KR20240057960A - 방전 램프 - Google Patents

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KR20240057960A
KR20240057960A KR1020230023756A KR20230023756A KR20240057960A KR 20240057960 A KR20240057960 A KR 20240057960A KR 1020230023756 A KR1020230023756 A KR 1020230023756A KR 20230023756 A KR20230023756 A KR 20230023756A KR 20240057960 A KR20240057960 A KR 20240057960A
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electrode
coating layer
tungsten
discharge lamp
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KR1020230023756A
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히로시 코다이라
노리유키 사카이
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가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼
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Abstract

(과제) 램프 점등 동안, 코팅 기능을 효과적으로 발휘할 수 있는 코팅을 전극 표면에 실시한 방전 램프를 제공한다.
(해결 수단) 방전 램프(10)에 있어서, 전극(30)의 동체부(34)의 표면에 코팅층(44)을 형성하고, 코팅층(44)의 표면에 텅스텐 입자를 점재, 산재시키도록 부착시키고 있다. 그리고, 텅스텐 입자의 부착량은 전극 축(C)을 따라 전극 선단 측에 가까울수록 많아지는 농도 분포를 가진다.

Description

방전 램프{DISCHARGE LAMP}
본 발명은 쇼트 아크(Short arc)형 방전 램프 등의 방전 램프에 관한 것으로, 특히, 전극 표면에 대한 코팅에 관한 것이다.
방전 램프는, 점등 중에 전극 선단부가 고온이 되고, 텅스텐 등의 전극 재료가 용융, 증발하여, 방전관이 흑화(黑化)되어, 램프 조도 저하를 초래한다. 전극 선단부를 포함한 전극의 과열을 방지하기 위해, 예를 들면, 전극 동체부 측면을 나사상의 홈으로 표면적을 크게 하고, 그 홈 위에, 텅스텐의 분말을 소결(燒結)시켜, 방열층을 형성한다(특허문헌 1 참조).
또한, 방열 부재를 전극 본체부에 소결시킨 방전 램프가 알려져 있다(특허문헌 2 참조). 거기에서는, 전극 본체부보다 열전도성이 높은 세라믹스 재료로 이루어지는 중공(中空) 원통상의 방열 부재를 전극 본체에 소결시키고, 전극 측면 측으로부터 방열시킴으로써, 전극 온도의 상승을 억제한다.
일본 특허공개 2000-306546호 공보 일본 특허공개 2008-186790호 공보
램프 점등 중, 전극 과열에 의해 전극 재료(예를 들면 텅스텐 등)의 일부가 증발하고, 그 증발물의 일부는 전극 표면에 부착된다. 이것은, 전극 표면이 세라믹스 재료로 이루어지는 방열 부재 표면으로 형성되어 있어도, 동일하다. 이러한 전극 재료의 전극 표면에의 부착은, 세라믹스 재료에 의한 방열 기능을 저하시키는 것으로 이어진다.
따라서, 램프 점등 동안, 전극 표면으로부터의 방열 기능을 효과적으로 발휘할 수 있는 방전 램프를 제공하는 것이 요구된다.
본 발명의 일 태양인 방전 램프는, 방전관과, 방전관 내에 대향 배치되는 한 쌍의 전극을 구비하고, 적어도 한쪽의 전극에서, 세라믹스를 포함하고, 층 표면에 텅스텐이 부착되어 있는 코팅층은, 전극 동체부 표면의 적어도 일부에 형성되고, 코팅층에서, 전극 선단 측에 가까운 개소에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량은, 전극 지지봉 측에 가까운 개소에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량보다 상대적으로 많다.
코팅층의 형성 위치는 다양하며, 예를 들면, 코팅층은, 전극의 축방향 중앙 부분을 걸치도록 전극 동체부 표면에 형성할 수 있다. 이 경우, 축방향 중앙 부분보다 전극 선단 측의 층 표면에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량은, 축방향 중앙 부분보다 전극 지지봉 측의 층 표면에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량보다 많아지도록, 구성하는 것이 가능하다.
전극 선단 측과 전극 지지봉 측 사이에서 텅스텐의 부착량에 차이를 마련하는 방법은, 다양한 태양이 가능하며, 정해진 농도 분포를 가지도록 하는 것이 가능하다. 예를 들면, 코팅층에서, 전극 지지봉 측으로부터 전극 선단 측을 향하여, 텅스텐의 부착량이, 서서히 많아지는 그라데이션을 가지도록, 텅스텐의 부착량을 정하는 것이 가능하다.
