KR20240052998A - 전자 디바이스용 봉지제 및 유기 el 표시 소자용 봉지제 - Google Patents

전자 디바이스용 봉지제 및 유기 el 표시 소자용 봉지제 Download PDF

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KR20240052998A
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다쿠야 야마모토
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지즈루 김
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수한 전자 디바이스용 봉지제를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 그 전자 디바이스용 봉지제를 사용하여 이루어지는 유기 EL 표시 소자용 봉지제를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 경화성 수지와, 중합 개시제 및/또는 열 경화제를 함유하는 전자 디바이스용 봉지제로서, 상기 경화성 수지는, 하기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물과 하기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물을 함유하고, 전자 디바이스용 봉지제 전체의 헤이즈가 10 ％ 이하인 전자 디바이스용 봉지제이다.

식 (1) 중, R1 은, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. X1, X2 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는, 하기 식 (2-1), (2-2), (2-3), 혹은, (2-4) 로 나타내는 기를 나타낸다. 단, X1 및 X2 중 적어도 일방은, 하기 식 (2-1), (2-2), (2-3), 또는, (2-4) 로 나타내는 기를 나타낸다.

식 (2-1) ∼ (2-4) 중, R2 는, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, 식 (2-3) 중, R3 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타내고, R4 는, 결합손 또는 메틸렌기를 나타내고, 식 (2-4) 중, R5 는, 수소 또는 메틸기를 나타낸다.

식 (3) 중, R6 은, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. X3, X4 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는, 하기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 혹은, (4-4) 로 나타내는 기를 나타낸다. n 은, 1 이상 1000 이하의 정수이다. 단, X3 및 X4 중 적어도 일방은, 하기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 또는, (4-4) 로 나타내는 기를 나타낸다.

식 (4-1) ∼ (4-4) 중, R7 은, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, 식 (4-3) 중, R8 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타내고, R9 는, 결합손 또는 메틸렌기를 나타내고, 식 (4-4) 중, R10 은, 수소 또는 메틸기를 나타낸다.

Description

전자 디바이스용 봉지제 및 유기 EL 표시 소자용 봉지제 {SEALANT FOR AN ELECTRONIC DEVICE AND SEALANT FOR AN ORGANIC EL DISPLAY ELEMENT}
본 발명은, 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수한 전자 디바이스용 봉지제에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 그 전자 디바이스용 봉지제를 사용하여 이루어지는 유기 EL 표시 소자용 봉지제에 관한 것이다.
최근, 유기 일렉트로 루미네선스 (이하, 유기 EL 이라고도 한다) 표시 소자나 유기 박막 태양 전지 소자 등의 유기 박막 소자를 사용한 전자 디바이스의 연구가 진행되고 있다. 유기 박막 소자는 진공 증착이나 용액 도포 등에 의해 간편하게 제작할 수 있기 때문에, 생산성도 우수하다.
유기 EL 표시 소자는, 서로 대향하는 1 쌍의 전극 사이에 유기 발광 재료층이 협지된 적층체 구조를 갖고, 이 유기 발광 재료층에 일방의 전극으로부터 전자가 주입됨과 함께 타방의 전극으로부터 정공이 주입됨으로써 유기 발광 재료층 내에서 전자와 정공이 결합하여 발광한다. 이와 같이 유기 EL 표시 소자는 자기 발광을 실시하는 것으로부터, 백라이트를 필요로 하는 액정 표시 소자 등과 비교하여 시인성이 양호하고, 박형화가 가능하고, 게다가 직류 저전압 구동이 가능하다는 이점을 가지고 있다.
유기 박막 태양 전지 소자는, 무기 반도체를 사용한 태양 전지에 비하여, 비용, 대면적화, 제조 공정의 용이함 등의 점에서 우수하여, 다양한 구성의 것이 제안되어 있다. 구체적으로는 예를 들어, 비특허문헌 1 에는, 프탈로시아닌동과 페릴렌계 색소의 적층막을 사용한 유기 태양 전지 소자가 개시되어 있다.
이들 유기 박막 소자는, 유기층이나 전극이 외기에 노출되면, 그 성능이 급격하게 열화하게 된다는 문제가 있다. 따라서, 안정성 및 내구성을 높이기 위해서, 유기 박막 소자를 봉지하여 대기 중의 수분이나 산소로부터 차단하는 것이 불가결해진다.
유기 박막 소자를 봉지하는 방법으로는, 종래, 내부에 흡수제를 형성한 봉지 캔에 의해 봉지하는 방법이 일반적이었다. 그러나, 봉지 캔에 의해 봉지하는 방법에서는, 전자 디바이스를 박형화하는 것이 곤란해진다. 그래서, 봉지 캔을 사용하지 않는 유기 박막 소자의 봉지 방법의 개발이 진행되고 있다.
특허문헌 1 에는, 유기 EL 표시 소자의 유기 발광 재료층과 전극을, CVD 법에 의해 형성한 질화규소막과 수지막의 적층막에 의해 봉지하는 방법이 개시되어 있다. 여기서 수지막은, 질화규소막의 내부 응력에 의한 유기층이나 전극에 대한 압박을 방지하는 역할을 갖는다.
특허문헌 1 에 개시된 질화규소막으로 봉지를 실시하는 방법에서는, 유기 박막 소자의 표면의 요철이나 이물질의 부착, 내부 응력에 의한 크랙의 발생 등에 의해, 질화규소막을 형성할 때에 유기 박막 소자를 완전하게 피복할 수 없는 경우가 있다. 질화규소막에 의한 피복이 불완전하면, 수분이 질화규소막을 통하여 유기층 내에 침입하게 된다.
유기층 내로의 수분의 침입을 방지하기 위한 방법으로서, 특허문헌 2 에는, 무기 재료막과 수지막을 교대로 증착하는 방법이 개시되어 있고, 특허문헌 3 이나 특허문헌 4 에는, 무기 재료막 상에 수지막을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
수지막을 형성하는 방법으로서, 기재 상에 액상의 경화성 수지 조성물을 도포한 후, 그 경화성 수지 조성물을 경화시키는 방법이 있다. 도포 방법으로서 잉크젯법 등을 이용하면, 고속 그리고 균일하게 수지막을 형성할 수 있다. 경화성 수지 조성물로 이루어지는 전자 디바이스용 봉지제를 기재에 도포하는 경우, 도포성의 관점에서 봉지제의 점도를 저점도로 할 필요가 있다. 전자 디바이스용 봉지제의 점도를 조정하는 방법으로는, 전자 디바이스용 봉지제에 유기 용제를 배합하는 방법이나, 배합하는 경화성 수지로서 분자량이 낮은 것을 사용하는 것을 생각할 수 있지만, 이들 방법에서는 아웃 가스를 발생하기 쉬워지는 등의 문제가 있었다.
