KR20240054999A - 스퍼터링 타겟 - Google Patents

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KR20240054999A
KR20240054999A KR1020247008234A KR20247008234A KR20240054999A KR 20240054999 A KR20240054999 A KR 20240054999A KR 1020247008234 A KR1020247008234 A KR 1020247008234A KR 20247008234 A KR20247008234 A KR 20247008234A KR 20240054999 A KR20240054999 A KR 20240054999A
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target
backing tube
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sputtering target
sputtering
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KR1020247008234A
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차오 첸
지안동 루
크리스티안 린케
추토무 쿠니야
헨릭 슈미트
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플란제 상하이 하이 퍼포먼스 머티리얼 리미티드
플란제 에스이
플란제 재팬 리미티드
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Abstract

본 발명은 스퍼터링 타겟을 제공하며, 상기 스퍼터링 타겟은: 관형 백킹 튜브로서, 그 축은 축 방향으로 정의되고, 반경 방향이 놓이는 평면은 축 방향과 수직인, 관형 백킹 튜브; 적어도 하나의 원통형 타겟 세그먼트의 전체 길이의 적어도 90%를 통해 축 방향을 따라 연장되는 관형 백킹 튜브 상에 배열된 적어도 하나의 원통형 타겟 세그먼트; 관형 백킹 튜브와 원통형 타겟 세그먼트 사이에 배열된 결합 재료를 포함하며, 스퍼터링 타겟은 정지 부재에 인접한 타겟 세그먼트에 대한 정지 부재로서, 정지 부재는 관형 백킹 튜브의 축방향 단부 영역에서 관형 백킹 튜브와 단일체로 형성되고 관형 백킹 튜브를 따라 반경방향으로 돌출되며 그리고 관형 백킹 튜브의 원주의 일부를 따라 연장되는 정지 부재, 결합 재료의 누출을 방지하기 위해 정지 부재와 인접한 타겟 세그먼트 사이에 삽입되는 원주방향 밀봉 부재를 더 포함한다.

Description

스퍼터링 타겟
본 출원은 스퍼터링 타겟(sputtering target)에 관한 것이다.
스퍼터링(sputtering)은 고체 타겟의 원자가 에너지 이온(보통 플라즈마에서)에 의해 충격을 받고 고체에서 가스로 방출되는 물리적 프로세스를 의미하는 물리적 기상 증착 기술(physical vapor deposition technique)이다. 스퍼터링은 일반적으로 불활성 가스가 채워진 진공 시스템에서 수행된다. 고전압 전기장의 작용으로 아르곤 가스가 이온화되어 아르곤 이온 흐름을 생성하고, 이는 타겟 음극(target cathode)에 충격을 가한다. 스퍼터링된 타겟 재료(타겟재)(sputtered target material)의 원자나 분자는 반도체 칩이나 유리, 세라믹 등에 증착되어 박막(thin film)을 형성한다. 스퍼터링은 낮은 온도에서 고융점 물질의 박막을 생성할 수 있고, 합금 및 화합물의 박막을 생성하는 과정 동안 원래의 조성을 유지할 수 있다는 장점이 있다. 따라서 스퍼터링은 반도체 소자(semiconductor devices) 및 집적 회로(integrated circuits)제조에 널리 사용되어 왔다.
스퍼터링 타겟 재료(타겟재)(sputtering target materials)는 스퍼터링을 통해 박막을 형성하는 소재로, 금속과 세라믹으로부터 제조된다. 최근에는 전자부품의 더욱 낮은 전력 소비 및 고속화에 대한 요구가 높아지고 있으며, 이러한 요구를 충족시키기 위해서는 고품질의 다양한 스퍼터링 타겟 재료(타겟재)가 요구되고 있다.
