KR20240058373A - 제염 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제염 조성물에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 질산이나 황산 등의 무기산 및 별도의 산화, 환원제를 사용하지 않고서도, 방사성 금속 이온과 결합력이 우수하고 향상된 거품 형성력과 유지력을 가지며, 방사능 오염 세척 대상에 따라 최적화된 제형을 가져 방사능 오염의 제거 효율을 향상시킬 수 있는 제염 조성물에 대한 것이다.
Description
본 발명은 제염 조성물에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 질산이나 황산 등의 무기산 및 별도의 산화, 환원제를 사용하지 않고서도, 방사성 금속 이온과 결합력이 우수하고 향상된 거품 형성력과 유지력을 가지며, 방사능 오염 세척 대상에 따라 최적화된 제형을 가져 방사능 오염의 제거 효율을 향상시킬 수 있는 제염 조성물에 대한 것이다.
제염제는 원자력 관계 시설이나 방사성 동위원소의 생산, 취급 과정에서 발생되는 방사성 물질의 오염을 제거하기 위해 사용하는 제제로, 시설을 안정적으로 운영하는데 필요한 물품인데, 최근 국내 방사성 동위원소 생산시설 및 원전해체 산업시장의 증가에 따라 제염제의 수요가 현저하게 증가하고 있다. 이에, 하기 특허문헌처럼 방사성 물질을 제거하기 위한 제염제가 널리 개발되고 있다.
<특허문헌>
특허공보 제10-0274703호(2000. 09. 15. 등록) "점토를 기본 물질로 한 방사성 오염 표면 제염용 겔형 제염제 및 그 제조방법"
하지만, 방사성 오염은 대개 금속성 이온이 핫셀 표면 등 금속 표면에 고착되는 형태로 진행되는데, 종래의 제염제는 제염 효과가 떨어지고, 제염제의 사용 시 오염물의 제거 및 회수 과정이 복합하고, 폐기물이 많이 발생하는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로,
본 발명은 복잡한 모양 및 대면적의 방사능 오염을 신속하게 제거할 수 있으며, 방사능 오염의 제거 및 회수 과정이 단순하고, 액체 폐기물을 최소화할 수 있는 제염 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 질산이나 황산 등의 무기산 및 별도의 산화, 환원제를 사용하지 않고서도, 방사성 금속 이온과 결합력이 우수하고 향상된 거품 형성력과 유지력을 가지는 제염 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 방사능 오염 세척 대상에 따라 최적화된 제형을 가져 방사능 오염의 제거 효율을 향상시킬 수 있는 제염 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발병은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진 실시예에 의해 구현된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 제염 조성물은 알킬티올을 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 제염 조성물은 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 라우릴디메틸아민옥사이드 및 하이드록시프로필메틸셀룰로스를 추가로 포함하며, 상기 알킬티올은 1-옥타테칸티올이 사용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 제염 조성물은 금속 표면에 고착되는 방사성 금속 이온의 제거에 사용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 제염 조성물은 1-옥타테칸티올 1 내지 2중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 내지 5중량부, 라우릴디메틸아민옥사이드 1 내지 5중량부 및 하이드록시프로필메틸셀룰로스 0.1 내지 1중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 제염 조성물은 분출기를 통해 분사되어 거품의 형태를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 방사능 오염 제거방법은 제염 조성물을 분사하여, 방사능 오염 금속 표면에 거품을 도포하는 분사단계와; 상기 분사단계 후 일정 시간 유지하여 금속 표면에 고착된 방사성 금속 이온을 탈리시키는 탈리단계와; 상기 탈리단계 후 상기 방사능 오염 금속 표면의 거품을 흡입하여 폐기물을 수거하는 거품수거단계와; 상기 거품수거단계에서 수거된 폐기물에 소포제를 혼합하여 거품을 제거하여 액체폐기물을 수득하는 거품제거단계와; 상기 거품제거단계에서 수득한 액체폐기물을 여과 및 탈염시켜 방사성 금속 및 유기오염물이 제거된 처리액을 수득하는 여과탈염단계와; 상기 여과탈염단계에서 수득한 처리액의 성능 분석결과, 성능이 일정 기준치에 이르지 못하는 경우 상기 처리액을 농축하여 고형화한 후 폐기하는 폐기단계;를 포함하는 