대 발광파장이 대략 620 nm 내지 640 nm의 범위 이내를 만족하는 반면, 상기 제2 전구체 용액에서 상기 Se 함량의 범위를 벗어나, 각각 0.2 mmol, 5.0 mmol, 또는 6.0 mmol의 Se 함량을 갖는 경우, 최대 발광파장이 대략 600 nm 또는 대략 650 nm에서 각각 위치하여, 목적으로 하는 최대 발광파장을 벗어나거나, 최대 발광파장이 대략 620 nm 내지 640 nm의 범위 이내에 속하더라도 양자효율이 70% 미만으로 낮은 것을 확인할 수 있다. Referring to Figure 5, a graph of the emission wavelength of multi-shell quantum dots measured with a quantum efficiency meter (Hamamatsu, C11347 model) is depicted, where the vertical axis represents the normalized intensity and the horizontal axis represents the wavelength. In particular, when the second precursor solution has a Se content of 0.5 mmol or more and 4.0 mmol or less, the maximum emission wavelength satisfies the range of approximately 620 nm to 640 nm, while the range of the Se content in the second precursor solution is Otherwise, when the Se content is 0.2 mmol, 5.0 mmol, or 6.0 mmol, respectively, the maximum emission wavelength is located at approximately 600 nm or approximately 650 nm, respectively, which deviates from the desired maximum emission wavelength, or the maximum emission wavelength is approximately Even if it falls within the range of 620 nm to 640 nm, it can be seen that the quantum efficiency is low, below 70%.

본 명세서에 있어서, In 함유-코어를 형성하는 단계는 270 ℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있고, 바람직하게는 약 270 ℃ 이상 약 350 ℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있고, 코어의 형성 후 실온(약 20 ℃ 이상 약 40 ℃ 이하, 바람직하게는 약 25 ℃ 이상 약 35 ℃ 이하, 또는 더욱 바람직하게는 약 30 ℃ 이상 약 35 ℃ 이하)으로 냉각한다. In the present specification, the step of forming the In-containing core may be performed at a temperature of 270°C or higher, and preferably may be performed at a temperature of about 270°C or higher and about 350°C or lower, and after formation of the core, the step may be performed at room temperature (about Cool to 20°C or higher and about 40°C or lower, preferably about 25°C or higher and about 35°C or lower, or more preferably about 30°C or higher and about 35°C or lower.

본 명세서에 있어서, 상기 제1 쉘을 형성하는 단계, 상기 제2 쉘을 형성하는 단계는 300 ℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있고, 바람직하게는 약 300 ℃ 이상 약 350 ℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다.In the present specification, the step of forming the first shell and the step of forming the second shell may be performed at a temperature of 300 ℃ or higher, preferably at a temperature of about 300 ℃ or higher and about 350 ℃ or lower. there is.

본 명세서에 있어서, In 함유-코어를 형성하는 단계는 다음과 같은 방법을 포함할 수 있다. In the present specification, the step of forming the In-containing core may include the following method.

상기 제1 전구체 용액을 용기에 주입하고, 약 100 ℃ 내지 170 ℃, 예컨대 약 120 ℃ 내지 160 ℃, 또는 바람직하게는 약 130 ℃에서, 약 1 시간 이상, 또는 바람직하게는 약 2 시간 동안 진공상태를 유지할 수 있다. 이후, 질소가스를 주입하여 산소가 없는 질소 분위기로 치환하고, 50 ℃ 내지 150 ℃의 온도를 유지할 수 있다. 그 다음, 인듐 염 분말, 그 외 첨가제(예컨대, 분산제, 유기용매 등)를 반응 용기에 담고, 상기 온도에서, 약 1 시간 이상, 또는 바람직하게는 약 2 시간 동안 진공상태를 유지할 수 있다. 이후, 질소가스를 주입하여 질소 분위기로 치환한 뒤 온도를 270 ℃ 이상, 또는 바람직하게는 약 280 ℃의 온도로 승온할 수 있다. 상기 온도에서, 일정 농도의 계면활성제를 주입한 다음, 같은 온도에서 약 2 시간 이하, 또는 바람직하게는 약 1 시간 동안 유지하여 코어를 합성할 수 있다. 그 다음, 히팅 맨틀의 제거 등으로 실온으로 냉각하고, 정제 및 후처리(In 함유-코어를 톨루엔 내 분산)할 수 있다.The first precursor solution is injected into a vessel and incubated under vacuum at about 100° C. to 170° C., such as about 120° C. to 160° C., or preferably about 130° C., for at least about 1 hour, or preferably about 2 hours. can be maintained. Afterwards, nitrogen gas is injected to replace the oxygen-free nitrogen atmosphere, and the temperature can be maintained at 50°C to 150°C. Next, the indium salt powder and other additives (e.g., dispersants, organic solvents, etc.) can be placed in a reaction vessel and maintained under vacuum at the above temperature for about 1 hour or more, or preferably about 2 hours. Thereafter, nitrogen gas can be injected to replace the nitrogen atmosphere, and then the temperature can be raised to 270°C or higher, or preferably to about 280°C. At the above temperature, the core can be synthesized by injecting a certain concentration of surfactant and then maintaining the same temperature for about 2 hours or less, or preferably about 1 hour. Next, it can be cooled to room temperature by removing the heating mantle, and purified and post-processed (In-containing core dispersed in toluene).