일본 공개특허공보 2000-223264호 일본 공표특허공보 2005-522891호 일본 공개특허공보 2001-307873호 일본 공개특허공보 2008-149710호
Applied Physics Letters (1986, Vol. 48, P. 183)
본 발명은, 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수한 전자 디바이스용 봉지제를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 그 전자 디바이스용 봉지제를 사용하여 이루어지는 유기 EL 표시 소자용 봉지제를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 경화성 수지와, 중합 개시제 및/또는 열 경화제를 함유하는 전자 디바이스용 봉지제로서, 상기 경화성 수지는, 하기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물과 하기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물을 함유하고, 전자 디바이스용 봉지제 전체의 헤이즈가 10 ％ 이하인 전자 디바이스용 봉지제이다.
[화학식 1]
식 (1) 중, R1 은, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. X1, X2 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는, 하기 식 (2-1), (2-2), (2-3), 혹은, (2-4) 로 나타내는 기를 나타낸다. 단, X1 및 X2 중 적어도 일방은, 하기 식 (2-1), (2-2), (2-3), 또는, (2-4) 로 나타내는 기를 나타낸다.
[화학식 2]
식 (2-1) ∼ (2-4) 중, R2 는, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, 식 (2-3) 중, R3 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타내고, R4 는, 결합손 또는 메틸렌기를 나타내고, 식 (2-4) 중, R5 는, 수소 또는 메틸기를 나타낸다.
[화학식 3]
식 (3) 중, R6 은, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. X3, X4 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는, 하기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 혹은, (4-4) 로 나타내는 기를 나타낸다. n 은, 1 이상 1000 이하의 정수이다. 단, X3 및 X4 중 적어도 일방은, 하기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 또는, (4-4) 로 나타내는 기를 나타낸다.
[화학식 4]
식 (4-1) ∼ (4-4) 중, R7 은, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, 식 (4-3) 중, R8 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타내고, R9 는, 결합손 또는 메틸렌기를 나타내고, 식 (4-4) 중, R10 은, 수소 또는 메틸기를 나타낸다.
이하에 본 발명을 상세히 서술한다.
본 발명자들은, 말단에 중합성기를 갖는 분자 사슬이 짧은 특정한 실리콘 화합물이 저아웃 가스성이 우수한 것을 알아냈다. 그러나, 이와 같은 말단에 중합성기를 갖는 분자 사슬이 짧은 특정한 실리콘 화합물을 사용한 경우, 얻어지는 봉지제가 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성이 열등한 것이 된다는 문제가 있었다. 한편으로 말단에 중합성기를 갖는 분자 사슬이 긴 특정한 실리콘 화합물은, 무기 재료막에 대한 젖음 확산성이 우수하지만, 실리콘 사슬의 절단에 의해 아웃 가스를 발생시키기 쉽다는 문제가 있었다. 그래서, 말단에 중합성기를 갖는 분자 사슬이 짧은 특정한 실리콘 화합물과 말단에 중합성기를 갖는 분자 사슬이 긴 특정한 실리콘 화합물을 조합하여 사용하는 것을 검토했지만, 얻어지는 봉지제에 탁함이 발생하는 경우가 있었다. 그래서 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 각 성분의 종류나 함유 비율을 조정하는 등에 의해 헤이즈를 특정치 이하로 함으로써, 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수한 전자 디바이스용 봉지제를 얻을 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 잉크젯법에 의해 용이하게 박막화할 수 있는 것이 된다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 경화성 수지를 함유한다.
상기 경화성 수지는, 상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물을 함유한다. 상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물을 함유함으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 저아웃 가스성이 우수한 것이 되고, 또한, 경화물이 내충격성 및 내열성이 우수한 것이 된다.
상기 식 (1) 중, R1 은, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 R1 은, 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (1) 중, X1, X2 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는, 상기 식 (2-1), (2-2), (2-3), 혹은, (2-4) 로 나타내는 기를 나타낸다. 단, X1 및 X2 중 적어도 일방은, 상기 식 (2-1), (2-2), (2-3), 또는, (2-4) 로 나타내는 기를 나타낸다.
상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물은, 상기 식 (1) 중의 X1 및 X2 의 양방이, 각각 상기 식 (2-1), (2-2), (2-3), 또는, (2-4) 로 나타내는 기인 화합물인 것이 바람직하고, 각각 상기 식 (2-1), (2-2), 또는, (2-3) 으로 나타내는 기인 화합물인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (2-1) ∼ (2-4) 중, R2 는, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타낸다. 상기 R2 는, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 디메틸렌기 또는 트리메틸렌기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (2-3) 중, R3 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타낸다. 상기 R3 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 또는 에틸기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (2-3) 중, R4 는, 결합손 또는 메틸렌기를 나타낸다. 상기 R4 는, 결합손인 것이 바람직하다.
상기 식 (2-4) 중, R5 는, 수소 또는 메틸기를 나타낸다. 상기 R5 는, 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량의 바람직한 하한은 5 중량부, 바람직한 상한은 90 중량부이다. 상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제가 저아웃 가스성 및 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량의 보다 바람직한 하한은 10 중량부, 더욱 바람직한 하한은 30 중량부, 특히 바람직한 하한은 50 중량부이다. 또한, 상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량의 보다 바람직한 상한은 70 중량부이다.
상기 경화성 수지는, 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물을 함유한다. 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물을 함유함으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성이 우수한 것이 된다.
상기 식 (3) 중, R6 은, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 R6 은, 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (3) 중, X3, X4 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는, 상기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 혹은, (4-4) 로 나타내는 기를 나타낸다. 단, X3 및 X4 중 적어도 일방은, 상기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 또는, (4-4) 로 나타내는 기를 나타낸다.
상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물은, 상기 식 (3) 중의 X3 및 X4 의 양방이, 각각 상기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 또는, (4-4) 로 나타내는 기인 화합물인 것이 바람직하다.
상기 식 (3) 에 있어서, 상기 식 (4-1), (4-2), (4-3), 또는, (4-4) 로 나타내는 기인 경우의 상기 X3 및 상기 X4 에 있어서의, 그 식 (4-1), (4-2), (4-3), 또는, (4-4) 로 나타내는 기는, 중합성기이다. 상기 중합성기는, 상기 식 (4-1), (4-2), 또는, (4-3) 으로 나타내는 기인 것이 바람직하다.
상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중합성기 당량의 바람직한 하한은 300 g/㏖, 바람직한 상한은 5000 g/㏖ 이다. 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중합성기 당량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제가 저아웃 가스성 및 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중합성기 당량의 보다 바람직한 하한은 400 g/㏖, 보다 바람직한 상한은 2000 g/㏖ 이다.
또한, 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중합성기 당량은, 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중량 (g) 을 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물 중에 포함되는 중합성기의 몰수 (㏖) 로 나누어 구해지는 값이다.
상기 식 (3) 중, n 은, 1 이상 1000 이하의 정수이다. 상기 식 (3) 중의 n 이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제가 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수한 것이 된다. 상기 식 (3) 중의 n 의 바람직한 하한은 5, 바람직한 상한은 20, 보다 바람직한 하한은 7, 보다 바람직한 상한은 18 이다.