것은 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 방사능 오염 제거방법에 있어서 상기 여과탈염단계에서는 이온교환수지 및 미세입자 흡착제를 이용하여 액체폐기물을 여과하고 탈염시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 방사능 오염 제거방법에 있어서 상기 분사단계에서는 분출기를 이용하여 제염 조성물이 거품 형태로 분사되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 방사능 오염 제거방법에 있어서 상기 소포제는 폴리실록산 화합물형 소포제가 사용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 방사능 오염 제거방법에 있어서 상기 제염 조성물은 옥타데실포스페이트 0.5 내지 1.5중량부, 1-옥타테칸티올 0.5 내지 1.5중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 내지 5중량부, 라우릴디메틸아민옥사이드 2 내지 5중량부, 라우릴에테르황산나트륨 0.1 내지 1중량부, 코코넛디에탄올아미드 0.1 내지 0.5중량부, 하이드록시프로필메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부 및 카복시메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 앞서 본 실시예에 의해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 복잡한 모양 및 대면적의 방사능 오염을 신속하게 제거할 수 있으며, 방사능 오염의 제거 및 회수 과정이 단순하고, 액체 폐기물을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 질산이나 황산 등의 무기산 및 별도의 산화, 환원제를 사용하지 않고서도, 방사성 금속 이온과 결합력이 우수하고 향상된 거품 형성력과 유지력을 가지는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 방사능 오염 세척 대상에 따라 최적화된 제형을 가져 방사능 오염의 제거 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제염 조성물을 사용하여 방사능 오염을 제거하는 방법을 나타내는 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제염 조성물에 대한 핫셀의 화학적 내성도 평가를 위해 사용되는 시편의 사진.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제염 조성물의 세정 능력 평가를 위해 사용되는 기구의 사진.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제염 조성물에 대한 핫셀의 화학적 내성도 평가를 위해 사용되는 시편의 사진.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제염 조성물의 세정 능력 평가를 위해 사용되는 기구의 사진.
이하에서는 본 발명에 따른 제염 조성물을 상세히 설명한다. 특별한 정의가 없는 한 본 명세서의 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 기술자가 이해하는 당해 용어의 일반적 의미와 동일하고 만약 본 명세서에 사용된 용어의 의미와 충돌하는 경우에는 본 명세서에 사용된 정의에 따른다. 또한, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대해 상세한 설명은 생략한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제염 조성물은 알킬티올(Alkyl thiol)을 함유하는 것을 특징으로 한다. 상기 알킬티올의 일예로 1-옥타테칸티올(1-Octadecanethiol)이 사용될 수 있으며, 상기 1-옥타테칸티올은 Cs, Rb, Ge 등의 방사성 핵종과의 결합력이 우수하여, 제염 성능을 향상시키게 된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제염 조성물은 폴리옥시에틸렌알킬에테르(Polyoxyethylene alkyl ether), 라우릴디메틸아민옥사이드(Lauryl dimethyl amine oxide) 및 하이드록시프로필메틸셀룰로스(Hydroxypropyl methylcellulose)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 폴리옥시에틸렌알킬에테르 및 라우릴디메틸아민옥사이드는 1-옥타테칸티올을 포함하는 제제를 거품형으로 제조하기 위해 사용하는 구성으로, 1-옥타테칸티올의 사용시 폴리옥시에틸렌알킬에테르 및 라우릴디메틸아민옥사이드를 특정 비율로 혼합하여 사용하는 경우 거품 발생 및 지속성을 향상시킬 수 있다. 상기 폴리옥시에틸렌알킬에테르는 예컨대 C12~14의 2차 알콜인 Softanol 90이 사용될 수 있다. 상기 하이드록시프로필메틸셀룰로스은 거품 발생의 안정성을 향상시키기 위해 사용되게 된다. 