KR20240037500A - Edge exposure aparatus - Google Patents

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KR20240037500A
KR20240037500A KR1020220116078A KR20220116078A KR20240037500A KR 20240037500 A KR20240037500 A KR 20240037500A KR 1020220116078 A KR1020220116078 A KR 1020220116078A KR 20220116078 A KR20220116078 A KR 20220116078A KR 20240037500 A KR20240037500 A KR 20240037500A
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Abstract

본 실시예들에 의하면, 광 손실을 최소화함으로써 광량의 균일도가 상승하고 임계 선도 품질이 개선되는 주변 노광 장치가 제공될 수 있다.According to the present embodiments, a peripheral exposure device can be provided in which uniformity of light quantity is increased and critical line quality is improved by minimizing light loss.

Description

주변 노광 장치{EDGE EXPOSURE APARATUS}Peripheral exposure device {EDGE EXPOSURE APARATUS}

본 실시예들은 주변 노광 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광 손실을 최소화함으로써 광량의 균일도가 상승하고 임계 선도 품질이 개선되는 주변 노광 장치에 관한 것이다.The present embodiments relate to a peripheral exposure apparatus, and more specifically, to a peripheral exposure apparatus in which uniformity of light quantity increases and critical line quality is improved by minimizing light loss.

반도체 또는 디스플레이 제조이 있어서 핵심공정이라 할 수 있는 노광공정은 웨이퍼 상에 적절한 파장의 빛과 마스크를 이용하여 특정 패턴을 형성하는 공정이다. 즉, 웨이퍼의 표면에 감광액(Photo resist; PR)을 도포하고 감광액층에 마스크를 통하여 노광 및 현상함으로써 웨이퍼 상에 회로 패턴이 형성된다.The exposure process, which can be considered a core process in semiconductor or display manufacturing, is a process of forming a specific pattern on a wafer using light of an appropriate wavelength and a mask. That is, a circuit pattern is formed on the wafer by applying photoresist (PR) to the surface of the wafer and exposing and developing the photoresist layer through a mask.

웨이퍼의 표면에 감광액을 도포하는 방법으로서는 웨이퍼 중심부에 감광액을 공급하고 웨이퍼를 회전시킴으로써 원심력에 의해 표면 전체에 고르게 감광액을 도포하는 코팅법이 흔히 사용된다.A commonly used method of applying photoresist to the surface of a wafer is a coating method that supplies photoresist to the center of the wafer and rotates the wafer to evenly apply photoresist to the entire surface using centrifugal force.

일반적으로 웨이퍼는 원형으로 형성되기 때문에 주변부 내지는 가장자리부는 감광액이 도포되더라도 회로 패턴이 형성되지 않는데, 이러한 주변부에 감광액을 남겨두면 이후 웨이퍼의 이송 등의 공정에서 주변부에 도포된 감광액이 벗겨지며 파티클이 발생되어 수율을 저하시키는 문제가 있다.Generally, because the wafer is formed in a circular shape, a circuit pattern is not formed even if photoresist is applied to the peripheral or edge area. If photoresist is left in the peripheral area, the photoresist applied to the peripheral area will peel off during the subsequent wafer transfer process, generating particles. There is a problem of lowering the yield.

이러한 문제점을 해결하기 위해 웨이퍼의 주변부에 도포된 감광액을 제거하기 위한 주변 노광 공정이 필수적으로 수행되는데, 종래의 주변 노광 장치는 대부분 간접조사 방식을 채택함에 따라 광 손실이 발생하여 광량이 낮고 광이 균일하게 조사되지 못해 그림자가 발생하며 노광 품질이 불량한 문제가 있었다.To solve this problem, a peripheral exposure process is essentially performed to remove the photoresist applied to the periphery of the wafer. Conventional peripheral exposure devices mostly adopt an indirect irradiation method, resulting in light loss and low light intensity. There was a problem with poor exposure quality as shadows were generated due to lack of uniform irradiation.

또한, 특히 기존 OLED 디스플레이 공정에서는 UV 램프를 적용한 노광 장치를 주로 사용하였는데, UV 램프는 수명이 짧아 교체주기가 잦고 유지보수가 어려우며, 온오프 작동 시 많은 시간이 소요되어 검사효율이 떨어지고, 사용 시 오존 및 수은을 발생시켜 환경오염을 초래하는 문제가 있었다.In addition, in particular, in the existing OLED display process, exposure devices using UV lamps were mainly used. UV lamps have a short lifespan, require frequent replacement and are difficult to maintain, and take a lot of time to turn on and off, reducing inspection efficiency. There was a problem of causing environmental pollution by generating ozone and mercury.

본 실시예들은 전술한 배경에서 안출된 것으로서, 광 손실을 최소화함으로써 광량의 균일도가 상승하고 임계 선도 품질이 개선되는 주변 노광 장치에 관한 것이다.The present embodiments were developed against the above-mentioned background and relate to a peripheral exposure apparatus in which uniformity of light quantity is increased and critical line quality is improved by minimizing light loss.

본 실시예들에 의하면, 복수의 단위 광원 및 복수의 단위 광원의 광을 집속시키는 렌즈를 포함하는 광원부, 광원부에서의 광이 입사되는 입사부 및 입사부로 입사된 광이 출사되는 출사부를 포함하는 경통부, 경통부에 수용되며 양단이 개구되어, 입사부로 입사된 광을 내측에서 반사시키며 출사부로 안내하는 관형 리플렉터를 포함하는 주변 노광 장치가 제공될 수 있다.According to the present embodiments, a light source unit including a plurality of unit light sources and a lens for focusing the light of the plurality of unit light sources, a barrel unit including an entrance unit through which light from the light source unit is incident, and an exit unit through which light incident from the entrance unit is emitted. , a peripheral exposure device including a tubular reflector accommodated in the barrel portion and open at both ends to reflect light incident on the entrance portion from the inside and guide the light to the exit portion may be provided.

