KR20240039073A - 표면 처리 장치 - Google Patents

Abstract

표면 처리 장치는, 피처리재(W)를 적재하는 피처리재 적재부(50)(적재부)와, 피처리재 적재부(50)에 적재한 피처리재(W)를 수용하는 로드 로크실(55)(제1 수용 유닛)과, 피처리재 적재부(50)에 적재한 피처리재(W)를 수용하여, 적어도 1종류의 표면 처리를 행하는 표면 처리부(플라스마 처리 장치(21) 또는 스퍼터링 장치(22))와, 피처리재 적재부(50)에 적재한 피처리재(W)를, 로드 로크실(55) 또는 챔버(20)의 긴 변 방향을 따라서 반송하는 피처리재 반송부(40)(반송부)를 구비하고, 챔버(20)가 단체인 상태, 또는, 로드 로크실(55)과 챔버(20)를, 피처리재 반송부(40)의 반송 방향을 따라서 연결한 상태에서, 피처리재(W)에 대하여 표면 처리를 행한다.

Description

표면 처리 장치

본 발명은, 피처리재에 표면 처리를 행하는 표면 처리 장치에 관한 것이다.

종래, 플라스마를 사용하여 피처리재의 표면의 세정이나 개질을 행함으로써, 금속 촉매층이나 SiOx막 등을 형성하는 표면 처리 장치나, 스퍼터링 장치를 사용하여, 피처리재의 표면에 박막을 형성하는 표면 처리 장치가 알려져 있다.

예를 들어, 특허문헌 1에는, 피처리재의 편면에 성막을 행하는 성막 장치가 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2015-098617호 공보

피처리재의 양면에 성막을 행할 때는, 피처리재를 가능한 한 대기에 폭로시키지 않고 처리할 수 있는 것이 바람직하다. 그러나, 예를 들어 특허문헌 1의 성막 장치에 있어서는, 편면의 성막이 종료된 후에, 피처리재의 방향을 반전시켜 다시 성막을 행할 필요가 있었다. 또한, 종래의 편면 성막 장치를 양면 성막 장치에 전용할 때는 신규 설계가 필요로 되기 때문에, 편면 성막 장치에서 축적한 성막 조건을 그대로 유용할 수 없다고 하는 과제가 있었다.

본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것이며, 편면 성막 장치의 성막 조건을, 그대로 양면 성막 장치에 유용하는 것이 가능한 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 표면 처리 장치는, 피처리재를 적재하는 적재부와, 상기 적재부에 적재한 상기 피처리재를 수용하는 제1 수용 유닛과, 상기 적재부에 적재한 상기 피처리재를 수용하여, 적어도 1종류의 표면 처리를 행하는 표면 처리부를 구비하는 제2 수용 유닛과, 상기 적재부에 적재한 상기 피처리재를, 상기 제1 수용 유닛 또는 상기 제2 수용 유닛의 긴 변 방향을 따라서 반송하는 반송부를 구비하고, 상기 제2 수용 유닛이 단체인 상태, 또는, 상기 제1 수용 유닛과 상기 제2 수용 유닛을, 상기 반송부의 반송 방향을 따라서 복수 연결한 상태에서, 상기 피처리재에 대하여 표면 처리를 행하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 관한 표면 처리 장치는, 편면 성막 장치의 성막 조건을, 그대로 양면 성막 장치에 유용할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.

도 1은 편면 성막을 행하는 표면 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 도 1의 표면 처리 장치의 챔버 내부의 상면도이다.
도 3은 피처리재의 설치 구조의 일례를 도시하는 분해 사시도이다.
도 4는 피처리재의 설치 구조의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 5는 플라스마 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 6은 스퍼터링 장치의 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 7은 펌프 유닛의 구성의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 8은 표면 처리 장치 단체의 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.
도 9는 2개의 표면 처리 장치를 연결한 상태의 일례를 도시하는 상면도이다.
도 10은 도 9에 도시한 표면 처리 장치에, 로드 로크실을 연결한 상태의 일례를 도시하는 상면도이다.
도 11은 도 9에 도시한 표면 처리 장치에, 로드 로크실을 연결한 상태의 다른 예를 도시하는 상면도이다.
도 12는 연결된 복수의 표면 처리 장치가, 각각 배기 장치를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 13은 연결된 복수의 표면 처리 장치 중 1개가 배기 장치를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 14는 연결된 복수의 표면 처리 장치의 개구부를 서로 연결하는 배관 부재에 배기 장치를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 15는 연결된 복수의 표면 처리 장치의 개구부를 서로 연결하는 배관 부재에 펌프 유닛을 구비하고, 복수의 표면 처리 장치의 각각의 개구부에 승강 밸브를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 16은 실시 형태의 제1 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.
도 17은 실시 형태의 제2 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.
도 18은 실시 형태의 제3 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.
도 19는 실시 형태의 제4 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.

이하에, 본 개시에 관한 표면 처리 장치의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 실시 형태에 있어서의 구성 요소에는, 당업자가 치환 가능, 또한, 용이하게 상도할 수 있는 것, 혹은 실질적으로 동일한 것이 포함된다.

(실시 형태)

본 개시의 실시 형태는, 예를 들어 플라스틱 수지 등의 수지 재료로 성형된 피처리재 W(워크)의 편면에 표면 처리를 행하는 표면 처리 장치(10)를 복수 연결함으로써, 피처리재 W의 양면에 원하는 표면 처리를 행하는 것이다. 이후, 단체의 표면 처리 장치를 표면 처리 장치(10)라 칭하고, 표면 처리 장치(10)를 복수 연결한 표면 처리 장치를, 표면 처리 장치(10a, 10b)라 칭한다. 또한, 피처리재 W의 표면 처리란, 예를 들어 성막 처리이다.

[1. 표면 처리 장치의 단체 구조]

먼저, 도 1과 도 2를 사용하여, 표면 처리 장치(10)의 단체의 개략 구성을 설명한다. 도 1은 편면 성막을 행하는 표면 처리 장치의 개략 구성도이다. 도 2는 도 1의 표면 처리 장치의 챔버 내부의 상면도이다.

표면 처리 장치(10)는, 챔버(20)에 내포된, 피처리재 적재부(50)와, 피처리재 반송부(40)와, HCD(Hollow Cathode Discharge) 전극(210)과, 스퍼터 전극(220)을 구비한다.

챔버(20)는, 내부에 수용한 피처리재 W에 대하여 표면 처리를 행하는, 밀폐된 반응 용기이다. 챔버(20)는, 도 1에 도시한 XYZ 좌표계에 있어서, X축 방향을 긴 변 방향으로 하는 직육면체 형상을 갖는다. 또한, 챔버(20)는, 본 개시에 있어서의 제2 수용 유닛의 일례이다.

피처리재 적재부(50)는, 피처리재 W를, Y축을 따라서 대략 기립시킨 상태에서 적재한다. 또한, 피처리재 적재부(50)는, 본 개시에 있어서의 적재부의 일례이다. 피처리재 적재부(50)는, 이동대(41)와, 설치대(47)와, 설치축(48)을 구비한다.

이동대(41)는, 피처리재 W를 설치하는 받침대이다. 이동대(41)는, 후술하는 피처리재 반송부(40)에 의해, X축을 따라서 반송된다.

설치대(47)는, 이동대(41)에 설치되어, 피처리재 W를 설치하는 베이스가 되는 부재이다.

설치축(48)은, 피처리재 W를 설치대(47)에 지지한다.

또한, 피처리재 적재부(50)는, 피처리재 W의 방향을, 도 1에 도시한 축 B의 주위로 요동시킴으로써, 후술하는 HCD 전극(210) 또는 스퍼터 전극(220)에 대한 피처리재 W의 방향을 조정하는 조정 기구를 구비해도 된다. 또한, 피처리재 적재부(50)는, 피처리재 W의 방향을, 도 1에 도시한 축 C의 주위, 즉, 피처리재 W의 법선 방향의 주위로 조정하는 조정 기구를 구비해도 된다. 또한, 피처리재 적재부(50)는, 피처리재 W의 방향을, 도 1에 도시한 축 θ의 주위로 조정하는 조정 기구를 구비해도 된다. 이들 조정 기구를 구비함으로써, 피처리재 W의 표면에, 보다 한층 더, 균일한 성막을 가능하게 한다.

피처리재 반송부(40)는, 피처리재 적재부(50)에 적재된 피처리재 W를, 챔버(20)의 긴 변 방향(X축)을 따라서 반송한다. 또한, 피처리재 반송부(40)는, 본 개시에 있어서의 반송부의 일례이다.

피처리재 반송부(40)는, 반송용 모터(43)에 의해 구동되는 1축의 이동 테이블이다. 구체적으로는, 피처리재 반송부(40)는, 2개의 풀리(44a, 44b)에 걸쳐진 타이밍 벨트(42)에 고정된 이동대(41)를, 반송용 모터(43)의 회전 구동력에 의해, X축을 따라서 반송한다.

이동대(41)에는, 설치대(47)와 설치축(48)을 통해 피처리재 W가 적재되어 있기 때문에, 피처리재 W는, 피처리재 반송부(40)에 의해, X축을 따라서 반송된다.