상기 제염 조성물은 1-옥타테칸티올 1 내지 2중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 내지 5중량부, 라우릴디메틸아민옥사이드 1 내지 5중량부 및 하이드록시프로필메틸셀룰로스 0.1 내지 1중량부의 조성비를 가지는 것이 바람직하다. 상기와 같은 제염 조성물은 분출기를 통해 거품 형태로 방사능 오염 금속 표면에 도포되어, Cs, Rb, Ge 등의 방사성 핵종을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제염 조성물은 알콜포스페이트(Alcohol phosphate)를 함유하는 것을 특징으로 한다. 상기 알콜포스페이트의 일예로 옥타데실포스페이트(Octadecyl Phosphate)가 사용될 수 있으며, 옥타데실포스페이트는 Co, Cu, Ce 등의 방사성 핵종과의 결합력이 우수하여, 별도의 유기산이나 무기산을 첨가하지 않고 제염의 성능을 발휘할 수 있도록 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 제염 조성물은 폴리옥시에틸렌알킬에테르 및 카복시메틸셀룰로스(Carboxymethyl cellulose)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 폴리옥시에틸렌알킬에테르는 기포 발생 및 옥타데실포스페이트를 수용액으로 제조하기 위해 사용되게 되며, 상기 카복시메틸셀룰로스는 기포 발생의 안정성을 증대시키기 위해 사용되게 된다. 상기 제염 조성물은 옥타데실포스페이트 1 내지 2중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 3 내지 10중량부 및 카복시메틸셀룰로스 0.1 내지 1중량부의 조성비를 가지는 것이 바람직히다. 상기와 같은 제염 조성물은 분출기를 통해 거품 형태로 방사능 오염 금속 표면에 도포되어, Co, Cu, Ce 등의 방사성 핵종을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제염 조성물은, 옥타데실포스페이트 0.5 내지 1.5중량부, 1-옥타테칸티올 0.5 내지 1.5중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 내지 5중량부, 라우릴디메틸아민옥사이드 2 내지 5중량부, 라우릴에테르황산나트륨 0.1 내지 1중량부, 코코넛디에탄올아미드 0.1 내지 0.5중량부, 하이드록시프로필메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부 및 카복시메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 옥타데실포스페이트는 Co, Cu, Ce 등의 방사성 핵종과의 결합력이 우수한 특성을 가지고, 상기 1-옥타테칸티올은 Cs, Rb, Ge 등의 방사성 핵종과의 결합력이 우수한 특성을 가져, 상기 제염 조성물이 제염 특성을 가지도록 한다. 상기 폴리옥시에틸렌알킬에테르는 기포 발생 및 옥타데실포스페이트를 수용액으로 제조하기 위해 사용되게 되며, 상기 라우릴디메틸아민옥사이드는 1-옥타테칸티올의 사용에 따라 거품 발생 및 지속성을 향상시키기 위해 사용되고, 상기 라우릴에테르황산나트륨(sodium lauryl ether sulfate) 및 코코넛디에탄올아미드(Coconut diethanolamide)는 옥타데실포스페이트 및 1-옥타테칸티올가 함께 사용될 때 거품의 방사능 오염 금속 표면에 머무름 시간 및 거품이 유지되는 시간을 향상시키기 위해 특정 비율로 혼합 사용되게 되며, 상기 하이드록시프로필메틸셀룰로스 및 카복시메틸셀룰로스는 거품의 안정성을 향상시키기 위해 사용되게 된다. 원자력 시설은 중성자에 의한 방사화로 방사성 동위원소가 생성되며, 그 중 장반감기 핵종인 Cs-137 및 Co-60이 주된 오염원소로 알려져 있는데, 상기와 같은 제염 조성물은 분출기를 통해 거품 형태로 방사능 오염 금속 표면에 도포되어, Cs, Co 등의 방사성 핵종을 효과적으로 제거할 수 있으므로, 원자력 시설의 제염에 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 방사능 오염 제거방법은 제염 조성물을 분사하여, 방사능 오염 금속 표면에 거품을 도포하는 분사단계(S1)와; 상기 분사단계(S1) 후 일정 시간 유지하여 금속 표면에 고착된 방사성 금속 이온을 탈리시키는 탈리단계(S2)와; 상기 탈리단계(S2) 후 상기 방사능 오염 금속 표면의 거품을 흡입하여 폐기물을 수거하는 거품수거단계(S3)와; 상기 거품수거단계(S3)에서 수거된 폐기물에 소포제를 혼합하여 거품을 제거하여 액체폐기물을 수득하는 거품제거단계(S4)와; 상기 거품제거단계(S4)에서 수득한 액체폐기물을 여과 및 탈염시켜 방사성 금속 및 유기오염물이 제거된 처리액을 수득하는 여과탈염단계(S5)와; 상기 여과탈염단계(S5)에서 수득한 처리액의 성능 분석결과, 성능이 일정 기준치에 이르지 못하는 경우 상기 처리액을 농축하여 고형화한 후 폐기하는 폐기단계(S6);를 포함하는 것은 특징으로 한다.
