KR20240037818A - 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

포커스 링이 사용되는 기판 처리 공정의 종류를 분류하는 것; 복수 개의 포커스 링을 분류하는 것; 분류된 복수 개의 포커스 링 중, 특정 기판 처리 공정에 적합한 특정 포커스 링을 선정하는 것; 및 선정된 상기 특정 포커스 링을 이용해 상기 특정 기판 처리 공정을 수행하는 것; 을 포함하되, 상기 복수 개의 포커스 링을 분류하는 것은, 상기 복수 개의 포커스 링을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것을 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{Substrate process apparatus and substrate process method using the same}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 부품의 등급을 나누어 적합한 공정에 사용할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 다양한 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자는 실리콘 등의 웨이퍼에 대한 포토 공정, 식각 공정, 증착 공정 등을 거쳐 제조될 수 있다. 이러한 공정들에서, 다양한 유체가 사용될 수 있다. 예를 들어, 식각 공정 및/또는 증착 공정에서 플라즈마가 사용될 수 있다. 플라즈마의 제어를 위해, 포커스 링이 사용될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 에지 영역 상의 플라즈마를 균일하게 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정 별로 적합한 부품을 사용할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 포커스 링이 사용되는 기판 처리 공정의 종류를 분류하는 것; 복수 개의 포커스 링을 분류하는 것; 분류된 복수 개의 포커스 링 중, 특정 기판 처리 공정에 적합한 특정 포커스 링을 선정하는 것; 및 선정된 상기 특정 포커스 링을 이용해 상기 특정 기판 처리 공정을 수행하는 것; 을 포함하되, 상기 복수 개의 포커스 링을 분류하는 것은, 상기 복수 개의 포커스 링을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 기판 처리 장치에 사용되는 부품을 등급에 따라 분류하는 것; 기판 처리 공정을 분류하는 것; 파악된 기판 처리 공정에 적합한 등급의 부품을 선정하는 것; 선정된 부품을 기판 처리 장치 내에 배치하는 것; 상기 기판 처리 장치 내에 기판을 로딩하는 것; 및 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 것; 을 포함하되, 부품을 등급에 따라 분류하는 것은, 부품의 입도(grain size)를 기준으로 부품의 등급을 나누는 것을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 공간 내에 위치하며, 기판을 지지하는 척; 상기 척 상의 포커스 링; 을 포함하되, 상기 포커스 링의 입도는 14.23μm 이하이고, 상기 포커스 링의 전기 저항은 1Ω 이하일 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 에지 영역 상의 플라즈마를 균일하게 제어할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 공정 별로 적합한 부품을 사용할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 X 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링을 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 샤워 헤드를 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6 내지 도 10은 도 5의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
이하에서, D1을 제1 방향, 제1 방향(D1)에 교차되는 D2를 제2 방향, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 각각에 교차되는 D3를 제3 방향이라 칭할 수 있다. 제1 방향(D1)은 수직 방향이라 칭할 수도 있다. 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)의 각각은 수평 방향이라 칭할 수도 있다.
도 1을 참고하면, 기판 처리 장치(A)가 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(A)는 기판에 대한 식각 공정 및/또는 증착 공정 등을 수행할 수 있다. 본 명세서에서 사용하는 기판이라는 용어는 실리콘(Si) 웨이퍼를 의미할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 기판 처리 장치(A)는 플라즈마를 이용해 기판을 처리할 수 있다. 이를 위해 기판 처리 장치(A)는 다양한 방법으로 플라즈마를 생성할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(A)는 CCP(capacitively coupled plasmas) 및/또는 ICP(inductively coupled plasmas) 장비일 수 있다. 그러나 이하에서 편의 상 CCP를 기준으로 도시하고 설명하도록 한다. 기판 처리 장치(A)는 공정 챔버(1), 스테이지(7), 샤워 헤드(3), DC 파워 발생 장치(2), RF 파워 발생 장치(4), 진공 펌프(VP) 및 가스 공급 장치(GS)를 포함할 수 있다.
공정 챔버(1)는 공정 공간(1h)을 제공할 수 있다. 공정 공간(1h)에서 기판에 대한 공정이 진행될 수 있다. 공정 공간(1h)은 외부 공간으로부터 분리될 수 있다. 기판에 대한 공정이 진행되는 도중에, 공정 공간(1h)은 실질적인 진공 상태가 될 수 있다. 공정 챔버(1)는 원통 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
스테이지(7)는 공정 챔버(1) 내에 위치할 수 있다. 즉, 스테이지(7)는 공정 공간(1h) 내에 위치할 수 있다. 스테이지(7)는 기판을 지지 및/또는 고정할 수 있다. 기판이 스테이지(7) 상에 안착된 상태에서, 기판에 대한 공정이 진행될 수 있다. 스테이지(7)에 대한 보다 상세한 내용은 후술하도록 한다.
