KR20240058111A - Substrate with resin composition, light shielding film, and partition wall - Google Patents

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미츠히토 스와
히데유키 고바야시
마나미 후지이
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 프리베이크 후의 막의 비점착성과, 큐어 후의 내열성을 양립시킨 후막 격벽을, 고노광량 가공 시에도 포토마스크의 설계 선폭대로 형성 가능한 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 목적은, 광 라디칼 발생제와, 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물과, 특정 구조를 포함하는 폴리실록산과, 특정 구조를 포함하는 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 특정 구조를 포함하는 카르도계 폴리머를 함유하는 수지 조성물이며, 상기 폴리실록산의 중량과 (메트)아크릴 폴리머 및 카르도계 폴리머의 합계 중량의 비가 30/70 내지 70/30인 수지 조성물에 의해 달성할 수 있다.The purpose of the present invention is to provide a resin composition that can form a thick film partition that achieves both the non-adhesion of the film after prebaking and the heat resistance after curing at the designed linewidth of the photomask even during high exposure dose processing. The object of the present invention is a photo radical generator, a hindered phenol compound and/or a hindered amine compound, a polysiloxane containing a specific structure, a (meth)acrylic polymer containing a specific structure and/or a specific structure. It is a resin composition containing a cardo-based polymer, and can be achieved by a resin composition in which the ratio of the weight of the polysiloxane to the total weight of the (meth)acrylic polymer and the cardo-based polymer is 30/70 to 70/30.

Description

수지 조성물, 차광막 및 격벽 구비 기판Substrate with resin composition, light shielding film, and partition wall

본 발명은, 수지 조성물과, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 및 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a light-shielding film formed from the resin composition, and a barrier rib-equipped substrate having patterned barrier ribs.

근년, 광 이용 효율을 높게 한 컬러 표시 장치로서, 광원과, 파장 변환용 형광체를 포함하는 파장 변환부와, 편광 분리 수단과 편광 변환 수단을 구비한 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 예를 들어, 청색 광원과, 액정 소자와, 청색광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 형광체, 청색광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 형광체, 및 청색광을 산란시키는 광산란층을 갖는 파장 변환부를 포함하는 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).In recent years, as a color display device with increased light utilization efficiency, a color display device including a light source, a wavelength conversion unit including a phosphor for wavelength conversion, a polarization separation means, and a polarization conversion means has been proposed (e.g., (see patent document 1). For example, a blue light source, a liquid crystal element, a phosphor that is excited by blue light and emits red fluorescence, a phosphor that is excited by blue light and emits green fluorescence, and a wavelength converter having a light scattering layer that scatters blue light. A color display device has been proposed (for example, see Patent Document 2).

그러나, 특허문헌 1, 2에 기재되는 바와 같은 색 변환 형광체를 포함하는 컬러 필터는, 형광이 모든 방향으로 발생하므로, 광의 취출 효율이 낮고, 휘도가 불충분하다. 특히, 4K, 8K라고 불리는 고정밀 표시 장치에서는, 화소 사이즈가 작아지기 때문에, 휘도의 과제가 현저해지므로, 더 높은 휘도가 요구되고 있다.However, color filters containing color conversion phosphors as described in Patent Documents 1 and 2 generate fluorescence in all directions, so light extraction efficiency is low and luminance is insufficient. In particular, in high-precision display devices called 4K and 8K, as the pixel size becomes smaller, the problem of luminance becomes more significant, and thus higher luminance is required.

표시 장치의 휘도를 향상시키기 위해서는, 색 변환 형광체를, 반사성이 높은 격벽으로 격리하는 것이 유효하다. 또한, 인접 화소간에 있어서, 광의 혼색이 발생하지 않기 위해서는, 격벽의 차광성을 높게 할 필요가 있다. 따라서, 고반사성과 고차광성을 양립시킨 격벽 재료가 요구되고 있다.In order to improve the luminance of a display device, it is effective to isolate the color conversion phosphor with a highly reflective partition. Additionally, in order to prevent color mixing of light between adjacent pixels, it is necessary to increase the light-shielding property of the partition. Therefore, there is a demand for a barrier material that has both high reflectivity and high light blocking properties.

일본 특허 공개 제2000-131683호 공보Japanese Patent Publication No. 2000-131683 일본 특허 공개 제2009-244383호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-244383 일본 특허 공개 제2000-347394호 공보Japanese Patent Publication No. 2000-347394 일본 특허 공개 제2006-259421호 공보Japanese Patent Publication No. 2006-259421 국제 공개 제2020/008969호International Publication No. 2020/008969

발명자들은, 고반사성과 고차광성을 양립시킨 격벽을 형성하기 위해서, 먼저, 고반사율을 발현하는 산화티타늄 백색 안료를 사용한 백색 격벽 재료에, 차광 안료를 첨가한 재료를 사용하는 방법을 검토하였다. 그러나, 이 방법에서는, 백색 안료와 차광 안료에 의해 노광광 전체가 흡수되어, 노광 시에 막의 저부까지 광이 도달하지 않아, 패턴 가공성이 나쁘다는 과제가 명백해졌다.In order to form a partition that has both high reflectivity and high light-blocking properties, the inventors first studied a method of using a material in which a light-shielding pigment was added to a white partition material using a titanium oxide white pigment that exhibits high reflectivity. However, in this method, the entire exposure light is absorbed by the white pigment and the light-shielding pigment, the light does not reach the bottom of the film during exposure, and the problem of poor pattern processability has become apparent.

특허문헌 3,4에 기재되어 있는 바와 같이, 특정 금속 화합물을 첨가함으로써, 패턴 형성 후의 소성에 의해 흑색화하는 기술이 제안되어 있다. 그러나, 이러한 흑색화 기술은, 400℃ 이상의 소성이 필요하고, 250℃ 이하의 가열에서는 차광성이 향상되지 않는다는 과제가 있었다.As described in Patent Documents 3 and 4, a technique for blackening by adding a specific metal compound and baking after pattern formation has been proposed. However, this blackening technology requires baking at 400°C or higher, and has the problem that light-shielding properties do not improve when heated at 250°C or lower.

그래서 발명자들은, 제막 후에 패턴 노광하는 공정 시에는 노광광을 투과하고, 노광한 막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 가열한 후에, 차광성을 상승시키는 설계를 고안하였다. 또한, 수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물을 사용함으로써 이것을 달성하였다(특허문헌 5 참조). 특히, 수지로서 폴리실록산을 사용하면 고내열성을 갖는 격벽을 형성할 수 있음을 알아내었다.Therefore, the inventors devised a design that transmits the exposure light during the pattern exposure process after film formation and heats the exposed film at a temperature of 120°C or more and 250°C or less to increase light blocking properties. Additionally, this can be achieved by using a resin composition containing a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium, a photopolymerization initiator or a quinonediazide compound, and a solvent. achieved (see patent document 5). In particular, it was found that using polysiloxane as a resin can form a partition wall with high heat resistance.

그러나, 이 기술은, 수지로서 폴리실록산을 사용하면, 프리베이크 후의 막에 점착성이 있어, 가공 도중의 기판 취급이 어렵다는 문제가 있었다. 한편, 수지로서 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머를 사용하면, 프리베이크 후의 점착성은 개선되기는 하지만, 높이 10㎛ 이상의 후막 격벽을 형성할 때 막 상부와 막 저부에서 경화도에 차가 생겨, 큐어 후에 스트레스 차에 의해 주름이 발생한다는 과제가 명백해졌다. 또한, (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머를 사용하여 형성된 격벽은, 실록산 폴리머를 사용한 경우에 비해서 내열성이나 내후성이 낮다는 과제도 명백해졌다.However, this technology had the problem that when polysiloxane was used as the resin, the film after prebaking was sticky, making it difficult to handle the substrate during processing. On the other hand, when using (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer as the resin, the adhesion after prebaking is improved, but when forming a thick film partition of 10 ㎛ or more in height, a difference in curing degree occurs at the top and bottom of the film, resulting in curing. Later, it became clear that wrinkles were caused by stress differences. Additionally, the problem that partitions formed using (meth)acrylic polymers and/or cardo-based polymers have lower heat resistance and weather resistance than those using siloxane polymers has also become apparent.

또한, 높이 10㎛ 이상의 후막 격벽을 형성하기 위해서는, 300 내지 500mJ/㎠ 정도의 높은 노광량으로 패턴 가공을 행하는 경우가 있는데, 이러한 경우에, 포토마스크의 선폭 설계에 대해서, 형성한 격벽의 선폭이 대폭 굵어져 버린다는 다른 과제도 명백해졌다.In addition, in order to form a thick film barrier rib with a height of 10 μm or more, pattern processing may be performed at a high exposure dose of about 300 to 500 mJ/cm2. In this case, with respect to the line width design of the photomask, the line width of the formed barrier rib is greatly reduced. Another problem of thickening also became clear.

그래서, 본 발명은, 프리베이크후의 막의 비점착성과, 큐어 후의 내열성을 양립시킨 후막 격벽을, 고노광량 가공 시에도 포토마스크의 설계 선폭대로 형성 가능한 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the purpose of the present invention is to provide a resin composition that can form a thick film partition that achieves both the non-adhesion of the film after prebaking and the heat resistance after curing at the designed line width of the photomask even during high exposure dose processing.

본원 발명자 등은, 예의 연구한 결과, 광 라디칼 발생제와, 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물과, 특정 구조를 포함하는 폴리실록산과, 특정 구조를 포함하는 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 특정 구조를 포함하는 카르도계 폴리머를 함유하는 수지 조성물이며, 상기 폴리실록산의 중량과 (메트)아크릴 폴리머 및 카르도계 폴리머의 합계 중량의 비가 30/70 내지 70/30인 수지 조성물로 격벽을 형성함으로써, 프리베이크 후의 막의 비점착성과, 큐어 후의 내열성을 양립시킨 후막 격벽을, 고노광량 가공 시에도 포토마스크의 설계 선폭대로 형성 가능한 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.As a result of intensive research, the inventors of the present application and others have found that a photo radical generator, a hindered phenol compound and/or a hindered amine compound, a polysiloxane containing a specific structure, a (meth)acrylic polymer and/or a specific structure, and/or It is a resin composition containing a cardo-based polymer containing a specific structure, and the ratio of the weight of the polysiloxane to the total weight of the (meth)acrylic polymer and the cardo-based polymer is 30/70 to 70/30. By forming a partition wall, The present invention was completed by discovering that a thick film partition that achieves both the non-stickiness of the film after prebaking and the heat resistance after curing can be formed within the designed linewidth of the photomask even during high exposure dose processing.

즉, 본 발명은, 이하의 것을 제공한다.That is, the present invention provides the following.

[1] (i) 광 라디칼 발생제와,[1] (i) a photo radical generator,

(ii) 하기 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 방향환을 갖는 구조와 하기 일반식 (3)으로 표현되는 광 라디칼 중합성기를 갖는 구조를 포함하는 폴리실록산과,(ii) a polysiloxane comprising a structure having an aromatic ring represented by the following general formula (1) or (2) and a structure having a radical photopolymerizable group represented by the following general formula (3),

(iii) 하기 일반식 (4)로 표현되는 방향환을 갖는 구조와 하기 일반식 (5)로 표현되는 광 라디칼 중합성기를 갖는 구조를 포함하는 (메트)아크릴 폴리머 및/또는, 하기 일반식 (6) 혹은 하기 일반식 (7)로 표현되는 구조와 광 라디칼 중합성기를 갖는 카르도계 폴리머(iii) a (meth)acrylic polymer comprising a structure having an aromatic ring represented by the following general formula (4) and a structure having a radical photopolymerizable group represented by the following general formula (5) and/or the following general formula ( 6) Or a cardo-based polymer having a structure expressed by the following general formula (7) and a radical photopolymerizable group.

를 함유하는 수지 조성물이며, 상기 폴리실록산의 중량과 (메트)아크릴 폴리머 및 카르도계 폴리머의 합계 중량의 비가 30/70 내지 70/30인, 수지 조성물.A resin composition containing, wherein the ratio of the weight of the polysiloxane to the total weight of the (meth)acrylic polymer and the cardo-based polymer is 30/70 to 70/30.

(일반식 (1) 내지 (7) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 알콕시기, 실록산 결합을 갖는 기 또는 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기를 나타낸다. R5 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 인접하는 R5 내지 R7끼리 형성한 환이 방향환으로 되는 기를 나타낸다. R8은 수소, 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타낸다. X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 방향환을 갖는 유기기를 나타낸다. Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 광 라디칼 중합성기를 갖는 유기기를 나타낸다. p, q, r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, s는 1 내지 2의 정수를 나타낸다. a, b, c, d, e, f 및 g는 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타낸다. a 내지 e가 2 이상일 경우, 복수의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, X3, X4, Y1 및 Y2는 각각 동일하여도 다르게 되어 있어도 된다.)(In General Formulas (1) to (7), R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, a hydroxy group, an alkoxy group, a group having a siloxane bond, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms. R 3 and R 4 each independently represents hydrogen, a hydroxy group, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, and R 5 to R 7 each independently represent hydrogen, a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an adjacent aryl group. R 8 represents hydrogen , a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. 4 each independently represents an organic group having an aromatic ring, p, q, and r each independently represent an organic group having a photo radical polymerizable group, and s is an integer of 0 to 2 . a, b, c, d, e, f and g each independently represent an integer of 1 or more, and when a to e are 2 or more, a plurality of R 1 , R 2 , R 3 . R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , X 3 , X 4 , Y 1 and Y 2 may be the same or different.)

[2] 상기 힌더드 페놀 화합물이, 1분자 중에 2개 이상의 힌더드 페놀기를 갖는 힌더드 페놀 화합물인, [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the hindered phenol compound is a hindered phenol compound having two or more hindered phenol groups in one molecule.

[3] 상기 힌더드 아민 화합물이, 피페리딘 화합물인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the hindered amine compound is a piperidine compound.

[4] 상기 힌더드 아민 화합물이, 광중합성기를 갖는 피페리딘 화합물인, [1] 내지 [3]의 어느 것에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the hindered amine compound is a piperidine compound having a photopolymerizable group.

[5] 상기 폴리실록산의 중량 평균 분자량이 5,000 내지 300,000이며, 상기 폴리실록산의 전체 반복 단위 중, 상기 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 반복 단위를 30 내지 70몰%, 상기 일반식 (3)으로 표현되는 반복 단위를 15 내지 70몰% 함유하는, [1] 내지 [4]의 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The weight average molecular weight of the polysiloxane is 5,000 to 300,000, and the repeating unit represented by the general formula (1) or (2) is 30 to 70 mol% among all repeating units of the polysiloxane, and the general formula (3) ) The resin composition according to any one of [1] to [4], containing 15 to 70 mol% of the repeating unit represented by ).

[6] 상기 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머의 유리 전이 온도가, 60℃ 이상인, [1] 내지 [5]의 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer has a glass transition temperature of 60°C or higher.

[7] 백색 안료, 차광 안료 및 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물 중 적어도 1종 이상을 더 함유하는, [1] 내지 [6]의 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] [1] to [6] further containing at least one of a white pigment, a light-shielding pigment, and an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium. The resin composition according to any one of the above.

[8] 상기 광 라디칼 발생제로서, 옥심에스테르 화합물 및 포스핀옥사이드 화합물을 함유하는, [1] 내지 [7]의 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], containing an oxime ester compound and a phosphine oxide compound as the photo radical generator.

[9] 광중합성기를 갖는 발액 화합물을 더 함유하는, [1] 내지 [8]의 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], further containing a liquid-repellent compound having a photopolymerizable group.

[10] [1] 내지 [9]의 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 차광막.[10] A light-shielding film formed by curing the resin composition according to any one of [1] to [9].

[11] 하지 기판 상에 [1] 내지 [9]의 어느 하나에 기재된 수지 조성물에 의해 (A-1) 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판이며, 상기 격벽의 파장 550nm에서의 두께 10㎛당 반사율이 10% 내지 60%, 파장 450nm에서의 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 격벽 구비 기판.[11] A substrate with barrier ribs having barrier ribs patterned (A-1) with the resin composition according to any one of [1] to [9] on an underlying substrate, wherein the barrier ribs have a reflectance per 10 μm of thickness at a wavelength of 550 nm. A substrate with a partition having an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm of thickness at 10% to 60% and a wavelength of 450 nm.

[12] 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이, 수지와, 백색 안료와, 차광 안료를 함유하고, 상기 차광 안료가, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료, 및 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금, 은으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자에서 선택된 안료인, [11]에 기재된 격벽 구비 기판.[12] The patterned barrier rib (A-1) contains a resin, a white pigment, and a light-shielding pigment, and the light-shielding pigment has a weight ratio of titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, red pigment, and blue pigment of 20/ A pigment selected from 80 to 80/20 mixed pigments and particles containing at least one metal oxide or metal selected from the group consisting of palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold, and silver. , a substrate with a partition described in [11].

[13] 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이, 또한 힌더드 아민 화합물을 함유하는, [11] 또는 [12]에 기재된 격벽 구비 기판.[13] The barrier rib-equipped substrate according to [11] or [12], wherein the patterned barrier rib (A-1) further contains a hindered amine compound.

[14] 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 사이에, 또한 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 차광 격벽을 갖는, [11] 내지 [13]의 어느 하나에 기재된 격벽 구비 기판.[14] Between the base substrate and the patterned barrier rib (A-1), there is also a patterned light-shielding barrier rib (A-2) having an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm in thickness, of [11] to [13]. The board having a partition according to any one of the above.

[15] 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽에 의해 격리되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 더 함유하는 화소층을 갖는, [11] 내지 [14]의 어느 하나에 기재된 격벽 구비 기판.[15] The substrate with a barrier rib according to any one of [11] to [14], which has a pixel layer further containing the color conversion light-emitting material (B) arranged and isolated by the patterned barrier rib (A-1).

[16] [11] 내지 [15]의 어느 하나에 기재된 격벽 구비 기판과, 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원을 갖는 표시 장치.[16] A display device having the barrier rib-equipped substrate according to any one of [11] to [15], and a light emission source selected from a liquid crystal cell, an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.

본 발명의 수지 조성물은, 프리베이크 후의 비점착성과 큐어 후의 내열성이 우수한 미세 후막 격벽 패턴을, 고노광량 가공 시에도 포토마스크의 설계 선폭대로 형성 가능하다.The resin composition of the present invention can form a fine thick film barrier rib pattern with excellent non-stickiness after prebaking and heat resistance after curing at the designed linewidth of the photomask even during high exposure dose processing.

도 1은 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 2는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 3은 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 4는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 5는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 차광 격벽과 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 6은 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 7은 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 8은 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 9는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 차광 격벽과 컬러 필터와 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 10은 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 저굴절률층 및 무기 보호층 II를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 11은 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 컬러 필터와, 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 12는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 13은 패턴 형성된 격벽과, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀, 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원을 함유하는 화소를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 14는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료와, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀, 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원을 함유하는 화소를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 15는 실시예에서 혼색 평가에 사용한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having patterned barrier ribs.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs and pixels containing a color conversion light-emitting material.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has a patterned barrier rib, a color conversion light-emitting material, and a light-shielding barrier rib.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs, a color conversion light-emitting material, and a color filter.
Fig. 5 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has a patterned barrier rib, a color-converting light-emitting material, a light-shielding barrier rib, and a color filter.
Fig. 6 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs, a color conversion light emitting material, and a low refractive index layer.
Fig. 7 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs, a color conversion light-emitting material, a low refractive index layer, and an inorganic protective layer I.
Fig. 8 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs, a color conversion light-emitting material, a low refractive index layer, and an inorganic protective layer I.
Fig. 9 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs, a color-converting light-emitting material, a light-shielding barrier rib, a color filter, a low refractive index layer, and an inorganic protective layer I.
Fig. 10 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having patterned barrier ribs, a color conversion light emitting material, a low refractive index layer, and an inorganic protective layer II.
Fig. 11 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs, a color conversion light-emitting material, a color filter, and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer.
Fig. 12 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs, a color conversion light emitting material, an inorganic protective layer IV, and/or a yellow organic protective layer.
Fig. 13 is a cross-sectional view showing one aspect of the substrate with a barrier rib of the present invention, which has a patterned barrier rib and a pixel containing a light emission source selected from an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.
Fig. 14 is a cross-sectional view showing one aspect of a substrate with a barrier rib of the present invention, which has a patterned barrier rib, a color conversion light emitting material, and a pixel containing a light emitting light source selected from an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.
Fig. 15 is a cross-sectional view showing the configuration of a display device used for color mixing evaluation in the example.

이하, 본 발명에 관한 수지 조성물, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 차광막의 제조 방법 및 격벽 구비 기판의 적합한 실시 형태를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 목적이나 용도에 따라서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 색 변환 형광체나, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀, 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원 등을 가로막는 격벽을 형성하기 위한 재료로서 적합하게 사용할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the resin composition, the light-shielding film formed from the resin composition, the manufacturing method of the light-shielding film, and the substrate with partitions according to the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and its purpose or use is Depending on the situation, it can be implemented with various changes. The resin composition of the present invention can be suitably used as a material for forming a partition wall blocking a color conversion phosphor or a light emitting light source selected from an organic EL cell, mini LED cell, or micro LED cell.

본 발명의 수지 조성물은, 광 라디칼 발생제와, 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물과, 특정 구조를 포함하는 폴리실록산과, 특정 구조를 포함하는 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 특정 구조를 포함하는 카르도계 폴리머를 함유하고, 상기 폴리실록산의 중량과 (메트)아크릴 폴리머 및 카르도계 폴리머의 합계 중량의 비가, 30/70 내지 70/30인 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention includes a photo radical generator, a hindered phenol compound and/or a hindered amine compound, a polysiloxane containing a specific structure, a (meth)acrylic polymer containing a specific structure, and/or a specific structure. It is preferable that it contains a cardo-based polymer, and that the ratio of the weight of the polysiloxane to the total weight of the (meth)acrylic polymer and the cardo-based polymer is 30/70 to 70/30.

본 발명의 수지 조성물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성에 사용되는 경우, 네가티브형 감광성을 갖는 것이 바람직하다. 네가티브형 감광성을 부여하기 위해서, 본 발명의 수지 조성물은, 광 라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 광 라디칼 발생제를 함유함으로써, 고정밀의 패턴 형상의 격벽을 형성할 수 있다.The resin composition of the present invention preferably has negative photosensitivity when used for pattern formation of the partition (A-1) described later. In order to provide negative photosensitivity, the resin composition of the present invention preferably contains a photo radical generator. By containing a photo radical generator, it is possible to form partition walls with a high-precision pattern shape.

광 라디칼 발생제는, 광(자외선, 전자선을 포함함)의 조사에 의해 분해 및/또는 반응하여, 라디칼을 발생시키는 것이면 어떤 것이라도 된다. 예를 들어, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등의 α-아미노알킬페논 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2,4,4-트리메틸펜틸)-포스핀옥사이드 등의 포스핀옥사이드 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1-페닐-1,2-부타디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.The photo radical generator may be any that decomposes and/or reacts upon irradiation of light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate radicals. For example, α-aminoalkylphenone compounds such as 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1; 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl ) -Phosphine oxide compounds such as phosphine oxide; 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], 1-phenyl-1,2-butadione-2-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, ethanone-1- and oxime ester compounds such as [9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime). You may contain two or more of these.

이들 중에서도, 후막의 격벽을 형성하기 위해서는, 산소 장애에 강하고 표면 경화성에 유효한 옥심에스테르 화합물과, 보다 장파장 광을 흡수해서 라디칼을 발생시키기 위해서 저부 경화성에 유효한 포스핀옥사이드 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물 중에서의 광 라디칼 발생제의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중, 0.01중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 잔류한 광 라디칼 발생제의 용출 등을 억제시키는 관점에서, 광 라디칼 발생제의 함유량은, 고형분 중, 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.Among these, in order to form a thick film partition, it is preferable to contain an oxime ester compound that is resistant to oxygen interference and is effective in surface hardening, and a phosphine oxide compound that is effective in bottom hardening in order to absorb longer wavelength light and generate radicals. The content of the photo radical generator in the resin composition of the present invention is preferably 0.01% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more, based on the solid content, from the viewpoint of effectively promoting radical hardening. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the elution of the remaining photo-radical generator, etc., the content of the photo-radical generator is preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less, based on the solid content.

본 발명의 수지 조성물은, 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물을 함유함으로써, 적절하게 라디칼을 트랩해서 과반응을 억제하고, 고노광량으로 격벽 패턴을 형성할 때 선폭 굵어짐을 억제할 수 있어, 포토마스크의 설계 선폭대로 미세 격벽 패턴을 형성할 수 있다.The resin composition of the present invention preferably contains a hindered phenol compound and/or a hindered amine compound. By containing a hindered phenol compound and/or a hindered amine compound, it is possible to appropriately trap radicals, suppress overreaction, and suppress line width increase when forming a barrier pattern with a high exposure dose, allowing the photomask to maintain its designed line width. A fine barrier pattern can be formed.

힌더드 페놀 화합물은, 1분자 중에 2개 이상의 힌더드 페놀기를 갖는 힌더드 페놀 화합물인 것이 바람직하다. 여기서, 힌더드 페놀기란, 페놀성 수산기의 수산기가 결합하는 탄소 부위에 인접한 탄소 부위에 적어도 1개 이상의 t-부틸기를 갖는 구조를 포함하는 관능기를 가리킨다. 힌더드 페놀기는, 페놀성 수산기의 수산기가 결합하는 탄소 부위에 인접한 2개의 탄소 부위에 t-부틸기를 갖는 구조가 바람직하다. 1분자 중에 2개 이상의 힌더드 페놀기를 가짐으로써, 라디칼 트랩 효과가 적절하게 제한되어, 고노광량으로 격벽 패턴을 형성할 때 선폭 굵어짐을 억제하여, 포토마스크의 설계 선폭대로 미세 격벽 패턴을 형성할 수 있다. 1분자 중에 3개 이상의 힌더드 페놀기를 갖는 것이 보다 바람직하고, 1분자 중에 4개 이상의 힌더드 페놀기를 갖는 것이 더욱 바람직하다.The hindered phenol compound is preferably a hindered phenol compound having two or more hindered phenol groups in one molecule. Here, the hindered phenol group refers to a functional group including a structure having at least one t-butyl group at a carbon site adjacent to the carbon site where the hydroxyl group of the phenolic hydroxyl group is bonded. The hindered phenol group preferably has a structure in which t-butyl groups are located at two carbon sites adjacent to the carbon site where the hydroxyl group of the phenolic hydroxyl group is bonded. By having two or more hindered phenol groups in one molecule, the radical trap effect is appropriately limited, suppressing line width thickening when forming a barrier pattern with a high exposure dose, and forming a fine barrier pattern within the designed line width of the photomask. there is. It is more preferable to have 3 or more hindered phenol groups per molecule, and even more preferably to have 4 or more hindered phenol groups per molecule.

힌더드 페놀 화합물로서는, 예를 들어 3,5-디-t-부틸-4-히드록시톨루엔, 옥타데실3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 헥사메틸렌비스[3(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐프로피오네이트, 티오디에틸렌비스[3(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐프로피오네이트, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스(3-(5-t-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 펜타에리트리톨테트라키스(3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 2-t-부틸-6-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트, 2-[1-(2-히드록시3,5-디-t-펜틸페닐)에틸]-4,6-디-t-펜틸페닐아크릴레이트, 2,2'-메틸렌비스(6-t-부틸-4-메틸페놀 또는 4,4'-부틸리덴비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 4,4',4"-(1-메틸프로파닐-3-일리덴)트리스(6-t-부틸-m-크레졸), 6,6'-디-t-부틸-4,4'-부틸리덴디-m-크레졸, 3,9-비스-(2-(3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시)-1,1-디메틸에틸)-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5,5]운데센, 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐메틸)-2,4,6-트리메틸벤젠 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of hindered phenol compounds include 3,5-di-t-butyl-4-hydroxytoluene, octadecyl 3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, Hexamethylenebis[3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylpropionate, thiodiethylenebis[3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylpropionate) , ethylenebis(oxyethylene)bis(3-(5-t-butyl-4-hydroxy-m-tolyl)propionate, tris-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -Isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, pentaerythritol tetrakis(3-(3 ,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, 2-t-butyl-6-(3-t-butyl-2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate , 2-[1-(2-hydroxy3,5-di-t-pentylphenyl)ethyl]-4,6-di-t-pentylphenylacrylate, 2,2'-methylenebis(6-t- Butyl-4-methylphenol or 4,4'-butylidenebis(6-t-butyl-3-methylphenol), 1,3,5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hyde Roxybenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)-trione, 4,4',4"-(1-methylpropanyl-3-ylidene)tris (6-t-butyl-m-cresol), 6,6'-di-t-butyl-4,4'-butylidenedi-m-cresol, 3,9-bis-(2-(3-(3 -t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionyloxy)-1,1-dimethylethyl)-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5,5]undecene, 1,3, Two or more types of these may be included, such as 5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylmethyl)-2,4,6-trimethylbenzene.

이들 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 힌더드 페놀기를 갖는 헥사메틸렌비스[3(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐프로피오네이트, 티오디에틸렌비스[3(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐프로피오네이트, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스(3-(5-t-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 펜타에리트리톨테트라키스(3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 2-t-부틸-6-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트, 2-[1-(2-히드록시3,5-디-t-펜틸페닐)에틸]-4,6-디-t-펜틸페닐아크릴레이트, 2,2'-메틸렌비스(6-t-부틸-4-메틸페놀 또는 4,4'-부틸리덴비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 4,4',4"-(1-메틸프로파닐-3-일리덴)트리스(6-t-부틸-m-크레졸), 6,6'-디-t-부틸-4,4'-부틸리덴디-m-크레졸, 3,9-비스-(2-(3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시)-1,1-디메틸에틸)-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5,5]운데센, 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐메틸)-2,4,6-트리메틸벤젠이 바람직하고, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 펜타에리트리톨테트라키스(3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 2-t-부틸-6-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트, 2-[1-(2-히드록시3,5-디-t-펜틸페닐)에틸]-4,6-디-t-펜틸페닐아크릴레이트, 2,2'-메틸렌비스(6-t-부틸-4-메틸페놀 또는 4,4'-부틸리덴비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 4,4',4"-(1-메틸프로파닐-3-일리덴)트리스(6-t-부틸-m-크레졸), 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐메틸)-2,4,6-트리메틸벤젠이 보다 바람직하다.Among these, hexamethylenebis[3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylpropionate, thiodiethylenebis[3(3,5- Di-t-butyl-4-hydroxyphenylpropionate, ethylenebis(oxyethylene)bis(3-(5-t-butyl-4-hydroxy-m-tolyl)propionate, tris-(3, 5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxy Benzyl)benzene, pentaerythritoltetrakis(3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, 2-t-butyl-6-(3-t-butyl-2- Hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenylacrylate, 2-[1-(2-hydroxy3,5-di-t-pentylphenyl)ethyl]-4,6-di-t-pentylphenylacrylate Rate, 2,2'-methylenebis(6-t-butyl-4-methylphenol or 4,4'-butylidenebis(6-t-butyl-3-methylphenol), 1,3,5-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)-trione, 4,4',4" -(1-methylpropanyl-3-ylidene)tris(6-t-butyl-m-cresol), 6,6'-di-t-butyl-4,4'-butylidenedi-m-cresol, 3,9-bis-(2-(3-(3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionyloxy)-1,1-dimethylethyl)-2,4,8,10-tetra Oxaspiro[5,5]undecene, 1,3,5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylmethyl)-2,4,6-trimethylbenzene are preferred, 1, 3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, pentaerythritol tetrakis(3-(3,5-di-t-butyl) -4-hydroxyphenyl)propionate, 2-t-butyl-6-(3-t-butyl-2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenylacrylate, 2-[1-(2 -hydroxy3,5-di-t-pentylphenyl)ethyl]-4,6-di-t-pentylphenylacrylate, 2,2'-methylenebis(6-t-butyl-4-methylphenol or 4 ,4'-Butylidenebis(6-t-butyl-3-methylphenol), 1,3,5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-1,3, 5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)-trione, 4,4',4"-(1-methylpropanyl-3-ylidene)tris(6-t-butyl-m -cresol) and 1,3,5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylmethyl)-2,4,6-trimethylbenzene are more preferred.

힌더드 아민 화합물은, 분자 내에 적어도 1개 이상의 힌더드 아미노기를 갖는 화합물을 가리킨다. 힌더드 아미노기는, 2개의 4급 탄소와 결합한 2급 또는 3급 아민 구조를 갖는 관능기인 것이 바람직하다. 힌더드 아민 화합물은, 피페리딘 화합물인 것이 바람직하다. 피페리딘 화합물을 함유함으로써, 라디칼 트랩 효과가 적절하게 제한되어, 고노광량으로 격벽 패턴을 형성할 때 선폭 굵어짐을 억제하여, 포토마스크의 설계 선폭대로 미세 격벽 패턴을 형성할 수 있다. 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 구조를 갖는 피페리딘 화합물인 것이 보다 바람직하다.A hindered amine compound refers to a compound having at least one hindered amino group in the molecule. The hindered amino group is preferably a functional group having a secondary or tertiary amine structure bonded to two quaternary carbons. The hindered amine compound is preferably a piperidine compound. By containing the piperidine compound, the radical trap effect is appropriately limited, suppressing line width thickening when forming a barrier pattern with a high exposure dose, and forming a fine barrier pattern within the designed line width of the photomask. It is more preferable that it is a piperidine compound having a 2,2,6,6-tetramethylpiperidine structure.

힌더드 아민 화합물로서는, 예를 들어 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)[[3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시페닐]메틸]부틸말로네이트, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트, 메틸-1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜세바케이트, 1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜메타크릴레이트, 2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜메타크릴레이트, 데칸이산비스(2,2,6,6-테트라메틸-1-(옥틸옥시)-4-피페리디닐)에스테르와 1,1-디메틸에틸히드로퍼옥시드와 옥탄의 반응 생성물, 테트라키스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피리딜)부탄-1,2,3,4-테트라카르복실레이트 또는 테트라키스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피리딜)부탄-1,2,3,4-테트라카르복실레이트 등을 들 수 있다.As a hindered amine compound, for example, bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)[[3,5-bis(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxy Phenyl]methyl]butylmalonate, bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)sebacate, methyl-1,2,2,6,6-pentamethyl-4-p. Peridyl sebacate, 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl methacrylate, 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl methacrylate, decane bisate The reaction product of (2,2,6,6-tetramethyl-1-(octyloxy)-4-piperidinyl)ester with 1,1-dimethylethylhydroperoxide and octane, tetrakis(1,2,2 ,6,6-pentamethyl-4-pyridyl)butane-1,2,3,4-tetracarboxylate or tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-4-pyridyl)butane-1 , 2,3,4-tetracarboxylate, etc. can be mentioned.

이들 중에서도, 광중합성기를 갖는 피페리딘 화합물인 1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜메타크릴레이트, 2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜메타크릴레이트가 바람직하다. 광중합성기를 갖는 피페리딘 화합물을 사용함으로써, 라디칼을 트랩하면서, 라디칼 반응이 진행되어, 막 저부의 경화를 보다 진행시킬 수 있다. 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광 경화물을 포함하는 격벽(A-1) 중에서는, 광중합성기는 광중합되어 있어도 된다.Among these, 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl methacrylate, 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl, which are piperidine compounds having a photopolymerizable group. Methacrylates are preferred. By using a piperidine compound having a photopolymerizable group, a radical reaction progresses while trapping radicals, and curing of the bottom portion of the film can be further advanced. In this case, in the partition (A-1) containing the photocured product of the negative photosensitive resin composition, the photopolymerizable group may be photopolymerized.

본 발명의 수지 조성물 중에서의 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물의 함유량은, 선 굵기 억제의 관점에서, 고형분 중, 0.050중량% 이상이 바람직하고, 0.070중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 라디칼 반응을 효율적으로 진행시키는 관점에서, 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물의 함유량은, 고형분 중, 5.0중량% 이하가 바람직하고, 3.0중량% 이하가 보다 바람직하다. 특히, 힌더드 페놀 화합물을 사용하는 경우는, 라디칼 트랩 효과가 크기 때문에, 고형분 중, 0.10중량% 이상 0.50중량% 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 힌더드 아민 화합물로서 광중합성기를 갖는 피페리딘 화합물을 사용하는 경우는, 막 저부의 경화 촉진의 관점에서, 0.10중량% 이상 2.5중량% 이하가 더욱 바람직하다.The content of the hindered phenol compound and/or the hindered amine compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.050% by weight or more, and more preferably 0.070% by weight or more, based on the solid content, from the viewpoint of suppressing line thickness. On the other hand, from the viewpoint of efficiently advancing the radical reaction, the content of the hindered phenol compound and/or the hindered amine compound is preferably 5.0% by weight or less, and more preferably 3.0% by weight or less, based on the solid content. In particular, when using a hindered phenol compound, since the radical trapping effect is large, the solid content is more preferably 0.10% by weight or more and 0.50% by weight or less. Additionally, when using a piperidine compound having a photopolymerizable group as the hindered amine compound, the content is more preferably 0.10% by weight or more and 2.5% by weight or less from the viewpoint of promoting curing of the film bottom.