본 명세서에 있어서, 제1 쉘을 형성하는 단계는 다음과 같은 방법을 포함할 수 있다.In the present specification, forming the first shell may include the following method.

상기 제1 전구체 용액 및 첨가제를 반응 용기에 담고, 약 160 ℃ 이하, 바람직하게는 약 150 ℃의 온도에서 약 1 시간 이상, 또는 바람직하게는 약 2 시간 동안 진공상태를 유지할 수 있다. 이후, 질소가스를 주입하여 질소 분위기로 치환한 뒤, 약 170 ℃ 이상, 또는 바람직하게는 약 180 ℃의 온도로 승온시킬 수 있다. 상기의 온도에서, 후 처리된 In 함유-코어를 주입하고 300 ℃ 이상, 또는 바람직하게는 약 320 ℃의 온도로 승온시킬 수 있다. 상기 온도에서, 상기 제1 전구체 용액을 투입 후 반응시키고, 상기 제2 전구체 용액을 투입 후 반응시킬 수 있다.The first precursor solution and additives may be placed in a reaction vessel and maintained in a vacuum state at a temperature of about 160°C or lower, preferably about 150°C, for about 1 hour or more, or preferably about 2 hours. Thereafter, nitrogen gas is injected to replace the atmosphere with nitrogen, and then the temperature can be raised to about 170°C or higher, or preferably about 180°C. At this temperature, the post-treated In-containing core can be injected and heated to a temperature of at least 300° C., or preferably about 320° C. At the above temperature, the first precursor solution may be added and then reacted, and the second precursor solution may be added and then reacted.

본 명세서에 있어서, 제2 쉘을 형성하는 단계는 다음과 같은 방법을 포함할 수 있다.In the present specification, the step of forming the second shell may include the following method.

상기 제2 전구체가 충분히 반응한 시점에, 상기 반응 용기에, 별도로 상기 제1 전구체 용액 및 상기 제3 전구체 용액을 적가(dropwise)한 것을 투입할 수 있다. 일정 시간 방치하되 온도는 유지할 수 있다. When the second precursor has sufficiently reacted, the first precursor solution and the third precursor solution may be separately added dropwise to the reaction vessel. You can leave it for a certain period of time and maintain the temperature.

최종적으로, 반응 용기의 온도를 약 50 ℃ 이하, 또는 바람직하게는 약 40 ℃ 이하의 온도로 냉각시킨 다음, 정제 및 후처리(용매에 재분산)할 수 있다.Finally, the temperature of the reaction vessel is lowered to about 50° C., or preferably about After cooling to a temperature below 40°C, it can be purified and post-processed (redispersed in solvent).

본 명세서에 있어서, 각 단계의 온도 범위를 상기와 같이 제한함으로써, In 함유-코어와 제1 쉘 및/또는 제2 쉘 사이, 또는 제1 쉘과 제2 쉘 사이의 격자 결함(Lattice mismatch)에 의한 양자효율 저하를 최소화할 수 있다.In the present specification, by limiting the temperature range of each step as described above, lattice mismatch between the In-containing core and the first shell and/or the second shell, or between the first shell and the second shell Deterioration in quantum efficiency can be minimized.

본 명세서에 있어서, 상기 In 함유-코어를 형성하는 단계에서 실온으로 냉각하는 공정을 포함하며, 이로써 상기 코어의 인위적인 추가 성장을 배제할 수 있다. 도 6을 참고하면, 10 nm 스케일 및 5 nm 스케일 에서 촬영한 코어의 TEM 사진으로, 상기 코어는 인위적으로 추가 성장시킨 것이다. 도 6에 따르면, 코어의 크기 분포가 매우 넓으며, 주로 약 2 내지 2.5 nm에서 코어 크기가 집중된 것이 관찰되나, 전체적으로는 균일한 코어 성장을 달성하지 못한 것이 확인된다.In the present specification, the step of forming the In-containing core includes a step of cooling to room temperature, thereby eliminating artificial additional growth of the core. Referring to Figure 6, TEM pictures of the core taken at 10 nm scale and 5 nm scale, the core was artificially grown additionally. According to Figure 6, the size distribution of the core is very wide, and it is observed that the core size is mainly concentrated at about 2 to 2.5 nm, but it is confirmed that overall uniform core growth was not achieved.

본 명세서에 있어서, 상기 In 함유-코어를 형성하는 단계의 계면활성제와 상기 제3 전구체 용액에 포함되는 계면활성제는 동일 또는 상이할 수 있다.In the present specification, the surfactant in the step of forming the In-containing core and the surfactant included in the third precursor solution may be the same or different.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 분산제는 1종 이상의 불포화지방산일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the dispersant may be one or more types of unsaturated fatty acids.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 불포화지방산은 라우르산, 팔미트산, 올레산 및 스테아르산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the unsaturated fatty acid may be any one selected from the group consisting of lauric acid, palmitic acid, oleic acid, and stearic acid, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 용매는 탄소수 10 이상의 알켄을 1종 이상 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic solvent may include one or more alkenes having 10 or more carbon atoms.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 탄소수 10 이상의 알켄은 1-옥타데센, 1-노나데센, 1- 헥사데센, 1-도데센 및 1-데센으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the alkene having 10 or more carbon atoms may be any one selected from the group consisting of 1-octadecene, 1-nonadecene, 1-hexadecene, 1-dodecene and 1-decene, It is not limited to this.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 계면활성제는 1종 이상을 포함하며, 포스핀계 화합물, 아민계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the surfactant includes one or more types, and may be selected from the group consisting of phosphine-based compounds, amine-based compounds, and combinations thereof.

