KR20240068400A - 반도체 테스트용 소켓 - Google Patents
반도체 테스트용 소켓 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240068400A KR20240068400A KR1020220149818A KR20220149818A KR20240068400A KR 20240068400 A KR20240068400 A KR 20240068400A KR 1020220149818 A KR1020220149818 A KR 1020220149818A KR 20220149818 A KR20220149818 A KR 20220149818A KR 20240068400 A KR20240068400 A KR 20240068400A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- socket
- semiconductor
- impedance
- socket body
- present
- Prior art date
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 4
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 claims description 4
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2896—Testing of IC packages; Test features related to IC packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 테스트용 소켓에 관한 것으로, 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간(air space)을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 상기 수직방향으로 핀삽입공간이 형성되는 소켓몸체; 및 상기 소켓몸체에 형성된 상기 핀삽입공간에 삽입되는 적어도 하나의 포고핀;을 포함함으로써, 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 수직방향으로 핀삽입공간이 형성되는 소켓몸체와, 소켓몸체에 형성된 핀삽입공간에 삽입되는 적어도 하나의 포고핀을 포함하며, 포고핀의 각 사이공간에 형성되는 복수의 에어공간을 통해 공기비율을 증가시켜 임피던스를 증가시킴으로써, 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 테스트용 소켓에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 반도체 패키지 제조 공정에 의해 제조된 반도체 패키지는 제조된 이후에 제품의 신뢰성을 확인하기 위하여 각종 테스트를 실시한다.
이러한 테스트는 반도체 패키지의 모든 입출력 단자를 검사 신호 발생 회로와 연결하여 정상적인 동작 및 단선 여부를 검사하는 전기적 특성 테스트가 수행될 수 있고, 반도체 패키지의 전원 입력 단자 등 몇몇 입출력 단자들을 검사 신호 발생 회로와 연결하여 정상 동작 조건보다 높은 온도, 전압, 전류 등으로 스트레스를 인가하여 반도체 패키지의 수명 및 결함 발생 여부를 검사하는 번인 테스트(Burn-In Test)가 수행될 수 있다.
여기에서, 전기적 특성 테스트는 검사 신호 발생 회로가 형성된 테스트 회로 기판 상에 반도체 칩의 모든 입출력 단자를 접촉시켜 반도체 칩의 정상적인 동작 및 단선 여부를 검사하는 테스트로서, 반도체 패키지의 전기적 특성 테스트에는 예를 들어 반도체 패키지 테스트 장치인 핸들러가 사용될 수 있다.
종래의 반도체 패키지 테스트 장치는 테스트 회로가 형성된 테스트 기판과 반도체 패키지 사이를 전기적으로 연결하는 소켓이 인서트의 하부에 형성되어 있고, 인서트의 인서트 홀 내에 삽입된 반도체 패키지가 푸셔에 의해 가압되도록 형성되어 있으며, 반도체 패키지는 소켓의 중심에 형성된 복수개의 포고핀(pogo pin)에 의해 테스트 회로와 전기적으로 연결될 수 있고, 소켓의 둘레에는 소켓을 보호하는 소켓 가이드가 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 반도체 패키지 테스트 장치에서는 도 1에 도시한 바와 같이 소켓몸체가 포고핀을 완전히 감싸는 형태로 핀홀을 제외한 모든 공간이 소켓몸체로 구성됨으로써, 도 1에 도시한 바와 같이 반도체 테스트용 소켓의 피치(pitch)가 상대적으로 좁기 때문에, 도 2에 도시한 바와 같이 임피던스(Impedance)가 50 Ω과 많이 떨어져 있어 신호 전달 특성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 수직방향으로 핀삽입공간이 형성되는 소켓몸체와, 소켓몸체에 형성된 핀삽입공간에 삽입되는 적어도 하나의 포고핀을 포함하며, 포고핀의 각 사이공간에 형성되는 복수의 에어공간을 통해 공기비율을 증가시켜 임피던스를 증가시킴으로써, 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 테스트용 소켓을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 소켓몸체의 격자간격을 감소시켜 임피던스를 감소시키거나, 소켓몸체의 핀삽입공간에 형성된 에어공간을 제거하여 임피던스를 감소시킴으로써, 임피던스가 과도하게 높은 경우 이를 쉽게 조절할 수 있어 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 테스트용 소켓을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예들의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간(air space)을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 상기 수직방향으로 핀삽입공간이 형성되는 소켓몸체; 및 상기 소켓몸체에 형성된 상기 핀삽입공간에 삽입되는 적어도 하나의 포고핀;을 포함하는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체 테스트용 소켓은, 상기 포고핀의 각 사이공간에 형성되는 상기 복수의 에어공간을 통해 공기비율을 증가시켜 임피던스(Impedance)를 증가시키는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체 테스트용 소켓은, 상기 복수의 에어공간의 수직간격을 조절하여 상기 임피던스를 조절하는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체 테스트용 소켓은, 상기 소켓몸체의 격자간격을 감소시켜 상기 임피던스를 감소시키는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체 테스트용 소켓은, 상기 핀삽입공간에 형성된 상기 에어공간을 제거하여 상기 임피던스를 감소시키는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 소켓몸체는, 3D 프린팅방식으로 제조되는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 소켓몸체는, 폴리아미드(polyamide), 폴리아세탈(polyacetal), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 및 ABS 수지(ABS resin) 중 적어도 하나를 이용하여 제조되는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 포고핀은, 각 피치간격이 0.29-0.31 mm의 범위를 갖는 반도체 테스트용 소켓이 제공될 수 있다.