코팅층으로서는, 소재(素材)로서 1개 또는 복수의 세라믹스가 포함되는 단층의 코팅층과, 복수의 코팅층이 포함된다. 또한, 복수의 코팅층에 관해서는, 각 층에 대해, 소재로서 1개의 세라믹스가 포함되거나, 혹은, 복수의 세라믹스가 포함되는 구성이 된다.
복수의 코팅층으로서의 구성은 다양하며, 예를 들면, 1개의 코팅층(예를 들면 최하층)에 세라믹스와 전극 소재(텅스텐, 몰리브덴 등)가 포함되는 한편, 다른 코팅층(예를 들면 최하층 위에 형성되는 코팅층)에는 세라믹스 성분만, 혹은 세라믹스와 전극 소재 이외의 성분이 포함되도록 구성하는 것이 가능하다. 혹은, 램프 축방향을 따라 전극 선단 측과 후단 측에서 성분을 바꾼 복수의 코팅층을 구성하는 것도 가능하다.
코팅층에 포함되는 세라믹스는, 질화물, 산화물, 붕화물, 탄화물, 규화물 중 적어도 어느 1개로 이루어지도록 하면 된다. 즉, 질화물, 산화물, 붕화물, 탄화물, 규화물 중 어느 1개의 세라믹스, 혹은 2개 이상의 세라믹스로 이루어지도록 할 수 있다.
예를 들면, 세라믹스는, 질화규소, 질화알루미늄, 질화지르코늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 탄화지르코늄, 탄화규소, 규화탄탈럼, 붕화지르코늄 중 적어도 어느 1개로 이루어지도록 구성할 수 있다.
코팅층에 대해서는, 유채색으로 하는 것이 가능하다. 예를 들면, 질화지르코늄의 질소와 지르코늄의 원자수 농도의 비는, 0.2 ＜ N／Zr ＜ 0.9의 범위에서 조정함으로써, 유채색으로 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 램프 점등 동안, 방열 기능을 효과적으로 발휘할 수 있는 방전 램프를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시형태인 방전 램프의 개략적 평면도이다.
도 2는 본 실시형태의 전극을 부분적으로 나타내는 개략적 평면도이다.
도 3은 실시예와 비교예의 조도 유지율을 나타낸 그래프이다.
쇼트 아크형 방전 램프(10)는, 고휘도의 광을 출력 가능한 대형 방전 램프이며, 투명한 석영 유리제의 대략 구상(球狀) 방전관(발광관)(12)을 구비하고, 방전관(12) 내에는, 텅스텐제의 한 쌍의 전극(20, 30)이 대향(동축) 배치된다. 방전관(12)의 양측에는, 석영 유리제의 봉지관(13A, 13B)이 방전관(12)과 연설(連設)하여, 일체적으로 형성되어 있다. 방전관(12) 내의 방전 공간(DS)에는, 수은과 할로겐이나 아르곤 가스 등의 희가스가 봉입되어 있다.
음극인 전극(20)은, 전극 지지봉(17A)에 의해 지지되어 있다. 봉지관(13A)에는, 전극 지지봉(17A)이 삽통(揷通)되는 유리관(미도시)과, 외부 전원과 접속하는 리드봉(15A)과, 전극 지지봉(17A)과 리드봉(15A)을 접속하는 금속박(16A) 등이 봉지되어 있다. 양극인 전극(30)에 대해서도 마찬가지로, 전극 지지봉(17B)이 삽통되는 유리관(미도시), 금속박(16B), 리드봉(15B) 등의 마운트 부품이 봉지되어 있다. 또한, 봉지관(13A, 13B)의 단부(端部)에는, 구금(口金)(19A, 19B)이 각각 장착되어 있다.
한 쌍의 전극(20, 30)에 전압이 인가되면, 전극(20, 30) 사이에서 아크 방전이 발생하여, 방전관(12)의 외부를 향하여 광이 방사된다. 여기에서는, 1㎾ 이상의 전력이 투입된다. 방전관(12)으로부터 방사된 광은, 반사경(미도시)에 의해 소정 방향으로 안내된다.