샤워 헤드(3)는 공정 챔버(1) 내에 위치할 수 있다. 즉, 샤워 헤드(3)는 공정 공간(1h) 내에 위치할 수 있다. 샤워 헤드(3)는 스테이지(7)로부터 위로 이격 배치될 수 있다. 가스 공급 장치(GS)에서 공급된 가스는 샤워 헤드(3)를 통해 공정 공간(1h) 내에 균일하게 분사될 수 있다. 샤워 헤드(3)에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
DC 파워 발생 장치(2)는 스테이지(7)에 DC 파워를 인가할 수 있다. DC 파워 발생 장치(2)가 인가하는 DC 파워에 의해, 기판이 스테이지(7) 상의 일정 위치에 고정될 수 있다.
RF 파워 발생 장치(4)는 스테이지(7)에 RF 파워를 공급할 수 있다. 이에 의해 공정 공간(1h) 내의 플라즈마를 제어할 수 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
진공 펌프(VP)는 공정 공간(1h)에 연결될 수 있다. 진공 펌프(VP)에 의해, 기판에 대한 공정이 진행되는 도중에 공정 공간(1h)에 진공압이 인가될 수 있다.
가스 공급 장치(GS)는 공정 공간(1h)에 가스를 공급할 수 있다. 이를 위해 가스 공급 장치(GS)는 가스 탱크, 압축기 및 밸브 등을 포함할 수 있다. 가스 공급 장치(GS)에 의해 공정 공간(1h)에 공급된 가스의 일부는 플라즈마가 될 수 있다.
도 2는 도 1의 X 영역을 확대하여 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링을 나타낸 사시도이며, 도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 샤워 헤드를 나타낸 사시도이다.
도 2를 참고하면, 기판 처리 장치(A, 도 1 참고)는 포커스 링(FR) 및 에지 링(ER)을 더 포함할 수 있다. 스테이지(7)는 척(71) 및 냉각 플레이트(73)를 포함할 수 있다.
척(71) 상에 기판이 배치될 수 있다. 척(71)은 기판을 일정 위치에 고정할 수 있다. 이를 위해 척(71)은 척 바디(711), 플라즈마 전극(713), 척 전극(715) 및 히터(717)를 포함할 수 있다.
척 바디(711)는 원통 형상을 가질 수 있다. 척 바디(711)는 세라믹 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 척 바디(711)의 상면 상에 기판이 배치될 수 있다.
플라즈마 전극(713)은 척 바디(711) 내에 위치할 수 있다. 플라즈마 전극(713)는 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 플라즈마 전극(713)은 원판 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 플라즈마 전극(713)에 RF 파워가 인가될 수 있다. 보다 구체적으로, RF 파워 발생 장치(4)가 플라즈마 전극(713)에 RF 파워를 인가할 수 있다. 플라즈마 전극(713)에 인가된 RF 파워에 의해, 공정 공간(1h, 도 1 참고) 내의 플라즈마가 제어될 수 있다.
척 전극(715)은 척 바디(711) 내에 위치할 수 있다. 척 전극(715)은 플라즈마 전극(713)보다 위에 위치할 수 있다. 척 전극(715)에 DC 파워가 인가될 수 있다. 보다 구체적으로, DC 파워 발생 장치(2)가 척 전극(715)에 DC 파워를 인가할 수 있다. 척 전극(715)에 인가된 DC 파워에 의해, 척 바디(711) 상의 기판이 일정 위치에 고정될 수 있다. 척 전극(715)은 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
히터(717)는 척 바디(711) 내에 위치할 수 있다. 히터(717)는 척 전극(715)과 플라즈마 전극(713) 사이에 위치할 수 있다. 히터(717)는 열선을 포함할 수 있다. 예를 들어, 히터(717)는 동심원을 그리는 열선을 포함할 수 있다. 히터(717)는 주위로 열을 방출할 수 있다. 이에 따라 척 바디(711) 등의 온도가 상승할 수 있다.
냉각 플레이트(73)는 척(71) 밑에 위치할 수 있다. 즉, 척(71)은 냉각 플레이트(73) 상에 위치할 수 있다. 냉각 플레이트(73)는 냉각공(73h)을 제공할 수 있다. 냉각공(73h)에 냉각수가 흐를 수 있다. 냉각공(73h) 내의 냉각수는 냉각 플레이트(73)로부터 열을 흡수할 수 있다.