상기 식 (4-1) ∼ (4-4) 중, R7 은, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타낸다. 상기 R7 은, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 디메틸렌기 또는 트리메틸렌기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (4-3) 중, R8 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타낸다. 상기 R8 은, 수소 또는 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 또는 에틸기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (4-3) 중, R9 는, 결합손 또는 메틸렌기를 나타낸다. 상기 R9 는, 결합손인 것이 바람직하다.
상기 식 (4-4) 중, R10 은, 수소 또는 메틸기를 나타낸다. 상기 R10 은, 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량의 바람직한 하한은 0.01 중량부, 바람직한 상한은 20 중량부이다. 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제가 저아웃 가스성 및 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성이 보다 우수한 것이 된다.
특히, 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중합성기 당량이 300 g/㏖ 이상인 경우, 상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량의 바람직한 하한은 0.01 중량부, 바람직한 상한은 10 중량부이다. 또한, 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중합성기 당량이 300 g/㏖ 미만인 경우, 상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 함유량의 바람직한 하한은 0.1 중량부, 바람직한 상한은 20 중량부이다. 또한, 상기 경화성 수지가 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물로서 복수종의 화합물을 함유하는 경우, 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물의 중합성기 당량은, 수평균치를 의미한다.
상기 경화성 수지는, 상기 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물 및 상기 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물에 더하여, 접착성을 향상시키는 등의 목적으로, 그 밖의 경화성 수지를 함유해도 된다.
상기 그 밖의 경화성 수지로는, 상기 식 (1) 및 상기 식 (3) 으로 나타내는 구조를 갖지 않는 에폭시 화합물 (이하, 「그 밖의 에폭시 화합물」 이라고도 한다), 상기 식 (1) 및 상기 식 (3) 으로 나타내는 구조를 갖지 않는 옥세탄 화합물 (이하, 「그 밖의 옥세탄 화합물」 이라고도 한다), 상기 식 (1) 및 상기 식 (3) 으로 나타내는 구조를 갖지 않는 (메트)아크릴 화합물 (이하, 「그 밖의 (메트)아크릴 화합물」 이라고도 한다), 및, 비닐에테르 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서 상기 「(메트)아크릴」 이란, 아크릴 또는 메타크릴을 의미하고, 「(메트)아크릴 화합물」 이란, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물을 의미하고, 「(메트)아크릴로일」 이란, 아크릴로일 또는 메타크릴로일을 의미한다.
상기 그 밖의 에폭시 화합물로는, 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 E 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 O 형 에폭시 수지, 2,2'-디알릴비스페놀 A 형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀형 에폭시 수지, 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 레조르시놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 술파이드형 에폭시 수지, 디페닐에테르형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌페놀 노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 알킬폴리올형 에폭시 수지, 고무 변성형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 지환식 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 지환식 에폭시 수지 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 다이셀사 제조의 지환식 에폭시 수지, 신니혼 이화 공업사 제조의 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
상기 다이셀사 제조의 지환식 에폭시 수지로는, 예를 들어, 셀록사이드 2000, 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081, 셀록사이드 3000, 셀록사이드 8000, 사이클로머 M-100 등을 들 수 있다.
상기 신니혼 이화 공업사 제조의 지환식 에폭시 수지로는, 예를 들어, 산소사이저 EPS 등을 들 수 있다.
상기 지환식 에폭시 수지 중에서도, 에폭시기에 포함되는 것 이외의 에테르 결합, 및, 에스테르 결합을 갖지 않는 것은 아웃 가스의 발생을 억제하는 관점에서 바람직하다. 에폭시기에 포함되는 것 이외의 에테르 결합, 및, 에스테르 결합을 갖지 않는 지환식 에폭시 수지 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 셀록사이드 2000, 셀록사이드 3000, 셀록사이드 8000 등을 들 수 있다.
이들 그 밖의 에폭시 화합물은, 단독으로 이용되어도 되고, 2 종 이상이 조합하여 이용되어도 된다.
상기 그 밖의 옥세탄 화합물로는, 예를 들어, 3-(알릴옥시)옥세탄, 페녹시메틸옥세탄, 3-에틸-3-하이드록시메틸옥세탄, 3-에틸-3-(페녹시메틸)옥세탄, 3-에틸-3-((2-에틸헥실옥시)메틸)옥세탄, 3-에틸-3-((3-(트리에톡시실릴)프로폭시)메틸)옥세탄, 3-에틸-3-(((3-에틸옥세탄-3-일)메톡시)메틸)옥세탄, 옥세타닐실세스퀴옥산, 페놀노볼락옥세탄, 1,4-비스(((3-에틸-3-옥세타닐)메톡시)메틸)벤젠 등을 들 수 있다. 이들 그 밖의 옥세탄 화합물은, 단독으로 이용되어도 되고, 2 종 이상이 조합하여 이용되어도 된다.
상기 그 밖의 (메트)아크릴 화합물로는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)알릴레이트, 1,12-도데칸디올디(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
이들 그 밖의 (메트)아크릴 화합물은, 단독으로 이용되어도 되고, 2 종 이상이 조합하여 이용되어도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서 상기 「(메트)아크릴레이트」 란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
상기 비닐에테르 화합물로는, 예를 들어, 벤질비닐에테르, 시클로헥산디메탄올모노비닐에테르, 디시클로펜타디엔비닐에테르, 1,4-부탄디올디비닐에테르, 시클로헥산디메탄올디비닐에테르, 디에틸렌글리콜디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜디비닐에테르, 디프로필렌글리콜디비닐에테르, 트리프로필렌글리콜디비닐에테르 등을 들 수 있다. 이들 비닐에테르 화합물은, 단독으로 이용되어도 되고, 2 종 이상이 조합하여 이용되어도 된다.
그 중에서도, 저점도이고 반응성이 높은 것으로부터, 상기 그 밖의 경화성 수지로서, 지환식 에폭시 수지, 3-(알릴옥시)옥세탄, 3-에틸-3-((2-에틸헥실옥시)메틸)옥세탄, 및, 3-에틸-3-(((3-에틸옥세탄-3-일)메톡시)메틸)옥세탄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 그 밖의 경화성 수지의 함유량의 바람직한 하한은 5 중량부, 바람직한 상한은 90 중량부이다. 상기 그 밖의 경화성 수지의 함유량이 이 범위임으로써, 도포성 등을 악화시키지 않고, 접착성을 향상시키는 등의 효과가 보다 우수한 것이 된다. 상기 그 밖의 경화성 수지의 함유량의 보다 바람직한 하한은 10 중량부이다. 또한, 상기 그 밖의 경화성 수지의 함유량의 보다 바람직한 상한은 70 중량부, 더욱 바람직한 상한은 60 중량부, 특히 바람직한 상한은 40 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 중합 개시제 및/또는 열 경화제를 함유한다.
상기 중합 개시제로는, 광 카티온 중합 개시제, 열 카티온 중합 개시제, 광 라디칼 중합 개시제, 열 라디칼 중합 개시제가 바람직하게 사용된다.
상기 광 카티온 중합 개시제는, 광 조사에 의해 프로톤산 또는 루이스산을 발생하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 이온성 광 산 발생형이어도 되고, 비이온성 광 산 발생형이어도 된다.