도 2는, 전극(양극)(30)을 부분적으로 나타내는 개략적 평면도이다. 또, 전극(음극)(20)에 대해서도 마찬가지의 구조로 하는 것이 가능하다.
전극(30)은, 전극 선단면(32T)을 갖고, 테이퍼 형상이 되는 부분(이하, 선단 측 테이퍼부라고 함)(32)과, 전극 지지봉(17B)과 이어지는 주상(柱狀) 부분(이하, 동체부라고 함)(34)으로 구성되어 있다. 전극(30)은, 텅스텐이나 몰리브덴 혹은 이들 합금 등으로 구성할 수 있다. 여기에서는, 전극(30)이 일체적으로 구성되어 있다.
동체부(34)의 측면(34S)에는, 코팅층(44)이 형성되어 있다. 여기에서는, 동체부(34) 전체, 즉, 동체부(34)의 전극 선단 측 단부(34E1)로부터 전극 지지봉 측 단부(도 2에서는 미도시)에 걸쳐, 코팅층(44)이 형성되어 있다. 또, 도 2에서는, 코팅되어 있는 부분을 사선으로 나타내고 있다.
코팅층(44)은, 열 성능(내열성, 방열성을 포함함)이 있는 세라믹스를 포함하는 코팅층으로서 구성되어 있다. 특히 2000℃ 이상의 고융점인 것이 바람직하고, 세라믹스로서는, 질화지르코늄(ZrN), 질화규소(Si3N4), 질화알루미늄(AlN) 등의 질화물, 산화알루미늄(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2) 등의 산화물, 탄화지르코늄(ZrC), 탄화규소(SiC) 등의 탄화물, 규화탄탈럼(TaSi2) 등의 규화물, 또는, 붕화지르코늄(ZrB2) 등의 붕화물에 의해 구성하는 것이 가능하며, 혹은 이들의 적어도 2개 이상의 조합으로 구성하는 것도 가능하다.
여기에서는, 질화지르코늄 또는 탄화지르코늄으로 이루어지는 세라믹스, 혹은 그들 양쪽으로 이루어지는 세라믹스가, 코팅층(44)에 포함되어 있다. 또, 코팅층(44)에는, 텅스텐이나 몰리브덴 등 전극(30)과 동일한 금속을 함유해도 된다.
질화지르코늄의 특성에 의해, 코팅층(44)은 유채색이 있는 측면 영역으로서 시인된다. 즉, 전극 소지와는 다른 색으로서 식별된다. 그 때문에, 색 불균일이나 막의 상태를 외관으로부터 확인하는 것이 용이해져, 방사율 측정, 점등 실험을 행하는 일 없이, 코팅층(44)이 적절히 형성되어 있는지의 여부를 검사하는 것이 가능해진다.
예를 들면, 질화지르코늄의 질소와 지르코늄의 원자수 농도의 비가, 0.2 ＜ N／Zr ＜ 0.9의 범위이면, 코팅층(44)은 갈색계 색의 유채색으로서 형성된다. 또, 원자수 농도의 비는, 동체부(34)의 표면을, 예를 들면 에너지 분산형 X선 분석(EDS)을 이용하여 측정, 분석함으로써, 분명히 할 수 있다.
코팅층(44)의 표면(이하, 층 표면이라고 함)에는, 텅스텐의 입자(부호 W 참조)가 부착되어 있다. 여기에서는, 코팅층(44)의 층 표면 전체에 걸쳐, 점재(산재)한다. 또한, 코팅층(44)의 층 표면에서의 텅스텐 입자의 부착에 관하여, 그 부착량은, 전극 축(C)을 따라 동체부(34)의 전극 지지봉 측 단부로부터 전극 선단 측 단부(34E1)를 향하여, 서서히 많아지도록 구성되어 있다.
다르게 말하면, 점재(산재)하는 텅스텐의 전극 축(C)을 따른 농도가, 전극 지지봉 측 단부로부터 전극 선단 측 단부(34E1)에 가까워질수록 높고, 그라데이션에 가까운 농도 분포를 형성하고 있다. 도 2에서는, 텅스텐 입자의 부착량(농도)의 차이를, 확대부(부호 A1, A2)에 의해 모식적으로 나타내고 있다.