본 명세서에 있어서, 상기 계면활성제는 배위 결합이 가능한 특성을 가지며, 트리스(트리메틸실릴)포스핀, 트리옥틸포스핀옥사이드, 트리옥틸포스핀, 데실아민(decylamine), 디데실아민(didecylamine), 트리데실아민 (tridecylamine), 테트라데실아민(tetradecylamine), 펜타데실아민(pentadecylamine), 헥사데실아민 (hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine), 운데실아민(undecylamin), 디옥타데실아민(dioctadecylamine), N,N-디메틸데실아민(N,N-dimethyldecylamine), N,N-디메틸도데실아민(N,N-dimethyldodecylamine), N,N-디메틸헥사데실아민(N,N-dimethylhexadecylamine), N,N-디메틸테트라데실아민(N,N-dimethyltetradecylamine), N,N-디메틸트리데실아민(N,N-dimethyltridecylamine), N,N-디메틸운데실아민(N,N-dimethylundecylamine), 옥타헥사데실아민(octahexadecylamine), N-메틸옥타데실아민(N-methyloctadecylamine), 도데실아민(dodecylamine), 디도데실아민(didodecylamine), 트리도데실아민 (tridodecylamine), 사이클로도데실아민(cyclododecylamine), N-메틸도데실아민(N-methyldodecylamine), 옥틸 아민(octylamine), 디옥틸아민(dioctylamine) 및 트리옥틸아민(trioctylamine) 등으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.In the present specification, the surfactant has properties capable of forming a coordination bond, and includes tris(trimethylsilyl)phosphine, trioctylphosphine oxide, trioctylphosphine, decylamine, didecylamine, tri tridecylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, undecylamine, dioctadecylamine, N ,N-dimethyldecylamine, N,N-dimethyldodecylamine, N,N-dimethylhexadecylamine, N,N- N,N-dimethyltetradecylamine, N,N-dimethyltridecylamine, N,N-dimethylundecylamine, octahexadecylamine ), N-methyloctadecylamine, dodecylamine, didodecylamine, tridodecylamine, cyclododecylamine, N-methyldodecylamine It may be one or more selected from the group consisting of (N-methyldodecylamine), octylamine, dioctylamine, and trioctylamine.

본 명세서에서, 계면활성제는 양자효율의 손실 없이 양자점의 표면 처리를 가능하게 하는 물질이다.In this specification, a surfactant is a substance that enables surface treatment of quantum dots without loss of quantum efficiency.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 포스핀계 화합물은 트리스(트리메틸실릴)포스핀, 트리옥틸포스핀옥사이드, 트리부틸포스핀, 트리이소프로필포스핀, 트리페닐포스핀옥사이드, 트리사이클로헥실포스핀 및 트리옥틸포스핀으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the phosphine-based compound is tris(trimethylsilyl)phosphine, trioctylphosphine oxide, tributylphosphine, triisopropylphosphine, triphenylphosphine oxide, and tricyclohexylphosphine. and trioctylphosphine, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 아민계 화합물은 옥틸아민, 디옥틸아민, 트리옥틸아민, 헥사데실아민, 옥타헥실아민 및 도데실아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the amine-based compound may include one or more selected from the group consisting of octylamine, dioctylamine, trioctylamine, hexadecylamine, octahexylamine, and dodecylamine. , but is not limited to this.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 백라이트 유닛은 상술한 1종 이상의 다중 쉘 양자점을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the backlight unit may include one or more types of multi-shell quantum dots described above.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 발광 다이오드는 상술한 백라이트 유닛을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light emitting diode may include the above-described backlight unit.

또 다른 예시로서, 상술한 1종 이상의 다중 쉘 양자점은 상기 발광 다이오드용 백라이트 유닛 이외에도, 액정표시장치(LCD), 조명기기, 태양전지, 바이오 센서 등에 포함될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. As another example, the one or more types of multi-shell quantum dots described above may be included in liquid crystal displays (LCDs), lighting devices, solar cells, biosensors, etc. in addition to the backlight unit for the light emitting diode, but are not limited thereto.

이하, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 출원을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 출원 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail through examples, but these are only for illustrating the present application and are not intended to limit the scope of the present application.

실시예Example

실시예 1.Example 1.

1) 제1 전구체(아연 전구체) 용액의 제조1) Preparation of first precursor (zinc precursor) solution

징크 아세테이트 10 mmol 및 올레산 20 mmol을 1-옥타데신 25 mL에 넣고 130 ℃에서 2시간 동안 진공 상태를 유지한 후 질소가스를 주입하여 산소가 없는 분위기로 치환시켰다.10 mmol of zinc acetate and 20 mmol of oleic acid were added to 25 mL of 1-octadecine, maintained under vacuum at 130°C for 2 hours, and then nitrogen gas was injected to change the atmosphere to an oxygen-free atmosphere.