상기 이온성 광 산 발생형의 광 카티온 중합 개시제의 아니온 부분으로는, 예를 들어, BF4 -, PF6 -, SbF6 -, (BX4)- (단, X 는, 적어도 2 개 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아니온 부분으로는, PFm(CnF2n＋1)6-m - (단, 식 중, m 은 0 이상 5 이하의 정수이고, n 은 1 이상 6 이하의 정수이다) 등도 들 수 있다.
상기 이온성 광 산 발생형의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, 상기 아니온 부분을 갖는, 방향족 술포늄염, 방향족 요오드늄염, 방향족 디아조늄염, 방향족 암모늄염, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe 염 등을 들 수 있다.
상기 방향족 술포늄염으로는, 예를 들어, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로포스페이트, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드비스테트라플루오로보레이트, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로포스페이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드비스테트라플루오로보레이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트리스(4-(4-아세틸페닐)티오페닐)술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 방향족 요오드늄염으로는, 예를 들어, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄헥사플루오로포스페이트, 비스(도데실페닐)요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 비스(도데실페닐)요오드늄테트라플루오로보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 방향족 디아조늄염으로는, 예를 들어, 페닐디아조늄헥사플루오로포스페이트, 페닐디아조늄헥사플루오로안티모네이트, 페닐디아조늄테트라플루오로보레이트, 페닐디아조늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 방향족 암모늄염으로는, 예를 들어, 1-벤질-2-시아노피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄헥사플루오로안티모네이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄헥사플루오로안티모네이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe 염으로는, 예를 들어, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe (II) 헥사플루오로포스페이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe (II) 헥사플루오로안티모네이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe (II) 테트라플루오로보레이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe (II) 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 비이온성 광 산 발생형의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, 니트로벤질에스테르, 술폰산 유도체, 인산에스테르, 페놀술폰산에스테르, 디아조나프토퀴논, N-하이드록시이미도술포네이트 등을 들 수 있다.
상기 광 카티온 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 미도리 화학사 제조의 광 카티온 중합 개시제, 유니온 카바이드사 제조의 광 카티온 중합 개시제, ADEKA 사 제조의 광 카티온 중합 개시제, 3M 사 제조의 광 카티온 중합 개시제, BASF 사 제조의 광 카티온 중합 개시제, 로디아사 제조의 광 카티온 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 미도리 화학사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, DTS-200 등을 들 수 있다.
상기 유니온 카바이드사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, UVI6990, UVI6974 등을 들 수 있다.
상기 ADEKA 사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, SP-150, SP-170 등을 들 수 있다.
상기 3M 사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, FC-508, FC-512 등을 들 수 있다.
상기 BASF 사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, IRGACURE261, IRGACURE290 등을 들 수 있다.
상기 로디아사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, PI2074 등을 들 수 있다.
상기 열 카티온 중합 개시제로는, 아니온 부분이 BF4 -, PF6 -, SbF6 -, 또는, (BX4)- (단, X 는, 적어도 2 개 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다) 로 구성되는, 술포늄염, 포스포늄염, 암모늄염 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 술포늄염, 암모늄염이 바람직하다.
상기 술포늄염으로는, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.
상기 포스포늄염으로는, 에틸트리페닐포스포늄헥사플루오로안티모네이트, 테트라부틸포스포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.
상기 암모늄염으로는, 예를 들어, 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄헥사플루오로포스페이트, 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로포스페이트, 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 메틸페닐디벤질암모늄헥사플루오로포스페이트, 메틸페닐디벤질암모늄헥사플루오로안티모네이트, 메틸페닐디벤질암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 페닐트리벤질암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디메틸페닐(3,4-디메틸벤질)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, N,N-디메틸-N-벤질아닐리늄헥사플루오로안티모네이트, N,N-디에틸-N-벤질아닐리늄테트라플루오로보레이트, N,N-디메틸-N-벤질피리디늄헥사플루오로안티모네이트, N,N-디에틸-N-벤질피리디늄트리플루오로메탄술폰산 등을 들 수 있다.
상기 열 카티온 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 산신 화학 공업사 제조의 열 카티온 중합 개시제, King Industries 사 제조의 열 카티온 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 산신 화학 공업사 제조의 열 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, 산에이드 SI-60, 산에이드 SI-80, 산에이드 SI-B3, 산에이드 SI-B3A, 산에이드 SI-B4 등을 들 수 있다.
상기 King Industries 사 제조의 열 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, CXC1612, CXC1821 등을 들 수 있다.
상기 광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조페논계 화합물, 아세토페논계 화합물, 아실포스핀옥사이드계 화합물, 티타노센계 화합물, 옥심에스테르계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 벤질, 티오크산톤계 화합물 등을 들 수 있다.
상기 광 라디칼 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, BASF 사 제조의 광 라디칼 중합 개시제, 도쿄 화성 공업사 제조의 광 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 BASF 사 제조의 광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, IRGACURE184, IRGACURE369, IRGACURE379, IRGACURE651, IRGACURE819, IRGACURE907, IRGACURE2959, IRGACURE OXE01, 루시린 TPO 등을 들 수 있다.
상기 도쿄 화성 공업사 제조의 광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등을 들 수 있다.
상기 열 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 아조 화합물, 유기 과산화물 등으로 이루어지는 것을 들 수 있다.
상기 아조 화합물로는, 예를 들어, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 아조비스이소부티로니트릴 등을 들 수 있다.
상기 유기 과산화물로는, 예를 들어, 과산화벤조일, 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시디카보네이트 등을 들 수 있다.
상기 열 라디칼 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, VPE-0201, VPE-0401, VPE-0601, VPS-0501, VPS-1001, V-501 (모두 후지 필름 와코 순약사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 중합 개시제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.01 중량부, 바람직한 상한이 10 중량부이다. 상기 중합 개시제의 함유량이 0.01 중량부 이상임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제가 경화성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 중합 개시제의 함유량이 10 중량부 이하임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제의 경화 반응이 지나치게 빨라지지 않아, 작업성이 보다 우수한 것이 되고, 경화물을 보다 균일한 것으로 할 수 있다. 상기 중합 개시제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.05 중량부, 보다 바람직한 상한은 5 중량부이다.
상기 열 경화제로는, 예를 들어, 히드라지드 화합물, 이미다졸 유도체, 산 무수물, 디시안디아미드, 구아니딘 유도체, 변성 지방족 폴리아민, 각종 아민과 에폭시 수지의 부가 생성물 등을 들 수 있다.
상기 히드라지드 화합물로는, 예를 들어, 1,3-비스(히드라지노카르보노에틸)-5-이소프로필히단토인, 세바스산디히드라지드, 이소프탈산디히드라지드, 아디프산디히드라지드, 말론산디히드라지드 등을 들 수 있다.
상기 이미다졸 유도체로는, 예를 들어, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, N-(2-(2-메틸-1-이미다졸릴)에틸)우레아, 2,4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1'))-에틸-s-트리아진, N,N'-비스(2-메틸-1-이미다졸릴에틸)우레아, N,N'-(2-메틸-1-이미다졸릴에틸)-아디포아미드, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.