본 실시예들에 의하면, 광 손실을 최소화함으로써 광량의 균일도가 상승하고 임계 선도 품질이 개선되는 주변 노광 장치가 제공될 수 있다.According to the present embodiments, a peripheral exposure apparatus can be provided in which uniformity of light quantity is increased and critical line quality is improved by minimizing light loss.

도 1은 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치의 사시도이다.
도 2a는 도 1의 단면도이다.
도 2b는 다른 실시예에 의한 주변 노광 장치의 단면이다.
도 3 내지 도 4는 도 1의 일부에 대한 사시도이다.
도 5는 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치의 내부에서의 광경로를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6 내지 도 8은 본 실시예들에 따른 주변 노광 장치의 광 균일도를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 종래의 주변 노광 장치에서의 광경로를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 10은 리플렉터들의 입사부의 크기, 길이(length), 경사각(angle), 출사부의 크기, 출사부의 외부로 조사되는 광들의 수광장치들의 관계를 도시하고 있다.
도 11a, 도 12a, 도 13a, 도 14a,도 15a, 도 17a, 도 18a,도 19a, 및 도 20a는 표 1에 나타낸 리플렉터의 경사각, 입사부의 크기, 리플렉터의 길이, 출사부의 크기를 가진 리플렉터들을 도시하고 있다.
도 16은 도 15a에 도시한 리플렉터에 대해 1개 이상의 열 또는 행의 단위 광원에 고장이 발생하는 경우의 광량과 균일도를 나타낸다.
도 11b, 도 12b, 도 13b, 도 14b,도 15b, 도 17b, 도 18b,도 19a 및 도 19b, 및 도 20b는 각각 도 11a, 도 12a, 도 13a, 도 14a,도 15a, 도 16a, 도 17a, 도 18a,도 19a, 및 도 20a 및 표 1에 표시한 바와 같이 리플렉터의 광 균일도를 나타낸 도면들이다.
도 21a는 도 15a에 도시한 리플렉터에 대해 출사부)에 가림막을 배치하고, 왼쪽-->중안-->오른쪽 순서로 구멍을 뚫은 후 각도별 조도를 분석하는 개념도이고, 도 21b 내지 도 21d는 왼쪽-->중안-->오른쪽 순서로 구멍을 뚫은 후 각도별 조도를 분석한 결과들이다.
1 is a perspective view of a peripheral exposure apparatus according to the present embodiments.
Figure 2a is a cross-sectional view of Figure 1.
Figure 2b is a cross-section of a peripheral exposure device according to another embodiment.
Figures 3 and 4 are perspective views of a portion of Figure 1.
Figure 5 is a diagram schematically showing the optical path inside the peripheral exposure apparatus according to the present embodiments.
6 to 8 are diagrams for explaining the light uniformity of the peripheral exposure apparatus according to the present embodiments.
Figure 9 is a diagram schematically showing the optical path in a conventional peripheral exposure apparatus.
Figure 10 shows the relationship between the size, length, and inclination angle of the reflectors' incident portions, the size of the emitting portions, and the light receiving devices for light irradiated to the outside of the emitting portions.
Figures 11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 17a, 18a, 19a, and 20a show reflectors with the inclination angle of the reflector, the size of the entrance part, the length of the reflector, and the size of the exit part shown in Table 1. They are showing the fields.
FIG. 16 shows the light quantity and uniformity when a failure occurs in one or more column or row unit light sources for the reflector shown in FIG. 15A.
Figures 11b, 12b, 13b, 14b, 15b, 17b, 18b, 19a and 19b, and 20b are respectively similar to Figures 11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, Figures 17a, 18a, 19a, 20a, and Table 1 show the light uniformity of the reflector.
Figure 21a is a conceptual diagram of analyzing the illuminance at each angle after placing a screen on the emitter (emission part) of the reflector shown in Figure 15a and drilling holes in the left-->center-->right order, and Figures 21b to 21d are These are the results of analyzing the illuminance by angle after drilling holes in the following order: left-->center-->right.

이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 기술 사상의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to illustrative drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, in describing the present embodiments, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present technical idea, the detailed description may be omitted. When “comprises,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, it can also include the plural, unless specifically stated otherwise.

또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. Additionally, in describing the components of the present disclosure, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다. In the description of the positional relationship of components, when two or more components are described as being “connected,” “coupled,” or “connected,” the two or more components are directly “connected,” “coupled,” or “connected.” ", but it should be understood that two or more components and other components may be further "interposed" and "connected," "combined," or "connected." Here, other components may be included in one or more of two or more components that are “connected,” “coupled,” or “connected” to each other.

구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the description of temporal flow relationships related to components, operation methods, production methods, etc., for example, temporal precedence relationships such as “after”, “after”, “after”, “before”, etc. Or, when a sequential relationship is described, non-continuous cases may be included unless “immediately” or “directly” is used.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.On the other hand, when a numerical value or corresponding information (e.g., level, etc.) for a component is mentioned, even if there is no separate explicit description, the numerical value or corresponding information is related to various factors (e.g., process factors, internal or external shocks, It can be interpreted as including the error range that may occur due to noise, etc.).