2) 제2 전구체(셀레늄 전구체) 용액의 제조2) Preparation of second precursor (selenium precursor) solution

셀레늄 분말(Se 함량 5 mmol)을 1-옥타데신 25 mL에 넣고, 200 ℃까지 올려서 녹인 후 130 ℃로 낮추어 유지하였다. Selenium powder (Se content 5 mmol) was added to 25 mL of 1-octadecine, raised to 200°C to dissolve, and then maintained at 130°C.

3) 제3 전구체(황 전구체) 용액의 제조3) Preparation of third precursor (sulfur precursor) solution

황 분말 5 mmol을 트리옥틸포스핀 5 mL에 첨가하여 황 전구체를 제조하였다.A sulfur precursor was prepared by adding 5 mmol of sulfur powder to 5 mL of trioctylphosphine.

4) 코어의 합성4) Synthesis of the core

인듐 아세테이트 분말 1 mmol, 팔미트산 3 mmol 및 1-옥타데신 20 mL을 반응 플라스크에 담고, 150 ℃에서 2시간 동안 진공 상태를 유지하였다. 이후 질소 가스를 주입하여 질소 환경으로 치환시킨 뒤, 온도를 280 ℃까지 승온시켰다. 1 mmol of indium acetate powder, 3 mmol of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecine were placed in a reaction flask and maintained under vacuum at 150°C for 2 hours. Afterwards, nitrogen gas was injected to replace the atmosphere with nitrogen, and the temperature was raised to 280°C.

온도가 280 ℃에 도달하면 0.2 M 농도의 트리메틸실릴포스핀과 트리옥틸포스핀 혼합액 2 mL를 빠르게 주입한 후 280 ℃에서 1시간 유지하여 코어를 합성하였다. 이 후, 히팅 맨틀을 제거하여 반응 플라스크 내 용액의 온도를 실온으로 식히고 아세톤으로 정제 후 톨루엔에 분산하였다.When the temperature reached 280°C, 2 mL of a 0.2 M mixture of trimethylsilylphosphine and trioctylphosphine was rapidly injected and maintained at 280°C for 1 hour to synthesize the core. Afterwards, the heating mantle was removed to cool the solution in the reaction flask to room temperature, purified with acetone, and then dispersed in toluene.

5) 쉘 합성5) Shell synthesis

징크 아세테이트 분말 1 mmol과 올레산 1 mL 및 1-옥타데신 20 mL을 반응 플라스크에 담고 150 ℃에서 2시간 동안 진공 상태를 유지하였다. 이후, 질소 가스를 주입하여 질소 환경으로 치환시킨 뒤, 온도를 180 ℃까지 승온시켰다. 1 mmol of zinc acetate powder, 1 mL of oleic acid, and 20 mL of 1-octadecine were placed in a reaction flask and maintained under vacuum at 150°C for 2 hours. Afterwards, nitrogen gas was injected to replace the atmosphere with nitrogen, and the temperature was raised to 180°C.

온도가 180 ℃에 도달하면, 상기 코어가 분산 된 톨루엔 2 mL을 빠르게 주입한 후 온도를 320 ℃까지 승온시켰다. When the temperature reached 180 °C, 2 mL of toluene in which the core was dispersed was quickly injected and the temperature was raised to 320 °C.

온도가 320 ℃에 도달하면 상기 아연 전구체 10 mL을 넣고 30분간 반응 하고 Se 함량이 0.5 mmol 이상 4.0 mmol 이하로 조절된 상기 셀레늄 전구체 용액을 주입 후, 30분 내지 1시간 동안 320 ℃에서 반응시켰다. When the temperature reached 320 ° C, 10 mL of the zinc precursor was added and reacted for 30 minutes. The selenium precursor solution whose Se content was adjusted to 0.5 mmol or more and 4.0 mmol or less was injected and reacted at 320 ° C. for 30 minutes to 1 hour.

셀레늄 전구체가 충분히 반응 후, 상기 아연 전구체 5 mL 및 상기 황 전구체 2 mL을 천천히 dropwise로 상기 반응 플라스크에 넣어준 후 30분 정도 방치하되, 온도는 300 ℃ 내지 320 ℃를 유지하였다. After the selenium precursor sufficiently reacted, 5 mL of the zinc precursor and 2 mL of the sulfur precursor were slowly added dropwise into the reaction flask and left for about 30 minutes, maintaining the temperature at 300°C to 320°C.

이 후, 플라스크 내 용액을 40 ℃ 이하로 식힌 다음, 아세톤 및 헥센을 이용하여 3회 정제를 실시하여 얻은 양자점을 용매에 재분산하여 보관하였다. Afterwards, the solution in the flask was cooled to below 40°C, and then purified three times using acetone and hexene, and the obtained quantum dots were redispersed in a solvent and stored.

비교예 1.Comparative Example 1.

1) 제1 전구체 용액의 제조1) Preparation of the first precursor solution

실시예 1과 동일한 방법으로 제1 전구체 용액을 제조하였다.A first precursor solution was prepared in the same manner as in Example 1.

2) 제2 전구체 용액의 제조2) Preparation of second precursor solution

셀레늄 분말 5 mmol을 트리옥틸 포스핀 25 mL에 녹여 셀레늄 전구체를 제조하였다.A selenium precursor was prepared by dissolving 5 mmol of selenium powder in 25 mL of trioctyl phosphine.

3) 제3 전구체 용액의 제조3) Preparation of third precursor solution

실시예 1과 동일한 방법으로 제3 전구체 용액을 제조하였다.A third precursor solution was prepared in the same manner as Example 1.

4) 코어 합성4) Core synthesis

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 코어를 합성하였다.The core was synthesized in the same manner as in Example 1 above.

5) 쉘 합성5) Shell synthesis

상기 제2 전구체(셀레늄 전구체)로서 트리옥틸 포스핀에 녹아 있는 셀레늄 전구체를 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 쉘을 합성하였다.The shell was synthesized in the same manner as in Example 1, except that a selenium precursor dissolved in trioctyl phosphine was used as the second precursor (selenium precursor).

비교예 2. Comparative Example 2.

1) 제1 전구체 용액의 제조1) Preparation of the first precursor solution

실시예 1과 동일한 방법으로 제1 전구체 용액을 제조하였다.A first precursor solution was prepared in the same manner as in Example 1.

2) 제2 전구체 용액의 제조2) Preparation of second precursor solution

실시예 1과 동일한 방법으로 제2 전구체 용액을 제조하였다.A second precursor solution was prepared in the same manner as in Example 1.

3) 제3 전구체 용액의 제조3) Preparation of third precursor solution

실시예 1과 동일한 방법으로 제3 전구체 용액을 제조하였다.A third precursor solution was prepared in the same manner as Example 1.

4) 코어 합성4) Core synthesis

인듐 아세테이트 분말 1 mmol, 팔미트산 3 mmol 및 1-옥타데신 20 mL을 반응 플라스크에 담고, 150 ℃ 에서 2시간 동안 진공 상태를 유지하였다. 이후, 질소 가스를 주입하여 질소 환경으로 치환시켰다(InP 용액 제조). 그 다음, 온도를 40 ℃로 낮춘 뒤, 0.2 M 농도의 트리메틸실릴포스핀과 트리옥틸포스핀 혼합액 2 mL를 주입 후 코어를 합성하였다. 1 mmol of indium acetate powder, 3 mmol of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecine were placed in a reaction flask, and maintained under vacuum at 150°C for 2 hours. Afterwards, nitrogen gas was injected to replace the atmosphere with nitrogen (InP solution preparation). Next, the temperature was lowered to 40°C, and 2 mL of a 0.2 M mixture of trimethylsilylphosphine and trioctylphosphine was injected to synthesize the core.

그런 다음, 280 ℃ 1시간 경과 후 히팅 맨틀의 제거 없이, 상기 InP 혼합액 20 mL을 1시간 동안 천천히 dropwise 하여 코어의 추가 성장시켰다. 이후 히팅 맨틀을 제거하여 반응액을 실온으로 식힌 후 아세톤으로 정제하였다. 도 6은 인위적으로 추가 성장시킨 코어의 TEM 사진이다.Then, after 1 hour at 280°C, without removing the heating mantle, 20 mL of the InP mixture was slowly added dropwise for 1 hour to further grow the core. Afterwards, the heating mantle was removed, the reaction solution was cooled to room temperature, and then purified with acetone. Figure 6 is a TEM photo of a core that was artificially grown additionally.

5) 쉘 합성5) Shell synthesis

실시예 1과 동일한 방법으로 쉘을 합성하였다.The shell was synthesized in the same manner as in Example 1.

실험예Experiment example

실험예 1. 코어의 흡광파장 측정Experimental Example 1. Measurement of absorption wavelength of core

상기 실시예 1 및 비교예 2에서, 코어의 합성 후, UV/Vis 분광광도계(PerkinElmer 사, Lambda 35 모델)를 이용하여 각각의 코어의 흡광파장을 도 1에 나타내었다. 도 1에서, 세로축은 정규화된 세기이고, 가로축은 파장을 의미한다.In Example 1 and Comparative Example 2, after the cores were synthesized, the absorption wavelength of each core was shown in Figure 1 using a UV/Vis spectrophotometer (PerkinElmer, Lambda 35 model). In Figure 1, the vertical axis represents normalized intensity, and the horizontal axis represents wavelength.

도 1을 참조하면, 실시예 1의 코어의 흡광파장은 531 nm, 비교예 2의 코어의 흡광파장은 566 nm로, 인위적으로 추가 성장시킨 코어(비교예 2)의 흡광파장이 그렇지 않은 코어(실시예 1) 더 장파장에서 흡광파장을 나타냄을 확인할 수 있다. Referring to Figure 1, the absorption wavelength of the core of Example 1 is 531 nm, the absorption wavelength of the core of Comparative Example 2 is 566 nm, and the absorption wavelength of the artificially additionally grown core (Comparative Example 2) is similar to that of the other core (Comparative Example 2). Example 1) It can be confirmed that the absorption wavelength is longer.

실험예 2 내지 4. 다중 쉘 양자점의 발광파장, 반치폭, 양자효율의 측정Experimental Examples 2 to 4. Measurement of emission wavelength, half width, and quantum efficiency of multi-shell quantum dots

상기 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서, 다중 쉘 양자점의 합성 후, 양자효율 측정기(하마마츠 사, C11347 모델)를 이용하여 각각의 다중 쉘 양자점의 발광파장, 반치폭 및 양자효율을 측정하였으며, 그 결과를 도 2 및 하기 표 1에 나타내었다. 도 2에서, 세로축은 정규화된 세기이고, 가로축은 파장을 의미한다.In Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, after synthesizing the multi-shell quantum dots, the emission wavelength, half width, and quantum efficiency of each multi-shell quantum dot were measured using a quantum efficiency meter (Hamamatsu, C11347 model). The results are shown in Figure 2 and Table 1 below. In Figure 2, the vertical axis represents normalized intensity, and the horizontal axis represents wavelength.