상기 산 무수물로는, 예를 들어, 테트라하이드로 무수 프탈산, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트) 등을 들 수 있다.
이들 열 경화제는, 단독으로 이용되어도 되고, 2 종 이상이 조합하여 이용되어도 된다.
상기 열 경화제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 오오츠카 화학사 제조의 열 경화제, 아지노모토 파인 테크노사 제조의 열 경화제 등을 들 수 있다.
상기 오오츠카 화학사 제조의 열 경화제로는, 예를 들어, SDH, ADH 등을 들 수 있다.
상기 아지노모토 파인 테크노사 제조의 열 경화제로는, 예를 들어, 아미큐어 VDH, 아미큐어 VDH-J, 아미큐어 UDH 등을 들 수 있다.
상기 열 경화제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.5 중량부, 바람직한 상한이 30 중량부이다. 상기 열 경화제의 함유량이 0.5 중량부 이상임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제가 열 경화성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 열 경화제의 함유량이 30 중량부 이하임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제가 보존 안정성이 보다 우수한 것이 되고, 또한, 경화물이 내습성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 열 경화제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 1 중량부, 보다 바람직한 상한은 15 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 증감제를 함유해도 된다. 상기 증감제는, 상기 중합 개시제의 중합 개시 효율을 보다 향상시키고, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제의 경화 반응을 보다 촉진시키는 역할을 갖는다.
상기 증감제로는, 예를 들어, 티오크산톤계 화합물이나, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 벤조페논, 2,4-디클로로벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐설파이드 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물로는, 예를 들어, 2,4-디에틸티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 증감제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.01 중량부, 바람직한 상한이 3 중량부이다. 상기 증감제의 함유량이 0.01 중량부 이상임으로써, 증감 효과가 보다 발휘된다. 상기 증감제의 함유량이 3 중량부 이하임으로써, 흡수가 지나치게 커지지 않고 심부까지 광을 전달할 수 있다. 상기 증감제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.1 중량부, 보다 바람직한 상한은 1 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 추가로, 실란 커플링제를 함유해도 된다. 상기 실란 커플링제는, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제와 기판 등의 접착성을 향상시키는 역할을 갖는다.
상기 실란 커플링제로는, 예를 들어, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 실란 화합물은 단독으로 이용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 실란 커플링제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.1 중량부, 바람직한 상한이 10 중량부이다. 상기 실란 커플링제의 함유량이 이 범위임으로써, 잉여의 실란 커플링제에 의한 블리드 아웃을 억제하면서, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제의 접착성을 향상시키는 효과가 보다 우수한 것이 된다. 상기 실란 커플링제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.5 중량부, 보다 바람직한 상한은 5 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 경화 지연제를 함유해도 된다. 상기 경화 지연제를 함유함으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제의 포트 라이프를 길게 할 수 있다.
상기 경화 지연제로는, 예를 들어, 폴리에테르 화합물 등을 들 수 있다.
상기 폴리에테르 화합물로는, 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜, 크라운에테르 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 크라운에테르 화합물이 바람직하다.
상기 경화 지연제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.05 중량부, 바람직한 상한이 5.0 중량부이다. 상기 경화 지연제의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 봉지제를 경화시킬 때의 아웃 가스의 발생을 억제하면서, 지연 효과를 보다 발휘할 수 있다. 상기 경화 지연제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.1 중량부, 보다 바람직한 상한은 3.0 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 추가로, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에 있어서, 표면 개질제를 함유해도 된다. 상기 표면 개질제를 함유함으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제에 도막의 평탄성을 부여할 수 있다.
상기 표면 개질제로는, 예를 들어, 계면 활성제나 레벨링제 등을 들 수 있다.
상기 표면 개질제로는, 예를 들어, 실리콘계, 아크릴계, 불소계 등의 것을 들 수 있다.
상기 표면 개질제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 빅 케미·재팬사 제조의 표면 개질제, AGC 세이미 케미컬사 제조의 표면 개질제 등을 들 수 있다.
상기 빅 케미·재팬사 제조의 표면 개질제로는, 예를 들어, BYK-340, BYK-345 등을 들 수 있다.
상기 AGC 세이미 케미컬사 제조의 표면 개질제로는, 예를 들어, 서플론 S-611 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 경화물의 투명성을 저해하지 않는 범위에서, 소자 전극의 내구성을 향상시키기 위해서, 봉지제 중에 발생한 산과 반응하는 화합물 또는 이온 교환 수지를 함유해도 된다.
상기 봉지제 중에 발생한 산과 반응하는 화합물로는, 산과 중화하는 물질, 예를 들어, 알칼리 금속 혹은 알칼리 토금속의 탄산염 또는 탄산수소염 등을 들 수 있다. 구체적으로는 예를 들어, 탄산칼슘, 탄산수소칼슘, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등이 사용된다.
상기 이온 교환 수지로는, 양이온 교환형, 음이온 교환형, 양쪽 이온 교환형 모두 사용할 수 있지만, 특히 염화물 이온을 흡착할 수 있는 양이온 교환형 또는 양쪽 이온 교환형이 바람직하다.
또한, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 필요에 따라, 보강제, 연화제, 가소제, 점도 조정제, 자외선 흡수제, 산화 방지제 등의 공지된 각종 첨가제를 함유해도 된다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 제조하는 방법으로는, 예를 들어, 호모 디스퍼, 호모 믹서, 만능 믹서, 플래너터리 믹서, 니더, 3 개 롤 등의 혼합기를 사용하여, 경화성 수지와, 중합 개시제 및/또는 열 경화제와, 필요에 따라 첨가하는 실란 커플링제 등의 첨가제를 혼합하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제의 헤이즈의 상한은, 10 ％ 이다. 상기 헤이즈가 10 ％ 이하임으로써, 투명성이 우수하여, 유기 EL 표시 소자 등에 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 헤이즈의 바람직한 상한은 5 ％, 보다 바람직한 상한은 1 ％ 이다.
상기 헤이즈는, 전체 투과광에 대한 확산 투과광의 비율을 의미하고, 예를 들어, AUTOMATIC HAZE METER MODEL TC-III DPK (도쿄 전색사 제조) 등의 분광계를 사용하여 측정할 수 있다.
상기 헤이즈를 측정하는 시료로는, 봉지제를 유리 등의 투명한 기판 상에 스핀 코트 등의 방법을 사용하여 실사용되는 두께로 도포한 후, 경화시킨 것이 사용된다. 전자 디바이스용 봉지제의 헤이즈는, 예를 들어, 스핀 코트 등의 방법에 의해, 유리판 상에 10 ㎛ 두께가 되도록 봉지제를 도포한 후, 봉지제를 경화시켜, 얻어진 경화물의 헤이즈를 측정함으로써 구해진다.