일반적으로 스퍼터링 타겟 재료는 주로 타겟 블랭크(target blank), 백킹 플레이트(backing plate), 및 기타 부품으로 구성된다. 타겟 블랭크는 고속의 이온빔 전류에 의해 충격을 받는 타겟 재료로서 스퍼터링 타겟 재료의 핵심 부분에 속한다. 스퍼터링 코팅 공정에서는 타겟 블랭크에 이온이 충돌한 후 표면의 원자가 스퍼터링되어 흩어지고 기판에 증착되어 전자 필름을 만든다. 고순도 금속은 강도가 낮기 때문에 스퍼터링 공정을 완료하려면 스퍼터링 타겟 재료를 특수 기계에 설치해야 한다. 기계 내부는 고전압, 고진공 환경이다. 따라서 초고순도 금속의 스퍼터링 타겟 블랭크는 다른 용접 공정을 통해 백킹 플레이트와 결합되어야 한다. 백킹 플레이트는 주로 스퍼터링 타겟 재료를 고정하는 역할을 하며, 전기 전도성과 열 전도성이 좋아야 한다.
종래 기술에서는 관형 타겟 재료(tubular target material)가 제공된다. 관형 타겟 재료는 리세스(recess)를 갖는 관형 타겟 본체, 및 리세스와 맞물리는 플랜지를 갖는 2개의 연결 부재를 포함한다. 연결 부재는 관형 타겟 본체를 연결 부재에 연결하기 위해 솔더(땜납)(solder)이 존재하는 함몰부(depression)를 갖는다. 그러나 이 타겟 재료(물질)의 경우, 온도가 상승함에 따라, 타겟 재료(물질)의 최하단(lowermost end)에서 땜납(솔더)(solder)이 새는 경향이 있다.
종래 기술에서는 타겟 재료 어셈블리와 타겟 재료 유닛이 더 구비되어 있다. 타겟 재료 어셈블리는 복수의 타겟 재료 유닛과 복수의 결합부(joining parts)를 포함한다. 복수의 타겟 재료 유닛 각각은 원통형 타겟 재료와 원통형 베이스를 갖는다. 원통형 베이스는 원통형 타겟 재료 내부에 결합된다. 결합부는 복수의 타겟 재료 유닛 내부에 위치하며, 복수의 타겟 재료 유닛 각각은 그들 사이에 간극을 포함한다. 그러나 이 타겟 재료(물질)의 경우, 온도가 상승함에 따라 땜납(solder)은 또한 타겟 재료의 최하단에서 새어 나오기 쉽다.
종래 기술에서는 타겟 장착 메커니즘(target mounting mechanism)이 더 제공된다. 타겟 장착 메커니즘은 원통형 지지 튜브(support tube)와 지지 튜브를 덮고 결합 영역을 포함하는 타겟 재료를 포함하는 원통형 타겟으로 장착되며, 타겟은 클램프에 연결된다. 그러나 이 타겟 재료의 경우, 온도가 상승함에 따라 땜납은 또한 타겟 재료의 최하단에서 새어 나오기 쉽다.
종래 기술에서는 연동형 원통형 마그네트론 음극(interlocking cylindrical magnetron cathode)과 타겟 재료가 더 제공된다. 마그네트론 어셈블리(magnetron assembly)는 타겟 재료가 음극 본체로부터 제거되도록 하는 제1 유닛을 포함한다. 그러나 이 타겟 재료의 경우, 온도가 상승함에 따라 땜납은 또한 타겟 재료의 최하단에서 새어 나오기 쉽다.
종래 기술에서는 관형 타겟이 더 제공된다. 관형 타겟은 지지 튜브와 스퍼터링 재료 튜브로 구성된다. 지지 튜브는 나사산 연결로 스퍼터링 재료 튜브에 연결된다. O-링 시일(seal)이 지지 튜브와 스퍼터링 재료 튜브 사이에 배열된다. 그러나 이 타겟 재료의 경우, 온도가 상승함에 따라 땜납은 또한 타겟 재료의 최하단에서 새어 나오기 쉽다.
이는 종래 기술의 결함을 고려하여 개선된 스퍼터링 타겟이 제공될 수 있도록 당업자의 해결책이 가장 필요한 기술 분야에서 어려운 문제라는 것을 위에서 볼 수 있다. 상기 스퍼터링 타겟은 타겟 재료(타겟재)의 최하단에서 땜납의 누출을 방지할 수 있고, 조립 정밀도(assembly accuracy) 및 조립 안정성(assembly stability)을 크게 향상시키며, 안정적인 품질, 높은 수율 및 비용 절감을 달성할 수 있다.