상기 분사단계(S1)는 제염 조성물을 분사하여, 방사능 오염 금속 표면에 거품을 도포하는 단계로, 상기 분사단계(S1)는 분출기를 이용하여 제염 조성물이 거품 형태로 분사되게 되며, 상기 제염 조성물은 옥타데실포스페이트 0.5 내지 1.5중량부, 1-옥타테칸티올 0.5 내지 1.5중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 내지 5중량부, 라우릴디메틸아민옥사이드 2 내지 5중량부, 라우릴에테르황산나트륨 0.1 내지 1중량부, 코코넛디에탄올아미드 0.1 내지 0.5중량부, 하이드록시프로필메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부 및 카복시메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 탈리단계(S2)는 상기 분사단계(S1) 후 일정 시간 유지하여 금속 표면에 고착된 방사성 금속 이온을 탈리시키는 단계로, 상기 제염 조성물은 방사성 금속 이온을 금속 표면에서 떨어지게 하며, 거품의 발생, 거품의 금속 표면에 머무름, 거품을 유지하는 능력이 우수하여 금속 표면에서 효과적(복잡한 모양, 대면적의 오염원을 신속하게 제거할 수 있음)으로 방사성 금속 이온을 탈리시킬 수 있게 된다.
상기 거품수거단계(S3)는 상기 탈리단계(S2) 후 상기 방사능 오염 금속 표면의 거품을 흡입하여 폐기물을 수거하는 단계이다. 상기 제염 조성물을 분사하여 형성한 거품은 안정성이 뛰어나므로, 상기 거품수거단계(S3)에서는 흡입기를 이용하여 상기 거품을 흡입하여 폐기물 수거 시 액체 발생량이 최소화되어 방사능 오염 시설의 2차 오염을 방지할 수 있게 된다.
상기 거품제거단계(S4)는 상기 거품수거단계(S3)에서 수거된 폐기물에 소포제를 혼합하여 거품을 제거하여 액체폐기물을 수득하는 단계로, 상기 소포제는 폴리실록산 화합물형 소포제가 사용되는 것이 바람직하다.
상기 여과탈염단계(S5)는 상기 거품제거단계(S4)에서 수득한 액체폐기물을 여과 및 탈염시켜 방사성 금속 및 유기오염물이 제거된 처리액을 수득하는 단계로, 상기 여과탈염단계(S5)에서는 이온교환수지 및 미세입자 흡착제를 이용하여 액체폐기물을 여과하고 탈염시키는 것이 바람직하다.
상기 재사용단계(S6)는 상기 여과탈염단계(S5)에서 수득한 처리액의 성능 분석결과, 성능이 일정 기준치에 이르지 못하는 경우 상기 처리액을 농축하여 고형화한 후 폐기하는 단계이다. 도시하지 않았지만, 상기 방사능 오염 제거방법은 상기 여과탈염단계(S5)에서 수득한 처리액의 성능 분석결과, 성능이 일정 기준치 이상이라고 판단 시 상기 여과탈염단계(S5)에서 수득한 처리액을 제염 조성물로 재사용하는 단계이다.