챔버(20)의 XY 평면을 따르는 한쪽의 측면에는, 플라스마 처리 장치(21)와 스퍼터링 장치(22)가 설치된다.

플라스마 처리 장치(21)는, HCD 전극(210)에서 생성한 플라스마를 피처리재 W에 조사함으로써, 피처리재 W의 표면 처리를 행한다. 이 표면 처리에 의해, 피처리재 W의 표면에, 예를 들어 SiO₂층을 생성한다. 이에 의해, 피처리재 W의 표면의 내환경성이 향상된다. 또한, 플라스마 처리 장치(21)는, 본 개시에 있어서의 표면 처리부의 일례이다.

HCD 전극(210)은, Z축에 평행인 축 Z1을 따라서 이동 가능하게 된다. 이에 의해, 피처리재 W와 HCD 전극(210)의 간격을 최적의 값으로 설정함으로써, 보다 균일한 성막 처리를 가능하게 한다.

스퍼터링 장치(22)는, 스퍼터 전극(220)에 설치한 타깃으로부터, 성막에 사용하는 원자를 튕겨 내고, 튕겨 내어진 원자를 피처리재 W의 표면에 밀착시킴으로써 스퍼터링을 행한다. 스퍼터링에 의해, 피처리재 W의 표면에는, 예를 들어 도금 가공의 하지가 되는 박막이 형성된다. 또한, 스퍼터링 장치(22)는, 본 개시에 있어서의 표면 처리부의 일례이다.

스퍼터 전극(220)은, Z축에 평행인 축 Z2를 따라서 이동 가능하게 된다. 이에 의해, 피처리재 W와 스퍼터 전극(220)의 간격을 최적의 값으로 설정함으로써, 보다 균일한 성막 처리를 가능하게 한다.

챔버(20)의 저면에는, 배기 장치(51)가 설치된다. 배기 장치(51)는, 챔버(20)의 내부를 감압하여 진공 상태로 한다. 또한, 배기 장치(51)는, 표면 처리에 의해 챔버(20)의 내부에 충만한 기체(반응 가스)를 배출한다. 배기 장치(51)는, 펌프 유닛(52)과 승강 밸브(53)를 구비한다. 펌프 유닛(52)은, 챔버(20)의 저면에 설치되어, 챔버(20)의 내부의 압력의 조정과, 플라스마 처리 장치(21)나 스퍼터링 장치(22)의 동작에 의해 챔버(20)의 내부에 충만한 가스의 배기를 행한다. 펌프 유닛(52)은, 예를 들어 로터리 펌프나 터보 분자 펌프로 구성된다. 승강 밸브(53)는, 예를 들어 챔버(20)의 저면에 맞닿은 상태와, Y축 부측으로 이동한 상태 사이에서 이동함으로써, 챔버(20)의 저면에 형성된 개구부(30)를 대기에 개방한다. 또한, 배기 장치(51)는, 본 개시에 있어서의 배기부의 일례이다. 또한, 펌프 유닛(52)은, 본 개시에 있어서의 펌프 장치의 일례이다. 승강 밸브(53)는, 본 개시에 있어서의 밸브 부재의 일례이다.

챔버(20)의 YZ 평면을 따르는 양측면은, 개폐 도어(23a, 23b)를 구비한다. 개폐 도어(23a, 23b)는, 힌지 기구 또는 슬라이드 기구에 의해 개폐 가능하다. 표면 처리 장치(10)의 조작자는, 개폐 도어(23a, 23b)를 개폐함으로써, 피처리재 W의 설치와, 표면 처리를 완료한 피처리재 W의 취출을 행한다.

표면 처리 장치(10)는, 또한, 냉각 장치, 제어 장치, 전원 공급 장치, 가스 공급 장치, 조작반 등을 구비하지만, 설명을 간단하게 하기 위해, 도시를 생략한다.

냉각 장치는, 기기나 전원 등을 냉각하는 냉각수를 생성한다.

제어 장치는, 표면 처리 장치(10)의 전체의 제어를 행한다.

전원 공급 장치는, 표면 처리 장치(10)의 각 부에 공급하는 전원을 수용한다.

가스 공급 장치는, 챔버(20)에, 성막용의 가스, 및 반응용의 가스를 공급한다.

조작반은, 표면 처리 장치(10)에 대한 조작 지시를 접수한다. 또한, 조작반은, 표면 처리 장치(10)의 동작 상태를 표시하는 기능을 구비한다.

챔버(20)는, 도 2에 도시한 셔터(31)와 셔터(32)를 구비한다. 또한, 셔터(31, 32)는, 본 개시에 있어서의 차폐 부재의 일례이다.

셔터(31)는, X축 정측으로 이동함으로써, 피처리재 W에 플라스마 처리를 행할 때 HCD 전극(210)을 노출시킨다. 또한, 셔터(31)는, X축 부측으로 이동함으로써, 피처리재 W에 스퍼터링 처리를 행할 때 HCD 전극(210)을 격납한다. 이에 의해, 사용하지 않는 전극의 오염을 방지한다.

셔터(32)는, X축 부측으로 이동함으로써, 피처리재 W에 스퍼터링 처리를 행할 때 스퍼터 전극(220)을 노출시킨다. 또한, 셔터(32)는, X축 정측으로 이동함으로써, 피처리재 W에 플라스마 처리를 행할 때 스퍼터 전극(220)을 격납한다. 이에 의해, 사용하지 않는 전극의 오염을 방지한다.

또한, 성막 중에는, HCD 전극(210)을 축 Z1 방향으로 이동시키지 않고, 또한, 스퍼터 전극(220)을 축 Z2 방향으로 이동시키지 않는 것이 바람직하지만, 챔버(20)의 내부의 진공도, 가스 유량, 피처리재 W의 반송 속도, 전력, 전압값, 전류값, 방전 상태, 챔버(20)의 내부의 온도 등에 따라서, 적절히, 축 Z1, 축 Z2 방향의 조출량을 변경해도 된다. 이에 의해, 보다 균일한 성막 처리가 가능해진다. 또한, 상기한 각 파라미터의 값에 따라서, 피처리재 W의 반송 속도를 변경해도 된다.

다음으로, 도 3과 도 4를 사용하여, 피처리재 W의 설치 구조를 설명한다. 도 3은 피처리재의 설치 구조의 일례를 도시하는 분해 사시도이다. 도 4는 피처리재의 설치 구조의 일례를 도시하는 단면도이다.

피처리재 W는, 도 3에 도시한 바와 같이, 2매의 기재 홀더(91, 92)에 끼움 지지된 상태에서, 피처리재 적재부(50)에 설치된다.

기재 홀더(91, 92)는, 격자상의 개구부가 형성된 판형 부재이다. 기재 홀더(91, 92)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 피처리재 W에 맞닿는 측이, 피처리재 W의 형상에 맞추어, 두께가 얇게 성형되어 있다. 그 때문에, 피처리재 W를 기재 홀더(91, 92) 사이에 끼워 넣을 때, 피처리재 W는, 2매의 기재 홀더(91, 92)에 의해 확실하게 끼움 지지된다. 그리고, 기재 홀더(91, 92)에 끼움 지지된 피처리재 W는, 격자상의 개구부에 대응하는 위치에 대하여 표면 처리가 이루어진다.

기재 홀더(91)의 외연부에는, 비스(46)가 관통하는 복수의 설치 구멍(91a)이 형성된다. 그리고, 설치 구멍(91a)에 삽입된 비스(46)는, 기재 홀더(92)에 형성된 암나사(92a)와 결합함으로써, 피처리재 W를 끼움 지지한 상태에서, 기재 홀더(91)와 기재 홀더(92)를 고정한다. 또한, 기재 홀더(91)와 기재 홀더(92)의 고정은, 비스(46) 대신에 원 터치 클립 등을 사용하여 행해도 된다.

또한, 피처리재 W의 편면만을 처리하는 경우에는, 피처리재 W 중, 표면 처리의 대상이 되지 않는 측의 기재 홀더에는, 개구부를 형성하지 않아도 된다.

[2. 플라스마 처리 장치의 구조]

도 5를 사용하여, 플라스마 처리 장치(21)의 구성을 설명한다. 도 5는 플라스마 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.

플라스마 처리 장치(21)는, 플라스마 가스를 생성할 때 사용하는, 아르곤 등의 반응용 가스를 공급하는 가스 공급관(66)과, 고주파 전압에 의해, 가스 공급관(66)으로부터 공급된 반응용 가스로부터 플라스마 가스를 생성하는 한 쌍의 판상 도체부(60, 62)를 갖는다. 또한, 반응용 가스로서는, 예를 들어 산소, 아르곤, 질소 등이 단독 혹은 혼합된 상태에서 사용된다.