본 출원의 목적은 종래 기술의 단점을 극복하고 스퍼터링 타겟을 제공하는 것이다. 본 출원에서 제공되는 스퍼터링 타겟에 따르면, 안정적인 품질(stable quality), 높은 수율(high yield rate) 및 비용 절감(cost saving)이 달성된다.
본 출원의 제1 측면은 스퍼터링 방법에 의해 박막을 생성하기 위한 스퍼터링 타겟(a sputtering target for producing a thin film by a sputtering method)에 관한 것이다. 스퍼터링 타겟은:
관형 백킹 튜브(tubular backing tube)로서, 그 축은 축 방향으로 정의되고, 반경 방향이 놓이는 평면은 축 방향과 수직인, 관형 백킹 튜브;
적어도 하나의 원통형 타겟 세그먼트의 전체 길이의 적어도 90%를 통해 축 방향을 따라 연장되는 관형 백킹 튜브 상에 배열된 적어도 하나의 원통형 타겟 세그먼트(cylindrical target segment);
관형 백킹 튜브와 원통형 타겟 세그먼트 사이에 배열된 결합 재료(점결재)(bonding material);
정지 부재에 인접한 타겟 세그먼트에 대한 정지 부재(stop member)로서, 정지 부재는 관형 백킹 튜브의 축방향 단부 영역에서 관형 백킹 튜브와 단일체로(monolithically)(또는 일체형으로(integrally)) 형성되고 관형 백킹 튜브를 따라 반경방향으로 돌출되며 그리고 적어도 관형 백킹 튜브의 원주의 일부를 따라 연장되는 정지 부재; 및
결합 재료(점결재)의 누출을 방지하기 위해 정지 부재와 인접한 타겟 세그먼트 사이에 삽입되는 원주방향 밀봉 부재(sealing member)
를 포함한다.
일부 실시형태에서, 정지 부재는 관형 백킹 튜브의 원주를 따라 연속적으로 연장된다.
일부 실시형태에서, 정지 부재는 돌출 단차부(protruding step part)이다.
일부 실시형태에서, 돌출 단차부는 평행한 두 개의 측벽을 갖는 돌출 융기부(protruding ridge)이다.
일부 실시예에서, 밀봉 부재는 탄성 재료(elastomeric material)로 만들어지고 타겟 세그먼트와 정지 부재 사이에서 압축되는 O-링이다.
일부 실시예에서, 정지 부재는 밀봉 기능을 제공하기 위해 정지 부재 및/또는 타겟 세그먼트에 대해 가압되는 방사상으로 돌출된 립(lip)을 갖는 원주방향 부재를 갖는다.
일부 실시예에서, 정지 부재는 관형 백킹 튜브의 모놀리식(단일체) 부분(monolithic part)이다.
일부 실시예에서, 정지 부재와 인접한 타겟 세그먼트는 텅-그루브-핏(끼워맞춤)(tongue-groove-fit)을 형성한다.
일부 실시형태에서, 타겟 세그먼트는 금속 재료로 만들어진다.
일부 실시형태에서, 금속 재료는 몰리브덴 및/또는 텅스텐 기반 재료이다.
일부 실시형태에서, 결합 재료(점결재)(bonding material)는 땜납(solder)이다.
일부 실시형태에서, 땜납(솔더)(solder)은 인듐 솔더 또는 인듐 합금 솔더이다.
일부 실시예에서, 스퍼터링 타겟은 관형 백킹 튜브에 축 방향을 따라 병치된(나란히 배열된)(juxtaposed) 적어도 2개의 원통형 타겟 세그먼트를 더 포함하고,
여기서 서로 마주하는 적어도 2개의 원통형 타겟 세그먼트(target segments)의 적어도 2개의 단부는 반경 방향 및/또는 축 방향에서 볼 때 두 개의 인접한 원통형 타겟 세그먼트의 일 단부의 적어도 하나의 텅(tongue)이 대응하는 다른 단부의 적어도 하나의 그루브(groove)와 오버랩되는(overlapped) 방식으로 서로 텅-그루브-핏(끼워맞춤)(tongue-groove-fit)을 형성하며, 오버랩(overlap)은 적어도 대응 단부의 원주의 일부를 따라 연장된다.
본원의 스퍼터링 타깃에 따르면, 타깃 재료(타겟재)의 최하단에서 솔더의 누출이 방지되고, 조립 정밀도 및 조립 안정성이 상당히 향상되며, 안정적인 품질, 높은 수율 및 비용 절감이 달성된다.
도 1은 본 출원의 제1 실시형태에 따른 스퍼터링 타겟의 개략도이며;
도 2는 도 1의 스퍼터링 타겟의 A 부위를 확대한 부분도이며;
도 3은 도 1의 스퍼터링 타겟의 B 부위를 확대한 부분도이다.
아래에서는 첨부 도면을 참조하여 본 출원에 따른 기술적 솔루션을 명확하고 완전하게 설명하며, 설명된 실시형태는 본 출원의 실시형태의 일부이고 모든 실시형태가 아닌 것은 명백하다. 본 출원의 실시형태에 기초하여, 당업자가 어떠한 창의적인 노력 없이 획득한 다른 모든 실시형태는 본 출원의 보호 범위에 속한다.
본 출원(발명)의 설명에 있어서, "중심(center)", "상부(upper)", "하부(lower)", "상단(top)", "하단(bottom)", "내부(inner)", "외부(outer)" 등의 용어에 의해 지시되는 방향 또는 위치 관계는 첨부된 도면에 도시된 방향 또는 위치 관계에 기초하며, 이는 참조된 장치 또는 구성 요소가 특정 방향을 가지며, 특정 방향으로 구성 및 작동되어야 함을 나타내거나 암시하는 것이 아니라 단지 본 출원(발명)을 설명하는 편의와 설명을 단순화하기 위한 것일 뿐임을 유의해야 하며, 따라서 출원(발명)을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
본 발명의 설명에 있어서, 달리 명시적으로 언급되거나 제한되지 않는 한, "배열하다(arrange)", "연결하다(connect)" 및 "접합(결합)하다(joint)"라는 용어는 넓게 해석되어야 하며, 예를 들어 고정적으로 연결(fixedly connected)될 수 있거나, 분리 가능하게 연결(detachably connected)될 수 있거나, 또는 단일체로(monolithically)(또는 일체형으로(integrally)) 연결될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 본 출원에서 상기 용어의 구체적인 의미는 당업자에 의해 상세히 이해될 수 있다.
또한, 이하에서 설명하는 본 출원의 서로 다른 실시형태에 관련된 기술적 특징은 서로 충돌하지 않는 한 서로 결합될 수 있다.
도 1은 본 출원의 제1 실시형태에 따른 스퍼터링 타겟의 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 타겟은 관형 백킹 튜브(backing tube)(1)와 원통형 타겟 세그먼트(target segments)(2 및 3)를 포함한다. 타겟 세그먼트의 개수는 2개로 제한되지 않으며, 3개 이상일 수도 있다. 백킹 튜브(1)의 축은 축 방향(도 1에서는 상하 방향(top-bottom direction))으로 정의된다. 백킹 튜브(1)의 반경 방향(도 1의 좌우 방향)이 놓이는 평면은 축 방향에 수직이다. 원통형 타겟 세그먼트(2 및 3)는 타겟 세그먼트(2 및 3)의 전체 길이를 통해 축 방향을 따라 연장되는 백킹 튜브(1) 상에 배열된다. 일부 실시형태에서, 타겟 세그먼트(2 및 3)는 금속 재료, 예를 들어 몰리브덴 및/또는 텅스텐 기반 재료로 만들어진다. 백킹 튜브(1)와 타겟 세그먼트(2 및 3) 사이에 결합 재료(점결재)(bonding material)가 배치된다. 일부 실시형태에서, 결합 재료(점결재)는 인듐 솔더 또는 인듐 합금 솔더와 같은 솔더(땜납)(solder)이다. 타겟 세그먼트(3)의 하부측(lower side)(도 1의 A 부위)에는 정지 부재(stop member)가 배치된다.
도 2은 도 1의 A 부위를 확대한 부분도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 정지 부재(stop member)(4)는 백킹 튜브(1)의 축방향 단부 영역에서 백킹 튜브(1)와 단일체로(monolithically)(또는 일체형으로(integrally)) 형성되며 백킹 튜브(1)를 따라 반경 방향으로 돌출되고, 적어도 백킹 튜브(1)의 원주의 일부를 따라 연장된다. 즉, 정지 부재(4)는 백킹 튜브(1)의 단일체 부분(monolithic part)이고, 정지 부재(4)와 인접한 타겟 세그먼트(3)는 텅-그루브-핏(끼워맞춤)(tongue-groove-fit)을 형성한다. "단일체로 형성된(monolithically formed)" (또는 "일체형으로 형성된(integrally formed)")은 동일한 재료로 한 단계로 성형하거나 용접, 접착 등으로 접합(결합)(joining)하는 것을 포함할 것이다. 정지 부재(4)와 타겟 세그먼트(3) 사이에는 결합 재료(점결재)의 누출을 방지하는 원주방향 밀봉 부재(sealing member)(5)가 삽입된다. 일부 실시형태에서, 정지 부재(4)는 백킹 튜브(1)의 원주를 따라 연속적으로 연장된다. 일부 실시형태에서, 밀봉 부재(5)는 탄성 재료(elastomeric material)로 제조되고 타겟 세그먼트(3)와 정지 부재(4) 사이에서 압축되는 O-링이지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 적합한 구조도 사용될 수 있다.
일부 실시형태에서, 정지 부재(4)는 돌출 단차부(protruding step part)이지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 적합한 구조도 사용될 수 있다. 돌출 단차부는 평행한 두 개의 측벽을 갖는 돌출 융기부일 수 있으며, 두 개의 평행한 측벽을 갖는 대략 직사각형 단면을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 테이퍼형 또는 원추형 단면을 갖는 스텝부 및 상응하는 테이퍼형 또는 원추형 그루브와 같은 다른 적합한 구조도 사용될 수 있다.
일부 실시형태에서, 정지 부재(4)는 밀봉 기능을 제공하기 위해 정지 부재(4) 및/또는 타겟 세그먼트(3)에 대해 가압되는 방사상으로 돌출된 립(lip)을 갖는 원주방향 부재를 갖지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 적합한 구조도 사용될 수 있다. 즉, 원주방향 시일 부재(seal member)는 립, T-프로파일, 포일 및 스프링 기능이 있는 환형 금속 피스와 같은 두 개의 인접한 타겟 세그먼트들 사이의 갭을 따라 원주방향으로 연장된다.
일부 실시형태에서, 정지 부재(4)는 예를 들어 축 방향을 따라 연장되는 그루브(groove) 또는 텅(tongue)을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 적합한 구조도 사용될 수 있다.
도 3는 도 1의 B 부위를 확대한 부분도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 서로 마주보는 타겟 세그먼트(2 및 3)의 2개의 단부는 반경 방향 및/또는 축 방향에서 볼 때 타겟 세그먼트(2)의 일 단부의 하나의 텅(6)이 타겟 세그먼트(3)의 대응하는 다른 단부의 하나의 그루브(7)와 오버랩되는 방식으로 서로 텅-그루브-핏(끼워맞춤)을 형성하며, 여기서 오버랩(overlap)은 대응 단부의 원주 일부를 따라 연장된다.
기존 스퍼터링 타겟 재료(타겟재)는 일반적으로 여러 개의 타겟 세그먼트가 함께 접합되는 평면 조인트(접합부)(planar joints)이며 백킹 튜브 표면에 고정된 타겟 재료 보스가 없다. 기존의 절단 방식에 비해, 본 출원에 따른 스퍼터링 타겟은 단일체로(monolithically)(또는 일체형으로(integrally)) 형성된 정지 부재를 포함하고, 조립 정밀도 및 조립 안정성을 크게 향상시키는 밀봉 부재(sealing member)를 더 포함한다. 타겟 재료(타겟재)를 도포하는 과정에서 온도가 상승함에 따라 타겟 재료(타겟재)의 최하단에서 솔더(땜납)(solder)가 새는 것도 방지된다.