도 1은 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치의 사시도, 도 2a는 도 1의 단면도, 도 3 내지 도 4는 도 1의 일부에 대한 사시도, 도 5는 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치의 내부에서의 광경로를 개략적으로 나타낸 도면, 도 6 내지 도 8은 본 실시예들에 따른 주변 노광 장치의 광 균일도를 설명하기 위한 도면, 도 9는 종래의 주변 노광 장치에서의 광경로를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a peripheral exposure device according to the present embodiments, FIG. 2A is a cross-sectional view of FIG. 1, FIGS. 3 and 4 are a perspective view of a portion of FIG. 1, and FIG. 5 is a peripheral exposure device according to the present embodiments. Figures 6 to 8 are diagrams schematically showing the internal optical path, Figures 6 to 8 are diagrams for explaining the light uniformity of the peripheral exposure apparatus according to the present embodiments, and Figure 9 is a schematic diagram of the optical path in the conventional peripheral exposure apparatus. This is the drawing shown.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)는, 광원부(110)과 경통부(120)를 포함한다. 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)는 경통부(120)의 일단에 배치된 출사부(121)를 통해 광원부(110)의 광을 외부로 조사하며, 조사되는 광이 마스크를 거쳐 웨이퍼로 공급됨으로써 주변 노광 공정이 수행된다.Referring to FIG. 1 , the peripheral exposure apparatus 100 according to the present embodiments includes a light source unit 110 and a barrel unit 120. The peripheral exposure apparatus 100 according to the present embodiments irradiates the light of the light source unit 110 to the outside through the emitter 121 disposed at one end of the barrel unit 120, and the irradiated light passes through the mask to the wafer. By supplying, a peripheral exposure process is performed.

도 2를 참조하면, 광원부(110)는 복수의 단위 광원(221) 및 복수의 단위 광원(221)의 광을 집속시키는 렌즈(222)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the light source unit 110 includes a plurality of unit light sources 221 and a lens 222 that focuses the light of the plurality of unit light sources 221.

경통부(120)는 광원부(110)에서의 광이 입사되는 입사부(212) 및 입사부(212)로 입사된 광이 출사되는 출사부(121)를 포함한다. The barrel unit 120 includes an entrance unit 212 through which light from the light source unit 110 is incident, and an exit unit 121 through which light incident on the entrance unit 212 is emitted.

본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)는 경통부(120)에 수용되며 양단이 개구되어, 입사부(212)로 입사된 광을 내측에서 반사시키며 출사부(121)로 안내하는 관형 리플렉터(210)를 추가로 포함한다.The peripheral exposure device 100 according to the present embodiments is accommodated in the barrel portion 120 and has both ends open, and includes a tubular reflector ( 210) is additionally included.

도 2a 및 도 3, 도 4를 참조하면, 광원부(110)는 복수의 단위 광원(221), 렌즈(222) 등을 수용하는 하우징 및 하우징의 내부에서 복수의 단위 광원(221), 렌즈(222) 등을 지지하는 프레임을 포함한다. 하우징은 대략 직육면체의 형상을 가질 수 있으며, 복수의 단위 광원(221)에서 방출되는 열을 방열하기 위한 구조 및 재질을 가진다. 예를 들어, 하우징은 알루미늄과 같이 열전도성이 높은 재질로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2A and FIGS. 3 and 4, the light source unit 110 includes a housing that accommodates a plurality of unit light sources 221, lenses 222, etc., and a plurality of unit light sources 221 and lenses 222 inside the housing. ) includes a frame that supports the etc. The housing may have a substantially rectangular parallelepiped shape and has a structure and material for dissipating heat emitted from the plurality of unit light sources 221. For example, the housing may be made of a highly thermally conductive material such as aluminum.

도 2a에 도시한 바와 같이 렌즈(222)가 입사부(212)와 접촉하거나 실질적으로 접촉할 정도로 밀착할 수도 있고, 도 2b에 도시한 바와 같이 렌즈(222)가 입사부(212)와 일정 거리로 이격될 수도 있다. As shown in FIG. 2A, the lens 222 may be in close contact with the entrance unit 212 or may be in close contact with the entrance unit 212, and as shown in FIG. 2B, the lens 222 may be at a certain distance from the entrance unit 212. It may be separated from .

또한, 광원부(110)는 복수의 단위 광원(221)에서 발생하는 열을 흡수하고 방출하기 위한 히트싱크(223) 및 송풍팬를 더 포함할 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 복수의 단위 광원(221)이 히트싱크(223)에 직접 면접촉됨으로써 히트싱크(223)가 보다 효율적으로 복수의 단위 광원(221)에서 발생하는 열을 흡수하고 방출할 수 있다.In addition, the light source unit 110 may further include a heat sink 223 and a blowing fan for absorbing and discharging heat generated from the plurality of unit light sources 221. As shown in the figure, the plurality of unit light sources 221 are in direct surface contact with the heat sink 223, so that the heat sink 223 can more efficiently absorb and emit heat generated from the plurality of unit light sources 221. You can.

복수의 단위 광원(221)은 도 5 및 도 7에 도시한 바와 같이 열과 행을 이루어 배치된다. 일 실시예에 의하면, 복수의 단위 광원(221)은 동일한 개수의 열과 행으로 배치될 수 있다(도 7의 (A) 참조). 일 실시예에 의하면, 복수의 단위광원은 9×9나 10×10으로 배치될 수 있으며, 또는 16×16으로도 배치될 수 있다. 각각의 단위 광원(221)은 독립적으로 구동될 수 있다. 즉, 복수의 단위 광원(221)의 온오프를 제어하는 제어부는 단위 광원(221) 각각을 온오프시킬 수 있으며, 온 또는 오프되는 단위 광원(221)의 개수에 따라 복수의 단위 광원(221)에서 방출되는 광량을 조절할 수 있다.A plurality of unit light sources 221 are arranged in columns and rows as shown in FIGS. 5 and 7. According to one embodiment, the plurality of unit light sources 221 may be arranged in the same number of columns and rows (see (A) of FIG. 7). According to one embodiment, the plurality of unit light sources may be arranged in 9×9, 10×10, or 16×16. Each unit light source 221 can be driven independently. That is, the control unit that controls the on and off of the plurality of unit light sources 221 can turn on and off each of the unit light sources 221, and the plurality of unit light sources 221 can be turned on or off depending on the number of unit light sources 221 that are turned on or off. The amount of light emitted can be adjusted.