또한, 전자 디바이스용 봉지제의 헤이즈는, 함유하는 각 성분의 종류나 그 함유 비율을 조정하는 것 등에 의해 조정할 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, E 형 점도계를 사용하여, 25 ℃, 100 rpm 의 조건으로 측정한 점도의 바람직한 하한이 5 m㎩·s, 바람직한 상한이 200 m㎩·s 이다. 상기 점도가 이 범위임으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제가 잉크젯 도포성이나 도포 후의 형상 유지성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 전자 디바이스용 봉지제의 점도의 보다 바람직한 하한은 10 m㎩·s, 보다 바람직한 상한은 80 m㎩·s 이다.
또한, 잉크젯에 의한 도포시에 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 가열하여, 점도를 저감시켜 도포해도 된다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제의 경화물의 파장 380 ㎚ 이상 800 ㎚ 이하에 있어서의 광의 전광선 투과율의 바람직한 하한은 80 ％ 이다. 상기 전광선 투과율이 80 ％ 이상임으로써, 유기 EL 표시 소자 등에 보다 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 전광선 투과율의 보다 바람직한 하한은 85 ％ 이다.
상기 전광선 투과율은, 예를 들어, AUTOMATIC HAZE METER MODEL TC-III DPK (도쿄 전색사 제조) 등의 분광계를 사용하여 측정할 수 있다.
또한, 상기 전광선 투과율의 측정에 사용하는 경화물은, 광 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 봉지제에 LED 램프로 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사함으로써 얻을 수 있고, 열 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 80 ℃ 에서 1 시간 가열함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 경화물에 자외선을 100 시간 조사한 후의 400 ㎚ 에 있어서의 투과율이 20 ㎛ 의 광로 길이에서 85 ％ 이상인 것이 바람직하다. 상기 자외선을 100 시간 조사한 후의 투과율이 85 ％ 이상임으로써, 투명성이 보다 우수한 것이 되어, 발광의 손실이 작고, 또한, 색 재현성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 자외선을 100 시간 조사한 후의 투과율의 보다 바람직한 하한은 90 ％, 더욱 바람직한 하한은 95 ％ 이다.
상기 자외선을 조사하는 광원으로는, 예를 들어, 크세논 램프, 카본 아크 램프 등, 종래 공지된 광원을 사용할 수 있다.
또한, 상기 자외선을 100 시간 조사한 후의 투과율의 측정에 사용하는 경화물은, 광 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 봉지제에 LED 램프로 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사함으로써 얻을 수 있고, 열 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 80 ℃ 에서 1 시간 가열함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, JIS Z 0208 에 준거하여, 경화물을 85 ℃, 85 ％ RH 의 환경하에 24 시간 노출시켜 측정한 100 ㎛ 두께에서의 투습도가 100 g/㎡ 이하인 것이 바람직하다. 상기 투습도가 100 g/㎡ 이하임으로써, 예를 들어, 전자 디바이스로서 유기 EL 표시 소자의 제조에 사용한 경우, 유기 발광 재료층에 수분이 도달하는 것에 의한 다크 스폿의 발생을 억제하는 효과가 보다 우수한 것이 된다.
또한, 상기 투습도의 측정에 사용하는 경화물은, 광 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 봉지제에 LED 램프로 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사함으로써 얻을 수 있고, 열 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 80 ℃ 에서 1 시간 가열함으로써 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 경화물을 85 ℃, 85 ％ RH 의 환경하에 24 시간 노출시켰을 때에, 경화물의 함수율이 0.5 ％ 미만인 것이 바람직하다. 상기 경화물의 함수율이 0.5 ％ 미만임으로써, 예를 들어, 전자 디바이스로서 유기 EL 표시 소자의 제조에 사용한 경우, 경화물 중의 수분에 의한 유기 발광 재료층의 열화를 억제하는 효과가 보다 우수한 것이 된다. 상기 경화물의 함수율의 보다 바람직한 상한은 0.3 ％ 이다.
상기 함수율의 측정 방법으로는, 예를 들어, JIS K 7251 에 준거하여 칼 피셔법에 의해 구하는 방법이나, JIS K 7209-2 에 준거하여 흡수 후의 중량 증분을 구하는 등의 방법을 들 수 있다.
또한, 상기 함수율의 측정에 사용하는 경화물은, 광 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 봉지제에 LED 램프로 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사함으로써 얻을 수 있고, 열 경화성의 봉지제이면, 예를 들어, 80 ℃ 에서 1 시간 가열함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법으로는, 예를 들어, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 2 장의 기재 중 적어도 일방에 도포하는 공정과, 도포한 전자 디바이스용 봉지제를 광 조사 및/또는 가열에 의해 경화시키는 공정과, 상기 2 장의 기재를 첩합하는 공정을 갖는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 2 장의 기재 중 적어도 일방에 도포하는 공정에 있어서, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 기재의 전체면에 도포해도 되고, 기재의 일부에 도포해도 된다. 예를 들어, 전자 디바이스로서 유기 EL 표시 소자를 제조하는 경우, 도포에 의해 형성되는 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제의 봉지부의 형상으로는, 유기 발광 재료층을 갖는 적층체를 외기로부터 보호할 수 있는 형상이면 특별히 한정되지 않는다. 즉, 그 적층체를 완전하게 피복하는 형상이어도 되고, 그 적층체의 주변부에 닫힌 패턴을 형성해도 되고, 그 적층체의 주변부에 일부 개구부를 형성한 형상의 패턴을 형성해도 된다.
또한, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 도포하는 방법으로는, 잉크젯법이 바람직하다.
상기 전자 디바이스로서 유기 EL 표시 소자를 제조하는 경우, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 도포하는 기재 (이하, 일방의 기재라고도 한다) 는, 유기 발광 재료층을 갖는 적층체가 형성되어 있는 기재여도 되고, 그 적층체가 형성되어 있지 않은 기재여도 된다.
상기 일방의 기재가 상기 적층체가 형성되어 있지 않은 기재인 경우, 타방의 기재를 첩합했을 때에, 상기 적층체를 외기로부터 보호할 수 있도록 상기 일방의 기재에 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 도포하면 된다. 즉, 타방의 기재를 첩합했을 때에 상기 적층체의 위치가 되는 장소에 전면적으로 도포하거나, 또는, 타방의 기재를 첩합했을 때에 상기 적층체의 위치가 되는 장소가 완전하게 들어가는 형상으로, 닫힌 패턴의 봉지제부를 형성해도 된다.
또한, 상기 적층체는, 무기 재료막으로 피복되어 있어도 된다.
상기 무기 재료막을 구성하는 무기 재료로는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 질화규소 (SiNx) 나 산화규소 (SiOx) 등을 들 수 있다. 상기 무기 재료막은, 1 층으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수종의 층을 적층한 것이어도 된다. 또한, 상기 무기 재료막과 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제로 이루어지는 수지막을, 교대로 반복하여 상기 적층체를 피복해도 된다.
상기 전자 디바이스용 봉지제를 광 조사 및/또는 가열에 의해 경화시키는 공정은, 상기 2 장의 기재를 첩합하는 공정 전에 실시해도 되고, 상기 2 장의 기재를 첩합하는 공정 후에 실시해도 된다.