이러한 텅스텐 입자의 부착량을 전극 선단 측을 향하여 서서히 증가시킨 코팅층(44)을 마련함으로써, 램프 점등 중에 있어서의 코팅층(44)의 방열 기능의 저하를 억제할 수 있다. 이하, 이에 대해서 설명한다.
쇼트 아크형 방전 램프(10)의 양극(30)은, 상술한 바와 같이, 텅스텐을 전극 소재로서 포함하도록 구성되어 있다. 그 때문에, 램프 점등 중, 전극(30)이 고온이 됨으로써, 전극(30)의 성분인 텅스텐이 일부 증발한다. 증발한 텅스텐은, 방전관(12) 내에서의 가스(부호 F 참조)의 대류를 따라 이동하고, 그 중의 일부는 코팅층(44)의 층 표면에 부착된다.
한편, 코팅층(44)에 부착시킨 텅스텐 입자는, 전극 소재인 텅스텐과는 다른 물질이기 때문에, 소재(모재)와 일체적으로 되지 않고, 어디까지나 부착되는 것에 머무르기 때문에, 결합이 약하다. 따라서, 미리 코팅층(44)의 층 표면에 농도 분포를 가지도록 부착시킨 텅스텐 입자에 관해서도, 램프 점등에 의한 전극(30)의 고온화에 의해, 그 일부가 증발한다. 그리고, 증발한 텅스텐의 일부는, 코팅층(44)의 층 표면에 부착된다.
여기에서, 코팅층(44)의 층 표면에 부착된 텅스텐 입자가 결정 성장해 가는지의 여부는, 열역학적으로 전체의 계(系)가 안정된 방향으로 진행되어 가는지의 여부에 의하는 것으로서, 안정화되는지의 여부의 경계선에 있는 임계핵이 안정핵이 되어, 결정 성장을 추적하는 것이 필요하다. 임계핵 중에서 안정핵이 되는 텅스텐의 발생 빈도가, 결정 성장에 크게 관계한다.
상술한 바와 같이, 코팅층(44)의 층 표면에서는, 전극 선단 측에 가까울수록 텅스텐 입자의 부착량이 많아지도록 구성되어 있다. 따라서, 전극(30)으로부터 증발하는 텅스텐도, 전극 선단 측에 가까울수록 많다. 즉, 코팅층(44)의 층 표면 부근에서의 텅스텐의 농도가 높다. 텅스텐 농도가 높을수록, 코팅층(44)의 층 표면에 도달하는 텅스텐의 안정핵이 형성되는 확률이 높아진다. 이것은, 코팅층(44)의 층 표면에서, 전극 선단 측에 가까울수록 안정핵이 많은 것을 의미한다.
그리고, 코팅층(44)의 층 표면에 형성되는 안정핵이 많을수록, 층 표면으로 끌어당겨져 흡착된 텅스텐 입자가 다시 증발하여 떨어져 갈 확률이 낮아지고, 층 표면에 침착한다. 그 결과, 결정 성장이 빨라져, 성장이 활발해지고, 텅스텐 농도가 높아진다. 부착되는 텅스텐의 전극 축(C)을 따른 농도 분포는, 램프 점등 전과 대략 동등한 농도 분포, 즉 그라데이션이 걸린 농도 분포가 된다.
전극(30)의 전극 지지봉 측에 가까울수록, 텅스텐 입자의 부착량이 적다. 그 때문에, 코팅층(44)은, 그 방열 기능을 발휘하여, 방사율의 저하가 억제된다. 한편, 전극(30)의 전극 선단 측에 가까울수록 텅스텐 입자의 부착량이 많음으로써, 증발한 텅스텐이 방전관(12) 내의 가스의 흐름에 수반하여 방전관(12)의 내벽에 부착되어 흑화되는 것을 억제하는 효과를 가져온다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 방전 램프(10)에서는, 전극(30)의 동체부(34)의 표면에 코팅층(44)을 형성하고, 코팅층(44)의 표면에 텅스텐 입자를 점재, 산재시키도록 부착시키고 있다. 그리고, 텅스텐 입자의 부착량이 전극 축(C)을 따라 전극 선단 측에 가까울수록 많아지는 농도 분포를 가진다.