복수의 단위 광원(221)은 복수의 열과 행로 배치되고, 각각의 단위 광원은 열 단위 또는 행 단위로 독립적으로 구동될 수도 있다.The plurality of unit light sources 221 are arranged in a plurality of columns and rows, and each unit light source may be driven independently on a column or row basis.

일 실시예에 의하면, 단위 광원(221)은 UV LED일 수 있다. UV LED는 노광 공정에 필요한 자외선 영역의 광을 방출하며, 예를 들어 365nm, 405nm, 또는 436nm 파장의 광을 방출할 수 있다. UV LED를 사용함으로써 종래 UV 램프 대비 에너지 효율이 향상되고 수명이 증가하며, 오존이나 수은이 발생하지 않아 친환경적이다.According to one embodiment, the unit light source 221 may be a UV LED. UV LED emits light in the ultraviolet range required for the exposure process, for example, may emit light with a wavelength of 365 nm, 405 nm, or 436 nm. By using UV LED, energy efficiency is improved and lifespan is increased compared to conventional UV lamps, and it is eco-friendly as it does not generate ozone or mercury.

복수의 단위 광원(221)에서 방출되는 광은 렌즈(222)에 의해 집속되며 경통부(120)의 입사부(212)로 입사된다. 일 실시예에 의하면, 렌즈(222)는 플라이 아이 렌즈일 수 있다. 플라이 아이 렌즈는 복수의 단위 광원(221)에 방출되는 광을 집속시켜 균일성을 향상시킨다.Light emitted from the plurality of unit light sources 221 is focused by the lens 222 and is incident on the entrance portion 212 of the barrel portion 120. According to one embodiment, lens 222 may be a fly eye lens. The fly eye lens improves uniformity by focusing light emitted from a plurality of unit light sources 221.

또한, 입사부(212)로 입사된 광은 리플렉터(210)를 통과하며 출사부(121)로 출사되는데, 리플렉터(210)의 내부에서 광이 리플렉터(210)의 내측면에 반사되며 전진함에 따라 보다 균일한 광을 형성할 수 있게 된다.In addition, the light incident on the entrance unit 212 passes through the reflector 210 and is emitted to the exit unit 121. Inside the reflector 210, the light is reflected on the inner surface of the reflector 210 and moves forward. It is possible to form more uniform light.

경통부(120)는 광원부(110)에서 방출되는 광이 입사되는 입사부(212)와 입사부(212)로 입사된 광이 출사되는 출사부(121)를 포함한다. 경통부(120)는 대략 직육면체 형상으로 형성되며, 일단과 타단에 각각 입사부(212)와 출사부(121)를 형성하는 프레임(211,214)이 구비된다. 리플렉터(210)는 관형으로 형성되어 경통부(120)의 내부에 수용된다. 리플렉터(210)는 양단이 개구되며, 리플렉터(210)의 일단은 도면에 도시된 바와 같이 입사부(212)에 삽입되어 경통부(120)로부터 돌출될 수 있으며, 리플렉터(210)의 타단은 출사부(121)를 형성하는 프레임(214)의 내측면에 결합될 수 있다. 따라서, 광원부(110)에서 방출되는 광은 리플렉터(210)의 일단을 통해 입사부(212)로 입사되고 리플렉터(210)의 타단을 통해 출사부(121)에서 출사될 수 있다. 또한, 경통부(120)에는 리플렉터(210)의 중단을 지지하는 지지프레임(213)이 구비될 수 있다. 입사부(212)와 출사부(121)는 사각형상으로 형성될 수 있으며, 그에 따라 리플렉터(210)도 사각형의 단면을 가지게 형성될 수 있다.The barrel unit 120 includes an entrance unit 212 through which light emitted from the light source unit 110 is incident, and an exit unit 121 through which the light incident on the entrance unit 212 is emitted. The barrel portion 120 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape, and is provided with frames 211 and 214 that form an entrance portion 212 and an exit portion 121 at one end and the other end, respectively. The reflector 210 is formed in a tubular shape and is accommodated inside the barrel portion 120. The reflector 210 is open at both ends, and one end of the reflector 210 can be inserted into the entrance part 212 and protrude from the barrel part 120, as shown in the drawing, and the other end of the reflector 210 is an exit part. It may be coupled to the inner surface of the frame 214 forming (121). Accordingly, light emitted from the light source unit 110 may be incident on the entrance unit 212 through one end of the reflector 210 and may be emitted from the emission unit 121 through the other end of the reflector 210. Additionally, the barrel portion 120 may be provided with a support frame 213 that supports the middle part of the reflector 210. The entrance unit 212 and the exit unit 121 may be formed in a rectangular shape, and accordingly, the reflector 210 may also be formed to have a rectangular cross-section.

리플렉터(210)는 단면적이 일단에서 타단으로 갈수록 증가하게 형성될 수 있다. 즉, 입사부(212)는 출사부(121)보다 작게 형성되며, 그에 따라 리플렉터(210)는 입사부(212)와 연결되는 일단의 단면적이 출사부(121)와 연결되는 타단의 단면적보다 작게 형성될 수 있다. 리플렉터(210)의 단면적은 일단에서 타단으로 갈수록 선형적으로 증가할 수 있다.The reflector 210 may have a cross-sectional area that increases from one end to the other. That is, the entrance part 212 is formed to be smaller than the emission part 121, and accordingly, the reflector 210 has a cross-sectional area of one end connected to the entrance part 212 smaller than the cross-sectional area of the other end connected to the emission part 121. can be formed. The cross-sectional area of the reflector 210 may increase linearly from one end to the other.

도 5를 참고하여 살펴보면, 리플렉터(210)의 내부로 입사된 광은 리플렉터(210)의 내측면에서 반사되며 출사부(121)로 안내된다. 리플렉터(210)의 내부에서 광은 내부반사 및 전반사되며 안내된다. 도 6은 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)에 의해 조사되는 광의 균일도를 나타내는 도면으로서, x 방향 및 y 방향으로 매우 균일한 광이 조사됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5 , light incident into the reflector 210 is reflected from the inner surface of the reflector 210 and is guided to the emitter 121. Inside the reflector 210, light is guided through internal reflection and total reflection. FIG. 6 is a diagram showing the uniformity of light emitted by the peripheral exposure apparatus 100 according to the present embodiments, and it can be confirmed that very uniform light is emitted in the x and y directions.