본 발명은 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 수직방향으로 핀삽입공간이 형성되는 소켓몸체와, 소켓몸체에 형성된 핀삽입공간에 삽입되는 적어도 하나의 포고핀을 포함하며, 포고핀의 각 사이공간에 형성되는 복수의 에어공간을 통해 공기비율을 증가시켜 임피던스를 증가시킴으로써, 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 소켓몸체의 격자간격을 감소시켜 임피던스를 감소시키거나, 소몸체의 핀삽입공간에 형성된 에어공간을 제거하여 임피던스를 감소시킴으로써, 임피던스가 과도하게 높은 경우 이를 쉽게 조절할 수 있어 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 반도체 테스트용 소켓을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 일 형태를 예시한 도면이며,
도 4 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 일 형태를 설명하기 위한 도면이고,
도 10 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 다른 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 일 형태를 예시한 도면이며,
도 4 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 일 형태를 설명하기 위한 도면이고,
도 10 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 다른 형태를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 실시예들에 대한 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 일 형태를 예시한 도면이며, 도 4 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 일 형태를 설명하기 위한 도면이고, 도 10 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 다른 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓은 소켓몸체(socket body, 100), 포고핀(pogo pin, 200) 등을 포함할 수 있다.
소켓몸체(100)는 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간(air space, 110)을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 수직방향으로 핀삽입공간(120)이 형성될 수 있는데, 디바이스와 전기적으로 연결되는 포고핀(200)이 구비되는 테스트영역(130)과, 테스트영역(130)과 절연되어 테스트영역(130)의 외부에 구비되는 주변영역(140)으로 구분될 수 있다.
이러한 소켓몸체(100)는 3D 프린팅방식으로 제조될 수 있는데, 예를 들면, 폴리아미드(polyamide), 폴리아세탈(polyacetal), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 및 ABS 수지(ABS resin) 중 적어도 하나를 이용하여 제조될 수 있다.
예를 들면, 소켓몸체(100)는 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 단면이 육각형태로 형성된 복수의 로드가 기 설정된 간격(예를 들면, 포고핀(200)의 피치간격에 대응하는 간격)만큼 이격되어 격자(즉, 매트릭스)형태로 형성될 수 있다.
그리고, 소켓몸체(100)는 각각의 격자 내부에 복수의 에어공간(110)이 마련될 수 있으며, 테스트영역(130)의 외부에 구비되는 주변영역(140)에는 각각의 로드가 돌출된 형태로 구비될 수 있다.
이러한 소켓몸체(100)는 도 7에 도시한 바와 같이 테스트영역(130)과 주변영역(140)이 구분되는 위치에서 상하 격자가 연결되도록 구비될 수 있는데, 테스트영역(130)과 주변영역(140)이 구분되는 위치 중에서 모서리교차점에서만 상하 격자가 연결되거나, 혹은 모든 교차점에서 상하 격자가 연결되도록 구비될 수 있다.
포고핀(200)은 적어도 하나가 구비되되, 소켓몸체(100)에 형성된 핀삽입공간(120)에 삽입되는 테스트용핀을 의미하는데, 이러한 포고핀(200)은 우수한 전기적 특성을 제공할 수 있도록 예를 들면, 금, 백금, 백금-팔라디움, 알루미늄, 은, 니켈, 티타늄, 티타늄-텅스텐, 텅스텐, 구리, 황동, 인청동, 베릴리움-구리 또는 SUS(스테인레스강) 등과 같은 금속재질 또는 합금재질로 제공되거나, 혹은 니켈, 철 등의 분말에 금, 은 등 전기전도도를 향상시키는 성분이 도금된 형태의 분말을 실리콘과 혼합하여 충진하는 구조로 구현될 수도 있다.