하기 표 1 및 도 2로부터, 실시예 1과 비교예 1 및 2는 각기 다른 발광파장의 양자점이 합성되었음을 확인할 수 있었다. 구체적으로, 실시예 1의 경우 531 nm의 흡광을 갖는 코어에 셀레늄-1-옥타데신 전구체를 이용하여 625 nm의 적색 발광파장을 나타내는 양자점의 합성을 확인하였다. From Table 1 and Figure 2 below, it was confirmed that quantum dots of different emission wavelengths were synthesized in Example 1 and Comparative Examples 1 and 2. Specifically, in Example 1, the synthesis of quantum dots exhibiting a red emission wavelength of 625 nm was confirmed by using a selenium-1-octadecine precursor in a core with light absorption of 531 nm.

반면, 셀레늄-트리옥틸포스핀 전구체를 사용한 비교예 1의 경우 실시예 1에 비해 반치폭이 크게 증가하며 595 nm에 발광파장을 확인하였고, 코어의 추가 성장 후 셀레늄-1-옥타데신 전구체를 사용하여 쉘을 합성한 비교예 2의 경우 650 nm 영역의 발광파장을 가지며 양자효율이 확연하게 낮아지는 것을 확인할 수 있었다.On the other hand, in the case of Comparative Example 1 using the selenium-trioctylphosphine precursor, the half width increased significantly compared to Example 1 and the emission wavelength was confirmed at 595 nm, and after additional growth of the core, using the selenium-1-octadecine precursor, In the case of Comparative Example 2, in which the shell was synthesized, it was confirmed that the emission wavelength was in the 650 nm region and the quantum efficiency was noticeably lowered.

따라서, 실시예 1에서 코어의 추가 성장 없이도 625 nm의 발광파장을 나타내며 반치폭과 효율이 가장 우수함을 확인할 수 있었다.Therefore, it was confirmed that in Example 1, an emission wavelength of 625 nm was exhibited without additional growth of the core, and the half width and efficiency were the best.

발광파장 피크
(nm)
Emission wavelength peak
(nm)
반치폭
(nm)
half width
(nm)
양자효율
(%)
quantum efficiency
(%)
실시예 1Example 1 625625 4242 8080 비교예 1Comparative Example 1 595595 7171 5353 비교예 2Comparative Example 2 650650 5252 3838

실험예 5. 다중 쉘 양자점의 안정성 평가Experimental Example 5. Stability evaluation of multi-shell quantum dots

실시예 1의 다중 쉘 양자점의 정제 후, 분말 형태로 회수하여 실온에서 자연광에 노출시킨 상태로 시간의 경과에 따른 양자효율을 측정하여 안정성을 추가 확인하여 도 3에 나타내었다. 도 3에서, 세로축은 양자효율(%)이고, 가로축은 기간(일, day)을 의미한다.After purification of the multi-shell quantum dots of Example 1, they were recovered in powder form, exposed to natural light at room temperature, and quantum efficiency over time was measured to further confirm stability, as shown in Figure 3. In Figure 3, the vertical axis represents quantum efficiency (%), and the horizontal axis represents period (day).

실험예 6. 다중 쉘 양자점의 입자 분석Experimental Example 6. Particle analysis of multi-shell quantum dots

실시예 1의 양자점을 유기용매에 분산하여 HR-TEM(모델명: JEM-2100F, 제조사: JEOL)의 측정 결과를 도 4에 나타내었다. The quantum dots of Example 1 were dispersed in an organic solvent, and the measurement results of HR-TEM (model name: JEM-2100F, manufacturer: JEOL) are shown in Figure 4.

도 4로부터 실시예 1의 다중 쉘 양자점의 Particle size가 약 7 nm 수준임을 확인할 수 있었다.From Figure 4, it was confirmed that the particle size of the multi-shell quantum dots of Example 1 was about 7 nm.

실험예 7. Se 주입량에 따른 다중 쉘 양자점의 광 특성 측정 Experimental Example 7. Measurement of optical properties of multi-shell quantum dots according to Se injection amount

하기 표 2에 기재된 Se 주입량을 하기와 같이 변경한 점을 제외하고는 다중 쉘 양자점의 상기 실시예 1에 기재된 방법과 동일한 방법으로 다중 쉘 양자점을 합성하였다. 참고로, 시료 No. 2는 실시예 1의 Se 주입량(10 mL)에 해당한다. Multi-shell quantum dots were synthesized in the same manner as described in Example 1 of the multi-shell quantum dots, except that the Se injection amount shown in Table 2 below was changed as follows. For reference, Sample No. 2 corresponds to the Se injection amount (10 mL) in Example 1.

그런 다음, 양자효율 측정기(하마마츠 사, C11347 모델)를 이용하여 각각의 다중 쉘 양자점의 발광파장, 반치폭 및 양자효율을 측정하였으며, 그 결과를 도 5 및 하기 표 2에 나타내었다. 도 5에서, 세로축은 정규화된 세기이고, 가로축은 파장을 의미한다.Then, the emission wavelength, half width, and quantum efficiency of each multi-shell quantum dot were measured using a quantum efficiency meter (Hamamatsu, C11347 model), and the results are shown in Figure 5 and Table 2 below. In Figure 5, the vertical axis represents normalized intensity, and the horizontal axis represents wavelength.