도 9를 참고하여 살펴보면, 종래의 주변 노광 장치와 같이 플라이 아이 렌즈(901)만을 이용하여 균일한 광을 형성하는 경우 플라이 아이 렌즈(901)를 통과한 광이 퍼지며 광 손실이 발생하고 정밀한 노광을 수행하기 어려운 문제가 있다. 또한, 종래의 주변 노광 장치는 간접조사 방식을 적용하여 노광 시 그림자(그레이 존)가 발생하는 한계가 있는데, 다시 말해 조사되는 광의 강도가 웨이퍼의 중심에 가까워질수록 점진적으로 낮아지며 주변 노광을 수행하는 영역과 회로 패턴을 형성하는 영역의 경계가 불분명한 낮은 임계 선폭 품질을 가지는 한계가 있다.Referring to FIG. 9, when uniform light is formed using only the fly-eye lens 901, as in a conventional peripheral exposure device, the light passing through the fly-eye lens 901 spreads, resulting in light loss and preventing precise exposure. There is a problem that is difficult to perform. In addition, the conventional peripheral exposure device uses an indirect irradiation method, which has the limitation of creating a shadow (gray zone) during exposure. In other words, the intensity of the irradiated light gradually decreases as it approaches the center of the wafer, and peripheral exposure is performed. It has the limitation of having a low critical linewidth quality where the boundary between the area and the area forming the circuit pattern is unclear.

그러나, 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)는 렌즈(222)에 의해 집속된 광이 리플렉터(210)의 내측에서 반사되며 출사부(121)를 통해 직접 조사되는 구조를 가짐으로써 광의 균일도가 상승하고 높은 임계 선폭 품질을 가지게 된다. 종래의 주변 노광 장치와 비교하여 살펴보면, 종래의 주변 노광 장치는 약 200μm의 임계 선폭으로 노광하는 것이 한계였으나, 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)에 의하면 약 100μm의 높은 품질로 노광이 가능하다.However, the peripheral exposure apparatus 100 according to the present embodiments has a structure in which the light focused by the lens 222 is reflected on the inside of the reflector 210 and is directly irradiated through the emitter 121, thereby improving the uniformity of light. increases and has a high critical linewidth quality. In comparison with the conventional peripheral exposure device, the limitation of the conventional peripheral exposure device was to expose with a critical line width of about 200 μm, but according to the peripheral exposure device 100 according to the present embodiments, exposure with high quality of about 100 μm is possible. possible.

또한, 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)는 복수의 단위 광원(221) 중 일부에 고장이 발생하는 경우 광량은 감소하더라도 균일도가 저하되지 않는 장점이 있다. 복수의 단위 광원(221)이 10×10로 배치되는 실시예에 있어서 정상상태와 도 7의 (A)에 도시된 바와 같이 복수의 단위 광원(221) 중 어느 한 행의 고장이 발생하는 경우를 비교하여 살펴보면, 도 7의 (B)에 나타난 바와 같이 광량은 2.95 W/cm^2에서 2.66 W/cm^s로 감소하였으나 균일도는 약 84%로 거의 동일함을 확인하였다.Additionally, the peripheral exposure apparatus 100 according to the present embodiments has the advantage that uniformity does not deteriorate even if the amount of light decreases when a failure occurs in some of the plurality of unit light sources 221. In an embodiment in which the plurality of unit light sources 221 are arranged in a 10×10 arrangement, the normal state and the case where a failure occurs in one row of the plurality of unit light sources 221 as shown in (A) of FIG. In comparison, as shown in (B) of Figure 7, the amount of light decreased from 2.95 W/cm^2 to 2.66 W/cm^2, but the uniformity was confirmed to be almost the same at about 84%.

도 8은 1개 이상의 열 또는 행의 단위 광원(221)에 고장이 발생하는 경우의 광량과 균일도를 비교하여 나타낸다. 도면에서와 같이, 광량은 점차적으로 감소하되 균일도는 약 84%로 거의 동일함을 확인하였다. 이는 것은 광원부(110)에서 방출되는 광이 리플렉터(210) 내부에서 반사되며 균일한 광으로 형성되기 때문으로서, 본 실시예들에 의하면 복수의 단위 광원(221) 중 일부에 고장이 발생하더라도 항상 일정한 균일도를 유지할 수 있어 지속적인 생산이 가능하다.FIG. 8 shows a comparison of light quantity and uniformity when a failure occurs in the unit light source 221 of one or more columns or rows. As shown in the figure, the amount of light gradually decreased, but the uniformity was confirmed to be almost the same at about 84%. This is because the light emitted from the light source unit 110 is reflected inside the reflector 210 and is formed as uniform light. According to the present embodiments, even if a failure occurs in some of the plurality of unit light sources 221, the light is always constant. Uniformity can be maintained, enabling continuous production.

이와 같은 형상을 가지는 주변 노광 장치에 의하면, 광 손실을 최소화함으로써 광량의 균일도가 상승하고 임계 선도 품질이 개선되는 주변 노광 장치가 제공될 수 있다.According to the peripheral exposure device having such a shape, a peripheral exposure device that minimizes light loss, increases uniformity of light quantity, and improves critical line quality can be provided.

도 10은 리플렉터들(210)의 입사부(212)의 크기, 길이(length), 경사각(angle), 출사부(121)의 크기, 출사부(121)의 외부로 조사되는 광들의 수광장치들(Receiver 1, Receiver2)의 관계를 도시하고 있다. FIG. 10 shows the size, length, and inclination angle of the incident portion 212 of the reflectors 210, the size of the emitter 121, and light receiving devices for light irradiated to the outside of the emitter 121. It shows the relationship of (Receiver 1, Receiver2).