본 발명의 수지 조성물은, 수지로서 폴리실록산을 함유한다. 폴리실록산은, 격벽의 크랙 내성, 내후성 및 내열성을 향상시키는 기능을 갖는다. 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 폴리실록산의 함유량은, 열 처리에서의 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 15중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 내광성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 폴리실록산의 함유량은, 55중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 고형분이란, 수지 조성물에 포함되는 성분 중, 용매 등의 휘발성 성분을 제외한 전성분을 의미한다. 고형분의 양은, 수지 조성물을 가열해서 휘발성 성분을 증발시킨 잔분을 측정함으로써 구할 수 있다.The resin composition of the present invention contains polysiloxane as a resin. Polysiloxane has the function of improving crack resistance, weather resistance, and heat resistance of the partition wall. The content of polysiloxane in the solid content of the resin composition is preferably 10% by weight or more, and more preferably 15% by weight or more, from the viewpoint of improving the crack resistance of the partition during heat treatment. On the other hand, from the viewpoint of improving light resistance, the content of polysiloxane in the solid content of the resin composition is preferably 55% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less. Here, solid content means all components included in the resin composition excluding volatile components such as solvents. The amount of solid content can be determined by heating the resin composition and measuring the remaining content after evaporating the volatile components.

폴리실록산은, 오르가노실란의 가수 분해·탈수 축합물이다. 폴리실록산은, 하기 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 방향환을 갖는 구조와 하기 일반식 (3)으로 표현되는 광 라디칼 중합성기를 갖는 구조를 포함한다. 또한 다른 반복 단위를 포함해도 된다.Polysiloxane is a hydrolyzed/dehydrated condensate of organosilane. Polysiloxane includes a structure having an aromatic ring represented by the following general formula (1) or (2) and a structure having a radical photopolymerizable group represented by the following general formula (3). It may also include other repeating units.

(일반식 (1) 내지 (3) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 알콕시기, 실록산 결합을 갖는 기 또는 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기를 나타낸다. X1, X2 및 X3은 방향환을 갖는 유기기를 나타낸다. Y1은 광 라디칼 중합성기를 갖는 유기기를 나타낸다. a, b 및 c는 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타낸다. a 내지 c가 2 이상일 경우, 복수의 R1, R2, X1, X2, X3 및 Y1은 각각 동일하여도 다르게 되어 있어도 된다.)(In general formulas (1) to (3), R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, a hydroxy group, an alkoxy group, a group having a siloxane bond, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms. and X 3 represents an organic group having an aromatic ring, and a, b, and c each independently represent an integer of 1 or more. R 1 , R 2 , X 1 , X 2 , X 3 and Y 1 may be the same or different.)

상기 R1 또는 R2에 의해 표현되는 「실록산 결합을 갖는 기」는, 실라놀기끼리의 축합에 의해 발생한 「-Si-O-Si-」 결합을 가리킨다. 결합처의 Si 원자에 결합한 관능기는 특별히 한정되지 않는다. 상기 R1 또는 R2로 표현되는 「탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기」로서는, 탄소수 1 내지 6의 알킬기(직쇄상 및 분지상 알킬기를 포함함)가 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 메틸기, 에틸기, n-프로필기 및 이소프로필기를 들 수 있다. 상기 X1, X2 또는 X3으로 표현되는 「방향환을 갖는 유기기」로서는, 탄소수 6 내지 15의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 페닐기, 벤질기, 스티릴기, 나프틸기 및 비페닐기를 들 수 있다.The “group having a siloxane bond” represented by R 1 or R 2 refers to a “-Si-O-Si-” bond generated by condensation of silanol groups. The functional group bonded to the Si atom of the binding site is not particularly limited. As the “monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms” represented by R 1 or R 2 , an alkyl group (including straight-chain and branched alkyl groups) having 1 to 6 carbon atoms is preferable. Preferred specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, and isopropyl group. As the “organic group having an aromatic ring” represented by X 1 , X 2 or X 3 , an aromatic hydrocarbon group having 6 to 15 carbon atoms is preferable. Preferred specific examples thereof include phenyl group, benzyl group, styryl group, naphthyl group, and biphenyl group.

상기 Y1로 표현되는 「광 라디칼 중합성기」로서는, 에틸렌성 불포화기가 바람직하고, 메타크릴기 및/또는 아크릴기를 포함하는 관능기가 더욱 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 3-메타크릴옥시프로필기 및 3-아크릴옥시프로필기를 들 수 있다.As the “radical photopolymerizable group” represented by Y 1 , an ethylenically unsaturated group is preferable, and a functional group containing a methacryl group and/or an acrylic group is more preferable. Preferred specific examples thereof include 3-methacryloxypropyl group and 3-acryloxypropyl group.

상기 a, b 및 c는 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내지만, a는 바람직하게는 10 내지 60, 더욱 바람직하게는 20 내지 55, b는 바람직하게는 10 내지 60, 더욱 바람직하게는 20 내지 55, c는 바람직하게는 5 내지 60, 더욱 바람직하게는 10 내지 50이다.Wherein a, b and c each independently represent an integer of 1 or more, a is preferably 10 to 60, more preferably 20 to 55, and b is preferably 10 to 60, more preferably 20 to 55. , c is preferably 5 to 60, more preferably 10 to 50.

일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 방향환을 갖는 유기기를 포함하는 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 폴리실록산의 Tg를 향상시킬 수 있고, 프리베이크 후의 비점착성을 개선할 수 있다.By including a repeating unit derived from an alkoxysilane compound containing an organic group having an aromatic ring represented by General Formula (1) or (2), the Tg of the polysiloxane can be improved and the non-stickiness after prebaking can be improved. .

폴리실록산에서의 전체 반복 단위 중, 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 반복 단위를 20 내지 80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 반복 단위를 20몰% 이상 포함함으로써, 프리베이크 후의 비점착성을 보다 개선할 수 있다. 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 25몰% 이상이 보다 바람직하고, 30몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, 막 중에서의 실록산 열축합을 효율적으로 진행시켜, 막의 경화도를 향상시킬 수 있다. 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 75몰% 이하가 보다 바람직하고, 70몰% 이하가 더욱 바람직하다.Among all repeating units in polysiloxane, it is preferable to contain 20 to 80 mol% of repeating units represented by general formula (1) or (2). By containing 20 mol% or more of the repeating unit represented by General Formula (1) or (2), the non-stickiness after prebaking can be further improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (1) or (2) is more preferably 25 mol% or more, and even more preferably 30 mol% or more. On the other hand, by containing 80 mol% or less of the repeating unit represented by General Formula (1) or (2), thermal condensation of siloxane in the film can be carried out efficiently and the degree of curing of the film can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (1) or (2) is more preferably 75 mol% or less, and even more preferably 70 mol% or less.

일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 방향환을 갖는 유기기를 포함하는 알콕시실란 화합물 중, 일반식 (2)로 표현되는 방향환을 갖는 유기기를 2개 포함하는 2관능 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 일반식 (2)로 표현되는 2관능 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 가열에 의한 폴리실록산의 과잉의 열중합(축합)을 억제하여, 격벽의 크랙 내성을 향상시킬 수 있다.Among alkoxysilane compounds containing an organic group having an aromatic ring represented by General Formula (1) or (2), a bifunctional alkoxysilane compound containing two organic groups having an aromatic ring represented by General Formula (2) is derived. It is desirable to include repeating units. By including a repeating unit derived from a bifunctional alkoxysilane compound represented by General Formula (2), excessive thermal polymerization (condensation) of polysiloxane due to heating can be suppressed, and crack resistance of the partition can be improved.

일반식 (2)로 표현되는 반복 단위를 10몰% 이상 포함함으로써, 크랙 내성을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (2)로 표현되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, 중합 시에 폴리실록산의 분자량을 충분히 높여서, 도포성을 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 70몰% 이하가 보다 바람직하다.By containing 10 mol% or more of the repeating unit represented by General Formula (2), crack resistance can be further improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (2) is more preferably 15 mol% or more, and still more preferably 20 mol% or more. On the other hand, by including 80 mol% or less of the repeating unit represented by General Formula (2), the molecular weight of the polysiloxane can be sufficiently increased during polymerization, and coatability can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (2) is more preferably 70 mol% or less.

또한, 폴리실록산은, 일반식 (3)으로 표현되는 광 라디칼 중합성기를 갖는 유기기를 포함하는 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 노광부에서 광 라디칼 발생제로부터 발생한 라디칼에 의해 가교 반응이 진행되어, 노광부의 경화도를 높일 수 있다.In addition, the polysiloxane contains a repeating unit derived from an alkoxysilane compound containing an organic group having a photo radical polymerizable group represented by the general formula (3), so that a cross-linking reaction proceeds in the exposed area by radicals generated from the photo radical generator. Thus, the degree of curing of the exposed area can be increased.

폴리실록산에서의 전체 반복 단위 중, 일반식 (3)으로 표현되는 반복 단위를 10 내지 80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 일반식 (3)으로 표현되는 반복 단위를 10몰% 이상 포함함으로써, 막 중의 폴리실록산끼리의 라디칼 가교를 효율적으로 진행시켜, 막의 경화도를 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 12몰% 이상이 보다 바람직하고, 15몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (3)으로 표현되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, 폴리실록산의 과잉의 라디칼 가교를 억제하여, 격벽의 크랙 내성을 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 75몰% 이하가 보다 바람직하고, 70몰% 이하가 더욱 바람직하다.Of all the repeating units in polysiloxane, it is preferable to contain 10 to 80 mol% of the repeating unit represented by general formula (3). By containing 10 mol% or more of the repeating unit represented by General Formula (3), radical crosslinking between polysiloxanes in the film can be carried out efficiently, and the degree of curing of the film can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (3) is more preferably 12 mol% or more, and still more preferably 15 mol% or more. On the other hand, by including 80 mol% or less of the repeating unit represented by General Formula (3), excessive radical crosslinking of polysiloxane can be suppressed and the crack resistance of the partition can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (3) is more preferably 75 mol% or less, and even more preferably 70 mol% or less.

폴리실록산에 포함되어 있어도 되는 다른 반복 단위로서는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기 등의 환상 에테르기를 갖는 유기기를 포함하는 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위, 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 갖는 유기기를 포함하는 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위, 산 무수물을 갖는 유기기를 포함하는 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위, 불소기를 갖는 유기기를 포함하는 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 들 수 있다. 이것들은 포함되어 있지 않아도 되고, 포함되어 있는 경우에는, 그 함량은, 전체 반복 단위 중 80몰% 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 70몰% 이하이다.Other repeating units that may be included in polysiloxane include repeating units derived from alkoxysilane compounds containing organic groups having cyclic ether groups such as epoxy groups and/or oxetanyl groups, and alkoxysilane compounds containing organic groups having alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms. a repeating unit derived from an alkoxysilane compound, a repeating unit derived from an alkoxysilane compound containing an organic group having an acid anhydride, and a repeating unit derived from an alkoxysilane compound containing an organic group having a fluorine group. These do not have to be included, and if they are included, the content is preferably 80 mol% or less, more preferably 70 mol% or less, of the total repeating units.

상기 일반식 (1), (2) 및 (3)으로 표현되는 반복 단위는, 각각 하기 일반식 (8), (9) 및 (10)으로 표현되는 알콕시실란 화합물에서 유래한다. 즉, 상기 일반식 (1), (2) 및 (3)으로 표현되는 반복 단위를 포함하는 폴리실록산은, 하기 일반식 (8), (9) 및 (10)으로 표현되는 알콕시실란 화합물을 포함하는 알콕시실란 화합물을 가수 분해 및 중축합함으로써 얻을 수 있다. 또한 그 밖의 알콕시실란 화합물을 사용해도 된다.The repeating units represented by the general formulas (1), (2), and (3) are derived from alkoxysilane compounds represented by the following general formulas (8), (9), and (10), respectively. That is, the polysiloxane containing repeating units represented by the general formulas (1), (2), and (3) includes an alkoxysilane compound represented by the following general formulas (8), (9), and (10). It can be obtained by hydrolyzing and polycondensing an alkoxysilane compound. Additionally, other alkoxysilane compounds may be used.

상기 일반식 (8), (9) 및 (10) 중, R1, R2, X1, X2, X3 및 Y1은, 각각 일반식 (1), (2) 및 (3)에서의, R1, R2, X1, X2, X3 및 Y1과 동일한 기를 나타낸다. R9는, 동일해도 되고 상이해도 되며, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타내고, 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하다. 또한, 일반식 (8), (9) 및 (10) 중, 「-(OR9)2」와 같은 표기는, Si 원자에 「-(OR9)」가 2개 결합하고 있는 것을 의미한다.In the general formulas ( 8), ( 9) and (10), R 1 , R 2 , X 1 , , R 1 , R 2 , X 1 , X 2 , X 3 and Y 1 represent the same groups. R 9 may be the same or different and represents a monovalent organic group with 1 to 20 carbon atoms, and is preferably an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms. In addition, in general formulas (8), (9) and (10), a notation such as “-(OR 9 ) 2 ” means that two “-(OR 9 )” are bonded to a Si atom.

일반식 (8)로 표현되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 페닐트리메톡시실란, 1-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란톨릴트리메톡시실란, 비페닐트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필프탈산 무수물, 페닐메틸디메톡시실란, 페닐에틸디메톡시실란, 페닐프로필디메톡시실란, 스티릴트리메톡시실란 등의 방향환 함유 알콕시실란 화합물을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by general formula (8) include phenyltrimethoxysilane, 1-naphthyltrimethoxysilane, 2-naphthyltrimethoxysilantolyltrimethoxysilane, biphenyltrimethoxysilane, Aromatic ring-containing alkoxy such as 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-triethoxysilylpropylphthalic anhydride, phenylmethyldimethoxysilane, phenylethyldimethoxysilane, phenylpropyldimethoxysilane, and styryltrimethoxysilane. Silane compounds can be mentioned. You may use two or more of these.

일반식 (9)로 표현되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 디페닐디메톡시실란, 1-나프틸페닐디메톡시실란, 톨릴페닐디메톡시실란, 비페닐페닐디메톡시실란, 1-나프틸톨릴디메톡시실란, 1-나프틸비페닐디메톡시실란 등의 2개의 방향환을 포함하는 알콕시실란 화합물을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by general formula (9) include diphenyldimethoxysilane, 1-naphthylphenyldimethoxysilane, tolylphenyldimethoxysilane, biphenylphenyldimethoxysilane, and 1-naphthyltolyldimethyl. Alkoxysilane compounds containing two aromatic rings, such as toxysilane and 1-naphthylbiphenyldimethoxysilane, can be mentioned. You may use two or more of these.

이들 중에서도, 크랙 내성과 비점착성의 관점에서, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 스티릴트리메톡시실란, 스티릴트리에톡시실란이 바람직하다.Among these, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, styryltrimethoxysilane, and styryltriethoxysilane are preferred from the viewpoint of crack resistance and non-stickiness.

일반식 (10)으로 표현되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리에톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 스티릴메틸디메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디메톡시실란 등의 광 라디칼 중합성기 함유 알콕시실란 화합물을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. 이들 중에서도, 광중합 반응성의 관점에서, γ-아크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디메톡시실란이 바람직하다.Examples of the alkoxysilane compound represented by general formula (10) include vinyl trimethoxysilane, allyl trimethoxysilane, γ-acryloylpropyltrimethoxysilane, γ-acryloylpropyltriethoxysilane, γ-methacryloylpropyltrimethoxysilane, γ-methacryloylpropyltriethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, styrylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ -Alkoxysilane compounds containing a radical photopolymerizable group such as acryloylpropylmethyldimethoxysilane can be mentioned. You may use two or more of these. Among these, from the viewpoint of photopolymerization reactivity, γ-acryloylpropyltrimethoxysilane, γ-acryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloylpropyltrimethoxysilane, and γ-methacryloylpropyl Methyldimethoxysilane is preferred.

또한, 스티릴기는, 광 라디칼 중합성기이며, 또한 방향족기이기도 하기 때문에, 일반식 (10)으로 표현되는 알콕시실란 화합물로서, 스티릴트리메톡시실란 또는 스티릴트리에톡시실란 등의 스티릴기 함유 알콕시실란 화합물을 사용하는 경우, 이것 이외에 일반식 (8) 또는 (9)로 표현되는 알콕시실란 화합물은 포함하지 않아도 된다. 즉, 폴리실록산이 일반식 (3)으로 표현되는 구조로서 스티릴기를 갖는 구조를 함유하는 경우, 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 구조를 포함하지 않아도 된다. 마찬가지로, 일반식 (8)로 표현되는 알콕시실란 화합물로서, 스티릴트리메톡시실란 또는 스티릴트리에톡시실란 등의 스티릴기 함유 알콕시실란 화합물을 사용하는 경우, 이것 이외에 일반식 (10)으로 표현되는 알콕시실란 화합물은 포함하지 않아도 된다. 즉, 폴리실록산이 일반식 (1)로 표현되는 구조로서 스티릴기를 갖는 구조를 함유하는 경우, 일반식 (3)으로 표현되는 구조를 포함하지 않아도 된다. 또한, 이 경우, 스티릴기를 갖는 구조를 함유한 반복 단위의 함유량은, 프리베이크 후의 비점착성을 개선하는 관점에서, 12몰% 이상이 바람직하고, 15몰% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 폴리실록산의 과잉의 라디칼 가교를 억제하여, 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 스티릴기를 갖는 구조를 함유한 반복 단위의 함유량은, 70몰% 이하가 보다 바람직하고, 60몰% 이하가 더욱 바람직하다.In addition, since the styryl group is a radically photopolymerizable group and is also an aromatic group, it is an alkoxysilane compound represented by general formula (10), containing a styryl group such as styryltrimethoxysilane or styryltriethoxysilane. When using an alkoxysilane compound, it is not necessary to include an alkoxysilane compound other than this represented by general formula (8) or (9). That is, if the polysiloxane contains a structure represented by the general formula (3) and a styryl group, it does not need to contain the structure represented by the general formula (1) or (2). Similarly, when an alkoxysilane compound containing a styryl group such as styryltrimethoxysilane or styryltriethoxysilane is used as the alkoxysilane compound represented by general formula (8), in addition to this, it is expressed by general formula (10) It is not necessary to include any alkoxysilane compounds. That is, if the polysiloxane contains a structure represented by the general formula (1) and has a styryl group, it does not need to contain the structure represented by the general formula (3). In this case, the content of the repeating unit containing a structure having a styryl group is preferably 12 mol% or more, and more preferably 15 mol% or more, from the viewpoint of improving non-stickiness after prebaking. On the other hand, from the viewpoint of suppressing excessive radical crosslinking of polysiloxane and improving the crack resistance of the partition, the content of the repeating unit containing a structure having a styryl group is more preferably 70 mol% or less, and 60 mol% or less. It is more desirable.

그 밖의 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 디메틸디메톡시실란, 에틸메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸에틸디메톡시실란, 3-디메틸메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필숙신산 무수물, 트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디메톡시실란 등의 2관능 알콕시 화합물; 메틸트리메톡시실란에틸트리메톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 등의 3관능 알콕시실란 화합물; 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-에틸-3-{[3-(트리메톡시실릴)프로폭시]메틸}옥세탄 등의 에폭시기 또는 옥세탄기 함유 알콕시실란 화합물; 3-트리메톡시실릴프로피온산, 4-트리메톡시실릴부티르산, 5-트리메톡시실릴발레르산, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물 등의 카르복실기 함유 알콕시실란 화합물; 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 퍼플루오로펜틸트리메톡시실란 등의 불소기 함유 알콕시실란 화합물; 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 실리케이트 51(테트라에톡시실란 올리고머) 등의 4관능 알콕시실란 화합물; 트리메틸메톡시실란, 트리페닐메톡시실란 등의 단관능 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Other alkoxysilane compounds include, for example, dimethyldimethoxysilane, ethylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 2-(3,4- Epoxycyclohexyl)ethylmethyldimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethylethyldimethoxysilane, 3-dimethylmethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylsuccinic anhydride, trifluoro Bifunctional alkoxy compounds such as propylmethyldimethoxysilane and trifluoropropylethyldimethoxysilane; Methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- trifunctional alkoxysilane compounds such as ureidopropyltrimethoxysilane and 3-ureidopropyltriethoxysilane; 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltriethoxysilane, 3-ethyl-3 Alkoxysilane compounds containing an epoxy group or an oxetane group such as -{[3-(trimethoxysilyl)propoxy]methyl}oxetane; 3-Trimethoxysilylpropionic acid, 4-trimethoxysilylbutyric acid, 5-trimethoxysilylvaleric acid, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-triethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-trimethoxy Carboxyl group-containing alkoxysilane compounds such as silylpropylcyclohexyldicarboxylic anhydride and 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride; Alkoxysilane compounds containing fluorine groups such as trifluoropropyltrimethoxysilane and perfluoropentyltrimethoxysilane; tetrafunctional alkoxysilane compounds such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and silicate 51 (tetraethoxysilane oligomer); Monofunctional alkoxysilane compounds such as trimethylmethoxysilane and triphenylmethoxysilane can be mentioned. You may use two or more of these.

그 밖의 알콕시실란 화합물로서는, 적어도 1종의 카르복실기 함유 알콕시실란 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 카르복실기 함유 알콕시실란 화합물을 함유함으로써, 미노광부의 용해성이 향상되어, 패턴 가공 시에 해상도를 향상시킬 수 있다.As other alkoxysilane compounds, it is preferable to contain at least one carboxyl group-containing alkoxysilane compound. By containing an alkoxysilane compound containing a carboxyl group, the solubility of the unexposed area is improved, and resolution can be improved during pattern processing.

폴리실록산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 도포성의 관점에서, 1,000 이상이 바람직하고, 2,000 이상이 보다 바람직하다. 비점착성의 관점에서, 5,000 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 현상성의 관점에서, 폴리실록산의 Mw는, 500,000 이하가 바람직하고, 300,000 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 본 발명에서의 폴리실록산의 Mw란, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산값을 말한다. 측정 방법은, 후술하는 실시예에서 기재되는 바와 같다.From the viewpoint of applicability, the weight average molecular weight (Mw) of polysiloxane is preferably 1,000 or more, and more preferably 2,000 or more. From the viewpoint of non-stickiness, 5,000 or more is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of developability, the Mw of polysiloxane is preferably 500,000 or less, and more preferably 300,000 or less. Here, the Mw of polysiloxane in the present invention refers to the polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC). The measurement method is as described in the examples described later.

폴리실록산은, 상술한 오르가노실란 화합물을 가수 분해한 후, 해당 가수 분해물을 용매의 존재 하 또는 무용매로 탈수 축합 반응시킴으로써 얻을 수 있다.Polysiloxane can be obtained by hydrolyzing the above-mentioned organosilane compound and then subjecting the hydrolyzate to a dehydration condensation reaction in the presence of a solvent or without a solvent.

가수 분해에서의 각종 조건은, 반응 스케일, 반응 용기의 크기, 형상 등을 고려하여, 목적으로 하는 용도에 적합한 물성에 맞추어서 설정할 수 있다. 각종 조건으로서는, 예를 들어 산 농도, 반응 온도, 반응 시간 등을 들 수 있다.Various conditions for hydrolysis can be set according to physical properties suitable for the intended use, taking into account the reaction scale, size and shape of the reaction vessel, etc. Examples of various conditions include acid concentration, reaction temperature, reaction time, etc.

가수 분해 반응에는, 염산, 아세트산, 포름산, 질산, 옥살산, 염산, 황산, 인산, 폴리인산, 다가 카르복실산이나 그의 무수물, 이온 교환 수지 등의 산 촉매를 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 포름산, 아세트산 및 인산에서 선택된 산을 포함하는 산성 수용액이 바람직하다.For the hydrolysis reaction, an acid catalyst such as hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, nitric acid, oxalic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, polyhydric carboxylic acid or its anhydride, or ion exchange resin can be used. Among these, an acidic aqueous solution containing an acid selected from formic acid, acetic acid and phosphoric acid is preferable.

가수 분해 반응에 산 촉매를 사용하는 경우, 산 촉매의 첨가량은, 가수 분해를 보다 빠르게 진행시키는 관점에서, 가수 분해 반응에 사용되는 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대해서, 0.05중량부 이상이 바람직하고, 0.1중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 가수 분해 반응의 진행을 적절하게 조정하는 관점에서, 산 촉매의 첨가량은, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대해서, 20중량부 이하가 바람직하고, 10중량부 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 전체 알콕시실란 화합물량이란, 알콕시실란 화합물, 그 가수 분해물 및 그 축합물 모두를 포함하는 양을 의미한다. 이하 동일하게 한다.When an acid catalyst is used in the hydrolysis reaction, the amount of the acid catalyst added is preferably 0.05 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compounds used in the hydrolysis reaction, from the viewpoint of making the hydrolysis progress more quickly. , 0.1 parts by weight or more is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of appropriately controlling the progress of the hydrolysis reaction, the amount of acid catalyst added is preferably 20 parts by weight or less, and more preferably 10 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound. Here, the total amount of alkoxysilane compounds means the amount including all of the alkoxysilane compound, its hydrolyzate, and its condensate. The same applies below.

가수 분해 반응은, 용매 중에서 행할 수 있다. 용매는, 수지 조성물의 안정성, 습윤성, 휘발성 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.The hydrolysis reaction can be performed in a solvent. The solvent can be appropriately selected in consideration of the stability, wettability, volatility, etc. of the resin composition.

가수 분해 반응에 의해 용매가 생성되는 경우에는, 무용매로 가수 분해를 행하는 것도 가능하다. 수지 조성물에 사용하는 경우에는, 가수 분해 반응 종료 후에, 또한 용매를 첨가함으로써, 수지 조성물을 적절한 농도로 조정하는 것도 바람직하다. 또한, 가수 분해 후에 가열 및/또는 감압 하에 의해 생성 알코올 등의 전량 혹은 일부를 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가하는 것도 가능하다.When a solvent is produced through a hydrolysis reaction, it is also possible to perform hydrolysis without a solvent. When used in a resin composition, it is also preferable to adjust the resin composition to an appropriate concentration by further adding a solvent after completion of the hydrolysis reaction. In addition, it is also possible to distill or remove all or part of the produced alcohol, etc., by heating and/or under reduced pressure after hydrolysis, and then add a suitable solvent.

탈수 축합 반응의 방법으로서는, 예를 들어, 오르가노실란 화합물의 가수 분해 반응에 의해 얻어진 실라놀 화합물 용액을 그대로 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가열 온도는, 50℃ 이상, 용매의 비점 이하가 바람직하고, 가열 시간은, 1 내지 100시간이 바람직하다. 또한, 폴리실록산의 중합도를 높이기 위해서, 재가열 또는 염기 촉매의 첨가를 행해도 된다. 또한, 목적에 따라, 탈수 축합 반응 후에, 생성 알코올 등의 적량을 가열 및/또는 감압 하에서 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가해도 된다.Examples of the dehydration condensation reaction include a method of heating the silanol compound solution obtained by the hydrolysis reaction of the organosilane compound as it is. The heating temperature is preferably 50°C or higher and the boiling point or lower of the solvent, and the heating time is preferably 1 to 100 hours. Additionally, in order to increase the degree of polymerization of polysiloxane, reheating or addition of a base catalyst may be performed. Additionally, depending on the purpose, after the dehydration condensation reaction, an appropriate amount of the resulting alcohol or the like may be distilled and removed under heating and/or reduced pressure, and then a suitable solvent may be added.

본 발명의 수지 조성물은, 수지로서 또한, 상기 일반식 (4)로 표현되는 방향환을 갖는 구조와 상기 일반식 (5)로 표현되는 광 라디칼 중합성기를 갖는 구조를 포함하는 (메트)아크릴 폴리머, 및/또는 상기 일반식 (6) 또는 상기 일반식 (7)로 표현되는 구조와 광 라디칼 중합성기를 갖는 카르도계 폴리머를 함유한다. (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머는, 프리베이크 후의 비점착성을 향상시키는 기능을 갖는다. 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머의 함유량은, 프리베이크 후의 비점착성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 15중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 내열성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머의 함유량은, 55중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다.The resin composition of the present invention is a (meth)acrylic polymer comprising as a resin a structure having an aromatic ring represented by the general formula (4) and a structure having a radical photopolymerizable group represented by the general formula (5). , and/or a cardo-based polymer having a structure represented by the general formula (6) or the general formula (7) and a radical photopolymerizable group. (Meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer have the function of improving non-stickiness after prebaking. The content of (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer in the solid content of the resin composition is preferably 10% by weight or more, and more preferably 15% by weight or more, from the viewpoint of improving non-stickiness after prebaking. On the other hand, from the viewpoint of improving the heat resistance of the partition, the content of (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer in the solid content of the resin composition is preferably 55% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less.

(메트)아크릴 폴리머로서는, (메트)아크릴 화합물 및/또는 스티렌 화합물을 라디칼 중합한 것이 바람직하다. 라디칼 중합의 촉매에 특별히 제한은 없고, 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물이나 과산화벤조일 등의 유기 과산화물 등이 일반적으로 사용된다.As the (meth)acrylic polymer, one obtained by radical polymerization of a (meth)acrylic compound and/or a styrene compound is preferable. There are no particular restrictions on the catalyst for radical polymerization, and azo compounds such as azobisisobutyronitrile and organic peroxides such as benzoyl peroxide are generally used.

라디칼 중합의 조건은 적절하게 설정할 수 있지만, 예를 들어 용매 중, (메트)아크릴 화합물 및/또는 스티렌 화합물 및 라디칼 중합 촉매를 첨가하여, 버블링이나 감압 탈기 등에 의해 반응 용기 내를 충분히 질소 치환한 뒤, 60 내지 110℃에서 30 내지 300분 반응시키는 것이 바람직하다. 또한, 필요에 따라 티올 화합물 등의 연쇄 이동제를 사용해도 된다.Conditions for radical polymerization can be set appropriately; for example, a (meth)acrylic compound and/or a styrene compound and a radical polymerization catalyst are added to the solvent, and the inside of the reaction vessel is sufficiently purged with nitrogen by bubbling or reduced pressure degassing. Afterwards, it is preferable to react at 60 to 110°C for 30 to 300 minutes. Additionally, chain transfer agents such as thiol compounds may be used as needed.

(메트)아크릴 폴리머가 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 경우, (메트)아크릴 폴리머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴 화합물 및/또는 스티렌 화합물을 라디칼 중합한 뒤, 에틸렌성 불포화 이중 결합기를 갖는 글리시딜 화합물을 부가 반응해서 얻어지는 것이 바람직하다. 에틸렌성 불포화 이중 결합기를 갖는 글리시딜 화합물의 부가 반응에 사용하는 촉매에 특별히 제한은 없고, 공지의 촉매를 사용할 수 있지만, 예를 들어 디메틸아닐린, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 디메틸벤질아민 등의 아미노계 촉매, 2-에틸헥산산 주석(II), 라우르산디부틸주석 등의 주석계 촉매, 2-에틸헥산산티타늄(IV) 등의 티타늄계 촉매, 트리페닐포스핀 등의 인계 촉매 및 아세틸아세토네이트크롬, 염화크롬 등의 크롬계 촉매 등이 사용된다. 이들 중에서도, 폴리실록산과 동시에 사용하는 경우는, 폴리실록산의 보존 안정성을 향상시키는 관점에서, 인계 촉매가 바람직하다.When the (meth)acrylic polymer has an ethylenically unsaturated bond, for example, as the (meth)acrylic polymer, a (meth)acrylic compound and/or a styrene compound is radically polymerized, followed by glycidyl having an ethylenically unsaturated double bond group. It is preferable to obtain it by addition reaction of a compound. There is no particular limitation on the catalyst used for the addition reaction of the glycidyl compound having an ethylenically unsaturated double bond group, and known catalysts can be used, for example, dimethylaniline, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl) Amino-based catalysts such as phenol and dimethylbenzylamine, tin-based catalysts such as tin(II) 2-ethylhexanoate and dibutyltin laurate, titanium-based catalysts such as titanium(IV) 2-ethylhexanoate, and triphenylphos. Phosphorus-based catalysts such as pins and chromium-based catalysts such as chromium acetylacetonate and chromium chloride are used. Among these, when used simultaneously with polysiloxane, a phosphorus-based catalyst is preferable from the viewpoint of improving the storage stability of polysiloxane.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 (메트)아크릴 폴리머는, 하기 일반식 (4)로 표현되는 구조와 하기 일반식 (5)로 표현되는 구조를 포함한다. 그 밖의 구조를 포함해도 된다.The (meth)acrylic polymer used in the resin composition of the present invention includes a structure represented by the following general formula (4) and a structure represented by the following general formula (5). Other structures may be included.

(일반식 (4), (5) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기를 나타낸다. X4는 방향환을 갖는 유기기를 나타낸다. Y2는 광 라디칼 중합성기를 갖는 유기기를 나타낸다. d 및 e는 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타낸다. d 및 e가 2 이상일 경우, 복수의 R3, R4, X4 및 Y2는 각각 동일하여도 다르게 되어 있어도 된다.)(In general formulas (4) and (5), R 3 and R 4 each independently represent hydrogen, a hydroxy group, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms. X 4 represents an organic group having an aromatic ring. Y 2 d and e each independently represent an integer of 1 or more, and when d and e are 2 or more, each of R 3 , R 4 , X 4 and Y 2 may be the same. It can be done.)

R3 또는 R4로 표현되는 「탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기」로서는 탄소수 1 내지 6의 알킬기(직쇄상 및 분지상 알킬기를 포함함)가 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 메틸기, 에틸기, n-프로필기 및 이소프로필기를 들 수 있다.The “monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms” represented by R 3 or R 4 is preferably an alkyl group (including straight-chain and branched alkyl groups) having 1 to 6 carbon atoms. Preferred specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, and isopropyl group.

X4로 표현되는 「방향환을 갖는 유기기」로서는 탄소수 6 내지 15의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 페닐기, 벤질기, 스티릴기, 나프틸기 및 비페닐기를 들 수 있다.The “organic group having an aromatic ring” represented by X 4 is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 15 carbon atoms. Preferred specific examples thereof include phenyl group, benzyl group, styryl group, naphthyl group, and biphenyl group.

Y2로 표현되는 「광 라디칼 중합성기를 갖는 유기기」로서는 에틸렌성 불포화기가 바람직하고, 메타크릴기 및/또는 아크릴기를 포함하는 관능기가 더욱 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 카르복실산기에 메타크릴산글리시딜 및/또는 아크릴산글리시딜이 부가된 관능기를 들 수 있다.As the “organic group having a radical photopolymerizable group” represented by Y 2 , an ethylenically unsaturated group is preferable, and a functional group containing a methacryl group and/or an acrylic group is more preferable. Preferred specific examples thereof include functional groups obtained by adding glycidyl methacrylate and/or glycidyl acrylate to a carboxylic acid group.

d 및 e는, 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내지만, d는 바람직하게는 10 내지 60, 더욱 바람직하게는 20 내지 50, e는 바람직하게는 5 내지 60, 더욱 바람직하게는 10 내지 50이다.d and e each independently represent an integer of 1 or more, but d is preferably 10 to 60, more preferably 20 to 50, and e is preferably 5 to 60, more preferably 10 to 50.

일반식 (4)로 표현되는 반복 단위는, 방향환을 갖는 유기기를 함유하는 (메트)아크릴산 화합물 및/또는 스티렌 화합물에서 유래한다. 방향환을 갖는 유기기를 함유함으로써, 비점착성을 향상시킬 수 있다.The repeating unit represented by general formula (4) is derived from a (meth)acrylic acid compound and/or a styrene compound containing an organic group having an aromatic ring. Non-stickiness can be improved by containing an organic group having an aromatic ring.

(메트)아크릴 폴리머에서의 전체 반복 단위 중, 일반식 (4)로 표현되는 반복 단위를 10 내지 80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 일반식 (4)로 표현되는 반복 단위를 10몰% 이상 포함함으로써, 프리베이크 후의 막의 비점착성을 향상시킬 수 있다. 일반식 (4)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (4)로 표현되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, 격벽의 경화도를 향상시킬 수 있다. 일반식 (4)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 75몰% 이하가 보다 바람직하고, 70몰% 이하가 더욱 바람직하다.Of all the repeating units in the (meth)acrylic polymer, it is preferable to contain 10 to 80 mol% of the repeating unit represented by the general formula (4). By containing 10 mol% or more of the repeating unit represented by General Formula (4), the non-adhesiveness of the film after prebaking can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (4) is more preferably 15 mol% or more, and still more preferably 20 mol% or more. On the other hand, by including 80 mol% or less of the repeating unit represented by General Formula (4), the degree of curing of the partition can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (4) is more preferably 75 mol% or less, and even more preferably 70 mol% or less.

방향환을 갖는 유기기를 함유하는 (메트)아크릴산 화합물로서는, 예를 들어 페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 톨릴(메트)아크릴레이트, 나프틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 스티렌 화합물로서는, 예를 들어 p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 스티렌이 바람직하다. 스티렌을 공중합함으로써, 얻어지는 경화막의 내열성 및 내습열성이 향상된다.Examples of (meth)acrylic acid compounds containing an organic group having an aromatic ring include phenyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, tolyl (meth)acrylate, naphthyl (meth)acrylate, etc. there is. Examples of styrene compounds include p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, and α-methylstyrene. Among these, styrene is preferable. By copolymerizing styrene, the heat resistance and heat-and-moisture resistance of the resulting cured film are improved.