하기 표 2 및 도 5로부터, 상기 셀레늄 전구체 용액 내 Se 함량이 0.5 mmol 내지 4.0 mmol로 조절된 시료 No. 1 내지 4의 양자점은 620 nm 이상 640 nm 이하의 발광파장, 50 nm 이하의 반치폭 및 70% 이상의 양자효율의 조건을 모두 만족하는 것을 확인하였다. 이에 반해, 상기 범위 외의 함량을 갖는 Se 분말로 제조한 시료 No. 5 내지 7은 상기 조건 중 하나 이상을 만족하지 못한 것을 확인하였다. From Table 2 and FIG. 5 below, Sample No. 12 has the Se content in the selenium precursor solution adjusted to 0.5 mmol to 4.0 mmol. It was confirmed that the quantum dots 1 to 4 satisfied all the conditions of an emission wavelength of 620 nm or more and 640 nm or less, a half width of 50 nm or less, and a quantum efficiency of 70% or more. On the other hand, Sample No. 1 was prepared with Se powder having a content outside the above range. It was confirmed that 5 to 7 did not satisfy one or more of the above conditions.

구체적으로, 시료 No. 5는 Se 주입량이 5.0 mmol인 경우로서, 620 nm 이상 640 nm 이하의 발광파장을 만족하더라도 양자효율이 70% 미만이었다. 또한, 시료 No.6는 Se 주입량이 0.2 mmol인 경우로서, 620 nm 이상 640 nm 이하의 발광파장을 만족하지 않으면서 양자효율이 70% 미만이었다. 또한, 시료 No. 7은 Se 주입량이 6.0 mmol인 경우로서, 620 nm 이상 640 nm 이하의 발광파장을 만족하지 않고, 양자효율도 70% 미만이고, 반치폭도 50 nm를 초과하였다.Specifically, sample no. 5 is the case where the Se injection amount was 5.0 mmol, and the quantum efficiency was less than 70% even if the emission wavelength of 620 nm or more and 640 nm or less was satisfied. In addition, Sample No. 6 was a case where the Se injection amount was 0.2 mmol, and the quantum efficiency was less than 70% while not satisfying the emission wavelength of 620 nm or more and 640 nm or less. Additionally, Sample No. 7 is a case where the Se injection amount was 6.0 mmol, the emission wavelength of 620 nm or more and 640 nm or less was not satisfied, the quantum efficiency was less than 70%, and the half maximum width exceeded 50 nm.

시료 No.Sample No. Se 주입량
(mmol)
Se dosage
(mmol)
광특성
(발광파장, 반치폭(FWHM), 양자효율(QY)
optical properties
(Emission wavelength, full width at half maximum (FWHM), quantum efficiency (QY)
1One 1.0 mmol1.0 mmol 625 nm, FWHM 42 nm, QY 72%625 nm, FWHM 42 nm, QY 72% 22 2.0 mmol2.0 mmol 625 nm, FWHM 42 nm, QY 80%625 nm, FWHM 42 nm, QY 80% 33 3.0 mmol 3.0 mmol 635 nm, FWHM 43 nm, QY 76%635 nm, FWHM 43 nm, QY 76% 44 4.0 mmol4.0 mmol 635 nm, FWHM 43 nm, QY 75%635 nm, FWHM 43 nm, QY 75% 55 5.0 mmol5.0 mmol 637 nm, FWHM 48 nm, QY 64%637 nm, FWHM 48 nm, QY 64% 66 0.2 mmol0.2 mmol 600 nm, FWHM 49 nm, QY 65%600 nm, FWHM 49 nm, QY 65% 77 6.0 mmol6.0 mmol 646 nm, FWHM 51 nm, QY 48%646 nm, FWHM 51 nm, QY 48%

Claims (14)