도 10을 참조하면, 복수의 단위 광원(221)은 리플렉터(210)의 입사부(212)로부터 일정 거리, 예를 들어 8mm 간격으로 이격되어 있다. 입사부(212)의 크기는 복수의 단위 광원(221)의 개수와 리플렉터(210)의 길이, 출사부(121)의 크기 등을 고려하여 결정될 수 있다. 이하에서 입사부(212)의 크기를 40*40(mm)로 예시적으로 설명하나, 이에 제한되지 않는다. Referring to FIG. 10 , the plurality of unit light sources 221 are spaced apart from the incident portion 212 of the reflector 210 at a certain distance, for example, at intervals of 8 mm. The size of the incident unit 212 may be determined by considering the number of unit light sources 221, the length of the reflector 210, the size of the exit unit 121, etc. Below, the size of the incident portion 212 is exemplarily described as 40*40 (mm), but is not limited thereto.

도 11a, 도 12a, 도 13a, 도 14a,도 15a, 도 17a, 도 18a,도 19a, 및 도 20a는 표 1에 나타낸 리플렉터(210)의 경사각, 입사부(212)의 크기, 리플렉터(210)의 길이, 출사부(121)의 크기를 가진 리플렉터들(210)을 도시하고 있다. 11A, 12A, 13A, 14A, 15A, 17A, 18A, 19A, and 20A show the inclination angle of the reflector 210, the size of the incident portion 212, and the reflector 210 shown in Table 1. Shows reflectors 210 having a length of ) and the size of the emitting unit 121.

도 11a 내지 도 20a에 도시한 리플렉터들(210)의 입사부(212)의 크기는 동일하나, 리플렉터들(210)의 길이와 경사각, 출사부(121)의 크기는 표 1에 나타난 바와 같이 서로 상이하다. The sizes of the entrance portions 212 of the reflectors 210 shown in FIGS. 11A to 20A are the same, but the length and inclination angle of the reflectors 210 and the size of the exit portion 121 are different from each other as shown in Table 1. Different.

도 11aFigure 11a 도 12aFigure 12a 도 13aFigure 13a 도 14aFigure 14a 도 15aFigure 15a 도 16aFigure 16a 도 17aFigure 17a 도 18aFigure 18a 도 19aFigure 19a 도 20a
Figure 20a
입사부(mm2)Entrance area (mm 2 ) 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 40*4040*40 길이(mm)Length (mm) 312.5312.5 360360 300300 312.5312.5 365.6365.6 330.6330.6 330.6330.6 330.6330.6 330.6330.6 330.6330.6 경사각(°)Tilt angle (°) 3.33.3 33 44 3.33.3 3.33.3 3.53.5 3.33.3 3.43.4 3.63.6 3.73.7 출사부(mm2)Exit part (mm 2 ) 76.*7676.*76 77.7*77.777.7*77.7 82*8282*82 76*7676*76 82*8282*82 80*8080*80 78*7878*78 79*7979*79 81.5*81.581.5*81.5 82.5*82.582.5*82.5

표 1을 통해 알 수 있는 바와 같이, 전술한 바와 같이, 리플렉터(210)의 단면적은 일단에서 타단으로 갈수록 증가할 수 있다. 이때, 리플렉터(210)의 단면적은 일단에서 타단으로 갈수록 증가할 때, 도 10에 도시한 바와 같이, 리플렉터들(210)의 경사각은 3.3° 내지 4°일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. As can be seen from Table 1, as described above, the cross-sectional area of the reflector 210 may increase from one end to the other end. At this time, when the cross-sectional area of the reflector 210 increases from one end to the other end, as shown in FIG. 10, the inclination angle of the reflectors 210 may be 3.3° to 4°, but is not limited thereto.

또한, 리플렉터들(210)의 길이는 312.5mm 내지 365.6mm이고, 출사부(121)의 크기는 76*76mm2 내지 82.5*82.5mm2일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. Additionally, the length of the reflectors 210 may be 312.5 mm to 365.6 mm, and the size of the emitting unit 121 may be 76*76 mm 2 to 82.5*82.5 mm 2 , but is not limited thereto.

도 16은 도 15a에 도시한 리플렉터(210)에 대해 1개 이상의 열 또는 행의 단위 광원(221)에 고장이 발생하는 경우의 광량과 균일도를 나타낸다.FIG. 16 shows the light quantity and uniformity when a failure occurs in one or more column or row unit light sources 221 for the reflector 210 shown in FIG. 15A.

도 8을 참조하여 전술한 바와 같이, 본 실시예들에 의한 주변 노광 장치(100)는 복수의 단위 광원(221) 중 일부에 고장이 발생하는 경우 광량은 감소하더라도 균일도가 저하되지 않는 장점이 있다. As described above with reference to FIG. 8, the peripheral exposure apparatus 100 according to the present embodiments has the advantage that uniformity does not deteriorate even if the amount of light decreases when a failure occurs in some of the plurality of unit light sources 221. .

도 16을 통해 알 수 있는 바와 같이, 광량은 점차적으로 감소하되 균일도는 실질적으로 도 15b의 균일도와 거의 동일함을 확인하였다. 전술한 바와 같이, 광원부(110)에서 방출되는 광이 도 15a에 도시한 리플렉터(210) 내부에서 반사되며 균일한 광으로 형성되기 때문으로서, 복수의 단위 광원(221) 중 일부에 고장이 발생하더라도 항상 일정한 균일도를 유지할 수 있어 지속적인 생산이 가능하다.As can be seen from Figure 16, it was confirmed that the amount of light gradually decreased, but the uniformity was substantially the same as that of Figure 15b. As described above, because the light emitted from the light source unit 110 is reflected inside the reflector 210 shown in FIG. 15A and is formed as uniform light, even if a failure occurs in some of the plurality of unit light sources 221 Continuous production is possible because constant uniformity can always be maintained.