일반식 (5)로 표현되는 반복 단위는, 광 라디칼 중합성기로서 에틸렌성 불포화기를 갖는 것이 바람직하다. 광 라디칼 중합성기로서 에틸렌성 불포화기를 함유함으로써, 노광부에서 광 라디칼 발생제로부터 발생한 라디칼로 가교 반응이 진행되어, 노광부의 경화도를 높일 수 있다.The repeating unit represented by General Formula (5) preferably has an ethylenically unsaturated group as a photo-radical polymerizable group. By containing an ethylenically unsaturated group as a radical photopolymerizable group, a crosslinking reaction proceeds in the exposed area with radicals generated from the photoradical generator, and the degree of curing of the exposed area can be increased.

(메트)아크릴 폴리머에서의 전체 반복 단위 중, 일반식 (5)로 표현되는 반복 단위를 10 내지 80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 일반식 (5)로 표현되는 반복 단위를 10몰% 이상 포함함으로써, 막 중의 수지끼리의 라디칼 가교를 효율적으로 진행시켜, 막의 경화도를 향상시킬 수 있다. 일반식 (5)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (5)로 표현되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, (메트)아크릴 폴리머의 과잉의 라디칼 가교를 억제하여, 격벽의 크랙 내성을 향상시킬 수 있다. 일반식 (5)로 표현되는 반복 단위의 함유량은, 75몰% 이하가 보다 바람직하고, 70몰% 이하가 더욱 바람직하다.Of all the repeating units in the (meth)acrylic polymer, it is preferable to contain 10 to 80 mol% of the repeating unit represented by General Formula (5). By containing 10 mol% or more of the repeating unit represented by General Formula (5), radical crosslinking between resins in the film can be carried out efficiently, and the degree of curing of the film can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (5) is more preferably 15 mol% or more, and still more preferably 20 mol% or more. On the other hand, by including 80 mol% or less of the repeating unit represented by General Formula (5), excessive radical crosslinking of the (meth)acrylic polymer can be suppressed and the crack resistance of the partition can be improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (5) is more preferably 75 mol% or less, and even more preferably 70 mol% or less.

에틸렌성 불포화기로서는, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 메타크릴기 등이 있다. 이러한 측쇄를 아크릴계 (공)중합체에 부가시키는 방법으로서는, 아크릴계 (공)중합체의 카르복실산기에, 상술과 같이 글리시딜기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이나 (메트)아크릴산클로라이드를 부가 반응시키는 방법이 일반적이다. 그 밖에, 이소시아네이트를 이용하여 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물을 부가시킬 수도 있다. 여기서 말하는 글리시딜기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이나 아크릴산 또는 메타크릴산클로라이드로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산α-에틸글리시딜, (메트)아크릴산α-n-프로필글리시딜, (메트)아크릴산α-n-부틸글리시딜, (메트)아크릴산3,4- 에폭시부틸, (메트)아크릴산3,4-에폭시헵틸, (메트)아크릴산α-에틸-6,7-에폭시헵틸, 알릴글리시딜에테르, 비닐글리시딜에테르, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르, 2,3-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,4-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,5-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,6-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,3,4-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 2,3,5-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 2,3,6-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 3,4,5-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 2,4,6-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 아크릴산클로라이드, 메타크릴산클로라이드 등을 들 수 있다.Examples of ethylenically unsaturated groups include vinyl group, allyl group, acrylic group, and methacryl group. As a method of adding such a side chain to an acrylic (co)polymer, a general method is to add an ethylenically unsaturated compound or (meth)acrylic acid chloride having a glycidyl group to the carboxylic acid group of the acrylic (co)polymer as described above. am. In addition, a compound having an ethylenically unsaturated group can also be added using isocyanate. Examples of the ethylenically unsaturated compounds, acrylic acid, or methacrylic acid chloride having a glycidyl group herein include glycidyl (meth)acrylate, α-ethylglycidyl (meth)acrylate, and α-n- (meth)acrylate. Propylglycidyl, (meth)acrylic acid α-n-butylglycidyl, (meth)acrylic acid 3,4-epoxybutyl, (meth)acrylic acid 3,4-epoxyheptyl, (meth)acrylic acid α-ethyl-6, 7-Epoxyheptyl, allyl glycidyl ether, vinyl glycidyl ether, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, α-methyl-o- Vinylbenzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinylbenzyl glycidyl ether, α-methyl-p-vinylbenzyl glycidyl ether, 2,3-diglycidyloxymethylstyrene, 2,4-di Glycidyloxymethylstyrene, 2,5-diglycidyloxymethylstyrene, 2,6-diglycidyloxymethylstyrene, 2,3,4-triglycidyloxymethylstyrene, 2,3,5- Triglycidyloxymethylstyrene, 2,3,6-triglycidyloxymethylstyrene, 3,4,5-triglycidyloxymethylstyrene, 2,4,6-triglycidyloxymethylstyrene, acrylic acid chloride, meta Crylic acid chloride, etc. can be mentioned.

(메트)아크릴 폴리머 중의 기타 반복 단위로서는, 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 함유하는 것이 바람직하다. 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 함유함으로써, 노광부와 미노광부에서의 용해성의 콘트라스트가 커지고, 패턴 가공 가능한 해상도가 향상된다. 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 함유하는 (메트)아크릴 화합물로서는, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산 무수물, 이타콘산, 이타콘산 무수물, 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 테트라히드로프탈산모노(2-아크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.As other repeating units in the (meth)acrylic polymer, those containing a carboxyl group and/or an acid anhydride group are preferable. By containing a carboxyl group and/or an acid anhydride group, the solubility contrast between exposed and unexposed areas increases, and the resolution at which pattern processing is possible improves. Examples of (meth)acrylic compounds containing a carboxyl group and/or an acid anhydride group include (meth)acrylic acid, (meth)acrylic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, mono(2-acryloyloxyethyl) succinic acid, and monophthalic acid (2). -acryloyloxyethyl), tetrahydrophthalic acid mono(2-acryloyloxyethyl), etc. You may use two or more of these.

(메트)아크릴 폴리머 중의 기타 반복 단위는 포함되어 있지 않아도 되고, 포함되어 있는 경우에는, 그 함량은, 전체 반복 단위 중 90몰% 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 80몰% 이하이다.Other repeating units in the (meth)acrylic polymer do not need to be included, and if included, their content is preferably 90 mol% or less, more preferably 80 mol% or less, of all repeating units.

(메트)아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은 특별히 제한되지 않지만, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산으로, 2,000 이상, 200,000 이하인 것이 바람직하다. Mw를 상기 범위로 함으로써, 양호한 도포 특성이 얻어지고, 패턴 형성할 때의 미노광부의 현상액에 대한 용해성도 양호해진다.The weight average molecular weight (Mw) of the (meth)acrylic polymer is not particularly limited, but is preferably 2,000 or more and 200,000 or less in terms of polystyrene as measured by gel permeation chromatography (GPC). By setting Mw in the above range, good application characteristics are obtained, and the solubility of the unexposed area in the developer solution during pattern formation also becomes good.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 (메트)아크릴 폴리머는, 후술하는 합성예와 같이 합성해서 사용해도 되고, 시판되고 있는 제품을 사용해도 된다. 시판되고 있는 (메트)아크릴 폴리머로서는, 예를 들어 AX3-BX-TR-101, AX3-BX-TR-102, AX3-BX-TR-106, AX3-BX-TR-107, AX3-BX-TR-108, AX3-BX-TR-109, AX3-BX-TR-110, AX3-RD-TR-501, AX3-RD-TR-502, AX3-RD-TR-503, AX3-RD-TR-504, AX3-RD-TR-103, AX3-RD-TR-104(상품명, 닛폰 쇼쿠바이 가부시키가이샤제), SPCR-10X, SPCR-10P, SPCR-24X, SPCR-18X, SPCR-215X(상품명, 쇼와 덴코 가부시키가이샤제), X-4007(상품명, 니찌유 가부시끼가이샤제) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 방향족기와 광 라디칼 중합성기를 갖는 SPCR-10X, SPCR-10P, SPCR-24X, SPCR-18X, SPCR-215X가 바람직하다. 이들을 2종류 이상 사용해도 된다.The (meth)acrylic polymer used in the resin composition of the present invention may be synthesized and used as in the synthesis example described later, or a commercially available product may be used. Commercially available (meth)acrylic polymers include, for example, AX3-BX-TR-101, AX3-BX-TR-102, AX3-BX-TR-106, AX3-BX-TR-107, and AX3-BX-TR. -108, AX3-BX-TR-109, AX3-BX-TR-110, AX3-RD-TR-501, AX3-RD-TR-502, AX3-RD-TR-503, AX3-RD-TR-504 , AX3-RD-TR-103, AX3-RD-TR-104 (brand name, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.), SPCR-10X, SPCR-10P, SPCR-24X, SPCR-18X, SPCR-215X (brand name, Examples include Showa Denko Co., Ltd.) and X-4007 (brand name, Nichiyu Co., Ltd.). Among these, SPCR-10X, SPCR-10P, SPCR-24X, SPCR-18X, and SPCR-215X, which have an aromatic group and a photo-radical polymerizable group, are preferable. You may use two or more types of these.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 카르도계 폴리머는, 하기 일반식 (6) 또는 하기 일반식 (7)로 표현되는 구조와 광 라디칼 중합성기를 포함한다. 그 밖의 구조를 포함해도 된다.The cardo-based polymer used in the resin composition of the present invention contains a structure represented by the following general formula (6) or the following general formula (7) and a radical photopolymerizable group. Other structures may be included.

(일반식 (6), (7) 중, R5 내지 R7은 수소, 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 인접하는 R5 내지 R7끼리 형성한 환이 방향환으로 되는 기를 나타낸다. R8은 수소, 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타낸다. p, q, r은 0 내지 2의 정수이며, s는 1 내지 2의 정수를 나타낸다. f 내지 g는 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타낸다. f 내지 g가 2 이상일 경우, 복수의 R5, R6, R7 및 R8은 각각 동일하여도 다르게 되어 있어도 된다.)(In general formulas (6) and (7), R 5 to R 7 are hydrogen, a monovalent organic group with 1 to 30 carbon atoms, an aryl group with 6 to 20 carbon atoms, or a ring formed between adjacent R 5 to R 7 is oriented. R 8 represents a ring group, a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and s is an integer of 1 to 2. f to g each independently represent an integer of 1 or more. When f to g is 2 or more, a plurality of R 5 , R 6 , R 7 and R 8 may be the same or different.

여기서, 「탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기」로서는, 탄소수 1 내지 6의 알킬기(직쇄상 및 분지상 알킬기를 포함함)가 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 메틸기, 에틸기, n-프로필기 및 이소프로필기를 들 수 있다. 또한, 「탄소수 6 내지 20의 아릴기」로서는, 탄소수 6 내지 15의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 이들의 바람직한 구체예로서, 페닐기, 벤질기, 스티릴기, 나프틸기 및 비페닐기를 들 수 있다. 또한, 합성의 용이함 면에서, R5, R6 및 R7은 수소가 바람직하고, R8은 페닐기인 것이 바람직하다.Here, the “monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms” is preferably an alkyl group (including straight-chain and branched alkyl groups) having 1 to 6 carbon atoms. Preferred specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, and isopropyl group. Additionally, as the “aryl group having 6 to 20 carbon atoms,” an aromatic hydrocarbon group having 6 to 15 carbon atoms is preferable. Preferred specific examples thereof include phenyl group, benzyl group, styryl group, naphthyl group, and biphenyl group. Additionally, from the viewpoint of ease of synthesis, R 5 , R 6 and R 7 are preferably hydrogen, and R 8 is preferably a phenyl group.

f 및 g는, 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내지만, f는 바람직하게는 2 내지 60, 더욱 바람직하게는 3 내지 50, e는 바람직하게는 2 내지 60, 더욱 바람직하게는 3 내지 50이다.f and g each independently represent an integer of 1 or more, but f is preferably 2 to 60, more preferably 3 to 50, and e is preferably 2 to 60, more preferably 3 to 50.

카르도계 폴리머에 포함되는 「광 라디칼 중합성기」로서는, 에틸렌성 불포화기가 바람직하다. 광 라디칼 중합성기로서 에틸렌성 불포화기를 함유함으로써, 노광부에서 광 라디칼 발생제로부터 발생한 라디칼로 가교 반응이 진행되어, 노광부의 경화도를 높일 수 있다.As the “photo radical polymerizable group” contained in the cardo-based polymer, an ethylenically unsaturated group is preferable. By containing an ethylenically unsaturated group as a radical photopolymerizable group, a crosslinking reaction proceeds in the exposed area with radicals generated from the photoradical generator, and the degree of curing of the exposed area can be increased.

에틸렌성 불포화기로서는, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 스티릴기, 아크릴기, 메타크릴기 등이 있다. 스티릴기, 메타크릴기, 아크릴기를 포함하는 관능기가 바람직하다. 바람직한 구체예로서, 카르복실산기에 메타크릴산글리시딜 및/또는 아크릴산글리시딜이 부가된 관능기를 들 수 있다.Examples of ethylenically unsaturated groups include vinyl group, allyl group, styryl group, acrylic group, and methacryl group. Functional groups including a styryl group, methacryl group, and acrylic group are preferred. Preferred examples include functional groups obtained by adding glycidyl methacrylate and/or glycidyl acrylate to a carboxylic acid group.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 카르도계 폴리머는, 「기타 구조」로서, 알칼리 가용성기를 포함하는 것이 바람직하다. 알칼리 가용성기로서는, 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 함유하는 것이 바람직하다. 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 함유함으로써, 노광부와 미노광부에서의 용해성의 콘트라스트가 커지고, 패턴 가공 가능한 해상도가 향상된다.The cardo-based polymer used in the resin composition of the present invention preferably contains an alkali-soluble group as “other structure.” As the alkali-soluble group, one containing a carboxyl group and/or an acid anhydride group is preferable. By containing a carboxyl group and/or an acid anhydride group, the solubility contrast between exposed and unexposed areas increases, and the resolution at which pattern processing is possible improves.

카르도계 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은 특별히 제한되지 않지만, 후술하는 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산으로, 2,000 이상, 200,000 이하인 것이 바람직하다. Mw를 상기 범위로 함으로써, 양호한 도포 특성이 얻어지고, 패턴 형성할 때의 미노광부의 현상액에 대한 용해성도 양호해진다.The weight average molecular weight (Mw) of the cardo-based polymer is not particularly limited, but is preferably 2,000 or more and 200,000 or less in terms of polystyrene as measured by gel permeation chromatography (GPC) described later. By setting Mw in the above range, good application characteristics are obtained, and the solubility of the unexposed area in the developer solution during pattern formation also becomes good.

본 발명의 수지 조성물에 사용되는 카르도계 폴리머는, 합성해서 사용해도 되고, 시판되고 있는 제품을 사용해도 된다. 시판되고 있는 카르도계 폴리머로서는, 예를 들어 "오그졸"(등록 상표) CR-TR, CR-TR2, CR-TR3, CR-TR4, CR-TR5, CR-TR6(이상, 상품명, 오사까 가스 케미컬(주)제), INR-16(상품명, 나가세 켐텍스(주)제), V-259ME(상품명, 신닛테츠스미킨 가가쿠(주)제), WR-301(상품명, ADEKA(주)제) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 상기 일반식 (6) 또는 상기 일반식 (7)로 표현되는 구조와 광 라디칼 중합성기 및 알칼리 가용성기를 포함하는 V-259ME, WR-301이 바람직하다. 이들을 2종류 이상 사용해도 된다.The cardo-based polymer used in the resin composition of the present invention may be synthesized and used, or a commercially available product may be used. Commercially available cardo-based polymers include, for example, "Ogsol" (registered trademark) CR-TR, CR-TR2, CR-TR3, CR-TR4, CR-TR5, CR-TR6 (trade name, Osaka Gas Chemical) (manufactured by Nippon Corporation), INR-16 (brand name, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.), V-259ME (brand name, manufactured by Shin-Niptetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.), WR-301 (brand name, manufactured by ADEKA Co., Ltd.) ), etc. Among these, V-259ME and WR-301, which contain a structure represented by the general formula (6) or (7) and a radical photopolymerizable group and an alkali-soluble group, are preferable. You may use two or more types of these.

본 발명의 수지 조성물은, 수지로서, 상술한 폴리실록산의 중량과 상술한 (메트)아크릴 폴리머 및 카르도계 폴리머의 합계 중량을 30/70 내지 70/30의 비로 함유하는 것이 바람직하다. 이 비로 함유함으로써, 폴리실록산 유래의 높은 내열성과, (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머 유래의 프리베이크 후의 막의 비점착성을 양립시킬 수 있다. 폴리실록산의 중량과 (메트)아크릴 폴리머 및 카르도계 폴리머의 합계 중량의 비는, 35/65 내지 65/35가 보다 바람직하고, 40/60 내지 60/40이 더욱 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains, as a resin, the total weight of the above-mentioned polysiloxane and the above-mentioned (meth)acrylic polymer and cardo-based polymer in a ratio of 30/70 to 70/30. By containing it in this ratio, it is possible to achieve both the high heat resistance derived from polysiloxane and the non-stickiness of the film after prebaking derived from (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer. The ratio of the weight of polysiloxane to the total weight of the (meth)acrylic polymer and cardo-based polymer is more preferably 35/65 to 65/35, and still more preferably 40/60 to 60/40.

상기 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머는, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 것이 바람직하다. 유리 전이 온도가 높음으로써, 프리베이크 후의 막의 비점착성을 높일 수 있다. 65℃ 이상이 더욱 바람직하다. 유리 전이 온도는, 후술하는 실시예에 기재된 바와 같이 측정할 수 있다.The (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer preferably has a glass transition temperature of 60°C or higher. By having a high glass transition temperature, the non-stickiness of the film after prebaking can be improved. 65°C or higher is more preferable. The glass transition temperature can be measured as described in the Examples described later.

본 발명의 수지 조성물은, 또한, 백색 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 백색 안료는, 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 백색 안료로서는, 예를 들어 이산화티타늄, 산화지르코늄, 산화아연, 황산바륨, 이들의 복합 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도, 반사율이 높아 공업적 이용이 용이한 이산화티타늄이 바람직하다. 이산화티타늄의 결정 구조는, 아나타아제형, 루틸형 및 브루카이트형으로 분류된다. 이들 중에서도, 광촉매 활성이 낮은 점에서, 루틸형 산화티타늄이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of the present invention further contains a white pigment. The white pigment has the function of further improving the reflectance of the partition. Examples of white pigments include titanium dioxide, zirconium oxide, zinc oxide, barium sulfate, and complex compounds thereof. You may contain two or more of these. Among these, titanium dioxide is preferable because it has a high reflectivity and is easy to use industrially. The crystal structure of titanium dioxide is classified into anatase type, rutile type, and brookite type. Among these, rutile-type titanium oxide is preferable because of its low photocatalytic activity.

백색 안료에는, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. Al, Si 및 Zr에서 선택된 금속을 포함하는 금속 산화물에 의한 표면 처리가 바람직하고, 형성한 격벽의 내광성 및 내열성을 향상시킬 수 있다. 백색 안료의 평균 1차 입자경은, 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 100 내지 500nm가 바람직하고, 150nm 내지 350nm가 보다 바람직하다. 여기서, 백색 안료의 평균 1차 입자경은, 입도 분포 측정 장치(N4-PLUS; 베크만·콜터(주)제) 등을 사용하여 레이저 회절법에 의해 측정할 수 있다.The white pigment may be subjected to surface treatment. Surface treatment with a metal oxide containing a metal selected from Al, Si, and Zr is preferable and can improve the light resistance and heat resistance of the formed barrier rib. From the viewpoint of further improving the reflectance of the partition, the average primary particle diameter of the white pigment is preferably 100 to 500 nm, and more preferably 150 nm to 350 nm. Here, the average primary particle diameter of the white pigment can be measured by laser diffraction using a particle size distribution measuring device (N4-PLUS; manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd.).

백색 안료로서 바람직하게 사용되는 이산화티타늄 안료로서는, 예를 들어 R960; 듀퐁(주)제(루틸형, SiO2/Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 210nm), CR-97; 이시하라 산교(주)제(루틸형, Al2O3/ZrO2 처리, 평균 1차 입자경 250nm) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 수지 조성물에서의 백색 안료의 함유량은, 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 10중량% 이상이 바람직하고, 15중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 평활성을 향상시키는 관점에서, 백색 안료의 함유량은, 고형분 중의 60중량% 이하가 바람직하고, 55중량% 이하가 보다 바람직하다.Titanium dioxide pigments preferably used as white pigments include, for example, R960; CR-97, manufactured by DuPont Co., Ltd. (rutile type, SiO 2 /Al 2 O 3 treated, average primary particle size 210 nm); and Ishihara Sangyo Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 /ZrO 2 treatment, average primary particle diameter 250 nm). You may contain two or more of these. From the viewpoint of further improving the reflectance, the content of the white pigment in the resin composition is preferably 10% by weight or more in solid content, and more preferably 15% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of improving the surface smoothness of the partition, the content of the white pigment is preferably 60% by weight or less in the solid content, and more preferably 55% by weight or less.

본 발명의 수지 조성물은 또한, 차광 안료, 및/또는 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물(이하, 「유기 금속 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)을 함유하는 것이 바람직하다. 차광 안료 및 유기 금속 화합물은, 격벽의 차광성을 보다 향상시키는 기능을 갖는다.The resin composition of the present invention also contains a light-shielding pigment and/or an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium (hereinafter referred to as an “organometallic compound”) It is preferable to contain ). Light-shielding pigments and organometallic compounds have the function of further improving the light-shielding properties of the partition.

차광 안료는, 차광성 향상의 관점에서, 흑색 안료를 함유하는 것이 바람직하다.The light-shielding pigment preferably contains a black pigment from the viewpoint of improving light-shielding properties.

흑색 안료로서는, 예를 들어 흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 흑색 무기 안료 등을 들 수 있다. 흑색 유기 안료로서는, 예를 들어 카본 블랙, 페릴렌 블랙, 아닐린 블랙, 벤조푸라논계 안료 등을 들 수 있다. 이들은, 수지로 피복되어 있어도 된다.Examples of black pigments include black organic pigments, mixed-color organic pigments, and black inorganic pigments. Examples of black organic pigments include carbon black, perylene black, aniline black, and benzofuranone-based pigments. These may be coated with resin.

혼색 유기 안료로서는, 예를 들어 적, 청, 녹, 자색, 황색, 마젠타 및 시안 등에서 선택된 2종 이상의 안료를 혼합해서 의사 흑색화한 것을 들 수 있다. 이들 중에서도, 적절하게 높은 OD값과 패턴 가공성을 양립시키는 관점에서, 적색 안료와 청색 안료의 혼합 안료가 바람직하다. 혼합 안료에서의 적색 안료와 청색 안료의 중량비는, 20/80 내지 80/20이 바람직하고, 30/70 내지 70/30이 보다 바람직하다. 대표적인 안료의 구체예를 컬러 인덱스(CI) 넘버로 나타내면, 다음과 같은 것을 들 수 있다. 적색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 레드(이하, PR로 약기함)9, PR177, PR215, PR254 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 청색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 블루(이하, PB로 약기함)15, PB15:4, PB15:6 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of mixed-color organic pigments include those obtained by mixing two or more pigments selected from red, blue, green, purple, yellow, magenta, and cyan, and producing pseudo-blackening. Among these, a mixed pigment of a red pigment and a blue pigment is preferable from the viewpoint of achieving both an appropriately high OD value and pattern processability. The weight ratio of the red pigment and the blue pigment in the mixed pigment is preferably 20/80 to 80/20, and more preferably 30/70 to 70/30. Specific examples of representative pigments are expressed by color index (CI) numbers as follows. Examples of red pigments include Pigment Red (hereinafter abbreviated as PR)9, PR177, PR215, PR254, etc. You may contain two or more of these. Examples of blue pigments include Pigment Blue (hereinafter abbreviated as PB) 15, PB15:4, and PB15:6. You may contain two or more of these.

흑색 무기 안료로서는, 예를 들어 그래파이트; 티타늄, 구리, 철, 망간, 코발트, 크롬, 니켈, 아연, 칼슘, 은, 금, 백금, 팔라듐 등의 금속의 미립자; 금속 산화물; 금속 복합 산화물; 금속 황화물; 금속 질화물; 금속 산질화물; 금속 탄화물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the black inorganic pigment include graphite; Fine particles of metals such as titanium, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, zinc, calcium, silver, gold, platinum, and palladium; metal oxide; metal complex oxides; metal sulfides; metal nitride; metal oxynitride; Metal carbides, etc. can be mentioned. You may contain two or more of these.

이상의 흑색 안료 중에서도, 높은 차광성을 갖는 점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20인 혼합 안료에서 선택된 안료가 바람직하다.Among the above black pigments, pigments selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, and mixed pigments with a weight ratio of red pigment and blue pigment of 20/80 to 80/20 are preferable because they have high light-shielding properties.

수지 조성물에서의 차광 안료의 함유량은, 차광성을 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.05중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 미세 후막 격벽 패턴을 안정되게 형성하는 관점에서, 차광 안료의 함유량은, 고형분 중의 5중량% 이하가 바람직하고, 3중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving light-shielding properties, the content of the light-shielding pigment in the resin composition is preferably 0.01% by weight or more in solid content, and more preferably 0.05% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of stably forming a fine thick film partition pattern, the content of the light-shielding pigment is preferably 5% by weight or less, and more preferably 3% by weight or less, based on the solid content.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 특정 파장의 차광성을 향상시키기 위해서, 흑색 안료 이외의 기타 차광 안료를 포함해도 된다. 기타 차광 안료로서는, 예를 들어 적색 안료, 청색 안료, 자색 안료, 녹색 안료, 황색 안료 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.In addition, the resin composition of the present invention may contain other light-shielding pigments other than black pigments in order to improve light-shielding properties at specific wavelengths. Other light-shielding pigments include, for example, red pigments, blue pigments, purple pigments, green pigments, and yellow pigments. You may contain two or more of these.

유기 금속 화합물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성 시에, 노광 공정 및/또는 가열 공정에서, 분해·응집됨으로써 흑색 입자 또는 황색 입자로 되어, 후술하는 격벽(A-1)의 차광성(OD값)을 향상시키는 기능을 갖는다. 노광 전에는 OD값이 낮고, 패턴 형성 후에 OD값이 상승하므로, 노광 공정에서는 노광한 광을 저부까지 충분히 투과시켜, 광경화 또는 광분해시킬 수 있다. OD값이 높은 격벽(A-1)을 형성하기 위해서, 미리 차광 안료를 다량으로 함유하는 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부에서의 광경화가 불충분해지기 쉽다. 그 결과, 얻어진 격벽(A-1)의 형상이 역테이퍼형으로 되기 쉬운 경향이 있다. 상술한 유기 금속 화합물을 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부까지 충분히 광경화하므로, 테이퍼 각도를 용이하게 후술하는 바람직한 범위로 할 수 있다.The organometallic compound decomposes and aggregates in the exposure process and/or the heating process when forming the pattern of the barrier rib (A-1), which will be described later, to form black particles or yellow particles. It has the function of improving optical properties (OD value). Since the OD value is low before exposure and increases after pattern formation, the exposed light can be sufficiently transmitted to the bottom in the exposure process to cause photocuring or photodecomposition. In order to form a partition (A-1) with a high OD value, if the pattern is formed using a resin composition containing a large amount of light-shielding pigment in advance, photocuring at the bottom is likely to be insufficient. As a result, the shape of the obtained partition A-1 tends to be inversely tapered. When a pattern is formed using the resin composition of the present invention containing the above-mentioned organometallic compound, the bottom portion is sufficiently photocured, and the taper angle can be easily set to a preferable range described later.

유기 금속 화합물로서는, 예를 들어 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물; 클로로(트리페닐포스핀)금 등의 금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)백금, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐팔라듐을 함유하는 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the organometallic compound include silver-containing organometallic compounds such as silver neodecanoate, silver octylate, and silver salicylate; Organometallic compounds containing gold such as chloro(triphenylphosphine)gold; Organometallic compounds containing platinum, such as bis(acetylacetonato)platinum and dichlorobis(triphenylphosphine)platinum; and organometallic compounds containing bis(acetylacetonato)palladium and dichlorobis(triphenylphosphine)palladium. You may contain two or more of these.

이들 중, 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정 및/또는 가열 공정에서, 분해·응집됨으로써 나노 은 입자를 생성하여 황색화한다.Among these, if it contains an organometallic compound containing silver such as neodecanoic acid, silver octylate, or silver salicylate, it decomposes and agglomerates in the exposure process and/or heating process to produce nano silver particles and turn yellow.

한편, 비스(아세틸아세토나토)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 등의 팔라듐을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정 및/또는 가열 공정에서, 분해·응집됨으로써 산화팔라듐을 생성하여 흑색화한다.On the other hand, organometallic compounds containing platinum such as bis(acetylacetonato)platinum; When an organometallic compound containing palladium, such as bis(acetylacetonato)palladium, is contained, it decomposes and aggregates in the exposure process and/or the heating process to produce palladium oxide and turn black.

이들 중에서도, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 네오데칸산은, 비스(아세틸아세토나토)팔라듐이 바람직하다.Among these, from the viewpoint of further improving the OD value, bis(acetylacetonato)palladium is preferable for neodecanoic acid.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 고형분 중에서 차지하는 유기 금속 화합물의 함유량은, 0.2 내지 5중량%가 바람직하다. 유기 금속 화합물의 함유량을 0.2중량% 이상으로 함으로써, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 유기 금속 화합물의 함유량은, 0.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 유기 금속 화합물의 함유량을 5중량% 이하로 함으로써, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다.In the resin composition of the present invention, the content of the organometallic compound in the solid content is preferably 0.2 to 5% by weight. By setting the content of the organometallic compound to 0.2% by weight or more, the OD value of the obtained partition can be further improved. The content of the organometallic compound is more preferably 0.5% by weight or more. On the other hand, the reflectance can be further improved by setting the content of the organometallic compound to 5% by weight or less.

본 발명의 수지 조성물은 또한, 인 원자를 갖는 배위성 화합물(이하, 「배위성 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)을 함유하는 것이 바람직하다. 배위성 화합물은, 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물에 배위하고, 유기 금속 화합물의 용매에 대한 용해성을 향상시켜 유기 금속 화합물의 분해를 촉진하여, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 배위성 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리-t-부틸포스핀, 트리메틸포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 트리스(O-톨릴)포스핀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 본 발명의 수지 조성물 중에서의 배위성 화합물의 함유량은, 유기 금속 화합물에 대해서 0.5 내지 3.0몰 당량이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably further contains a coordination compound having a phosphorus atom (hereinafter sometimes referred to as a “coordination compound”). The coordinating compound coordinates with the organometallic compound in the resin composition, improves the solubility of the organometallic compound in the solvent, promotes decomposition of the organometallic compound, and can further improve the OD value of the obtained barrier rib. Examples of the coordination compound include triphenylphosphine, tri-t-butylphosphine, trimethylphosphine, tricyclohexylphosphine, and tris(O-tolyl)phosphine. You may contain two or more of these. The content of the coordination compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.5 to 3.0 molar equivalents relative to the organometallic compound.

본 발명의 수지 조성물은 또한, 광중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에서의 광중합성 화합물이란, 분자 중에 2개 이상의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 말한다. 광중합성 화합물을 함유함으로써, 수지 중의 (메트)아크릴기와 라디칼 가교 반응을 일으켜서, 막의 경화도를 향상시킬 수 있다. 라디칼 중합성의 용이성을 생각하면, 광중합성 화합물은, (메트)아크릴기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of the present invention further contains a photopolymerizable compound. The photopolymerizable compound in the present invention refers to a compound having two or more ethylenically unsaturated double bonds in the molecule. By containing a photopolymerizable compound, a radical crosslinking reaction occurs with the (meth)acrylic group in the resin, and the degree of curing of the film can be improved. Considering the ease of radical polymerization, it is preferable that the photopolymerizable compound has a (meth)acrylic group.

광중합성 화합물로서는, 예를 들어 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 1,10-데칸디올디메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타메타크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of photopolymerizable compounds include 1,6-hexanediol diacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1,10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, Pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tripentaerythritol Heptaacrylate, tripentaerythritol octaacrylate, tetrapentaerythritol nonaacrylate, tetrapentaerythritol decaacrylate, tripentaerythritol heptamethacrylate, tripentaerythritol octamethacrylate, tetrapentaerythritol Nonamethacrylate, tetrapentaerythritol decamethacrylate, etc. can be mentioned. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에서의 광중합성 화합물의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중, 1중량% 이상이 바람직하다. 한편, 라디칼의 과잉 반응을 억제해서 해상도를 향상시키는 관점에서, 광중합성 화합물의 함유량은, 고형분 중, 50중량% 이하가 바람직하다.The content of the photopolymerizable compound in the resin composition of the present invention is preferably 1% by weight or more based on the solid content from the viewpoint of effectively promoting radical hardening. On the other hand, from the viewpoint of suppressing excessive reaction of radicals and improving resolution, the content of the photopolymerizable compound is preferably 50% by weight or less based on the solid content.

본 발명의 수지 조성물은, 광중합성기를 갖는 발액 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 발액 화합물이란, 수지 조성물에 물이나 유기 용매를 튕겨내는 성질(발액 성능)을 부여하는 화합물이다. 이러한 성질을 갖는 화합물이라면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 플루오로알킬기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 발액 화합물을 함유함으로써, 후술하는 격벽(A-1)을 형성한 후에, 격벽의 정상부에 발액 성능을 부여할 수 있다. 그에 의해, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에, 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다.The resin composition of the present invention preferably contains a liquid-repellent compound having a photopolymerizable group. A liquid-repellent compound is a compound that imparts the property (liquid-repellent performance) of repelling water or organic solvents to a resin composition. There is no particular limitation as long as the compound has these properties, but specifically, a compound having a fluoroalkyl group is preferably used. By containing a liquid-repellent compound, liquid-repellent performance can be imparted to the top of the partition after forming the partition A-1 described later. Thereby, for example, when forming a pixel containing the color conversion light emitting material (B) described later, color conversion light emitting materials with different compositions can be easily separately applied to each pixel.

발액 화합물은, 말단, 주쇄 및/또는 측쇄에 플루오로알킬 또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물을 가리킨다. 본 발명의 수지 조성물 중에 함유하는 발액 화합물은, 수지와 견고한 결합을 형성할 수 있는 점에서, 광중합성기를 갖는 발액 화합물이 보다 바람직하다. 광중합성기를 갖는 발액 화합물로서는, 예를 들어 "메가팍"(등록 상표) RS-72-A, RS-75-A, RS-56, RS-90(이상, 상품명, DIC(주)제) 등을 들 수 있다. 또한, 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광 경화물을 포함하는 격벽(A-1) 중에서는, 광중합성기는 광중합되어 있어도 된다.A liquid-repellent compound refers to a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkyl group at the terminal, main chain, and/or side chain. The liquid-repellent compound contained in the resin composition of the present invention is more preferably a liquid-repellent compound having a photopolymerizable group because it can form a firm bond with the resin. Examples of the liquid-repelling compound having a photopolymerizable group include "Megapac" (registered trademark) RS-72-A, RS-75-A, RS-56, RS-90 (trade name, manufactured by DIC Co., Ltd.), etc. can be mentioned. In addition, in this case, the photopolymerizable group may be photopolymerized in the partition (A-1) containing the photocured product of the negative photosensitive resin composition.