에지 링(ER)은 척 바디(711)를 둘러쌀 수 있다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 포커스 링(FR)은 스테이지(7) 및/또는 에지 링(ER) 상에 위치할 수 있다. 포커스 링(FR)은 스테이지(7) 및/또는 에지 링(ER)으로부터 탈착될 수 있다. 포커스 링(FR)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 제1 축(AX1)을 가질 수 있다. 포커스 링(FR)은 제1 축(AX1)을 중심으로 하는 링 형상을 가질 수 있다. 포커스 링(FR)은 실리콘 카바이드(SiC)를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 포커스 링(FR)은 실리콘(Si) 등의 다른 물질을 포함할 수도 있다.
도 4를 참고하면, 샤워 헤드(3)는 헤드 몸체(31)를 포함할 수 있다. 헤드 몸체(31)는 원판 형상을 가질 수 있다. 헤드 몸체(31)는 제1 방향(D1)으로 연장되는 제2 축(AX2)을 가질 수 있다. 제2 축(AX2)은 예를 들어, 제1 축(AX1, 도 3 참고)과 일치할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 헤드 몸체(31)는 가스 홀(31h)을 제공할 수 있다. 가스 홀(31h)을 헤드 몸체(31)를 제1 방향(D1)으로 관통할 수 있다. 가스 홀(31h)은 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 가스 홀(31h)은 수평 방향으로 이격 배치될 수 있다. 그러나 이하에서 편의 상 가스 홀(31h)은 단수로 기술하도록 한다. 샤워 헤드(3)는 실리콘 카바이드(SiC)를 포함할 수 있다. 즉, 헤드 몸체(31)가 실리콘 카바이드(SiC)를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 샤워 헤드(3)는 실리콘(Si) 등의 다른 물질을 포함할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5를 참고하면, 기판 처리 방법(S)이 제공될 수 있다. 기판 처리 방법(S)은 도 1 내지 도 4를 참고하여 설명한 기판 처리 장치(A, 도 1 참고)를 이용해 기판을 처리하는 방법일 수 있다. 기판 처리 방법(S)은 기판 처리 공정의 종류를 분류하는 것(S1), 부품을 등급에 따라 분류하는 것(S2), 기판 처리 공정에 적합한 등급의 부품을 선정하는 것(S3), 선정된 부품을 기판 처리 장치 내에 배치하는 것(S4), 기판 처리 장치 내에 기판을 로딩하는 것(S5) 및 기판에 대한 공정을 수행하는 것(S6)을 포함할 수 있다.
기판 처리 공정의 종류를 분류하는 것(S1)은, 기판 처리 공정을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것을 포함할 수 있다. 기판 처리 공정은 예를 들어 식각 공정을 포함할 수 있다. 기판 처리 공정의 종류를 분류하는 것(S1)에서, 기판의 종류에 따라 식각 공정이 2개 이상의 등급으로 분류될 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 공정은 난이도에 따라 분류될 수 있다. 보다 구체적으로, HARC(High Aspect Ratio Contact) 식각 공정은 상대적으로 고난이도 공정으로 분류될 수 있다. 고난이도 공정은 고품질의 부품이 필요할 수 있다.
부품을 등급에 따라 분류하는 것(S2)은 부품을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것을 포함할 수 있다. 부품은 기판 처리 공정에 사용되는 구성일 수 있다. 부품은 예를 들어 포커스 링(FR, 도 2 참고) 및/또는 샤워 헤드(3, 도 1 참고)일 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 부품은 기판 처리 공정에 사용되는 다른 형태의 구성을 의미할 수도 있다.
부품은 다양한 기준으로 등급이 매겨질 수 있다. 예를 들어, 부품은 입도(grain size), 전기 저항 및/또는 투과도를 기준으로 분류될 수 있다.
입도를 기준으로 부품을 분류할 경우, 입도가 제1 입도 이하인 부품은 A 등급으로 분류될 수 있다. 입도가 제1 입도보다 크고, 제2 입도 이상인 부품은 B 등급으로 분류될 수 있다. 입도가 제3 입도보다 작은 부품은 C 등급으로 분류될 수 있다. A 등급은 B 등급보다 높은 등급일 수 있다. B 등급은 C 등급보다 높은 등급일 수 있다. 제1 입도는 제2 입도보다 클 수 있다. 제3 입도는 제2 입도보다 작을 수 있다. 제1 입도는 예를 들어 약 9.01μm일 수 있다. 제2 입도는 예를 들어 약 11.42μm일 수 있다. 제3 입도는 예를 들어 약 14.23μm일 수 있다. 그러나 이들 수치에 한정하는 것은 아니다. 입도는 다양한 방식으로 측정될 수 있다. 예를 들어, 별도의 입도 측정 장치를 이용해 부품의 입도를 측정할 수 있다.