도 10에 도시한 바와 같이 입사부(212)의 크기를 고정하고, 리플렉터(210)의 길이, 리플렉터(210)의 경사각, 출사부(121)의 크기를 변경하면서 복수의 단위 광원(221)에서 조사한 광이 리플렉터(210)을 통과하여 75*75의 수신장치와 100*100의 수신장치에 도달한 광의 균일도를 조사하였다. As shown in FIG. 10, the size of the incident unit 212 is fixed, and the length of the reflector 210, the inclination angle of the reflector 210, and the size of the exit unit 121 are changed, and the plurality of unit light sources 221 are used. The uniformity of the irradiated light passing through the reflector 210 and reaching the 75*75 receiving device and the 100*100 receiving device was investigated.

도 11b, 도 12b, 도 13b, 도 14b,도 15b, 도 17b, 도 18b,도 19a 및 도 19b, 및 도 20b는 각각 도 11a, 도 12a, 도 13a, 도 14a,도 15a, 도 16a, 도 17a, 도 18a,도 19a, 및 도 20a 및 표 1에 표시한 바와 같이 리플렉터(210)의 광 균일도를 나타낸 도면들이다.Figures 11b, 12b, 13b, 14b, 15b, 17b, 18b, 19a and 19b, and 20b are respectively similar to Figures 11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, 17A, 18A, 19A, 20A, and Table 1 show the light uniformity of the reflector 210.

표 2는 도 11b, 도 12b, 도 13b, 도 14b,도 15b, 도 16b, 도 17b, 도 18b,도 19a 및 도 19b, 및 도 20b에 도시한 리플렉터들(210)의 광 균일도를 최대값과 최소값, 평균값, 최대값-최소값(P_devi), 평균치 대비(P_devi율)로 정리한 것이다. Table 2 shows the maximum light uniformity of the reflectors 210 shown in FIGS. 11B, 12B, 13B, 14B, 15B, 16B, 17B, 18B, 19A and 19B, and 20B. It is organized into minimum value, average value, maximum value-minimum value (P_devi), and average value (P_devi rate).

도 11a 및 도 12a에 도시한 리플렉터들(210)과 비교하였을 때 도 13a에 도시한 리플렉터(210)에서 광 균일도가 향상되는 것을 확인할 수 있었다. It was confirmed that light uniformity was improved in the reflector 210 shown in FIG. 13A when compared with the reflectors 210 shown in FIGS. 11A and 12A.

하지만 노광영역과 미러종단 광투과면적이 거의 같으므로 공차에 너무 민감하게 반응하였다. 이를 해결하기 위해, 리플렉터들(210)의 경사각을 그대로 두고 미러종단 광투과면적을 늘리기위해 도 14a에 도시한 리플렉터들(210)의 길이를 조정하였으나 광 균일도가 도 11a 및 도 12a에 도시한 리플렉터들(210)보다는 아니지만 확연히 떨어지는 것을 확인할 수 있었다. However, because the exposure area and the light transmission area at the end of the mirror were almost the same, it was too sensitive to tolerance. To solve this problem, the length of the reflectors 210 shown in FIG. 14A was adjusted to increase the light transmission area at the end of the mirror while leaving the inclination angle of the reflectors 210 the same, but the light uniformity was lower than that of the reflectors shown in FIGS. 11A and 12A. It was confirmed that although it was not as high as 210, it was clearly falling.

따라서 도 15a에 도시한 리플렉터들(210)와 같이 미러종단 광투과면적을 80*80mm 2 으로 설정한 후 길이+경사각 최적화를 재진행하여 도 13a에 도시한 리플렉터(210)과 비슷한 수준의 광 균일도가 향상되는 것을 확인할 수 있었다. Therefore, like the reflectors 210 shown in FIG. 15A, the light transmission area at the end of the mirror is set to 80*80 mm 2 and then the length + inclination angle optimization is performed again to achieve a similar level of light uniformity as the reflector 210 shown in FIG. 13A. It was confirmed that there was improvement.

표 3은 도 15a에 도시한 리플렉터들(210)의 경사각에 대해 공차 분석 결과이다. Table 3 shows the results of tolerance analysis for the inclination angles of the reflectors 210 shown in FIG. 15A.

표 3을 통해 알 수 있는 바와 같이, 도 17a 및 도 18a에 도시한 리플렉터들(210)과 같이 0.1˚ 이상의 경사각이 작아지는 경우, 미러종단 광투과면적이 좁아지면서 중앙의 복사조도가 세지는 경향을 보이며 광 균일도가 떨어지는 것을 확인할 수 있다. As can be seen from Table 3, when the inclination angle of 0.1° or more becomes smaller as in the reflectors 210 shown in FIGS. 17A and 18A, the light transmission area at the end of the mirror narrows and the irradiance at the center tends to increase. It can be seen that the light uniformity is decreasing.

도 19a 및 도 20a에 도시한 리플렉터들(210)과 같이 경사각이 더 커지는 경우, 미러종단 광투과면적이 넓어지면서 가장자리의 복사조도가 세지는 경향을 보이며 균일도가 떨어지는 것을 확인할 수 있었다. 또한 리플렉터들(210)의 경사각이 커지는 공차에 대해 광 균일도가 더 민감하게 떨어지는 것을 확인할 수 있었다.It was confirmed that when the inclination angle becomes larger, as in the reflectors 210 shown in FIGS. 19A and 20A, the light transmission area at the end of the mirror expands, the irradiance at the edge tends to increase, and uniformity decreases. In addition, it was confirmed that the light uniformity decreases more sensitively as the tolerance of the inclination angle of the reflectors 210 increases.