격벽의 발액 성능을 향상시키고, 잉크젯 도포성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물에서의 발액 화합물의 함유량은, 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지나 백색 안료와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 발액 화합물의 함유량은, 고형분 중의 10중량% 이하가 바람직하고, 5중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the liquid-repellent performance of the partition and improving inkjet applicability, the content of the liquid-repellent compound in the resin composition is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, based on the solid content. On the other hand, from the viewpoint of improving compatibility with the resin or white pigment, the content of the liquid-repelling compound is preferably 10% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less, based on the solid content.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라, 계면 활성제, 밀착성 개량제 등을 함유해도 된다. 본 발명의 수지 조성물 중에 계면 활성제를 함유함으로써, 도포 시의 플로성을 향상시킬 수 있다. 계면 활성제로서는, 예를 들어 "메가팍"(등록 상표) F445, F470, F475, F477(이상, 상품명, DIC(주)제), NBX-15, FTX-218(이상, 상품명, (주)네오스제) 등의 불소계 계면 활성제; "BYK"(등록 상표)-333, 352, 301(이상, 상품명, 빅 케미 재팬(주)제) 등의 실리콘계 계면 활성제; 폴리알킬렌옥시드계 계면 활성제; 폴리(메트)아크릴레이트계 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Additionally, the resin composition of the present invention may contain a surfactant, an adhesion improving agent, etc., as needed. By containing a surfactant in the resin composition of the present invention, flow properties during application can be improved. Surfactants include, for example, "Megapac" (registered trademark) F445, F470, F475, F477 (trade name, DIC Co., Ltd.), NBX-15, FTX-218 (trade name, Neos Co., Ltd.) (a) fluorine-based surfactants such as; Silicone-based surfactants such as “BYK” (registered trademark)-333, 352, and 301 (above, brand name, manufactured by Big Chemi Japan Co., Ltd.); polyalkylene oxide-based surfactant; and poly(meth)acrylate-based surfactants. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 밀착성 개량제를 함유함으로써, 하지 기판과의 밀착성이 향상되어, 신뢰성이 높은 격벽을 얻을 수 있다. 밀착성 개량제로서는, 예를 들어 지환식 에폭시 화합물이나, 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 내열성의 관점에서, 지환식 에폭시 화합물이 바람직하다. 지환식 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 3',4'-에폭시시클로헥시메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물, ε-카프로락톤 변성 3',4'-에폭시시클로헥실메틸3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산, 부탄테트라카르복실산테트라(3,4-에폭시시클로헥실메틸) 수식 ε-카프로락톤, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 1,4-시클로헥산디카르복실산디글리시딜, 1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.By containing an adhesion improving agent in the resin composition of the present invention, adhesion to the underlying substrate is improved, and a highly reliable partition can be obtained. Examples of adhesion improving agents include alicyclic epoxy compounds and silane coupling agents. Among these, alicyclic epoxy compounds are preferable from the viewpoint of heat resistance. Examples of alicyclic epoxy compounds include 3',4'-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 1,2-bis(hydroxymethyl)-1-butanol, and 2,2-bis(hydroxymethyl)-1-butanol. -Epoxy-4-(2-oxiranyl)cyclohexane adduct, ε-caprolactone modified 3',4'-epoxycyclohexylmethyl 3',4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 1,2-epoxy- 4-vinylcyclohexane, butanetetracarboxylic acid tetra(3,4-epoxycyclohexylmethyl) formula ε-caprolactone, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid dicarboxylic acid Glycidyl, 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether, etc. are mentioned. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에서의 밀착성 개량제의 함유량은, 하지 기판과의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.1중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 밀착성 개량제의 함유량은, 패턴 가공성의 관점에서, 고형분 중의 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of further improving adhesion to the underlying substrate, the content of the adhesion improving agent in the resin composition of the present invention is preferably 0.1% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more, based on the solid content. On the other hand, from the viewpoint of pattern processability, the content of the adhesion improving agent is preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less based on the solid content.

본 발명의 수지 조성물은, 또한, 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 용매는, 수지 조성물의 점도를 도포에 적합한 범위로 조정하고, 격벽의 균일성을 향상시키는 기능을 갖는다. 용매로서는, 대기압 하의 비점이 150℃를 초과해서 250℃ 이하인 용매와, 150℃ 이하인 용매를 조합하는 것이 바람직하다. 용매로서는, 예를 들어 이소프로판올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르류; 메틸에틸케톤메틸이소부틸케톤, 디이소부틸케톤, 시클로펜타논 등의 케톤류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸 등의 아세테이트류 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 도포성의 관점에서, 대기압 하의 비점이 150℃를 초과해서 250℃ 이하인 용매로서 디아세톤알코올과, 150℃ 이하인 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 조합하는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of the present invention further contains a solvent. The solvent has the function of adjusting the viscosity of the resin composition to a range suitable for application and improving the uniformity of the partition. As a solvent, it is preferable to combine a solvent whose boiling point under atmospheric pressure exceeds 150°C and is 250°C or lower, and a solvent whose boiling point is 150°C or lower. Examples of solvents include alcohols such as isopropanol and diacetone alcohol; Glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monoethyl ether; Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, and cyclopentanone; Amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide; Acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, and butyl lactate can be mentioned. You may contain two or more of these. Among these, from the viewpoint of applicability, it is preferable to combine diacetone alcohol as a solvent with a boiling point under atmospheric pressure of more than 150°C and 250°C or less, and propylene glycol monomethyl ether as a solvent with a boiling point of 150°C or less.

용매의 함유량은, 도포 방법 등에 따라 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어, 스핀 코팅에 의해 막 형성을 행하는 경우에는, 용매의 함유량은, 수지 조성물 중, 50중량% 이상, 95중량% 이하로 하는 것이 일반적이다.The content of the solvent can be arbitrarily set depending on the application method, etc. For example, when forming a film by spin coating, the solvent content is generally set to 50% by weight or more and 95% by weight or less in the resin composition.

본 발명의 수지 조성물은, 예를 들어 상술한 광 라디칼 발생제, 폴리실록산, (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머 및 필요에 따라서 기타 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다.The resin composition of the present invention can be produced, for example, by mixing the above-described photo radical generator, polysiloxane, (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer, and other components as needed.

이어서, 본 발명의 차광막에 대해서 설명한다. 본 발명의 차광막은, 상술한 본 발명의 수지 조성물을 경화해서 얻어진다. 본 발명의 차광막은, 후술하는 격벽(A-1) 외에, 커버 기재용 장식 패턴 등의 OGS 타입의 터치 패널에서의 차광 패턴으로서 적합하게 사용할 수 있다. 차광막의 막 두께는, 10㎛ 이상이 바람직하다.Next, the light-shielding film of the present invention will be described. The light-shielding film of the present invention is obtained by curing the resin composition of the present invention described above. The light-shielding film of the present invention can be suitably used as a light-shielding pattern in an OGS type touch panel, such as a decorative pattern for a cover base material, in addition to the partition A-1 described later. The thickness of the light-shielding film is preferably 10 μm or more.

이어서, 본 발명의 차광막 제조 방법에 대해서 예를 들어 설명한다. 본 발명의 차광막 제조 방법은, 하지 기판 상에 본 발명의 수지 조성물을 도포하고, 건조시켜 건조막을 얻는 제막 공정, 얻어진 건조막을 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 건조막을 가열함으로써 경화시키는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다.Next, the method for manufacturing a light-shielding film of the present invention will be explained with an example. The method for producing a light-shielding film of the present invention includes a film forming process of applying the resin composition of the present invention onto a base substrate and drying it to obtain a dried film, an exposure process of pattern exposing the obtained dried film, and a developing solution-soluble portion of the dried film after exposure. It is desirable to have a developing process for dissolving and removing the film and a heating process for curing the dried film after development by heating it.

상기 제막 공정에서의 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어, 슬릿 코트법, 스핀 코트법 등을 들 수 있다. 건조 장치로서는, 예를 들어 열풍 오븐이나 핫 플레이트 등을 들 수 있다. 건조 시간은 80 내지 120℃가 바람직하고, 건조 시간은 1 내지 15분간이 바람직하다.Examples of the application method of the resin composition in the film forming process include a slit coating method and a spin coating method. Examples of drying devices include hot air ovens and hot plates. The drying time is preferably 80 to 120°C, and the drying time is preferably 1 to 15 minutes.

노광 공정은, 노광에 의해 건조막의 필요한 부분을 광경화시키고, 또는, 건조막의 불필요한 부분을 광분해시켜, 건조막의 임의의 부분을 현상액에 가용으로 하는 공정이다. 노광 공정에서는, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재해서 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다.The exposure process is a process in which necessary parts of the dried film are photocured by exposure, or unnecessary parts of the dried film are photodecomposed, and any part of the dried film is made soluble in a developer. In the exposure process, exposure may be carried out through a photomask having a predetermined opening, or an arbitrary pattern may be drawn directly using a laser beam or the like without using a photomask.

노광 장치로서는, 예를 들어 프록시미티 노광기를 들 수 있다. 노광 공정에서 조사하는 활성 광선으로서는, 자외선이 바람직하다. 또한, 그 광원으로서는, 예를 들어 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 등을 들 수 있고, 초고압 수은등이 바람직하다. 노광 조건은 노광하는 건조막의 두께에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 일반적으로, 1 내지 100mW/㎠의 출력의 초고압 수은등을 사용하여, 1 내지 10,000mJ/㎠의 노광량으로 노광하는 것이 바람직하다.As an exposure apparatus, a proximity exposure machine is mentioned, for example. As the actinic light irradiated in the exposure process, ultraviolet rays are preferable. Moreover, examples of the light source include high-pressure mercury lamps, ultra-high pressure mercury lamps, halogen lamps, etc., and ultra-high pressure mercury lamps are preferable. Exposure conditions can be appropriately selected depending on the thickness of the dry film to be exposed. In general, it is preferable to use an ultra-high pressure mercury lamp with an output of 1 to 100 mW/cm2 and expose at an exposure dose of 1 to 10,000 mJ/cm2.

현상 공정은, 노광 후의 건조막에서의 현상액에 가용인 부분을 현상액으로 용해 제거하고, 현상액에 불용인 부분만이 잔존한, 임의의 패턴 형상으로 패턴 형성된 건조막(이하, 가열전 패턴이라고 칭함)을 얻는 공정이다. 패턴 형상으로서는, 예를 들어 격자상, 스트라이프상, 홀상 등의 형상을 들 수 있다. 현상 방법으로서는, 예를 들어, 침지법, 스프레이법, 브러시법 등을 들 수 있다.In the development process, the portion soluble in the developer of the dried film after exposure is removed by dissolving with the developer, and only the portion insoluble in the developer remains, and the dried film is patterned in an arbitrary pattern shape (hereinafter referred to as the pattern before heating). This is the process of obtaining. Examples of the pattern shape include shapes such as grid shape, stripe shape, and hole shape. Examples of the development method include an immersion method, a spray method, and a brush method.

현상액으로서는, 노광 후의 건조막에서의 불필요한 부분을 용해하는 것이 가능한 용매를 적절하게 선택할 수 있으며, 물을 주성분으로 하는 수용액이 바람직하다. 예를 들어, 수지 조성물이 카르복실기를 갖는 폴리머를 함유하는 경우, 현상액으로서는, 알칼리 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액으로서는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 수산화칼슘 등의 무기 알칼리 수용액; 테트라메틸암모늄히드록사이드 등의 유기 알칼리 수용액 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 해상도를 향상시키는 관점에서, 수산화칼륨 수용액 또는 테트라메틸암모늄히드록사이드 수용액이 바람직하다. 또한, 해상도를 향상시키는 관점에서, 현상액에 계면 활성제를 함유해도 된다. 현상 온도는, 공정 관리를 용이하게 하기 위해서, 20 내지 50℃가 바람직하다. 가열 공정은, 현상 공정에서 형성된 가열전 패턴을 가열 경화시키는 공정이다. 가열 장치로서는, 예를 들어 핫 플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 가열 온도는, 가열하는 막의 크랙 발생을 억제하는 관점에서, 250℃ 이하가 바람직하다. 가열 시간은 15분간 내지 2시간이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물이, 상술한 유기 금속 화합물을 함유하는 경우, 가열 온도는, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 150℃ 이상이 바람직하다.As a developing solution, a solvent capable of dissolving unnecessary parts in the dried film after exposure can be appropriately selected, and an aqueous solution containing water as a main component is preferable. For example, when the resin composition contains a polymer having a carboxyl group, an aqueous alkaline solution is preferable as the developing solution. Examples of the aqueous alkaline solution include inorganic aqueous alkali solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, and calcium hydroxide; and organic alkaline aqueous solutions such as tetramethylammonium hydroxide. Among these, from the viewpoint of improving resolution, potassium hydroxide aqueous solution or tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is preferable. Additionally, from the viewpoint of improving resolution, the developer may contain a surfactant. The development temperature is preferably 20 to 50°C to facilitate process management. The heating process is a process of heating and hardening the pattern before heating formed in the developing process. Examples of heating devices include hot plates and ovens. The heating temperature is preferably 250°C or lower from the viewpoint of suppressing the occurrence of cracks in the film being heated. The heating time is preferably 15 minutes to 2 hours. When the resin composition of the present invention contains the above-mentioned organometallic compound, the heating temperature is preferably 150°C or higher from the viewpoint of further improving the OD value.

이어서, 본 발명의 격벽 구비 기판에 대해서 설명한다. 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판 상에 (A-1) 패턴 형성된 격벽(이하, 「격벽(A-1)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는다. 하지 기판은, 격벽 구비 기판에서의 지지체로서의 기능을 갖는다. 격벽은, 후술하는 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우, 인접하는 화소간에서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.Next, the substrate with partitions of the present invention will be described. The substrate with a barrier rib of the present invention has a barrier rib (hereinafter sometimes referred to as “partition wall (A-1)”) formed in the (A-1) pattern on an underlying substrate. The base substrate has a function as a support in the substrate with partitions. When the partition has a pixel containing a color-converting light-emitting material described later, it has a function of suppressing color mixing of light between adjacent pixels.

본 발명의 격벽 구비 기판에 있어서, 격벽(A-1)은, 파장 550nm에서의 두께 10㎛당 반사율이 10% 내지 60%, 파장 450nm에서의 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 것이 바람직하다. 반사율을 10% 이상, OD값을 3.0 이하로 함으로써, (A-1) 격벽 측면에서의 반사를 이용하여 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있다. 한편, 파장 550nm에서의 반사율을 60% 이하, 파장 450nm에서의 OD값을 1.0 이상으로 함으로써, 격벽(A-1)의 투과광을 억제해서 인접 화소간에서의 광의 혼색을 억제할 수 있다.In the barrier-equipped substrate of the present invention, the barrier rib (A-1) preferably has a reflectance of 10% to 60% per 10 μm of thickness at a wavelength of 550 nm and an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm of thickness at a wavelength of 450 nm. do. By setting the reflectance to 10% or more and the OD value to 3.0 or less, (A-1) the luminance of the display device can be improved using reflection from the side of the partition. On the other hand, by setting the reflectance at a wavelength of 550 nm to 60% or less and the OD value at a wavelength of 450 nm to 1.0 or more, transmitted light through the partition A-1 can be suppressed and color mixing of light between adjacent pixels can be suppressed.

도 1에, 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)을 갖는다.Fig. 1 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs. It has a partition wall (2) patterned on the base substrate (1).

<하지 기판><Substrate>

하지 기판으로서는, 예를 들어 유리판, 수지판, 수지 필름 등을 들 수 있다. 유리판의 재질로서는, 무알칼리 유리가 바람직하다. 수지판 및 수지 필름의 재질로서는, 폴리에스테르, (메트)아크릴 폴리머, 투명 폴리이미드, 폴리에테르술폰 등이 바람직하다. 유리판 및 수지판의 두께는, 1mm 이하가 바람직하고, 0.8mm 이하가 바람직하다. 수지 필름의 두께는, 100㎛ 이하가 바람직하다.Examples of the base substrate include a glass plate, a resin plate, and a resin film. As a material for the glass plate, alkali-free glass is preferable. Preferred materials for the resin plate and resin film include polyester, (meth)acrylic polymer, transparent polyimide, and polyethersulfone. The thickness of the glass plate and the resin plate is preferably 1 mm or less, and is preferably 0.8 mm or less. The thickness of the resin film is preferably 100 μm or less.

<격벽(A-1)><Bulkhead (A-1)>

격벽(A-1)은, 파장 550nm에서의 두께 10㎛당 반사율이 10% 내지 60%, 파장 450nm에서의 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 것이 바람직하다. 여기서, 격벽(A-1)의 두께란, 격벽(A-1)의 높이 및/또는 격벽(A-1)의 폭을 가리킨다. 격벽(A-1)의 높이란, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수직인 방향(높이 방향)의 길이를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 높이는 부호 H로 표현된다. 또한, 격벽(A-1)의 폭이란, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수평한 방향의 길이를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 폭은 부호 L로 표현된다. 또한, 본 명세서에서, 「높이」는 「두께」라고 칭하는 경우도 있다.The barrier rib (A-1) preferably has a reflectance of 10% to 60% per 10 μm of thickness at a wavelength of 550 nm and an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm of thickness at a wavelength of 450 nm. Here, the thickness of the partition A-1 refers to the height of the partition A-1 and/or the width of the partition A-1. The height of the partition A-1 refers to the length of the partition A-1 in a direction perpendicular to the base substrate (height direction). In the case of the substrate with a partition shown in FIG. 1, the height of the partition 2 is expressed by symbol H. In addition, the width of the partition A-1 refers to the length of the partition A-1 in a direction parallel to the underlying substrate. In the case of the substrate with a barrier rib shown in FIG. 1, the width of the barrier rib 2 is expressed by symbol L. Additionally, in this specification, “height” may be referred to as “thickness.”

본 발명에서는, 격벽 측면에서의 반사율이 표시 장치의 휘도 향상에, 차광성이 혼색 억제에 각각 기여한다고 생각된다. 한편, 두께당 반사율 및 OD값은, 높이 방향, 폭 방향에 구애되지 않고 동일하다고 생각되기 때문에, 본 발명에서는, 격벽의 두께당 반사율 및 OD값에 주목한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 격벽(A-1)의 두께(높이)는 0.5 내지 100㎛가 바람직하고, 폭은 1 내지 100㎛가 바람직하다. 그래서, 본 발명에서는, 격벽(A-1)의 두께의 대푯값으로서 10㎛를 선택하고, 두께 10㎛당 반사율 및 OD값에 주목하였다. 파장 550nm에서의 격벽(A-1)의 두께 10㎛당 반사율이 10% 미만이면, 격벽 측면에서의 가시광 반사가 작아져, 표시 장치의 휘도가 불충분해진다. 파장 550nm에서의 두께 10㎛당 반사율은, 10% 이상이 바람직하고, 20% 이상이 보다 바람직하고, 30% 이상이 더욱 바람직하다.In the present invention, it is believed that the reflectance on the side of the partition contributes to improving the luminance of the display device, and the light blocking property contributes to suppressing color mixing. On the other hand, since the reflectance and OD value per thickness are considered to be the same regardless of the height direction or the width direction, in the present invention, attention is paid to the reflectance and OD value per thickness of the partition. As will be described later, the thickness (height) of the partition A-1 is preferably 0.5 to 100 μm, and the width is preferably 1 to 100 μm. Therefore, in the present invention, 10 μm was selected as a representative value of the thickness of the partition A-1, and attention was paid to the reflectance and OD value per 10 μm of thickness. If the reflectance per 10 μm thickness of the barrier rib A-1 at a wavelength of 550 nm is less than 10%, visible light reflection from the side of the barrier rib becomes small, and the luminance of the display device becomes insufficient. The reflectance per 10 μm of thickness at a wavelength of 550 nm is preferably 10% or more, more preferably 20% or more, and still more preferably 30% or more.

파장 450nm에서의 격벽(A-1)의 두께 10㎛당 OD값은, 1.0 이상이 바람직하고, 1.5 이상이 보다 바람직하고, 2.0 이상이 더욱 바람직하다. 파장 450nm에서의 두께 10㎛당 OD값이 높을수록, 격벽 측면의 차광성이 커지기 때문에, 인접 화소간의 혼색을 방지하여, 표시 장치의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 파장 450nm에서의 격벽(A-1)의 두께 10㎛당 OD값이 1.0 미만이면, 인접 화소에 청색 여기광이 누설됨으로써, 격벽간에 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 함유하는 경우, 화소 내에서 발광해 버려 혼색이 발생한다.The OD value per 10 μm thickness of the barrier rib (A-1) at a wavelength of 450 nm is preferably 1.0 or more, more preferably 1.5 or more, and even more preferably 2.0 or more. The higher the OD value per 10 μm of thickness at a wavelength of 450 nm, the greater the light blocking ability of the side of the partition, thereby preventing color mixing between adjacent pixels and improving the contrast of the display device. If the OD value per 10 μm of the thickness of the barrier rib (A-1) at a wavelength of 450 nm is less than 1.0, blue excitation light leaks to adjacent pixels, thereby causing a pixel containing a color conversion light-emitting material (B) described later between the barrier ribs. In this case, light is emitted within the pixel and color mixing occurs.

격벽(A-1)의 파장 550nm에서의 두께 10㎛당 반사율은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대해서, 상면으로부터 분광 측색계(예를 들어, 코니카 미놀타(주)제 CM-2600d)를 사용하여, SCI 모드에 의해 측정할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에, 격벽(A-1)의 조성이 기지일 경우에는, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하여, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대해서 마찬가지로 반사율을 측정함으로써, 두께 10㎛당 반사율을 구해도 된다. 예를 들어, 격벽(A-1)을 형성한 재료를 사용하여, 두께를 10㎛로 하고, 패턴 형성하지 않는 것 이외에는 격벽(A-1)의 형성과 동일한 가공 조건에 의해 솔리드막을 제작하고, 얻어진 솔리드 막에 대해서, 상면으로부터 마찬가지로 반사율을 측정해도 된다.The reflectance per 10 μm thickness at a wavelength of 550 nm of the barrier rib (A-1) was measured from the upper surface of the barrier rib (A-1) with a thickness of 10 μm using a spectrophotometer (e.g., CM-2600d manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) ) can be used to measure by SCI mode. However, in cases where a sufficient area for measurement cannot be secured or a measurement sample with a thickness of 10 ㎛ cannot be collected, and when the composition of the partition A-1 is known, it is the same as that of the partition A-1. A solid film with a thickness of 10 μm may be produced, and the reflectance per 10 μm thickness may be obtained by similarly measuring the reflectance of the solid film instead of the partition (A-1). For example, using the material from which the barrier rib (A-1) was formed, a solid film was produced under the same processing conditions as for forming the barrier rib (A-1) except that the thickness was set to 10 μm and the pattern was not formed, For the obtained solid film, the reflectance may be similarly measured from the upper surface.

격벽(A-1)의 파장 450nm에서의 두께 10㎛당 OD값은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대해서, 상면으로부터 광학 농도계(예를 들어, 히타치 하이테크 사이언스제 U-4100)를 사용해서 입사광 및 투과광의 강도를 측정하여, 하기 식 (1)에 의해 산출할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에, 격벽(A-1)의 조성이 기지일 경우에는, 반사율의 측정과 마찬가지로, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하여, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대해서 마찬가지로 OD값을 측정함으로써, 두께 10㎛당 OD값을 구해도 된다.The OD value per 10 μm thickness at a wavelength of 450 nm of the barrier rib (A-1) was measured using an optical densitometer (e.g., U-4100 manufactured by Hitachi High-Tech Science) from the upper surface for the barrier rib (A-1) with a thickness of 10 μm. The intensity of incident light and transmitted light can be measured and calculated using the following formula (1). However, in cases where a sufficient area for measurement cannot be secured, or when a measurement sample with a thickness of 10 μm cannot be collected, or when the composition of the partition (A-1) is known, as in the measurement of reflectance, the partition ( The OD value per 10 μm thickness may be obtained by producing a 10 μm thick solid film of the same composition as A-1) and measuring the OD value similarly for the solid film instead of the partition (A-1).

OD값=log10(I0/I) … (1)OD value = log10(I 0 /I) … (One)

I0: 입사광 강도I 0 : Incident light intensity

I: 투과광 강도I: Transmitted light intensity

또한, 반사율 및 OD값을 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것 등을 들 수 있다.In addition, as a means for bringing the reflectance and OD value into the above range, for example, making the partition A-1 have a preferable composition described later, etc.

격벽(A-1)의 테이퍼 각도는, 45° 내지 110°가 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도란, 격벽 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 테이퍼 각도는 부호 θ로 표현된다. 테이퍼 각도를 45° 이상으로 함으로써, 격벽(A-1)의 상부와 저부의 폭의 차가 작아져서, 격벽(A-1)의 폭을 후술하는 바람직한 범위로 용이하게 형성할 수 있다. 테이퍼 각도는, 70° 이상이 보다 바람직하다. 한편, 테이퍼 각도를 110° 이하로 함으로써, 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를, 잉크젯 도포에 의해 형성할 때, 잉크의 결괴를 억제하여, 잉크젯 도포성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 잉크의 결괴란, 잉크가 격벽을 타고 넘어가 인접한 화소 부분에 혼입되는 현상을 의미한다. 테이퍼 각도는, 95° 이하가 보다 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도는, 격벽(A-1)의 임의의 단면을, 광학 현미경(FE-SEM(예를 들어, (주)히다치 세이사꾸쇼제 S-4800))을 사용하여, 가속 전압 3.0kV, 배율 2,500배로 관찰하여, 격벽(A-1)의 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 측정함으로써 구할 수 있다.The taper angle of the partition A-1 is preferably 45° to 110°. The taper angle of the partition wall (A-1) refers to the angle formed by the side and bottom sides of the partition wall cross section. In the case of the substrate with a barrier rib shown in FIG. 1, the taper angle of the barrier rib 2 is expressed by symbol θ. By setting the taper angle to 45° or more, the difference between the widths of the upper and lower portions of the partition A-1 becomes small, and the width of the partition A-1 can be easily formed in a desirable range described later. The taper angle is more preferably 70° or more. On the other hand, by setting the taper angle to 110° or less, when forming a pixel containing the color conversion light emitting material (B) described later by inkjet application, ink agglomeration can be suppressed and inkjet coating properties can be improved. Here, ink agglomeration refers to a phenomenon in which ink passes over the partition and mixes into adjacent pixel parts. The taper angle is more preferably 95° or less. The taper angle of the partition A-1 was determined by examining an arbitrary cross section of the partition A-1 using an optical microscope (FE-SEM (for example, S-4800 manufactured by Hitachi Ltd.)). , It can be obtained by observing at an acceleration voltage of 3.0 kV and a magnification of 2,500 times, and measuring the angle formed by the side and bottom sides of the cross section of the partition A-1.

또한, 격벽(A-1)의 테이퍼 각도를 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것, 상술한 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성하는 것 등을 들 수 있다.In addition, as a means for adjusting the taper angle of the partition A-1 to the above range, for example, the partition A-1 is formed with a preferable composition described later, or formed using the resin composition of the present invention described above. Things can be mentioned.

격벽(A-1)의 두께는, 격벽 구비 기판이 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우에는, 그 화소의 두께보다 큰 것이 바람직하다. 구체적으로는, 격벽(A-1)의 두께는, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소 저부에서의 발광을 보다 효율적으로 취출하는 관점에서, 격벽(A-1)의 두께는, 100㎛ 이하가 바람직하고, 50㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 격벽(A-1)의 폭은, 격벽 측면에서의 광 반사를 이용해서 휘도를 보다 향상시켜, 광 누설에 의한 인접 화소에서의 광의 혼색을 보다 억제하기 위해서 충분한 것인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 격벽의 폭은, 1㎛ 이상이 바람직하고, 5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소의 발광 영역을 많이 확보해서 휘도를 보다 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 폭은, 100㎛ 이하가 바람직하고, 50㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the partition A-1 is preferably larger than the thickness of the pixel when the partition-equipped substrate has a pixel containing the color conversion light emitting material (B) described later. Specifically, the thickness of the partition A-1 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 10 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of more efficiently extracting light emission from the bottom of the pixel, the thickness of the partition A-1 is preferably 100 μm or less, and more preferably 50 μm or less. In addition, the width of the partition A-1 is preferably sufficient to further improve luminance by utilizing light reflection from the side of the partition and to further suppress color mixing of light in adjacent pixels due to light leakage. Specifically, the width of the partition is preferably 1 μm or more, and more preferably 5 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of further improving luminance by securing a large light-emitting area of the pixel, the width of the partition A-1 is preferably 100 μm or less, and more preferably 50 μm or less.

격벽(A-1)은, 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 소정 화소수분의 반복 패턴을 갖고 있다. 화상 표시 장치의 화소수로서는, 예를 들어 가로에 4000개, 세로에 2000개를 들 수 있다. 화소수는, 표시되는 화상의 해상도(세세함)에 영향을 미친다. 그 때문에, 요구되는 화상의 해상도와 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 수의 화소를 형성할 필요가 있으며, 그에 맞추어, 격벽의 패턴 형성 치수를 결정하는 것이 바람직하다.The partition A-1 has a repeating pattern of a predetermined number of pixels according to the screen size of the image display device. The number of pixels in an image display device is, for example, 4000 horizontally and 2000 vertically. The number of pixels affects the resolution (detail) of the displayed image. Therefore, it is necessary to form a number of pixels according to the required image resolution and the screen size of the image display device, and it is desirable to determine the pattern formation dimensions of the partition in accordance with this.

격벽(A-1)은, 수지와, 백색 안료와, 차광 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는, 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 백색 안료는, 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 차광 안료는, OD값을 조정하여, 인접 화소에서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.The partition (A-1) preferably contains resin, white pigment, and light-shielding pigment. The resin has the function of improving the crack resistance and light resistance of the partition. The white pigment has the function of further improving the reflectance of the partition. The light-shielding pigment has the function of controlling the OD value and suppressing color mixing of light in adjacent pixels.

수지, 백색 안료, 차광 안료는, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 바와 같다. 차광 안료는, 차광성을 향상시키는 관점에서, 흑색 안료, 적색 안료, 청색 안료, 자색 안료, 황색 안료에서 선택된 적어도 1종의 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 인접 화소에서의 광의 혼색을 억제하는 관점에서, 흑색 안료 및/또는 황색 안료를 함유하는 것이 바람직하다.The resin, white pigment, and light-shielding pigment are the materials constituting the resin composition and are as described above. From the viewpoint of improving light-shielding properties, the light-shielding pigment preferably contains at least one type of pigment selected from black pigment, red pigment, blue pigment, purple pigment, and yellow pigment. Among these, it is preferable to contain a black pigment and/or a yellow pigment from the viewpoint of suppressing color mixing of light in adjacent pixels.

흑색 안료는, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 바와 같다.The black pigment is the same as previously described as a material constituting the resin composition.

황색 안료는, 예를 들어 피그먼트 옐로우(이하, PY로 약기함) PY137, PY138, PY139, PY150, PY166, PY168, PY185 등의 황색 유기 안료나, 나노 은 입자, 나노 금 입자 등의 금속의 미립자; 금속 산화물; 금속 복합 산화물; 금속 황화물; 금속 질화물; 금속 산질화물; 금속 탄화물 등 황색 무기 안료를 들 수 있다.Yellow pigments include, for example, yellow organic pigments such as Pigment Yellow (hereinafter abbreviated as PY) PY137, PY138, PY139, PY150, PY166, PY168, and PY185, and metal fine particles such as nano silver particles and nano gold particles. ; metal oxide; metal complex oxides; metal sulfides; metal nitride; metal oxynitride; Examples include yellow inorganic pigments such as metal carbides.

이들 중에서도, 차광 안료는, 인접 화소에서의 광의 혼색을 억제하는 관점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20인 혼합 안료 및 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금, 은으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자에서 선택된 적어도 1종의 안료를 함유하는 것이 바람직하다.Among these, light-shielding pigments include titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, mixed pigments with a weight ratio of red pigment and blue pigment of 20/80 to 80/20, and palladium oxide, from the viewpoint of suppressing color mixing of light in adjacent pixels. It is preferable to contain at least one type of pigment selected from particles containing metal or at least one type of metal oxide selected from the group consisting of platinum, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold, and silver.

격벽(A-1)은, 또한 힌더드 아민 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 힌더드 아민 화합물을 함유함으로써, 격벽의 내후성을 향상시킬 수 있다. 격벽(A-1)은, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 바와 같다. 힌더드 아민 화합물은, 분자 중의 광중합성기가 반응해서 수지에 고정화되어 있어도 된다.It is preferable that the partition wall (A-1) further contains a hindered amine compound. By containing a hindered amine compound, the weather resistance of the partition can be improved. The partition wall (A-1) is a material constituting the resin composition and is as described above. The hindered amine compound may be immobilized on the resin by reacting with a photopolymerizable group in the molecule.

격벽(A-1) 중의 힌더드 아민 화합물의 함유량은, 내후성을 보다 향상시키는 관점에서, 0.005중량% 이상이 바람직하고, 0.008중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 경화성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 힌더드 아민 화합물의 함유량은, 5.0중량% 이하가 바람직하고, 3.0중량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the hindered amine compound in the partition (A-1) is preferably 0.005% by weight or more, and more preferably 0.008% by weight or more from the viewpoint of further improving weather resistance. On the other hand, from the viewpoint of improving the surface hardenability of the partition, the content of the hindered amine compound in the partition (A-1) is preferably 5.0% by weight or less, and more preferably 3.0% by weight or less.

격벽(A-1)은, 또한 발액 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 발액 화합물을 함유함으로써, 격벽(A-1)에 발액 성능을 부여할 수 있으며, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에, 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다. 발액 화합물은, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 상술한 바와 같다.It is preferable that the partition wall (A-1) further contains a liquid-repellent compound. By containing a liquid-repellent compound, liquid-repellent performance can be imparted to the partition A-1. For example, when forming pixels containing the color conversion light-emitting material (B) described later, each pixel has a different composition. Color conversion luminescent materials can be easily differentiated and applied. The liquid-repellent compound is as described above as a material constituting the resin composition.

격벽(A-1)의, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 대한 표면 접촉각은, 잉크젯 도포성을 향상시켜, 색 변환 발광 재료의 구분 도포를 용이하게 하는 관점에서, 10° 이상이 바람직하고, 20° 이상이 보다 바람직하고, 40° 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 격벽과 하지 기판의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은, 70° 이하가 바람직하고, 60° 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은, 격벽 상부에 대해서, JIS R3257(제정 연월일: 1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거해서 측정할 수 있다. 또한, 격벽(A-1)의 표면 접촉각을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 예를 들어, 상술한 발액 화합물을 사용하는 방법 등을 들 수 있다.The surface contact angle of the partition (A-1) with respect to propylene glycol monomethyl ether acetate is preferably 10° or more, and is 20° from the viewpoint of improving inkjet applicability and facilitating separate application of the color conversion light-emitting material. More is more preferable, and 40 degrees or more is even more preferable. On the other hand, from the viewpoint of improving the adhesion between the partition and the underlying substrate, the surface contact angle of the partition A-1 is preferably 70° or less, and more preferably 60° or less. Here, the surface contact angle of the partition A-1 can be measured for the upper part of the partition based on the wettability test method for the substrate glass surface specified in JIS R3257 (date of establishment: 1999/04/20). Additionally, as a method of adjusting the surface contact angle of the partition A-1 to the above range, for example, a method of using the above-mentioned liquid-repellent compound can be mentioned.

하지 기판 상에 격벽(A-1)을 패턴 형성하는 방법으로서는, 패턴 형상의 조정이 용이한 점에서, 감광성 페이스트법이 바람직하다. 감광성 페이스트법에 의해 격벽을 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 하지 기판 상에, 상술한 수지 조성물을 도포하고, 건조시켜 건조막을 얻는 도포 공정, 얻어진 건조막을, 원하는 패턴 형상에 따라서 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 격벽을 경화시키는 가열 공정을 갖는 방법이 바람직하다. 수지 조성물은, 네가티브형의 감광성을 갖게 하는 것이 바람직하다. 패턴 노광은, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재해서 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다. 또한, 격벽 구비 기판이 후술하는 컬러 필터 및/또는 차광 격벽(A-2)를 갖는 경우는, 컬러 필터 및/또는 차광 격벽(A-2) 상에, 마찬가지로 하여 격벽(A-1)을 패턴 형성할 수 있다. 각 공정에 대해서는, 차광막의 제조 방법으로서 앞서 설명한 바와 같다.As a method of pattern forming the partition A-1 on the base substrate, the photosensitive paste method is preferable because the pattern shape can be easily adjusted. Methods for patterning partitions by the photosensitive paste method include, for example, an application step of applying the above-described resin composition onto a base substrate and drying it to obtain a dried film, and exposing the obtained dried film to a pattern according to a desired pattern shape. A method comprising an exposure process, a development process of dissolving and removing the developer-soluble portion of the dried film after exposure, and a heating process of curing the partition walls after development is preferable. The resin composition preferably has negative photosensitivity. Pattern exposure may be done through a photomask having a predetermined opening, or an arbitrary pattern may be drawn directly using a laser beam or the like without using a photomask. Additionally, when the barrier-equipped substrate has a color filter and/or a light-shielding barrier A-2, which will be described later, the barrier rib A-1 is similarly patterned on the color filter and/or a light-shielding barrier A-2. can be formed. Each process is the same as previously described as the manufacturing method of the light-shielding film.

본 발명의 격벽 구비 기판은 또한, 상기 격벽(A-1)에 의해 격리되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(이하, 「화소(B)」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 화소(B)는, 입사광의 파장 영역의 적어도 일부를 변환하여, 입사광과는 다른 파장 영역의 출사광을 방출함으로써, 컬러 표시를 가능하게 하는 기능을 갖는다.The barrier-equipped substrate of the present invention further includes a pixel (hereinafter sometimes referred to as “pixel (B)”) containing the color-converting light-emitting material (B) arranged and isolated by the barrier rib (A-1). It is desirable to have it. The pixel B has a function of enabling color display by converting at least a part of the wavelength range of incident light and emitting emitted light of a different wavelength range from the incident light.