이하, 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 하지만, 이들은 본 발명을 보다 상세하게 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> 제염 조성물의 제조
1. 하기 표 1에 기재된 성분 및 비율에 따라 제염 조성물 1 내지 8을 제조하였다. 하기 폴리옥시에틸렌알킬에테르는 Softanol 90이 사용되었다.
| 제염 조성물 | 성분(중량%) | ||||||||
| 옥타데실포스페이트 | 1-옥타테칸티올 | 폴리옥시에틸렌알킬에테르 | 라우릴디메틸아민옥사이드 | 라우릴에테르황산나트륨 | 코코넛에탄올아미드 | 하이드록시메틸셀룰로스 | 카복시메틸셀룰로스 | 물 | |
| 1 | 1.5 | 0 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 잔량 |
| 2 | 0 | 1.5 | 2.5 | 2.5 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 잔량 |
| 3 | 1.5 | 0 | 2.5 | 2.5 | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 잔량 |
| 4 | 0 | 1.5 | 5 | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 잔량 |
| 5 | 1.2 | 1.2 | 4 | 3 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.3 | 잔량 |
| 6 | 1.2 | 1.2 | 0 | 7 | 0 | 0 | 0.2 | 0.3 | 잔량 |
| 7 | 1.2 | 1.2 | 4 | 3 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 잔량 |
| 8 | 0 | 0 | 4 | 3 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.3 | 잔량 |
<실시예 2> 제염 조성물에 대한 핫셀의 화학적 내성도 평가
1. 도 2에 도시된 바와 같이, 제염 조성물 1 내지 8 각각에 담근 정제솜 조각을, STS 316L 시편(핫셀 시편)에 표면에 올려 놓은 후 10분간 접촉시킨 후, 물을 이용하여 시편을 닦고 40℃에서 1시간 동안 건조후, 육안 검사를 하였다.
2. 육안 검사 결과, 어느 시편에서도 색상이나 광택의 변화가 없음을 확인하여, 상기 제염 조성물 1 내지 8은 핫셀 등의 금속을 부식시키지 않음을 알 수 있다.
<실시예 3> 제염 조성물의 세정 능력 평가
1. KS A 8690: 1988에서 권고한 도 3에 도시된 바와 같은 보조 도구를 제작하고, 각각 방사성 핵종(Cs-137, Co-60, Cu-64, Rb-82)으로 오염 시킨 시편에 상기 제염 조성물 1 내지 8을 접촉시키고, 한 시간이 지난 후 제거된 방사성 핵종를 ICP-MS로 측정하고, 제거율을 계산하여 표 2에 나타내었다.
2. 표 2를 보면, 제염 조성물 1은 Co, Cu를 효과적으로 제거하고, 제염 조성물 2 및 4는 Cs, Rb을 효과적으로 제거하고, 제염 조성물 5 및 7는 Cs, Co를 효과적으로 제거함을 확인할 수 있으며, 제염 조성물 3, 6 및 8은 방사성 핵종 제거 능력이 떨어짐을 알 수 있어, 제거하고자 하는 방사성 핵종에 따라 최적화된 성분과 비율이 존재함을 알 수 있다.
| 제염 조성물 | 제거율(%) | |||
| Cs | Co | Cu | Rb | |
| 1 | 50 | 95 | 93 | 60 |
| 2 | 99 | 55 | 60 | 93 |
| 3 | 28 | 82 | 81 | 49 |
| 4 | 98 | 56 | 61 | 92 |
| 5 | 97 | 93 | 83 | 83 |
| 6 | 68 | 73 | 74 | 76 |
| 7 | 97 | 94 | 84 | 85 |
| 8 | 5 | 6 | 7 | 5 |
<실시예 4> 제염 조성물의 분사 후 특성의 평가
1. 거품 발생 정도의 평가
(1) 제염 조성물 1 내지 8 각각을 분출기를 통해 벽면에 분사하여 거품 발생을 육안으로 평가하였다. 거품 발생에 대한 평가는 주관적 평가로, 그 결과를 표 3에 나타내었으며, 평가시 거품이 많이 발생하면 3, 거품 발생이 보통이면 2, 거품 발생이 적으면 1로 평가하였다.
(2) 표 3을 보면, 제염 조성물 4 및 6을 제외하고 거품이 많이 발생함을 알 수 있다.
| 제염 조성물 | ||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | |
| 거품발생 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 2 | 3 | 3 |
2. 머무름 시간 및 거품 안정성 평가
(1) 제염 조성물 1, 2, 4, 5 및 7 각각을 분출기를 통해 수직 벽면에 분사하여 거품의 머무름 시간을 평가하고, ASTM D 1173 평가법을 기반으로 제염 조성물 1, 2, 4, 5 및 7 각각을 분출기를 통해 전용 용기에 분사하고, 평가가 진행되는 동안 거품의 높이를 측정하여 특정 높이까지 거품이 유지되는 시간을 측정하여, 그 결과를 표 4에 나타내었다. 머무름 시간은 10분보다 적으면 1, 10분 내지 20분 사이이면 2, 20분 내지 30분 사이이면 3, 30분보다 크면 4로으로 표기하였고, 거품이 유지되는 시간은 1시간보다 적으면 1, 1시간 내지 2시간 사이이면 2, 2시간 내지 3시간 사이이면 3, 3시간보다 크면 4로 표기하였다.