상기 전자 디바이스용 봉지제를 광 조사 및/또는 가열에 의해 경화시키는 공정을, 상기 2 장의 기재를 첩합하는 공정 전에 실시하는 경우, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 광 조사 및/또는 가열하고 나서 경화 반응이 진행되어 접착을 할 수 없게 될 때까지의 사용 가능 시간이 1 분 이상인 것이 바람직하다. 상기 사용 가능 시간이 1 분 이상임으로써, 2 장의 기재를 첩합하기 전의 경화의 진행을 억제하여, 첩합한 후의 접착 강도를 보다 높게 할 수 있다.
상기 전자 디바이스용 봉지제를 광 조사에 의해 경화시키는 경우, 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 300 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 파장 및 300 mJ/㎠ 이상 3000 mJ/㎠ 이하의 적산 광량의 광을 조사함으로써 바람직하게 경화시킬 수 있다.
상기 광 조사에 사용하는 광원으로는, 예를 들어, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 엑시머 레이저, 케미컬 램프, 블랙 라이트 램프, 마이크로 웨이브 여기 수은등, 메탈 할라이드 램프, 나트륨 램프, 할로겐 램프, 크세논 램프, LED 램프, 형광등, 태양광, 전자선 조사 장치 등을 들 수 있다. 이들 광원은, 단독으로 이용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
이들 광원은, 상기 광 카티온 중합 개시제나 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 파장에 맞추어 적절히 선택된다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제에 대한 광의 조사 수단으로는, 예를 들어, 각종 광원의 동시 조사, 시간차를 둔 축차 조사, 동시 조사와 축차 조사의 조합 조사 등을 들 수 있고, 어느 조사 수단을 사용해도 된다.
상기 전자 디바이스용 봉지제를 가열에 의해 경화시키는 경우, 예를 들어, 전자 디바이스로서 유기 EL 표시 소자를 제조할 때의 유기 발광 재료층을 갖는 적층체에 대한 데미지를 저감시키면서 충분히 경화시키는 관점에서, 가열 온도는 50 ℃ 이상 120 ℃ 이하인 것이 바람직하다.
상기 2 장의 기재를 첩합하는 공정에 있어서, 2 장의 기재를 첩합하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 감압 분위기하에서 첩합하는 것이 바람직하다.
상기 감압 분위기하의 진공도의 바람직한 하한은 0.01 ㎪, 바람직한 상한은 10 ㎪ 이다. 상기 감압 분위기하의 진공도가 이 범위임으로써, 진공 장치의 기밀성이나 진공 펌프의 능력으로부터 진공 상태를 달성하는 데에 긴 시간을 소비하지 않고, 2 장의 기재를 첩합할 때의 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제 중으로부터 보다 효율적으로 기포를 제거할 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 봉지제는, 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수하기 때문에, 특히 유기 EL 표시 소자용 봉지제로서 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명의 전자 디바이스용 봉지제를 사용하여 이루어지는 유기 EL 표시 소자용 봉지제도 또한, 본 발명의 하나이다.
본 발명에 의하면, 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수한 전자 디바이스용 봉지제를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 그 전자 디바이스용 봉지제를 사용하여 이루어지는 유기 EL 표시 소자용 봉지제를 제공할 수 있다.
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지 않는다.
(실시예 1 ∼ 16, 비교예 1 ∼ 3)
표 1 ∼ 3 에 기재된 배합비에 따라, 각 재료를, 호모 디스퍼형 교반 혼합기를 이용하여, 교반 속도 3000 rpm 으로 균일하게 교반 혼합함으로써, 실시예 1 ∼ 16 및 비교예 1 ∼ 3 의 전자 디바이스용 봉지제를 제작하였다. 호모 디스퍼형 교반 혼합기로는, 호모 디스퍼 L 형 (프라이 믹스사 제조) 을 사용하였다. 얻어진 각 전자 디바이스용 봉지제를 가로세로 5 ㎝ 의 유리판 상에 스핀 코터를 사용하여 10 ㎛ 두께로 도포한 후, LED 램프를 사용하여 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사하여 경화물을 얻었다. 얻어진 경화물에 대하여, 분광계를 사용하여 측정한 헤이즈를 표 1 ∼ 3 에 나타냈다. 분광계로는, AUTOMATIC HAZE METER MODEL TC-III DPK (도쿄 전색사 제조) 를 사용하였다.
또한, 표 중에 있어서의, 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물 및 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물에 대하여, 이하에 상세히 서술한다.
「SIB1092.0」 은, R1 이 모두 메틸기이고, X1 및 X2 가 상기 식 (2-2) 로 나타내는 기 (R2 는 디메틸렌기) 인 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 191 g/㏖) 이다.
「X-22-163」 은, R1 이 모두 메틸기이고, X1 및 X2 가 상기 식 (2-1) 로 나타내는 기 (R2 는 트리메틸렌기) 인 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 200 g/㏖) 이다.
「X-22-164」 는, R1 이 모두 메틸기이고, X1 및 X2 가 상기 식 (2-4) 로 나타내는 기 (R2 는 트리메틸렌기, R5 는 메틸기) 인 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 190 g/㏖) 이다.
「옥세타닐기를 갖는 실리콘 화합물 A」 는, R1 이 모두 메틸기이고, X1 및 X2 가 상기 식 (2-3) 으로 나타내는 기 (R2 는 트리메틸렌기, R3 은 에틸기, R4 는 메틸렌기) 인 식 (1) 로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 223 g/㏖) 이다.
「X-22-169AS」 는, R6 이 모두 메틸기이고, X3 및 X4 가 상기 식 (4-2) 로 나타내는 기 (R7 은 디메틸렌기) 이고, n 이 8 인 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 500 g/㏖) 이다.
「X-22-163A」 는, R6 이 모두 메틸기이고, X3 및 X4 가 상기 식 (4-1) 로 나타내는 기 (R7 은 트리메틸렌기) 이고, n 이 18 인 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 1000 g/㏖) 이다.
「X-22-173DX」 는, R6 이 모두 메틸기이고, X3 및 X4 중, 일방이 메틸기, 타방이 상기 식 (4-1) 로 나타내는 기 (R7 은 트리메틸렌기) 이고, n 이 60 인 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 4600 g/㏖) 이다.
「옥세타닐기를 갖는 실리콘 화합물 B」 는, R6 이 모두 메틸기이고, X3 및 X4 가 상기 식 (4-3) 으로 나타내는 기 (R7 은 트리메틸렌기, R8 은 에틸기, R9 는 메틸렌기) 이고, n 이 7 인 식 (3) 으로 나타내는 실리콘 화합물 (중합성기 당량 482 g/㏖) 이다.
＜평가＞
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 봉지제에 대하여 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타냈다.
(점도)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 봉지제에 대하여, E 형 점도계를 사용하여, 25℃, 100 rpm 의 조건에 있어서의 점도를 측정하였다. E 형 점도계로는, VISCOMETER TV-22 (토오키 산업사 제조) 를 사용하였다.