가스 공급관(66)은, 챔버(20)의 측벽면에, Z축(Z1축)을 따라서 이동 가능하게 지지된 지지판(64)을 두께 방향으로 관통하고 있고, 가스 공급관 설치 부재(58)에 의해 지지판(64)에 설치되어 있다. 또한, 가스 공급관(66)의 내부에는, 가스 공급관(66)의 연장 방향을 따르는 가스 유로(56)가 형성되어 있고, 당해 가스 유로(56)를 통해, 챔버(20)의 외측으로부터 챔버(20) 내에 반응용 가스가 공급된다. 또한, 가스 공급관(66)의, 지지판(64)의 외측(챔버(20)의 외측)의 단부에는, 가스 공급관(66)에 반응용 가스를 공급하는 가스 공급부(78)가 접속되어 있고, 가스 공급관(66)의 타단측(챔버(20)의 내측)의 단부에는, 가스 유로(56)를 흐른 반응용 가스를 챔버(20) 내에 도입하는 구멍인 가스 공급 구멍(57)이 형성되어 있다. 가스 공급부(78)에는, 질량 유량계에 유량 제어의 기능을 갖게 한 매스 플로 컨트롤러(MFC)(76a)를 통해 반응용 가스가 공급된다.

한 쌍의 판상 도체부(60, 62)는, 모두 평판상으로 형성되어 있고, 알루미늄 등의 금속판, 혹은 그 밖의 도체판을 평행하게 배치함으로써 형성되어 있다. 판상 도체부(60, 62)는, 지지판(77)에 의해 지지되고 있다. 또한, 한 쌍의 판상 도체부(60, 62)는, 본 개시에 있어서의 전극(HCD 전극(210))의 일례이다. 지지판(77)은, 예를 들어 유리, 세라믹 등의 절연 재료에 의해 형성되어 있다. 지지판(77)은, 지지판(64) 측의 외주 부근의 전체 둘레에 걸쳐 볼록부가 형성된 형상으로 형성되어 있다. 환언하면, 지지판(77)은, 챔버(20)의 내부측에 지지판(77)의 외주를 따라서 오목해진 오목부(67)가 형성된, 판상의 형상으로 형성되어 있다.

지지판(77)은, 지지 부재(59)에 의해 지지되고 있다. 지지 부재(59)는, 원통상의 부재와, 당해 원통상의 부재의 양단에 위치하는 설치 부재를 갖고, Z축 부측의 단부가 지지판(64)에 설치되고, Z축 정측의 단부가 지지판(77)에 설치되어 있다.

지지판(64)을 관통하는 가스 공급관(66)은, 원통상의 지지 부재(59)의 내측을 통과하여 지지판(77)의 위치까지 연장되어, 지지판(77)을 관통하고 있다. 그리고, 가스 공급관(66)에 형성되는 가스 공급 구멍(57)은, 지지판(77)에 있어서의 오목부(67)가 형성되는 부분에 배치된다.

한 쌍의 판상 도체부(60, 62)는, 지지판(77)에 있어서의 오목부(67)가 형성되어 있는 측에, 오목부(67)를 덮어 배치되어 있다. 그때, 한 쌍의 판상 도체부(60, 62)는, 양쪽의 사이의 외주 부근에 스페이서(63)가 배치되어, 스페이서(63)를 개재하여 겹쳐져 있다. 그리고, 한 쌍의 판상 도체부(60, 62)는, 스페이서(63) 이외의 부분에 있어서 서로 이격하여 배치되어, 판상 도체부(60, 62) 사이에 공극부(61)를 형성하고 있다. 공극부(61)의 간격은, 플라스마 처리 장치(21)에 있어서 도입하는 반응용 가스나 공급하는 전력의 주파수, 나아가 전극의 사이즈 등에 따라서 적절히 설정하는 것이 바람직하지만, 예를 들어 3㎜ 내지 12㎜ 정도이다.

한 쌍의 판상 도체부(60, 62)는, 스페이서(63)를 개재하여 겹쳐진 상태에서, 판상 도체부(60, 62)를 보유 지지하기 위한 부재인 보유 지지 부재(79)에 의해 보유 지지되고 있다. 즉, 보유 지지 부재(79)는, 판상 도체부(60, 62)에 있어서의 지지판(77)이 위치하는 측의 반대측에 배치되며, 보유 지지 부재(79)와 지지판(77)에 의해 판상 도체부(60, 62)를 사이에 끼운 상태에서 지지판(77)에 설치되어 있다. 그리고, 지지판(77)의 오목부(67)와, 판상 도체부(60, 62) 사이에는 공간이 형성된다.

이와 같이 하여 형성된 공간은, 가스 공급관(66)에 의해 공급되는 반응용 가스가 도입되는 가스 도입부(80)로서 기능한다. 가스 공급관(66)의 가스 공급 구멍(57)은, 가스 도입부(80)에 위치하여, 가스 도입부(80)를 향하여 개구되어 있다.

또한, 한 쌍의 판상 도체부(60, 62)에는, 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(69, 70)이, 각각 다수 형성되어 있다. 즉, 가스 공급관(66)에 의해 공급되는 반응용 가스의 유입측에 위치하는 판상 도체부(62)에는, 판상 도체부(62)의 두께 방향으로 본 경우에 매트릭스상으로 소정의 간격으로 복수의 관통 구멍(70)이 형성되어 있고, 가스 공급관(66)에 의해 공급되는 반응용 가스의 유출측에 위치하는 판상 도체부(60)에는, 판상 도체부(60)의 두께 방향으로 본 경우에 매트릭스상으로 소정의 간격으로 복수의 관통 구멍(69)이 형성되어 있다.

판상 도체부(60)의 관통 구멍(69)과, 판상 도체부(62)의 관통 구멍(70)은, 각각 원통 형상의 구멍이며, 양쪽의 관통 구멍(69, 70)은, 동축 상에 배치되어 있다. 즉, 판상 도체부(60)의 관통 구멍(69)과, 판상 도체부(62)의 관통 구멍(70)은, 각 관통 구멍의 중심이 정렬된 위치에 배치되어 있다. 이 중, 판상 도체부(60)의 관통 구멍(69)은, 반응용 가스의 유입측의 판상 도체부(62)의 관통 구멍(70)보다도 직경이 작게 되어 있다. 이와 같이 한 쌍의 판상 도체부(60, 62)에는, 복수의 관통 구멍(69, 70)이 형성되어 홀로 전극 구조로 되고, 이들 복수의 관통 구멍(69, 70)을 통해, 생성된 플라스마 가스가 고밀도로 흐른다.

평행 평판형의 판상 도체부(60, 62) 사이에는, 공극부(61)가 개재되지만, 공극부(61)는 정전 용량을 갖는 콘덴서로서 기능한다. 그리고, 지지판(77) 및 판상 도체부(60, 62)에는, 도전성의 부재에 의해 도전부(도시 생략)가 형성되고, 당해 도전부에 의해 지지판(77)은 접지(75)되고, 판상 도체부(62)도 접지(75)되어 있다. 또한, 고주파 전원(RF)(74)은, 한쪽의 단부가 접지(75)되고, 고주파 전원(74)의 다른 쪽의 단부는, 정전 용량 등을 조정하여 플라스마와의 정합성을 얻기 위한 매칭 박스(MB)(73)를 통해 판상 도체부(60)와 도통하고 있다. 따라서, 고주파 전원(74)을 가동시킨 경우에는, 예를 들어 13.56㎒ 등의 소정의 주파수에서 판상 도체부(60)의 전위가 플러스와 마이너스로 요동된다.

생성된 플라스마 가스는, 관통 구멍(70)으로부터 유출된다. 그리고, 유출된 플라스마 가스는, 관통 구멍(70)의 Z축 정측에 있어서, 판상 도체부(60, 62)와 평행, 즉 X축을 따라서 연장되는 가스 공급관(91b)에 형성된 복수의 가스 공급 구멍(94)으로부터 Z축 정측으로 분사되는 성막용 가스와 반응한다.

성막용 가스는, 매스 플로 컨트롤러(MFC)(76b)를 통해, 포트(90)로부터 챔버(20) 내에 도입된다. 성막용 가스는, Z축을 따라서 연장되는 가스 공급관(93a)과, X축을 따라서 연장되는 가스 공급관(93b)에 의해 공급된다.

또한, 성막용 가스로서는, 표면 처리 장치(10)가 행하는 표면 처리에 따른 물질이 사용된다. 예를 들어, 메탄, 아세틸렌, 부타디엔, 티타늄테트라이소프로폭시드(TTIP), 헥사메틸디실록산(HMDSO), 테트라에톡시실란(TEOS), 헥사메틸디실라잔(HMDS), 테트라메틸실란(TMS) 등이 사용된다. 그리고, 플라스마 가스와 성막용 가스가 반응하여 생성된 전구체에 의해, 챔버(20) 내의 피처리재 W의 성막이나 세정 등의 표면 처리가 행해진다.

[3. 스퍼터링 장치의 구조]

도 6을 사용하여, 스퍼터링 장치(22)의 구성을 설명한다. 도 6은 스퍼터링 장치의 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.

스퍼터링 장치(22)는, 냉각수관(81)과, 마그네트(84)와, 타깃(87)과, 냉각 재킷(85)과, 지지판(83)을 구비한다.

냉각수관(81)은, 냉각 재킷(85)에 공급하는 냉각수의 유로를 형성한다.

마그네트(84)는, 자계를 발생시킨다.

타깃(87)은, 마그네트(84)에서 발생시킨 자계의 내부에서, 도 1에 도시하지 않은 가스 공급 장치로부터 공급되어, 도 6에 도시하지 않은 가스 유입부로부터 유입시킨 불활성 가스(예를 들어 아르곤)를 이온화시켜 충돌시킴으로써, 성막에 사용하는 원자를 튕겨 낸다. 또한, 타깃(87)은, 예를 들어 동판이며, 타깃(87)으로부터 튕겨 내어진 구리 원자가 피처리재 W의 표면에 밀착함으로써, 피처리재 W의 표면에 구리의 박막이 형성된다. 또한, 마그네트(84)와 타깃(87)은, 본 개시에 있어서의 전극(스퍼터 전극(220))의 일례이다.