이하, 본 출원의 적합한 실시예를 설명하나, 본 출원의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
실시예 1의 스퍼터링 타겟은 관형 백킹 튜브(tubular backing tube)(1), 몰리브덴으로 만들어진 원통형 타겟 세그먼트(cylindrical target segments)(2 및 3), 정지 부재(stop member)(4) 및 밀봉 부재(sealing member)(5)를 포함한다. 백킹 튜브(1)에는 타겟 세그먼트(2 및 3)가 배치되고, 백킹 튜브(1)는 타겟 세그먼트(2 및 3)의 전체 길이를 통해 축 방향을 따라 연장된다. 인듐 솔더(indium solder)는 백킹 튜브(1)와 타겟 세그먼트(2 및 3) 사이에 배열된다. 정지 부재(4)는 타겟 세그먼트(3)에 배열된다. 정지 부재(4)는 백킹 튜브(1)의 축방향 단부 영역에 백킹 튜브(1)와 동일한 재질을 사용하여 백킹 튜브(1)와 단일체로(monolithically)(또는 일체형으로(integrally)) 형성되고, 백킹 튜브(1)를 따라 반경방향으로 돌출되며, 백킹 튜브(1)의 원주를 따라 연속적으로 연장된다. 정지 부재(4)는 2개의 평행한 측벽을 갖는 실질적으로 직사각형 단면을 포함하는 2개의 평행한 측벽을 갖는 돌출 융기부를 갖는 돌출 단차부(protruding step part)이다. 본 출원의 스퍼터링 타겟을 적용한 후, 타겟 재료 최하단의 솔더(땜납) 누출이 방지되고, 조립 정밀도 및 조립 안정성이 크게 향상되고, 생산 효율이 크게 향상된다.
<실시예 2>
실시예 2의 스퍼터링 타겟은 관형 백킹 튜브(1), 텅스텐으로 만들어진 원통형 타겟 세그먼트(2 및 3), 정지 부재(4) 및 밀봉 부재(5)를 포함한다. 백킹 튜브(1)에는 타겟 세그먼트(2 및 3)가 배치되고, 백킹 튜브(1)는 타겟 세그먼트(2 및 3)의 전체 길이를 통해 축 방향을 따라 연장된다. 또한, 타겟 세그먼트들(2 및 3) 사이에는 복수의 타겟 세그먼트들이 배치될 수도 있다. 인듐 합금 솔더(땜납)이 백킹 튜브(1)와 타겟 세그먼트(2 및 3) 사이에 배열된다. 정지 부재(4)는 타겟 세그먼트(3)에 배열된다. 정지 부재(4)는 백킹 튜브(1)의 축방향 단부 영역에서 용접되는 방식으로 백킹 튜브(1)와 단일체로(monolithically)(또는 일체형으로(integrally)) 형성되고, 백킹 튜브(1)를 따라 반경방향으로 돌출되며, 백킹 튜브(1)의 원주를 따라 연속적으로 연장된다. 정지 부재(4)는 밀봉 기능을 제공하기 위해 정지 부재(4) 및/또는 타겟 세그먼트(3)에 대해 가압되는 방사상으로 돌출된 립을 갖는 원주방향 부재를 갖는다. 본 출원의 스퍼터링 타겟을 적용함으로써 타겟 재료(타겟재) 최하단의 솔더(땜납) 누출이 방지되고, 조립 정밀도 및 조립 안정성이 크게 향상되고, 생산 효율이 크게 향상된다.
<실시예 3>
실시예 3의 스퍼터링 타겟은 관형 백킹 튜브(1), 탄탈륨으로 만들어진 원통형 타겟 세그먼트(2 및 3), 정지 부재(4) 및 밀봉 부재(5)를 포함한다. 백킹 튜브(1)에는 타겟 세그먼트(2 및 3)가 배치되고, 백킹 튜브(1)는 타겟 세그먼트(2 및 3)의 전체 길이를 통해 축 방향을 따라 연장된다. 또한, 타겟 세그먼트들(2 및 3) 사이에는 복수의 타겟 세그먼트들이 배치될 수도 있다. 인듐 합금 솔더(땜납)이 백킹 튜브(1)와 타겟 세그먼트(2 및 3) 사이에 배열된다. 정지 부재(4)는 타겟 세그먼트(3)에 배열된다. 정지 부재(4)는 백킹 튜브(1)의 축방향 단부 영역에서 접착제로 연결되는 방식으로 백킹 튜브(1)와 단일체로(monolithically)(또는 일체형으로(integrally)) 형성되고, 백킹 튜브(1)를 따라 방사상으로 돌출되며, 백킹 튜브(1)의 원주를 따라 연속적으로 연장된다. 정지 부재(4)는 스프링 기능을 갖는 환형 금속 피스이다. 본 출원의 스퍼터링 타겟을 적용함으로써 타겟 재료의 최하단의 솔더(땜납) 누출이 방지되고, 조립 정밀도 및 조립 안정성이 크게 향상되고, 생산 효율이 크게 향상된다.