본 실시형태에서는, 코팅층(44)을 전극(30)의 동체부(34)에 대하여 표면 전체에 형성하고 있지만, 일부 표면에 코팅층(44)을 형성해도 된다. 쇼트 아크형 방전 램프(10)가 직상(直狀)으로 (연직 방향을 따라) 배치된 상태로 가스의 대류가 생기고 있는 것을 고려하면, 전극(30)의 동체부(34)의 전극 축(C)을 따른 중앙부(CL)에 걸쳐 코팅층(44)을 형성하면 된다. 한편, 중앙부(CL)보다 전극 선단 측에 코팅층(44)을 형성해도 된다.
또, 그라데이션과 같은 농도 분포를 가지도록 텅스텐을 코팅층(44)의 층 표면에 부착시키는 구성뿐만 아니라, 그 이외의 바리에이션도 가능하다. 코팅층(44)의 층 표면의 형성된 표면 영역에서, 상대적으로 전극 선단 측에 가까운 개소에서의 텅스텐 부착량이, 상대적으로 전극 지지봉 측에 가까운 개소에서의 텅스텐 부착량보다 많아지도록 하면 된다. 예를 들면, 전극 지지봉 측에 가까운 개소보다, 중앙부(CL) 부근의 텅스텐 부착량이 많은 구성도 가능하다. 또, 입경(粒徑)은 일정할 필요는 없고, 예를 들면, 약 0.1 ∼ 20㎛ 사이에서 구성 가능하다. 예를 들면, 전극 축(C)을 따라 전극 선단 측에 가까울수록 입경이 큰 텅스텐을 부착시키고, 전극 지지봉 측에 가까울수록 작은 텅스텐을 부착시키는 구성으로 해도 된다.
이러한 방전 램프의 전극(30)은, 이하와 같이 제조할 수 있다.
우선, 주상의 동체부와 선단 측 테이퍼부를 갖는 전극을 성형한다. 다음으로, 도포에 의해 코팅층을 형성한다. 층 표면에 텅스텐 입자를 부착시키는 방법은, 임의의 방법으로 가능하다. 예를 들면, 텅스텐 분말을 용매에 분산시키고, 그것을 분무함으로써 텅스텐을 부착시킨다. 텅스텐량을 바꾸어 단계적으로 분무함으로써, 농도 분포를 조정할 수 있다. 그 외, 텅스텐 분말을 뿌리는 방법, 텅스텐 농도를 바꾼 용제에 디핑하는 방법 등이 가능하다.
코팅층(44) 위에서 다른 성분의 코팅층을 겹쳐, 복수층의 코팅층을 형성해도 된다. 예를 들면, 질화지르코늄으로 이루어지는 하층에 텅스텐 입자나 몰리브덴 입자 등을 함유시키고, 동일하게 질화지르코늄으로 이루어지는 표층에는 텅스텐 입자나 몰리브덴 입자를 함유시키지 않도록, 조성을 바꾼 복수층으로 해도 좋고, 탄화지르코늄으로 이루어지는 코팅층 위에 질화지르코늄으로 이루어지는 코팅층을 형성하여, 소재가 다른 복수층으로 해도 좋다. 복수층 중 어느 코팅층에 세라믹스를 포함하도록 구성하는 것도 가능하다.
선단 측 테이퍼부(32)를 갖는 부재와 동체부(34)를 갖는 부재를, 확산 접합 등의 고상(固相) 접합에 의해 접합하여, 전극(30)을 구성하는 것이 가능하다. 또한, 중간 부재를 통해 접합하는 것도 가능하다.
동체부(34)의 측면(34S) 혹은 테이퍼부 측면(32S)에는, 방열 구조를 마련해도 된다. 방열 구조는, 소지 표면, 즉 특별한 방열 구조를 굳이 채용하고 있지 않은 표면과 비교하여 방사율이 높아, 방열성을 높이는 기능을 가진다. 방열 구조는, 예를 들면 주방향(전극 축 둘레)을 따른 홈을 소정 피치로 형성한 구성으로 하고, 홈은, 예를 들면 레이저나 절삭 등에 의해 형성하는 것이 가능하다. 혹은, 전극 축방향을 따른 홈으로 구성해도 된다. 또한, 홈 이외의 방열 구조를 채용해도 된다.