냉각 재킷(85)은, 냉각수관(81)을 통해 공급된 냉각수에 의해, 타깃(87)을 냉각한다.

지지판(83)은, 마그네트(84)와 타깃(87)과 냉각 재킷(85)을 지지한다. 또한, 냉각수관(81)은, 챔버(20)의 측벽면에, Z축(Z2축)을 따라서 이동 가능하게 지지된 지지판(83)을 두께 방향으로 관통하고 있다.

냉각수관(81)의 내부에는, 냉각수관(81)의 연장 방향을 따르는 냉각수로(82)가 형성되어 있다. 또한, 도 6에는 도시되지 않지만, 냉각수로(82)는, 챔버(20)의 외부로부터 냉각 재킷(85)에, 냉각을 위한 냉각수를 공급하는 수로와, 냉각 재킷(85)으로부터 챔버(20)의 외부에, 냉각에 사용한 냉각수를 배출하는 수로를 구비한다. 이와 같이 하여, 냉각수관(81)은, 챔버(20)의 외측과, 챔버(20) 내에 배치되는 냉각 재킷(85) 사이에서, 냉각수를 순환시킨다. 또한, 냉각수관(81)의, 챔버(20)의 외측의 단부에는, 도 6에 도시하지 않은, 냉각수의 유입로 및 배출로가 접속되어 있다. 한편, 냉각수관(81)의 타단측(챔버(20)의 내측)의 단부는, 냉각 재킷(85)에 접속되어 있다. 냉각 재킷(85)은, 내부에 냉각수의 유로가 형성되어, 냉각수가 흐른다. 이에 의해, 챔버(20)의 외측과, 냉각 재킷(85) 사이에서, 냉각수가 순환한다. 또한, 냉각수는, 도 1에 도시하지 않은 냉각 장치로부터 공급된다.

지지판(83)의 하부에는 보유 지지 부재(88)가 설치되어 있다. 보유 지지 부재(88)는, Z축 부측 정측을 향하여, 마그네트(84), 냉각 재킷(85), 타깃(87)의 순으로 겹쳐진 상태에서, 타깃(87)의 외주 및 하면을 보유 지지한다.

지지판(83)과 마그네트(84) 사이에는, 절연재(86)가 배치되어 있다. 절연재(86)는, 마그네트(84)의 평면에서 본 외주 부분에도 배치되어 있다. 즉, 마그네트(84)는, 절연재(86)를 통해, 지지판(83)과 보유 지지 부재(88)에 의해 보유 지지되고 있다.

스퍼터링 장치(22)는, 피처리재 W의 표면에 박막을 형성하는, 소위 스퍼터링을 행한다. 스퍼터링 장치(22)가 스퍼터링을 행할 때는, 챔버(20)의 내부를 배기 장치(51)(도 1 참조)에 의해 감압한 후, 챔버(20)의 내부에, 도 1에 도시하지 않은 가스 공급 장치로부터 스퍼터링에 사용하는 가스를 유입시킨다. 그리고, 스퍼터링 장치(22)의 마그네트(84)가 발생시킨 자계에 의해, 챔버(20) 내의 가스를 이온화시켜, 타깃(87)에 이온을 충돌시킨다. 이에 의해, 타깃(87)의 표면으로부터, 타깃(87)의 원자를 튕겨 낸다.

예를 들어 타깃(87)에 알루미늄을 사용한 경우, 타깃(87)의 근방에서 이온화된 가스의 이온이 타깃(87)에 충돌하였을 때, 타깃(87)은, 알루미늄의 원자를 튕겨 낸다. 타깃(87)으로부터 튕겨 내어진 알루미늄의 원자는, Z축 정측을 향한다. 챔버(20) 내의 타깃(87)의 표면에 대향하는 위치에는 피처리재 W가 위치하기 때문에, 타깃(87)으로부터 튕겨 내어진 알루미늄의 원자는, 피처리재 W를 향하여 이동하여 피처리재 W에 밀착되어, 피처리재 W의 표면에 퇴적된다. 이에 의해, 피처리재 W의 표면에는, 타깃(87)을 형성하는 물질에 따른 박막이 형성된다.

[4. 펌프 유닛의 구조]

도 7을 사용하여, 펌프 유닛(52)의 구성을 설명한다. 도 7은 펌프 유닛의 구성의 일례를 도시하는 측면도이다.

펌프 유닛(52)은, 챔버(20)의 저면에 설치되어, 챔버(20) 내의 압력의 조정과, 플라스마 처리 장치(21)나 스퍼터링 장치(22)의 동작에 의해 챔버(20) 내에 충만한 가스의 배기를 행한다.

펌프 유닛(52)은, 도 7에 도시한 유량 조정 밸브(150)와, 터보 분자 펌프(170)를 구비한다.

유량 조정 밸브(150)는, 유체가 흐르는 유로부(151)와, 유로부(151)의 일단에 형성되는 개구부(30)를 개폐하는 승강 밸브(53)와, 승강 밸브(53)의 개폐 동작을 행하게 하는 서보 액추에이터(160)를 구비한다. 또한, 터보 분자 펌프(170)는, 유량 조정 밸브(150)가 갖는 유로부(151)를 흐르는 유체를 흡인하는 펌프이다. 펌프 유닛(52)은, 터보 분자 펌프(170)에서 흡인하는 유체의 유량을 유량 조정 밸브(150)로 조정함으로써, 챔버(20) 내의 압력을, 원하는 압력으로 감압한다.

펌프 유닛(52)은, 터보 분자 펌프(170)의 상단에 형성된 펌프 플랜지(171)가, 챔버(20)의 저면에 설치된 설치 플랜지(141)에 설치됨으로써, 챔버(20)의 저부에 설치된다. 설치 플랜지(141)가 챔버(20)의 저부에 설치된 상태에 있어서, 유로부(151)의 개구부(30)는, 챔버(20) 내에 대하여 개구되어 있어, 유로부(151)는, 챔버(20) 내에 연통하고 있다.

유량 조정 밸브(150)는, 챔버(20) 내에 배치되는 승강 밸브(53)와, 승강 밸브(53)를 챔버(20) 내에서 Y축을 따라서 이동시키는 구동 수단인 서보 액추에이터(160)를 갖고 있다. 승강 밸브(53)는, 챔버(20) 내에서 Y축을 따라서 이동함으로써, 터보 분자 펌프(170)에서 흡인하는 유체의 유량을 조정한다. 또한, 승강 밸브(53)는, 당해 승강 밸브(53)에 설치된 가이드 걸림 결합부(166)가, 밸브 가이드(165)를 따라서, 즉 Y축을 따라서 이동함으로써 개폐 동작이 가이드된다. 서보 액추에이터(160)는, 설치 플랜지(141)에 있어서의 터보 분자 펌프(170)가 설치되는 면측에 배치되어, 구동 수단 지지부(143)에 의해 지지되고 있다.

또한, 유량 조정 밸브(150)는, 승강 밸브(53)가 연결 부재(163)를 통해 연결되는 승강축(162)과, 서보 액추에이터(160)에서 발생한 동력을 승강축(162)에 전달하여, 승강축(162)을 Y축을 따라서 이동시키는 웜 잭(161)을 갖고 있다. 또한, 챔버(20)에는, 도 7에 도시하지 않은 진공계가 설치되어 있고, 챔버(20) 내의 압력은, 진공계에 의해 계측된다. 서보 액추에이터(160)는, 진공계의 계측값에 기초하여 작동함으로써, 승강 밸브(53)를 Y축을 따라서 이동시켜, 터보 분자 펌프(170)로 흡인하는 유체의 유량을 조정한다.

보다 구체적으로는, 승강축(162)과, 연결 부재(163)와, 승강 밸브(53)는, 일체로 되어 Y축을 따라서 이동함으로써, 개구부(30)를 개폐한다. 즉, 승강 밸브(53)는, Y축 부측으로 이동하여 개구부(30)의 전역을 덮음으로써 개구부(30)를 폐쇄한다. 한편, 승강 밸브(53)는, Y축 정측으로 이동하여 개구부(30)를 개방한다.

[5. 표면 처리 장치의 개폐 도어의 구조]

도 8을 사용하여, 표면 처리 장치(10)의 개폐 도어(23a, 23b)의 구성을 설명한다. 도 8은 표면 처리 장치 단체의 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.

표면 처리 장치(10)를 구성하는 챔버(20)의 YZ 평면을 따르는 양측면(양단부면)에는, 개폐 도어(23a, 23b)가 설치된다.

개폐 도어(23a)는, 도어 프레임부(25)에 힌지(27)에 의해 개폐 가능하게 설치된다. 도어 프레임부(25)는, 챔버(20)의 단부에 형성된 플랜지(24)에, 볼트(26a)와 너트(26b)에 의해 체결된다. 이에 의해, 개폐 도어(23a)는, 화살표 E의 방향으로 개폐된다. 또한, 개폐 도어(23a)는, 상하 방향(Y축 방향) 또는 좌우 방향(Z축 방향)으로 이동 가능한 셔터로 구성해도 된다.