전기 저항을 기준으로 부품을 분류할 경우, 저항이 0.01Ω 이하인 부품은 A 등급으로 분류될 수 있다. 저항이 0.01Ω보다 크고, 1Ω보다 작은 부품은 B 등급으로 분류될 수 있다. 저항이 1Ω보다 큰 부품은 C 등급으로 분류될 수 있다.
투과도를 기준으로 부품을 분류할 경우, 투과도가 작을수록 높은 등급으로 분류될 수 있다. 투과도는 다양한 방식으로 측정될 수 있다. 예를 들어, 비투과율 측정기를 이용해 부품의 투과도를 측정할 수 있다.
이상에서 입도, 전기 저항 및/또는 투과도를 기준으로 부품을 분류하는 것으로 서술하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 부품은 다른 물성을 기준으로 분류될 수도 있다.
기판 처리 공정에 적합한 등급의 부품을 선정하는 것(S3)은, 공정의 등급과 부품의 등급을 매칭하는 것을 포함할 수 있다. 즉, 특정 기판 처리 공정에 적합한 특정 부품이 선정될 수 있다. 높은 등급의 부품은, 고난이도 공정에 사용될 수 있다. 예를 들어, A 등급으로 분류된 부품은, HARC 공정 등에 사용될 수 있다.
이하에서, 특정 기판 처리 공정에 접합한 특정 부품을 사용하여, 기판을 처리하는 방법을 상세히 설명하도록 한다.
도 6 내지 도 10은 도 5의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 6 및 도 5를 참고하면, 선정된 부품을 기판 처리 장치 내에 배치하는 것(S4)은 기판 처리 공정의 등급에 맞게 선정된 특정 포커스 링(FR)을 스테이지(7) 상에 배치하는 것을 포함할 수 있다. 도 6에서 부품이 포커스 링(FR)인 것을 기준으로 서술하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 샤워 헤드(3) 등도 도 5를 참고하여 설명한 과정을 거쳐 선정될 수 있다. 포커스 링(FR)은 스테이지(7) 상에 접합될 수 있다. 혹은, 포커스 링(FR)은 별도의 접착 수단 없이 스테이지(7) 상에 배치될 수도 있다.
도 7, 도 8 및 도 5를 참고하면, 기판 처리 장치 내에 기판을 로딩하는 것(S5)은 스테이지(7) 상에 기판(W)을 배치하는 것을 포함할 수 있다. 기판(W)은 예를 들어 실리콘(Si) 웨이퍼를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 기판(W)은 척(71) 상에서 고정될 수 있다. 보다 구체적으로, 척 전극(715)에 DC 전압이 인가되면, 기판(W)이 척 바디(711)의 상면 상에서 일정 위치에 고정될 수 있다.
도 9 및 도 5를 참고하면, 기판에 대한 공정을 수행하는 것(S6)은, 공정 공간(1h)에 공정 가스(G)를 공급하는 것을 포함할 수 있다. 가스 공급 장치(GS)에서 공급된 공정 가스(G)는 샤워 헤드(3)를 거쳐 기판(W) 상에 분사될 수 있다.