도 2에, 패턴 형성된 격벽(A-1)과 화소(B)를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에, 패턴 형성된 격벽(2)을 갖고, 격벽(2)에 의해 격리된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다. 색 변환 재료는, 무기 형광체 및 유기 형광체에서 선택된 형광체를 함유하는 것이 바람직하다.Fig. 2 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs A-1 and pixels B. On the base substrate 1, it has a patterned partition wall 2, and pixels 3 are arranged in an area isolated by the partition wall 2. The color conversion material preferably contains a phosphor selected from inorganic phosphors and organic phosphors.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 예를 들어 청색광을 발광하는 백라이트와 TFT 상에 형성된 액정과 화소(B)를 조합하여, 표시 장치로서 사용할 수 있다. 이 경우, 적색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 적색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 녹색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 녹색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 청색 화소에 대응하는 영역에는, 형광체를 함유하지 않는 것이 바람직하다.The substrate with a barrier rib of the present invention can be used as a display device, for example, by combining a backlight that emits blue light, a liquid crystal formed on a TFT, and a pixel (B). In this case, the area corresponding to the red pixel preferably contains a red phosphor that is excited by blue excitation light and emits red fluorescence. Similarly, the area corresponding to the green pixel preferably contains a green phosphor that is excited by blue excitation light and emits green fluorescence. It is preferable that the area corresponding to the blue pixel does not contain phosphor.

무기 형광체로서는, 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것, 즉, 파장 400 내지 500nm의 여기광에 의해 여기되고, 발광 스펙트럼이 500 내지 700nm의 영역에 피크를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 무기 형광체로서는, 예를 들어 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 사이알론계 형광체, Mn4+ 구비 활성화 불화물 착체 형광체, 양자 도트라고 칭해지는 무기 반도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 양자 도트가 바람직하다. 양자 도트는 다른 형광체와 비교해서 평균 입자경이 작으므로, 화소(B)의 표면을 평활화해서 표면에서의 광산란을 억제할 수 있기 때문에, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.The inorganic phosphor is preferably one that emits light in each color, such as green or red, by blue excitation light, that is, that is excited by excitation light with a wavelength of 400 to 500 nm and has an emission spectrum peak in the region of 500 to 700 nm. do. Examples of such inorganic phosphors include YAG-based phosphors, TAG-based phosphors, sialon-based phosphors, Mn 4+ -containing activated fluoride complex phosphors, and inorganic semiconductors called quantum dots. Among these, quantum dots are preferable. Since quantum dots have a smaller average particle diameter compared to other phosphors, the surface of the pixel B can be smoothed and light scattering on the surface can be suppressed, so that light extraction efficiency can be further improved and luminance can be further improved.

양자 도트의 재료로서는, 예를 들어 II-IV족, III-V족, IV-VI족, IV족의 반도체 등을 들 수 있다. 이러한 무기 반도체로서는, 예를 들어 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드를 포함함), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSe 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of materials for quantum dots include group II-IV, group III-V, group IV-VI, and group IV semiconductors. Such inorganic semiconductors include, for example, Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (including diamond), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, Examples include GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, and CdSe. You may use two or more of these.

유기 형광체로서는, 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것이 바람직하다. 적색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (11)로 표현되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체, 녹색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (12)로 표현되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체 등을 들 수 있다. 그 밖에는, 치환기의 선택에 의해 적색 또는 녹색의 형광을 발하는 페릴렌계 유도체, 포르피린계 유도체, 옥사진계 유도체, 피라진계 유도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도, 양자 수율이 높은 점에서, 피로메텐 유도체가 바람직하다. 피로메텐 유도체는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2011-241160호 공보에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.As an organic phosphor, it is preferable to emit light of each color, such as green or red, by blue excitation light. As a phosphor emitting red fluorescence, a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (11), and a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (12) as a phosphor emitting green fluorescence, etc. You can. Other examples include perylene-based derivatives, porphyrin-based derivatives, oxazine-based derivatives, and pyrazine-based derivatives that emit red or green fluorescence depending on the selection of the substituent. You may contain two or more of these. Among these, pyromethene derivatives are preferable because of their high quantum yield. Pyromethene derivatives can be obtained, for example, by the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-241160.

유기 형광체는 용매에 가용이기 때문에, 원하는 두께의 화소(B)를 용이하게 형성할 수 있다. 화소(B)의 두께는, 색 특성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소(B)의 두께는, 표시 장치의 박형화나 곡면 가공성의 관점에서, 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다.Since the organic phosphor is soluble in solvents, a pixel (B) of a desired thickness can be easily formed. From the viewpoint of improving color characteristics, the thickness of the pixel B is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1 μm or more. On the other hand, the thickness of the pixel B is preferably 30 μm or less, and more preferably 20 μm or less, from the viewpoint of thinning of the display device and curved surface processability.

각 화소(B)의 크기는, 20 내지 200㎛ 정도가 일반적이다.The size of each pixel B is generally about 20 to 200 μm.

화소(B)는, 격벽(A-1)에 의해 격리되어 배열되어 있는 것이 바람직하다. 화소와 화소의 사이에 격벽을 마련함으로써, 발광한 광의 확산이나 혼색을 보다 억제할 수 있다.It is preferable that the pixels B are arranged and separated by the partition A-1. By providing a partition between pixels, diffusion and color mixing of emitted light can be further suppressed.

화소(B)의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 색 변환 발광 재료를 함유하는 도액(이하, 색 변환 발광 재료 도액)을, 격벽(A-1)에 의해 격리된 공간에 충전하는 방법을 들 수 있다. 색 변환 발광 재료 도액은, 또한 수지나 용매를 함유해도 된다.As a method of forming the pixel B, for example, a method of filling a space isolated by the partition A-1 with a coating liquid containing a color conversion light emitting material (hereinafter referred to as a color conversion light emitting material coating liquid) can be cited. there is. The color conversion luminescent material coating solution may further contain a resin or a solvent.

색 변환 발광 재료 도액의 충전 방법으로서는, 포토리소그래피법, 잉크젯법 등을 들 수 있지만, 각 화소에 종류가 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포하는 관점에서, 잉크젯 도포법이 바람직하다.Methods for filling the color-converting light-emitting material coating solution include photolithography and inkjet, but the inkjet coating method is preferable from the viewpoint of easily separately applying different types of color-converting light-emitting material to each pixel.

<차광 격벽(A-2)><Light-shading bulkhead (A-2)>

본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 사이에, 또한, (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 격벽(이하, 「차광 격벽(A-2)」라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 차광 격벽(A-2)를 가짐으로써, 차광성을 향상시켜 표시 장치에서의 백라이트의 광 누설을 억제하여, 고콘트라스트로 선명한 화상을 얻을 수 있다.The barrier rib-equipped substrate of the present invention is provided between the base substrate and the patterned barrier rib (A-1), and (A-2) a patterned barrier wall (hereinafter referred to as a "light-shielding barrier") having an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm in thickness. It is preferable to have (sometimes described as “(A-2)”). By having the light-shielding partition A-2, light-shielding properties are improved, light leakage of the backlight in the display device is suppressed, and a clear image with high contrast can be obtained.

도 3에, 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 차광 격벽(4)을 갖고, 격벽(2) 및 차광 격벽(4)에 의해 격리된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다.Fig. 3 shows a cross-sectional view showing one aspect of the substrate with a barrier rib of the present invention having a light-shielding barrier rib. It has a partition 2 and a light-shielding partition 4 patterned on a base substrate 1, and pixels 3 are arranged in areas isolated by the partition 2 and the light-shielding partition 4.

차광 격벽(A-2)는, 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상이다. 여기서, 차광 격벽(A-2)의 두께는, 후술하는 바와 같이 0.5 내지 10㎛가 바람직하다. 본 발명에서는, 차광 격벽(A-2)의 두께의 대푯값으로서 1.0㎛를 선택하고, 두께 1.0㎛당 OD값에 주목하였다. 두께 1.0㎛당 OD값을 0.5 이상으로 함으로써, 차광성을 보다 향상시켜, 보다 고콘트라스트로 선명한 화상을 얻을 수 있다. 한편, 두께 1.0㎛당 OD값은 4.0 이하가 바람직하며, 패턴 가공성을 향상시킬 수 있다. 차광 격벽(A-2)의 OD값은, 상술한 격벽(A-1)의 OD값과 마찬가지로 측정할 수 있다.The light-shielding partition (A-2) has an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm of thickness. Here, the thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 0.5 to 10 μm, as will be described later. In the present invention, 1.0 μm was selected as a representative value of the thickness of the light-shielding partition A-2, and attention was paid to the OD value per 1.0 μm of thickness. By setting the OD value per 1.0 μm of thickness to 0.5 or more, light blocking properties can be further improved and a clearer image with higher contrast can be obtained. On the other hand, the OD value per 1.0㎛ thickness is preferably 4.0 or less, and pattern processability can be improved. The OD value of the light-shielding partition A-2 can be measured similarly to the OD value of the partition A-1 described above.

차광 격벽(A-2)의 두께는, 차광성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1.0㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 평탄성을 향상시키는 관점에서, 차광 격벽(A-2)의 두께는, 5㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 차광 격벽(A-2)의 폭은, 상술한 격벽(A-1)과 동일 정도가 바람직하다.From the viewpoint of improving light-shielding properties, the thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1.0 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of improving flatness, the thickness of the light-shielding partition A-2 is more preferably 5 μm or less. In addition, the width of the light-shielding partition A-2 is preferably approximately the same as that of the partition A-1 described above.

차광 격벽(A-2)는, 수지 및 차광 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는, 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 차광 안료는, 입사한 광을 흡수하고, 사출광을 저감시키는 기능을 갖는다. 수지 및 차광 안료는, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 재료와 마찬가지의 재료를 사용할 수 있다.The light-shielding partition (A-2) preferably contains resin and a light-shielding pigment. The resin has the function of improving the crack resistance and light resistance of the partition. The light-shielding pigment has the function of absorbing incident light and reducing emitted light. The resin and light-shielding pigment can be materials similar to those described above as materials constituting the resin composition.

하지 기판 상에 차광 격벽(A-2)를 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 일본 특허 공개 제2015-1654호 공보에 기재된 감광성 재료를 사용하여, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.As a method of pattern forming the light-shielding barrier rib (A-2) on the base substrate, for example, using the photosensitive material described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-1654, the photosensitive barrier rib (A-2) can be formed similarly to the barrier rib (A-1) described above. A method of forming a pattern by the paste method is preferable.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판과 상기 화소(B)의 사이에, 또한 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터(이하, 「컬러 필터」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 컬러 필터는, 특정 파장 영역의 가시광을 투과시켜 투과광을 원하는 색상으로 하는 기능을 가져, 표시 장치의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 컬러 필터의 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써, 색 순도를 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 두께를 5㎛ 이하로 함으로써, 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has a color filter (hereinafter sometimes referred to as a “color filter”) with a thickness of 1 to 5 μm between the base substrate and the pixel B. . A color filter can improve the color purity of a display device by transmitting visible light in a specific wavelength range and changing the transmitted light to a desired color. By setting the thickness of the color filter to 1 μm or more, color purity can be further improved. On the other hand, brightness can be further improved by setting the thickness to 5 μm or less.

도 4에, 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(5)를 갖고, 컬러 필터(5) 상에 화소(3)를 갖는다.Fig. 4 shows a cross-sectional view of one aspect of the substrate with a partition of the present invention having a color filter. It has a partition 2 and a color filter 5 patterned on a base substrate 1, and has a pixel 3 on the color filter 5.

컬러 필터로서는, 예를 들어 액정 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 사용되는, 포토레지스트에 안료를 분산시킨 안료 분산형 재료를 사용한 컬러 필터 등을 들 수 있다. 또한, 컬러 필터는, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)로부터 이격되어 적층되어 있어도 되고, 일체화해서 적층되어 있어도 된다.Examples of color filters include color filters using pigment-dispersed materials in which pigments are dispersed in photoresists, which are used in flat panel displays such as liquid crystal displays. In addition, the color filters may be stacked separately from the pixel B containing the color conversion light-emitting material, or may be stacked integrally.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판과 상기 화소(B)의 사이에, 또한 차광 격벽으로 격리된 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터를 갖는 것이 바람직하다. 도 5에, 차광 격벽으로 격리된 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 차광 격벽(4)으로 격리된 컬러 필터(5)를 갖고, 그 위에 격벽(2) 및 화소(3)를 갖는다.The substrate with a barrier rib of the present invention preferably has a color filter with a thickness of 1 to 5 μm between the base substrate and the pixel B and separated by a light-shielding barrier wall. Fig. 5 shows a cross-sectional view of one aspect of a substrate with a barrier rib of the present invention having a color filter isolated by a light-shielding barrier rib. It has a color filter (5) isolated by a light-shielding partition (4) formed in a pattern on an underlying substrate (1), and has a partition (2) and a pixel (3) thereon.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 화소(B)의 상부 또는 하부에, 또한 (C) 파장 550nm에서의 굴절률이 1.20 내지 1.35인 저굴절률층(이하, 「저굴절률층(C)」라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 저굴절률층(C)를 가짐으로써, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.The substrate with a partition of the present invention has a low refractive index layer (hereinafter referred to as “low refractive index layer (C)”) on the top or bottom of the pixel (B) and (C) having a refractive index of 1.20 to 1.35 at a wavelength of 550 nm. It is desirable to have ). By having the low refractive index layer (C), light extraction efficiency can be further improved and the luminance of the display device can be further improved.

도 6에, 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 또한 저굴절률층(6)을 갖는다.Fig. 6 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer. It has partitions 2 and pixels 3 patterned on a base substrate 1, and also has a low refractive index layer 6 on these.

표시 장치에 있어서, 백라이트의 광 반사를 적절하게 억제해서 화소(B)에 효율적으로 광을 입사시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은, 1.20 이상이 바람직하고, 1.23 이상이 보다 바람직하다. 한편, 휘도를 향상시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은, 1.35 이하가 바람직하고, 1.30 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 저굴절률층(C)의 굴절률은, 프리즘 커플러를 사용하여, 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막 면에 대해서 수직 방향으로부터 파장 550nm의 광을 조사해서 측정할 수 있다.In a display device, from the viewpoint of appropriately suppressing light reflection of the backlight and efficiently entering light into the pixel B, the refractive index of the low refractive index layer C is preferably 1.20 or more, and more preferably 1.23 or more. . On the other hand, from the viewpoint of improving luminance, the refractive index of the low refractive index layer (C) is preferably 1.35 or less, and more preferably 1.30 or less. Here, the refractive index of the low refractive index layer (C) can be measured by irradiating light with a wavelength of 550 nm from the direction perpendicular to the cured film surface under atmospheric pressure and 20°C using a prism coupler.

저굴절률층(C)는, 예를 들어 후술하는 조제예 6에서 얻어진 저굴절률층 형성 재료를 사용하여, 실시예 72 내지 74와 같이 형성할 수 있다. 저굴절률층(C)의 두께는, 화소(B)의 단차를 커버해서 결함의 발생을 억제하는 관점에서, 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 저굴절률층(C)의 두께는, 저굴절률층(C)의 크랙의 원인이 되는 스트레스를 저감시키는 관점에서, 20㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이하가 보다 바람직하다.The low refractive index layer (C) can be formed as in Examples 72 to 74, for example, using the low refractive index layer forming material obtained in Preparation Example 6 described later. The thickness of the low refractive index layer (C) is preferably 0.1 μm or more, and more preferably 0.5 μm or more, from the viewpoint of covering the level difference of the pixel (B) and suppressing the occurrence of defects. On the other hand, the thickness of the low refractive index layer (C) is preferably 20 μm or less, and more preferably 10 μm or less, from the viewpoint of reducing stress that causes cracks in the low refractive index layer (C).

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 저굴절률층(C) 상에, 또한 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 I을 가짐으로써, 대기 중의 수분이 저굴절률층(C)에 도달하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고, 휘도 열화를 억제할 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has an inorganic protective layer I with a thickness of 50 to 1,000 nm on the low refractive index layer (C). By having the inorganic protective layer I, it becomes difficult for moisture in the air to reach the low refractive index layer (C), thus suppressing refractive index fluctuations in the low refractive index layer (C) and suppressing luminance deterioration.

도 7 및 도 8에, 저굴절률층 및 무기 보호층(I)을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들의 위 또는 아래에, 또한 저굴절률층(6) 및 무기 보호층(I)(7)을 갖는다.7 and 8 show cross-sectional views of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer (I). It has partitions 2 and pixels 3 patterned on a base substrate 1, and has a low refractive index layer 6 and an inorganic protective layer (I) 7 on or below them.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 화소(B)와 컬러 필터의 사이에 상기 저굴절률층(C)를 갖는 것이 바람직하고, 또한, 상기 저굴절률층(C) 상에, 또한 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층(I)을 갖는 것이 바람직하다. 화소(B)와 컬러 필터의 사이에 상기 저굴절률층(C)를 가짐으로써, 발광한 광의 광 취출 향상 효과가 높아져서, 디스플레이의 휘도가 향상된다.The substrate with a partition of the present invention preferably has the low refractive index layer (C) between the pixel (B) and the color filter, and further has a layer of 50 to 1,000 nm in thickness on the low refractive index layer (C). It is desirable to have an inorganic protective layer (I). By having the low refractive index layer (C) between the pixel (B) and the color filter, the effect of improving light extraction of emitted light is increased, and the luminance of the display is improved.

도 9에, 화소(B)와 컬러 필터의 사이에 상기 저굴절률층 및 무기 보호층(I)을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 차광 격벽(4)으로 격리된 컬러 필터(5)를 갖고, 그들 위에 저굴절률층(6) 및 무기 보호층(I)(7)을 갖고, 또한 그들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖는다.Fig. 9 shows a cross-sectional view of one aspect of the substrate with a barrier rib of the present invention, which has the low refractive index layer and the inorganic protective layer (I) between the pixel (B) and the color filter. It has a color filter (5) isolated by a light-shielding partition (4) on the base substrate (1), a low refractive index layer (6) and an inorganic protective layer (I) (7) thereon, and a partition pattern formed thereon. (2) and pixel (3).

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 화소(B)와 상기 저굴절률층(C)의 사이에, 또한 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층(II)를 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층(II)를 가짐으로써, 화소(B)로부터 저굴절률층에, 화소(B)를 형성하는 원료가 이동하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고, 휘도 열화를 억제할 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has an inorganic protective layer (II) with a thickness of 50 to 1,000 nm between the pixel (B) and the low refractive index layer (C). By having the inorganic protective layer (II), it becomes difficult for the raw materials forming the pixel (B) to move from the pixel (B) to the low refractive index layer, thereby suppressing refractive index fluctuations in the low refractive index layer (C) and reducing luminance deterioration. can be suppressed.

도 10에, 저굴절률층 및 무기 보호층(II)를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 또한 무기 보호층(II)(8) 및 저굴절률층(6)을 갖는다.Fig. 10 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer (II). It has partitions 2 and pixels 3 patterned on a base substrate 1, and also has an inorganic protective layer (II) 8 and a low refractive index layer 6 on these.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 컬러 필터와 상기 화소(B)의 사이에, 또한 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층(III) 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층(III)을 가짐으로써, 컬러 필터로부터, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에, 컬러 필터의 형성 원료가 도달하기 어려워지기 때문에, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)의 휘도 열화를 억제할 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층을 가짐으로써, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 완전히 변환하지 못한 청색 누설 광을 커트하여, 색 재현성을 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has an inorganic protective layer (III) and/or a yellow organic protective layer with a thickness of 50 to 1,000 nm between the color filter and the pixel (B). By having the inorganic protective layer (III), it becomes difficult for the forming material of the color filter to reach the pixel (B) containing the color-converting light-emitting material from the color filter, so that the pixel (B) containing the color-converting light-emitting material Deterioration in luminance can be suppressed. Additionally, by having a yellow organic protective layer, blue leakage light that is not completely converted by the pixel B containing the color conversion light-emitting material can be cut, thereby improving color reproducibility.

도 11에, 컬러 필터 및 무기 보호층(III) 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(5)를 갖고, 이들 위에 무기 보호층(III) 및/또는 황색 유기 보호층(9)을 갖고, 또한 이들 위에 격벽(2)으로 격리되어 배열된 화소(3)를 갖는다.Fig. 11 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has a color filter and an inorganic protective layer (III) and/or a yellow organic protective layer. It has a barrier rib 2 and a color filter 5 patterned on a base substrate 1, and has an inorganic protective layer (III) and/or a yellow organic protective layer 9 thereon, and a barrier rib 2 thereon. It has pixels 3 arranged in isolation.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판 상에, 또한 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층(IV) 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층(IV) 및/또는 황색 유기 보호층이 굴절률 조정층으로서 작용하여, 화소(B)로부터 나오는 광을 보다 효율적으로 취출하여, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층은, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 완전히 변환하지 못한 청색 누설 광을 커트하여, 색 재현성을 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has an inorganic protective layer (IV) and/or a yellow organic protective layer with a thickness of 50 to 1,000 nm on the base substrate. The inorganic protective layer (IV) and/or the yellow organic protective layer acts as a refractive index adjustment layer, so that light emitted from the pixel (B) can be extracted more efficiently, and the luminance of the display device can be further improved. Additionally, the yellow organic protective layer can improve color reproducibility by cutting blue leakage light that has not been completely converted by the pixel (B) containing the color conversion light-emitting material.

도 12에, 무기 보호층(IV) 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 무기 보호층(IV) 및/또는 황색 유기 보호층(10)을 갖고, 이들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖는다.Fig. 12 shows a cross-sectional view of one aspect of the substrate with a partition of the present invention having an inorganic protective layer (IV) and/or a yellow organic protective layer. It has an inorganic protective layer (IV) and/or a yellow organic protective layer 10 on the base substrate 1, and has partitions 2 and pixels 3 patterned thereon.

무기 보호층(I) 내지 (IV)를 구성하는 재료로서는, 예를 들어 산화규소, 산화인듐주석, 산화갈륨아연 등의 금속 산화물; 질화규소 등의 금속 질화물; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수증기 투과성이 낮고, 투과성이 높은 점에서, 질화규소 또는 산화규소가 보다 바람직하다. 무기 보호층(I) 내지 (IV)의 두께는, 수증기 등의 물질 투과를 충분히 억제하는 관점에서, 50nm 이상이 바람직하고, 100nm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 투과율의 저하를 억제하는 관점에서, 무기 보호층(I) 내지 (IV)의 두께는, 800nm 이하가 바람직하고, 500nm 이하가 보다 바람직하다.Materials constituting the inorganic protective layers (I) to (IV) include, for example, metal oxides such as silicon oxide, indium tin oxide, and gallium zinc oxide; metal nitrides such as silicon nitride; etc. can be mentioned. Among these, silicon nitride or silicon oxide is more preferable because it has low water vapor permeability and high permeability. The thickness of the inorganic protective layers (I) to (IV) is preferably 50 nm or more, and more preferably 100 nm or more from the viewpoint of sufficiently suppressing the penetration of substances such as water vapor. On the other hand, from the viewpoint of suppressing a decrease in transmittance, the thickness of the inorganic protective layers (I) to (IV) is preferably 800 nm or less, and more preferably 500 nm or less.

황색 유기 보호층은, 예를 들어 황색 안료와 수지를 함유하는 수지 조성물을 패턴 가공해서 얻어진다. 황색 안료와 수지는, 상술한 격벽(A-1)을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 재료와 마찬가지의 재료를 사용할 수 있다. 황색 유기 보호층을 패턴 형성하는 방법으로서는, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.The yellow organic protective layer is obtained, for example, by pattern processing a resin composition containing a yellow pigment and a resin. The yellow pigment and resin can be materials similar to those described above as materials constituting the above-mentioned partition wall (A-1). As a method of forming a pattern of the yellow organic protective layer, a method of forming a pattern using a photosensitive paste method is preferable, similar to the above-mentioned partition (A-1).

도 7과 같이, 컬러 필터(7) 상에 황색 유기 보호층(8)을 형성하는 경우, 황색 유기 보호층(8)은, 컬러 필터의 각 화소를 평탄화하는 오버코트층으로서의 역할을 갖도록 해도 된다.As shown in Fig. 7, when forming the yellow organic protective layer 8 on the color filter 7, the yellow organic protective layer 8 may have a role as an overcoat layer that flattens each pixel of the color filter.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 기판 상에 형성된 격벽에 의해 분리된 각 화소에 대응한 LED를 다수 배열한, 미니 또는 마이크로 LED를 사용한 표시 장치에도 사용할 수 있다. 각 화소의 ON/OFF는, 미니 또는 마이크로 LED의 ON/OFF에 의해 가능하게 되며, 액정은 필요없다. 즉, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 각 화소를 분리하는 격벽에 더하여, 백라이트에서의 미니 또는 마이크로 LED를 분리하는 격벽에도 사용할 수 있다.The barrier-equipped substrate of the present invention can also be used in a display device using mini or micro LEDs in which a plurality of LEDs corresponding to each pixel are arranged, separated by a barrier formed on the substrate. Each pixel can be turned on/off by turning the mini or micro LED on/off, and liquid crystal is not required. That is, the substrate with partitions of the present invention can be used not only for partitions separating each pixel, but also for partitions separating mini or micro LEDs in a backlight.

예를 들어, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판 상에, 또한 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원을 갖는 것이 바람직하다. 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원을 격벽으로 가로막음으로써, 각 화소간의 혼색을 방지해서 디스플레이의 표시색 순도를 향상시킬 수 있다.For example, the substrate with a partition of the present invention preferably has a light emission source selected from organic EL cells, mini LED cells, and micro LED cells on the base substrate. By blocking the light emitting light source selected from the organic EL cell, mini LED cell, and micro LED cell with a partition, color mixing between each pixel can be prevented and the display color purity of the display can be improved.

도 13에, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)의 사이에, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원(11)을 갖는다. 또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원 상에 또한 화소(B)를 갖는 것이 바람직하다.Fig. 13 shows a cross-sectional view of one aspect of a substrate with a partition of the present invention having a light emission source selected from an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell. Between the partition walls 2 patterned on the base substrate 1, there is a light emitting light source 11 selected from organic EL cells, mini LED cells, and micro LED cells. In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has a pixel (B) on an emission light source selected from an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.

도 14에, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원과 화소를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 나타낸다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)의 사이에, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원(11)을 갖고, 또한 그 위에 화소(3)를 갖는다.Fig. 14 shows a cross-sectional view of one aspect of the substrate with a barrier rib of the present invention having a light emission source and pixels selected from organic EL cells, mini LED cells, and micro LED cells. Between the partition walls 2 patterned on the base substrate 1, a light emitting light source 11 selected from an organic EL cell, mini LED cell, and micro LED cell is provided, and a pixel 3 is placed thereon.

이어서, 본 발명의 표시 장치에 대해서 설명한다. 본 발명의 표시 장치는, 상기 격벽 구비 기판과, 발광 광원을 갖는다. 발광 광원으로서는, 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원이 바람직하다. 발광 특성이 우수한 점에서, 발광 광원으로서는 유기 EL 셀이 보다 바람직하다. 미니 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 내지 10mm 정도인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다. 마이크로 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 미만인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다.Next, the display device of the present invention will be described. The display device of the present invention has the above-described partition-equipped substrate and a light-emitting source. As the luminescent light source, a luminescent light source selected from liquid crystal cells, organic EL cells, mini LED cells, and micro LED cells is preferable. Since it has excellent luminescence properties, an organic EL cell is more preferable as a luminescent light source. A mini LED cell refers to a cell in which a large number of LEDs with a vertical and horizontal length of approximately 100 μm to 10 mm are arranged. A micro LED cell refers to a cell in which a large number of LEDs with a vertical and horizontal length of less than 100 μm are arranged.

본 발명의 표시 장치 제조 방법에 대해서, 본 발명의 격벽 구비 기판과 유기 EL 셀을 갖는 표시 장치의 일례를 들어 설명한다. 유리 기판 상에 감광성 폴리이미드 수지를 도포하고, 포토리소그래피법을 사용하여, 개구부를 갖는 절연막을 형성한다. 그 위에 알루미늄을 스퍼터한 후, 포토리소그래피법에 의해 알루미늄의 패터닝을 행하여, 절연막이 없는 개구부에 알루미늄을 포함하는 배면 전극층을 형성한다. 계속해서, 그 위에 전자 수송층으로서 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(이하, Alq3으로 약기함)을 진공 증착법에 의해 성막한 후, 발광층으로서 Alq3에 디시아노메틸렌피란, 퀴나크리돈 및 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐을 도핑한 백색 발광층을 형성한다. 이어서, 정공 수송층으로서 N,N'-디페닐-N,N'-비스(α-나프틸)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민을 진공 증착법으로 성막한다. 마지막으로, 투명 전극으로서 ITO를 스퍼터링으로 성막하여, 백색 발광층을 갖는 유기 EL 셀을 제작한다. 상술한 격벽 구비 기판과, 이와 같이 하여 얻어진 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합함으로써, 표시 장치를 제작할 수 있다.The method of manufacturing a display device of the present invention will be explained by taking an example of a display device having a substrate with a partition of the present invention and an organic EL cell. A photosensitive polyimide resin is applied onto a glass substrate, and an insulating film having an opening is formed using photolithography. After sputtering aluminum thereon, the aluminum is patterned by photolithography to form a back electrode layer containing aluminum in the opening without an insulating film. Subsequently, tris(8-quinolinolato)aluminum (hereinafter abbreviated as Alq3) was formed as an electron transport layer thereon by vacuum deposition, and then dicyanomethylene pyran, quinacridone, and 4, were added to Alq3 as an emitting layer. A white light-emitting layer doped with 4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl is formed. Next, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(α-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine is formed into a film as a hole transport layer by vacuum deposition. Finally, ITO is deposited as a transparent electrode by sputtering to produce an organic EL cell with a white light-emitting layer. A display device can be produced by opposing the above-mentioned barrier rib-equipped substrate and the organic EL cell obtained in this way and bonding them with a sealant.

실시예Example

이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 범위에 한정되지 않는다. 또한, 사용한 화합물 중 약어를 사용하고 있는 것에 대해서, 명칭을 이하에 나타낸다.The present invention will be described in more detail below using examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these scopes. In addition, among the compounds used, the names of those for which abbreviations are used are shown below.

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate

DAA: 디아세톤알코올DAA: diacetone alcohol

EDM: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르EDM: diethylene glycol ethyl methyl ether

BHT: 디부틸히드록시톨루엔BHT: Dibutylhydroxytoluene

합성예 1 내지 6에서의 폴리실록산 용액 및 합성예 7 내지 9에서의 (메트)아크릴 폴리머 용액의 고형분 농도는, 이하의 방법에 의해 구하였다. 알루미늄 컵에 폴리실록산 용액 또는 (메트)아크릴 폴리머 용액을 1.5g 칭량하고, 핫 플레이트를 사용하여 250℃에서 30분간 가열해서 액분을 증발시켰다. 가열 후의 알루미늄 컵에 남은 고형분의 중량을 칭량하여, 가열 전의 중량에 대한 비율로부터 고형분 농도를 구하였다.The solid concentration of the polysiloxane solution in Synthesis Examples 1 to 6 and the (meth)acrylic polymer solution in Synthesis Examples 7 to 9 were determined by the following method. 1.5 g of polysiloxane solution or (meth)acrylic polymer solution was weighed in an aluminum cup and heated at 250°C for 30 minutes using a hot plate to evaporate the liquid. The weight of the solid content remaining in the aluminum cup after heating was measured, and the solid content concentration was determined from the ratio to the weight before heating.

합성예 1 내지 6에서의 폴리실록산 용액 및 합성예 7 내지 9에서의 (메트)아크릴 폴리머 용액의 중량 평균 분자량은, 이하의 방법으로 폴리스티렌 환산의 값을 구하였다.The weight average molecular weight of the polysiloxane solution in Synthesis Examples 1 to 6 and the (meth)acrylic polymer solution in Synthesis Examples 7 to 9 were calculated in terms of polystyrene by the following method.

장치: Waters사제 RI 검출기 구비 GPC 측정 장치(2695)Device: GPC measuring device with RI detector manufactured by Waters (2695)

칼럼: PLgel MIXED-C 칼럼(폴리머 래버러토리즈사제, 300mm)×2개(직렬 연결)Column: PLgel MIXED-C column (manufactured by Polymer Laboratories, 300 mm) x 2 (connected in series)

측정 온도: 40℃Measurement temperature: 40℃

유속: 1mL/minFlow rate: 1mL/min

용매: 테트라히드로푸란(THF) 0.5질량% 용액Solvent: tetrahydrofuran (THF) 0.5% by mass solution

표준 물질: 폴리스티렌Standard material: polystyrene

검출 모드: RIDetection mode: RI

합성예 1 내지 6에서의 폴리실록산 중의 각 반복 단위의 함유 비율은, 이하의 방법에 의해 구하였다. 폴리실록산 용액을 직경 10mm의 "테플론"(등록 상표)제 NMR 샘플관에 주입해서 29Si-NMR 측정을 행하여, 오르가노실란에서 유래하는 Si 전체의 적분값에 대한, 특정 오르가노실란에서 유래하는 Si의 적분값의 비율로부터 각 반복 단위의 함유 비율을 산출하였다. 29Si-NMR 측정 조건을 이하에 나타낸다.The content ratio of each repeating unit in polysiloxane in Synthesis Examples 1 to 6 was determined by the following method. The polysiloxane solution was injected into an NMR sample tube made of "Teflon" (registered trademark) with a diameter of 10 mm, and 29 Si-NMR measurement was performed, and the Si derived from a specific organosilane relative to the integrated value of the entire Si derived from the organosilane was measured. The content ratio of each repeating unit was calculated from the ratio of the integral values of . 29 Si-NMR measurement conditions are shown below.

장치: 핵자기 공명 장치(JNM-GX270; 니혼덴시(주)제)Device: Nuclear magnetic resonance device (JNM-GX270; manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.)