한편, 개폐 도어(23b)에는, 고정형의 블랭크 패널(28)이 설치된다. 블랭크 패널(28)은, 챔버(20)의 단부에 설치된 플랜지(24)에, 볼트(26a)와 너트(26b)에 의해 체결된다.

[6. 표면 처리 장치의 연결 구조]

도 9를 사용하여, 표면 처리 장치(10)의 연결 구조를 설명한다. 도 9는 2개의 표면 처리 장치를 연결한 상태의 일례를 도시하는 상면도이다.

도 9에 도시한 표면 처리 장치(10a)는, 2대의 표면 처리 장치(10)를, 개폐 도어의 위치에서 연결한 것이다. 이하, 2대의 표면 처리 장치(10)의 연결 방법을 설명한다.

먼저, 1대의 표면 처리 장치(10)의 개폐 도어(23a)와 타이밍 벨트(42)를 떼어낸다.

다음으로, 다른 1대의 표면 처리 장치(10)의 개폐 도어(23a)와 블랭크 패널(28)을 떼어낸다. 그리고, 떼어낸 블랭크 패널(28) 대신에, 개폐 도어(23a)를 설치한다. 또한, 표면 처리 장치(10)로부터 타이밍 벨트(42)를 떼어낸다.

그리고, 2대의 표면 처리 장치(10)를, 각각의 플랜지(24) 사이에, 강체로 형성된 프레임상 부재(29)를 끼워 넣음으로써 연결한다. 프레임상 부재(29)는, 예를 들어 스테인리스 등으로 형성되어, 연결하는 2대의 챔버(20)의 단부의 외연부에 형성된 플랜지(24)끼리를 맞닿게 하였을 때, 2대의 챔버(20)의 개구부와 중첩되는 영역이 직사각 형상으로 개구되어, 플랜지(24)에 맞닿는 부분에 직사각 형상의 외측 프레임이 형성되어 있다. 프레임상 부재(29)는, 복수의 챔버(20)를 연결하였을 때, 유닛화된 긴 챔버의 강성을 높인다. 프레임상 부재(29)에 의해, 긴 챔버의 내부를 진공으로 하였을 때의 휨 변형을 억제할 수 있다. 또한, 연결하는 2대의 표면 처리 장치(10)의 각각의 플랜지(24)와 프레임상 부재(29)는, 예를 들어 1개의 볼트(26a)와 1개의 너트(26b)로 연결한다. 즉, 도 9의 예에서는, 2대의 표면 처리 장치(10)는, 1대의 표면 처리 장치(10)를, XZ 평면에 수직인 축인 Y축의 주위로 180도 선회시킨 상태로 연결되어, 긴 챔버를 형성한다. 또한, 프레임상 부재(29)와 플랜지(24)의 접속 방법은, 상기한 방법에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 프레임상 부재(29)를 사이에 두는 양측의 플랜지(24)의 외측으로부터, 각각 볼트 고정해도 된다. 또한, 2개의 플랜지(24)와 프레임상 부재(29)를 접속한 상태에서, 또한, Y축 또는 Z축을 따르는 단부면에, X축을 따르는 보강 부재를 접속해도 된다.

다음으로, 연결된 2대의 표면 처리 장치(10)에, 타이밍 벨트(42a)를 설치한다. 타이밍 벨트(42a)는, 피처리재 W를, 연결된 2대의 챔버(20)의 내부에 걸쳐 반송하는 것이 가능한 길이를 갖는다. 또한, 반송용 모터(43)와 풀리(44a, 44b)는, 연결 전의 표면 처리 장치(10)에 구비되었된 것이, 설치 위치를 변경하여 유용된다.

이와 같이 하여 연결된 표면 처리 장치(10a)는, 타이밍 벨트(42a)를 사이에 끼운 양측에, 각각, 플라스마 처리 장치(21a, 21b)와 스퍼터링 장치(22a, 22b)를 구비한다. 따라서, 표면 처리 장치(10a)는, 피처리재 W의 양면에 표면 처리를 행하는 것이 가능하다.

표면 처리 장치(10a)는, 스퍼터링, 플라스마 처리의 순으로 표면 처리(성막)를 행하는 경우에는, 피처리재 W를, 예를 들어 스퍼터링 장치(22a), 플라스마 처리 장치(21a), 스퍼터링 장치(22b), 플라스마 처리 장치(21b)의 순으로 반송하여, 피처리재 W의 양면에 표면 처리를 행한다. 또한, 플라스마 처리, 스퍼터링의 순으로 표면 처리(성막)를 행하는 경우에는, 피처리재 W를, 예를 들어 플라스마 처리 장치(21b), 스퍼터링 장치(22b), 플라스마 처리 장치(21a), 스퍼터링 장치(22a)의 순으로 반송하여, 피처리재 W의 양면에 표면 처리를 행한다.

[7. 로드 로크실의 연결]

도 10을 사용하여, 표면 처리 장치(10a)에 로드 로크실(55)을 연결한 표면 처리 장치(10b)에 대하여 설명한다. 도 10은 도 9에 도시한 표면 처리 장치에, 로드 로크실을 연결한 상태의 일례를 도시하는 상면도이다. 로드 로크실(55)은, 챔버(20)와, 도 10에 도시한 개폐 가능한 셔터(33)를 통해 접속된다. 로드 로크실(55)은, 표면 처리(성막 처리)를 행하기 전의 피처리재 W를 수용하여, 내부를 감압함으로써, 피처리재 W에 부착되어 있는 대기의 성분을 제거한다. 또한, 성막 처리를 완료한 피처리재 W는, 로드 로크실(55)로 이동시킨 후에, 로드 로크실(55)의 내부 압력을 대기압까지 증압한 후, 로드 로크실(55)로부터 취출된다. 이와 같이, 로드 로크실(55)을 사용함으로써, 피처리재 W를 대기에 폭로하지 않고 성막 처리를 행할 수 있다. 또한, 로드 로크실(55)은, 본 개시에 있어서의 제1 수용 유닛의 일례이다.

챔버(20)와 로드 로크실(55)은, 각각의 단부에 형성된 플랜지(24)에, 볼트(26a)와 너트(26b)에 의해 체결된다(도 9 참조).

도 10에 도시한 바와 같이, 로드 로크실(55)(제1 수용 유닛)과, 챔버(20)(제2 수용 유닛)는, 피처리재 반송부(40)의 반송 방향(도 10의 X축 방향)을 따르는 길이가 다르다. 도 10의 예에서는, 2대의 챔버(20)는 풀 사이즈 챔버로 되고, 로드 로크실(55)은, 풀 사이즈 챔버의 절반의 길이의 하프 사이즈 챔버로 되어 있다. 즉, 챔버(20)의 X축을 따르는 길이 A1은, 로드 로크실(55)의 X축을 따르는 길이 A2의 2배이다. 또한, 도시는 하지 않지만, 특수 사이즈의 챔버를 사용해도 된다. 이와 같이, 수용 유닛의 사이즈를, 기능에 따라서 설정함으로써, 설치대나 배관 등을 공통으로 사용할 수 있기 때문에, 피처리재 W의 사이즈나 표면 처리의 내용에 따라서, 수용 유닛의 모듈화를 도모할 수 있다. 특히, 풀 사이즈 챔버와 하프 사이즈 챔버를 사용하는 경우에는, 풀 사이즈 챔버 1개의 스페이스를 2개의 하프 사이즈 챔버로 치환할 수 있기 때문에, 효율적으로 표면 처리 장치를 재구축할 수 있다.

챔버(20)와 로드 로크실(55) 사이에는, 상기한 프레임상 부재(29)와 셔터(33)가 설치된다. 프레임상 부재(29)는, 챔버(20)와 로드 로크실(55)을 연결하였을 때의 휨 변형을 억제한다. 셔터(33)는, 로드 로크실(55)과 챔버(20)를 구획하는 게이트 밸브의 기능을 갖는다. 셔터(33)는, 예를 들어 Y축을 따라서 이동함으로써, 챔버(20)와 로드 로크실(55)을 연통 상태 또는 비연통 상태로 한다.

또한, 로드 로크실(55)은, 저부에 승강 밸브(54)를 구비한다. 승강 밸브(54)는, 챔버(20)가 구비하는 승강 밸브(53)와 마찬가지의 기능을 갖는다. 그리고, 승강 밸브(53)는, 도 10에 도시하지 않은 펌프 유닛과 협동함으로써, 로드 로크실(55)의 내부의 압력의 제어와, 내부에 충만한 기체의 배출을 행한다.

로드 로크실(55)을 연결하였을 때는, 표면 처리 장치(10b)에, 피처리재 W를, 로드 로크실(55)과, 연결된 2대의 챔버(20) 사이에서 반송하는 타이밍 벨트(42b)를 마련한다. 이 경우, 반송용 모터(43)와 풀리(44a, 44b)는, 표면 처리 장치(10a)에 구비되었던 것이, 설치 위치를 변경하여 유용된다. 즉, 반송용 모터(43)의 회전 구동력에 의해, 2개의 풀리(44a, 44b)에 걸쳐진 타이밍 벨트(42b)가 X축을 따라서 이동함으로써, 피처리재 적재부(50)(도 1 참조)에 적재된 피처리재 W가, 로드 로크실(55)과 챔버(20)의 긴 변 방향을 따라서 반송된다.