In 함유-코어 및 Zn 함유-다중 쉘을 포함하고,
상기 Zn 함유-다중 쉘은 Se를 포함하는 제1 쉘 및 S를 포함하는 제2 쉘을 포함하며,
상기 In 함유-코어의 최대 흡광파장은 510 nm 이상 540 nm 이하의 영역에서 나타나는 것인 다중 쉘 양자점.
Contains an In-containing core and a Zn-containing multiple shell,
The Zn-containing-multiple shell includes a first shell comprising Se and a second shell comprising S,
A multi-shell quantum dot in which the maximum absorption wavelength of the In-containing core appears in the range of 510 nm to 540 nm.
청구항 1에 있어서,
상기 다중 쉘 양자점의 최대 발광파장은 620 nm 이상 640 nm 이하의 영역에서 나타나는 것인 다중 쉘 양자점.
In claim 1,
A multi-shell quantum dot in which the maximum emission wavelength of the multi-shell quantum dot appears in the range of 620 nm to 640 nm.
청구항 2에 있어서,
상기 다중 쉘 양자점은 상기 최대 발광파장의 영역에서, 50 nm 이하의 영역에서 반치폭(FWHM)을 갖는 것인 다중 쉘 양자점.
In claim 2,
The multi-shell quantum dot has a full width at half maximum (FWHM) in the region of 50 nm or less in the region of the maximum emission wavelength.
청구항 2에 있어서,
상기 다중 쉘 양자점은 상기 최대 발광파장의 영역에서, 70% 이상의 양자효율을 갖는 것인 다중 쉘 양자점.
In claim 2,
The multi-shell quantum dot has a quantum efficiency of 70% or more in the region of the maximum emission wavelength.
청구항 1에 있어서,
상기 다중 쉘 양자점의 평균 입자 크기는 0 nm 초과 10 nm 이하인 것인 다중 쉘 양자점.
In claim 1,
Multi-shell quantum dots wherein the average particle size of the multi-shell quantum dots is greater than 0 nm and less than or equal to 10 nm.
제1 전구체 용액, 제2 전구체 용액 및 제3 전구체 용액을 준비하는 단계;
270 ℃ 이상의 온도에서 In계 화합물 및 계면활성제의 반응 후, 실온으로 냉각하여 하기 식(1)을 만족하는 In 함유-코어를 형성하는 단계;
300 ℃ 이상의 온도에서 상기 In 함유-코어 상에 제1 전구체 용액 및 상기 제2 전구체 용액을 주입하여 제1 쉘을 형성하는 단계; 및
상기 제1 쉘 상에 상기 제1 전구체 용액 및 상기 제3 전구체 용액을 주입하여 제2 쉘을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 전구체 용액은 Zn 함유 화합물, 분산제 및 유기 용매를 포함하고,
상기 제2 전구체 용액은 Se 분말 및 유기 용매를 포함하고,
상기 제3 전구체 용액은 S 분말 및 계면활성제를 포함하는 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법:
510 nm ≤ In 함유-코어의 최대 흡광파장 ≤ 540 nm - 식 (1).
Preparing a first precursor solution, a second precursor solution, and a third precursor solution;
After reacting the In-based compound and the surfactant at a temperature of 270° C. or higher, cooling to room temperature to form an In-containing core that satisfies the following formula (1);
forming a first shell by injecting a first precursor solution and a second precursor solution onto the In-containing core at a temperature of 300° C. or higher; and
Forming a second shell by injecting the first precursor solution and the third precursor solution onto the first shell,
The first precursor solution includes a Zn-containing compound, a dispersant, and an organic solvent,
The second precursor solution includes Se powder and an organic solvent,
A method for producing multi-shell quantum dots, wherein the third precursor solution includes S powder and a surfactant:
510 nm ≤ Maximum absorption wavelength of In-containing core ≤ 540 nm - Equation (1).
청구항 6에 있어서,
상기 제2 전구체 용액 내 Se의 함량은 0.5 mmol 이상 4.0 mmol 이하인 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 6,
A method for producing multi-shell quantum dots, wherein the content of Se in the second precursor solution is 0.5 mmol or more and 4.0 mmol or less.
청구항 6에 있어서,
상기 분산제는 1종 이상의 불포화지방산인 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 6,
A method for producing multi-shell quantum dots, wherein the dispersant is one or more unsaturated fatty acids.
청구항 8에 있어서,
상기 불포화지방산은 라우르산, 팔미트산, 올레산 및 스테아르산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 8,
A method for producing multi-shell quantum dots, wherein the unsaturated fatty acid is any one selected from the group consisting of lauric acid, palmitic acid, oleic acid, and stearic acid.
청구항 6에 있어서,
상기 유기 용매는 탄소수 10 이상의 알켄을 1종 이상 포함하는 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 6,
A method for producing multi-shell quantum dots, wherein the organic solvent includes one or more alkenes having 10 or more carbon atoms.
청구항 10에 있어서,
상기 탄소수 10 이상의 알켄은 1-옥타데센, 1-노나데센, 1- 헥사데센, 1-도데센 및 1-데센으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 10,
A method for producing multi-shell quantum dots, wherein the alkene having 10 or more carbon atoms is any one selected from the group consisting of 1-octadecene, 1-nonadecene, 1-hexadecene, 1-dodecene, and 1-decene.
청구항 6에 있어서,
상기 계면활성제는 포스핀계 화합물, 아민계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 6,
The method of producing a multi-shell quantum dot, wherein the surfactant includes at least one selected from the group consisting of phosphine-based compounds, amine-based compounds, and combinations thereof.
청구항 12에 있어서,
상기 포스핀계 화합물은 트리스(트리메틸실릴)포스핀, 트리옥틸포스핀옥사이드, 트리부틸포스핀, 트리이소프로필포스핀, 트리페닐포스핀옥사이드, 트리사이클로헥실포스핀 및 트리옥틸포스핀으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 12,
The phosphine compound is selected from the group consisting of tris(trimethylsilyl)phosphine, trioctylphosphine oxide, tributylphosphine, triisopropylphosphine, triphenylphosphine oxide, tricyclohexylphosphine and trioctylphosphine. A method for producing multi-shell quantum dots, which is any one of the selected methods.
청구항 12에 있어서,
상기 아민계 화합물은 옥틸아민, 디옥틸아민, 트리옥틸아민, 헥사데실아민, 옥타헥실아민 및 도데실아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 다중 쉘 양자점의 제조 방법.
In claim 12,
A method for producing multi-shell quantum dots, wherein the amine-based compound is selected from the group consisting of octylamine, dioctylamine, trioctylamine, hexadecylamine, octahexylamine, and dodecylamine.
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