측정법: 게이티드 디커플링법Measurement method: gated decoupling method

측정 핵 주파수: 53.6693MHz(29Si 핵)Measured nuclear frequency: 53.6693MHz ( 29 Si nuclei)

스펙트럼 폭: 20000HzSpectral Width: 20000Hz

펄스폭: 12㎲(45°펄스)Pulse width: 12㎲ (45°pulse)

펄스 반복 시간: 30.0초Pulse repetition time: 30.0 seconds

용매: 아세톤-d6Solvent: Acetone-d6

기준 물질: 테트라메틸실란Reference substance: tetramethylsilane

측정 온도: 23℃Measurement temperature: 23℃

시료 회전수: 0.0HzSample rotation speed: 0.0Hz

합성예 1 폴리실록산(PSL-1) 용액Synthesis Example 1 Polysiloxane (PSL-1) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 스티릴트리메톡시실란을 117.76g(0.525mol), 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란을 71.16g(0.306mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 21.56g(0.088mol), 디메틸디메톡시실란을 78.89g(0.656mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 45.91g(0.175mol), BHT를 1.180g 및 PGMEA를 251.60g 투입하고, 40℃에서 교반하면서 물 80.33g에 인산 3.353g(투입 모노머에 대해서 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분에 걸쳐서 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분에 걸쳐서 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내부 온도)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반해서(내부 온도는 100 내지 110℃), 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분 흘렸다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 182.96g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 추가하여, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-1)의 중량 평균 분자량은 12,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-1)에서의, 스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물에서 유래하는 각 반복 단위의 몰비는, 각각 30mol%, 17.5mol%, 5mol%, 37.5mol% 및 10mol%이었다.In a 1000 ml three-necked flask, 117.76 g (0.525 mol) of styryltrimethoxysilane, 71.16 g (0.306 mol) of 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, and 3-(3,4-epoxycyclohexyl) 21.56 g (0.088 mol) of propyltrimethoxysilane, 78.89 g (0.656 mol) of dimethyldimethoxysilane, 45.91 g (0.175 mol) of 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 1.180 g of BHT, and 251.60 g of PGMEA. g was added, and an aqueous phosphoric acid solution containing 3.353 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the input monomer) dissolved in 80.33 g of water was added over 30 minutes while stirring at 40°C. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. 1 hour after the start of the temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a polysiloxane solution. Additionally, during the temperature increase and heating and stirring, a mixed gas of 95 volume% nitrogen and 5 volume% oxygen was flowed at 0.05 liter/min. During the reaction, a total of 182.96 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-1) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-1) was 12,000. Additionally, in polysiloxane (PSL-1), styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane , the molar ratios of each repeating unit derived from 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride were 30 mol%, 17.5 mol%, 5 mol%, 37.5 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 2 폴리실록산(PSL-2) 용액Synthesis Example 2 Polysiloxane (PSL-2) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 페닐트리메톡시실란을 198.29g(0.831mol), 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란을 71.16g(0.306mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 21.56g(0.088mol), 디메틸디메톡시실란을 42.08g(0.350mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 45.91g(0.175mol), BHT를 1.197g 및 PGMEA를 256.24g 투입하고, 40℃에서 교반하면서 물 85.84g에 인산 3.455g(투입 모노머에 대해서 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분에 걸쳐서 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분에 걸쳐서 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내부 온도)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반해서(내부 온도는 100 내지 110℃), 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분 흘렸다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 195.52g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 추가하여, 폴리실록산(PSL-2) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-2)의 중량 평균 분자량은 5,500이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-2)에서의, 페닐트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물에서 유래하는 각 반복 단위의 몰비는, 각각 47.5mol%, 17.5mol%, 5mol%, 20mol% 및 10mol%이었다.In a 1000 ml three-necked flask, 198.29 g (0.831 mol) of phenyltrimethoxysilane, 71.16 g (0.306 mol) of 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyl 21.56 g (0.088 mol) of trimethoxysilane, 42.08 g (0.350 mol) of dimethyldimethoxysilane, 45.91 g (0.175 mol) of 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 1.197 g of BHT, and 256.24 g of PGMEA. An aqueous phosphoric acid solution containing 3.455 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the input monomer) dissolved in 85.84 g of water was added over 30 minutes while stirring at 40°C. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. 1 hour after the start of the temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a polysiloxane solution. Additionally, during the temperature increase and heating and stirring, a mixed gas of 95 volume% nitrogen and 5 volume% oxygen was flowed at 0.05 liter/min. During the reaction, a total of 195.52 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-2) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-2) was 5,500. In addition, in polysiloxane (PSL-2), phenyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, The molar ratios of each repeating unit derived from 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride were 47.5 mol%, 17.5 mol%, 5 mol%, 20 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 3 폴리실록산(PSL-3) 용액Synthesis Example 3 Polysiloxane (PSL-3) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 디페닐디메톡시실란을 203.13g(0.831mol), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 76.06g(0.306mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 21.56g(0.088mol), 디메틸디메톡시실란을 42.08g(0.350mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 45.91g(0.175mol), BHT를 1.475g 및 PGMEA를 308.45g 투입하고, 40℃에서 교반하면서 물 76.39g에 인산 3.887g(투입 모노머에 대해서 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분에 걸쳐서 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분에 걸쳐서 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내부 온도)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반해서(내부 온도는 100 내지 110℃), 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분 흘렸다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 173.99g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 추가하여, 폴리실록산(PSL-3) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-3)의 중량 평균 분자량은 6,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-3)에서의, 디페닐디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물에서 유래하는 각 반복 단위의 몰비는, 각각 47.5mol%, 17.5mol%, 5mol%, 20mol% 및 10mol%이었다.In a 1000 ml three-necked flask, 203.13 g (0.831 mol) of diphenyldimethoxysilane, 76.06 g (0.306 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyl 21.56 g (0.088 mol) of trimethoxysilane, 42.08 g (0.350 mol) of dimethyldimethoxysilane, 45.91 g (0.175 mol) of 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 1.475 g of BHT, and 308.45 g of PGMEA. An aqueous phosphoric acid solution containing 3.887 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the input monomer) dissolved in 76.39 g of water was added over 30 minutes while stirring at 40°C. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. One hour after the start of the temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a polysiloxane solution. Additionally, during the temperature increase and heating and stirring, a mixed gas of 95 volume% nitrogen and 5 volume% oxygen was flowed at 0.05 liter/min. During the reaction, a total of 173.99 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-3) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-3) was 6,000. In addition, in polysiloxane (PSL-3), diphenyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, The molar ratios of each repeating unit derived from 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride were 47.5 mol%, 17.5 mol%, 5 mol%, 20 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 4 폴리실록산(PSL-4) 용액Synthesis Example 4 Polysiloxane (PSL-4) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 스티릴트리메톡시실란을 186.45g(0.831mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 21.56g(0.088mol), 디메틸디메톡시실란을 78.89g(0.656mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 45.91g(0.175mol), BHT를 1.132g 및 PGMEA를 243.65g 투입하고, 40℃에서 교반하면서 물 85.84g에 인산 3.328g(투입 모노머에 대해서 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분에 걸쳐서 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분에 걸쳐서 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내부 온도)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반해서(내부 온도는 100 내지 110℃), 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분 흘렸다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 195.52g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 추가하여, 폴리실록산(PSL-4) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-4)의 중량 평균 분자량은 15,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-4)에서의, 스티릴트리메톡시실란, 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물에서 유래하는 각 반복 단위의 몰비는, 각각 47.5mol%, 5mol%, 20mol% 및 10mol%이었다.In a 1000 ml three-necked flask, 186.45 g (0.831 mol) of styryltrimethoxysilane, 21.56 g (0.088 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, and dimethyldimethoxysilane were added. Add 78.89 g (0.656 mol), 45.91 g (0.175 mol) of 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 1.132 g of BHT, and 243.65 g of PGMEA, and while stirring at 40°C, 3.328 g of phosphoric acid (added to 85.84 g of water) An aqueous solution of phosphoric acid (1.0% by weight based on the monomer) was added over 30 minutes. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. One hour after the start of the temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a polysiloxane solution. Additionally, during the temperature increase and heating and stirring, a mixed gas of 95 volume% nitrogen and 5 volume% oxygen was flowed at 0.05 liter/min. During the reaction, a total of 195.52 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-4) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-4) was 15,000. Also in polysiloxane (PSL-4), styryltrimethoxysilane, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride. The molar ratios of each repeating unit derived were 47.5 mol%, 5 mol%, 20 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 5 폴리실록산(PSL-5) 용액Synthesis Example 5 Polysiloxane (PSL-5) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 76.06g(0.306mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 21.56g(0.088mol), 디메틸디메톡시실란을 142.01g(1.181mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 45.91g(0.175mol), BHT를 0.954g 및 PGMEA를 206.29g 투입하고, 40℃에서 교반하면서 물 76.39g에 인산 2.855g(투입 모노머에 대해서 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분에 걸쳐서 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분에 걸쳐서 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내부 온도)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반해서(내부 온도는 100 내지 110℃), 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분 흘렸다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 173.99g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 추가하여, 폴리실록산(PSL-5) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-5)의 중량 평균 분자량은 5,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-5)에서의, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물에서 유래하는 각 반복 단위의 몰비는, 각각 17.5mol%, 5mol%, 67.5mol% 및 10mol%이었다.In a 1000 ml three-necked flask, 76.06 g (0.306 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 21.56 g (0.088 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, and dimethyl Add 142.01 g (1.181 mol) of dimethoxysilane, 45.91 g (0.175 mol) of 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 0.954 g of BHT, and 206.29 g of PGMEA, and add phosphoric acid to 76.39 g of water while stirring at 40°C. 2.855 g (1.0% by weight based on the monomer input) of dissolved phosphoric acid aqueous solution was added over 30 minutes. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. 1 hour after the start of the temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a polysiloxane solution. Additionally, during the temperature increase and heating and stirring, a mixed gas of 95 volume% nitrogen and 5 volume% oxygen was flowed at 0.05 liter/min. During the reaction, a total of 173.99 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-5) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-5) was 5,000. Also in polysiloxane (PSL-5), 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, 3-trimethoxysilyl The molar ratios of each repeating unit derived from propylsuccinic anhydride were 17.5 mol%, 5 mol%, 67.5 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 6 폴리실록산(PSL-6) 용액Synthesis Example 6 Polysiloxane (PSL-6) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 디페닐디메톡시실란을 203.13g(0.831mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 21.56g(0.088mol), 디메틸디메톡시실란을 78.89g(0.656mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 45.91g(0.175mol), BHT를 1.312g 및 PGMEA를 275.12g 투입하고, 40℃에서 교반하면서 물 70.88g에 인산 3.495g(투입 모노머에 대해서 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분에 걸쳐서 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분에 걸쳐서 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내부 온도)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반해서(내부 온도는 100 내지 110℃), 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분 흘렸다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 161.44g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 추가하여, 폴리실록산(PSL-6) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-6)의 중량 평균 분자량은 6,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-6)에서의, 디페닐디메톡시실란, 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물에서 유래하는 각 반복 단위의 몰비는, 각각 47.5mol%, 5mol%, 37.5mol% 및 10mol%이었다.In a 1000 ml three-necked flask, 203.13 g (0.831 mol) of diphenyldimethoxysilane, 21.56 g (0.088 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, and 78.89 mol of dimethyldimethoxysilane. g (0.656 mol), 45.91 g (0.175 mol) of 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 1.312 g of BHT, and 275.12 g of PGMEA were added, and while stirring at 40°C, 3.495 g of phosphoric acid (input monomer) was added to 70.88 g of water. An aqueous solution of phosphoric acid (1.0% by weight) was added over 30 minutes. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. One hour after the start of the temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a polysiloxane solution. Additionally, during the temperature increase and heating and stirring, a mixed gas of 95 volume% nitrogen and 5 volume% oxygen was flowed at 0.05 liter/min. During the reaction, a total of 161.44 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-6) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-6) was 6,000. Also from polysiloxane (PSL-6), diphenyldimethoxysilane, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride The molar ratios of each repeating unit were 47.5 mol%, 5 mol%, 37.5 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 1 내지 6의 조성을 정리해서 표 1에 나타낸다.The compositions of Synthesis Examples 1 to 6 are summarized and shown in Table 1.

[표 1][Table 1]

Figure pct00007
Figure pct00007

합성예 7 (메트)아크릴 폴리머 용액(PAL-1)의 합성Synthesis Example 7 Synthesis of (meth)acrylic polymer solution (PAL-1)

500mL의 플라스크에 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)을 3.00g, PGMEA를 50.0g 넣은 후, 메타크릴산을 30.0g(0.349mol), 스티렌을 22.48g(0.216mol), 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트를 35.0g(0.149mol) 투입하여, 실온에서 잠시동안 교반하고, 플라스크 내를 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반하였다. 이어서, 얻어진 용액에 메타크릴산글리시딜을 15.00g(0.106mol), 트리페닐포스핀을 1.00g, p-메톡시페놀을 0.200g, PGMEA를 100g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하여, (메트)아크릴 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 (메트)아크릴 폴리머 용액에 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 첨가하여, (메트)아크릴 폴리머 용액(PAL-1)로 하였다. (메트)아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량은 16000이었다.After adding 3.00 g of 2,2'-azobis(isobutyronitrile) and 50.0 g of PGMEA to a 500 mL flask, 30.0 g (0.349 mol) of methacrylic acid, 22.48 g (0.216 mol) of styrene, and tricyclo [5.2.1.02,6] 35.0 g (0.149 mol) of decan-8-yl methacrylate was added, stirred for a while at room temperature, the inside of the flask was replaced with nitrogen, and then heated and stirred at 70°C for 5 hours. Next, 15.00 g (0.106 mol) of glycidyl methacrylate, 1.00 g of triphenylphosphine, 0.200 g of p-methoxyphenol, and 100 g of PGMEA were added to the obtained solution, heated and stirred at 90°C for 4 hours. , a (meth)acrylic polymer solution was obtained. PGMEA was added to the obtained (meth)acrylic polymer solution so that the solid content concentration was 40% by weight, thereby forming a (meth)acrylic polymer solution (PAL-1). The weight average molecular weight of the (meth)acrylic polymer was 16000.

합성예 8 (메트)아크릴 폴리머 용액(PAL-2)의 합성Synthesis Example 8 Synthesis of (meth)acrylic polymer solution (PAL-2)

500mL의 플라스크에 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)을 3.00g, PGMEA를 50.0g 넣은 후, 메타크릴산을 15.0g(0.174mol), 벤질메타크릴레이트를 38.06g(0.216mol), 트리시클로데카닐메타크릴레이트를 32.80g(0.149mol) 투입하여, 실온에서 잠시동안 교반하고, 플라스크 내를 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반하였다. 이어서, 얻어진 용액에 메타크릴산글리시딜을 15.0g(0.106mol), 트리페닐포스핀을 1g, p-메톡시페놀을 0.200g, PGMEA를 100g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하여, (메트)아크릴 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 (메트)아크릴 폴리머 용액에 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 첨가하여, (메트)아크릴 폴리머 용액(PAL-2)로 하였다. (메트)아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량은 25000이었다.Add 3.00 g of 2,2'-azobis(isobutyronitrile) and 50.0 g of PGMEA to a 500 mL flask, then add 15.0 g (0.174 mol) of methacrylic acid and 38.06 g (0.216 mol) of benzyl methacrylate. , 32.80 g (0.149 mol) of tricyclodecanyl methacrylate was added, stirred for a while at room temperature, the inside of the flask was replaced with nitrogen, and then heated and stirred at 70°C for 5 hours. Next, 15.0 g (0.106 mol) of glycidyl methacrylate, 1 g of triphenylphosphine, 0.200 g of p-methoxyphenol, and 100 g of PGMEA were added to the obtained solution, heated and stirred at 90°C for 4 hours, A (meth)acrylic polymer solution was obtained. PGMEA was added to the obtained (meth)acrylic polymer solution so that the solid content concentration was 40% by weight, thereby forming a (meth)acrylic polymer solution (PAL-2). The weight average molecular weight of the (meth)acrylic polymer was 25000.

합성예 9 (메트)아크릴 폴리머 용액(PAL-3)의 합성Synthesis Example 9 Synthesis of (meth)acrylic polymer solution (PAL-3)

500mL의 플라스크에 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)을 3.00g, PGMEA를 50.0g 넣은 후, 메타크릴산을 30.0g(0.349mol), 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트를 116.98g(0.498mol) 투입하여, 실온에서 잠시동안 교반하고, 플라스크 내를 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반하였다. 이어서, 얻어진 용액에 메타크릴산글리시딜을 15.00g(0.106mol), 트리페닐포스핀을 1.00g, p-메톡시페놀을 0.200g, PGMEA를 100g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하여, (메트)아크릴 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 (메트)아크릴 폴리머 용액에 고형분 농도가 40중량%로 되도록 PGMEA를 첨가하여, (메트)아크릴 폴리머 용액(PAL-3)으로 하였다. (메트)아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량은 16000이었다.After adding 3.00 g of 2,2'-azobis(isobutyronitrile) and 50.0 g of PGMEA to a 500 mL flask, 30.0 g (0.349 mol) of methacrylic acid, tricyclo[5.2.1.02,6]decane- 116.98 g (0.498 mol) of 8-yl methacrylate was added, stirred for a while at room temperature, the inside of the flask was replaced with nitrogen, and then heated and stirred at 70°C for 5 hours. Next, 15.00 g (0.106 mol) of glycidyl methacrylate, 1.00 g of triphenylphosphine, 0.200 g of p-methoxyphenol, and 100 g of PGMEA were added to the obtained solution, heated and stirred at 90°C for 4 hours. , a (meth)acrylic polymer solution was obtained. PGMEA was added to the obtained (meth)acrylic polymer solution so that the solid content concentration was 40% by weight, thereby forming a (meth)acrylic polymer solution (PAL-3). The weight average molecular weight of the (meth)acrylic polymer was 16000.

합성예 7 내지 9의 조성을 정리해서 표 2에 나타낸다.The compositions of Synthesis Examples 7 to 9 are summarized and shown in Table 2.

[표 2][Table 2]

Figure pct00008
Figure pct00008

합성예 10 녹색 유기 형광체Synthesis Example 10 Green organic phosphor

3,5-디브로모벤즈알데히드(3.0g), 4-t-부틸페닐보론산(5.3g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.4g) 및 탄산칼륨(2.0g)을 플라스크에 넣고, 질소 치환하였다. 여기에 탈기한 톨루엔(30mL) 및 탈기한 물(10mL)을 첨가하여, 4시간 환류시켰다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 분액한 후에, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여, 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(3.5g)의 백색 고체를 얻었다. 이어서, 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(1.5g)와 2,4-디메틸피롤(0.7g)을 플라스크에 넣고, 탈수 디클로로메탄(200mL) 및 트리플루오로아세트산(1방울)을 첨가하여, 질소 분위기 하에서 4시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(0.85g)의 탈수 디클로로메탄 용액을 첨가하여, 또한 1시간 교반하였다. 반응 종료 후, 삼불화붕소디에틸에테르 착체(7.0mL) 및 디이소프로필에틸아민(7.0mL)을 첨가하여, 4시간 교반한 후, 또한 물(100mL)을 첨가해서 교반하여, 유기층을 분액하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여, 녹색 분말 0.4g을 얻었다(수율 17%). 얻어진 녹색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같아서, 상기에서 얻어진 녹색 분말이, 하기 구조식으로 표현되는 [G-1]인 것으로 확인되었다.3,5-dibromobenzaldehyde (3.0g), 4-t-butylphenylboronic acid (5.3g), tetrakis(triphenylphosphine)palladium (0) (0.4g) and potassium carbonate (2.0g) It was placed in a flask and purged with nitrogen. Degassed toluene (30 mL) and degassed water (10 mL) were added thereto, and the mixture was refluxed for 4 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, separated into liquids, and the organic layer was washed with saturated saline solution. This organic layer was dried with magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain 3,5-bis(4-t-butylphenyl)benzaldehyde (3.5 g) as a white solid. Next, 3,5-bis(4-t-butylphenyl)benzaldehyde (1.5g) and 2,4-dimethylpyrrole (0.7g) were added to the flask, and dehydrated dichloromethane (200mL) and trifluoroacetic acid (1 drop) were added to the flask. ) was added and stirred for 4 hours under a nitrogen atmosphere. To this reaction mixture, a dehydrated dichloromethane solution of 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (0.85 g) was added, and the mixture was stirred for further 1 hour. After completion of the reaction, boron trifluoride diethyl ether complex (7.0 mL) and diisopropylethylamine (7.0 mL) were added and stirred for 4 hours, and water (100 mL) was further added and stirred to separate the organic layer. . This organic layer was dried with magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain 0.4 g of green powder (yield 17%). The results of 1 H-NMR analysis of the obtained green powder were as follows, and it was confirmed that the green powder obtained above was [G-1] represented by the following structural formula.

합성예 11 적색 유기 형광체Synthesis Example 11 Red organic phosphor

4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 300mg, 2-메톡시벤조일클로라이드 201mg 및 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 120℃에서 6시간 가열하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 증발시켰다. 얻어진 잔류물을 에탄올 20ml로 세정하고, 진공 건조함으로써, 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg을 얻었다. 이어서, 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg, 4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 180mg, 메탄술폰산 무수물 206mg 및 탈기한 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 125℃에서 7시간 가열하였다. 이 반응 혼합물을 실온으로 냉각 후, 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정한 후, 증발시켜, 진공 건조함으로써, 잔류물로서 피로메텐체를 얻었다. 이어서, 얻어진 피로메텐체와 톨루엔 10ml의 혼합 용액에, 질소 기류 하, 디이소프로필에틸아민 305mg 및 삼불화붕소디에틸에테르 착체 670mg을 추가하여, 실온에서 3시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정하고, 황산마그네슘으로 건조 후, 증발시켰다. 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 진공 건조한 후, 적자색 분말 0.27g을 얻었다(수율 70%). 얻어진 적자색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같아서, 상기에서 얻어진 적자색 분말이, 하기 구조식으로 표현되는 [R-1]인 것으로 확인되었다.A mixed solution of 300 mg of 4-(4-t-butylphenyl)-2-(4-methoxyphenyl)pyrrole, 201 mg of 2-methoxybenzoyl chloride, and 10 ml of toluene was heated at 120°C for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, the solvent was evaporated. The obtained residue was washed with 20 ml of ethanol and dried under vacuum to obtain 260 mg of 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole. Then, 260 mg of 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole, 4-(4-t-butylphenyl)-2-(4 A mixed solution of 180 mg of -methoxyphenyl)pyrrole, 206 mg of methanesulfonic anhydride, and 10 ml of degassed toluene was heated at 125°C for 7 hours under a nitrogen stream. After cooling the reaction mixture to room temperature, 20 ml of water was added and extracted with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, evaporated, and vacuum dried to obtain a pyromethene body as a residue. Next, 305 mg of diisopropylethylamine and 670 mg of boron trifluoride diethyl ether complex were added to the obtained mixed solution of pyromethene body and 10 ml of toluene under a nitrogen stream, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. 20 ml of water was added to this reaction mixture, and the mixture was extracted with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, dried over magnesium sulfate, and then evaporated. After purification by silica gel column chromatography and vacuum drying, 0.27 g of red-purple powder was obtained (yield 70%). The results of 1 H-NMR analysis of the obtained red-purple powder were as follows, and it was confirmed that the red-purple powder obtained above was [R-1] represented by the following structural formula.

합성예 12 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)Synthesis Example 12 Polysiloxane solution containing silica particles (LS-1)

500ml의 3구 플라스크에, 메틸트리메톡시실란을 0.05g(0.4mmol), 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 0.66g(3.0mmol), 트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 0.10g(0.4mmol), γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 7.97g(34mmol) 및 15.6중량%의 실리카 입자의 이소프로필알코올 분산액(IPA-ST-UP: 닛산 가가쿠 고교(주)제)을 224.37g 넣고, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르 163.93g을 첨가하였다. 실온에서 교반하면서, 물 4.09g에 인산 0.088g을 녹인 인산 수용액을 3분에 걸쳐서 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 40℃의 오일 배스에 담가서 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분에 걸쳐서 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액의 내부 온도가 100℃에 도달하고, 그로부터 또한 2시간 가열 교반함으로써(내부 온도는 100 내지 110℃), 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소를 0.05l(리터)/분류하였다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 194.01g 유출되었다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)의 고형분 농도는 24.3중량%, 고형분 중의 폴리실록산과 실리카 입자의 함유량은, 각각 15중량% 및 85중량%이었다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산(LS-1)에서의 폴리실록산의, 메틸트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란에서 유래하는 각 반복 단위의 몰비는, 각각 1.0mol%, 8.0mol%, 1.0mol% 및 90.0mol%이었다.In a 500ml three-necked flask, 0.05g (0.4mmol) of methyltrimethoxysilane, 0.66g (3.0mmol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, and 0.10g (0.4mmol) of trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride. , 7.97 g (34 mmol) of γ-acryloxypropyltrimethoxysilane and 224.37 g of an isopropyl alcohol dispersion of 15.6% by weight silica particles (IPA-ST-UP: manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) were added, and ethylene was added. 163.93 g of glycol mono-t-butyl ether was added. While stirring at room temperature, an aqueous phosphoric acid solution containing 0.088 g of phosphoric acid dissolved in 4.09 g of water was added over 3 minutes. After that, the flask was immersed in an oil bath at 40°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. 1 hour after the start of the temperature increase, the internal temperature of the solution reached 100°C, and the solution was heated and stirred for another 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1). Additionally, nitrogen was fractionated at 0.05 l (liter)/during the temperature increase and heating and stirring. During the reaction, a total of 194.01 g of by-products, methanol and water, flowed out. The solid content concentration of the obtained silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1) was 24.3% by weight, and the contents of polysiloxane and silica particles in the solid content were 15% by weight and 85% by weight, respectively. Of the polysiloxanes in the obtained silica particle-containing polysiloxane (LS-1), methyltrimethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, and γ-acryloxypropyltrimethoxysilane. The molar ratios of each repeating unit derived were 1.0 mol%, 8.0 mol%, 1.0 mol%, and 90.0 mol%, respectively.

실시예 1 격벽용 수지 조성물(P-1)Example 1 Resin composition for partition (P-1)

백색 안료로서 이산화티타늄 안료(R-960; BASF 재팬(주)제(이하, 「R-960」))를 5.00g, 수지로서, 합성예 1에 의해 얻어진 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g, 차광 안료로서 질화티타늄을 0.0188g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용해서 분산시켜 안료 분산액(MW-1)을 얻었다.As a white pigment, 5.00 g of titanium dioxide pigment (R-960; manufactured by BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter referred to as “R-960”)), and as a resin, 5.00 g of the polysiloxane (PSL-1) solution obtained in Synthesis Example 1. , 0.0188 g of titanium nitride as a light-shielding pigment was mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-1).

이어서, 상기 안료 분산액(MW-1) 8.27g, 폴리실록산(PSL-1) 용액 2.83g, 합성예 7에 의해 얻어진 (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.48g, 광중합 개시제로서, 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심)("이르가큐어"(등록 상표) OXE-02, BASF 재팬(주)제(이하, 「OXE-02」)) 0.155g, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드("이르가큐어" 819, BASF 재팬(주)제(이하, 「IC-819」)) 0.258g, 힌더드 페놀 화합물로서, 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐메틸)-2,4,6-트리메틸벤젠("아데카스탭"(등록 상표) AO-330, ADEKA(주)제(이하, 「AO-330」)) 0.0309g, 광중합성 화합물로서, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트("KAYARAD"(등록 상표) DPHA, 신닛본야쿠교(주)제(이하, 「DPHA」)) 2.063g, 발액 화합물로서, 광중합성 불소 함유 화합물("메가팍"(등록 상표) RS-72A, 20중량% PGMEA 희석 용액품, DIC(주)제(이하, 「RS-72A」)) 0.258g, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트("셀록사이드"(등록 상표) 2021P, 다이셀(주)제(이하, 「셀록사이드(등록 상표) 2021P」)) 0.021g 및 아크릴계 계면 활성제("BYK"(등록 상표) 352, 빅 케미 재팬(주)제(이하, 「BYK-352」))의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.103g(농도 500ppm에 상당)을, 용매 PGMEA 0.513g과 DAA 1.65g에 용해시켜, 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여, 격벽용 수지 조성물(P-1)을 얻었다.Next, 8.27 g of the pigment dispersion (MW-1), 2.83 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, 4.48 g of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution obtained in Synthesis Example 7, and ethanone as a photopolymerization initiator. , 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(O-acetyloxime) ("Irgacure" (registered trademark) OXE-02, 0.155 g of BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter referred to as “OXE-02”), bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide (“Irgacure” 819, BASF Japan Co., Ltd. ( Hereinafter, “IC-819”)) 0.258 g, as a hindered phenol compound, 1,3,5-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenylmethyl)-2,4,6- Trimethylbenzene ("Adeka Step" (registered trademark) AO-330, manufactured by ADEKA Co., Ltd. (hereinafter referred to as "AO-330")) 0.0309 g, as a photopolymerizable compound, dipentaerythritol hexaacrylate ("KAYARAD") (Registered trademark) DPHA, manufactured by Shin Nippon Yakugyo Co., Ltd. (hereinafter referred to as “DPHA”), 2.063 g, a liquid-repellent compound, a photopolymerizable fluorine-containing compound (“Megapak” (registered trademark) RS-72A, 20% by weight PGMEA Diluted solution product, manufactured by DIC Co., Ltd. (hereinafter referred to as “RS-72A”)) 0.258 g, 3',4'-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate ("Celoxide" (registered Trademark) 2021P, manufactured by Daicel Co., Ltd. (hereinafter referred to as “Celoxide (registered trademark) 2021P”)) 0.021 g, and an acrylic surfactant (“BYK” (registered trademark) 352, manufactured by Big Chemi Japan Co., Ltd. (hereinafter referred to as “Celoxide (registered trademark) 2021P”)). 0.103 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA (equivalent to a concentration of 500 ppm) of "BYK-352") was dissolved in 0.513 g of solvent PGMEA and 1.65 g of DAA and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-1).

실시예 2 격벽용 수지 조성물(P-2)Example 2 Resin composition for partition (P-2)

백색 안료로서 R-960, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용해서 분산시켜 안료 분산액(MW-2)를 얻었다. 또한, 유기 금속 화합물로서, 비스(아세틸아세토나토)팔라듐을 0.103g과, 인 원자를 갖는 배위성 화합물로서, 트리페닐포스핀을 0.089g(유기 금속 화합물에 대해서 등몰양)을 DAA 1.726g에 용해하여, 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment and polysiloxane (PSL-1) solution as a resin were mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-2). In addition, 0.103 g of bis(acetylacetonato)palladium as an organometallic compound and 0.089 g of triphenylphosphine as a coordination compound having a phosphorus atom (equimolar amount with respect to the organometallic compound) were dissolved in 1.726 g of DAA. Thus, an organometallic compound solution (OM-1) was obtained.

상기 안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-2)를 8.25g 첨가하고, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 1.92g, 폴리실록산(PSL-1) 용액 2.61g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.26g, PGMEA 0.701g을 첨가하고, DAA를 첨가하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-2)를 얻었다.Instead of the pigment dispersion (MW-1), 8.25 g of the pigment dispersion (MW-2) was added, 1.92 g of the organometallic compound solution (OM-1), 2.61 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, and (meth)acrylic A resin composition for a partition (P-2) was obtained in the same manner as in Example 1, except that 4.26 g of the polymer (PAL-1) solution and 0.701 g of PGMEA were added, and DAA was not added.

실시예 3 격벽용 수지 조성물(P-3)Example 3 Resin composition for partition (P-3)

유기 금속 화합물로서, 네오데칸산은 0.103g을 EDM 0.928g에 용해하여, 유기 금속 화합물 용액(OM-2)를 얻었다. 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-2) 1.03g, 폴리실록산(PSL-1) 용액 2.72g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.37g, PGMEA 1.366g을 첨가한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-3)을 얻었다.As an organometallic compound, 0.103 g of silver neodecanoic acid was dissolved in 0.928 g of EDM to obtain an organometallic compound solution (OM-2). Instead of the organometallic compound solution (OM-1), 1.03 g of the organometallic compound solution (OM-2), 2.72 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, 4.37 g of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and PGMEA were used. A resin composition for partition walls (P-3) was obtained in the same manner as in Example 2, except that 1.366 g was added.

실시예 4 내지 6 격벽용 수지 조성물(P-4) 내지 (P-6)Examples 4 to 6 Resin compositions for partition walls (P-4) to (P-6)

폴리실록산(PSL-1) 용액 대신에 각각 상기 폴리실록산(PSL-2), (PSL-3), (PSL-4) 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-4) 내지 (P-6)을 얻었다.A resin composition for partition (P-4) was produced in the same manner as in Example 1, except that the polysiloxane (PSL-2), (PSL-3), and (PSL-4) solutions were used instead of the polysiloxane (PSL-1) solution, respectively. To obtain (P-6).

실시예 7 격벽용 수지 조성물(P-7)Example 7 Resin composition for partition (P-7)

(메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액 대신에 상기 (메트)아크릴 폴리머(PAL-2) 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-7)을 얻었다.A resin composition for a partition (P-7) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the (meth)acrylic polymer (PAL-2) solution was used instead of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution.

실시예 8 격벽용 수지 조성물(P-8)Example 8 Resin composition for partition (P-8)

(메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액 대신에 카르도계 폴리머 V-259ME를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-8)을 얻었다.A resin composition for a partition (P-8) was obtained in the same manner as in Example 1, except that Cardo-based polymer V-259ME was used instead of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution.

실시예 9 격벽용 수지 조성물(P-9)Example 9 Resin composition for partition (P-9)

(메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액 대신에 카르도계 폴리머 WR-301을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-9)를 얻었다.A resin composition for a partition (P-9) was obtained in the same manner as in Example 1, except that Cardo-based polymer WR-301 was used instead of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution.

실시예 10 격벽용 수지 조성물(P-10)Example 10 Resin composition for partition (P-10)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330 대신에 펜타에리트리톨테트라키스(3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트("아데카스탭"(등록 상표) AO-60, ADEKA(주)제(이하, 「AO-60」))를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-10)을 얻었다.Instead of the hindered phenol compound AO-330, pentaerythritoltetrakis(3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate ("Adekastab" (registered trademark) AO- A resin composition for partition walls (P-10) was obtained in the same manner as in Example 1, except that 60, manufactured by ADEKA Co., Ltd. (hereinafter referred to as “AO-60”)) was used.

실시예 11 격벽용 수지 조성물(P-11)Example 11 Resin composition for partition (P-11)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330 대신에 6,6'-디-t-부틸-4,4'-부틸리덴디-m-크레졸("아데카스탭"(등록 상표) AO-40, ADEKA(주)제(이하, 「AO-40」))을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-11)을 얻었다.Instead of the hindered phenol compound AO-330, 6,6'-di-t-butyl-4,4'-butylidenedi-m-cresol ("Adeka Step" (registered trademark) AO-40, ADEKA Co., Ltd. ) A resin composition for partition walls (P-11) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the agent (hereinafter referred to as "AO-40")) was used.

실시예 12 격벽용 수지 조성물(P-12)Example 12 Resin composition for partition (P-12)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330 대신에 옥타데실3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트("아데카스탭"(등록 상표) AO-50, ADEKA(주)제(이하, 「AO-50」))를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-12)를 얻었다.Instead of the hindered phenol compound AO-330, octadecyl 3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate ("Adekastab" (registered trademark) AO-50, ADEKA ( A resin composition for partition walls (P-12) was obtained in the same manner as in Example 1, except that Agent (hereinafter referred to as “AO-50”)) was used.

실시예 13 격벽용 수지 조성물(P-13)Example 13 Resin composition for partition (P-13)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330의 첨가량을 0.0474g으로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.81g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.46g, PGMEA를 0.538g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-13)을 얻었다.Except that the added amount of the hindered phenol compound AO-330 was 0.0474 g, 2.81 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.46 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.538 g of PGMEA were added. , the resin composition for partition walls (P-13) was obtained in the same manner as in Example 1.

실시예 14 격벽용 수지 조성물(P-14)Example 14 Resin composition for partition (P-14)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330의 첨가량을 0.330g으로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.46g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.10g, PGMEA를 0.962g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-14)를 얻었다.Except that the added amount of the hindered phenol compound AO-330 was 0.330 g, 2.46 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.10 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.962 g of PGMEA were added. , the resin composition for partition walls (P-14) was obtained in the same manner as in Example 1.

실시예 15 격벽용 수지 조성물(P-15)Example 15 Resin composition for partition (P-15)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330의 첨가량을 0.00516g으로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.86g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.51g, PGMEA를 0.474g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-15)를 얻었다.Except that the added amount of the hindered phenol compound AO-330 was 0.00516 g, 2.86 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.51 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.474 g of PGMEA were added. , the resin composition for partition walls (P-15) was obtained in the same manner as in Example 1.

실시예 16 격벽용 수지 조성물(P-16)Example 16 Resin composition for partition (P-16)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330의 첨가량을 0.00309g으로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.87g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.51g, PGMEA를 0.474g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-16)을 얻었다.Except that the added amount of the hindered phenol compound AO-330 was 0.00309 g, 2.87 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.51 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.474 g of PGMEA were added. , the resin composition for partition walls (P-16) was obtained in the same manner as in Example 1.

실시예 17 격벽용 수지 조성물(P-17)Example 17 Resin composition for partition (P-17)

힌더드 아민 화합물로서, 1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜메타크릴레이트("아데카스탭"(등록 상표) LA-82, ADEKA(주)제(이하, 「LA-82」))를 0.103g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.70g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.35g, PGMEA를 0.668g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-17)을 얻었다.As a hindered amine compound, 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl methacrylate ("Adekastab" (registered trademark) LA-82, manufactured by ADEKA Co., Ltd. (hereinafter referred to as " Example 1, except that 0.103 g of "LA-82")) was added, 2.70 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.35 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.668 g of PGMEA were added. In the same manner as above, a resin composition for partition walls (P-17) was obtained.

실시예 18 격벽용 수지 조성물(P-18)Example 18 Resin composition for partition (P-18)

상기 힌더드 아민 화합물 LA-82 대신에 2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜메타크릴레이트("아데카스탭"(등록 상표) LA-87, ADEKA(주)제(이하, 「LA-87」))를 사용한 것 이외에는, 실시예 17과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-18)을 얻었다.Instead of the hindered amine compound LA-82, 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl methacrylate ("Adeka Step" (registered trademark) LA-87, manufactured by ADEKA Co., Ltd. (hereinafter referred to as , “LA-87”)), a resin composition for partition walls (P-18) was obtained in the same manner as in Example 17, except that “LA-87”)) was used.

실시예 19 격벽용 수지 조성물(P-19)Example 19 Resin composition for partition (P-19)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.74g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.39g, PGMEA를 0.621g 첨가한 것 이외에는, 실시예 17과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-19)를 얻었다.Example, except that the hindered phenol compound AO-330 was not added, and 2.74 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.39 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.621 g of PGMEA were added. In the same manner as in 17, a resin composition for partition walls (P-19) was obtained.

실시예 20 격벽용 수지 조성물(P-20)Example 20 Resin composition for partition (P-20)

상기 힌더드 아민 화합물 LA-82 대신에 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트("아데카스탭"(등록 상표) LA-72, ADEKA(주)제(이하, 「LA-72」))를 사용한 것 이외에는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-20)을 얻었다.Instead of the hindered amine compound LA-82, bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)sebacate ("Adekastab" (registered trademark) LA-72, ADEKA Co., Ltd. ) Agent (hereinafter referred to as "LA-72")) was used in the same manner as in Example 19 to obtain a resin composition for partition walls (P-20).

실시예 21 격벽용 수지 조성물(P-21)Example 21 Resin composition for partition (P-21)

상기 힌더드 아민 화합물 LA-82 대신에 1,2,2,5,5-펜타메틸피페리딘을 사용한 것 이외에는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-21)을 얻었다.A resin composition for a partition (P-21) was obtained in the same manner as in Example 19, except that 1,2,2,5,5-pentamethylpiperidine was used in place of the hindered amine compound LA-82.

실시예 22 격벽용 수지 조성물(P-22)Example 22 Resin composition for partition (P-22)

상기 힌더드 아민 화합물 LA-82의 첨가량을 0.248g으로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.56g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.71g, PGMEA를 0.838g 첨가한 것 이외에는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-22)를 얻었다.Except that the added amount of the hindered amine compound LA-82 was 0.248 g, 2.56 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.71 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.838 g of PGMEA were added. , the resin composition for partition walls (P-22) was obtained in the same manner as in Example 19.

실시예 23 격벽용 수지 조성물(P-23)Example 23 Resin composition for partition (P-23)

상기 힌더드 아민 화합물 LA-82의 첨가량을 0.371g으로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.40g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.05g, PGMEA를 1.024g 첨가한 것 이외에는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-23)을 얻었다.Except that the added amount of the hindered amine compound LA-82 was 0.371 g, 2.40 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.05 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 1.024 g of PGMEA were added. , the resin composition for partition walls (P-23) was obtained in the same manner as in Example 19.