또한, 표면 처리 장치(10b)는, 도 11에 도시한 구성으로 해도 된다. 도 11은, 도 9에 도시한 표면 처리 장치에, 로드 로크실을 연결한 상태의 다른 예를 도시하는 상면도이다.

도 11에 도시한 표면 처리 장치(10b)는, 로드 로크실(55)의 내부에, 타이밍 벨트(42c)를 구비한다. 타이밍 벨트(42c)는, 피처리재 W를 로드 로크실(55)의 내부에서 X축 정방향으로 이동시킨다. 또한, 타이밍 벨트(42c)는, X축 부측에 구비된, 반송용 모터(43a)로 회전 구동되는 풀리(44c)와, X축 부측에 구비된, 풀리(44d)에 걸쳐져 있다.

챔버(20)의 내부에 설치된 타이밍 벨트(42a)가 걸쳐지는 풀리(44a)는, 풀리(44d)와 근접한 위치에 있다. 따라서, 로드 로크실(55)의 내부를 이동한 피처리재 W는, 타이밍 벨트(42c)로부터 타이밍 벨트(42a)로 갈아탄다. 그리고, 피처리재 W는, 타이밍 벨트(42a)에 의해, 연결된 챔버(20)의 내부를 이동한다. 로드 로크실과 챔버의 기밀성을 높이기 위해서는, 이와 같이 반송 장치를 분리한 쪽이 좋다.

또한, 도시는 하지 않지만, 로드 로크실(55)의 내부에 반송 암을 마련하고, 이 반송 암에 의해, 피처리재 W를 타이밍 벨트(42a) 상으로 이동시키는 구성으로 해도 된다. 이 경우도 로드 로크실과 챔버의 기밀성을 높일 수 있다.

[8. 배기 장치의 구조]

도 12 내지 도 15를 사용하여, 전술한 표면 처리 장치(10a, 10b)가 구비하는 배기 장치의 구조를 설명한다. 도 12는 연결된 복수의 표면 처리 장치가, 각각 배기 장치를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 도 13은 연결된 복수의 표면 처리 장치 중 1개가 배기 장치를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 도 14는 연결된 복수의 표면 처리 장치의 개구부를 서로 연결하는 배관 부재에 배기 장치를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 도 15는 연결된 복수의 표면 처리 장치의 개구부를 서로 연결하는 배관 부재에 펌프 유닛을 구비하고, 복수의 표면 처리 장치의 각각의 개구부에 승강 밸브를 구비하는 구성의 일례를 도시하는 도면이다.

이와 같이, 배기 장치의 설치 방법에는, 다양한 베리에이션이 있고, 그 중 어느 것을 사용해도 된다.

먼저, 도 12에 도시한 배기 장치(51)의 구성을 설명한다. 도 12에 도시한 배기 장치(51)는, 상기한 바와 같이, 펌프 유닛(52)과 승강 밸브(53)로 구성되고, 각 챔버(20)가 구비하는 개구부(30)에 설치된다.

각 챔버(20)에 설치된 배기 장치(51)는, 각각 독립적으로, 또는 개별로 동작함으로써, 개구부(30)를 대기에 개방하여, 챔버(20)의 내부에 충만한 가스를 배출한다.

또한, 도 12에는 도시하지 않지만, 복수의 챔버(20)의 연결 위치에 개폐 가능한 셔터를 설치하여, 각 챔버(20)를 개별로 구획해도 된다. 그 경우, 구획된 챔버(20)에 설치된 배기 장치(51)만을 동작시킴으로써, 전력 절약화를 도모할 수 있다.

다음으로, 도 13에 도시한 배기 장치(51)의 구성을 설명한다. 도 13에 도시한 배기 장치(51)는, 펌프 유닛(52)과 승강 밸브(53)로 구성되고, 1개의 챔버(20)에만 설치된다. 그리고, 배기 장치(51)가 설치되지 않는 챔버(20)의 개구부(30)에는, 블랭크 패널(38)이 설치된다.

배기 장치(51)는, 당해 배기 장치(51)가 설치된 챔버(20)의 개구부(30)를 대기에 개방하여, 복수의 챔버(20)의 내부에 충만한 가스를 배출한다.

다음으로, 도 14에 도시한 배기 장치(51)의 구성을 설명한다. 도 14에 도시한 배기 장치(51)는, 펌프 유닛(52)과 승강 밸브(53)로 구성된다. 배기 장치(51)는, 연결된 복수의 챔버(20)의 개구부(30)끼리를 접속하는 배관 부재(34)에 마련된 개구부(35)에 설치된다.

배기 장치(51)는, 당해 배기 장치(51)가 설치된 배관 부재(34)의 개구부(35)를 대기에 개방하여, 복수의 챔버(20)의 내부에 충만한 가스를 배출한다. 또한, 배관 부재(34)는, 복수의 챔버(20)를 연결하였을 때, 각 챔버(20)의 개구부(30)에 설치된다. 또한, 도 14에 도시한 배관 부재(34)는, 2개의 개구부(30)를 접속하고 있지만, 3개 이상의 챔버(20)를 접속하는 경우에는, 3개 이상의 개구부(30)를 접속하는 배관 부재를 사용한다.

다음으로, 도 15에 도시한 배기 장치(51)의 구성을 설명한다. 도 15에 도시한 배기 장치(51)는, 펌프 유닛(52)과, 각 챔버(20)의 개구부(30)에 각각 설치된 승강 밸브(53a, 53b)로 구성된다.

배기 장치(51)는, 승강 밸브(53a, 53b)가 설치된 챔버(20)의 개구부(30)를 대기에 개방하여, 챔버(20)의 내부에 충만한 가스를 배출한다.

또한, 도 15에는 도시하지 않지만, 복수의 챔버(20)의 연결 위치에 개폐 가능한 셔터를 설치하여, 각 챔버(20)를 개별로 구획해도 된다. 그 경우, 구획된 챔버(20)의 개구부(30)에 설치된 승강 밸브만을 동작시킴으로써 구획된 챔버(20)의 내부에 충만한 가스만을 배출할 수 있기 때문에, 전력 절약화를 도모할 수 있다. 또한, 다른 챔버(20) 사이에서의 피처리재 W의 반송은, 앞서 설명한 바와 같이, 개개의 챔버(20) 내에 각각 설치한 타이밍 벨트 사이에서 전달해도 되고, 반송 암을 사용하여 행해도 된다.

[9. 실시 형태의 제1 변형예]

다음으로, 도 16을 사용하여, 실시 형태의 제1 변형예인 표면 처리 장치(10c)에 대하여 설명한다. 도 16은 실시 형태의 제1 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.

표면 처리 장치(10c)는, 2대의 챔버(20)를, 방향을 변화시키지 않고 연결하고, 또한 로드 로크실(55)을 연결한 것이다.

표면 처리 장치(10c)는, 피처리재 W의 편면에만, 복수회의 표면 처리(성막)를 행한다.

구체적으로는, 표면 처리 장치(10c)는, 스퍼터링, 플라스마 처리의 순으로 표면 처리(성막)를 행하는 경우에는, 피처리재 W를, 예를 들어 스퍼터링 장치(22c), 플라스마 처리 장치(21c), 스퍼터링 장치(22a), 플라스마 처리 장치(21a)의 순으로 반송하여, 피처리재 W의 편면에 표면 처리를 행한다. 또한, 플라스마 처리, 스퍼터링의 순으로 표면 처리(성막)를 행하는 경우에는, 피처리재 W를, 예를 들어 플라스마 처리 장치(21c), 스퍼터링 장치(22c), 플라스마 처리 장치(21a), 스퍼터링 장치(22a)의 순으로 반송하여, 피처리재 W의 편면에 표면 처리를 행한다. 또한, 플라스마 처리 장치(21a, 21c), 스퍼터링 장치(22a, 22c)의 챔버(20)에 대한 설치 치수를, 모두 동일하게 해 둠으로써, 예를 들어 플라스마 처리 장치를 1대, 스퍼터링 장치를 3대 설치하는 것과 같은, 자유로운 조합이 가능해진다.

또한, 도 16에 있어서, 로드 로크실(55)과 챔버(20) 사이의 피처리재 W의 반송은, 로드 로크실(55)과 챔버(20)에 각각 독립적으로 설치한 타이밍 벨트 사이에서 전달함으로써 행해도 된다.

[10. 실시 형태의 제2 변형예]

다음으로, 도 17을 사용하여, 실시 형태의 제2 변형예인 표면 처리 장치(10d)에 대하여 설명한다. 도 17은 실시 형태의 제2 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.

표면 처리 장치(10d)는, 4대의 챔버(20)와, 로드 로크실(55)을 연결한 것이다.

표면 처리 장치(10d)는, 피처리재 W의 양면에, 각각 복수회의 표면 처리(성막)를 행한다.