(저아웃 가스성)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 봉지제의 경화물의 가열시에 발생하는 아웃 가스를, 이하에 나타내는 바와 같이 헤드 스페이스법에 의한 가스 크로마토그래피에 의해 측정하였다.
먼저, 각 전자 디바이스용 봉지제 100 ㎎ 을 어플리케이터로 300 ㎛ 의 두께로 도공하였다. 이어서, LED 램프로 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사하여 봉지제를 경화시킨 후, 헤드 스페이스용 바이알에 경화시킨 봉지제 경화물을 넣어 바이알을 봉지하고, 100 ℃ 에서 30 분간 가열하여, 헤드 스페이스법에 의해 발생 가스를 측정하였다. 또한, 실시예 15 에서 얻어진 봉지제에 대해서는, 자외선을 조사하는 대신에 80 ℃ 에서 1 시간 가열함으로써 경화시켰다.
발생한 가스가 300 ppm 미만이었을 경우를 「○」, 300 ppm 이상 500 ppm 미만이었을 경우를 「△」, 500 ppm 이상이었을 경우를 「×」 로 하여 저아웃 가스성을 평가하였다.
(젖음 확산성)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 봉지제를, 잉크젯 토출 장치를 사용하여, 10 피코 리터의 액적량으로 알칼리 세정한 무알칼리 유리 상에 적하하고, 적하로부터 5 분 후의 무알칼리 유리 상의 액적의 직경을 측정하였다. 잉크젯 토출 장치로는, 머테리얼 프린터 DMP-2831 (후지 필름사 제조) 을 이용하고, 무알칼리 유리로는, AN100 (AGC 사 제조) 을 사용하였다.
(유기 EL 표시 소자의 표시 성능)
(유기 발광 재료층을 갖는 적층체가 배치된 기판의 제작)
길이 25 ㎜, 폭 25 ㎜, 두께 0.7 ㎜ 의 유리에 ITO 전극을 1000 Å 의 두께가 되도록 성막한 것을 기판으로 하였다. 상기 기판을 아세톤, 알칼리 수용액, 이온 교환수, 및, 이소프로필알코올로 각각 15 분간 초음파 세정한 후, 자비시킨 이소프로필알코올로 10 분간 세정하고, 추가로, UV-오존 클리너로 직전 처리를 실시하였다. UV-오존 클리너로는, NL-UV253 (니혼 레이저 전자사 제조) 을 사용하였다.
다음으로, 직전 처리 후의 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 고정시키고, 옹기 도가니에 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘 (α-NPD) 을 200 ㎎ 넣고, 다른 옹기 도가니에 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄 (Alq3) 을 200 ㎎ 넣고, 진공 챔버 내를, 1 × 10-4 ㎩ 까지 감압하였다. 그 후, α-NPD 가 들어간 도가니를 가열하고, α-NPD 를 증착 속도 15 Å／s 로 기판에 퇴적시켜, 막 두께 600 Å 의 정공 수송층을 성막하였다. 이어서, Alq3 이 들어간 도가니를 가열하여, 15 Å／s 의 증착 속도로 막 두께 600 Å 의 유기 발광 재료층을 성막하였다. 그 후, 정공 수송층 및 유기 발광 재료층이 형성된 기판을, 텅스텐제 저항 가열 보트를 갖는 다른 진공 증착 장치로 옮겨, 진공 증착 장치 내의 텅스텐제 저항 가열 보트의 1 개에 불화리튬 200 ㎎ 을 넣고, 다른 텅스텐제 저항 가열 보트에 알루미늄선 1.0 g 을 넣었다. 그 후, 진공 증착 장치의 증착기 내를 2 × 10-4 ㎩ 까지 감압하여 불화리튬을 0.2 Å／s 의 증착 속도로 5 Å 성막한 후, 알루미늄을 20 Å／s 의 속도로 1000 Å 성막하였다. 질소에 의해 증착기 내를 상압으로 되돌려, 10 ㎜ × 10 ㎜ 의 유기 발광 재료층을 갖는 적층체가 배치된 기판을 취출하였다.
(무기 재료막 A 에 의한 피복)
얻어진 적층체가 배치된 기판에 13 ㎜ × 13 ㎜ 의 개구부를 갖는 마스크를 설치하고, 플라즈마 CVD 법으로 그 적층체 전체를 덮도록 무기 재료막 A 를 형성하였다.
플라즈마 CVD 법은, 원료 가스로서 SiH4 가스 및 질소 가스를 이용하여, 각각의 유량을 SiH4 가스 10 sccm, 질소 가스 200 sccm 으로 하고, RF 파워를 10 W (주파수 2.45 ㎓), 챔버 내 온도를 100 ℃, 챔버 내 압력을 0.9 Torr 로 하는 조건으로 실시하였다.
형성된 무기 재료막 A 의 두께는, 약 1 ㎛ 였다.
(수지 보호막의 형성)
무기 재료막 A 에 의한 피복 후의 기판에 대하여, 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 봉지제를, 잉크젯 토출 장치를 사용하여 40 ℃ 에서 패턴 도포하였다. 잉크젯 토출 장치로는, 머테리얼 프린터 DMP-2831 (후지 필름사 제조) 을 사용하였다.
그 후, LED 램프를 사용하여 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사하여, 전자 디바이스용 봉지제를 경화시켜 수지 보호막을 형성하였다. 또한, 실시예 15 에서 얻어진 봉지제에 대해서는, 자외선을 조사하는 대신에 80 ℃ 에서 1 시간 가열함으로써 경화시켜 수지 보호막을 형성하였다.
(무기 재료막 B 에 의한 피복)
수지 보호막을 형성한 후, 기판에 12 ㎜ × 12 ㎜ 의 개구부를 갖는 마스크를 설치하고, 플라즈마 CVD 법으로 그 수지 보호막의 전체를 덮도록 무기 재료막 B 를 형성하여 유기 EL 표시 소자를 얻었다.
플라즈마 CVD 법은, 상기 「(무기 재료막 A 에 의한 피복)」 과 동일한 조건으로 실시하였다.
형성된 무기 재료막 B 의 두께는, 약 1 ㎛ 였다.
(유기 EL 표시 소자의 발광 상태)
얻어진 유기 EL 표시 소자를, 온도 85 ℃, 습도 85 ％ 의 환경하에서 100 시간 노출시킨 후, 3 V 의 전압을 인가하고, 유기 EL 표시 소자의 발광 상태 (다크 스폿 및 화소 주변 소광의 유무) 를 육안으로 관찰하였다. 다크 스폿이나 주변 소광이 없이 균일하게 발광했을 경우를 「○」, 다크 스폿이나 주변 소광이 확인되었을 경우를 「△」, 비발광부가 현저하게 확대되었을 경우를 「×」 로 하여 유기 EL 표시 소자의 표시 성능을 평가하였다.
본 발명에 의하면, 저아웃 가스성, 기판 또는 무기 재료막에 대한 젖음 확산성, 및, 투명성이 우수한 전자 디바이스용 봉지제를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 그 전자 디바이스용 봉지제를 사용하여 이루어지는 유기 EL 표시 소자용 봉지제를 제공할 수 있다.

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