(2) 표 4를 보면, 제염 조성물 4 및 7은 머무름 시간 및 거품이 유지되는 시간이 줄어듬을 확인할 수 있다.
| 제염 조성물 | |||||
| 1 | 2 | 4 | 5 | 7 | |
| 머루름 시간 | 3 | 3 | 2 | 3 | 1 |
| 거품유지되는 시간 | 3 | 3 | 2 | 3 | 1 |
이상에서, 출원인은 본 발명의 다양한 실시예들을 설명하였지만, 이와 같은 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 구현하는 일 실시예일 뿐이며, 본 발명의 기술적 사상을 구현하는 한 어떠한 변경예 또는 수정예도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (10)
- 알킬티올을 함유하는 것을 특징으로 하는 제염 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 제염 조성물은 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 라우릴디메틸아민옥사이드 및 하이드록시프로필메틸셀룰로스를 추가로 포함하며,
상기 알킬티올은 1-옥타테칸티올이 사용되는 것을 특징으로 하는 제염 조성물. - 제2항에 있어서,
상기 제염 조성물은 금속 표면에 고착되는 방사성 금속 이온의 제거에 사용되는 것을 특징으로 하는 제염 조성물. - 제3항에 있어서,
상기 제염 조성물은 1-옥타테칸티올 1 내지 2중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 내지 5중량부, 라우릴디메틸아민옥사이드 1 내지 5중량부 및 하이드록시프로필메틸셀룰로스 0.1 내지 1중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 제염 조성물. - 제4항에 있어서,
상기 제염 조성물은 분출기를 통해 분사되어 거품의 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 제염 조성물. - 제염 조성물을 분사하여, 방사능 오염 금속 표면에 거품을 도포하는 분사단계와; 상기 분사단계 후 일정 시간 유지하여 금속 표면에 고착된 방사성 금속 이온을 탈리시키는 탈리단계와; 상기 탈리단계 후 상기 방사능 오염 금속 표면의 거품을 흡입하여 폐기물을 수거하는 거품수거단계와; 상기 거품수거단계에서 수거된 폐기물에 소포제를 혼합하여 거품을 제거하여 액체폐기물을 수득하는 거품제거단계와; 상기 거품제거단계에서 수득한 액체폐기물을 여과 및 탈염시켜 방사성 금속 및 유기오염물이 제거된 처리액을 수득하는 여과탈염단계와; 상기 여과탈염단계에서 수득한 처리액의 성능 분석결과, 성능이 일정 기준치에 이르지 못하는 경우 상기 처리액을 농축하여 고형화한 후 폐기하는 폐기단계;를 포함하는 것은 특징으로 하는 방사능 오염 제거방법.
- 제6항에 있어서,
상기 여과탈염단계에서는 이온교환수지 및 미세입자 흡착제를 이용하여 액체폐기물을 여과하고 탈염시키는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 제거방법. - 제7항에 있어서,
상기 분사단계에서는 분출기를 이용하여 제염 조성물이 거품 형태로 분사되는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 제거방법. - 제8항에 있어서,
상기 소포제는 폴리실록산 화합물형 소포제가 사용되는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 제거방법. - 제9항에 있어서,
상기 제염 조성물은 옥타데실포스페이트 0.5 내지 1.5중량부, 1-옥타테칸티올 0.5 내지 1.5중량부, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 1 내지 5중량부, 라우릴디메틸아민옥사이드 2 내지 5중량부, 라우릴에테르황산나트륨 0.1 내지 1중량부, 코코넛디에탄올아미드 0.1 내지 0.5중량부, 하이드록시프로필메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부 및 카복시메틸셀룰로스 0.1 내지 0.5중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 제거방법.
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