구체적으로는, 표면 처리 장치(10d)는, 스퍼터링, 플라스마 처리의 순으로 표면 처리(성막)를 행하는 경우에는, 피처리재 W를, 예를 들어 스퍼터링 장치(22f), 플라스마 처리 장치(21f), 스퍼터링 장치(22e), 플라스마 처리 장치(21e), 스퍼터링 장치(22d), 플라스마 처리 장치(21d), 스퍼터링 장치(22a), 플라스마 처리 장치(21a)의 순으로 반송하여, 피처리재 W의 양면에 표면 처리를 행한다. 또한, 플라스마 처리, 스퍼터링의 순으로 표면 처리(성막)를 행하는 경우에는, 피처리재 W를, 예를 들어 플라스마 처리 장치(21f), 스퍼터링 장치(22f), 플라스마 처리 장치(21e), 스퍼터링 장치(22e), 플라스마 처리 장치(21d), 스퍼터링 장치(22d), 플라스마 처리 장치(21a), 스퍼터링 장치(22a)의 순으로 반송하여, 피처리재 W의 양면에 표면 처리를 행한다.

또한, 도 17에 있어서, 로드 로크실(55)과 챔버(20) 사이의 피처리재 W의 반송은, 로드 로크실(55)과 챔버(20)에 각각 독립적으로 설치한 타이밍 벨트 사이에서 전달함으로써 행해도 된다.

[11. 실시 형태의 제3 변형예]

다음으로, 도 18을 사용하여, 실시 형태의 제3 변형예인 표면 처리 장치(10e)에 대하여 설명한다. 도 18은 실시 형태의 제3 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.

표면 처리 장치(10e)는, 2대의 챔버(20a)를 프레임상 부재(29)를 통해 연결한 것이다. 각각의 챔버(20a)에는, 긴 변 방향(피처리재 W의 반송 방향)을 따라서, X축 방향의 동일한 위치에, 피처리재 W의 표면과 대향하도록, 표면 처리부를 설치 가능한 구멍상의 설치 위치가 2개씩 형성되어 있다.

그리고, 도 18의 예에서는, 표면 처리부를 설치 가능한 설치 위치에는, X축 정측을 향하여, 스퍼터링 장치(22b)와, 블랭크 패널(38)과, 블랭크 패널(38)과, 플라스마 처리 장치(21a)가 순서대로, 설치되어 있다.

즉, 도 18에 있어서의 X축 방향 부측의 챔버(20a)에는, 표면 처리부를 설치 가능한 구멍상의 설치 위치 중, 한쪽에 스퍼터링 장치(22b)가 설치되고, 다른 쪽에는 블랭크 패널(38)이 설치되어 있다. 그리고, 도 18에 있어서의 X축 방향 정측의 챔버(20a)에는, 표면 처리부를 설치 가능한 구멍상의 설치 위치 중, 한쪽에 플라스마 처리 장치(21a)가 설치되고, 다른 쪽에는 블랭크 패널(38)이 설치되어 있다.

이와 같이, 챔버(20a)에 표면 처리부를 설치 가능한 복수의 설치 위치를 마련해 두고, 피처리재 W에 대하여 행하는 표면 처리의 내용에 따라서, 적절한 표면 처리부를 설치할 수 있다. 그리고, 표면 처리부를 설치하지 않는 개소는, 블랭크 패널(38)에 의해 할 수 있다. 이에 의해, 피처리재 W의 양면에 원하는 표면 처리를 행할 수 있다.

[12. 실시 형태의 제4 변형예]

다음으로, 도 19를 사용하여, 실시 형태의 제4 변형예인 표면 처리 장치(10f)에 대하여 설명한다. 도 19는 실시 형태의 제4 변형예인 표면 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 상면도이다.

표면 처리 장치(10f)는, 1대의 챔버(20a)와, 1대의 도어 유닛(49)을 프레임상 부재(29)와 셔터(33)를 통해 연결한 것이다.

도 19에 있어서, 챔버(20a)에는, 긴 변 방향(피처리재 W의 반송 방향(X축))을 따라서, 피처리재 W의 양면에 대향하도록, 각각, 플라스마 처리 장치(21a)와 스퍼터링 장치(22a)가 설치되어 있다.

도어 유닛(49)은, 피처리재 W의 출입이 가능한 개폐 도어(23c)를 구비하는 수용 유닛이다. 개폐 도어(23c)는, X축을 따르는 측면에 설치된다. 또한, 도어 유닛(49)은, 본 개시에 있어서의 제1 수용 유닛의 일례이다.

표면 처리 장치(10f)는, 피처리재 W가 도어 유닛(49)에 수용된 상태로부터 표면 처리를 개시한다. 그리고, 챔버(20a)에서 표면 처리를 행한 후, 반송 방향을 역전시켜, 피처리재 W를 도어 유닛(49)의 위치로 되돌린다. 피처리재 W를 되돌릴 때도 다른 표면 처리를 행해도 된다. 그 후, 표면 처리가 완료된 피처리재 W가 개폐 도어(23c)로부터 취출된다.

또한, 도어 유닛(49)을 설치하는 대신에, 도어 유닛(49)과 동일 형상이고 개폐 도어(23c)를 구비하지 않는 터닝 유닛을 설치하여, 도 19의 챔버(20a)에 설치된 블랭크 패널(28)의 위치에 개폐 도어(23c)를 설치한 표면 처리 장치를 구성해도, 도 19와 동일한 기능을 실현할 수 있다. 이 경우, 피처리재 W의 출입은, 챔버(20a)에 설치한 개폐 도어(23c)를 개방하여 행한다.

또한, 도 19에 있어서, 챔버(20a)의 양단에, 각각, 프레임상 부재(29)와 셔터(33)를 통해, 도어 유닛(49) 또는 터닝 유닛을 접속하는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성에 있어서, 셔터(33)를 개방한 상태에서 챔버(20a)와 2대의 도어 유닛(49) 또는 2대의 터닝 유닛을 연통시킴으로써 챔버(20a)의 용적을, 긴 변 방향(X축 방향)으로 확대할 수 있다. 이에 의해, 대면적의(긴) 피처리재 W의 단부로부터 단부까지를, 플라스마 처리 장치(21a) 및 스퍼터링 장치(22a)의 표면을 통과시킬 수 있게 된다. 따라서, 긴 피처리재 W에 대하여 표면 처리를 행할 수 있게 된다.

[13. 실시 형태의 작용 효과]

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)는, 피처리재 W를 적재하는 피처리재 적재부(50)(적재부)와, 피처리재 적재부(50)에 적재한 피처리재 W를 수용하는 로드 로크실(55)(제1 수용 유닛)과, 피처리재 적재부(50)에 적재한 피처리재 W를 수용하여, 적어도 1종류의 표면 처리를 행하는 표면 처리부(플라스마 처리 장치(21) 또는 스퍼터링 장치(22))를 구비하는 챔버(20)(제2 수용 유닛)와, 피처리재 적재부(50)에 적재한 피처리재 W를, 로드 로크실(55) 또는 챔버(20)의 긴 변 방향을 따라서 반송하는 피처리재 반송부(40)(반송부)를 구비하고, 챔버(20)가 단체인 상태, 또는, 로드 로크실(55)과 챔버(20)를 피처리재 반송부(40)의 반송 방향을 따라서 복수 연결한 상태에서, 피처리재 W에 대하여 표면 처리를 행한다. 따라서, 편면 성막 장치의 성막 조건을, 그대로 양면 성막 장치에 유용할 수 있다. 또한, 피처리재 W를 대기에 폭로시키지 않고 표면 처리를 행할 수 있다. 또한, 실시하는 표면 처리의 내용에 맞는 챔버(20)의 연결 상태를 실현할 수 있기 때문에, 표면 처리에 사용하는 성막용 가스나 전력의 양을 삭감할 수 있음과 함께, 행해야 할 표면 처리의 내용에 유연하게 대응할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 다른 수용 유닛끼리는, 로드 로크실(55)(제1 수용 유닛) 또는 챔버(20)(제2 수용 유닛)의 외연부와 맞닿는 외측 프레임을 갖는, 강체로 형성된 프레임상 부재(29)로 연결된다. 따라서, 표면 처리 장치(10a)의 강성을 높일 수 있다. 또한, 챔버(20)끼리의 접속 부분으로부터의 에어 누설의 발생을 방지할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 로드 로크실(55)(제1 수용 유닛) 및 챔버(20)(제2 수용 유닛)의, 피처리재 반송부(40)(반송부)의 반송 방향을 따르는 길이는, 복수의 사이즈를 갖는다. 따라서, 예를 들어 챔버(20)를 풀 사이즈 챔버로 하고, 로드 로크실(55)을, 반송 방향을 따르는 길이가 풀 사이즈 챔버의 절반의 길이인 하프 사이즈 챔버로 한 경우에는, 풀 사이즈 챔버 1개의 스페이스를 2개의 하프 사이즈 챔버로 치환할 수 있어, 효율적으로 표면 처리 장치를 재구축할 수 있고, 표면 처리 장치(10a)의 설치대나 배관 등을 공통으로 사용할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 표면 처리부는, 피처리재 W에 플라스마를 조사함으로써, 피처리재 W의 표면 처리를 행하는 플라스마 처리 장치(21), 또는, 피처리재 W에 스퍼터링을 행하는 스퍼터링 장치(22)를 포함한다. 따라서, 피처리재 W에 대하여, 적절한 성막 처리를 행할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)는, 챔버(20)(제2 수용 유닛)를 연결하였을 때, 챔버(20)의 각각에는, 동일 또는 다른 종류의 표면 처리부(플라스마 처리 장치(21) 또는 스퍼터링 장치(22))가 설치된다. 따라서, 피처리재 W에 대하여 행하는 표면 처리의 내용을 자유롭게 설정할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 챔버(20)(제2 수용 유닛)는, 당해 챔버(20)가 구비하는 표면 처리부(플라스마 처리 장치(21) 또는 스퍼터링 장치(22))의 방향을 변경하지 않고 연결된다. 따라서, 성막하는 층수에 관계없이 편면 성막을 용이하게 실현할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 챔버(20)(제2 수용 유닛)는, 당해 챔버(20)가 구비하는 표면 처리부(플라스마 처리 장치(21) 또는 스퍼터링 장치(22))의 방향을 반전시켜 연결된다. 따라서, 성막하는 층수에 관계없이 양면 성막을 용이하게 실현할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 챔버(20)(제2 수용 유닛)에는, 로드 로크실(55)이 연결된다. 따라서, 피처리재 W를 대기에 폭로하지 않고 표면 처리를 행할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 피처리재 반송부(40)(반송부)는, 챔버(20)(제2 수용 유닛)의 연결 상태에 따라서, 피처리재 W의 반송 범위를 변경한다. 따라서, 챔버(20)의 연결 상태에 따라서, 피처리재 W의 반송을 행할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 로드 로크실(55)(제1 수용 유닛) 및 챔버(20)(제2 수용 유닛)는, 각각, 내부의 압력의 조정과, 내부에 충만한 기체의 배출을 행하는 배기 장치(51)(배기부)를 구비한다. 따라서, 피처리재 W를 대기에 폭로하지 않고, 복수의 다른 표면 처리를 행할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)에 있어서, 배기 장치(51)(배기부)는, 챔버(20)(제2 수용 유닛)의 내부의 기체를 흡인하는 적어도 1개의 펌프 유닛(52)(펌프 장치)과, 챔버(20)에 마련된 개구부(30)를 개폐하는 승강 밸브(53)(밸브 부재)와, 펌프 유닛(52)과 개구부(30)를 접속하는 배관 부재(34)를 구비한다. 따라서, 챔버(20)의 연결 상태에 관계없이, 챔버(20)의 내부의 배기를 행할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 표면 처리 장치(10a)는, 복수의 표면 처리부(플라스마 처리 장치(21) 또는 스퍼터링 장치(22)) 중 1개가 피처리재 W에 대하여 표면 처리를 행할 때, 당해 표면 처리부와는 다른 표면 처리부를 차폐하는 셔터(31, 32)(차폐 부재)를 더 구비한다. 따라서, 표면 처리에 관련되지 않는 표면 처리부를 구성하는 전극의 오염을 방지할 수 있다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 상술한 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이 신규의 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하다. 또한, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 또한, 이 실시 형태는, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 청구범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