상술한 바와 같은 포고핀(200)은 도 4에 도시한 바와 같이 각 피치간격(P)이 0.29-0.31 mm의 범위를 갖도록 소켓몸체(100)에 삽입될 수 있는데, 그라운드핀(210)과 신호핀(220)으로 구분할 수 있다.
그리고, 포고핀(200)은 도 5에 도시한 바와 같이 그 길이방향(상하) 길이(A)가 2.9-3.1 mm의 길이범위로 하여 제공될 수 있고, 중앙부 직경(B)이 0.19-0.21 mm의 직경범위로 하여 제공될 수 있으며, 상하 끝단부 직경(C)이 0.13-0.15 mm의 직경범위로 하여 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 소켓몸체(100)와 포고핀(200)을 포함하는 반도체 테스트용 소켓은, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 포고핀(200)의 각 사이공간에 형성되는 복수의 에어공간(110)을 통해 공기비율을 증가시켜 임피던스(Impedance)를 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓은 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이 복수의 에어공간(110)의 수직간격을 조절하여 임피던스를 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓에서는 3D 프린팅방식으로 소켓몸체(100)를 제조함으로써, 복잡한 격자형태의 구조물을 쉽게 제조할 수 있고, 이 구조물의 임피던스가 낮을 경우에 저유전율소재를 이용하여 임피던스를 증가시킬 수 있는데, 공기가 물질 중 가장 낮은 유전율을 갖기 때문에, 격자형태의 구조물인 소켓몸체(100)에 복수의 에어공간을 마련하여 포고핀(200)의 사이에 위치시킴으로써, 공기비율을 증가시킬 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 배열을 통해 각각 다른 에어공간(110)을 마련하여 반도체 전기 특성에 대응하는 테스트를 수행할 수 있는데, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이 전기신호의 손실을 감소시키면서 임피던스의 50 Ω 위치에서 불연속을 개선할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓은 도 10에 도시한 바와 같이 소켓몸체(100)의 격자간격을 감소시켜 임피던스를 감소시킬 수 있으며, 핀삽입공간(120)에 형성된 에어공간(110)이 제거되도록 소켓몸체(100)로 제조함으로써, 임피던스를 감소시킬 수 있다.
즉, 도 10에 도시한 바와 같이 격자간격을 감소시키거나, 혹은 포고핀(200) 중 임피던스가 기 설정된 기준임피던스보다 상대적으로 높은 경우 해당 포고핀(200)의 위치에 마련된 에어공간(110)이 형성되지 않도록 포고핀(200)을 감싸는 형태(S)로 제공될 수 있다.
이 경우 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓의 일 형태보다 다른 형태에서 전기신호의 손실을 더욱 더 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 임피던스의 50 Ω 위치에서 불연속을 더욱 개선시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 반도체 테스트용 소켓은 소켓몸체(100)의 하부에 결합되되, 핀삽입공간(120)의 외부로 돌출된 포고핀(200)이 고정되며, 회로패턴이 구비되는 장착용 보드와, 장착용 보드의 하부에 결합되어 회로패턴과 테스트 장비를 연결하는 연결 회로패턴을 구비하는 인터포저(interposer) 등을 포함하는 반도체 테스트 장비와 연결될 수 있다.
물론, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트용 소켓과 결합되어 반도체의 전기적 특성을 테스트할 수 있는 종래에 개시된 다양한 반도체 테스트 장비를 이용하여 테스트할 수 있음은 물론이다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면, 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 수직방향으로 핀삽입공간이 형성되는 소켓몸체와, 소켓몸체에 형성된 핀삽입공간에 삽입되는 적어도 하나의 포고핀을 포함하며, 포고핀의 각 사이공간에 형성되는 복수의 에어공간을 통해 공기비율을 증가시켜 임피던스를 증가시킴으로써, 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 소켓몸체의 격자간격을 감소시켜 임피던스를 감소시키거나, 소켓몸체의 핀삽입공간에 형성된 에어공간을 제거하여 임피던스를 감소시킴으로써, 임피던스가 과도하게 높은 경우 이를 쉽게 조절할 수 있어 반도체 테스트용 소켓의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있다.
이상의 설명에서는 본 발명의 다양한 실시예들을 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 쉽게 알 수 있을 것이다.
100 : 소켓몸체
200 : 포고핀
200 : 포고핀
Claims (8)
- 수직방향 및 수평방향으로 복수의 에어공간(air space)을 갖도록 입체적인 격자형태로 제공되되, 상기 수직방향으로 핀삽입공간이 형성되는 소켓몸체; 및
상기 소켓몸체에 형성된 상기 핀삽입공간에 삽입되는 적어도 하나의 포고핀;
을 포함하는 반도체 테스트용 소켓.