도 10 및 도 5를 참고하면, 기판에 대한 공정을 수행하는 것(S6)은 플라즈마(PL)를 생성하는 것을 포함할 수 있다. RF 파워 발생 장치(4)에서 플라즈마 전극(713)에 RF 파워가 인가되면, 공정 공간(1h)에 전기장에 형성될 수 있다. 공정 공간(1h)에 형성된 전기장에 의해, 공정 공간(1h) 내의 공정 가스(G)의 일부가 플라즈마(PL)로 변환될 수 있다. 플라즈마(PL)에 의해 기판(W)에 대한 처리 공정이 진행될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 부품의 등급을 분류하여, 적합한 기판 처리 공정에 사용될 수 있다. 예를 들어, HARC 공정과 같은 고난이도 공정에 A 등급의 포커스 링 및/또는 A 등급의 샤워 헤드를 사용할 수 있다. 따라서 고난이도 공정의 수율이 향상될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 고난이도 공정이 아닌 일반 공정에 대해, B 등급의 부품을 사용할 수 있다. 따라서 A 등급의 부품이 일반 공정에 사용되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 부품의 낭비를 줄일 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, C 등급의 부품은 사용하지 아니할 수 있다. 이에 따라 저품질의 부품에 의해 기판에 대한 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
A: 기판 처리 장치
1: 공정 챔버
3: 샤워 헤드
7: 척
FR: 포커스 링
ER: 에지 링

Claims (20)

  1. 포커스 링이 사용되는 기판 처리 공정의 종류를 분류하는 것;
    복수 개의 포커스 링을 분류하는 것;
    분류된 복수 개의 포커스 링 중, 특정 기판 처리 공정에 적합한 특정 포커스 링을 선정하는 것; 및
    선정된 상기 특정 포커스 링을 이용해 상기 특정 기판 처리 공정을 수행하는 것; 을 포함하되,
    상기 복수 개의 포커스 링을 분류하는 것은, 상기 복수 개의 포커스 링을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 포커스 링을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것은, 상기 복수 개의 포커스 링의 각각의 입도(grain size)를 기준으로 상기 복수 개의 포커스 링의 등급을 나누는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수 개의 포커스 링을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것은:
    입도가 제1 입도 이하인 포커스 링을 A 등급으로 분류하는 것;
    입도가 상기 제1 입도보다 작고 제2 입도 이상인 포커스 링을 B 등급으로 분류하는 것; 및
    입도가 제3 입도보다 작은 포커스 링을 C 등급으로 분류하는 것; 을 포함하되,
    상기 제1 입도는 상기 제2 입도보다 작고,
    상기 제3 입도는 상기 제2 입도보다 큰 기판 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 입도는 9.01μm이고,
    상기 제2 입도는 11.42μm이며,
    상기 제3 입도는 14.23μm인 기판 처리 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 특정 기판 처리 공정은 HARC(High Aspect Ratio Contact) 식각 공정을 포함하되,
    상기 특정 포커스 링은 A 등급인 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 포커스 링을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것은, 상기 복수 개의 포커스 링의 각각의 전기 저항을 기준으로 상기 복수 개의 포커스 링의 등급을 나누는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 포커스 링을 2개 이상의 등급으로 분류하는 것은, 상기 복수 개의 포커스 링의 각각의 투과도를 기준으로 상기 복수 개의 포커스 링의 등급을 나누는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 특정 기판 처리 공정을 수행하는 것은:
    선정된 상기 특정 포커스 링을 기판 처리 장치 내에 배치하는 것;
    상기 기판 처리 장치 내에 기판을 로딩하는 것; 및
    상기 기판 처리 장치 내의 상기 기판을 처리하는 것; 을 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 기판 처리 장치에 사용되는 부품을 등급에 따라 분류하는 것;
    기판 처리 공정을 분류하는 것;
    파악된 기판 처리 공정에 적합한 등급의 부품을 선정하는 것;
    선정된 부품을 기판 처리 장치 내에 배치하는 것;
    상기 기판 처리 장치 내에 기판을 로딩하는 것; 및
    상기 기판에 대한 공정을 수행하는 것; 을 포함하되,
    부품을 등급에 따라 분류하는 것은, 부품의 입도(grain size)를 기준으로 부품의 등급을 나누는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 부품을 등급에 따라 분류하는 것은:
    입도가 제1 입도 이하인 부품을 A 등급으로 분류하는 것; 및
    입도가 상기 제1 입도보다 큰 부품을 B 등급으로 분류하는 것; 을 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 입도는 9.01μm인 기판 처리 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 파악된 기판 처리 공정은 HARC(High Aspect Ratio Contact) 식각 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 HARC 식각 공정에 사용되는 부품은 A 등급인 기판 처리 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치에 사용되는 부품은 포커스 링을 포함하는 기판 처리 방법.
  15. 공정 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 공간 내에 위치하며, 기판을 지지하는 척;
    상기 척 상의 포커스 링; 을 포함하되,
    상기 포커스 링의 입도는 14.23μm 이하이고,
    상기 포커스 링의 전기 저항은 1Ω 이하인 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 포커스 링의 입도는 11.42μm 이하이고,
    상기 포커스 링의 전기 저항은 0.01Ω 이하인 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 포커스 링의 입도는 9.01μm 이하인 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 HARC(High Aspect Ratio Contact) 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 척으로부터 위로 이격된 샤워 헤드를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 포커스 링을 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하는 기판 처리 장치.
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