10, 10a, 10b: 표면 처리 장치
20, 20a: 챔버(제2 수용 유닛)
21, 21a, 21b, 21c, 21d, 21e, 21f: 플라스마 처리 장치(표면 처리부)
22, 22a, 22b, 22c, 22d, 22e, 22f: 스퍼터링 장치(표면 처리부)
23a, 23b, 23c: 개폐 도어
24: 플랜지
25: 도어 프레임부
26a : 볼트
26b: 너트
27: 힌지
28, 38: 블랭크 패널
29: 프레임상 부재
30, 35: 개구부
31, 32: 셔터(차폐 부재)
33: 셔터
34: 배관 부재
40: 피처리재 반송부(반송부)
41: 이동대
42, 42a, 42b, 42c: 타이밍 벨트
43, 43a: 반송용 모터
44a, 44b, 44c, 44d: 풀리
46: 비스
47: 설치대
48: 설치축
49: 도어 유닛(제1 수용 유닛)
50: 피처리재 적재부(적재부)
51: 배기 장치(배기부)
52: 펌프 유닛(펌프 장치)
53, 54: 승강 밸브(밸브 부재)
55: 로드 로크실(제1 수용 유닛)
56: 가스 유로
57: 가스 공급 구멍
58: 가스 공급관 설치 부재
59: 지지 부재
60, 62: 판상 도체부(전극)
61: 공극부
63: 스페이서
64, 77: 지지판
66: 가스 공급관
67: 오목부
69, 70: 관통 구멍
73: 매칭 박스(MB)
74: 고주파 전원(RF)
75: 접지
76a, 76b: 매스 플로 컨트롤러(MFC)
78: 가스 공급부
79, 88: 보유 지지 부재
80: 가스 도입부
81: 냉각수관
82: 냉각수로
83: 지지판
84: 마그네트
85: 냉각 재킷
86: 절연재
87: 타깃
90: 포트
91, 92: 기재 홀더
91a : 설치 구멍
93a, 93b: 가스 공급관
94: 가스 공급 구멍
141: 설치 플랜지
143: 구동 수단 지지부
150: 유량 조정 밸브
151: 유로부
160: 서보 액추에이터
161: 웜 잭
162: 승강축
163: 연결 부재
165: 밸브 가이드
166: 가이드 걸림 결합부
170: 터보 분자 펌프
171: 펌프 플랜지
210: HCD 전극
220: 스퍼터 전극
W: 피처리재

Claims (13)

1. 피처리재를 적재하는 적재부와,
   상기 적재부에 적재한 상기 피처리재를 수용하는 제1 수용 유닛과,
   상기 적재부에 적재한 상기 피처리재를 수용하여, 적어도 1종류의 표면 처리를 행하는 표면 처리부를 구비하는 제2 수용 유닛과,
   상기 적재부에 적재한 상기 피처리재를, 상기 제1 수용 유닛 또는 상기 제2 수용 유닛의 긴 변 방향을 따라서 반송하는 반송부를 구비하고,
   상기 제2 수용 유닛이 단체인 상태, 또는, 상기 제1 수용 유닛과 상기 제2 수용 유닛을, 상기 반송부의 반송 방향을 따라서 복수 연결한 상태에서, 상기 피처리재에 대하여 표면 처리를 행하는,
   표면 처리 장치.
2. 제1항에 있어서,
   다른 수용 유닛끼리는, 상기 제1 수용 유닛 또는 상기 제2 수용 유닛의 외연부와 맞닿는 외측 프레임을 갖는, 강체로 형성된 프레임상 부재로 연결되는, 표면 처리 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 제1 수용 유닛 및 상기 제2 수용 유닛의, 상기 반송부의 반송 방향을 따르는 길이는, 복수의 사이즈를 갖는, 표면 처리 장치.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제1 수용 유닛 및 상기 제2 수용 유닛은, 상기 반송부의 반송 방향을 따르는 2종류의 길이를 갖고, 한쪽의 길이는, 다른 쪽의 길이의 절반인, 표면 처리 장치.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 표면 처리부는,
   상기 피처리재에 플라스마를 조사함으로써, 당해 피처리재의 표면 처리를 행하는 플라스마 처리 장치, 또는 상기 피처리재에 스퍼터링을 행하는 스퍼터링 장치를 포함하는, 표면 처리 장치.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   다른 상기 제2 수용 유닛을 연결하였을 때, 당해 제2 수용 유닛의 각각에는, 동일 또는 다른 종류의 표면 처리부가 설치되는, 표면 처리 장치.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
   복수의 상기 제2 수용 유닛은, 당해 제2 수용 유닛의 각각이 구비하는 표면 처리부의 방향이 동일하게 되도록 연결되는, 표면 처리 장치.
8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
   복수의 상기 제2 수용 유닛은, 당해 제2 수용 유닛의 각각이 구비하는 표면 처리부의 방향이 반전되도록 연결되는, 표면 처리 장치.
9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 수용 유닛은, 로드 로크실인, 표면 처리 장치.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 제1 수용 유닛 및 상기 제2 수용 유닛의 연결 상태에 따라서, 상기 피처리재의 반송 범위를 변경하는, 표면 처리 장치.
11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수용 유닛 및 상기 제2 수용 유닛은, 각각, 당해 제1 수용 유닛 및 당해 제2 수용 유닛의 내부의 압력의 조정과, 상기 제1 수용 유닛 및 상기 제2 수용 유닛의 내부에 충만한 기체의 배출을 행하는 배기부를 구비하는, 표면 처리 장치.
12. 제11항에 있어서,
    상기 배기부는,
    상기 제1 수용 유닛 또는 상기 제2 수용 유닛의 내부의 기체를 흡인하는 적어도 1개의 펌프 장치와,
    상기 제1 수용 유닛 또는 상기 제2 수용 유닛에 마련된 개구부를 개폐하는 밸브 부재와,
    상기 펌프 장치와 상기 개구부를 접속하는 배관 부재를 구비하는, 표면 처리 장치.
13. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 수용 유닛은, 복수의 상기 표면 처리부 중 1개가 상기 피처리재에 대하여 표면 처리를 행할 때, 동일한 제2 수용 유닛에 설정된, 상기 표면 처리부와는 다른 표면 처리부를 차폐하는 차폐 부재를 더 구비하는, 표면 처리 장치.

Images