실시예 24 격벽용 수지 조성물(P-24)Example 24 Resin composition for partition (P-24)

상기 힌더드 아민 화합물 LA-82의 첨가량을 0.0100g으로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.86g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.51g, PGMEA를 0.482g 첨가한 것 이외에는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-24)를 얻었다.Except that the added amount of the hindered amine compound LA-82 was 0.0100 g, 2.86 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.51 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.482 g of PGMEA were added. , the resin composition for partition walls (P-24) was obtained in the same manner as in Example 19.

실시예 25 격벽용 수지 조성물(P-25)Example 25 Resin composition for partition (P-25)

상기 힌더드 아민 화합물 LA-82의 첨가량을 0.0039로 하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.86g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.51g, PGMEA를 0.471g 첨가한 것 이외에는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-25)를 얻었다.Except that the amount of the hindered amine compound LA-82 added was 0.0039, 2.86 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.51 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.471 g of PGMEA were added. In the same manner as in Example 19, a resin composition for partition walls (P-25) was obtained.

실시예 26 격벽용 수지 조성물(P-26)Example 26 Resin composition for partition (P-26)

IC-819의 첨가량을 0.413g으로 하고, OXE-02를 첨가하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-26)을 얻었다.A resin composition for partition walls (P-26) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of IC-819 was 0.413 g and OXE-02 was not added.

실시예 27 격벽용 수지 조성물(P-27)Example 27 Resin composition for partition (P-27)

OXE-02의 첨가량을 0.413g으로 하고, IC-819를 첨가하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-27)을 얻었다.A resin composition for partition walls (P-27) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of OXE-02 was 0.413 g and IC-819 was not added.

실시예 28 격벽용 수지 조성물(P-28)Example 28 Resin composition for partition (P-28)

폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.33g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액의 첨가량을 5.98g으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-28)을 얻었다.A resin composition for a partition (P-28) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was 1.33 g and the addition amount of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was 5.98 g. got it

실시예 29 격벽용 수지 조성물(P-29)Example 29 Resin composition for partition (P-29)

폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 4.73g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액의 첨가량을 2.58g으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-29)를 얻었다.A resin composition for a partition (P-29) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was 4.73 g and the addition amount of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was 2.58 g. got it

실시예 30 격벽용 수지 조성물(P-30)Example 30 Resin composition for partition (P-30)

폴리실록산(PSL-1) 용액을 7.68g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액량을 7.68g, OXE-02를 0.123g, IC-819를 0.205g, DPHA를 1.64g, RS-72A를 0.205g, 셀록사이드 2021P를 0.016g, AO-330을 0.025g 및 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.103g을, 용매 PGMEA 0.619g과 DAA 2.214g에 용해시켜, 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여, 격벽용 수지 조성물(P-30)을 얻었다.7.68g of polysiloxane (PSL-1) solution, 7.68g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, 0.123g of OXE-02, 0.205g of IC-819, 1.64g of DPHA, and RS-72A. 0.205 g, 0.016 g of Celoxide 2021P, 0.025 g of AO-330, and 0.103 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352 were dissolved in 0.619 g of solvent PGMEA and 2.214 g of DAA and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-30).

실시예 31 격벽용 수지 조성물(P-31)Example 31 Resin composition for partition (P-31)

상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 2.85g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액의 첨가량을 4.50g, PGMEA의 첨가량을 0.284g, DAA의 첨가량을 1.86g으로 한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-31)을 얻었다.Without adding the organometallic compound solution (OM-1), the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was 2.85 g, the addition amount of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was 4.50 g, and the addition amount of PGMEA was 0.284 g. A resin composition for partition walls (P-31) was obtained in the same manner as in Example 2, except that the addition amount of DAA was changed to 1.86 g.

실시예 32 격벽용 수지 조성물(P-32)Example 32 Resin composition for partition (P-32)

차광 안료로서 질화티타늄 0.20g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 7.00g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용해서 분산시켜 안료 분산액(MW-3)을 얻었다. 상기 안료 분산액(MW-3) 5.90g, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 0.79g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액량을 6.54g, OXE-02를 0.108g, IC-819를 0.180g, DPHA를 1.44g, RS-72A를 0.179g, 셀록사이드 2021P를 0.014g, AO-330을 0.022g 및 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.103g을, 용매 PGMEA 1.804g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여, 격벽용 수지 조성물(P-32)를 얻었다.0.20 g of titanium nitride as a light-shielding pigment and 7.00 g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin were mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-3). The pigment dispersion (MW-3) was 5.90 g, the polysiloxane (PSL-1) solution was 0.79 g, the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was 6.54 g, OXE-02 was 0.108 g, and IC-819 was 0.180 g. g, 1.44 g of DPHA, 0.179 g of RS-72A, 0.014 g of Celoxide 2021P, 0.022 g of AO-330, and 0.103 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352 were dissolved in 1.804 g of solvent PGMEA and stirred. did. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-32).

실시예 33 격벽용 수지 조성물(P-33)Example 33 Resin composition for partition (P-33)

상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 4.00g, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 6.21g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액량을 6.21g, OXE-02를 0.108g, IC-819를 0.180g, DPHA를 1.44g, RS-72A를 0.179g, 셀록사이드 2021P를 0.014g, AO-330을 0.022g 및 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.103g을, 용매 PGMEA 2.03g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여, 격벽용 수지 조성물(P-33)을 얻었다.4.00 g of the organometallic compound solution (OM-1), 6.21 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, 6.21 g of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, 0.108 g of OXE-02, IC- 0.180g of 819, 1.44g of DPHA, 0.179g of RS-72A, 0.014g of Celoxide 2021P, 0.022g of AO-330, and 0.103g of 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352, and 2.03g of solvent PGMEA. It was dissolved and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-33).

실시예 34 격벽용 수지 조성물(P-34)Example 34 Resin composition for partition (P-34)

상기 발액 화합물 RS-72A를 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 2.67g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액의 첨가량을 4.32g, PGMEA의 첨가량을 0.830g으로 한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-34)를 얻었다.Without adding the liquid-repellent compound RS-72A, the amount of polysiloxane (PSL-1) solution added was 2.67 g, the amount of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution added was 4.32 g, and the amount of PGMEA added was 0.830 g. Otherwise, the same procedure as in Example 2 was carried out to obtain a resin composition for partition walls (P-34).

비교예 1 내지 2 격벽용 수지 조성물(P-35) 내지 (P-36)Comparative Examples 1 to 2 Resin compositions for partition walls (P-35) to (P-36)

폴리실록산(PSL-1) 용액 대신에 각각 상기 폴리실록산(PSL-5), (PSL-6) 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-35) 내지 (P-36)을 얻었다.Resin compositions for partition walls (P-35) to (P-36) were prepared in the same manner as in Example 1, except that the polysiloxane (PSL-5) and (PSL-6) solutions were used instead of the polysiloxane (PSL-1) solution, respectively. got it

비교예 3 격벽용 수지 조성물(P-37)Comparative Example 3 Resin composition for partition (P-37)

(메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액 대신에 상기 (메트)아크릴 폴리머(PAL-3) 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-37)을 얻었다.A resin composition for a partition (P-37) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the (meth)acrylic polymer (PAL-3) solution was used instead of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution.

비교예 4 격벽용 수지 조성물(P-38)Comparative Example 4 Resin composition for partition (P-38)

폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 0.590g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액의 첨가량을 6.72g으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-38)을 얻었다.A resin composition for a partition (P-38) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was 0.590 g and the addition amount of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was 6.72 g. got it

비교예 5 격벽용 수지 조성물(P-39)Comparative Example 5 Resin composition for partition (P-39)

폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 5.07g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액의 첨가량을 2.24g으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-39)를 얻었다.A resin composition for a partition (P-39) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was 5.07 g and the addition amount of the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was 2.24 g. got it

비교예 6 격벽용 수지 조성물(P-40)Comparative Example 6 Resin composition for partition (P-40)

(메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 7.31g으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-40)을 얻었다.A resin composition for a partition (P-40) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was not added and the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 7.31 g. .

비교예 7 격벽용 수지 조성물(P-41)Comparative Example 7 Resin composition for partition (P-41)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 5.00g, 차광 안료로서 질화티타늄을 0.0188g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용해서 분산시켜 안료 분산액(MW-4)를 얻었다.Mix 5.00g of R-960 as a white pigment, 5.00g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution as a resin, and 0.0188g of titanium nitride as a light-blocking pigment, and disperse using a mill-type disperser filled with zirconia beads. A pigment dispersion (MW-4) was obtained.

안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-4)를 8.27g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 첨가하지 않고, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 7.31g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-41)을 얻었다.8.27 g of pigment dispersion (MW-4) was added instead of pigment dispersion (MW-1), and 7.31 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution was added without adding polysiloxane (PSL-1) solution. Except this, a resin composition for partition walls (P-41) was obtained in the same manner as in Example 1.

비교예 8 격벽용 수지 조성물(P-42)Comparative Example 8 Resin composition for partition (P-42)

상기 힌더드 페놀 화합물 AO-330을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액을 2.87g, (메트)아크릴 폴리머(PAL-1) 용액을 4.52g, PGMEA를 0.467g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-42)를 얻었다.Example, except that the hindered phenol compound AO-330 was not added, and 2.87 g of polysiloxane (PSL-1) solution, 4.52 g of (meth)acrylic polymer (PAL-1) solution, and 0.467 g of PGMEA were added. In the same manner as in 1, a resin composition for partition walls (P-42) was obtained.

실시예 1 내지 34 및 비교예 1 내지 8의 조성을 정리해서 표 3-1 내지 표 3-4에 나타낸다.The compositions of Examples 1 to 34 and Comparative Examples 1 to 8 are summarized and shown in Tables 3-1 to 3-4.

[표 3-1][Table 3-1]

Figure pct00013
Figure pct00013

[표 3-2][Table 3-2]

Figure pct00014
Figure pct00014

[표 3-3][Table 3-3]

Figure pct00015
Figure pct00015

[표 3-4][Table 3-4]

Figure pct00016
Figure pct00016

조제예 1 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)Preparation Example 1 Color conversion luminescent material composition (CL-1)

녹색 양자 도트 재료(Lumidot 640 CdSe/ZnS, 평균 입자경 6.3nm: 알드리치사제)의 0.5중량% 톨루엔 용액을 20중량부, DPHA를 45중량부, "이르가큐어"(등록 상표) 907(BASF 재팬(주)제)을 5중량부, 아크릴 수지(SPCR-18(상품명), 쇼와 덴코(주)제)의 30중량% PGMEA 용액을 166중량부 및 톨루엔을 97중량부 혼합해서 교반하여, 균일하게 용해하였다. 얻어진 혼합물을 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)을 조제하였다.Green quantum dot material (Lumidot 640 CdSe/ZnS, average particle diameter: 6.3 nm: manufactured by Aldrich) containing 20 parts by weight of a 0.5% by weight toluene solution, 45 parts by weight of DPHA, and "Irgacure" (registered trademark) 907 (BASF Japan (BASF Japan) 5 parts by weight of (manufactured by Co., Ltd.), 166 parts by weight of PGMEA solution of acrylic resin (SPCR-18 (trade name), manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) and 97 parts by weight of toluene were mixed and stirred uniformly. dissolved. The obtained mixture was filtered through a 0.45 μm syringe filter to prepare a color conversion light-emitting material composition (CL-1).

조제예 2 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)Preparation Example 2 Color conversion luminescent material composition (CL-2)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 10에 의해 얻어진 녹색 형광체 G-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 조제하였다.A color conversion light-emitting material composition (CL- 2) was prepared.

조제예 3 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)Preparation Example 3 Color conversion luminescent material composition (CL-3)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 11에 의해 얻어진 적색 형광체 R-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 조제하였다.A color conversion light emitting material composition (CL- 3) was prepared.

조제예 4 컬러 필터 형성 재료(CF-1)Preparation Example 4 Color filter forming material (CF-1)

C.I.피그먼트 그린 59를 90g, C.I.피그먼트 옐로우 150을 60g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하, 「BYK-6919」))를 75g, 바인더 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명)(주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합해서 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용해서, 둘레 속도 14m/s으로 8시간의 분산 처리를 행하여, 피그먼트 그린 59 분산액(GD-1)을 제작하였다.90 g of C.I. Pigment Green 59, 60 g of C.I. Pigment Yellow 150, 75 g of polymer dispersant ("BYK" (registered trademark)-6919 (brand name) manufactured by Big Chemistry (hereinafter referred to as "BYK-6919")), binder resin ( A slurry was prepared by mixing 100 g of "Adeka Ackles" (registered trademark) WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. and 675 g of PGMEA. The beaker containing the slurry was connected to a dyno mill and a tube, and using zirconia beads with a diameter of 0.5 mm as a medium, dispersion treatment was performed for 8 hours at a circumferential speed of 14 m/s to produce Pigment Green 59 dispersion (GD-1). did.

피그먼트 그린 59 분산액(GD-1) 56.54g, 아크릴 수지("사이클로머"(등록 상표) P(ACA)Z250(상품명) 다이셀·올넥스(주)제(이하, 「P(ACA)Z250」))을 3.14g, DPHA를 2.64g, 광중합 개시제("옵트머"(등록 상표) NCI-831(상품명)(주)ADEKA제(이하, 「NCI-831」)) 0.330g, 계면 활성제(BYK"(등록 상표)-333(상품명) 빅 케미사제(이하, 「BYK-333」))를 0.04g, 중합 금지제로서 BHT를 0.01g 및 용매로서 PGMEA를 37.30g 혼합하여, 컬러 필터 형성 재료(CF-1)을 제작하였다.Pigment Green 59 dispersion (GD-1) 56.54 g, acrylic resin ("Cyclomer" (registered trademark) P(ACA)Z250 (brand name) manufactured by Daicel Allnex Co., Ltd. (hereinafter referred to as "P(ACA)Z250 」)) 3.14 g, DPHA 2.64 g, photopolymerization initiator (“Optmer” (registered trademark) NCI-831 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. (hereinafter “NCI-831”)) 0.330 g, surfactant ( 0.04 g of BYK" (registered trademark)-333 (brand name) manufactured by Big Chemistry (hereinafter referred to as "BYK-333")), 0.01 g of BHT as a polymerization inhibitor, and 37.30 g of PGMEA as a solvent were mixed to form a color filter. (CF-1) was produced.

조제예 5 차광 격벽용 수지 조성물Preparation Example 5 Resin composition for light-shielding partition

카본 블랙(MA100(상품명) 미츠비시 가가쿠(주)제) 150g, 고분자 분산제 BYK-6919를 75g, P(ACA)Z250을 100g 및 PGMEA를 675g 혼합해서 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용해서, 둘레 속도 14m/s으로 8시간의 분산 처리를 행하여, 안료 분산액(MB-1)을 제작하였다.A slurry was prepared by mixing 150 g of carbon black (MA100 (brand name) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 75 g of polymer dispersant BYK-6919, 100 g of P(ACA)Z250, and 675 g of PGMEA. The beaker containing the slurry was connected to a dyno mill and a tube, and dispersion treatment was performed for 8 hours at a circumferential speed of 14 m/s using zirconia beads with a diameter of 0.5 mm as a medium to produce a pigment dispersion (MB-1).

안료 분산액(MB-1) 56.54g, P(ACA)Z250을 3.14g, DPHA를 2.64g, NCI-831을 0.330g, BYK-333을 0.04g, 중합 금지제로서 터셔리부틸카테콜 0.01g 및 PGMEA 37.30g을 혼합하여, 차광 격벽용 수지 조성물을 제작하였다.56.54 g of pigment dispersion (MB-1), 3.14 g of P(ACA)Z250, 2.64 g of DPHA, 0.330 g of NCI-831, 0.04 g of BYK-333, 0.01 g of tertiary butylcatechol as a polymerization inhibitor, and 37.30 g of PGMEA was mixed to produce a resin composition for a light-shielding partition.

조제예 6 저굴절률층 형성 재료Preparation Example 6 Low refractive index layer forming material

합성예 12에 의해 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 5.350g, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르를 1.170g 및 DAA를 3.48g 혼합한 후, 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여 저굴절률층 형성 재료를 조제하였다.5.350 g of the silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1) obtained in Synthesis Example 12, 1.170 g of ethylene glycol mono-t-butyl ether, and 3.48 g of DAA were mixed, and then filtered through a 0.45㎛ syringe filter to obtain a low refractive index. Layer forming materials were prepared.

조제예 7 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)Preparation Example 7 Yellow organic protective layer forming material (YL-1)

C.I.피그먼트 옐로우 150을 150g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하, 「BYK-6919」))를 75g, 바인더 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명) (주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합해서 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용해서, 둘레 속도 14m/s으로 8시간의 분산 처리를 행하여, 피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1)을 제작하였다.150 g of C.I. Pigment Yellow 150, 75 g of polymer dispersant ("BYK" (registered trademark)-6919 (product name) manufactured by Big Chemistry (hereinafter referred to as "BYK-6919")), binder resin ("Adeka Ackles" (registered) A slurry was prepared by mixing 100 g of WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. and 675 g of PGMEA. The beaker containing the slurry was connected to a dyno mill and a tube, and using zirconia beads with a diameter of 0.5 mm as a medium, dispersion treatment was performed for 8 hours at a circumferential speed of 14 m/s to produce Pigment Yellow 150 dispersion (YD-1). did.

피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1) 3.09g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 23.54g, 광중합성 화합물로서 DPHA를 6.02g, 유기 금속 화합물로서 네오데칸산은을 사용하여 조제한 유기 금속 화합물 용액(OM-2)를 6.02g, 광중합 개시제로서 OXE-02를 0.20g, IC-819를 0.40g, IRGANOX(등록 상표) 1010을 0.060g 및 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.050g(농도 500ppm에 상당)을, 용매 PGMEA 61.15g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여, 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)을 얻었다.An organometallic compound solution prepared using 3.09g of Pigment Yellow 150 dispersion (YD-1), 23.54g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, 6.02g of DPHA as a photopolymerizable compound, and silver neodecanoate as an organometallic compound. 6.02 g of (OM-2), 0.20 g of OXE-02 as a photopolymerization initiator, 0.40 g of IC-819, 0.060 g of IRGANOX (registered trademark) 1010, and 0.050 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352 (concentration (equivalent to 500 ppm) was dissolved in 61.15 g of solvent PGMEA and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a yellow organic protective layer forming material (YL-1).

실시예 35 내지 69, 비교예 9 내지 16Examples 35 to 69, Comparative Examples 9 to 16

하지 기판으로서 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 표 4 내지 5에 나타내는 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여, 온도 100℃에서 3분간 건조시켜, 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을, 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용해서, 초고압 수은등을 광원으로 해서 포토마스크를 개재하여, 노광량 100mJ/㎠(g, h, i선을 조사. 노광량은 i선 환산값)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용해서, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 이어서 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중, 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이, 짧은 변 80㎛, 긴 변 280㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 격벽을 형성하였다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The resin composition for partitions shown in Tables 4 to 5 was spin-coated thereon, dried at a temperature of 100°C for 3 minutes using a hot plate (product name SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.), and a dried film was formed. Produced. The produced dry film was exposed to light using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, through a photomask, and exposed to an exposure dose of 100 mJ/cm2 (g, h, and i lines). The exposure amount was calculated as i-line conversion value. After that, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was performed for 100 seconds using a 0.045% by weight potassium hydroxide aqueous solution, followed by 30 seconds using water. rinsed. Additionally, using an oven (brand name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), heating was performed in the air at a temperature of 230°C for 30 minutes to form a partition wall with a height of 10 μm and a width of 20 μm on the glass substrate, with a short side of 80 μm. A partition formed in a grid-like pattern with a pitch of ㎛ and a long side of 280 ㎛ was formed.

얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 격리된 영역에, 질소 분위기 하에서, 잉크젯법을 사용하여, 표 4 내지 5에 나타내는 색 변환 발광 재료 조성물을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하여, 도 2에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color conversion light-emitting material composition shown in Tables 4 and 5 was applied to the area isolated by the barrier of the obtained barrier-equipped substrate using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm. was formed to obtain a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 2 .

실시예 70Example 70

하지 기판으로서 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 5에 의해 얻어진 차광 격벽 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용해서, 온도 100℃에서 3분간 건조시켜, 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을, 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용해서, 초고압 수은등을 광원으로 해서 포토마스크를 개재하여, 노광량 40mJ/㎠(g, h, i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용해서, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 이어서 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중, 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 높이 2.0㎛, 폭 20㎛이고, 두께 1.0㎛당 OD값이 2.0인 격벽이, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 차광 격벽 구비 기판을 얻었다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The light-shielding barrier forming material obtained in Preparation Example 5 was spin-coated on top of it, dried at a temperature of 100°C for 3 minutes using a hot plate (product name SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.), and a dried film was formed. Produced. The produced dry film was exposed using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) through a photomask using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and exposed to an exposure dose of 40 mJ/cm2 (g, h, i lines). exposed to light. After that, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), development was performed for 50 seconds with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution, followed by development for 30 seconds using water. rinsed. In addition, using an oven (product name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), heating was performed in the air at a temperature of 230°C for 30 minutes, and an OD per 1.0 μm of thickness was formed on a glass substrate with a height of 2.0 μm and a width of 20 μm. A substrate with light-shielding partitions in which the partitions with a value of 2.0 were formed in a lattice pattern with a pitch of 40 µm on the short side and 280 µm on the long side was obtained.

그 후, 실시예 36과 마찬가지의 방법에 의해, 차광 격벽 상에, 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 피치 간격의 차광 격벽과 마찬가지의 격자상 패턴으로 형성된 격벽 구비 기판을 얻었다. 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 격리된 영역에, 질소 분위기 하에서, 잉크젯법을 사용하여, 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켜, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하여, 도 3에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.Thereafter, by the same method as in Example 36, on the light-shielding partition, partitions with a height of 10 μm and a width of 20 μm were formed in the same grid pattern as the light-shielding partition with a pitch interval of 40 μm on the short side and 280 μm on the long side. A substrate with a partition formed as follows was obtained. The color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied to the area isolated by the barrier of the obtained barrier-equipped substrate using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes. A pixel with a thickness of 5.0 μm was formed, and a substrate with a partition having the structure shown in FIG. 3 was obtained.

실시예 71Example 71

실시예 36과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 격벽으로 격리된 영역에, 경화 후의 막 두께가 2.5㎛로 되도록, 조제예 4에 의해 얻어진 컬러 필터 형성 재료(CF-1)을 도포하고, 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재하여, 노광량 40mJ/㎠(g, h, i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여, 격벽으로 격리된 영역에, 높이 2.5㎛, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 컬러 필터층을 형성하였다. 그 후, 컬러 필터 상에, 질소 분위기 하에서 잉크젯법을 사용하여, 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켜, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하여, 도 4에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.Color filter forming material (CF-1) obtained by Preparation Example 4, obtained by the same method as Example 36, so that the film thickness after curing is 2.5 μm in the area isolated by the partition of the partition-equipped substrate before pixel formation. was applied and dried in vacuum. A photomask designed to expose the opening area of the substrate with a partition was exposed at an exposure dose of 40 mJ/cm2 (g, h, i lines). After developing with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution for 50 seconds, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes, and a color filter layer with a height of 2.5 μm, a short side of 40 μm, and a long side of 280 μm was formed in the area isolated by the partition. formed. Thereafter, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied onto the color filter using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm. was formed to obtain a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 4 .

실시예 72Example 72

실시예 36과 마찬가지의 방법에 의해 화소를 형성한 후의 격벽 구비 기판에, 조제예 6에 의해 얻어진 저굴절률층 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여, 온도 100℃에서 3분간 건조시켜, 건조막을 제작하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중, 온도 90℃에서 30분간 가열하여, 높이 1.0㎛, 굴절률 1.25의 저굴절률층을 형성하여, 도 6에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The low-refractive-index layer forming material obtained in Preparation Example 6 was spin-coated on a barrier-walled substrate after forming pixels by the same method as in Example 36, using a hot plate (product name SCW-636, Dainippon Screen Seizo Co., Ltd. ) agent) was used and dried at a temperature of 100°C for 3 minutes to produce a dried film. Additionally, using an oven (brand name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), heating was performed in air at a temperature of 90°C for 30 minutes to form a low refractive index layer with a height of 1.0 μm and a refractive index of 1.25, as shown in Figure 6. A substrate with a partition having the configuration was obtained.

실시예 73Example 73

실시예 72에 의해 얻어진 저굴절률층을 갖는 격벽 구비 기판의 저굴절률층 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여, 높이 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하여, 도 7에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.On the low refractive index layer of the barrier rib-equipped substrate having the low refractive index layer obtained in Example 72, using a plasma CVD device (PD-220NL, manufactured by Samco Corporation), an inorganic protective layer I with a height of 50 to 1,000 nm was formed, A silicon nitride film with a film thickness of 300 nm was formed, and a substrate with partitions having the structure shown in FIG. 7 was obtained.

실시예 74Example 74

하지 기판으로서 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 5에 의해 얻어진 차광 격벽 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여, 온도 100℃에서 3분간 건조시켜, 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을, 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용해서, 초고압 수은등을 광원으로 해서 포토마스크를 개재하여, 노광량 40mJ/㎠(g, h, i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용해서, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 이어서 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중, 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에, 높이 2.0㎛, 폭 20㎛이고, 두께 1.0㎛당 OD값이 2.0인 격벽이, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 차광 격벽 구비 기판을 얻었다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The light-shielding barrier forming material obtained in Preparation Example 5 was spin-coated thereon, dried at a temperature of 100°C for 3 minutes using a hot plate (product name SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.), and a dried film was formed. Produced. The produced dry film was subjected to photomask using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and an exposure dose of 40 mJ/cm2 (g, h, i lines) was applied. exposed to light. Afterwards, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), development was performed for 50 seconds with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution, followed by development with water for 30 seconds. rinsed. Additionally, using an oven (brand name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), heating was performed in the air at a temperature of 230°C for 30 minutes, and a layer of 2.0 μm in height, 20 μm in width, and 1.0 μm in thickness was placed on a glass substrate. A substrate with light-shielding partitions was obtained, in which partitions with an OD value of 2.0 were formed in a lattice pattern with a pitch of 40 µm on the short side and 280 µm on the long side.

그 후, 차광 격벽으로 격리된 영역에, 경화 후의 막 두께가 2.5㎛로 되도록, 조제예 4에 의해 얻어진 컬러 필터 형성 재료(CF-1)을 도포하고, 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재하여, 노광량 40mJ/㎠(g, h, i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여, 격벽으로 격리된 영역에, 높이 2.5㎛, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 컬러 필터층을 형성하였다.Thereafter, the color filter forming material (CF-1) obtained in Preparation Example 4 was applied to the area isolated by the light-shielding partition so that the film thickness after curing was 2.5 μm, and dried in vacuum. A photomask designed to expose the opening area of the substrate with a partition was exposed at an exposure dose of 40 mJ/cm2 (g, h, i lines). After developing with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution for 50 seconds, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes, and a color filter layer with a height of 2.5 μm, a short side of 40 μm, and a long side of 280 μm was formed in the area isolated by the partition. formed.

그 후, 조제예 6에 의해 얻어진 저굴절률층 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용해서, 온도 90℃에서 2분간 건조시켜, 건조막을 제작하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용해서, 공기 중, 온도 90℃에서 30분간 가열하여, 높이 1.0㎛, 굴절률 1.25의 저굴절률층을 형성하였다.Thereafter, the low refractive index layer forming material obtained in Preparation Example 6 was spin-coated and dried at a temperature of 90°C for 2 minutes using a hot plate (product name SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.). A dry membrane was produced. Additionally, using an oven (brand name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), it was heated in air at a temperature of 90°C for 30 minutes to form a low refractive index layer with a height of 1.0 μm and a refractive index of 1.25.

또한 그 후, 저굴절률층 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여, 높이 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다.Afterwards, a silicon nitride film with a thickness of 300 nm corresponding to the inorganic protective layer I with a height of 50 to 1,000 nm was formed on the low refractive index layer using a plasma CVD device (PD-220NL, manufactured by Samco).

이들 위에, 실시예 36과 마찬가지의 방법으로, 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 피치 간격의 차광 격벽과 마찬가지의 격자상 패턴으로 형성된 격벽 구비 기판을 얻었다. 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 격리된 영역에, 질소 분위기 하에서 잉크젯법을 사용하여, 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하여, 도 9에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.On these, in the same manner as in Example 36, a substrate with barrier ribs was formed in the same lattice pattern as the light-shielding barrier ribs with a pitch of 10 μm in height and 20 μm in width and a pitch of 40 μm on the short side and 280 μm on the long side. got it The color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied to the area isolated by the barrier of the obtained barrier-equipped substrate using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, dried at 100°C for 30 minutes, and the thickness was reduced. A 5.0 μm pixel was formed, and a substrate with a partition having the structure shown in FIG. 9 was obtained.

실시예 75Example 75

실시예 71과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진, 두께 2.5㎛, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 컬러 필터층이 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여, 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 III에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 또한, 무기 보호층 III 상에, 질소 분위기 하에서 잉크젯법을 사용하여, 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켜, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하여, 도 11에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A plasma CVD device (PD-220NL, (manufactured by Samco Corporation) was used to form a silicon nitride film with a thickness of 300 nm, corresponding to the inorganic protective layer III with a thickness of 50 to 1,000 nm. Additionally, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied onto the inorganic protective layer III using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a 5.0 μm thick layer. A pixel was formed, and a substrate with a partition having the structure shown in FIG. 11 was obtained.

실시예 76Example 76

하지 기판으로서 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용해서, 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 IV에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 상기 기판을, 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외는, 실시예 36과 마찬가지의 방법에 의해, 도 12에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. On top of this, a plasma CVD device (PD-220NL, manufactured by Samco) was used to form a silicon nitride film with a thickness of 300 nm, corresponding to the inorganic protective layer IV with a thickness of 50 to 1,000 nm. A substrate with partitions having the configuration shown in FIG. 12 was obtained in the same manner as in Example 36, except that the substrate was used instead of a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm.

실시예 77Example 77

실시예 71과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진, 두께 2.5㎛, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 컬러 필터층이 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)을 도포하고, 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재하여, 노광량 300mJ/㎠(g, h, i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여, 두께 1.0㎛, 짧은 변 40㎛, 긴 변 280㎛의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 또한, 황색 유기 보호층 상에, 질소 분위기 하에서 잉크젯법을 사용하여, 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켜, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하여, 도 11에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The yellow organic material obtained in Preparation Example 7 was placed on a color filter of a substrate with partitions before forming pixels, on which a color filter layer with a thickness of 2.5 μm, a short side of 40 μm, and a long side of 280 μm was formed by the same method as in Example 71. A protective layer forming material (YL-1) was applied and dried in vacuum. A photomask designed to expose the opening area of the substrate with a partition was exposed at an exposure dose of 300 mJ/cm2 (g, h, i lines). After developing with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution for 50 seconds, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes to form a yellow organic protective layer with a thickness of 1.0 μm, a short side of 40 μm, and a long side of 280 μm. Additionally, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied onto the yellow organic protective layer using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a 5.0 μm thick layer. A pixel was formed, and a substrate with a partition having the structure shown in FIG. 11 was obtained.

실시예 78Example 78

하지 기판으로서 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)을 도포하고, 진공 건조하였다. 건조막을, 포토마스크를 개재하지 않고, 노광량 300mJ/㎠ (g, h, i선)로 노광한 후, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행함으로써, 두께 1.0㎛의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 상기 기판을, 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외는, 실시예 36과 마찬가지의 방법에 의해, 도 8에 나타내는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The yellow organic protective layer forming material (YL-1) obtained in Preparation Example 7 was applied thereon and dried in vacuum. The dried film was exposed to light at an exposure dose of 300 mJ/cm2 (g, h, i lines) without a photomask, developed for 50 seconds with a 0.3 wt% tetramethylammonium aqueous solution, and heat cured at 230°C for 30 minutes. By doing this, a yellow organic protective layer with a thickness of 1.0 μm was formed. A substrate with a partition having the structure shown in FIG. 8 was obtained in the same manner as in Example 36, except that the substrate was used instead of a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm.

각 실시예 및 비교예의 구성을 표 4 내지 5에 나타낸다.The composition of each example and comparative example is shown in Tables 4 and 5.

[표 4][Table 4]

Figure pct00017
Figure pct00017

[표 5][Table 5]

Figure pct00018
Figure pct00018

각 실시예 및 비교예에서의 평가 방법을 이하에 나타낸다.The evaluation method in each Example and Comparative Example is shown below.

<(메트)아크릴 폴리머·카르도계 폴리머의 유리 전이 온도><Glass transition temperature of (meth)acrylic polymer and cardo-based polymer>

실시예 및 비교예에서 사용한 본 발명의 수지 조성물 중의 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머에 대해서, DSC 장치(Rigaku사의 「Thermo Plus DSC8230」)를 사용하여 얻어진 서모그램으로부터 산출하였다. DSC 측정은, 질소 하, 승온 속도를 20℃/분으로 해서 행하였다. 유리 전이 온도는, 서모그램에서의 DSC의 승온 곡선에 있어서, 베이스 라인과 변곡점에서의 접선의 교점에 대응하는 온도로서 산출하였다. 변곡점은, 서모그램의 DDSC(DSC의 미분값) 곡선에서의 피크에 대응하는 온도로 하였다. 또한, DSC의 베이스 라인의 확인에는, 적절하게 DDSC 곡선을 참조하였다. 유리 전이 온도(Tg)는, 60℃ 이상인 경우를 「A」, 60℃ 미만인 경우를 「B」로서 평가하였다.The (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer in the resin composition of the present invention used in the examples and comparative examples was calculated from the thermogram obtained using a DSC device (“Thermo Plus DSC8230” manufactured by Rigaku). DSC measurement was performed under nitrogen at a temperature increase rate of 20°C/min. The glass transition temperature was calculated as the temperature corresponding to the intersection of the tangent line at the base line and the inflection point in the DSC temperature rise curve in the thermogram. The inflection point was set as the temperature corresponding to the peak in the DDSC (differential value of DSC) curve of the thermogram. In addition, to confirm the DSC baseline, the DDSC curve was referred to as appropriate. The glass transition temperature (Tg) was evaluated as “A” when it was 60°C or higher, and as “B” when it was less than 60°C.

<저굴절률층의 굴절률><Refractive index of low refractive index layer>

각 실시예에서 사용한 저굴절률층 형성 재료를, 실리콘 웨이퍼 상에 스피너에 의해 도포하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여, 온도 90℃에서 2분간 건조시켰다. 그 후, 오븐(IHPS-222; 에스펙(주)제)을 사용해서, 공기 중 90℃에서 30분간 가열하여, 경화막을 제작하였다. 프리즘 커플러(PC-2000(Metricon(주)제))를 사용해서, 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막 면에 대해서 수직 방향으로 파장 550nm의 광을 조사하여, 굴절률을 측정하고, 소수점 이하 셋째자리를 반올림하였다.The low refractive index layer forming material used in each example was applied on a silicon wafer with a spinner, and heated at 90°C for 2 minutes using a hot plate (product name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.). dried. After that, using an oven (IHPS-222; manufactured by Espec Co., Ltd.), it was heated in air at 90°C for 30 minutes to produce a cured film. Using a prism coupler (PC-2000 (manufactured by Metricon Co., Ltd.)), under atmospheric pressure and 20°C, light with a wavelength of 550 nm is irradiated in a direction perpendicular to the surface of the cured film, and the refractive index is measured. The third digit was rounded off.

<건조막의 비점착성><Non-adhesiveness of dried film>

스핀 코터(상품명 1H-360S, 미카사(주)제)를 사용하여, 각 실시예 및 비교예에서 사용한 격벽용 수지 조성물을, 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 상에, 건조 후의 막 두께가 10㎛로 되도록 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용해서, 온도 100℃에서 3분간 건조시켜, 막 두께 10㎛의 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막 상에, 마스크로 선정한 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판을 겹치도록 1분간 두고, 하기 기준에 의해 건조막의 비점착성을 평가하였다. 유리 기판의 점착이 적을수록, 비점착성이 높아 취급성이 좋은 것을 나타낸다.Using a spin coater (brand name 1H-360S, manufactured by Mikasa Co., Ltd.), the resin composition for partitions used in each Example and Comparative Example was spread on a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm, and the film thickness after drying was It was spin-coated to a thickness of 10 μm and dried at a temperature of 100°C for 3 minutes using a hot plate (trade name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.) to produce a dried film with a film thickness of 10 μm. On the produced dried film, a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm, selected as a mask, was placed overlapping for 1 minute, and the non-adhesiveness of the dried film was evaluated according to the following criteria. The smaller the adhesion of the glass substrate, the higher the non-adhesiveness, indicating better handling.

A: 건조막과 유리 기판을 겹쳐도 점착되지 않고, 유리 기판을 분리한 후, 유리 기판에 격벽 재료 유래의 오염이 생기지 않음.A: Even if the dry film and the glass substrate overlap, there is no adhesion, and after separating the glass substrate, no contamination from the barrier material occurs on the glass substrate.