본 출원의 스퍼터링 타겟에 따르면, 타겟 재료(타겟재)의 도포 동안 온도 상승과 함께 타겟 재료(타겟재)의 최하단에서 솔더가 쉽게 누출되는 문제가 효과적으로 해결되었으며, 안정적인 품질, 높은 수율, 비용 절감이 달성되었다.
본 출원은 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 출원의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변경이 이루어질 수 있고 해당 요소는 등가물로 대체될 수 있다는 것이 당업자에게 이해될 것이다. 따라서 본 출원의 범위는 청구범위의 보호범위에 따라야 한다.

Claims (13)

  1. 스퍼터링 방법에 의해 박막을 생성하기 위한 스퍼터링 타겟으로서, 스퍼터링 타겟은:
    관형 백킹 튜브로서, 그 축은 축 방향으로 정의되고, 반경 방향이 놓이는 평면은 축 방향과 수직인, 관형 백킹 튜브;
    적어도 하나의 원통형 타겟 세그먼트의 전체 길이의 적어도 90%를 통해 축 방향을 따라 연장되는 관형 백킹 튜브 상에 배열된 적어도 하나의 원통형 타겟 세그먼트;
    관형 백킹 튜브와 원통형 타겟 세그먼트 사이에 배열된 결합 재료;
    정지 부재에 인접한 타겟 세그먼트에 대한 정지 부재로서, 정지 부재는 관형 백킹 튜브의 축방향 단부 영역에서 관형 백킹 튜브와 단일체로 형성되고 관형 백킹 튜브를 따라 반경방향으로 돌출되며 그리고 적어도 관형 백킹 튜브의 원주의 일부를 따라 연장되는 정지 부재; 및
    결합 재료의 누출을 방지하기 위해 정지 부재와 인접한 타겟 세그먼트 사이에 삽입되는 원주방향 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  2. 제1항에 있어서,
    정지 부재는 관형 백킹 튜브의 원주를 따라 연속적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  3. 제1항에 있어서,
    정지 부재는 돌출 단차부인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  4. 제3항에 있어서,
    돌출 단차부는 평행한 두 개의 측벽을 갖는 돌출 융기부인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  5. 제1항에 있어서,
    밀봉 부재는 탄성 재료로 만들어지고 타겟 세그먼트와 정지 부재 사이에서 압축되는 O-링인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  6. 제1항에 있어서,
    정지 부재는 밀봉 기능을 제공하기 위해 정지 부재 및/또는 타겟 세그먼트에 대해 가압되는 방사상으로 돌출된 립을 갖는 원주방향 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  7. 제1항에 있어서,
    정지 부재는 관형 백킹 튜브의 모놀리식(단일체) 부분인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  8. 제1항에 있어서,
    정지 부재와 인접한 타겟 세그먼트는 텅-그루브-핏을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  9. 제1항에 있어서,
    타겟 세그먼트는 금속 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  10. 제9항에 있어서,
    금속 재료는 몰리브덴 및/또는 텅스텐 기반 재료인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  11. 제1항에 있어서,
    결합 재료는 땜납(솔더)인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  12. 제11항에 있어서,
    땜납(솔더)은 인듐 솔더 또는 인듐 합금 솔더인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  13. 제1항에 있어서,
    관형 백킹 튜브에 축 방향을 따라 병치된 적어도 2개의 원통형 타겟 세그먼트를 더 포함하고,
    여기서 서로 마주하는 적어도 2개의 원통형 타겟 세그먼트의 적어도 2개의 단부는 반경 방향 및/또는 축 방향에서 볼 때 두 개의 인접한 원통형 타겟 세그먼트의 일 단부의 적어도 하나의 텅이 대응하는 다른 단부의 적어도 하나의 그루브와 오버랩되는 방식으로 서로 텅-그루브-핏을 형성하며, 오버랩은 적어도 대응 단부의 원주의 일부를 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
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