정리하면, 리플렉터들(210)의 경사각은 3.3° 내지 4°이고, 리플렉터들(210)의 길이는 312.5mm 내지 365.6mm이고, 출사부(121)의 크기는 76*76mm2 내지 82.5*82.5mm2일 경우 도 9에 도시한 바와 같이 플라이 아이 렌즈(901)만을 이용한 종래의 주변 노광 장치에 비해 광 균일도가 향상되는 것을 확인할 수 있다. In summary, the inclination angle of the reflectors 210 is 3.3° to 4°, the length of the reflectors 210 is 312.5mm to 365.6mm, and the size of the emitter 121 is 76*76mm 2 to 82.5*82.5mm. In the case of 2, as shown in FIG. 9, it can be confirmed that light uniformity is improved compared to the conventional peripheral exposure device using only the fly eye lens 901.

또한, 도 13a 및 도 15a, 도 18a에 도시한 리플렉터들(210)의 광 균일도가 다른 리플렉터들(210)에 비해 상대적으로 향상되는 것을 확인할 수 있었다. In addition, it was confirmed that the light uniformity of the reflectors 210 shown in FIGS. 13A, 15A, and 18A was relatively improved compared to other reflectors 210.

도 21a는 도 15a에 도시한 리플렉터(210)에 대해 출사부(121)에 가림막을 배치하고, 왼쪽-->중안-->오른쪽 순서로 구멍을 뚫은 후 각도별 조도를 분석하는 개념도이고, 도 21b 내지 도 21d는 왼쪽-->중안-->오른쪽 순서로 구멍을 뚫은 후 각도별 조도를 분석한 결과들이다. FIG. 21A is a conceptual diagram of analyzing the illuminance at each angle after placing a screen on the emitter 121 for the reflector 210 shown in FIG. 15A and drilling holes in the order of left-->center-->right. Figures 21b to 21d show the results of analyzing the illuminance by angle after drilling holes in the following order: left-->center-->right.

도 15a에 도시한 리플렉터들(210)에 대해 미러종단 광투과면적을 80*80mm 2 으로 설정한 후 노광영역 위치별 광선의 각도를 분석한 결과 평균 피크 기준 반치폭 각도가 12˚ 정도임을 확인하였다. 또한, 다른 도면들에 도시한 리플렉터들(210)도 도 15a에 도시한 리플렉터들(210)과 비슷한 평균 피크 기준 반치폭을 가질 것으로 예측할 수 있다. After setting the mirror end light transmission area to 80*80 mm 2 for the reflectors 210 shown in FIG. 15a and analyzing the angle of the light ray at each exposure area position, it was confirmed that the average peak reference half width angle was about 12°. . Additionally, the reflectors 210 shown in other drawings can be expected to have a similar average peak reference half width as the reflectors 210 shown in FIG. 15A.

이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 기술 사상의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present disclosure, and those skilled in the art will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present disclosure. In addition, the present embodiments are not intended to limit the technical idea of the present disclosure, but rather to explain it, so the scope of the present technical idea is not limited by these embodiments. The scope of protection of this disclosure should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of this disclosure.

100: 주변 노광 장치 110: 광원부
120: 경통부 121: 출사부
211: 프레임 212: 입사부
213: 지지프레임 214: 프레임
221: 단위 광원 222: 렌즈
223: 히트싱크
100: peripheral exposure device 110: light source unit
120: Light transmission department 121: Projection department
211: frame 212: entrance part
213: support frame 214: frame
221: unit light source 222: lens
223: heat sink

Claims (5)

복수의 단위 광원 및 상기 복수의 단위 광원의 광을 집속시키는 렌즈를 포함하는 광원부;
상기 광원부에서의 광이 입사되는 입사부 및 상기 입사부로 입사된 광이 출사되는 출사부를 포함하는 경통부; 및
상기 경통부에 수용되며 양단이 개구되어, 상기 입사부로 입사된 광을 내측에서 반사시키며 상기 출사부로 안내하는 관형 리플렉터;를 포함하고,
상기 리플렉터의 단면적은 상기 일단에서 타단으로 갈수록 증가하고, 상기 리플렉터들의 경사각은 3.3° 내지 4°인 주변 노광 장치.
a light source unit including a plurality of unit light sources and a lens that focuses the light of the plurality of unit light sources;
a barrel unit including an entrance unit through which light from the light source unit is incident, and an exit unit through which light incident on the entrance unit is emitted; and
A tubular reflector accommodated in the barrel portion and open at both ends to reflect the light incident on the entrance portion from the inside and guide the light to the exit portion;
A peripheral exposure device wherein the cross-sectional area of the reflector increases from one end to the other, and the reflectors have an inclination angle of 3.3° to 4°.
제 1 항에 있어서,
상기 리플렉터들의 길이는 312.5mm 내지 365.6mm이고, 상기 출사부의 크기는 76*76mm2 내지 82.5*82.5mm2인 주변 노광 장치.
According to claim 1,
The length of the reflectors is 312.5mm to 365.6mm, and the size of the emitting portion is 76*76mm 2 to 82.5*82.5mm 2 .
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 단위 광원은 복수의 열과 행로 배치되고, 각각의 단위 광원은 독립적으로 구동되는 주변 노광 장치.
According to claim 1,
A peripheral exposure apparatus wherein the plurality of unit light sources are arranged in a plurality of columns and rows, and each unit light source is driven independently.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 단위 광원은 복수의 열과 행로 배치되고, 각각의 단위 광원은 열 단위 또는 행 단위로 독립적으로 구동되는 주변 노광 장치.
According to claim 1,
A peripheral exposure apparatus wherein the plurality of unit light sources are arranged in a plurality of columns and rows, and each unit light source is independently driven on a column or row basis.
제 1 항에 있어서,
상기 경통부에는 상기 리플렉터의 중단을 지지하는 지지프레임이 구비되는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치.
According to claim 1,
Peripheral exposure apparatus, characterized in that the barrel portion is provided with a support frame that supports the middle part of the reflector.
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