예를 들면, 동체부(34)의 전극 선단 측 단부(34E1)로부터 램프 축(C)방향을 따라 소정 거리만큼 떨어진 위치를 코팅층(44)의 단부로 하고, 그 단부와 전극 선단 측 단부(34E1) 사이에서는 방열 구조를 형성하는 한편, 코팅층(44)을 형성하지 않도록 할 수 있다. 아크 방전의 열에 의한 코팅층(44)의 벗겨짐을 방지할 수 있다. 또, 소정 거리의 값은, 전극의 크기나 정격 전력의 값 등에 따라 정해진다.
[실시예]
이하, 실시예를 이용하여, 코팅층을 형성한 전극의 방열 성능에 대해서 설명한다.
실시예의 방전 램프는, 상기 실시형태에 상당하는 구성의 전극(양극)을 구비한 쇼트 아크형 방전 램프이며, 전극은, 램프 축방향을 따른 동체부 길이가 57㎜, 지름 35㎜의 사이즈로 구성된다. 전극의 동체부 측면의 일부에, 코팅층을 형성하고 있다.
코팅층은, 질화지르코늄의 분말을, 에틸셀룰로오스가 포함되는 용매에 녹여 동체부 측면에 도포하고, 건조시킨 후, 가열 처리함으로써 형성되어 있다. 그 코팅층 위에서, 상술한 방법으로 텅스텐 입자를 부착시키고 있다.
상술한 실시예와, 비교예의 방전 램프와의 비교 실험을 행했다. 비교예의 방전 램프의 전극 형상에 관해서는, 실시예의 전극과 실질적으로 동등하다. 한편, 비교예에서는, 실시예의 코팅층에 의한 방열 기능을 확인하기 위해, 코팅층이 형성되어 있지 않은 전극을 이용했다.
도 3은, 실시예와 비교예의 조도 유지율을 나타낸 그래프이다. 방전 램프를 600시간 점등하고, 방전관의 흑화 상태를 시인했다. 점등 개시부터 600시간 경과한 시점에서, 조도 유지율이 비교예 69％에 대해, 실시예는 76％가 되었다. 이 점에서, 비교예와 비교하여, 실시예 쪽이 흑화를 억제할 수 있었던 것이 확인되었다.
실시예의 전극에서 효과적인 흑화 억제를 실현할 수 있었던 것은, 코팅층 표면 상에 부착시킨 텅스텐이 흑화 현상에 적극적으로 기여하고 있지 않은 것을 시사하며, 코팅층 이외의 전극 소재로부터의 텅스텐 증발이 억제되고 있는, 즉, 코팅층에 의한 방열 기능이 효과적으로 발휘된 것을 나타내고 있다. 코팅층을 형성하고 있지 않은 비교예의 전극에서 이러한 결과가 얻어진 것은, 코팅층만 형성하고, 본 실시예와 같은 텅스텐 부착이 없는 전극과 비교한 경우에도, 본 실시예의 전극 쪽이, 방사 기능에 관하여 보다 효과적이라고 할 수 있다.
10: 방전 램프
30: 전극(양극)
44: 코팅층

Claims (5)

  1. 방전관과,
    상기 방전관 내에 대향 배치되는 한 쌍의 전극을 구비하고,
    적어도 한쪽의 전극에서, 세라믹스를 포함하고, 층 표면에 텅스텐이 부착되어 있는 코팅층은, 전극 동체부 표면의 적어도 일부에 형성되고,
    상기 코팅층에서, 전극 선단 측에 가까운 개소에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량은, 전극 지지봉 측에 가까운 개소에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량보다 상대적으로 많은 것을 특징으로 하는, 방전 램프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층은, 상기 전극의 축방향 중앙 부분을 걸치도록 전극 동체부 표면에 형성되고,
    축방향 중앙 부분보다 전극 선단 측의 층 표면에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량은, 축방향 중앙 부분보다 전극 지지봉 측의 층 표면에 부착되어 있는 텅스텐의 부착량보다 많은 것을 특징으로 하는, 방전 램프.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층에서, 전극 지지봉 측으로부터 전극 선단 측을 향하여, 텅스텐의 부착량이, 서서히 많아지는 것을 특징으로 하는, 방전 램프.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코팅층은, 유채색인 것을 특징으로 하는, 방전 램프.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹스는, 질화물, 산화물, 붕화물, 탄화물, 규화물 중 적어도 어느 1개로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 방전 램프.
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