B: 건조막과 유리 기판을 겹치면 점착되어 달라 붙었지만, 용이하게 유리 기판을 떼어낼 수 있었음. 유리 기판에 격벽 재료 유래의 오염이 약간 생겼음.B: When the dry film and the glass substrate overlapped, they became sticky, but the glass substrate could be easily removed. There was some contamination on the glass substrate from the barrier material.

C: 건조막과 유리 기판을 겹치면 점착되어, 달라 붙었음. 용이하게 유리 기판을 떼어낼 수 없었음. 유리 기판을 떼어낸 후, 유리 기판에 격벽 재료 유래의 오염이 생겼음.C: When the dry film and the glass substrate overlapped, they adhered and stuck together. The glass substrate could not be easily removed. After removing the glass substrate, contamination from the barrier material occurred on the glass substrate.

<크랙 내성><Crack resistance>

각 실시예 및 비교예에서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 가열 후의 막 두께가 각각 10㎛, 15㎛, 20㎛ 및 25㎛로 되도록 스핀 코트하였다. 그 후의 공정에 대해서는, 노광 시에 포토마스크를 개재하지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일한 조건에서 가공하여, 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽 모델로 해서, 솔리드막을 갖는 유리 기판을 목시(目視) 관찰하여, 솔리드막의 크랙 유무를 평가하였다. 1개라도 크랙이 확인된 경우에는, 그 막 두께에서의 크랙 내성은 없다고 판단하였다. 예를 들어, 막 두께 15㎛에서는 크랙이 없고, 막 두께 20㎛에서는 크랙이 있었을 경우에는, 내크랙 막 두께를 「≥15㎛」로 판정하였다. 또한, 25㎛에서도 크랙이 없을 경우의 내크랙 막 두께를 「≥25㎛」, 10㎛에서도 크랙이 있을 경우의 내크랙 막 두께를 「<10㎛」로 각각 판정하여, 크랙 내성으로 하였다.The partition forming resin compositions used in each Example and Comparative Example were spin-coated so that the film thicknesses after heating were 10 μm, 15 μm, 20 μm, and 25 μm, respectively. Regarding the subsequent processes, except that the entire film was exposed without a photomask during exposure, the film was processed under the same conditions as each Example and Comparative Example to produce a solid film on a glass substrate. Using the obtained solid film as a partition model of the partition-equipped substrate obtained in each Example and Comparative Example, the glass substrate having the solid film was visually observed to evaluate the presence or absence of cracks in the solid film. When even one crack was confirmed, it was judged that there was no crack resistance at that film thickness. For example, when there were no cracks at a film thickness of 15 μm and cracks at a film thickness of 20 μm, the crack-resistant film thickness was determined to be “≥15 μm.” In addition, the crack-resistant film thickness when there were no cracks even at 25 ㎛ was determined as “≥25 ㎛”, and the crack-resistant film thickness when there were cracks at 10 ㎛ was determined as “<10 ㎛”, respectively, to determine crack resistance.

<주름 내성><Wrinkle resistance>

각 실시예 및 비교예에서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 가열 후의 막 두께가 각각 10㎛, 15㎛, 20㎛ 및 25㎛로 되도록 스핀 코트하였다. 그 후의 공정에 대해서는, 노광 시에 포토마스크를 개재하지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일한 조건에서 가공하여, 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽 모델로 해서, 솔리드막을 갖는 유리 기판을 목시 관찰하여, 솔리드막의 주름 유무를 평가하였다. 주름이 확인된 경우에는, 그 막 두께에서의 주름 내성은 없다고 판단하였다. 예를 들어, 막 두께 15㎛에서는 주름이 없고, 막 두께 20㎛에서는 주름이 있었을 경우에는, 주름 내성을 「≥15㎛」로 판정하였다. 또한, 25㎛에서도 주름이 없을 경우의 주름 내성을 「≥25㎛」, 10㎛에서도 주름이 있을 경우의 주름 내성을 「<10㎛」로 각각 판정하여, 주름 내성으로 하였다.The partition forming resin compositions used in each Example and Comparative Example were spin-coated so that the film thicknesses after heating were 10 μm, 15 μm, 20 μm, and 25 μm, respectively. Regarding the subsequent processes, except that the entire film was exposed without a photomask during exposure, the film was processed under the same conditions as each Example and Comparative Example to produce a solid film on a glass substrate. Using the obtained solid film as a barrier model for the barrier rib-equipped substrates obtained in each Example and Comparative Example, the glass substrate with the solid film was visually observed to evaluate the presence or absence of wrinkles in the solid film. When wrinkles were confirmed, it was judged that there was no wrinkle resistance at that film thickness. For example, when there were no wrinkles at a film thickness of 15 μm, but there were wrinkles at a film thickness of 20 μm, the wrinkle resistance was determined to be “≥15 μm.” In addition, the wrinkle resistance when there were no wrinkles at 25 ㎛ was determined as “≥25 ㎛”, and the wrinkle resistance when there were wrinkles at 10 ㎛ was determined as “<10 ㎛”, respectively, and were determined as wrinkle resistance.

<1% 중량 감소 온도><1% weight loss temperature>

각 실시예 및 비교예에서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, Si 웨이퍼 상에 가열 후의 막 두께가 10㎛로 되도록 스핀 코트하였다. 그 후의 공정에 대해서는, 노광 시에 포토마스크를 개재하지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일한 조건에서 가공하여, 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 이어서 Si 웨이퍼 상에 제작한 솔리드막의 일부를, 불순물이 혼합되지 않도록 주의해서 깎아내고, 알루미늄 셀에 약 100mg 넣었다. 열중량 측정 장치(TGA-50, (주)시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여, 질소 분위기 중, 150℃에서 30분간 유지한 후, 승온 속도 10℃/분으로 400℃까지 가열해서 중량을 측정하였다. 승온 개시 시의 중량으로부터 1중량% 감소한 온도를, 1% 중량 감소 온도로 하였다. 1% 중량 감소 온도가 높을수록 내열성이 높은 것을 나타낸다.The partition forming resin composition used in each Example and Comparative Example was spin-coated on a Si wafer so that the film thickness after heating was 10 μm. Regarding the subsequent processes, except that the entire film was exposed without a photomask during exposure, the film was processed under the same conditions as each Example and Comparative Example to produce a solid film on a glass substrate. Next, a portion of the solid film produced on the Si wafer was carefully scraped off to avoid mixing impurities, and about 100 mg was placed in an aluminum cell. Using a thermogravimetric measuring device (TGA-50, manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd.), the weight was measured by maintaining the temperature at 150°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere and then heating it to 400°C at a temperature increase rate of 10°C/min. . The temperature at which the weight decreased by 1% by weight from the start of temperature increase was designated as the 1% weight reduction temperature. The higher the 1% weight loss temperature, the higher the heat resistance.

<해상도><Resolution>

스핀 코터(상품명 1H-360S, 미카사(주)제)를 사용하여, 각 실시예 및 비교예에서 사용한 격벽용 수지 조성물을, 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 상에, 가열 후의 막 두께가 10㎛로 되도록 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여, 온도 100℃에서 3분간 건조시켜, 막 두께 10㎛의 건조막을 제작하였다.Using a spin coater (brand name 1H-360S, manufactured by Mikasa Co., Ltd.), the resin composition for partitions used in each Example and Comparative Example was spread on a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm, and the film thickness after heating was measured. It was spin-coated to a thickness of 10 μm and dried at a temperature of 100° C. for 3 minutes using a hot plate (trade name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.) to produce a dried film with a film thickness of 10 μm.

제작한 건조막을, 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용해서, 초고압 수은등을 광원으로 해서 100㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, 30㎛ 및 20㎛의 각 폭의 라인&스페이스 패턴을 갖는 마스크를 개재하여 노광량 300mJ/㎠(i선)로, 100㎛의 갭으로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용해서 100초간 샤워 현상하고, 이어서 물을 사용하여 30초간 린스하였다.The produced dry film was aligned at 100㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, 30㎛, 50㎛, 40㎛, 50㎛, 50㎛, 40㎛, 50㎛, 50㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, 100㎛, 80㎛, 100㎛, 100㎛, 80㎛, 60㎛, 100㎛, 80㎛, 100㎛, 50㎛, 40㎛, 60㎛, 100㎛, 80㎛, 50㎛, 100㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, etc. Exposure was performed at an exposure dose of 300 mJ/cm2 (i line) and a gap of 100 μm through a mask having a line and space pattern with a width of 20 μm. Afterwards, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was performed for 100 seconds using a 0.045% by weight potassium hydroxide aqueous solution, followed by 30 seconds using water. rinsed.

배율 100배로 조정한 현미경을 사용해서, 현상 후의 패턴을 확대 관찰하여, 미노광부에 잔사가 확인되지 않는 패턴 중, 가장 좁은 선폭을 해상도로 하였다. 단, 100㎛ 폭의 패턴 부근의 미노광부에도 잔사가 있을 경우는 「>100㎛」로 하였다.Using a microscope adjusted to a magnification of 100x, the pattern after development was observed enlarged, and the narrowest line width among the patterns in which no residue was observed in the unexposed area was set as the resolution. However, if there was residue even in the unexposed area near the 100㎛ wide pattern, it was set as “>100㎛”.

<반사율><Reflectance>

각 실시예 및 비교예에서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 노광 시에 포토마스크를 개재하지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일한 조건에서 가공하여, 유리 기판 상에 높이 10㎛의 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽 모델로 해서, 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대해서, 분광 측색계(상품명 CM-2600d, 코니카 미놀타(주)제)를 사용하여, 솔리드막측으로부터 SCI 모드에서 파장 350 내지 750nm에서의 반사율을 측정하고, 대푯값으로서 550nm의 값을 비교하였다. 단, 솔리드막에 크랙이나 주름이 발생한 경우는, 균열 등이 원인으로 정확한 값을 얻을 수 없기 때문에, 반사율의 측정은 실시하지 않았다.The partition-forming resin composition used in each Example and Comparative Example was processed under the same conditions as each Example and Comparative Example, except that the entire resin composition was exposed without a photomask during exposure, and was placed on a glass substrate with a height of 10 μm. A solid film was produced. Using the obtained solid film as a barrier model for the barrier rib-equipped substrate obtained in each of the examples and comparative examples, a solid film was measured using a spectrophotometer (product name: CM-2600d, manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) on a glass substrate with a solid film. The reflectance at a wavelength of 350 to 750 nm was measured in SCI mode from the film side, and the value of 550 nm was compared as a representative value. However, when cracks or wrinkles occurred in the solid film, the reflectance was not measured because accurate values could not be obtained due to cracks, etc.

<OD값><OD value>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로, 유리 기판 상에 높이 10㎛의 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대해서, 광학 농도계(히타치 하이테크 사이언스제 U-4100)를 사용해서 입사광 및 투과광의 강도를 측정하여, 상술한 식 (1)에 의해 파장 300 내지 800nm에서의 OD값을 산출하고, 대푯값으로서 450nm의 값을 비교하였다.As a partition model of the partition-equipped substrate obtained in each Example and Comparative Example, a solid film with a height of 10 μm was produced on a glass substrate in the same manner as the evaluation of reflectance. For the obtained glass substrate with a solid film, the intensity of incident light and transmitted light was measured using an optical densitometer (U-4100 manufactured by Hitachi High-Tech Science), and the OD value at a wavelength of 300 to 800 nm was calculated using the above-mentioned equation (1). And the value of 450 nm was compared as a representative value.

또한, 실시예 70에 대해서, 차광 격벽(A-2)의 모델로서, 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대해서, 광학 농도계(히타치 하이테크 사이언스제 U-4100)를 사용해서 입사광 및 투과광의 강도를 측정하여, 상술한 식 (1)에 의해 산출하였다.Additionally, for Example 70, a solid film was similarly produced on a glass substrate as a model of the light-shielding partition A-2. For the obtained glass substrate with a solid film, the intensity of incident light and transmitted light was measured using an optical densitometer (U-4100 manufactured by Hitachi High-Tech Science) and calculated using the above-mentioned formula (1).

<테이퍼 각도><Taper angle>

각 실시예 및 비교예에서, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 임의의 단면을, 광학 현미경(FE-SEM(S-4800); (주)히다치 세이사꾸쇼제)을 사용해서, 가속 전압 3.0kV로 관측하여, 테이퍼 각도를 측정하였다.In each Example and Comparative Example, an arbitrary cross section of the substrate with a partition before pixel formation was examined using an optical microscope (FE-SEM (S-4800); manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.) at an acceleration voltage of 3.0 kV. By observation, the taper angle was measured.

<선폭 굵기><Line width thickness>

하지 기판으로서 한 변이 10cm인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하여, 그 위에 각 실시예 및 비교예에 사용한 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용해서, 온도 100℃에서 3분간 건조시켜, 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을, 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용해서, 초고압 수은등을 광원으로 해서 포토마스크(설계: 격벽 폭 20㎛, 개구 짧은 변 80㎛, 개구 긴 변 280㎛)를 개재하여, 노광량 100mJ/㎠ 및 500mJ/㎠(g, h, i선을 조사. 노광량은 i선 환산값)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용해서, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 이어서 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용해서, 공기 중, 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 격자상 패턴으로 형성된 높이 10㎛의 격벽을 형성하였다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used, and the resin composition for partitions used in each Example and Comparative Example was spin-coated thereon, and then hot coated. A plate (trade name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.) was used and dried at a temperature of 100°C for 3 minutes to produce a dried film. The produced dry film was aligned with a photomask (design: partition width 20㎛, aperture short side 80㎛, aperture long) using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source. Edges of 280 μm) were exposed at exposure doses of 100 mJ/cm 2 and 500 mJ/cm 2 (g, h, and i lines were irradiated. Exposure doses were converted to i line values). After that, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was performed for 100 seconds using a 0.045% by weight potassium hydroxide aqueous solution, followed by 30 seconds using water. rinsed. Additionally, using an oven (trade name: IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), it was heated in air at a temperature of 230°C for 30 minutes to form partition walls with a height of 10 μm formed in a lattice pattern on the glass substrate.

배율 100배로 조정한 현미경을 사용해서, 격벽 패턴을 확대 관찰하여, 격벽 선폭을 측정하고, 노광량 100mJ/㎠ 및 500mJ/㎠일 때의 선폭을 비교하였다. 선폭 굵어짐에 대해서, 이하의 기준에 의해 평가하였다. 또한, 패턴이 현상 시에 박리되었을 경우나, 잔사가 발생해서 측정 곤란한 경우는, 평가하지 않았다.Using a microscope adjusted to a magnification of 100 times, the barrier pattern was observed enlarged, the barrier line width was measured, and the line widths at exposure doses of 100 mJ/cm 2 and 500 mJ/cm 2 were compared. The thickening of the line width was evaluated according to the following criteria. Additionally, evaluation was not conducted in cases where the pattern peeled off during development or when measurement was difficult because residues were generated.

A: 노광량 500mJ/㎠로 가공한 격벽의 선폭이, 노광량 100mJ/㎠로 가공한 격벽의 선폭에 비하여 +5.0㎛ 이내임.A: The line width of the partition processed with an exposure dose of 500 mJ/cm2 is within +5.0㎛ compared to the line width of the partition processed with an exposure dose of 100 mJ/cm2.

B: 노광량 500mJ/㎠로 가공한 격벽의 선폭이, 노광량 100mJ/㎠로 가공한 격벽의 선폭에 비하여 +5.0㎛ 내지 +10㎛임.B: The line width of the partition processed with an exposure dose of 500 mJ/cm2 is +5.0㎛ to +10㎛ compared to the line width of the partition processed with an exposure dose of 100 mJ/cm2.

C: 노광량 500mJ/㎠로 가공한 격벽의 선폭이, 노광량 100mJ/㎠로 가공한 격벽의 선폭에 비하여 +10㎛ 이상임.C: The line width of the partition processed with an exposure dose of 500 mJ/cm2 is more than +10㎛ compared to the line width of the partition processed with an exposure dose of 100 mJ/cm2.

<표면 접촉각><Surface contact angle>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에서의 격벽의 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로, 유리 기판 상에 높이 10㎛의 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막의 표면에 대해서, 교와 가이멘 가가쿠(주)제 DM-700, 마이크로시린지: 교와 가이멘 가가쿠(주)제 접촉각계용 테플론(등록 상표) 코트 바늘 22G를 사용해서, 25℃, 대기 중에서, JIS R3257(제정 연월일=1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거하여, 표면 접촉각을 측정하였다. 단, 물 대신에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 사용하여, 솔리드막의 표면과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 접촉각을 측정하였다.As a model of the partition in the partition-equipped substrate obtained in each Example and Comparative Example, a solid film with a height of 10 μm was produced on a glass substrate in the same manner as the evaluation of the reflectance. For the surface of the obtained solid film, DM-700 manufactured by Kyowa Kaimen Chemical Co., Ltd., microsyringe: Teflon (registered trademark) coat needle for contact angle meter 22G manufactured by Kyowa Gaimen Chemical Co., Ltd., 25 The surface contact angle was measured in air at ℃ in accordance with the wettability test method for the substrate glass surface specified in JIS R3257 (date of establishment = 1999/04/20). However, propylene glycol monomethyl ether acetate was used instead of water, and the contact angle between the surface of the solid film and propylene glycol monomethyl ether acetate was measured.

<잉크젯 도포성><Inkjet applicability>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분에 대해서, PGMEA를 잉크로 해서, 잉크젯 도포 장치(InkjetLabo, 클러스터 테크놀로지(주)제)를 사용하여, 잉크젯 도포를 행하였다. 1개의 격자상 패턴당 160pL의 PGMEA를 도포해서, 결괴(잉크가 격벽을 타고 넘어가 인접한 화소 부분에 혼입되는 현상)의 유무를 관찰하여, 하기 기준에 의해 잉크젯 도포성을 평가하였다. 결괴가 적을수록 발액 성능이 높아, 잉크젯 도포성이 우수한 것을 나타낸다.In the substrate with partitions before forming pixels obtained in each of the examples and comparative examples, an inkjet coating device (InkjetLabo, manufactured by Cluster Technology Co., Ltd.) was applied using PGMEA as ink for the pixel portion surrounded by the grid-like partitions. Inkjet coating was performed using . 160 pL of PGMEA was applied per grid pattern, the presence or absence of nodules (a phenomenon in which ink passes over the partition wall and mixes into adjacent pixel parts) was observed, and inkjet applicability was evaluated according to the following criteria. The smaller the nodules, the higher the liquid repellency, indicating excellent inkjet applicability.

A: 잉크가 화소 내에서 넘치지 않았음.A: The ink did not overflow within the pixel.

B: 일부분에서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘치기 시작함.B: Ink begins to overflow from within the pixel onto the upper surface of the partition in some areas.

C: 전체면에서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘치기 시작함.C: Ink begins to overflow from within the pixel to the upper surface of the partition on the entire surface.

<높이><height>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에 대해서, 서프콤 촉침식 막 두께 측정 장치를 사용하여, 화소(B) 형성 전후의 구조체 높이를 측정하고, 그 차분을 산출함으로써, 화소(B)의 높이를 측정하였다. 실시예 72 내지 74에 대해서는 또한 저굴절률층(C)의 막 두께를, 실시예 71, 74 내지 75, 77에 대해서는 또한 컬러 필터의 막 두께를, 실시예 70, 74에 대해서는 또한 차광 격벽의 두께(높이)를, 실시예 77, 78에 대해서는 또한 황색 유기 보호층의 두께(높이)를, 각각 마찬가지로 측정하였다. 또한, 실시예 73 내지 76에 대해서는, 크로스 섹션 폴리셔 등의 연마 장치를 사용해서, 하지 기판에 대해서 수직인 단면을 노출시켜, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경으로 단면을 확대 관찰함으로써, 각각 무기 보호층의 높이를 측정하였다.For the substrates with partitions obtained in each of the examples and comparative examples, the height of the structure before and after forming the pixel B is measured using a Surfcom stylus film thickness measuring device, and the difference is calculated to determine the pixel B. The height was measured. For Examples 72 to 74, the film thickness of the low refractive index layer (C), for Examples 71, 74 to 75, and 77, the film thickness of the color filter, and for Examples 70 and 74, the thickness of the light-shielding partition. (height) and the thickness (height) of the yellow organic protective layer were measured similarly for Examples 77 and 78. Additionally, for Examples 73 to 76, a cross section perpendicular to the base substrate was exposed using a polishing device such as a cross section polisher, and the cross section was observed enlarged with a scanning electron microscope or transmission electron microscope, respectively. The height of the protective layer was measured.

<휘도><Luminance>

시판되고 있는 LED 백라이트(피크 파장 465nm)를 탑재한 면상 발광 장치를 광원으로 해서, 화소부가 광원측이 되도록 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을 설치하였다. 이 면상 발광 장치에 30mA의 전류를 흘려서 LED 소자를 점등시키고, 분광 방사 휘도계(CS-1000, 코니카 미놀타사제)를 사용해서, CIE1931 규격에 기초하는 휘도(단위: cd/㎡)를 측정하여, 초기 휘도로 하였다. 단, 휘도의 평가는, 실시예 67의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다. 또한, 실온(23℃)에서, LED 소자를 48시간 점등한 후, 마찬가지로 휘도를 측정하여, 휘도의 경시 변화를 평가하였다. 단, 휘도의 평가는, 실시예 67의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다.Using an area light emitting device equipped with a commercially available LED backlight (peak wavelength 465 nm) as a light source, the substrates with partitions obtained in each Example and Comparative Example were installed so that the pixel portion was on the light source side. A current of 30 mA is passed through this area light emitting device to light up the LED element, and the luminance (unit: cd/m2) based on the CIE1931 standard is measured using a spectroradiometer (CS-1000, manufactured by Konica Minolta). It was set as the initial luminance. However, the luminance was evaluated using relative values using the initial luminance of Example 67 as 100, which is the standard. Additionally, after the LED element was turned on for 48 hours at room temperature (23°C), the luminance was similarly measured to evaluate changes in luminance over time. However, the luminance was evaluated using relative values using the initial luminance of Example 67 as 100, which is the standard.

<색 특성><Color characteristics>

시판되고 있는 백색 반사판 상에, 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을, 화소가 백색 반사판측에 배치되도록 설치하였다. 분광 측색계(CM-2600d, 코니카 미놀타사제, 측정 직경 φ8mm)를 사용해서, 격벽 구비 기판의 하지 기판측으로부터 광을 조사하여, 정반사광이 포함된 스펙트럼을 측정하였다.On a commercially available white reflector, the substrates with partitions obtained in each Example and Comparative Example were installed so that the pixels were arranged on the white reflector side. Using a spectroscopic colorimeter (CM-2600d, manufactured by Konica Minolta, measurement diameter ϕ8 mm), light was irradiated from the base substrate side of the substrate with a partition, and the spectrum containing regular reflected light was measured.

자연계의 색을 거의 재현할 수 있는 색 규격 BT.2020이 정하는 색 영역은, 색도도에 나타내지는 스펙트럼 궤적 상의 적, 녹 및 청이 삼원색으로서 규정되어 있고, 적, 녹 및 청의 파장은 각각 630nm, 532nm 및 467nm에 상당하고 있다. 얻어진 반사 스펙트럼의 470nm, 530nm 및 630nm의 3개의 파장의 반사율(R)로부터, 화소의 발광색에 대해서 이하의 기준에 의해 평가하였다.The color gamut defined by BT.2020, a color standard that can almost reproduce the colors of the natural world, defines red, green, and blue as the three primary colors on the spectral locus shown in the chromaticity diagram, and the wavelengths of red, green, and blue are 630 nm and 532 nm, respectively. and 467 nm. From the reflectance (R) of the obtained reflection spectrum at three wavelengths of 470 nm, 530 nm, and 630 nm, the emission color of the pixel was evaluated according to the following criteria.

A: R530/(R630+R530+R470)≥0.55A: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )≥0.55

B: R530/(R630+R530+R470)<0.55B: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )<0.55

<표시 특성><Display characteristics>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판과 유기 EL 소자를 조합해서 제작한 표시 장치의 표시 특성을, 이하의 기준에 기초하여 평가하였다.The display characteristics of the display device produced by combining the organic EL element and the barrier-walled substrate obtained in each Example and Comparative Example were evaluated based on the following criteria.

A: 녹 표시가 매우 풍부하며, 선명하고 콘트라스트가 우수한 표시 장치임.A: This is a display device with very rich rust marks and is clear and has excellent contrast.

B: 색채에 약간 부자연스러움이 보이기는 하지만, 문제가 없는 표시 장치임.B: Although the colors appear slightly unnatural, it is a display device with no problems.

<혼색><Color Mix>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분의 일부에, 잉크젯법을 사용하여, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켜, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다. 그 후, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)를 도포한 영역의 인접 영역에, 잉크젯법을 사용하여, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켜, 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다.In the barrier rib-equipped substrates obtained in each Example and Comparative Example before pixel formation, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) is applied to a portion of the pixel portion surrounded by the grid-like barrier ribs using an inkjet method. and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0㎛. Thereafter, among the pixel portions surrounded by grid-like partitions, the color conversion light emitting material composition (CL-3) is applied to an area adjacent to the area where the color conversion light emitting material composition (CL-2) has been applied, using an inkjet method. , and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm.

한편, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분과 동일한 폭을 갖는 청색 유기 EL 셀을 제작하고, 상술한 격벽 구비 기판과 청색 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합하여, 도 15에 나타내는 구성의 표시 장치를 얻었다. 도 15에서의 청색 유기 EL 셀(11) 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소(3)(CL-2)의 바로 아래에 접합한 청색 유기 EL 셀만을 점등시킨 상태에서, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)으로 형성된 화소(3)(CL-3) 부분에 대해서, 현미 분광 광도계 LVmicro-V(람다 비전(주)제)를 사용하여, 파장 630nm에서의 흡광 강도 A(630nm)를 측정하였다. 흡광 강도 A(630nm)의 값이 작을수록, 혼색을 일으키기 어려운 것을 나타내고 있다. 하기 판정 기준에 의해 혼색을 판정하였다.On the other hand, a blue organic EL cell having the same width as the pixel portion surrounded by the grid-like barrier ribs was fabricated, the barrier-equipped substrate described above and the blue organic EL cell were opposed to each other and bonded with a sealant to produce a display device with the configuration shown in Fig. 15. got it Among the blue organic EL cells 11 in FIG. 15, only the blue organic EL cell bonded immediately below the pixel 3 (CL-2) formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-2) is turned on, For the pixel (3) (CL-3) portion formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-3), the absorption intensity A at a wavelength of 630 nm was measured using a microspectrophotometer LVmicro-V (manufactured by Lambda Vision Co., Ltd.) (630 nm) was measured. The smaller the value of light absorption intensity A (630 nm), the more difficult it is to cause color mixing. Color mixing was determined based on the following criteria.

A: A(630nm)<0.01A: A(630nm)<0.01

B: 0.01≤A(630nm)≤0.5B: 0.01≤A(630nm)≤0.5

C: 0.5<A(630nm)C: 0.5<A (630nm)

각 실시예 및 비교예 평가 결과를 표 6 내지 7에 나타낸다.The evaluation results of each Example and Comparative Example are shown in Tables 6 and 7.

[표 6][Table 6]

Figure pct00019
Figure pct00019

[표 7][Table 7]

Figure pct00020
Figure pct00020

1: 하지 기판
2: 격벽
3: 화소
3(CL-2): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소
3(CL-3): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)으로 형성된 화소
4: 차광 격벽
5: 컬러 필터
6: 저굴절률층
7: 무기 보호층
8: 무기 보호층 II
9: 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층
10: 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층
11: 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원
12: 청색 유기 EL 셀
H: 격벽의 두께
L: 격벽의 폭
θ: 테이퍼 각도
1: not substrate
2: Bulkhead
3: Pixel
3 (CL-2): Pixel formed from color conversion light-emitting material composition (CL-2)
3 (CL-3): Pixel formed from color conversion light-emitting material composition (CL-3)
4: Light-shading bulkhead
5: Color filter
6: Low refractive index layer
7: Inorganic protective layer
8: Inorganic protection layer II
9: Inorganic protective layer III and/or yellow organic protective layer
10: Inorganic protective layer IV and/or yellow organic protective layer
11: Light emitting light source selected from organic EL cells, mini LED cells and micro LED cells
12: Blue organic EL cell
H: Thickness of bulkhead
L: Width of bulkhead
θ: Taper angle

Claims (16)

(i) 광 라디칼 발생제와,
(ii) 힌더드 페놀 화합물 및/또는 힌더드 아민 화합물과,
(iii) 하기 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 방향환을 갖는 구조와 하기 일반식 (3)으로 표현되는 광 라디칼 중합성기를 갖는 구조를 포함하는 폴리실록산과,
(iv) 하기 일반식 (4)로 표현되는 방향환을 갖는 구조와 하기 일반식 (5)로 표현되는 광 라디칼 중합성기를 갖는 구조를 포함하는 (메트)아크릴 폴리머 및/또는, 하기 일반식 (6) 혹은 하기 일반식 (7)로 표현되는 구조와 광 라디칼 중합성기를 갖는 카르도계 폴리머를 함유하는 수지 조성물이며, 상기 폴리실록산의 중량과 (메트)아크릴 폴리머 및 카르도계 폴리머의 합계 중량의 비가 30/70 내지 70/30인, 수지 조성물.

(일반식 (1) 내지 (7) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 실록산 결합을 갖는 기 또는 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기를 나타낸다. R5 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 인접하는 R5 내지 R7끼리 형성한 환이 방향환으로 되는 기를 나타낸다. R8은 수소, 탄소수 1 내지 30의 1가의 유기기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타낸다. X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 방향환을 갖는 유기기를 나타낸다. Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 광 라디칼 중합성기를 갖는 유기기를 나타낸다. p, q, r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, s는 1 내지 2의 정수를 나타낸다. a, b, c, d, e, f 및 g는 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타낸다. a 내지 e가 2 이상일 경우, 복수의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, X3, X4, Y1 및 Y2는 각각 동일하여도 다르게 되어 있어도 된다.)
(i) a photo radical generator,
(ii) hindered phenol compounds and/or hindered amine compounds,
(iii) a polysiloxane containing a structure having an aromatic ring represented by the following general formula (1) or (2) and a structure having a radical photopolymerizable group represented by the following general formula (3),
(iv) a (meth)acrylic polymer comprising a structure having an aromatic ring represented by the following general formula (4) and a structure having a radical photopolymerizable group represented by the following general formula (5) and/or the following general formula ( 6) Alternatively, it is a resin composition containing a cardo-based polymer having a structure represented by the following general formula (7) and a radical photopolymerizable group, wherein the ratio of the weight of the polysiloxane to the total weight of the (meth)acrylic polymer and the cardo-based polymer is 30. /70 to 70/30, a resin composition.

(In General Formulas (1) to (7), R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, a hydroxy group, a group having a siloxane bond, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms. R 3 and R 4 are each independently R 5 to R 7 each independently represent hydrogen, a hydroxy group, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an adjacent R 5 to 30. R 8 represents hydrogen, a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms , or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms . Y 1 and Y 2 each independently represent an organic group having a radical photopolymerizable group, and p, q, and r are each independently an integer of 0 to 2. a, b, c, d, e, f and g each independently represent an integer of 1 or more, and when a to e are 2 or more, a plurality of R 1 , R 2 , R 3 , R 4 . R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , X 3 , X 4 , Y 1 and Y 2 may be the same or different.)
제1항에 있어서, 상기 힌더드 페놀 화합물이, 1분자 중에 2개 이상의 힌더드 페놀기를 갖는 힌더드 페놀 화합물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the hindered phenol compound is a hindered phenol compound having two or more hindered phenol groups in one molecule. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 힌더드 아민 화합물이, 피페리딘 화합물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the hindered amine compound is a piperidine compound. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 힌더드 아민 화합물이, 광중합성기를 갖는 피페리딘 화합물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the hindered amine compound is a piperidine compound having a photopolymerizable group. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리실록산의 중량 평균 분자량이 5,000 내지 300,000이며, 상기 폴리실록산의 전체 반복 단위 중, 상기 일반식 (1) 또는 (2)로 표현되는 반복 단위를 30 내지 70몰%, 상기 일반식 (3)으로 표현되는 반복 단위를 15 내지 70몰% 함유하는, 수지 조성물.The method according to claim 1 or 2, wherein the weight average molecular weight of the polysiloxane is 5,000 to 300,000, and the repeating unit represented by the general formula (1) or (2) is 30 to 70 moles among all repeating units of the polysiloxane. A resin composition containing 15 to 70 mol% of a repeating unit represented by the general formula (3). 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (메트)아크릴 폴리머 및/또는 카르도계 폴리머의 유리 전이 온도가, 60℃ 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the (meth)acrylic polymer and/or cardo-based polymer has a glass transition temperature of 60°C or higher. 제1항 또는 제2항에 있어서, 백색 안료, 차광 안료 및 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물 중 적어도 1종 이상을 더 함유하는, 수지 조성물.The method according to claim 1 or 2, further comprising at least one of a white pigment, a light-shielding pigment, and an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium. Resin composition. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광 라디칼 발생제로서, 옥심에스테르 화합물 및 포스핀옥사이드 화합물을 함유하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, which contains an oxime ester compound and a phosphine oxide compound as the photo radical generator. 제1항 또는 제2항에 있어서, 광중합성기를 갖는 발액 화합물을 더 함유하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, further comprising a liquid-repellent compound having a photopolymerizable group. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 차광막.A light-shielding film formed by curing the resin composition according to claim 1 or 2. 하지 기판 상에 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물에 의해 (A-1) 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판이며, 상기 격벽의 파장 550nm에서의 두께 10㎛당 반사율이 10% 내지 60%, 파장 450nm에서의 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인, 격벽 구비 기판.A substrate with barrier ribs having barrier ribs patterned (A-1) with the resin composition according to claim 1 or 2 on a base substrate, wherein the barrier ribs have a reflectance of 10% to 60% per 10 μm of thickness at a wavelength of 550 nm. , a substrate with a partition having an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm of thickness at a wavelength of 450 nm. 제11항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이, 수지와, 백색 안료와, 차광 안료를 함유하고, 상기 차광 안료가, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20인 혼합 안료 및 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금, 은으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자에서 선택된 안료인, 격벽 구비 기판.The method according to claim 11, wherein the (A-1) patterned partition contains a resin, a white pigment, and a light-shielding pigment, and the light-shielding pigment is one of titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, a red pigment, and a blue pigment. A mixed pigment with a weight ratio of 20/80 to 80/20 and at least one metal oxide selected from the group consisting of palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold, and silver, or particles containing a metal. Pigment, substrate with partition walls. 제11항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이, 또한 힌더드 아민 화합물을 함유하는, 격벽 구비 기판.The substrate with a barrier rib according to claim 11, wherein the (A-1) patterned barrier rib further contains a hindered amine compound. 제11항에 있어서, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 사이에, 또한 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 차광 격벽을 갖는, 격벽 구비 기판.The substrate with a partition according to claim 11, further comprising a patterned light-shielding partition between the base substrate and the patterned partition (A-1) and (A-2) having an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm of thickness. 제11항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽에 의해 격리되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 더 함유하는 화소층을 갖는, 격벽 구비 기판.12. The substrate with a barrier rib according to claim 11, which has a pixel layer further containing (B) color conversion light emitting material arranged and separated by the (A-1) patterned barrier rib. 제11항에 기재된 격벽 구비 기판과, 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀에서 선택된 발광 광원을 갖는 표시 장치.A display device comprising the barrier rib-equipped substrate according to claim 11 and a light emission source selected from a liquid crystal cell, an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131683A (en) 1998-10-29 2000-05-12 Hitachi Ltd Color display device
JP2000347394A (en) 1999-06-07 2000-12-15 Toray Ind Inc Photosensitive paste, member for display and display
JP2006259421A (en) 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photocurable resin composition for black matrix formation, photosensitive film using the same, black matrix forming method, black matrix and plasma display panel having the black matrix
JP2009244383A (en) 2008-03-28 2009-10-22 Fujifilm Corp Liquid crystal display device
WO2020008969A1 (en) 2018-07-05 2020-01-09 東レ株式会社 Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5181725B2 (en) * 2008-02-27 2013-04-10 日本ゼオン株式会社 Photosensitive resin composition, laminate, method for producing the same, and electronic component
TWI553409B (en) * 2011-08-31 2016-10-11 Asahi Kasei E Materials Corp Hardened
JP6456632B2 (en) * 2013-09-05 2019-01-23 三洋化成工業株式会社 Photosensitive resin composition
CN111771163B (en) * 2018-03-14 2023-06-02 东丽株式会社 Negative photosensitive coloring composition, cured film, and touch panel using same
JP7409087B2 (en) * 2018-08-09 2024-01-09 東レ株式会社 Photosensitive resin compositions, photosensitive sheets, cured films thereof, manufacturing methods thereof, electronic components

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131683A (en) 1998-10-29 2000-05-12 Hitachi Ltd Color display device
JP2000347394A (en) 1999-06-07 2000-12-15 Toray Ind Inc Photosensitive paste, member for display and display
JP2006259421A (en) 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photocurable resin composition for black matrix formation, photosensitive film using the same, black matrix forming method, black matrix and plasma display panel having the black matrix
JP2009244383A (en) 2008-03-28 2009-10-22 Fujifilm Corp Liquid crystal display device
WO2020008969A1 (en) 2018-07-05 2020-01-09 東レ株式会社 Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto

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