- 청구항 1에 있어서,
상기 반도체 테스트용 소켓은,
상기 포고핀의 각 사이공간에 형성되는 상기 복수의 에어공간을 통해 공기비율을 증가시켜 임피던스(Impedance)를 증가시키는
반도체 테스트용 소켓.
- 청구항 2에 있어서,
상기 반도체 테스트용 소켓은,
상기 복수의 에어공간의 수직간격을 조절하여 상기 임피던스를 조절하는
반도체 테스트용 소켓.
- 청구항 3에 있어서,
상기 반도체 테스트용 소켓은,
상기 소켓몸체의 격자간격을 감소시켜 상기 임피던스를 감소시키는
반도체 테스트용 소켓.
- 청구항 4에 있어서,
상기 반도체 테스트용 소켓은,
상기 핀삽입공간에 형성된 상기 에어공간을 제거하여 상기 임피던스를 감소시키는
반도체 테스트용 소켓.
- 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소켓몸체는,
3D 프린팅방식으로 제조되는
반도체 테스트용 소켓.
- 청구항 6에 있어서,
상기 소켓몸체는,
폴리아미드(polyamide), 폴리아세탈(polyacetal), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 및 ABS 수지(ABS resin) 중 적어도 하나를 이용하여 제조되는
반도체 테스트용 소켓.
- 청구항 7에 있어서,
상기 포고핀은,
각 피치간격이 0.29-0.31 mm의 범위를 갖는
반도체 테스트용 소켓.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220149818A KR20240068400A (ko) | 2022-11-10 | 2022-11-10 | 반도체 테스트용 소켓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220149818A KR20240068400A (ko) | 2022-11-10 | 2022-11-10 | 반도체 테스트용 소켓 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240068400A true KR20240068400A (ko) | 2024-05-17 |
Family
ID=91331703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220149818A KR20240068400A (ko) | 2022-11-10 | 2022-11-10 | 반도체 테스트용 소켓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240068400A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101782600B1 (ko) | 2016-02-02 | 2017-10-23 | (주)티에스이 | 반도체 패키지 테스트 장치 |
-
2022
- 2022-11-10 KR KR1020220149818A patent/KR20240068400A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101782600B1 (ko) | 2016-02-02 | 2017-10-23 | (주)티에스이 | 반도체 패키지 테스트 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10060949B2 (en) | Probe device of vertical probe card | |
| JP4060919B2 (ja) | 電気的接続装置、接触子製造方法、及び半導体試験方法 | |
| KR20130014486A (ko) | 프로브 핀 | |
| US20070018666A1 (en) | Spring contact pin for an IC chip tester | |
| US6348810B1 (en) | Interface unit for a tester and method of connecting a tester with a semiconductor device to be tested | |
| KR102271503B1 (ko) | 신호 전송 커넥터 | |
| KR100640626B1 (ko) | 포고 핀 및 이를 포함하는 테스트 소켓 | |
| US20080100325A1 (en) | Integrated circuit test probe with hollow tubular contact configuration | |
| JP2021526630A (ja) | 電気的設計及び機械的設計が互いに分離された電気試験プローブ | |
| KR20200125751A (ko) | 임피던스 제어형 금속화된 플라스틱 소켓 | |
| US9653833B2 (en) | Contact pin and electrical component socket | |
| TW201825920A (zh) | 用於ｄｃ參數測試的垂直式超低漏電流探針卡 | |
| KR101483757B1 (ko) | 전기접속용 커넥터 | |
| KR101683018B1 (ko) | 러버 콘택의 테스트 보드, 및 이를 포함하는 번인 테스트 소켓 | |
| KR20240068400A (ko) | 반도체 테스트용 소켓 | |
| US20210190825A1 (en) | Coaxial via arrangement in probe card for automated test equipment | |
| US7474113B2 (en) | Flexible head probe for sort interface units | |
| KR102158027B1 (ko) | 중공형 테스트 핀 | |
| KR101852864B1 (ko) | 반도체 검사용 디바이스 | |
| KR20090073745A (ko) | 프로브 카드 | |
| KR101326298B1 (ko) | 반도체 테스트용 소켓 | |
| KR102222200B1 (ko) | 신호 전송 커넥터 및 그 제조방법 | |
| KR20190105985A (ko) | 반도체 소자 테스트 소켓 | |
| KR20220052449A (ko) | 포고 핀 | |
| US7772861B2 (en) | Probe card |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |