KR20240032655A - Adhesive sheet for semiconductor processing and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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마사히로 우메자와
잇세이 아다치
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 표면 코트층이, 스티렌계 수지를 함유하고, 상기 스티렌계 수지 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상인, 반도체 가공용 점착 시트 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order, wherein the surface coat layer contains a styrene-based resin, and the content of structural units derived from a styrene-based compound in the styrene-based resin is 50 mass. % or more, relates to an adhesive sheet for semiconductor processing and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor processing.

Description

반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법{ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}Adhesive sheet for semiconductor processing and manufacturing method of semiconductor device {ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은, 반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an adhesive sheet for semiconductor processing and a semiconductor device.

정보 단말 기기의 박형화, 소형화 및 다기능화가 급속히 진행되는 가운데, 이들 기기에 탑재되는 반도체 장치에도, 박형화 및 고밀도화가 요구되고 있다.As information terminal devices are rapidly becoming thinner, more compact, and more functional, there is a demand for semiconductor devices mounted on these devices to be thinner and more dense.

반도체 장치를 박형화하는 방법으로는, 반도체 장치에 사용하는 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 방법이 실시되어 왔다. 반도체 웨이퍼의 이면 연삭은, 반도체 웨이퍼의 표면에 이면 연삭용 반도체 가공용 점착 시트 (이하, 「백 그라인드 시트」라고도 한다) 를 첩부 (貼付) 하고, 그 시트에 의해 반도체 웨이퍼의 표면을 보호한 상태에서 실시된다. 백 그라인드 시트는, 이면 연삭 후에 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 박리 제거된다.As a method of reducing the thickness of a semiconductor device, a method of grinding the back side of a semiconductor wafer used in the semiconductor device has been implemented. Back grinding of a semiconductor wafer involves attaching an adhesive sheet for semiconductor processing (hereinafter referred to as “back grind sheet”) for back grinding to the surface of the semiconductor wafer, and protecting the surface of the semiconductor wafer with the sheet. It is carried out. The back grind sheet is peeled and removed from the surface of the semiconductor wafer after back grinding.

최근, 반도체 칩에 대한 데미지를 억제하면서 박형화하는 연삭 및 개편화 방법으로서, 선 (先) 다이싱법, 스텔스 선 다이싱법 등이 실용되고 있다. 선 다이싱법은, 반도체 웨이퍼의 표면에, 다이싱 블레이드 등으로 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 그 반도체 웨이퍼를 이면측에서부터 홈에 이르기까지 연삭함으로써 반도체 칩으로 개편화하는 방법이다. 또한, 스텔스 선 다이싱법은, 레이저 광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한 후, 그 반도체 웨이퍼를 이면측에서부터 연삭하여, 상기 개질 영역을 분할 기점으로 하여 할단시킴으로써 반도체 칩으로 개편화하는 방법이다. 이들 방법에 있어서도, 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하기 위한 백 그라인드 시트가 사용되고 있다.Recently, pre-dicing methods, stealth pre-dicing methods, etc. have been used as grinding and segmentation methods to reduce the thickness of semiconductor chips while suppressing damage to them. The line dicing method is a method of forming a groove of a predetermined depth on the surface of a semiconductor wafer with a dicing blade or the like, and then grinding the semiconductor wafer from the back side to the groove to separate it into semiconductor chips. In addition, the stealth line dicing method forms a modified region inside a semiconductor wafer by irradiation of laser light, then grinds the semiconductor wafer from the back side, and divides the modified region into pieces by using the modified region as a starting point for division. This is how to do it. In these methods as well, a back grind sheet is used to protect the surface of the semiconductor wafer.

이들 박형화 프로세스 기술의 개발과 함께, 반도체 가공용 점착 시트에 대해서도, 반도체 칩을 양호한 수율로 박형화하기 위한 기능이 요구되고 있고, 다양한 검토가 실시되고 있다.Along with the development of these thinning process technologies, adhesive sheets for semiconductor processing are also required to have a function for thinning semiconductor chips with good yield, and various studies are being conducted.

특허문헌 1 에는, 선 다이싱법 또는 스텔스 선 다이싱법에 적용 가능한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트로서, 기재 필름과, 상기 기재 필름의 적어도 편면측에 형성되고, 점착제로 이루어지는 중간층과, 상기 중간층의 상기 기재 필름과 반대측이면서 최외층에 형성된 최외 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 상기 중간층은, 상기 점착 시트 형성 후의 경화 처리에 의해 경화되는 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses an adhesive sheet for semiconductor wafer surface protection applicable to a line dicing method or a stealth line dicing method, comprising a base film, an intermediate layer formed on at least one side of the base film and made of an adhesive, and the base material of the intermediate layer. An adhesive sheet for semiconductor wafer surface protection is disclosed, which is an adhesive sheet having an outermost adhesive layer formed on the outermost layer on the opposite side from the film, wherein the intermediate layer is formed of a material that is hardened by a curing treatment after forming the adhesive sheet. there is.

일본 공개특허공보 2015-56446호Japanese Patent Publication No. 2015-56446

특허문헌 1 의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트에 의하면, 반도체 웨이퍼를 칩으로 개편화한 후, 본래의 칩 간격이 무너져 버리는 커프 시프트를 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼의 연삭 부스러기에 의한 오염을 억제할 수 있고, 표면 보호 테이프를 박리했을 때의 칩에 풀이 잔류하는 것을 방지할 수 있다고 되어 있다.According to the adhesive sheet for semiconductor wafer surface protection of Patent Document 1, after the semiconductor wafer is divided into chips, kerf shift, which causes the original chip gap to collapse, can be suppressed, and contamination by grinding debris of the semiconductor wafer can be suppressed. It is said that it can prevent glue from remaining on the chip when the surface protection tape is peeled off.

그런데, 반도체 가공용 점착 시트에는, 반도체 웨이퍼 등의 워크를 가공할 때에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하여, 워크의 파손을 방지하기 위한 완충층이 형성되는 경우가 있다.However, in the adhesive sheet for semiconductor processing, a buffer layer may be formed to absorb vibration, shock, etc. that occurs when processing a workpiece such as a semiconductor wafer and to prevent damage to the workpiece.

완충층은, 기재보다 변형되기 쉬운 재료로 구성되어 있고, 기재의 점착제층과는 반대측의 표면에 형성되기 때문에, 반도체 가공용 점착 시트의 제조시, 워크의 가공시 등에, 의도하지 않게 흠집이 생기는 경우가 있다. 이것을 방지하기 위해서는, 완충층의 기재와는 반대측의 표면에, 표면 코트층을 형성하는 것이 유효하다.The buffer layer is made of a material that is more deformable than the base material, and is formed on the surface opposite to the adhesive layer of the base material. Therefore, scratches may occur unintentionally during production of adhesive sheets for semiconductor processing, processing of workpieces, etc. there is. In order to prevent this, it is effective to form a surface coat layer on the surface opposite to the substrate of the buffer layer.

또한, 표면 코트층은, 완충층의 흠집 발생 방지 이외에도, 연삭 부스러기의 부착을 억제하는 역할을 담당하는 경우가 있다. 예컨대, 백 그라인드 시트는, 워크를 이면 연삭할 때에, 척 테이블 등의 지지 장치에 고정되는데, 백 그라인드 시트와 지지 장치의 테이블 사이에 연삭 부스러기가 존재하면, 그 연삭 부스러기가 존재하는 부분을 기점으로 하여, 워크를 테이블에 고정시킬 때의 충격, 이면 연삭 중의 가압, 진동 등에 의해, 워크에 크랙이 발생하는 경우가 있다. 백 그라인드 시트의 지지 장치에 고정되는 측의 표면에, 연삭 부스러기의 부착을 억제 가능한 표면 코트층을 형성함으로써, 상기 문제의 발생을 억제할 수 있다.In addition, the surface coat layer may play a role in suppressing the adhesion of grinding debris in addition to preventing the occurrence of scratches in the buffer layer. For example, when back grinding a workpiece, the back grind sheet is fixed to a support device such as a chuck table. If grinding debris exists between the back grind sheet and the table of the support device, the portion where the grinding debris exists is the starting point. Therefore, cracks may occur in the work due to shock when fixing the work to the table, pressure during back grinding, vibration, etc. The occurrence of the above problem can be suppressed by forming a surface coat layer capable of suppressing adhesion of grinding debris on the surface of the back grind sheet on the side fixed to the support device.

그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 표면 코트층을 갖는 반도체 가공용 점착 시트에 워크를 첩부하고, 표면 코트층을 지지 장치에 고정시킨 상태로 소정의 가공을 실시한 경우, 가공 후에 반도체 가공용 점착 시트가 부착된 워크를 지지 장치로부터 들어 올리는 것에 실패하여 반송할 수 없는 경우가 있는 것이 판명되었다. 이것은 워크를 가공할 때에 있어서의 압력, 열 등에 의해, 표면 코트층이 지지 장치에 과잉으로 밀착되어 버리는 것이 원인이라고 생각된다.However, according to the present inventors' examination, when a work is attached to an adhesive sheet for semiconductor processing having a surface coating layer and predetermined processing is performed while the surface coating layer is fixed to a support device, the adhesive sheet for semiconductor processing adheres after processing. It has been found that there are cases where the workpiece fails to be lifted from the support device and cannot be transported. This is thought to be due to excessive adhesion of the surface coating layer to the support device due to pressure, heat, etc. when processing the workpiece.

본 발명은, 이상의 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 워크 가공 후의 반송성이 우수한 반도체 가공용 점착 시트 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to provide an adhesive sheet for semiconductor processing with excellent transportability after work processing and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor processing.

본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 특정한 구성 또는 성상을 갖는 반도체 가공용 점착 시트에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 이하의 본 발명을 완성시켰다.As a result of intensive study, the present inventors have found that the above problems can be solved by an adhesive sheet for semiconductor processing that has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order and has a specific structure or properties. completed the present invention.

즉, 본 발명은 하기 [1] ∼ [27] 에 관한 것이다.That is, the present invention relates to the following [1] to [27].

[1] 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,[1] It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,

상기 표면 코트층이, 스티렌계 수지를 함유하고,The surface coat layer contains a styrene-based resin,

상기 스티렌계 수지 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상인, 반도체 가공용 점착 시트.An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the content of structural units derived from a styrene-based compound in the styrene-based resin is 50% by mass or more.

[2] 상기 스티렌계 수지 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 80 질량% 이하인, 상기 [1] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[2] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [1] above, wherein the content of structural units derived from styrene-based compounds in the styrene-based resin is 80% by mass or less.

[3] 상기 스티렌계 수지가, 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 스티렌-에틸렌-프로필렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체 및 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[3] The styrene-based resin is styrene-butadiene block copolymer, styrene-ethylene-propylene block copolymer, styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-ethylene-butylene- The adhesive sheet for semiconductor processing according to [1] or [2] above, which is at least one member selected from the group consisting of styrene block copolymers and styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymers.

[4] 상기 스티렌계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 10,000 ∼ 600,000 인, 상기 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[4] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [3] above, wherein the mass average molecular weight (Mw) of the styrene resin is 10,000 to 600,000.

[5] 상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 상기 [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[5] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [4] above, wherein the surface coat layer has a thickness of 0.05 to 10 μm.

[6] 상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층인, 상기 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[6] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [5] above, wherein the buffer layer is a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing urethane (meth)acrylate.

[7] 반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[7] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [6] above, which is used for backside grinding of a semiconductor wafer.

[8] 상기 [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,[8] A process of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [7] above to the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device.

[9] 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,[9] A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;

상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 상기 [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,After the step a, or before or after the step b, the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [7] above is attached to the surface of the semiconductor wafer, using the adhesive layer as a sticking surface. The sheet sticking process,

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground, and the groove or the modified region is used as a starting point to form a plurality of semiconductor chips. A method of manufacturing a semiconductor device comprising grinding, grinding, and segmentation processes.

[10] 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,[10] It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,

상기 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’가 100 MPa 이상인, 반도체 가공용 점착 시트.An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the storage modulus E' of the surface coat layer at 90°C is 100 MPa or more.

[11] 상기 표면 코트층이, 수지 성분을 함유하는 유기층인, 상기 [10] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[11] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [10], wherein the surface coat layer is an organic layer containing a resin component.

[12] 상기 수지 성분이, 열가소성 수지인, 상기 [11] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[12] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [11] above, wherein the resin component is a thermoplastic resin.

[13] 상기 열가소성 수지가, 에틸렌성 불포화 결합을 1 개 이상 갖는 화합물의 중합체인, 상기 [12] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[13] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [12] above, wherein the thermoplastic resin is a polymer of a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds.

[14] 상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 상기 [10] ∼ [13] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[14] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [10] to [13], wherein the surface coating layer has a thickness of 0.05 to 10 μm.

[15] 상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층인, 상기 [10] ∼ [14] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[15] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [10] to [14] above, wherein the buffer layer is a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing urethane (meth)acrylate.

[16] 반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 상기 [10] ∼ [15] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[16] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [10] to [15] above, which is used for backside grinding of a semiconductor wafer.

[17] 상기 [10] ∼ [16] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,[17] A process of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [10] to [16] above to the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device.

[18] 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,[18] A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;

상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 상기 [10] ∼ [16] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,After step a, or before or after step b, the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [10] to [16] is attached to the surface of the semiconductor wafer, using the adhesive layer as a sticking surface. The sheet sticking process,

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground, and the groove or the modified region is used as a starting point to form a plurality of semiconductor chips. A method of manufacturing a semiconductor device comprising grinding, grinding, and segmentation processes.

[19] 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,[19] It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,

하기 조건으로 가열 처리한 후의 헤이즈값과 상기 가열 처리하기 전의 헤이즈값의 차 [가열 처리한 후의 헤이즈값 - 가열 처리하기 전의 헤이즈값] 가 2.0 % 이하인, 반도체 가공용 점착 시트.An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the difference between the haze value after heat treatment under the following conditions and the haze value before the heat treatment (haze value after heat treatment - haze value before heat treatment) is 2.0% or less.

(가열 처리의 조건)(Conditions of heat treatment)

연마면을 갖는 금속판 (1) 을, 상기 연마면을 상향으로 하여, 온도가 90 ℃ 로 유지된 열판 상에 재치하고, 그 금속판 (1) 의 상기 연마면 상에, 상기 점착제층에 박리 시트를 첩부한 상기 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 표면 코트층이 상기 연마면 측이 되는 방향으로 재치하고, 그 반도체 가공용 점착 시트의 박리 시트 상에, 그 박리 시트와 접촉하는 측에 연마면을 갖는 금속판 (2) 과, 추를 이 순서로 적층함으로써, 상기 반도체 가공용 점착 시트를 90 ℃ 에서 1 분간 가열 처리한다.A metal plate (1) having a polished surface is placed on a hot plate whose temperature is maintained at 90°C with the polished surface facing upward, and a release sheet is applied to the adhesive layer on the polished surface of the metal plate (1). The attached adhesive sheet for semiconductor processing is placed in the direction in which the surface coat layer is on the polished surface side, and on the release sheet of the adhesive sheet for semiconductor processing, a metal plate having a polished surface on the side in contact with the release sheet ( 2) The adhesive sheet for semiconductor processing is heat-treated at 90°C for 1 minute by laminating the weight and the weight in this order.

상기 가열 처리에 이용하는 상기 반도체 가공용 점착 시트는, 평면에서 본 형상이 직사각형상, 평면에서 본 크기가 5 cm × 5 cm 인 것으로 하고, 상기 금속판 (1) 및 상기 금속판 (2) 은, 모두, SUS304 제, 평면에서 본 형상이 직사각형상, 평면에서 본 크기가 7 cm × 15 cm, 두께가 0.5 mm, 무게가 40 g, 상기 연마면으로서, 600 번 연마에 의해 표면 마무리한 표면을 갖는 것으로 하고, 상기 추는, 무게가 1 kg, 저면이 직경 4 cm 의 원형인 원기둥형상을 갖는 것으로 한다. 상기 금속판 (1), 상기 반도체 가공용 점착 시트 및 상기 금속판 (2) 은, 각각의 4 변이 서로 평행이 되도록 재치하고, 상기 금속판 (1), 상기 반도체 가공용 점착 시트, 상기 금속판 (2) 및 상기 추는, 평면에서 본 각각의 중심점의 위치가 일치하도록 재치하는 것으로 한다.The adhesive sheet for semiconductor processing used in the heat treatment has a rectangular shape in plan view and a size of 5 cm × 5 cm in plan view, and both the metal plate 1 and the metal plate 2 are made of SUS304. First, the shape in the plan view is rectangular, the size in the plan view is 7 cm The weight is assumed to have a circular cylindrical shape with a weight of 1 kg and a bottom diameter of 4 cm. The metal plate (1), the adhesive sheet for semiconductor processing, and the metal plate (2) are placed so that their four sides are parallel to each other, and the metal plate (1), the adhesive sheet for semiconductor processing, the metal plate (2), and the weight are , the positions of each center point as seen from the plane are arranged so that they coincide.

[20] 상기 표면 코트층이, 수지 성분을 함유하는 유기층인, 상기 [19] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[20] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [19] above, wherein the surface coat layer is an organic layer containing a resin component.

[21] 상기 수지 성분이, 열가소성 수지인, 상기 [20] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[21] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [20] above, wherein the resin component is a thermoplastic resin.

[22] 상기 열가소성 수지가, 에틸렌성 불포화 결합을 1 개 이상 갖는 화합물의 중합체인, 상기 [21] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[22] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [21], wherein the thermoplastic resin is a polymer of a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds.

[23] 상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 상기 [19] ∼ [22] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[23] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [19] to [22], wherein the surface coating layer has a thickness of 0.05 to 10 μm.

[24] 상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층인, 상기 [19] ∼ [23] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[24] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [19] to [23] above, wherein the buffer layer is a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing urethane (meth)acrylate.

[25] 반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 상기 [19] ∼ [24] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[25] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [19] to [24] above, which is used for backside grinding of a semiconductor wafer.

[26] 상기 [19] ∼ [25] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,[26] A process of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [19] to [25] above to the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device.

[27] 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,[27] A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;

상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 상기 [19] ∼ [25] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,After step a, or before or after step b, the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [19] to [25] is attached to the surface of the semiconductor wafer, using the adhesive layer as a sticking surface. The sheet sticking process,

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground, and the groove or the modified region is used as a starting point to form a plurality of semiconductor chips. A method of manufacturing a semiconductor device comprising grinding, grinding, and segmentation processes.

본 발명에 의하면, 워크 가공 후의 반송성이 우수한 반도체 가공용 점착 시트 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an adhesive sheet for semiconductor processing with excellent transportability after work processing and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor processing.

본 명세서에 있어서, 바람직한 수치 범위에 대해서 단계적으로 기재된 하한값 및 상한값은, 각각 독립적으로 조합할 수 있다. 예를 들어, 「바람직하게는 10 ∼ 90, 보다 바람직하게는 30 ∼ 60」이라는 기재로부터, 「바람직한 하한값 (10)」과 「보다 바람직한 상한값 (60)」을 조합하여, 「10 ∼ 60」으로 할 수도 있다.In this specification, the lower limit and upper limit values described step by step for the preferred numerical range can be independently combined. For example, from the description “preferably 10 to 90, more preferably 30 to 60”, “preferable lower limit value (10)” and “more preferred upper limit value (60)” are combined to “10 to 60”. You may.

본 명세서에 있어서, 「유효 성분」 이란, 대상이 되는 조성물에 함유되는 성분 중 희석 용제를 제외한 성분을 가리킨다.In this specification, “active ingredient” refers to the ingredients contained in the composition in question, excluding the diluting solvent.

본 명세서에 있어서, 예를 들어, 「(메트)아크릴산」 이란, 「아크릴산」과 「메타크릴산」 의 쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 동일하다.In this specification, for example, “(meth)acrylic acid” refers to both “acrylic acid” and “methacrylic acid”, and other similar terms are also the same.

본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은, 예를 들어, 자외선원으로서 무전극 램프, 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, UV-LED 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은, 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.In this specification, “energy ray” means an electromagnetic wave or charged particle beam that has energy quantum, and examples thereof include ultraviolet rays, radiation, and electron beams. Ultraviolet rays can be irradiated, for example, by using an electrodeless lamp, high-pressure mercury lamp, metal halide lamp, UV-LED, etc. as an ultraviolet ray source. Electron beams generated by an electron beam accelerator or the like can be irradiated.

본 명세서에 있어서, 「에너지선 중합성」이란, 에너지선을 조사함으로써 중합하는 성질을 의미한다. 또한, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화되는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선 경화성을 갖지 않는 성질을 의미한다.In this specification, “energy ray polymerizability” means the property of polymerizing by irradiating energy rays. In addition, “energy ray curability” means the property of hardening by irradiating an energy ray, and “non-energy ray curability” means the property of not having energy ray hardenability.

본 명세서에 있어서, 반도체 웨이퍼의 「표면」이란 회로가 형성된 면을 가리키고, 「이면」이란 회로가 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다.In this specification, the “surface” of a semiconductor wafer refers to the surface on which circuits are formed, and the “back surface” refers to the surface on which circuits are not formed.

본 명세서에 기재되어 있는 작용 기전은 추측으로서, 본 발명의 반도체 가공용 점착 시트의 효과를 나타내는 기전을 한정하는 것은 아니다.The mechanism of action described in this specification is a guess and does not limit the mechanism showing the effect of the adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention.

[반도체 가공용 점착 시트][Adhesive sheet for semiconductor processing]

본 발명의 제 1 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 표면 코트층이 스티렌계 수지를 함유하고, 상기 스티렌계 수지 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상인, 반도체 가공용 점착 시트이다.The adhesive sheet for semiconductor processing of the first embodiment of the present invention has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order, the surface coat layer contains a styrene resin, and the styrene resin contains It is an adhesive sheet for semiconductor processing with a content of structural units derived from a styrene-based compound of 50% by mass or more.

본 발명의 제 2 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’가 100 MPa 이상인, 반도체 가공용 점착 시트이다.The adhesive sheet for semiconductor processing of the second embodiment of the present invention has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order, and the storage modulus E' at 90°C of the surface coat layer is 100 MPa or more, This is an adhesive sheet for semiconductor processing.

본 발명의 제 3 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 「(가열 처리의 조건)」에서 가열 처리한 후의 헤이즈값과 상기 가열 처리하기 전의 헤이즈값의 차 [가열 처리한 후의 헤이즈값 - 가열 처리하기 전의 헤이즈값] 가 2.0 % 이하인, 반도체 가공용 점착 시트이다.The adhesive sheet for semiconductor processing of the third embodiment of the present invention has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order, and has a haze value after heat treatment in the above “(heat treatment conditions)” and the heat treatment. It is an adhesive sheet for semiconductor processing in which the difference in haze value before treatment [haze value after heat treatment - haze value before heat treatment] is 2.0% or less.

이하, 「본 실시형태의 점착 시트」란, 특별히 언급하지 않는 한, 상기 본 발명의 제 1 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트, 상기 본 발명의 제 2 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트 및 상기 본 발명의 제 3 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트의 삼자를 가리키는 것으로 한다.Hereinafter, unless otherwise specified, the “adhesive sheet of the present embodiment” refers to the adhesive sheet for semiconductor processing of the first embodiment of the present invention, the adhesive sheet for semiconductor processing of the second embodiment of the present invention, and the adhesive sheet of the present invention. Let it refer to the third character of the adhesive sheet for semiconductor processing of the third embodiment.

본 실시형태의 점착 시트는, 워크인 반도체 장치의 표면에 첩부되어, 그 표면을 보호하면서 반도체 장치에 소정의 가공을 실시하기 위해서 사용된다. 워크에 대하여 소정의 가공을 실시한 후, 본 실시형태의 점착 시트는 반도체 장치로부터 박리 제거된다.The adhesive sheet of this embodiment is affixed to the surface of a work-in semiconductor device and is used to perform predetermined processing on the semiconductor device while protecting the surface. After predetermined processing is performed on the work, the adhesive sheet of this embodiment is peeled and removed from the semiconductor device.

또한, 본 실시형태에 있어서, 「반도체 장치」란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리키며, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 그 반도체 칩을 포함하는 전자 부품, 그 전자 부품을 구비하는 전자 기기류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시형태의 점착 시트는, 반도체 웨이퍼의 가공에 바람직하다.In addition, in this embodiment, “semiconductor device” refers to the overall device that can function by utilizing semiconductor characteristics, for example, a semiconductor wafer, a semiconductor chip, an electronic component including the semiconductor chip, and the electronic component. Electronic devices including, etc. may be mentioned. Among these, the adhesive sheet of this embodiment is suitable for processing semiconductor wafers.

본 실시형태의 점착 시트는, 워크 가공 후의 반송성이 우수하다. 그 원인은 확실하지는 않지만, 다음과 같이 추측된다.The adhesive sheet of this embodiment has excellent transportability after workpiece processing. The cause is not certain, but it is assumed to be as follows.

종래의 표면 코트층은, 워크 가공시에 있어서의 열, 압력 등에 의해 용융, 변형 등이 발생하고, 지지 장치에 대한 밀착성이 지나치게 커져, 워크 가공 후의 반송성이 저하된 것으로 생각된다. 이에 비해, 본 실시형태의 점착 시트는, 이하와 같이 하여 워크 가공 후의 반송성이 양호해진 것으로 생각된다.It is believed that the conventional surface coat layer melts and deforms due to heat and pressure during work processing, and its adhesion to the support device becomes too large, resulting in a decrease in transportability after work processing. In contrast, the adhesive sheet of this embodiment is thought to have improved transportability after workpiece processing as follows.

본 발명의 제 1 실시형태의 점착 시트가 갖는 표면 코트층은, 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상인 스티렌계 수지를 함유하고, 그 스티렌계 수지는 내열성이 우수하기 때문에, 워크 가공시에 있어서의 표면 코트층의 변형, 용융 등이 억제된 것으로 생각된다. 이로써, 지지 장치에 대한 밀착성이 지나치게 높아지지 않아, 워크 가공 후의 반송성이 양호해진 것으로 추측된다.The surface coat layer of the pressure-sensitive adhesive sheet of the first embodiment of the present invention contains a styrene-based resin having a content of structural units derived from styrene-based compounds of 50% by mass or more, and the styrene-based resin has excellent heat resistance, It is thought that deformation and melting of the surface coating layer during work processing were suppressed. As a result, it is assumed that the adhesion to the support device does not increase too much and the transportability after workpiece processing becomes good.

또한, 본 발명의 제 2 실시형태의 점착 시트가 갖는 표면 코트층은, 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’가 100 MPa 이상이기 때문에, 워크 가공시의 열 및 압력에 의한 변형, 용융 등이 억제된 것으로 생각된다. 이로써, 지지 장치에 대한 밀착성이 지나치게 높아지지 않아, 워크 가공 후의 반송성이 양호해진 것으로 추측된다.In addition, since the surface coating layer of the adhesive sheet of the second embodiment of the present invention has a storage modulus E' of 100 MPa or more at 90°C, deformation, melting, etc. due to heat and pressure during work processing are suppressed. It is thought that it has been done. As a result, it is assumed that the adhesion to the support device does not increase too much and the transportability after workpiece processing becomes good.

또한, 본 발명자들은 열, 압력 등에 의한 표면 코트층의 변질을 억제하는 검토를 실시하여, 특정 조건 하에 있어서의 가열 처리 전후의 헤이즈값의 차를 표면 코트층의 변질의 지표로 할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명의 제 3 실시형태의 점착 시트를 완성시켰다. 즉, 본 발명의 제 3 실시형태의 점착 시트는, 상기 가열 처리 전후의 헤이즈차가 2.0 % 이하인 것에 의해, 워크 가공시에 있어서의 표면 코트층의 변형, 용융 등이 억제되고, 이로써, 지지 장치에 대한 밀착성이 지나치게 높아지지 않아, 워크 가공 후의 반송성이 양호해진 것으로 추측된다.In addition, the present inventors conducted studies on suppressing deterioration of the surface coat layer due to heat, pressure, etc., and found that the difference in haze value before and after heat treatment under specific conditions can be used as an index of deterioration of the surface coat layer. and completed the adhesive sheet of the third embodiment of the present invention. That is, in the adhesive sheet of the third embodiment of the present invention, the haze difference before and after the heat treatment is 2.0% or less, so that deformation and melting of the surface coating layer during processing of the workpiece are suppressed, and thus, the support device It is presumed that the adhesion to the workpiece did not increase excessively, and the transportability after workpiece processing became good.

또한, 본 실시형태의 점착 시트는, 부가적인 효과로서, 가열 후의 점착 시트의 백화를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다. 종래의 표면 코트층을 형성한 점착 시트는 워크 가공시에 있어서의 열에 의해 백화되는 경우가 있고, 이것에 의해 외관의 악화, 에너지선 투과성의 저하 등의 문제가 발생하는 경우가 있었다. 한편, 본 실시형태의 점착 시트는 백화가 억제되기 때문에, 워크 가공 후에 있어서도 외관 및 에너지선 투과성이 우수하다.In addition, the pressure-sensitive adhesive sheet of the present embodiment has an additional effect of suppressing whitening of the pressure-sensitive adhesive sheet after heating. Conventional pressure-sensitive adhesive sheets formed with a surface coating layer may whiten due to heat during work processing, which may cause problems such as deterioration of appearance and reduction of energy ray permeability. On the other hand, since whitening is suppressed in the adhesive sheet of this embodiment, it is excellent in appearance and energy ray permeability even after work processing.

본 실시형태의 점착 시트는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층 이외의 층을 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층 이외의 층으로는, 예를 들어, 기재와 점착제층 사이에 형성되는 중간층, 점착제층의 기재와는 반대측의 면에 형성되는 박리 시트 등을 들 수 있다.The adhesive sheet of this embodiment may or may not have layers other than the surface coat layer, buffer layer, base material, and adhesive layer. Layers other than the surface coat layer, buffer layer, substrate, and adhesive layer include, for example, an intermediate layer formed between the substrate and the adhesive layer, and a release sheet formed on the side of the adhesive layer opposite to the substrate.

이하, 본 실시형태의 점착 시트를 구성하는 각 부재에 대해서 순서대로 설명한다.Hereinafter, each member constituting the adhesive sheet of this embodiment will be described in order.

<표면 코트층><Surface coat layer>

표면 코트층은, 완충층의 기재와는 반대의 면측에 형성되는 층으로서, 반도체 장치를 가공할 때, 지지 장치에 의해 고정되는 층이다.The surface coat layer is a layer formed on the side opposite to the base material of the buffer layer and is fixed by a support device when processing a semiconductor device.

본 발명의 제 1 실시형태의 점착 시트가 갖는 표면 코트층은, 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상인 스티렌계 수지 (이하, 「스티렌계 수지 (S)」라고도 한다) 를 함유한다. 한편, 본 발명의 제 2 실시형태 및 제 3 실시형태의 점착 시트가 갖는 표면 코트층은, 무기층이어도 되고, 유기층이어도 되지만, 점착 시트의 생산성 및 취급성의 관점에서, 유기층인 것이 바람직하고, 수지 성분을 함유하는 유기층인 것이 보다 바람직하고, 열가소성 수지를 함유하는 유기층인 것이 더욱 바람직하고, 스티렌계 수지 (S) 를 함유하는 것이 특히 바람직하다.The surface coat layer of the adhesive sheet of the first embodiment of the present invention is a styrene-based resin (hereinafter also referred to as “styrene-based resin (S)”) having a content of structural units derived from styrene-based compounds of 50% by mass or more. Contains. On the other hand, the surface coat layer of the adhesive sheet of the second and third embodiments of the present invention may be an inorganic layer or an organic layer, but from the viewpoint of productivity and handleability of the adhesive sheet, it is preferable to be an organic layer, and the resin It is more preferable that it is an organic layer containing a component, it is still more preferable that it is an organic layer containing a thermoplastic resin, and it is especially preferable that it contains a styrene-type resin (S).

(스티렌계 수지 (S))(Styrene-based resin (S))

스티렌계 수지 (S) 는, 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상인 수지이면 특별히 한정되지 않는다.The styrene-based resin (S) is not particularly limited as long as it is a resin with a content of structural units derived from a styrene-based compound of 50% by mass or more.

스티렌계 수지 (S) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The styrene-based resin (S) may be used individually or in combination of two or more types.

스티렌계 화합물로는, 예를 들면, 치환 또는 무치환의 스티렌을 들 수 있다.Examples of the styrene-based compound include substituted or unsubstituted styrene.

스티렌으로 치환되는 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 지방족 탄화수소기, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent substituted by styrene include an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom, and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

스티렌계 화합물로는, 예를 들면, 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 클로로스티렌, 메톡시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 스티렌이 바람직하다.Examples of styrene-based compounds include styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, chlorostyrene, and methoxystyrene. Among these, styrene is preferable.

스티렌계 수지 (S) 중에 있어서의 스티렌계 화합물에 유래하는 구성 단위의 함유량은 50 질량% 이상이다.The content of structural units derived from the styrene-based compound in the styrene-based resin (S) is 50% by mass or more.

스티렌계 수지 (S) 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상임으로써, 본 실시형태의 점착 시트는, 워크 가공 후의 반송성이 우수한 것이 된다. 또한, 가열 후에 있어서의 점착 시트의 백화를 억제할 수 있는 경향이 있다.When the content of the structural unit derived from the styrene-based compound in the styrene-based resin (S) is 50% by mass or more, the adhesive sheet of this embodiment has excellent transportability after work processing. Additionally, there is a tendency to suppress whitening of the adhesive sheet after heating.

상기의 관점에서, 스티렌계 수지 (S) 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 55 질량% 이상, 보다 바람직하게는 60 질량% 이상이다.From the above viewpoint, the content of the structural unit derived from the styrene-based compound in the styrene-based resin (S) is preferably 55% by mass or more, more preferably 60% by mass or more.

또한, 스티렌계 수지 (S) 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 80 질량% 이하, 보다 바람직하게는 75 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 70 질량% 이하이다.In addition, the content of the structural unit derived from the styrene-based compound in the styrene-based resin (S) is not particularly limited, but is preferably 80% by mass or less, more preferably 75% by mass or less, and even more preferably 70% by mass. It is less than mass%.

스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위 이외의 구성 단위의 도입에 의해, 점착 시트의 반송성 이외의 성능과의 밸런스를 조정하기 쉬워지는 경향이 있다.If the content of the structural unit derived from the styrene-based compound is below the above upper limit, it tends to be easy to adjust the balance with performance other than the transportability of the adhesive sheet by introducing structural units other than the structural unit derived from the styrene-based compound. There is.

스티렌계 수지 (S) 가 함유할 수 있는 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위 이외의 구성 단위로는, 스티렌계 화합물 이외의 에틸렌성 불포화 결합을 1 개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다.Structural units other than structural units derived from styrene-based compounds that the styrene-based resin (S) may contain include compounds having one or more ethylenically unsaturated bonds other than styrene-based compounds.

또한, 본 실시형태에 있어서의 「에틸렌성 불포화 결합」이란, 부가 반응이 가능한 탄소-탄소 이중 결합을 의미하고, 방향고리의 이중 결합은 포함하지 않는 것으로 한다.In addition, the “ethylenically unsaturated bond” in this embodiment means a carbon-carbon double bond capable of addition reaction, and does not include a double bond in an aromatic ring.

스티렌계 화합물 이외의 에틸렌성 불포화 결합을 1 개 이상 갖는 화합물로는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 2-메틸-1-프로펜, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 5-메틸-1-헥센 등의 사슬형 모노올레핀 ; 1,4-헥사디엔, 4-메틸-1,4-헥사디엔, 5-메틸-1,4-헥사디엔 등의 사슬형의 비공액 디엔 (비공액 디올레핀) ; 1,3-부타디엔, 이소프렌, 1,3-펜타디엔, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 2-페닐-1,3-부타디엔, 1,3-헥사디엔 등의 공액 디엔 (공액 디올레핀) ; 시클로부텐, 시클로펜텐, 메틸시클로펜텐, 시클로헥센, 메틸시클로헥센, 시클로헵텐, 시클로옥텐 등의 고리형 모노올레핀 ; 시클로헥사디엔, 메틸시클로헥사디엔, 시클로옥타디엔, 메틸시클로옥타디엔, 페닐시클로옥타디엔 등의 고리형 디올레핀 ; 노르보르넨, 디시클로펜타디엔, 테트라시클로도데센, 에틸테트라시클로도데센, 에틸리덴테트라시클로도데센, 테트라시클로[7.4.0.110,13.02,7]트리데카-2,4,6,11-테트라엔 등의 다환식 올레핀 ; 무수 말레산, 아세트산비닐 등의 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머, 말레이미드 화합물, 니트릴계 모노머 등의 질소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머 등을 들 수 있다.Compounds other than styrene-based compounds having one or more ethylenically unsaturated bonds include, for example, ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-heptene, 1-octene, 1-nonene, Chain monoolefins such as 1-decene, 2-methyl-1-propene, 3-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, and 5-methyl-1-hexene; Chain non-conjugated dienes (non-conjugated diolefins) such as 1,4-hexadiene, 4-methyl-1,4-hexadiene, and 5-methyl-1,4-hexadiene; Conjugated dienes such as 1,3-butadiene, isoprene, 1,3-pentadiene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 2-phenyl-1,3-butadiene, and 1,3-hexadiene (conjugated diene) olefin) ; Cyclic monoolefins such as cyclobutene, cyclopentene, methylcyclopentene, cyclohexene, methylcyclohexene, cycloheptene, and cyclooctene; Cyclic diolefins such as cyclohexadiene, methylcyclohexadiene, cyclooctadiene, methylcyclooctadiene, and phenylcyclooctadiene; Norbornene, dicyclopentadiene, tetracyclododecene, ethyltetracyclododecene, ethylidenetetracyclododecene, tetracyclo[7.4.0.1 10,13.0 2,7 ]trideca-2,4,6 , polycyclic olefins such as 11-tetraene; Monomers having oxygen atoms and ethylenically unsaturated bonds, such as maleic anhydride and vinyl acetate, monomers having nitrogen atoms and ethylenically unsaturated bonds, such as maleimide compounds and nitrile-based monomers, etc. can be mentioned.

이상의 선택지 중에서도, 스티렌계 수지 (S) 는, 공액 디엔에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.Among the above options, it is preferable that the styrene-based resin (S) contains a structural unit derived from a conjugated diene.

공액 디엔에서 유래하는 구성 단위란, 상기 공액 디엔이 부가 중합하여 형성되는 구성 단위, 상기 공액 디엔이 부가 중합하여 형성된 구성 단위를 수소 첨가함으로써 형성되는 구성 단위 등이다.The structural unit derived from the conjugated diene includes a structural unit formed by addition polymerization of the conjugated diene, a structural unit formed by hydrogenating a structural unit formed by addition polymerization of the conjugated diene, etc.

공액 디엔이 부가 중합하여 형성된 구성 단위를 수소 첨가함으로써 형성되는 구성 단위로는, 예를 들어 이소프렌이 부가 중합하여 형성된 구성 단위를 수소 첨가함으로써 형성되는 에틸렌-프로필렌 단위, 1,3-부타디엔이 부가 중합하여 형성된 구성 단위를 수소 첨가함으로써 형성되는 에틸렌-부틸렌 단위 등이다.Structural units formed by hydrogenating a structural unit formed by addition polymerization of a conjugated diene include, for example, an ethylene-propylene unit formed by hydrogenating a structural unit formed by addition polymerization of isoprene, and 1,3-butadiene by addition polymerization. An ethylene-butylene unit formed by hydrogenating the structural unit formed as follows.

스티렌계 수지 (S) 가 공액 디엔에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 스티렌계 수지 (S) 중에 있어서의 그 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20 ∼ 50 질량%, 보다 바람직하게는 25 ∼ 45 질량%, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 40 질량% 이다.When the styrene-based resin (S) contains a structural unit derived from a conjugated diene, its content in the styrene-based resin (S) is not particularly limited, but is preferably 20 to 50% by mass, more preferably It is 25 to 45 mass%, more preferably 30 to 40 mass%.

스티렌계 수지 (S) 중의 공액 디엔에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감시킬 수 있는 경향이 있다. 또, 스티렌계 수지 (S) 중의 공액 디엔에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 워크 가공 후의 반송성이 양호해지는 경향이 있다.If the content of the structural unit derived from the conjugated diene in the styrene resin (S) is more than the above lower limit, the amount of grinding debris adhesion tends to be further reduced. Moreover, if the content of the structural unit derived from the conjugated diene in the styrene resin (S) is below the above upper limit, the transportability after work processing tends to be good.

스티렌계 수지 (S) 로는, 워크 가공 후의 반송성 및 연삭 부스러기 부착량의 관점에서, 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 스티렌-에틸렌-프로필렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체 (이하, 「SEBS」라고도 한다) 및 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체 (이하, 「SEPS」라고도 한다) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하고, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체 및 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 보다 바람직하다.The styrene-based resin (S) is styrene-butadiene block copolymer, styrene-ethylene-propylene block copolymer, styrene-butadiene-styrene block copolymer, and styrene-isoprene-block copolymer from the viewpoint of transportability and grinding debris adhesion after work processing. Selected from the group consisting of styrene block copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (hereinafter also referred to as “SEBS”) and styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (hereinafter also referred to as “SEPS”) At least one type selected from the group consisting of styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer and styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer is more preferred.

스티렌계 수지 (S) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10,000 ∼ 600,000, 보다 바람직하게는 15,000 ∼ 500,000, 더욱 바람직하게는 20,000 ∼ 400,000 이다.The mass average molecular weight (Mw) of the styrene resin (S) is not particularly limited, but is preferably 10,000 to 600,000, more preferably 15,000 to 500,000, and still more preferably 20,000 to 400,000.

스티렌계 수지 (S) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 상기 하한값 이상이면, 워크 가공 후의 반송성이 보다 양호해지는 경향이 있다. 또, 스티렌계 수지 (S) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 이, 상기 상한값 이하이면, 스티렌계 수지 (S) 의 용매 용해성이 향상되고, 도포에 의한 표면 코트층의 형성이 용이해지는 경향이 있다.If the mass average molecular weight (Mw) of the styrene resin (S) is equal to or greater than the above lower limit, the transportability after work processing tends to be better. Moreover, if the mass average molecular weight (Mw) of the styrene resin (S) is below the above upper limit, the solvent solubility of the styrene resin (S) improves, and formation of a surface coat layer by application tends to become easy.

또한, 본 실시형태에 있어서, 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값을 의미하고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값이다.In addition, in this embodiment, the mass average molecular weight (Mw) means the standard polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, and specifically, the value measured by the method described in the Examples. am.

표면 코트층 중에 있어서의 스티렌계 수지 (S) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 표면 코트층의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 30 ∼ 95 질량%, 보다 바람직하게는 40 ∼ 90 질량%, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 85 질량% 이다.The content of the styrene resin (S) in the surface coat layer is not particularly limited, but is preferably 30 to 95% by mass, more preferably 40 to 90% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the surface coat layer. % by mass, more preferably 45 to 85% by mass.

스티렌계 수지 (S) 의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 워크 가공 후의 반송성이 보다 양호해지는 경향이 있고, 가열 후에 있어서의 점착 시트의 백화가 보다 억제되는 경향이 있다. 또한, 스티렌계 수지 (S) 의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 완충층과 표면 코트층의 밀착성을 보다 양호하게 하기 쉬운 경향이 있다.If the content of the styrene resin (S) is more than the above lower limit, the transportability after work processing tends to be better, and whitening of the adhesive sheet after heating tends to be more suppressed. Additionally, if the content of the styrene resin (S) is below the above upper limit, the adhesion between the buffer layer and the surface coat layer tends to be improved more easily.

표면 코트층이 함유할 수 있는 스티렌계 수지 (S) 이외의 열가소성 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부타디엔 등의 단독 중합체 ; 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체, 프로필렌-부텐 공중합체, 프로필렌-무수 말레산 공중합체, 프로필렌-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-테트라시클로도데센 공중합체 등의 2 원 공중합체 ; 에틸렌-무수 말레산-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-무수 말레산-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-무수 말레산-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-무수 말레산-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-아세트산비닐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-프로필렌-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-프로필렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-프로필렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-부텐-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-부텐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 프로필렌-부텐-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-부텐-(메트)아크릴레이트 공중합체 등의 다원 중합체 ; 등을 들 수 있다. 이들 스티렌계 수지 (S) 이외의 열가소성 수지의 바람직한 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 스티렌계 수지 (S) 의 바람직한 질량 평균 분자량 (Mw) 과 동일하다.Thermoplastic resins other than the styrene-based resin (S) that the surface coat layer may contain include, for example, homopolymers such as polyethylene, polypropylene, and polybutadiene; Ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-maleic anhydride copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylate copolymer, ethylene-tetracyclododecene copolymer, propylene-butene copolymer. Binary copolymers such as polymers, propylene-maleic anhydride copolymer, propylene-vinyl acetate copolymer, propylene-(meth)acrylate copolymer, and propylene-tetracyclododecene copolymer; Ethylene-maleic anhydride-vinyl acetate copolymer, ethylene-maleic anhydride-(meth)acrylate copolymer, ethylene-vinyl acetate-(meth)acrylate copolymer, propylene-maleic anhydride-vinyl acetate copolymer, propylene -Maleic anhydride-(meth)acrylate copolymer, propylene-vinyl acetate-(meth)acrylate copolymer, ethylene-propylene-maleic anhydride copolymer, ethylene-propylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-propylene-( Meth)acrylate copolymer, ethylene-butene-maleic anhydride copolymer, ethylene-butene-vinyl acetate copolymer, ethylene-butene-(meth)acrylate copolymer, propylene-butene-maleic anhydride copolymer, propylene- Multipolymers such as butene-vinyl acetate copolymer and propylene-butene-(meth)acrylate copolymer; etc. can be mentioned. The preferable mass average molecular weight (Mw) of thermoplastic resins other than these styrene resins (S) is the same as the preferable mass average molecular weight (Mw) of the styrene resin (S).

표면 코트층 중에 있어서의 수지 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 표면 코트층의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 30 ∼ 95 질량%, 보다 바람직하게는 40 ∼ 90 질량%, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 85 질량% 이다.The content of the resin component in the surface coat layer is not particularly limited, but is preferably 30 to 95% by mass, more preferably 40 to 90% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the surface coat layer. Preferably it is 45 to 85 mass%.

수지 성분의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 워크 가공 후의 반송성이 보다 양호해지는 경향이 있음과 함께, 가열 후에 있어서의 점착 시트의 백화가 보다 억제되는 경향이 있다. 또한, 수지 성분의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 완충층과 표면 코트층의 밀착성을 보다 양호하게 하기 쉬운 경향이 있다.If the content of the resin component is more than the above lower limit, the transportability after work processing tends to be better, and whitening of the adhesive sheet after heating tends to be more suppressed. Additionally, if the content of the resin component is below the above upper limit, the adhesion between the buffer layer and the surface coat layer tends to be improved more easily.

(소수화 처리된 실리카)(Hyphophobized silica)

표면 코트층은, 추가로 소수화 처리된 실리카를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the surface coat layer further contains silica that has been subjected to hydrophobization treatment.

표면 코트층이 소수화 처리된 실리카를 함유함으로써, 본 실시형태의 점착 시트는, 연삭 부스러기 부착량이 보다 저감된 것이 되는 경향이 있다.Since the surface coat layer contains silica subjected to hydrophobization treatment, the adhesive sheet of this embodiment tends to have a reduced amount of grinding debris adhesion.

소수화 처리된 실리카는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The hydrophobization-treated silica may be used individually or in combination of two or more types.

소수화 처리된 실리카로는, 예를 들어 원료 실리카를 소수화 처리제에 의해 표면 처리한 것을 들 수 있다.Examples of silica that has been subjected to hydrophobization treatment include raw material silica that has been surface treated with a hydrophobization treatment agent.

소수화시키는 원료 실리카는, 예를 들면, 침전법, 겔법, 졸겔법 등의 습식법에 의해 제조된 습식법 실리카여도 되고, 흄드 실리카, 용융 실리카 등의 건식법 실리카여도 된다. 이들 중에서도, 소수화가 용이하다는 관점에서, 습식법 실리카가 바람직하고, 침전법 실리카가 보다 바람직하다.The raw material silica to be hydrophobized may be, for example, wet-processed silica produced by a wet process such as a precipitation method, gel method, or sol-gel method, or may be dry-processed silica such as fumed silica or fused silica. Among these, wet-processed silica is preferable and precipitated-processed silica is more preferable from the viewpoint of easy hydrophobization.

소수화 처리제로는, 예를 들어, 유기 규소 화합물, 지방산, 지방산 금속염 등을 들 수 있다.Examples of hydrophobization treatment agents include organosilicon compounds, fatty acids, and fatty acid metal salts.

소수화 처리제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The hydrophobization treatment agent may be used individually as one type, or may be used in combination of two or more types.

원료 실리카를 소수화 처리제로 표면 처리하는 방법으로는, 예를 들면, 원료 실리카와 소수화 처리제를 용매 중에서 접촉시키는 방법, 질소 등의 캐리어 가스로 반송된 소수화 처리제의 증기를 원료 실리카와 접촉시키는 방법, 소수화 처리제의 원액을 원료 실리카와 직접 접촉시키는 방법 등을 들 수 있다.Methods for surface treating raw silica with a hydrophobization treatment agent include, for example, a method of contacting the raw silica with a hydrophobization treatment agent in a solvent, a method of contacting the vapor of the hydrophobization treatment agent returned by a carrier gas such as nitrogen with the raw silica, and hydrophobization. A method of bringing the stock solution of the treatment agent into direct contact with the raw material silica may be mentioned.

소수화 처리된 실리카의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 구상, 부정형 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감시킨다는 관점에서, 부정형인 것이 바람직하다.The shape of the hydrophobized silica is not particularly limited, and examples include spherical and irregular shapes. Among these, an irregular shape is preferable from the viewpoint of further reducing the amount of grinding debris adhesion.

소수화 처리된 실리카로는, 예를 들면, 에보닉사 제조의 「AEROSIL (등록상표) 시리즈」, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 「QSG 시리즈」, 토소·실리카 주식회사 제조의 「Nipsil (등록상표) SS 시리즈」, 후지 실리시아 화학 주식회사 제조의 「SYLOPHOBIC (등록상표) 시리즈」등이 상업적으로 입수 가능하다.As hydrophobized silica, for example, “AEROSIL (registered trademark) series” manufactured by Evonic Corporation, “QSG series” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and “Nipsil (registered trademark) SS series” manufactured by Tosoh Silica Co., Ltd. , the “SYLOPHOBIC (registered trademark) series” manufactured by Fuji Cilicia Chemical Co., Ltd., etc. are commercially available.

표면 코트층이 소수화 처리된 실리카를 함유하는 경우, 표면 코트층 중에 있어서의 소수화 처리된 실리카의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 스티렌계 수지 (S) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 150 질량부, 보다 바람직하게는 10 ∼ 120 질량부, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 100 질량부, 보다 더 바람직하게는 30 ∼ 90 질량부이다.When the surface coat layer contains silica that has been hydrophobized, the content of silica that has been hydrophobized in the surface coat layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 150 parts by mass based on 100 parts by mass of the styrene resin (S). parts, more preferably 10 to 120 parts by mass, further preferably 20 to 100 parts by mass, and even more preferably 30 to 90 parts by mass.

소수화 처리된 실리카의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감시킬 수 있는 경향이 있다. 또한, 소수화 처리된 실리카의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 표면 코트층의 성막성이 향상되는 경향이 있다.If the content of hydrophobized silica is more than the above lower limit, the amount of grinding debris adhesion tends to be further reduced. Additionally, if the content of hydrophobized silica is below the above upper limit, the film forming properties of the surface coat layer tend to improve.

표면 코트층은, 스티렌계 수지 (S) 및 소수화 처리된 실리카 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다.The surface coat layer may contain components other than the styrene resin (S) and the hydrophobized silica.

예를 들어, 표면 코트층은, 완충층과의 밀착성을 보다 우수한 것으로 한다는 관점에서, 스티렌계 수지 (S) 와 함께, 에너지선 중합성 다관능 화합물 및 광중합 개시제를 함유하는 조성물에 대하여 에너지선을 조사함으로써 형성되는 층인 것이 바람직하다.For example, the surface coat layer is irradiated with energy rays to a composition containing an energy ray polymerizable multifunctional compound and a photopolymerization initiator together with the styrene resin (S) from the viewpoint of improving adhesion to the buffer layer. It is preferable that it is a layer formed by doing so.

또한, 이하의 설명에 있어서, 표면 코트층의 형성에 이용되는 조성물을 「표면 코트층 형성용 조성물」이라고 칭하는 경우가 있다.In addition, in the following description, the composition used for forming the surface coat layer may be referred to as “composition for forming the surface coat layer.”

(에너지선 중합성 다관능 화합물)(Energy ray polymerizable multifunctional compound)

에너지선 중합성 다관능 화합물은, 에너지선 중합성 관능기를 2 개 이상 갖는 화합물이다.An energy ray polymerizable multifunctional compound is a compound having two or more energy ray polymerizable functional groups.

에너지선 중합성 다관능 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The energy ray-polymerizable multifunctional compound may be used individually by one type, or may be used in combination of two or more types.

에너지선 중합성 다관능 화합물이 갖는 에너지선 중합성 관능기의 수는, 바람직하게는 2 ∼ 10 개, 보다 바람직하게는 3 ∼ 8 개, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 7 개이다.The number of energy ray polymerizable functional groups that the energy ray polymerizable multifunctional compound has is preferably 2 to 10, more preferably 3 to 8, and still more preferably 4 to 7.

에너지선 중합성 다관능 화합물이 갖는 에너지선 중합성 관능기로는, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.As the energy ray polymerizable functional group contained in the energy ray polymerizable multifunctional compound, (meth)acryloyl group is preferable.

에너지선 중합성 다관능 화합물로는, 다관능 (메트)아크릴레이트 모노머가 바람직하다.As the energy ray polymerizable multifunctional compound, a polyfunctional (meth)acrylate monomer is preferable.

다관능 (메트)아크릴레이트 모노머로는, 예를 들어, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메트)아크릴레이트, 하이드록시피발산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메트)아크릴레이트, 디(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 알릴화 시클로헥실디(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트 등의 2 관능 (메트)아크릴레이트 모노머 ; 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 비스(아크릴옥시에틸)하이드록시에틸이소시아누레이트, 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 디글리세린테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of polyfunctional (meth)acrylate monomers include 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, Polyethylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol adipate di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate hydroxypivalic acid, dicyclopentanyl di(meth)acrylate, caprolactone modified dicyclo Pentenyl di(meth)acrylate, ethylene oxide modified phosphoric acid di(meth)acrylate, di(acryloxyethyl)isocyanurate, allylated cyclohexyl di(meth)acrylate, ethylene oxide isocyanuric acid modified diacrylate. Bifunctional (meth)acrylate monomers such as latex; Trimethylolpropane tri(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, propionic acid modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane Tri(meth)acrylate, tris(acryloxyethyl)isocyanurate, bis(acryloxyethyl)hydroxyethyl isocyanurate, isocyanuric acid ethylene oxide modified triacrylate, ε-caprolactone modified tris( Acryloxyethyl)isocyanurate, diglycerin tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, propionic acid modified dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate salt, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, etc. Among these, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate and dipentaerythritol penta(meth)acrylate are preferable, and dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate are more preferable.

표면 코트층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 다관능 화합물을 함유하는 경우, 에너지선 중합성 다관능 화합물의 함유량은, 스티렌계 수지 (S) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 14 ∼ 40 질량부, 더욱 바람직하게는 17 ∼ 30 질량부이다.When the composition for forming a surface coat layer contains an energy ray polymerizable multifunctional compound, the content of the energy ray polymerizable multifunctional compound is preferably 10 to 60 parts by mass based on 100 parts by mass of the styrene resin (S). , More preferably 14 to 40 parts by mass, Still more preferably 17 to 30 parts by mass.

에너지선 중합성 다관능 화합물의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 표면 코트층이 완충층과의 밀착성이 우수한 것이 되는 경향이 있다. 또한, 에너지선 중합성 다관능 화합물의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 완충층에 대한 밀착성과 워크 가공 후의 반송성의 밸런스를 양호하게 하기 쉬운 경향이 있다.If the content of the energy-ray polymerizable multifunctional compound is more than the above lower limit, the surface coat layer tends to have excellent adhesion to the buffer layer. In addition, if the content of the energy-ray polymerizable multifunctional compound is below the above upper limit, there is a tendency to easily achieve a good balance between the adhesion to the buffer layer and the transportability after work processing.

(광중합 개시제)(Photopolymerization initiator)

광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and further photosensitizers such as amines and quinones. Can be, more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoin Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethyl Benzoyl) phenylphosphine oxide, etc. are mentioned.

광중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The photopolymerization initiator may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

표면 코트층 형성용 조성물이 광중합 개시제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 중합 반응을 균질하면서 또한 충분히 진행시킨다는 관점에서, 에너지선 중합성 다관능 화합물 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 5 질량부이다.When the composition for forming a surface coat layer contains a photopolymerization initiator, the content is not particularly limited, but from the viewpoint of advancing the energy ray polymerization reaction homogeneously and sufficiently, the amount is preferably 100 parts by mass of the energy ray polymerizable multifunctional compound. Preferably it is 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and even more preferably 0.05 to 5 parts by mass.

(그 밖의 성분)(Other ingredients)

표면 코트층은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 상기 이외의 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, 상기 이외의 수지 ; 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 녹 방지제, 안료, 염료 등의 첨가제 ; 등을 들 수 있다.The surface coat layer may contain other components other than those mentioned above within a range that does not impair the effects of the present invention. Other components include, for example, resins other than those mentioned above; Additives such as antistatic agents, antioxidants, softeners, fillers, rust inhibitors, pigments, and dyes; etc. can be mentioned.

(표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’)(Storage modulus E’ of surface coat layer at 90°C)

본 발명의 제 2 실시형태의 점착 시트가 갖는 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’는 100 MPa 이상이다. 또한, 본 발명의 제 1 실시형태 및 제 3 실시형태의 점착 시트가 갖는 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’는, 100 MPa 이상인 것이 바람직하다.The storage modulus E' at 90°C of the surface coat layer of the adhesive sheet of the second embodiment of the present invention is 100 MPa or more. In addition, the storage modulus E' at 90°C of the surface coating layer of the pressure-sensitive adhesive sheets of the first and third embodiments of the present invention is preferably 100 MPa or more.

표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’가 100 MPa 이상이면, 본 실시형태의 점착 시트는, 워크 가공 후의 반송성이 우수한 것이 된다.If the storage modulus E' of the surface coat layer at 90°C is 100 MPa or more, the adhesive sheet of this embodiment has excellent transportability after work processing.

표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’는, 워크 가공 후의 반송성을 보다 양호하게 한다는 관점에서, 바람직하게는 120 MPa 이상, 보다 바람직하게는 150 MPa 이상, 더욱 바람직하게는 170 MPa 이상이다. 또한, 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,500 MPa 이하, 보다 바람직하게는 1,000 MPa 이하, 더욱 바람직하게는 800 MPa 이하, 보다 더욱 바람직하게는 600 MPa 이하이다. 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장탄성률 E’가 상기 상한값 이하이면, 적당한 유연성을 갖는 점착 시트가 얻어지기 쉽고, 점착 시트의 취급성이 우수한 경향이 있다.The storage modulus E' of the surface coating layer at 90°C is preferably 120 MPa or more, more preferably 150 MPa or more, and still more preferably 170 MPa or more from the viewpoint of improving the transportability after work processing. am. In addition, the storage modulus E' of the surface coat layer at 90°C is not particularly limited, but is preferably 1,500 MPa or less, more preferably 1,000 MPa or less, even more preferably 800 MPa or less, and even more preferably It is less than 600 MPa. If the storage modulus E' of the surface coat layer at 90°C is below the above upper limit, a pressure-sensitive adhesive sheet with appropriate flexibility is easy to obtain, and the handling properties of the pressure-sensitive adhesive sheet tend to be excellent.

또한, 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.In addition, the storage modulus E' of the surface coat layer at 90°C can be measured by the method described in the Examples.

(표면 코트층의 두께)(Thickness of surface coat layer)

표면 코트층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.05 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 7 ㎛, 더욱 바람직하게는 1 ∼ 4 ㎛ 이다.The thickness of the surface coat layer is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 10 μm, more preferably 0.2 to 7 μm, and still more preferably 1 to 4 μm.

표면 코트층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 균일한 층 형성이 가능해져, 워크 가공 후의 반송성이 보다 양호해지는 경향이 있다. 또, 표면 코트층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 척 테이블 상의 이물질 등의 요철을 흡수한다는 완충층의 효과가 얻어지기 쉬워지는 경향이 있다.If the thickness of the surface coat layer is equal to or greater than the above lower limit, uniform layer formation becomes possible and the transportability after work processing tends to improve. Moreover, if the thickness of the surface coat layer is below the above upper limit, the effect of the buffer layer of absorbing irregularities such as foreign matter on the chuck table tends to be easily obtained.

<완충층><Buffer layer>

완충층은, 기재와 표면 코트층 사이에 형성되는 층으로, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하여, 워크에 크랙이 발생하는 것을 방지하는 역할을 담당하는 층이다. 나아가서는, 완충층을 형성함으로써, 지지 장치의 테이블 상에 존재하는 이물질 등의 요철을 흡수하여, 지지 장치에 의한 점착 시트의 유지성을 향상시킬 수도 있다.The buffer layer is a layer formed between the base material and the surface coating layer, and is a layer that absorbs vibration and shock generated during back side grinding and prevents cracks from occurring in the workpiece. Furthermore, by forming a buffer layer, it is possible to absorb irregularities such as foreign matter existing on the table of the support device and improve the retention of the adhesive sheet by the support device.

(완충층 형성용 조성물)(Composition for forming a buffer layer)

완충층은, 완충층 형성용 조성물로 형성할 수 있다.The buffer layer can be formed from a composition for forming a buffer layer.

완충층은, 완충층에 적절한 물성을 얻는다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물을 에너지선 경화시킨 층인 것이 바람직하다.From the viewpoint of obtaining appropriate physical properties for the buffer layer, the buffer layer is preferably a layer obtained by energy-ray curing a composition for forming a buffer layer containing an energy-ray polymerizable compound.

완충층 형성용 조성물은, 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 함유하는 것이 바람직하다. 완충층 형성용 조성물이 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 함유함으로써, 완충층의 저장 탄성률 등을 양호한 범위로 조정할 수 있는 경향이 있다.The composition for forming a buffer layer preferably contains urethane (meth)acrylate (a1) as an energy ray polymerizable compound. When the composition for forming a buffer layer contains urethane (meth)acrylate (a1), the storage modulus of the buffer layer tends to be adjusted to a good range.

또한, 완충층 형성용 조성물은, 동일한 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 에 추가하여, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하고, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 에 추가하여, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유하는 것이 더욱 바람직하다.Additionally, from the same viewpoint, the composition for forming a buffer layer includes, in addition to urethane (meth)acrylate (a1), a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and a functional group. It is more preferable to contain at least one selected from the group consisting of polymerizable compounds (a3), and in addition to urethane (meth)acrylate (a1), an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms is added. It is more preferable to contain a polymerizable compound (a2) having a polymerizable compound (a2) and a polymerizable compound (a3) having a functional group.

또한, 본 명세서 중, 고리 형성 원자수란, 원자가 고리형으로 결합한 구조의 화합물의 당해 고리 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 고리를 구성하지 않는 원자 (예를 들어, 고리를 구성하는 원자에 결합한 수소 원자), 및 당해 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 고리 형성 원자수에는 포함하지 않는다.In addition, in this specification, the number of ring-forming atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which atoms are bonded in a ring, and refers to the number of atoms constituting the ring itself (e.g., atoms not constituting the ring (e.g., atoms constituting the ring) bonded hydrogen atom), and atoms included in the substituent when the ring is substituted by a substituent are not included in the number of ring forming atoms.

〔우레탄(메트)아크릴레이트 (a1)〕[Urethane (meth)acrylate (a1)]

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이고, 에너지선 조사에 의해 중합하는 성질을 갖는 것이다.Urethane (meth)acrylate (a1) is a compound having a (meth)acryloyl group and a urethane bond, and has the property of polymerizing by energy ray irradiation.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Urethane (meth)acrylate (a1) may be used individually or in combination of two or more types.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 ∼ 60,000, 더욱 바람직하게는 3,000 ∼ 20,000 이다.The mass average molecular weight (Mw) of urethane (meth)acrylate (a1) is not particularly limited, but is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, and still more preferably 3,000 to 20,000.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 이 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 ∼ 4 개, 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 개, 더욱 바람직하게는 1 개 또는 2 개이다.The number of (meth)acryloyl groups that urethane (meth)acrylate (a1) has in one molecule is not particularly limited, but is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, even more preferably. It is either 1 or 2.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 예를 들어, 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다.Urethane (meth)acrylate (a1) can be obtained, for example, by reacting (meth)acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyhydric isocyanate compound.

폴리올 화합물로는, 하이드록시기를 2 개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.The polyol compound is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.

폴리올 화합물의 구체예로는, 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올이 바람직하다.Specific examples of polyol compounds include alkylene diol, polyether type polyol, polyester type polyol, and polycarbonate type polyol. Among these, polyester type polyol is preferable.

폴리올 화합물은, 2 관능의 디올, 3 관능의 트리올, 4 관능 이상의 폴리올 중 어느 것이어도 되지만, 2 관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올이 보다 바람직하다.The polyol compound may be any of a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher functional polyol, but a bifunctional diol is preferable and a polyester type diol is more preferable.

폴리올 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.A polyol compound may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류 ; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류 ; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌자일릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.Examples of the polyvalent isocyanate compound include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; Alicyclic products such as isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, ω,ω'-diisocyanate and dimethylcyclohexane. Diisocyanates; Aromatic diisocyanates such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, and naphthalene-1,5-diisocyanate. there is. Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferable.

다가 이소시아네이트 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.A polyhydric isocyanate compound may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머와 반응시키는 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 적어도 1 분자 중에 하이드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다.The (meth)acrylate having a hydroxy group to be reacted with the terminal isocyanate urethane prepolymer is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth)acryloyl group in at least one molecule.

하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 하이드록시기 함유 (메트)아크릴아미드 ; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A 의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of (meth)acrylates having a hydroxy group include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4 -Hydroxycyclohexyl (meth)acrylate, 5-hydroxycyclooctyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, polyethylene Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as glycol mono(meth)acrylate and polypropylene glycol mono(meth)acrylate; Hydroxyl group-containing (meth)acrylamide such as N-methylol (meth)acrylamide; Reactants obtained by reacting vinyl alcohol, vinyl phenol, and diglycidyl ester of bisphenol A with (meth)acrylic acid; etc. can be mentioned. Among these, hydroxyalkyl (meth)acrylate is preferable and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferable.

하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(meth)acrylates having a hydroxy group may be used individually by one type, or may be used in combination of two or more types.

말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머와 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 필요에 따라 첨가되는 유기 용매, 촉매 등의 존재하, 60 ∼ 100 ℃ 에서 1 ∼ 4 시간 반응시키는 조건으로 할 수 있다.The conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer with the (meth)acrylate having a hydroxy group are not particularly limited, but for example, 1 to 4 at 60 to 100°C in the presence of an organic solvent, catalyst, etc. added as necessary. This can be done under the condition of time reaction.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량%, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량%, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량% 이다.The content of urethane (meth)acrylate (a1) in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 70% by mass relative to the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. , more preferably 20 to 60 mass%, and even more preferably 30 to 50 mass%.

〔고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2)〕[Polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms]

완충층 형성용 조성물이, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) (이하, 「지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2)」라고도 한다) 를 함유함으로써, 완충층 형성용 조성물의 성막성이 향상되는 경향이 있다.The composition for forming a buffer layer contains a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms (hereinafter also referred to as “polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group”). By doing so, the film forming properties of the composition for forming a buffer layer tend to improve.

복소고리기의 고리 구조를 형성하는 원자로는, 예를 들어, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.Examples of atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include carbon atoms, nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group may be used individually or in combination of two or more types.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 는, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group is preferably a compound having a (meth)acryloyl group.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 가 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 개 이상, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.The number of (meth)acryloyl groups that the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group has in one molecule is not particularly limited, but is preferably one or more, more preferably one or two, and further. Preferably one.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 가 갖는 지환기 또는 복소고리기의 고리 형성 원자수는, 6 ∼ 20 이며, 바람직하게는 6 ∼ 18, 보다 바람직하게는 6 ∼ 16, 더욱 바람직하게는 7 ∼ 12 이다.The number of ring forming atoms of the alicyclic group or heterocyclic group of the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group is 6 to 20, preferably 6 to 18, more preferably 6 to 16, even more preferably. The average number is 7 to 12.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 로는, 예를 들어, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린(메트)아크릴레이트 등의 복소고리기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 지환기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group include isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, and dicyclophene. Alicyclic group-containing (meth)acrylates such as thenyloxy (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, and adamantane (meth)acrylate; Heterocyclic group-containing (meth)acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate and morpholine (meth)acrylate; etc. can be mentioned. Among these, alicyclic group-containing (meth)acrylate is preferable, and isobornyl (meth)acrylate is more preferable.

완충층 형성용 조성물 중의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량%, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량%, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량% 이다.The content of the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 10 based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. It is 70 mass%, more preferably 20 to 60 mass%, and further preferably 30 to 50 mass%.

〔관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3)〕[Polymerizable compound having a functional group (a3)]

완충층 형성용 조성물이 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유함으로써, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정할 수 있는 경향이 있다.When the composition for forming a buffer layer contains a polymerizable compound (a3) having a functional group, the viscosity of the composition for forming a buffer layer tends to be adjusted to an appropriate range.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The polymerizable compound (a3) having a functional group may be used individually or in combination of two or more types.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 갖는 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the functional group possessed by the polymerizable compound (a3) having a functional group include a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, and an amino group.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 1 분자 중에 갖는 관능기의 수는, 1 개 이상이며, 바람직하게는 1 ∼ 3 개, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.The number of functional groups in one molecule of the polymerizable compound (a3) having a functional group is 1 or more, preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, and still more preferably 1.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 은, 관능기와 함께 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The polymerizable compound (a3) having a functional group is preferably a compound having a (meth)acryloyl group together with the functional group.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 개 이상, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.The number of (meth)acryloyl groups that the polymerizable compound (a3) having a functional group has in one molecule is not particularly limited, but is preferably 1 or more, more preferably 1 or 2, and even more preferably 1. It's a dog.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 으로는, 예를 들어, 수산기 함유 중합성 화합물, 에폭시기 함유 중합성 화합물, 아미드기 함유 중합성 화합물, 아미노기 함유 중합성 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the polymerizable compound (a3) having a functional group include a hydroxyl group-containing polymerizable compound, an epoxy group-containing polymerizable compound, an amide group-containing polymerizable compound, and an amino group-containing polymerizable compound.

수산기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 하이드록시에틸비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물 ; 등을 들 수 있다.Examples of hydroxyl group-containing polymerizable compounds include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl. Contains hydroxyl groups such as (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate (meth) Acrylate; Vinyl ether compounds such as hydroxyethyl vinyl ether and hydroxybutyl vinyl ether; etc. can be mentioned.

에폭시기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy group-containing polymerizable compound include glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, and allyl glycidyl ether.

아미드기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-비닐포름아미드 등을 들 수 있다.Examples of polymerizable compounds containing an amide group include (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N-methylol(meth)acrylamide, N -Methylolpropane (meth)acrylamide, N-methoxymethyl (meth)acrylamide, N-butoxymethyl (meth)acrylamide, N-vinylformamide, etc.

아미노기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 제 1 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 2 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 3 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등의 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the amino group-containing polymerizable compound include amino group-containing compounds such as primary amino group-containing (meth)acrylate, secondary amino group-containing (meth)acrylate, and tertiary amino group-containing (meth)acrylate. ) Acrylates, etc. can be mentioned.

이들 중에서도, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향고리를 갖는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, hydroxyl group-containing (meth)acrylates are preferable, and hydroxyl group-containing (meth)acrylates having an aromatic ring, such as 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate, are more preferable.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 5 ∼ 40 질량%, 보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량%, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 25 질량% 이다.The content of the polymerizable compound (a3) having a functional group in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 5 to 40 mass based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. %, more preferably 10 to 30 mass %, and even more preferably 15 to 25 mass %.

〔그 밖의 중합성 화합물〕[Other polymerizable compounds]

완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, (a1) ∼ (a3) 성분 이외의 그 밖의 중합성 화합물을 함유하고 있어도 된다.The composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compounds other than components (a1) to (a3) within a range that does not impair the effect of the present invention.

그 밖의 중합성 화합물로는, 예를 들면, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트 ; 스티렌, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물 ; 등을 들 수 있다.Other polymerizable compounds include, for example, alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Vinyl compounds such as styrene, N-vinylpyrrolidone, and N-vinylcaprolactam; etc. can be mentioned.

그 밖의 중합성 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Other polymerizable compounds may be used individually or in combination of two or more types.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 그 밖의 중합성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량%, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량%, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 2 질량% 이다.The content of other polymerizable compounds in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 20% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. is 0 to 10 mass%, more preferably 0 to 2 mass%.

〔광중합 개시제〕[Photopolymerization initiator]

에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물은, 에너지선 조사에 의한 중합 시간 및 에너지선 조사량을 저감시킨다는 관점에서, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.The composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of reducing the polymerization time and energy ray irradiation amount by energy ray irradiation.

광중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The photopolymerization initiator may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤이 바람직하다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and further photosensitizers such as amines and quinones. Can be, more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoin Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethyl Benzoyl) phenylphosphine oxide, etc. are mentioned. Among these, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone is preferable.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화 반응을 균질하면서 또한 충분히 진행시킨다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 5 질량부이다.The content of the photopolymerization initiator in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 15 parts by mass based on 100 parts by mass of the energy ray polymerizable compound from the viewpoint of advancing the energy ray curing reaction homogeneously and sufficiently. , More preferably 0.1 to 10 parts by mass, Still more preferably 0.3 to 5 parts by mass.

(그 밖의 성분)(Other ingredients)

완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, 상기한 수지 이외의 수지 성분 ; 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 녹 방지제, 안료, 염료 등의 그 밖의 첨가제 ; 등을 들 수 있다.The composition for forming a buffer layer may contain other components as long as they do not impair the effects of the present invention. Other components include, for example, resin components other than the above resins; Other additives such as antistatic agents, antioxidants, softeners, fillers, rust inhibitors, pigments, and dyes; etc. can be mentioned.

(완충층의 영률)(Young’s modulus of buffer layer)

완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, 기재의 23 ℃ 에 있어서의 영률보다 작고, 구체적으로는 바람직하게는 1,200 MPa 미만, 보다 바람직하게는 1,000 MPa 미만, 더욱 바람직하게는 900 MPa 미만이다. 또, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, 바람직하게는 50 MPa 이상, 보다 바람직하게는 100 MPa 이상이다.The Young's modulus of the buffer layer at 23°C is smaller than the Young's modulus of the base material at 23°C, and specifically, it is preferably less than 1,200 MPa, more preferably less than 1,000 MPa, and still more preferably less than 900 MPa. Moreover, the Young's modulus of the buffer layer at 23°C is preferably 50 MPa or more, and more preferably 100 MPa or more.

완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 상기 상한값 이하이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 향상되는 경향이 있다. 또한, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 상기 하한값 이상이면, 워크를 가공할 때에 완충층이 과도하게 변형되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.If the Young's modulus at 23°C of the buffer layer is below the above upper limit, the effect of absorbing vibration, shock, etc. generated during back surface grinding and the retention of the adhesive sheet tend to improve. Additionally, if the Young's modulus at 23°C of the buffer layer is equal to or greater than the above lower limit, there is a tendency to suppress excessive deformation of the buffer layer when processing a workpiece.

또한, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, JIS K 7127 : 1999 에 준거하여, 시험 속도 200 mm/분의 조건으로 측정할 수 있다.Additionally, the Young's modulus at 23°C of the buffer layer can be measured under the conditions of a test speed of 200 mm/min in accordance with JIS K 7127:1999.

(완충층의 응력 완화율)(Stress relaxation rate of buffer layer)

완충층의 응력 완화율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 보다 바람직하게는 75 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 78 ∼ 98 % 이다.The stress relaxation rate of the buffer layer is not particularly limited, but is preferably 70 to 100%, more preferably 75 to 100%, and still more preferably 78 to 98%.

완충층의 응력 완화율이 상기 범위이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 높아지는 경향이 있다.If the stress relaxation rate of the buffer layer is within the above range, the effect of absorbing vibration, shock, etc. generated during backside grinding and the retention of the adhesive sheet tend to increase.

완충층의 응력 완화율은, 두께 200 ㎛ 의 완충층을 15 mm × 140 mm 로 잘라낸 것을 시험편으로 하여, 그 시험편의 양단 20 mm 를 잡고, 200 mm/분으로 10 % 신장시켰을 때의 응력 A (N/m2), 및 신장 정지로부터 1 분 후의 응력 B (N/m2) 의 값을 사용하여, 하기 식으로부터 구할 수 있다.The stress relaxation rate of the buffer layer is the stress A (N/ m 2 ), and the stress B (N/m 2 ) 1 minute after the stop of elongation can be used to obtain the value from the following formula.

응력 완화율 (%) = 100 × (A-B)/A (%)Stress relaxation rate (%) = 100 × (A-B)/A (%)

(완충층의 두께)(thickness of buffer layer)

완충층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 70 ㎛, 보다 바람직하게는 7 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 40 ㎛ 이다.The thickness of the buffer layer is not particularly limited, but is preferably 5 to 70 μm, more preferably 7 to 50 μm, and still more preferably 10 to 40 μm.

완충층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 높아지는 경향이 있다. 또한, 완충층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 워크를 가공할 때에 완충층이 과도하게 변형되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.If the thickness of the buffer layer is more than the above lower limit, the effect of absorbing vibration, shock, etc. generated during backside grinding and the retention of the adhesive sheet tend to increase. Additionally, if the thickness of the buffer layer is below the above upper limit, excessive deformation of the buffer layer when processing the workpiece tends to be suppressed.

<점착제층><Adhesive layer>

점착제층은, 기재의 완충층과는 반대의 면측에 형성되는 층으로, 워크에 첩부되는 층이다.The adhesive layer is a layer formed on the side opposite to the buffer layer of the substrate and is attached to the work.

점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 층인 것이 바람직하다. 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성됨으로써, 에너지선 경화 전에 있어서는 충분한 점착성에 의해 워크 표면을 양호하게 보호할 수 있고, 에너지선 경화 후에 있어서는 박리력이 저감되어, 워크로부터의 박리를 용이하게 할 수 있다.The adhesive layer is preferably a layer formed of an energy ray-curable adhesive. By forming the adhesive layer with an energy-ray curable adhesive, the work surface can be well protected by sufficient adhesiveness before energy-ray curing, and after energy-ray curing, the peeling force is reduced, making peeling from the work easier. there is.

에너지선 경화성 점착제로는, 예를 들면, 하기 X 형의 점착제 조성물, Y 형의 점착제 조성물, XY 형의 점착제 조성물 등을 들 수 있다.Examples of the energy ray-curable adhesive include the following adhesive compositions of type X, type Y, and type XY.

X 형의 점착제 조성물 : 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하, 「점착성 수지 I」이라고도 한다) 와, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물Type

Y 형의 점착제 조성물 : 비에너지선 경화성의 점착성 수지의 측사슬에 불포화기를 도입한 에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하, 「점착성 수지 II」라고도 한다) 를 함유하고, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 에너지선 경화성 점착제 조성물Y-type adhesive composition: Contains an energy ray-curable adhesive resin (hereinafter also referred to as “Adhesive Resin II”) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable adhesive resin, and an energy ray-curable compound other than the adhesive resin. Energy radiation curable adhesive composition that does not contain

XY 형의 점착제 조성물 : 상기 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 와, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물XY type adhesive composition: Energy ray curable adhesive composition containing the above energy ray curable adhesive resin II and an energy ray curable compound other than the adhesive resin.

이들 중에서도, 에너지선 경화성 점착제는, XY 형의 점착제 조성물인 것이 바람직하다. XY 형의 점착제 조성물을 사용함으로써, 경화 전에 있어서는 충분한 점착성을 갖는 한편, 경화 후에 있어서는 워크에 대한 박리력을 충분히 저감시킬 수 있는 경향이 있다.Among these, it is preferable that the energy ray curable adhesive is an XY type adhesive composition. By using an

점착제층을 형성하는 점착제는, 에너지선을 조사해도 경화되지 않는 비에너지선 경화성의 점착제로 형성되는 층이어도 된다.The adhesive forming the adhesive layer may be a layer formed of a non-energy ray curable adhesive that does not harden even when irradiated with energy rays.

비에너지선 경화성의 점착제로는, 예를 들면, 점착성 수지 I 을 함유하는 한편, 점착성 수지 II 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 것을 들 수 있다.Examples of non-energy ray curable adhesives include ones that contain adhesive resin I but do not contain adhesive resin II and energy ray curable compounds.

다음으로, 점착제층을 구성하는 각 성분에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.Next, each component constituting the adhesive layer is explained in more detail.

이하의 설명에 있어서 「점착성 수지」는, 점착성 수지 I 및 점착성 수지 II 의 일방 또는 양방을 가리키는 용어로서 사용한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 간단히 「점착제 조성물」이라고 기재하는 경우, X 형의 점착제 조성물, Y 형의 점착제 조성물, XY 형의 점착제 조성물 및 이들 이외의 점착제 조성물도 포함하는 개념으로 한다.In the following description, “adhesive resin” is used as a term referring to one or both of adhesive resin I and adhesive resin II. In addition, in the following description, when simply referred to as “adhesive composition”, the concept includes the X-type adhesive composition, Y-type adhesive composition, XY-type adhesive composition, and adhesive compositions other than these.

점착성 수지로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 아크릴계 수지가 바람직하다.Examples of the adhesive resin include acrylic resin, urethane resin, rubber resin, and silicone resin. Among these, acrylic resin is preferable.

(아크릴계 수지)(Acrylic resin)

아크릴계 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the acrylic resin contains a structural unit derived from alkyl (meth)acrylate.

알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 인 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the alkyl (meth)acrylate include alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms.

알킬(메트)아크릴레이트가 갖는 알킬기는, 직사슬형이어도 되고, 분기형이어도 된다.The alkyl group contained in the alkyl (meth)acrylate may be linear or branched.

아크릴계 수지는, 점착제층의 점착력을 보다 향상시킨다는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the adhesive strength of the adhesive layer, the acrylic resin preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms.

아크릴계 수지에 함유되는 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group contained in the acrylic resin has 4 or more carbon atoms may be used alone or in combination of two or more types.

알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트가 갖는 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 4 ∼ 12, 보다 바람직하게는 4 ∼ 8, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 6 이다.The carbon number of the alkyl group of the alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is preferably 4 to 12, more preferably 4 to 8, and still more preferably 4 to 6.

알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 부틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 4 or more carbon atoms include butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, and isooctyl (meth)acrylate. Acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate, etc. are mentioned. Among these, butyl (meth)acrylate is preferable and butyl acrylate is more preferable.

아크릴계 수지가, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은, 점착제층의 점착력을 보다 향상시킨다는 관점에서, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 30 ∼ 90 질량%, 보다 바람직하게는 40 ∼ 80 질량%, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 60 질량% 이다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms, the content is preferably 30 to 30 in the acrylic resin from the viewpoint of further improving the adhesive strength of the adhesive layer. It is 90 mass%, more preferably 40 to 80 mass%, and further preferably 45 to 60 mass%.

아크릴계 수지는, 점착제층의 저장 탄성률 G' 및 점착 특성을 양호하게 한다는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위와 함께, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the storage modulus G' and adhesive properties of the adhesive layer, the acrylic resin is an alkyl resin having a carbon number of 1 to 3 in the alkyl group together with a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has a carbon number of 4 or more. It is preferable to contain structural units derived from (meth)acrylate.

아크릴계 수지에 함유되는 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from alkyl (meth)acrylate whose alkyl group contained in the acrylic resin has 1 to 3 carbon atoms may be used alone or in combination of two or more.

알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 더욱 바람직하다.Examples of alkyl (meth)acrylates in which the alkyl group has 1 to 3 carbon atoms include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, and n-propyl (meth)acrylate. Rates, etc. can be mentioned. Among these, methyl (meth)acrylate and ethyl (meth)acrylate are preferable, methyl (meth)acrylate is more preferable, and methyl methacrylate is still more preferable.

아크릴계 수지가, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 1 ∼ 35 질량%, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 질량%, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 25 질량% 이다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 1 to 3 carbon atoms, the content is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 5% by mass, in the acrylic resin. to 30 mass%, more preferably 15 to 25 mass%.

아크릴계 수지는, 추가로, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the acrylic resin further contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer.

아크릴계 수지가 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유함으로써, 가교제와 반응하는 가교 기점으로서의 관능기, 또는 불포화기 함유 화합물과 반응하여, 아크릴계 수지의 측사슬에 불포화기를 도입하는 것을 가능하게 하는 관능기를 도입할 수 있다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer, a functional group as a crosslinking origin that reacts with a crosslinking agent is introduced, or a functional group that reacts with an unsaturated group-containing compound and makes it possible to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic resin. can do.

아크릴계 수지에 함유되는 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from the functional group-containing monomer contained in the acrylic resin may be one type or two or more types.

관능기 함유 모노머로는, 예를 들어, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.Examples of functional group-containing monomers include hydroxyl group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, amino group-containing monomers, and epoxy group-containing monomers. Among these, hydroxyl group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers are preferable, and hydroxyl group-containing monomers are more preferable.

수산기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 ; 등을 들 수 있다.Examples of hydroxyl group-containing monomers include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate. ) Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol; etc. can be mentioned.

카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산 ; 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그 무수물 ; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 ; 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids and anhydrides thereof such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid; 2-carboxyethyl methacrylate; etc. can be mentioned.

아크릴계 수지가, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 5 ∼ 45 질량%, 보다 바람직하게는 15 ∼ 40 질량%, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 35 질량% 이다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer, the content is not particularly limited, but is preferably 5 to 45% by mass, more preferably 15 to 40% by mass, in the acrylic resin. Typically, it is 25 to 35 mass%.

아크릴계 수지는, 상기한 구성 단위 이외에도, 아크릴계 모노머와 공중합 가능한 그 밖의 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.In addition to the structural units described above, the acrylic resin may contain structural units derived from other monomers copolymerizable with the acrylic monomer.

아크릴계 수지에 함유되는 그 밖의 모노머에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from other monomers contained in the acrylic resin may be used individually or in combination of two or more types.

그 밖의 모노머로는, 예를 들어, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.Other monomers include, for example, styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide.

아크릴계 수지는, 추가로 에너지선 경화성을 부여하기 위해서, 에너지선 중합성을 갖는 불포화기를 도입한 것이어도 된다.The acrylic resin may be one into which an unsaturated group having energy ray polymerizability has been introduced in order to further impart energy ray curability.

불포화기는, 예를 들어, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 아크릴계 수지의 관능기와, 그 관능기와 반응성을 갖는 반응성 치환기 및 불포화기를 갖는 화합물 (이하, 「불포화기 함유 화합물」이라고도 한다) 의 반응성 치환기를 반응시키는 것에 의해 도입할 수 있다. 불포화기 함유 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The unsaturated group is, for example, a functional group of an acrylic resin containing a structural unit derived from a functional group-containing monomer, a reactive substituent reactive with the functional group, and a compound having an unsaturated group (hereinafter also referred to as an “unsaturated group-containing compound”). A reactive substituent can be introduced by reacting it. The unsaturated group-containing compound may be used individually by one type, or may be used in combination of two or more types.

불포화기 함유 화합물이 갖는 불포화기로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.Examples of the unsaturated group contained in the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyl group, vinyl group, and allyl group. Among these, (meth)acryloyl group is preferable.

불포화기 함유 화합물이 갖는 반응성 치환기로는, 예를 들어, 이소시아네이트기, 글리시딜기 등을 들 수 있다.Examples of the reactive substituent that the unsaturated group-containing compound has include an isocyanate group and glycidyl group.

불포화기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth)acrylate.

관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 아크릴계 수지와 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 경우, 아크릴계 수지 중의 관능기의 총수 중, 불포화기 함유 화합물과 반응하는 관능기의 비율은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 60 ∼ 98 몰%, 보다 바람직하게는 70 ∼ 95 몰%, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 93 몰% 이다.When reacting an acrylic resin containing a structural unit derived from a functional group-containing monomer with an unsaturated group-containing compound, the ratio of the functional group that reacts with the unsaturated group-containing compound among the total number of functional groups in the acrylic resin is not particularly limited, but is preferably is 60 to 98 mol%, more preferably 70 to 95 mol%, and even more preferably 80 to 93 mol%.

불포화기 함유 화합물과 반응하는 관능기의 비율이 상기 범위이면, 아크릴계 수지에 대하여 충분한 에너지선 경화성을 부여할 수 있음과 동시에, 불포화기 함유 화합물과 반응하지 않은 관능기를 가교제와 반응시켜 아크릴계 수지를 가교시킬 수 있다.If the ratio of the functional group that reacts with the unsaturated group-containing compound is within the above range, sufficient energy radiation curability can be imparted to the acrylic resin, and at the same time, the acrylic resin can be crosslinked by reacting the functional group that does not react with the unsaturated group-containing compound with a crosslinking agent. You can.

아크릴계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30 만 ∼ 150 만, 보다 바람직하게는 35 만 ∼ 100 만, 더욱 바람직하게는 40 만 ∼ 60 만이다.The mass average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is not particularly limited, but is preferably 300,000 to 1.5 million, more preferably 350,000 to 1 million, and even more preferably 400,000 to 600,000.

아크릴계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 상기 범위이면, 점착제층의 점착력 및 응집력이 보다 양호해지는 경향이 있다.When the mass average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is within the above range, the adhesive force and cohesive force of the adhesive layer tend to become better.

(에너지선 경화성 화합물)(Energy ray curable compound)

X 형 또는 XY 형의 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 경화성 화합물로는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다.The energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type adhesive composition is preferably a monomer or oligomer that has an unsaturated group in the molecule and can be cured by energy ray irradiation.

에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트 등의 다가 (메트)아크릴레이트 모노머 ; 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등의 올리고머 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 분자량이 높고, 점착제층의 탄성률을 저하시키기 어렵다는 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.Energy ray curable compounds include, for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and 1,4-butylene glycol di. Polyhydric (meth)acrylate monomers such as (meth)acrylate and 1,6-hexanediol di(meth)acrylate; Oligomers such as urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, polyether (meth)acrylate, and epoxy (meth)acrylate; etc. can be mentioned. Among these, urethane (meth)acrylate oligomer is preferable from the viewpoint of its relatively high molecular weight and difficulty in lowering the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.

에너지선 경화성 화합물의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 100 ∼ 12,000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10,000, 더욱 바람직하게는 400 ∼ 8,000, 보다 더 바람직하게는 600 ∼ 6,000 이다. 또한, 에너지선 경화성 화합물이 올리고머인 경우, 상기 분자량은, 질량 평균 분자량 (Mw) 을 의미한다.The molecular weight of the energy ray curable compound is not particularly limited, but is preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, further preferably 400 to 8,000, and still more preferably 600 to 6,000. In addition, when the energy-ray curable compound is an oligomer, the molecular weight means mass average molecular weight (Mw).

X 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 50 ∼ 150 질량부, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 90 질량부이다.The content of the energy ray curable compound in the type is 60 to 90 parts by mass.

X 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 박리성의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다.If the content of the energy ray curable compound in the type

XY 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 ∼ 20 질량부, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 15 질량부이다.The content of the energy ray curable compound in the is 3 to 15 parts by mass.

XY 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 박리성의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다. 또한, XY 형의 점착제 조성물은, 점착성 수지가 에너지선 경화성이기 때문에, 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 적어도, 에너지선 조사 후, 박리력을 충분히 저감시킬 수 있는 경향이 있다.If the content of the energy ray curable compound in the In addition, since the adhesive resin of the

(가교제)(Cross-linking agent)

점착제 조성물은, 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive composition further contains a crosslinking agent.

가교제는, 예를 들면, 점착성 수지가 갖는 관능기 함유 모노머에서 유래하는 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지끼리를 가교시키는 것이다.The crosslinking agent crosslinks the adhesive resins, for example, by reacting with a functional group derived from a functional group-containing monomer of the adhesive resin.

가교제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.A crosslinking agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

가교제로는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등, 이들의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제 ; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제 ; 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 ; 알루미늄킬레이트 등의 킬레이트계 가교제 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 보다 향상시킨다는 관점 및 입수 용이성의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and adducts thereof; Epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; Aziridine-based crosslinking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; Chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate; etc. can be mentioned. Among these, an isocyanate-based crosslinking agent is preferable from the viewpoint of increasing cohesion and further improving adhesive strength and ease of availability.

점착제 조성물이 가교제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 가교 반응을 적당히 진행시킨다는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 4 질량부이다.When the adhesive composition contains a crosslinking agent, the content is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin, from the viewpoint of appropriately advancing the crosslinking reaction. Parts by mass, more preferably 0.05 to 4 parts by mass.

(광중합 개시제)(Photopolymerization initiator)

점착제가 에너지선 경화성 점착제인 경우, 점착제 조성물은, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 점착제가 광중합 개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선이라도, 에너지선 경화성 점착제의 경화 반응이 충분히 진행되는 경향이 있다.When the adhesive is an energy-ray curable adhesive, it is preferable that the adhesive composition further contains a photopolymerization initiator. When the energy ray curable adhesive contains a photopolymerization initiator, the curing reaction of the energy ray curable adhesive tends to proceed sufficiently even with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays.

광중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The photopolymerization initiator may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and further photosensitizers such as amines and quinones. Can be, more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoin Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethyl Benzoyl) phenylphosphine oxide, etc. are mentioned.

점착제 조성물이 광중합 개시제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화 반응을 균질하면서 또한 충분히 진행시킨다는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 5 질량부이다.When the adhesive composition contains a photopolymerization initiator, the content is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin, from the viewpoint of advancing the energy beam curing reaction homogeneously and sufficiently. Preferably it is 0.03 to 7 parts by mass, more preferably 0.05 to 5 parts by mass.

(그 밖의 첨가제)(Other additives)

점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 녹 방지제, 안료, 염료 등을 들 수 있다.The adhesive composition may contain other additives as long as they do not impair the effects of the present invention. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners, fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, etc.

(유기 용매)(organic solvent)

점착제 조성물은, 기재, 박리 시트 등에 대한 도포성을 보다 향상시킨다는 관점에서, 유기 용매로 희석하여, 용액의 형태로 해도 된다.From the viewpoint of further improving applicability to substrates, release sheets, etc., the adhesive composition may be diluted with an organic solvent and may be in the form of a solution.

유기 용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다.Examples of organic solvents include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol, etc.

유기 용매는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 병용해도 된다.Organic solvents may be used individually or in combination of two or more types.

유기 용매는, 점착성 수지의 합성시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용해도 되고, 합성시에 사용된 유기 용매 이외의 1 종 이상의 유기 용매를 추가해도 된다.As the organic solvent, the organic solvent used during synthesis of the adhesive resin may be used as is, or one or more organic solvents other than the organic solvent used during synthesis may be added.

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G’는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.5 MPa, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 0.4 MPa, 더욱 바람직하게는 0.12 ∼ 0.3 MPa 이다.The storage modulus G' of the adhesive layer at 23°C is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 0.5 MPa, more preferably 0.1 to 0.4 MPa, and still more preferably 0.12 to 0.3 MPa.

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G’가 상기 범위이면, 워크의 표면에 요철이 있는 경우에도, 요철 형상에 대한 추종성이 우수한 점착제층이 얻어져, 가공시에 워크의 표면을 보다 양호하게 보호할 수 있는 경향이 있다.If the storage modulus G' of the adhesive layer at 23°C is in the above range, even when the surface of the work has irregularities, an adhesive layer with excellent followability to the uneven shape can be obtained, and the surface of the work can be maintained more favorably during processing. There is a tendency to protect.

또한, 점착제층의 저장 탄성률 G’는, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화 전의 저장 탄성률 G’를 의미한다.In addition, the storage elastic modulus G' of the adhesive layer means the storage elastic modulus G' before curing by energy ray irradiation when the adhesive layer is formed of an energy ray curable adhesive.

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G’는, 두께 3 mm 의 점착제층을 직경 8 mm 의 원형으로 잘라낸 것을 시험편으로 하여, 점탄성 측정 장치를 사용한 비틀림 전단법에 의해, 주파수 1 Hz, 측정 온도 23 ℃ 의 조건에서 측정할 수 있다.The storage elastic modulus G' of the adhesive layer at 23°C was measured using a torsional shear method using a viscoelasticity measuring device using a test piece cut from a 3 mm thick adhesive layer into a circle with a diameter of 8 mm, at a frequency of 1 Hz, and at a measurement temperature. It can be measured under conditions of 23°C.

점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 80 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 60 ㎛ 이다.The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 80 μm, and still more preferably 15 to 60 μm.

점착제층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 우수한 점착성이 얻어져, 가공시에 워크의 표면을 보다 양호하게 보호할 수 있는 경향이 있다. 또한, 점착제층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 점착 시트의 절단시에 있어서의 테이프 부스러기의 발생이 억제되어, 워크의 파손을 보다 양호하게 방지할 수 있는 경향이 있다.If the thickness of the adhesive layer is more than the above lower limit, excellent adhesiveness is obtained and the surface of the workpiece tends to be better protected during processing. In addition, if the thickness of the adhesive layer is below the above upper limit, the generation of tape scraps when cutting the adhesive sheet is suppressed, and damage to the workpiece tends to be better prevented.

<기재><Description>

기재로는, 예를 들어, 각종 수지 필름을 들 수 있다. 수지 필름을 구성하는 수지로는, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 등의 폴리에틸렌 ; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-노르보르넨 공중합체, 노르보르넨 수지 등의 폴리올레핀 ; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체 ; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 폴리염화비닐 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르 ; 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 불소 수지, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 아크릴계 중합체 ; 등을 들 수 있다.Examples of the base material include various resin films. Resins constituting the resin film include, for example, polyethylene such as low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), and high-density polyethylene (HDPE); Polyolefins such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, ethylene-norbornene copolymer, and norbornene resin; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, and ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer; Polyvinyl chloride, such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer; Polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and wholly aromatic polyester; Polyurethane, polyimide, polyamide, polycarbonate, fluororesin, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, acrylic polymer; etc. can be mentioned.

기재는, 이들 수지에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 수지로 이루어지는 수지 필름의 단층 필름이어도 되고, 이들 수지 필름을 2 종 이상 적층한 적층 필름이어도 된다. 또한, 상기 수지의 가교 필름, 아이오노머 필름 등의 변성 필름이어도 된다.The base material may be a single-layer film of a resin film made of one or two or more types of resins selected from these resins, or may be a laminated film in which two or more types of these resin films are laminated. Additionally, it may be a modified film such as a crosslinked film of the above resin or an ionomer film.

이들 수지 필름 중에서도, 기재는, 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름 및 2 축 연신 폴리프로필렌 필름에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하고, 폴리에스테르 필름이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 더욱 바람직하다.Among these resin films, the base material is preferably at least one selected from polyester film, polyamide film, polyimide film and biaxially oriented polypropylene film, more preferably polyester film, and even more preferably polyethylene terephthalate film. desirable.

기재의 영률은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,000 MPa 이상, 보다 바람직하게는 1,800 ∼ 30,000 MPa, 더욱 바람직하게는 2,500 ∼ 6,000 MPa 이다.The Young's modulus of the base material is not particularly limited, but is preferably 1,000 MPa or more, more preferably 1,800 to 30,000 MPa, and even more preferably 2,500 to 6,000 MPa.

기재의 영률이 상기 하한값 이상이면, 워크 가공시에 있어서의 진동 억제 효과가 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 기재의 영률이 상기 상한값 이하이면, 워크에 첩부할 때의 작업성, 및 워크로부터 박리할 때의 작업성이 양호해지는 경향이 있다.If the Young's modulus of the base material is more than the above lower limit, the vibration suppression effect during work processing tends to be further improved. Additionally, if the Young's modulus of the base material is below the above upper limit, workability when affixing to a work and workability when peeling from the work tend to be good.

또한, 기재의 영률은, JIS K 7127 : 1999 에 준거하여, 시험 속도 200 mm/분의 조건에서 측정할 수 있다.Additionally, the Young's modulus of the substrate can be measured under the conditions of a test speed of 200 mm/min in accordance with JIS K 7127:1999.

기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 25 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 70 ㎛ 이다.The thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 μm, more preferably 25 to 100 μm, and still more preferably 30 to 70 μm.

기재의 두께가 상기 하한값 이상이면, 점착 시트의 지지체로서 기능하기 위한 충분한 강도가 얻어지는 경향이 있다. 또한, 기재의 두께가 상기 상한값 이하이면, 적당한 가요성이 얻어지고, 취급성이 향상되는 경향이 있다.If the thickness of the base material is equal to or greater than the above lower limit, sufficient strength to function as a support for the adhesive sheet tends to be obtained. Additionally, if the thickness of the base material is below the above upper limit, appropriate flexibility is obtained and handling properties tend to improve.

또한, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하고, 기재가 복수층으로 이루어지는 기재인 경우에는, 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.In addition, “thickness of the base material” means the thickness of the entire base material, and when the base material is a base material made of multiple layers, it means the total thickness of all the layers constituting the base material.

기재는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 함유해도 된다.The base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet ray absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, etc., within the range that does not impair the effect of the present invention.

기재는, 투명한 것이어도 되고, 불투명한 것이어도 되며, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 된다.The substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.

기재는, 다른 층과의 접착성을 향상시킨다는 관점에서, 적어도 일방의 면에 대하여, 코로나 처리 등의 표면 처리를 실시한 것이어도 되고, 접착성 향상을 목적으로 하는 코트층을 형성한 것이어도 된다.From the viewpoint of improving adhesion to other layers, the base material may be subjected to surface treatment such as corona treatment on at least one side, or may be formed with a coating layer for the purpose of improving adhesion.

<박리 시트><Release sheet>

본 실시형태의 점착 시트는, 점착제층의 표면 및 표면 코트층의 표면의 적어도 일방에 박리 시트가 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트는, 사용 전의 점착 시트의 표면에 박리 가능하게 첩부됨으로써 그 표면을 보호하고, 점착 시트를 사용할 때에는 박리되어 제거된다.The adhesive sheet of this embodiment may have a release sheet affixed to at least one of the surface of the adhesive layer and the surface of the surface coat layer. The release sheet is peelably attached to the surface of the adhesive sheet before use to protect the surface, and is peeled off and removed when the adhesive sheet is used.

박리 시트는, 편면 박리 처리된 박리 시트여도 되고, 양면 박리 처리된 박리 시트여도 된다.The peeling sheet may be a peeling sheet that has undergone a single-side peeling treatment, or may be a peeling sheet that has undergone a double-sided peeling treatment.

박리 시트로는, 박리 시트용 기재에 박리제를 도포한 박리 시트를 바람직하게 들 수 있다.As a release sheet, a release sheet obtained by applying a release agent to a base material for the release sheet is preferably used.

박리 시트용 기재로는, 수지 필름이 바람직하고, 그 수지 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름 ; 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 등의 폴리올레핀 필름 ; 등을 들 수 있다.As a base material for a release sheet, a resin film is preferable, and examples of the resin film include polyester films such as polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, and polyethylene naphthalate film; Polyolefin films such as polypropylene film and polyethylene film; etc. can be mentioned.

박리제로는, 예를 들어, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머 ; 장사슬 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resin, olefin-based resin, isoprene-based resin, and butadiene-based resin; Long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, fluorine-based resins, etc. can be mentioned.

박리 시트의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 50 ㎛ 이다.The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 5 to 200 μm, more preferably 10 to 100 μm, and still more preferably 20 to 50 μm.

<점착 시트의 총 두께><Total thickness of adhesive sheet>

본 실시형태의 점착 시트의 총 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 40 ∼ 220 ㎛, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 160 ㎛ 이다.The total thickness of the adhesive sheet of this embodiment is not particularly limited, but is preferably 30 to 300 μm, more preferably 40 to 220 μm, and still more preferably 45 to 160 μm.

점착 시트의 총 두께가 상기 하한값 이상이면, 점착제층의 점착 성능, 완충층의 충격 흡수 성능 등이 적절하게 유지되어, 반도체 가공용 점착 시트로서의 기능을 충분히 발휘할 수 있는 경향이 있다. 또한, 점착 시트의 총 두께가 상기 상한값 이하이면, 워크를 점착 시트로부터 박리할 때의 박리력을 작게 할 수 있는 경향이 있다.If the total thickness of the adhesive sheet is more than the above lower limit, the adhesive performance of the adhesive layer, the shock absorption performance of the buffer layer, etc. are maintained appropriately, and the function as an adhesive sheet for semiconductor processing tends to be sufficiently exhibited. Additionally, if the total thickness of the adhesive sheet is below the above upper limit, the peeling force when peeling the work from the adhesive sheet tends to be reduced.

또한, 본 실시형태에 있어서, 「점착 시트의 총 두께」란, 점착 시트의 표면 코트층의 표면에서부터 점착제층의 표면까지의 두께를 의미하고, 박리 시트가 형성되는 경우, 박리 시트의 두께는 총 두께에 포함되지 않는다.In addition, in this embodiment, the “total thickness of the adhesive sheet” means the thickness from the surface of the surface coat layer of the adhesive sheet to the surface of the adhesive layer, and when a release sheet is formed, the total thickness of the release sheet is Not included in thickness.

<점착 시트의 가열 처리 전후의 헤이즈차><Haze difference before and after heat treatment of adhesive sheet>

본 발명의 제 3 실시형태의 점착 시트는, 하기 조건으로 가열 처리한 후의 헤이즈값과 상기 가열 처리하기 전의 헤이즈값의 차 [가열 처리한 후의 헤이즈값 - 가열 처리하기 전의 헤이즈값] 가 2.0 % 이하이다. 또한, 본 발명의 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태의 점착 시트는, 상기 헤이즈값의 차 [가열 처리한 후의 헤이즈값 - 가열 처리하기 전의 헤이즈값] 가 2.0 % 이하인 것이 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive sheet of the third embodiment of the present invention has a difference between the haze value after heat treatment under the following conditions and the haze value before the heat treatment (haze value after heat treatment - haze value before heat treatment) of 2.0% or less. am. In addition, in the adhesive sheets of the first and second embodiments of the present invention, it is preferable that the difference in haze value (haze value after heat treatment - haze value before heat treatment) is 2.0% or less.

(가열 처리의 조건)(Conditions of heat treatment)

연마면을 갖는 금속판 (1) 을, 상기 연마면을 상향으로 하여, 온도가 90 ℃ 로 유지된 열판 상에 재치하고, 그 금속판 (1) 의 상기 연마면 상에, 상기 점착제층에 박리 시트를 첩부한 상기 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 표면 코트층이 상기 연마면 측이 되는 방향으로 재치하고, 그 반도체 가공용 점착 시트의 박리 시트 상에, 그 박리 시트와 접촉하는 측에 연마면을 갖는 금속판 (2) 과, 추를 이 순서로 적층함으로써, 상기 반도체 가공용 점착 시트를 90 ℃ 에서 1 분간 가열 처리한다.A metal plate (1) having a polished surface is placed on a hot plate whose temperature is maintained at 90°C with the polished surface facing upward, and a release sheet is applied to the adhesive layer on the polished surface of the metal plate (1). The attached adhesive sheet for semiconductor processing is placed in the direction in which the surface coat layer is on the polished surface side, and on the release sheet of the adhesive sheet for semiconductor processing, a metal plate having a polished surface on the side in contact with the release sheet ( 2) The adhesive sheet for semiconductor processing is heat-treated at 90°C for 1 minute by laminating the weight and the weight in this order.

상기 가열 처리에 이용하는 상기 반도체 가공용 점착 시트는, 평면에서 본 형상이 직사각형상, 평면에서 본 크기가 5 cm × 5 cm 인 것으로 하고, 상기 금속판 (1) 및 상기 금속판 (2) 은, 모두, SUS304 제, 평면에서 본 형상이 직사각형상, 평면에서 본 크기가 7 cm × 15 cm, 두께가 0.5 mm, 무게가 40 g, 상기 연마면으로서, 600 번 연마에 의해 표면 마무리한 표면을 갖는 것으로 하고, 상기 추는, 무게가 1 kg, 저면이 직경 4 cm 의 원형인 원기둥형상을 갖는 것으로 한다. 상기 금속판 (1), 상기 반도체 가공용 점착 시트 및 상기 금속판 (2) 은, 각각의 4 변이 서로 평행이 되도록 재치하고, 상기 금속판 (1), 상기 반도체 가공용 점착 시트, 상기 금속판 (2) 및 상기 추는, 평면에서 본 각각의 중심점의 위치가 일치하도록 재치하는 것으로 한다.The adhesive sheet for semiconductor processing used in the heat treatment has a rectangular shape in plan view and a size of 5 cm × 5 cm in plan view, and both the metal plate 1 and the metal plate 2 are made of SUS304. First, the shape in the plan view is rectangular, the size in the plan view is 7 cm The weight is assumed to have a circular cylindrical shape with a weight of 1 kg and a bottom diameter of 4 cm. The metal plate (1), the adhesive sheet for semiconductor processing, and the metal plate (2) are placed so that their four sides are parallel to each other, and the metal plate (1), the adhesive sheet for semiconductor processing, the metal plate (2), and the weight are , the positions of each center point as seen from the plane are arranged so that they coincide.

상기 가열 처리 전후의 헤이즈차가 2.0 % 이하이면, 본 실시형태의 점착 시트는, 워크 가공 후의 반송성이 우수한 것이 된다.If the haze difference before and after the heat treatment is 2.0% or less, the adhesive sheet of this embodiment has excellent transportability after work processing.

상기 가열 처리 전후의 헤이즈차는, 워크 가공 후의 반송성을 보다 양호하게 한다는 관점에서, 바람직하게는 1.6 % 이하, 보다 바람직하게는 1.3 % 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 % 이하이다.The haze difference before and after the heat treatment is preferably 1.6% or less, more preferably 1.3% or less, and even more preferably 1.0% or less from the viewpoint of improving transportability after workpiece processing.

또, 상기 가열 처리 전후의 헤이즈차의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 0 % 여도 되고, 제조 용이성의 관점에서, 0.1 % 이상이어도 되고, 0.2 % 이상이어도 된다.In addition, the lower limit of the haze difference before and after the heat treatment is not particularly limited, but may be 0%, and from the viewpoint of ease of manufacture, may be 0.1% or more, or 0.2% or more.

또한, 가열 처리 전후의 헤이즈차는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.Additionally, the haze difference before and after heat treatment can be measured by the method described in the Examples.

본 실시형태의 점착 시트의, 상기 조건으로 가열 처리하기 전의 헤이즈값은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 4 ∼ 10 % 이다.The haze value of the adhesive sheet of this embodiment before heat treatment under the above conditions is not particularly limited, but is preferably 4 to 10%.

또한, 본 실시형태의 점착 시트의, 상기 조건으로 가열 처리한 후의 헤이즈값은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 4 ∼ 12 %, 보다 바람직하게는 4.5 ∼ 10 %, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 9 % 이다.In addition, the haze value of the adhesive sheet of the present embodiment after heat treatment under the above conditions is not particularly limited, but is preferably 4 to 12%, more preferably 4.5 to 10%, and even more preferably 5 to 9%. % am.

가열 처리하기 전의 헤이즈값 및 가열 처리한 후의 헤이즈값이 상기 범위이면, 본 실시형태의 점착 시트의 외관 및 에너지선 투과성을 양호하게 할 수 있고, 또한 재료 선택의 자유도도 얻어지기 쉬운 경향이 있다.If the haze value before heat treatment and the haze value after heat treatment are within the above range, the appearance and energy ray permeability of the adhesive sheet of this embodiment can be improved, and freedom in material selection tends to be easily obtained.

<점착 시트의 제조 방법><Manufacturing method of adhesive sheet>

본 실시형태의 점착 시트의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없으며, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.There is no particular limitation on the manufacturing method of the adhesive sheet of this embodiment, and it can be manufactured by a known method.

본 실시형태의 점착 시트는, 예를 들어, 기재의 일방의 면측에 점착제층을 형성하는 공정 (이하, 「점착제층 형성 공정」이라고도 한다), 기재의 타방의 면측에 완충층을 형성하는 공정 (이하, 「완충층 형성 공정」이라고도 한다), 완충층의 기재와 반대의 면측에 표면 코트층을 형성하는 공정 (이하, 「표면 코트층 형성 공정」이라고도 한다) 을 갖는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 이들 공정의 순서는 특별히 한정되지 않고, 동시에 실시할 수 있는 경우에는, 동시에 실시해도 된다. The adhesive sheet of the present embodiment includes, for example, a step of forming an adhesive layer on one side of the substrate (hereinafter also referred to as the “adhesive layer forming step”) and a step of forming a buffer layer on the other side of the substrate (hereinafter also referred to as the “adhesive layer forming step”). , "buffer layer formation step"), and a step of forming a surface coat layer on the side opposite to the substrate of the buffer layer (hereinafter also referred to as "surface coat layer formation step"). Additionally, the order of these processes is not particularly limited, and if they can be performed simultaneously, they may be performed simultaneously.

점착제층, 완충층 또는 표면 코트층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 소정의 위치에, 점착제 조성물, 완충층 형성용 조성물 또는 표면 코트층 형성용 조성물을 공지된 방법에 의해 도포한 후, 필요에 따라서, 에너지선 조사, 가열 건조 등을 실시하는 방법을 들 수 있다.A method of forming an adhesive layer, a buffer layer, or a surface coat layer includes, for example, applying an adhesive composition, a composition for forming a buffer layer, or a composition for forming a surface coat layer at a predetermined location by a known method, and then applying the same method as necessary. Therefore, methods such as energy ray irradiation, heat drying, etc. can be mentioned.

점착제 조성물, 완충층 형성용 조성물 또는 표면 코트층 형성용 조성물을 도포하는 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등을 들 수 있다.Methods for applying the adhesive composition, the composition for forming a buffer layer, or the composition for forming a surface coat layer include, for example, spin coat method, spray coat method, bar coat method, knife coat method, roll coat method, blade coat method, and die coat method. A coat method, a gravure coat method, etc. may be mentioned.

점착제층 형성 공정은, 예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을 기재의 표면에 첩합 (貼合) 하는 방법이어도 되고, 기재의 표면에, 점착제 조성물을 직접 도포함으로써 점착제층을 형성하는 방법이어도 된다.The adhesive layer forming step may be, for example, a method of bonding an adhesive layer formed on a release sheet to the surface of a substrate, or a method of forming the adhesive layer by directly applying an adhesive composition to the surface of the substrate. You can continue.

완충층 형성 공정에 있어서, 완충층 형성용 조성물은, 박리 시트 상에 도포해도 되고, 기재의 표면에 직접 도포해도 된다. 완충층 형성용 조성물을 박리 시트 상에 도포하는 경우, 박리 시트 상의 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층 (이하, 「완충층 형성용 조성물층」이라고도 한다) 은, 그 후, 기재의 표면에 첩부된다. 박리 시트 상의 완충층 형성용 조성물층은, 완충층 그 자체여도 되고, 완충층 형성용 조성물이 경화성을 갖는 것인 경우, 경화성을 갖는 완충층 형성용 조성물의 미경화물 또는 반경화물이어도 된다. 기재 상에 완충층 형성용 조성물의 미경화물 또는 반경화물을 형성한 경우, 그 후, 완충층 형성용 조성물을 완전 경화시키는 처리를 실시한다.In the buffer layer forming step, the composition for forming a buffer layer may be applied on a release sheet or may be applied directly to the surface of the substrate. When the composition for forming a buffer layer is applied on a release sheet, the layer formed from the composition for forming a buffer layer on the release sheet (hereinafter also referred to as “composition layer for forming a buffer layer”) is then attached to the surface of the substrate. The composition layer for forming a buffer layer on the release sheet may be the buffer layer itself, or, if the composition for forming a buffer layer has curability, it may be an uncured or semi-cured product of the composition for forming a buffer layer that has curability. When an uncured or semi-cured product of the composition for forming a buffer layer is formed on a substrate, a treatment is performed to completely cure the composition for forming a buffer layer.

표면 코트층 형성 공정에 있어서, 표면 코트층 형성용 조성물은, 박리 시트 상에 도포해도 되고, 완충층의 표면에 직접 도포해도 된다. 표면 코트층 형성용 조성물을 박리 시트 상에 도포하는 경우, 박리 시트 상의 표면 코트층 형성용 조성물로 형성되는 층 (이하, 「표면 코트층 형성용 조성물층」이라고도 한다) 은, 그 후, 완충층의 표면에 첩부된다. 박리 시트 상의 표면 코트층 형성용 조성물층은, 표면 코트층 그 자체여도 되고, 표면 코트층 형성용 조성물이 경화성을 갖는 것인 경우, 경화성을 갖는 표면 코트층 형성용 조성물의 미경화물 또는 반경화물이어도 된다. 완충층 상에 표면 코트층 형성용 조성물의 미경화물 또는 반경화물을 형성한 경우, 그 후, 표면 코트층 형성용 조성물을 완전 경화시키는 처리를 실시한다.In the surface coat layer forming step, the composition for forming the surface coat layer may be applied on a release sheet or directly on the surface of the buffer layer. When applying the composition for forming a surface coat layer on a release sheet, the layer formed from the composition for forming a surface coat layer on the release sheet (hereinafter also referred to as the “composition layer for forming a surface coat layer”) is then applied to the buffer layer. It is attached to the surface. The composition layer for forming a surface coat layer on the release sheet may be the surface coat layer itself, or, if the composition for forming a surface coat layer has curability, it may be an uncured or semi-cured product of a composition for forming a surface coat layer that has curability. do. When an uncured or semi-cured product of the composition for forming a surface coat layer is formed on the buffer layer, a treatment is then performed to completely cure the composition for forming a surface coat layer.

또, 완충층 형성 공정 및 표면 코트층 형성 공정은, 박리 시트 상에 표면 코트층 및 완충층을 이 순서로 형성한 후, 완충층을 기재의 표면에 첩합하는 방법이어도 된다.Additionally, the buffer layer forming step and the surface coat layer forming step may be a method of forming a surface coat layer and a buffer layer in this order on a release sheet and then bonding the buffer layer to the surface of the substrate.

완충층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우, 완충층 형성 공정은, 완충층 형성용 조성물에 대하여 에너지선을 조사하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.When the composition for forming a buffer layer contains an energy ray polymerizable compound, the buffer layer forming step preferably includes a step of irradiating the composition for forming a buffer layer with an energy ray.

완충층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우, 에너지선 조사에 의한 경화 처리는, 1 회로 실시해도 되고, 복수 회로 나누어 실시해도 된다.When the composition for forming a buffer layer contains an energy ray polymerizable compound, the curing treatment by energy ray irradiation may be performed once or may be performed multiple times.

에너지선 조사에 의한 경화 처리를 1 회로 실시하는 경우, 기재 상에 완충층 형성용 조성물의 도포막을 형성한 후, 에너지선 조사에 의해 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시켜도 되고, 박리 시트 상에서 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시키고 나서, 이것을 기재에 첩합해도 된다.When the curing treatment by energy ray irradiation is performed once, after forming a coating film of the buffer layer forming composition on the substrate, the buffer layer forming composition may be completely cured by energy ray irradiation, or the buffer layer forming composition may be applied on the release sheet. After completely curing, this may be bonded to the substrate.

표면 코트층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우, 표면 코트층 형성 공정은, 표면 코트층 형성용 조성물에 대하여 에너지선을 조사하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 표면 코트층 형성용 조성물에 대하여 에너지선을 조사하는 시기는 특별히 한정되지 않고, 표면 코트층 형성용 조성물을 완충층 또는 완충층 형성용 조성물층에 적층하기 전 또는 적층한 후 중 어느 때라도 상관없다.When the composition for forming a surface coat layer contains an energy ray polymerizable compound, the surface coat layer forming step preferably includes a step of irradiating the composition for forming a surface coat layer with an energy ray. The timing of irradiating energy rays to the composition for forming a surface coat layer is not particularly limited, and may be any time before or after lamination of the composition for forming a surface coat layer on a buffer layer or a composition layer for forming a buffer layer.

완충층 형성용 조성물의 경화 처리를 복수 회로 나누어 실시하는 경우, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물의 도포막을 형성한 후, 박리 시트 상에서는 완충층 형성용 조성물을 완전하게는 경화시키지 않고, 반경화의 상태까지 경화시키고 나서 박리 시트 상에 형성한 표면 코트층 형성용 조성물층에 첩합하고, 그 후, 재차 에너지선을 조사함으로써 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시켜도 된다. 표면 코트층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우에는, 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시키기 위한 에너지선 조사에 의해, 표면 코트층 형성용 조성물을 동시에 경화시켜도 된다.When the curing treatment of the composition for forming a buffer layer is carried out in multiple stages, after forming a coating film of the composition for forming a buffer layer on the release sheet, the composition for forming a buffer layer is not completely cured on the release sheet, but is left to a semi-cured state. After curing, the composition for forming a buffer layer may be completely cured by bonding it to the composition layer for forming a surface coat layer formed on a release sheet, and then irradiating the energy ray again. When the composition for forming a surface coat layer contains an energy ray polymerizable compound, the composition for forming a surface coat layer may be simultaneously cured by irradiating energy rays to completely cure the composition for forming a buffer layer.

또한, 완충층 형성용 조성물 및 표면 코트층 형성용 조성물의 경화 처리에서 조사하는 에너지선으로는, 자외선이 바람직하다.In addition, ultraviolet rays are preferable as the energy ray irradiated in the curing treatment of the composition for forming a buffer layer and the composition for forming a surface coat layer.

완충층 형성용 조성물 및 표면 코트층 형성용 조성물에 대하여 에너지선을 조사하여 경화시킬 때, 완충층 형성용 조성물 및 표면 코트층 형성용 조성물은 외부에 노출된 상태여도 되지만, 양면이 박리 시트, 기재 등의 부재에 의해 덮여, 외부에 노출되어 있지 않은 상태에서 에너지선을 조사하는 것이 바람직하다.When curing the composition for forming a buffer layer and the composition for forming a surface coat layer by irradiating energy rays, the composition for forming a buffer layer and the composition for forming a surface coat layer may be exposed to the outside, but both sides may be exposed to a release sheet, a substrate, etc. It is desirable to irradiate the energy line in a state where it is covered by a member and not exposed to the outside.

<점착 시트의 용도><Use of adhesive sheet>

본 실시형태의 점착 시트를 첩부한 상태에서 실시되는 워크의 가공으로는, 예를 들어, 반도체 장치의 일방의 면에 점착 시트를 첩부한 상태에서 타방의 면을 연삭하는 백 그라인드 가공, 반도체 장치의 일방의 면에 점착 시트를 첩부한 상태에서 반도체 장치를 개편화하는 다이싱 가공, 반도체 장치의 반송, 반도체 칩의 픽업 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시형태의 점착 시트는 백 그라인드 가공에 바람직하고, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 본 실시형태의 점착 시트를 첩부한 상태에서 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 백 그라인드 가공에 보다 바람직하다. 특히, 본 실시형태의 점착 시트는, 반도체 웨이퍼를 박형화할 때에 있어서의 크랙의 발생을 억제하는 효과를 갖기 때문에, 선 다이싱법, 스텔스 선 다이싱법 등의 프로세스에 적합하다.Processing of the workpiece performed while the adhesive sheet of the present embodiment is attached includes, for example, back grinding, which involves grinding the other side of a semiconductor device while the adhesive sheet is attached to one side of the semiconductor device. Examples include dicing processing to separate the semiconductor device into individual pieces with an adhesive sheet attached to one side, transportation of the semiconductor device, and pickup of semiconductor chips. Among these, the adhesive sheet of this embodiment is preferable for back grind processing, and is more preferable for back grind processing in which the back surface of a semiconductor wafer is ground while the adhesive sheet of this embodiment is affixed to the circuit formation surface of the semiconductor wafer. In particular, the adhesive sheet of this embodiment has the effect of suppressing the occurrence of cracks when thinning a semiconductor wafer, and is therefore suitable for processes such as the line dicing method and the stealth line dicing method.

[반도체 장치의 제조 방법][Manufacturing method of semiconductor device]

본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은,The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment is:

본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,A step of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing of this embodiment to the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이다.A method of manufacturing a semiconductor device including a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device.

또한, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은,In addition, the manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment includes:

반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;

상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,A sheet attaching step of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing of the present embodiment to the surface of the semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface after the step a, or before or after the step b;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법인 것이 바람직하다.With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground, and the groove or the modified region is used as a starting point to form a plurality of semiconductor chips. It is preferable that it is a semiconductor device manufacturing method that includes grinding and segmentation processes.

또한, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은, 연삭 및 개편화 공정 후에, 복수의 반도체 칩으로부터, 본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를 박리하는, 박리 공정을 포함하고 있어도 된다.Moreover, the manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment may include a peeling process of peeling the adhesive sheet for semiconductor processing of this embodiment from a plurality of semiconductor chips after the grinding and segmentation process.

또한, 상기 공정 a 를 갖는 반도체 장치의 제조 방법은, 선 다이싱법에 상당하는 프로세스이고, 상기 공정 b 를 갖는 반도체 장치의 제조 방법은, 스텔스 선 다이싱법에 상당하는 프로세스이다.In addition, the manufacturing method of the semiconductor device having the above-mentioned process a is a process corresponding to the line dicing method, and the manufacturing method of the semiconductor device having the above-described process b is a process corresponding to the stealth line dicing method.

본 실시형태의 제조 방법에서 사용하는 반도체 웨이퍼로는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 웨이퍼, 질화갈륨 웨이퍼, 실리콘카바이드 웨이퍼, 유리 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리콘 웨이퍼가 바람직하다.Examples of semiconductor wafers used in the manufacturing method of this embodiment include silicon wafers, gallium arsenide wafers, gallium nitride wafers, silicon carbide wafers, glass wafers, and sapphire wafers. Among these, silicon wafers are preferable.

반도체 웨이퍼의 표면에는, 통상, 배선, 커패시터, 다이오드, 트랜지스터 등의 회로가 형성되어 있다. 이들 회로는, 예를 들어, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다.Circuits such as wiring, capacitors, diodes, and transistors are usually formed on the surface of a semiconductor wafer. These circuits can be formed by conventionally known methods, such as an etching method or a lift-off method.

반도체 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 ∼ 1,000 ㎛ 이다.The thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually 500 to 1,000 μm.

이하, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다.Hereinafter, each step of the semiconductor device manufacturing method of this embodiment will be described in detail.

<분할 예정 라인 형성 공정><Divide line formation process>

분할 예정 라인 형성 공정은, 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 이다.The division line formation process is process a of forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or process b of forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer.

공정 a 는 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정으로, 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하기 전에 실시된다.Step a is a step of forming a groove on the surface of the semiconductor wafer, and is performed before attaching the adhesive sheet to the surface of the semiconductor wafer.

공정 a 에서 반도체 웨이퍼의 표면에 형성하는 홈은, 반도체 웨이퍼의 두께보다 깊이가 얕은 홈이다. 공정 a 의 후에 반도체 웨이퍼는 공정 a 에서 형성한 홈에 도달할 때까지 이면 연삭되어, 복수의 반도체 칩으로 분할된다. 그 때문에, 공정 a 에 있어서 홈은, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할 라인을 따라 형성된다.The groove formed on the surface of the semiconductor wafer in step a is a groove whose depth is shallower than the thickness of the semiconductor wafer. After step a, the semiconductor wafer is back-ground until it reaches the groove formed in step a, and is divided into a plurality of semiconductor chips. Therefore, in step a, the groove is formed along the dividing line when the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips.

홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 사용한 다이싱에 의해 실시하는 것이 가능하다.The grooves can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing device or the like.

공정 b 는, 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정으로, 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하기 전에 실시해도 되고, 후에 실시해도 된다.Step b is a step of forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front or back side of the semiconductor wafer, and may be performed before or after attaching the adhesive sheet to the surface of the semiconductor wafer.

공정 b 에 있어서 개질 영역은, 반도체 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된다. 그 개질 영역은, 반도체 웨이퍼에 있어서 취질화 (脆質化) 된 부분으로, 이면 연삭에 의해 반도체 웨이퍼가 얇아지거나, 연삭에 의한 힘이 가해지거나 함으로써 파괴되어, 반도체 웨이퍼가 반도체 칩으로 개편화되는 기점이 되는 영역이다. 그 때문에, 개질 영역은, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할 라인을 따라 형성된다.In step b, the modified region is formed inside the semiconductor wafer by irradiation of a laser focused on the inside of the semiconductor wafer. The modified area is a part of the semiconductor wafer that has become nitrided, and is destroyed by the semiconductor wafer being thinned by back grinding or applying force by grinding, and the semiconductor wafer is broken into individual semiconductor chips. This is the starting point. Therefore, the modified region is formed along the division line when the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips.

레이저의 조사는, 반도체 웨이퍼의 표면측에서부터 실시해도 되고, 이면측에서부터 실시해도 된다. 공정 b 를, 시트 첩부 공정 후에 실시하는 경우, 점착 시트를 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저를 조사해도 된다.Laser irradiation may be performed from the front side of the semiconductor wafer, or may be performed from the back side. When step b is performed after the sheet sticking step, the semiconductor wafer may be irradiated with a laser through the adhesive sheet.

<시트 첩부 공정><Sheet attaching process>

시트 첩부 공정은, 공정 a 의 후, 또는 공정 b 의 전 혹은 후에, 점착 시트를, 점착제층을 첩부면으로 하여, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정이다.The sheet sticking process is a process of sticking the adhesive sheet to the surface of the semiconductor wafer using the adhesive layer as the sticking surface after step a, or before or after step b.

점착 시트를 첩부하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 라미네이터 등을 사용하는, 종래 공지된 방법을 적용할 수 있다.The method of sticking the adhesive sheet is not particularly limited, and for example, a conventionally known method using a laminator or the like can be applied.

<연삭 및 개편화 공정><Grinding and fragmentation process>

연삭 및 개편화 공정은, 반도체 웨이퍼에 첩부된 점착 시트의 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는 공정이다.In the grinding and segmentation process, the back side of the semiconductor wafer is ground while the surface coat layer side of the adhesive sheet attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device, and a plurality of semiconductor chips are formed using the groove or the modified region as a starting point. It is a process of reorganization.

점착 시트가 첩부되고, 또한 홈 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼는, 점착 시트의 표면 코트층측이 지지 장치에 의해 고정된다. 지지 장치로는, 특별히 한정되지 않지만, 척 테이블 등의 고정 대상물을 흡인하여 유지하는 장치가 바람직하다.A semiconductor wafer on which an adhesive sheet is attached and grooves or modified regions are formed is fixed on the surface coat layer side of the adhesive sheet by a support device. The support device is not particularly limited, but is preferably a device that suctions and holds a fixed object such as a chuck table.

이어서, 고정된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화한다.Next, the back side of the fixed semiconductor wafer is ground, and the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips.

이면 연삭은, 공정 a 에 의해 반도체 웨이퍼에 홈이 형성되어 있는 경우에는, 적어도 연삭면이 홈의 바닥부에 이르는 위치까지 반도체 웨이퍼를 연삭한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은 웨이퍼를 관통하는 절입이 되고, 반도체 웨이퍼는 절입에 의해 분할되어, 개개의 반도체 칩으로 개편화된다.Back grinding grinds the semiconductor wafer to at least a position where the grinding surface reaches the bottom of the groove when a groove is formed in the semiconductor wafer in step a. By this back grinding, the groove becomes an incision that penetrates the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the incision and divided into individual semiconductor chips.

한편, 공정 b 에 의해 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성되어 있는 경우에는, 연삭면은 개질 영역에 도달해도 되지만, 엄밀하게 개질 영역까지 도달하지 않아도 된다. 즉, 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼가 파괴되어 반도체 칩으로 개편화되도록, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하면 된다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼를 개편화시키지 않고 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭한 후, 반도체 웨이퍼에 픽업 테이프를 첩부하고, 그 픽업 테이프를 연신함으로써 반도체 칩으로 개편화시켜도 된다.On the other hand, when a modified region is formed in the semiconductor wafer by process b, the ground surface may reach the modified region, but does not have to strictly reach the modified region. In other words, starting from the modified area, the semiconductor wafer is broken and broken into semiconductor chips by grinding to a position close to the modified area. For example, after grinding the semiconductor wafer to a position close to the modified area without breaking it into pieces, attaching a pickup tape to the semiconductor wafer, and stretching the pickup tape, the wafer may be broken into pieces into semiconductor chips.

개편화된 반도체 칩의 형상은, 방형 (方形) 이어도 되고, 직사각형 등의 가늘고 긴 형상이어도 된다.The shape of the individualized semiconductor chip may be square, or may be an elongated shape such as a rectangle.

개편화된 반도체 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 7 ∼ 70 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 45 ㎛ 이다.The thickness of the divided semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably 5 to 100 μm, more preferably 7 to 70 μm, and still more preferably 10 to 45 μm.

개편화된 반도체 칩의 칩 사이즈는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50 mm2 미만, 보다 바람직하게는 30 mm2 미만, 더욱 바람직하게는 10 mm2 미만이다.The chip size of the discrete semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably less than 50 mm 2 , more preferably less than 30 mm 2 , and even more preferably less than 10 mm 2 .

<박리 공정><Peeling process>

박리 공정은, 연삭 및 개편화 공정 후에, 복수의 반도체 칩으로부터 점착 시트를 박리하는 공정이다.The peeling process is a process of peeling the adhesive sheet from a plurality of semiconductor chips after the grinding and segmentation process.

점착 시트의 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선을 조사함으로써 점착제를 경화시켜, 점착제층의 박리력을 작게 하고 나서, 점착 시트를 박리한다.When the adhesive layer of the adhesive sheet is formed of an energy ray-curable adhesive, the adhesive is cured by irradiating energy rays to reduce the peeling force of the adhesive layer, and then the adhesive sheet is peeled.

또한, 점착 시트를 박리할 때에는, 픽업 테이프를 사용해도 된다. 픽업 테이프는, 예를 들어, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층을 구비하는 점착 시트에 의해 구성되는 것이다.Additionally, when peeling off the adhesive sheet, you may use a pickup tape. A pickup tape is comprised, for example, of an adhesive sheet including a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material.

픽업 테이프를 사용하는 경우, 먼저, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 실시한다. 이 때, 반도체 웨이퍼의 외주측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하여, 픽업 테이프의 외주 가장자리부를 링 프레임에 고정시키는 것이 바람직하다. 이어서, 픽업 테이프 상에 고정된 복수의 반도체 칩으로부터 점착 테이프를 박리한다.When using a pickup tape, first, the pickup tape is attached to the back side of the separated semiconductor wafer, and the position and orientation are aligned to enable pickup. At this time, it is preferable to also bond the ring frame disposed on the outer peripheral side of the semiconductor wafer to the pickup tape and fix the outer peripheral edge portion of the pickup tape to the ring frame. Next, the adhesive tape is peeled from the plurality of semiconductor chips fixed on the pickup tape.

그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩을 픽업하고 나서, 기판 등의 위에 고정화시켜, 반도체 장치를 제조해도 된다.Thereafter, a plurality of semiconductor chips on a pickup tape may be picked up and then fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.

실시예Example

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다. 각종 물성의 측정 방법 및 평가 방법은, 이하와 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. Measurement methods and evaluation methods for various physical properties are as follows.

[질량 평균 분자량 (Mw)][Mass average molecular weight (Mw)]

질량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 침투 크로마토그래프 장치 (토소 주식회사 제조, 제품명 「HLC-8220」) 를 사용하여 하기의 조건으로 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 구하였다.The mass average molecular weight (Mw) was measured under the following conditions using a gel permeation chromatograph (manufactured by Tosoh Corporation, product name “HLC-8220”), and calculated in standard polystyrene conversion.

(측정 조건)(Measuring conditions)

·칼럼 : 「TSK guard column HXL-H」 「TSK gel GMHXL(×2)」 「TSK gel G2000HXL」(모두 토소 주식회사 제조)Column: “TSK guard column HXL-H”, “TSK gel GMHXL (×2)”, “TSK gel G2000HXL” (all manufactured by Tosoh Corporation)

·칼럼 온도 : 40 ℃·Column temperature: 40℃

·전개 용매 : 테트라하이드로푸란·Developing solvent: tetrahydrofuran

·유속 : 1.0 mL/min·Flow rate: 1.0 mL/min

[점착 시트 등의 두께 측정][Measurement of thickness of adhesive sheets, etc.]

정압 두께 측정기 (주식회사 테크락 제조, 상품명 「PG-02」) 에 의해 점착 시트의 총 두께, 각 층의 두께, 이들로부터 제조되는 시험편의 두께를 측정하였다. 이 때, 임의의 10 점을 측정하여, 평균값을 산출하였다.The total thickness of the adhesive sheet, the thickness of each layer, and the thickness of the test piece manufactured therefrom were measured using a static pressure thickness meter (product name "PG-02", manufactured by Techlock Co., Ltd.). At this time, 10 random points were measured and the average value was calculated.

또한, 점착 시트의 총 두께는, 박리 시트가 부착된 점착 시트의 두께를 측정하고, 그 두께에서 박리 시트의 두께를 뺀 값이다.In addition, the total thickness of the adhesive sheet is a value obtained by measuring the thickness of the adhesive sheet with the release sheet attached and subtracting the thickness of the release sheet from the thickness.

또, 완충층의 두께는, 완충층이 형성된 기재의 두께에서, 기재의 두께를 뺀 값이다.Additionally, the thickness of the buffer layer is the value obtained by subtracting the thickness of the base material from the thickness of the base material on which the buffer layer is formed.

또, 표면 코트층의 두께는, 박리 시트가 부착된 표면 코트층의 두께에서, 박리 시트의 두께를 뺀 값이다.In addition, the thickness of the surface coat layer is the value obtained by subtracting the thickness of the release sheet from the thickness of the surface coat layer to which the release sheet is attached.

또한, 점착제층의 두께는, 점착 시트의 총 두께에서 표면 코트층, 완충층 및 기재의 두께를 뺀 값이다.Additionally, the thickness of the adhesive layer is the total thickness of the adhesive sheet minus the thicknesses of the surface coat layer, buffer layer, and base material.

[표면 코트층의 90 ℃ 저장 탄성률 E’의 측정 방법][Method for measuring 90°C storage modulus E’ of surface coat layer]

실시예 및 비교예에서 조제한 표면 코트층 형성용 조성물을, 형성되는 표면 코트층의 두께가 35 ㎛ 가 되도록 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「SP-PET381031」) 의 박리 처리면에 메이어 바를 이용하여 도포한 후, 가열 건조시켜, 박리 시트 상에 표면 코트층 형성용 조성물층을 형성하였다.The composition for forming a surface coat layer prepared in the examples and comparative examples was applied using a Mayer bar to the peeling surface of a release sheet (manufactured by Lintech Co., Ltd., brand name “SP-PET381031”) so that the thickness of the surface coat layer formed was 35 μm. After application, it was heated and dried to form a composition layer for forming a surface coat layer on the release sheet.

그 표면 코트층 형성용 조성물층에 대하여, 조도 160 mW/cm2, 조사량 500 mJ/cm2 의 조건으로 자외선을 조사함으로써, 표면 코트층 형성용 조성물을 경화시켜, 박리 시트가 형성된 표면 코트층을 제조하였다.By irradiating ultraviolet rays to the composition layer for forming a surface coating layer under the conditions of an illuminance of 160 mW/cm 2 and an irradiation amount of 500 mJ/cm 2 , the composition for forming a surface coating layer is cured to form a surface coating layer on which a release sheet is formed. Manufactured.

상기에서 얻어진 박리 시트가 형성된 표면 코트층으로부터 박리 시트를 박리 제거하고, 표면 코트층을, 평면에서 보아 폭이 4 mm, 길이가 측정 장치의 척간 거리가 30 mm 가 되도록 재단한 것을 시험편으로 하였다. 그 시험편을 사용하여 하기 장치 및 측정 조건으로 90 ℃ 에 있어서의 표면 코트층의 저장 탄성률 E’를 측정하였다.The release sheet was peeled and removed from the surface coat layer on which the release sheet obtained above was formed, and the surface coat layer was cut to have a width of 4 mm in plan view and a length of 30 mm between the chucks of a measuring device, which were used as test pieces. Using the test piece, the storage modulus E' of the surface coat layer at 90°C was measured using the following apparatus and measurement conditions.

측정 장치: 주식회사 에이·앤드·디 제조 「레오바이브론 DDV-01FP」Measuring device: “LeoVibron DDV-01FP” manufactured by A&D Co., Ltd.

주파수 : 1 ㎐Frequency: 1 Hz

측정 온도 범위 : -10 ∼ 120 ℃ Measurement temperature range: -10 ∼ 120 ℃

승온 속도 : 3 ℃/minTemperature increase rate: 3℃/min

[가열 처리 전후의 헤이즈차의 측정 및 가열 후의 점착 시트의 백화 유무의 평가][Measurement of haze difference before and after heat treatment and evaluation of whitening of the adhesive sheet after heating]

실시예 및 비교예에서 제조한 양면에 박리 시트를 갖는 점착 시트를, 평면에서 보아 5 cm × 5 cm 의 직사각형상으로 잘라내고, 표면 코트층측의 박리 시트만을 박리하여 표면 코트층을 노출시킨 시험편을 준비하였다.The adhesive sheet having a release sheet on both sides prepared in the examples and comparative examples was cut into a rectangular shape of 5 cm × 5 cm in plan view, and only the release sheet on the surface coat layer side was peeled to expose the surface coat layer. Ready.

또한, 금속판 (1) 및 금속판 (2) 으로서, SUS304 제, 평면에서 본 형상이 직사각형상, 평면에서 본 크기가 7 cm × 15 cm, 두께가 0.5 mm, 무게가 40 g, 연마면으로서, 600 번 연마에 의해 표면 마무리한 표면을 갖는 것, 추로서, 무게가 1 kg, 저면이 직경 4 cm 의 원형인 원기둥형상을 갖는 것을 준비하였다.In addition, the metal plate 1 and the metal plate 2 are made of SUS304, have a rectangular shape in a plan view, have a size of 7 cm × 15 cm in a plan view, a thickness of 0.5 mm, a weight of 40 g, and a polished surface of 600 g. A weight having a surface finished by polishing, weighing 1 kg, and having a circular cylindrical base with a diameter of 4 cm was prepared.

금속판 (1) 을, 연마면을 상향으로 하여, 온도가 90 ℃ 로 유지된 열판 상에 재치하고, 그 금속판 (1) 의 연마면 상에, 상기 시험편을, 표면 코트층이 금속판 (1) 의 연마면 측이 되는 방향으로 재치하였다. 또한, 금속판 (1) 상에 재치한 시험편의 박리 시트 상에, 그 박리 시트와 접촉하는 측에 연마면을 갖는 금속판 (2) 과, 추를 이 순서로 적층하고, 시험편을 90 ℃ 에서 1 분간 가열 처리하였다.The metal plate 1 is placed on a hot plate whose temperature is maintained at 90°C with the polished surface facing upward, and the test piece is placed on the polished surface of the metal plate 1 so that the surface coat layer is that of the metal plate 1. It was placed in the direction toward the polished surface. Additionally, on the release sheet of the test piece placed on the metal plate 1, a metal plate 2 having a polished surface on the side in contact with the release sheet and a weight are laminated in this order, and the test piece is heated at 90°C for 1 minute. Heat treatment was performed.

또한, 금속판 (1), 시험편 및 금속판 (2) 은, 각각의 4 변이 서로 평행이 되도록 재치하였다. 또한, 금속판 (1), 시험편, 금속판 (2) 및 추는, 평면에서 본 각각의 중심점의 위치가 일치하도록 재치하였다.In addition, the metal plate 1, the test piece, and the metal plate 2 were placed so that each of their four sides were parallel to each other. In addition, the metal plate 1, the test piece, the metal plate 2, and the weight were placed so that the positions of their respective center points when viewed from the plane coincided.

상기 가열 처리 후의 시험편의 표면 코트층측의 박리 시트를 박리하여, 가열 처리 후의 점착 시트를 얻고, 육안 관찰에 의해 점착 시트의 백화 유무를 확인하였다. 또한, 그 점착 시트의 헤이즈값을, JIS K 7136 : 2000 에 준거하여, 헤이즈미터 (닛폰 덴쇼쿠 공업 주식회사 제조, 상품명 「NDH-5000」) 를 이용하여 측정하였다. 또한, 별도로 가열 처리 전의 점착 시트의 헤이즈값을 상기와 동일한 방법으로 측정하고, 가열 처리한 후의 헤이즈값과 가열 처리하기 전의 헤이즈값의 차 [가열 처리한 후의 헤이즈값 - 가열 처리하기 전의 헤이즈값] 를 산출하였다.The release sheet on the surface coat layer side of the heat-treated test piece was peeled off to obtain a heat-treated adhesive sheet, and the presence or absence of whitening of the adhesive sheet was confirmed by visual observation. Additionally, the haze value of the adhesive sheet was measured using a haze meter (manufactured by Nippon Denshoku Industries, Ltd., brand name “NDH-5000”) in accordance with JIS K 7136:2000. Additionally, separately, the haze value of the adhesive sheet before heat treatment was measured in the same manner as above, and the difference between the haze value after heat treatment and the haze value before heat treatment was calculated as [haze value after heat treatment - haze value before heat treatment]. was calculated.

[표면 코트층의 연삭 부스러기 부착량의 평가][Evaluation of the amount of grinding debris adhesion to the surface coat layer]

실시예 및 비교예에서 제조한 양면에 박리 시트를 갖는 점착 시트를, 평면에서 보아 가로 세로 5 cm 의 크기로 잘라내고, 표면 코트층측의 박리 시트를 박리하여 표면 코트층을 노출시킨 시험편을 준비하였다. 그 시험편의 4 모서리 중 임의의 1 모서리를 고정시켜 매달고, 실리콘 웨이퍼의 연삭 부스러기를 2 질량% 포함하는 연삭수에 10 분간 침지하였다. 연삭수로부터 시험편을 꺼내고, 매단 채로 23 ℃ 에서 24 시간 정치하여 건조시킨 후, 시험편의 표면 코트층을 육안 관찰하여, 이하의 기준으로 연삭 부스러기 부착량을 평가하였다. 또한, 이하의 평가 기준에 있어서, 「연삭 부스러기 부착부」란, 표면 코트층 상에 부착된 연삭수의 액적이 건조되어 이루어지는 섬형상의 연삭 부스러기 부착 지점을 의미한다.The adhesive sheet having a release sheet on both sides prepared in the examples and comparative examples was cut to a size of 5 cm by 5 cm in plan view, and the release sheet on the surface coat layer side was peeled to prepare a test piece in which the surface coat layer was exposed. . One of the four corners of the test piece was fixed and hung, and immersed in grinding water containing 2% by mass of silicon wafer grinding chips for 10 minutes. The test piece was taken out from the grinding water, left hanging at 23°C for 24 hours to dry, then the surface coat layer of the test piece was visually observed, and the amount of grinding debris attached was evaluated based on the following criteria. In addition, in the following evaluation criteria, “grinding debris attachment portion” means an island-shaped grinding debris attachment point formed by drying droplets of grinding water adhering to the surface coat layer.

A : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 1 군데 있거나, 또는 연삭 부스러기 부착부로 식별할 수 있을 정도로 연삭 부스러기가 부착되어 있지 않다.A: There is one place on the surface coat layer where grinding chips adhere, or grinding chips do not adhere to a degree that can be identified as a grinding chip adhered area.

B : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 2 ∼ 5 군데 있다.B: There are 2 to 5 attachment portions of grinding chips on the surface coat layer.

C : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 6 군데 이상 있지만, 표면 코트층의 전체면에는 연삭 부스러기가 부착되어 있지 않다.C: There are six or more places where grinding chips adhere to the surface coat layer, but no grinding chips adhere to the entire surface of the surface coat layer.

D : 표면 코트층의 전체면에 연삭 부스러기가 부착되어 있다.D: Grinding debris adheres to the entire surface of the surface coat layer.

[반송성의 평가][Evaluation of transportability]

실시예 및 비교예에서 제조한 양면에 박리 시트를 갖는 점착 시트의 점착제층측의 박리 시트를 박리하고, 표출된 점착제층을 첩부면으로 하여, 실리콘 미러 웨이퍼 (직경 12 인치, 두께 50 ㎛, 드라이 폴리시 마무리) 에 첩부하여, 점착 시트가 부착된 실리콘 미러 웨이퍼 (이하, 「점착 시트가 부착된 웨이퍼」라고도 한다) 를 제조하였다.The release sheet on the adhesive layer side of the adhesive sheet having release sheets on both sides prepared in the examples and comparative examples was peeled off, and the exposed adhesive layer was used as the attachment surface to form a silicon mirror wafer (diameter 12 inches, thickness 50 ㎛, dry polish). finishing) to produce a silicon mirror wafer with an adhesive sheet (hereinafter also referred to as a “wafer with an adhesive sheet”).

그 점착 시트가 부착된 웨이퍼의 표면 코트층으로부터 박리 시트를 박리한 것을, 표면 코트층이 접촉면이 되도록 가열 테이블 상에 재치하여, 80 ℃ 에서 3 분간 가열하였다. 그 후, 흡인 기구에 의한 흡착면을 구비하는 반송 아암의 흡착면을, 상기 점착 시트가 부착된 웨이퍼의 실리콘 미러 웨이퍼측의 표면에 재치하고, 흡착면에 점착 시트가 부착된 웨이퍼를 흡인 흡착시킨 상태에서, 점착 시트가 부착된 웨이퍼를 상기 가열 테이블로부터 들어 올리는 것이 가능한지의 여부를 시험하고, 이하의 기준으로 반송성을 평가하였다.The release sheet was peeled from the surface coating layer of the wafer to which the adhesive sheet was attached, placed on a heating table so that the surface coating layer became a contact surface, and heated at 80°C for 3 minutes. Thereafter, the suction surface of the transfer arm provided with the suction surface by the suction mechanism is placed on the surface of the silicon mirror wafer side of the wafer to which the adhesive sheet is attached, and the wafer to which the adhesive sheet is attached is suctioned and adsorbed. In this state, it was tested whether it was possible to lift the wafer with the adhesive sheet attached from the heating table, and the transportability was evaluated based on the following criteria.

A : 반송 아암에 의해 점착 시트가 부착된 웨이퍼를 가열 테이블로부터 들어 올릴 수 있었다.A: The wafer with the adhesive sheet attached was able to be lifted from the heating table by the transfer arm.

B : 점착 시트가 부착된 웨이퍼가 가열 테이블에 밀착되어, 반송 아암에 의해 점착 시트가 부착된 웨이퍼를 가열 테이블로부터 들어 올릴 수 없었다.B: The wafer with the adhesive sheet attached was in close contact with the heating table, and the wafer with the adhesive sheet attached could not be lifted from the heating table by the transfer arm.

[완충층에 사용하는 우레탄아크릴레이트계 올리고머의 조제][Preparation of urethane acrylate-based oligomer used in buffer layer]

제조예 1Manufacturing example 1

폴리에스테르디올과 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량 (Mw) 5,000 의 2 관능의 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 얻었다.A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polyester diol and isophorone diisocyanate was reacted with 2-hydroxyethyl acrylate to obtain a bifunctional urethane acrylate-based oligomer with a mass average molecular weight (Mw) of 5,000.

[점착제층에 사용하는 에너지선 경화성의 아크릴계 수지의 조제][Preparation of energy ray-curable acrylic resin used in adhesive layer]

제조예 2Production example 2

n-부틸아크릴레이트 52 질량부, 메틸메타크릴레이트 20 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 28 질량부를 공중합하여 아크릴계 중합체를 얻었다. 이어서, 그 아크릴계 중합체의 전체 수산기 중 90 몰% 의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 50 만인 에너지선 경화성의 아크릴계 수지를 얻었다.An acrylic polymer was obtained by copolymerizing 52 parts by mass of n-butylacrylate, 20 parts by mass of methyl methacrylate, and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate. Next, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was reacted so as to add 90 mol% of hydroxyl groups in the total hydroxyl groups of the acrylic polymer, and an energy ray-curable acrylic resin with a mass average molecular weight (Mw) of 500,000 was obtained.

[점착 시트의 제조][Manufacture of adhesive sheet]

실시예 1 ∼4, 비교예 1 ∼ 2Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 to 2

다음으로, 이하에 나타내는 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다. 또한, 이하의 설명에 있어서의 각 성분의 배합량은 모두 유효 성분의 배합량을 의미한다.Next, an adhesive sheet was manufactured by the method shown below. In addition, the compounding quantity of each component in the following description all means the compounding quantity of the active ingredient.

(1) 기재의 준비(1) Preparation of materials

기재로서, 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (영률 : 2,500 MPa) 을 준비하였다.As a substrate, a polyethylene terephthalate film (Young's modulus: 2,500 MPa) with a thickness of 50 μm was prepared.

(2) 표면 코트층 형성용 조성물의 조제(2) Preparation of composition for forming surface coat layer

표 1 에 나타내는 각 성분을 유효 성분 농도가 10 질량% 가 되도록 톨루엔에 용해시킨 것을 표면 코트층 형성용 조성물로 하였다.Each component shown in Table 1 was dissolved in toluene so that the active ingredient concentration was 10 mass% to obtain a composition for forming a surface coat layer.

(3) 완충층 형성용 조성물의 조제(3) Preparation of composition for forming buffer layer

제조예 1 에서 얻은 우레탄아크릴레이트계 올리고머 40 질량부, 이소보르닐아크릴레이트 40 질량부, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 20 질량부, 광중합 개시제로서의 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 2.0 질량부 및 프탈로시아닌계 안료 0.2 질량부를 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 조제하였다.40 parts by mass of the urethane acrylate-based oligomer obtained in Production Example 1, 40 parts by mass of isobornyl acrylate, 20 parts by mass of 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone as a photopolymerization initiator. A composition for forming a buffer layer was prepared by mixing 2.0 parts by mass and 0.2 parts by mass of a phthalocyanine-based pigment.

(4) 점착제 조성물의 조제(4) Preparation of adhesive composition

제조예 2 에서 얻은 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 100 질량부, 에너지선 경화성 화합물인 다관능 우레탄아크릴레이트 (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 상품명 「시코 UT-4332」, 질량 평균 분자량 (Mw) 4,700) 6 질량부, 이소시아네이트계 가교제 (토소 주식회사 제조, 상품명 「콜로네이트 L」) 0.375 질량부, 및 광중합 개시제로서의 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 1 질량부를 배합하고, 유기 용매로 희석함으로써 점착제 조성물을 조제하였다.100 parts by mass of the energy ray-curable acrylic resin obtained in Production Example 2, 6 parts by mass of polyfunctional urethane acrylate (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, brand name “Cicco UT-4332”, mass average molecular weight (Mw) 4,700), which is an energy ray-curable compound. , 0.375 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent (manufactured by Tosoh Corporation, brand name "Colonate L"), and 1 part by mass of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator, and diluted with an organic solvent. An adhesive composition was prepared.

(5) 점착 시트의 제조(5) Manufacturing of adhesive sheets

앞서 나타낸 기재의 일방의 면에, 상기에서 얻은 완충층 형성용 조성물을, 형성되는 완충층의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 조도 30 mW/cm2, 조사량 60 mJ/cm2 의 조건으로 자외선을 조사함으로써 완충층 형성용 조성물을 반경화시켜, 기재의 일방의 면에, 완충층 형성용 조성물을 반경화시킨 층을 형성하였다.The composition for forming a buffer layer obtained above was applied to one side of the substrate shown above so that the thickness of the buffer layer formed was 20 ㎛, and then ultraviolet rays were applied under the conditions of an illuminance of 30 mW/cm 2 and an irradiation amount of 60 mJ/cm 2 The composition for forming a buffer layer was semi-cured by irradiation, and a layer in which the composition for forming a buffer layer was semi-cured was formed on one side of the substrate.

또한, 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「SP-PET381031」) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 표면 코트층 형성용 조성물을, 형성되는 표면 코트층의 두께가 2 ㎛ 가 되도록 메이어 바로 도포한 후, 가열 건조시켜, 박리 시트 상에 표면 코트층 형성용 조성물층을 형성하였다.Additionally, the composition for forming a surface coat layer obtained above was applied to the release treated surface of the release sheet (manufactured by Lintech Co., Ltd., brand name “SP-PET381031”) with a mayor bar so that the thickness of the surface coat layer formed was 2 μm. , and dried by heating to form a composition layer for forming a surface coat layer on the release sheet.

그 박리 시트 상의 표면 코트층 형성용 조성물층과, 상기 기재의 일방의 면에 형성된 완충층 형성용 조성물을 반경화시킨 층을 첩합한 후, 조도 160 mW/cm2, 조사량 500 mJ/cm2 의 조건으로 자외선을 조사함으로써, 완충층 형성용 조성물 및 표면 코트층 형성용 조성물을 경화시켜, 기재의 일방의 면 상에 완충층 및 표면 코트층을 이 순서로 갖는 적층체를 얻었다.After bonding the composition layer for forming a surface coat layer on the release sheet and the semi-cured layer of the composition for forming a buffer layer formed on one side of the substrate, conditions of irradiance of 160 mW/cm 2 and irradiation of 500 mJ/cm 2 By irradiating ultraviolet rays, the composition for forming a buffer layer and the composition for forming a surface coat layer were cured, thereby obtaining a laminate having the buffer layer and the surface coat layer in this order on one side of the substrate.

또한, 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「SP-PET381031」) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 가열 건조시켜, 점착제층이 형성된 박리 시트를 제조하였다.In addition, the adhesive composition obtained above was applied to the peeling surface of a release sheet (manufactured by Lintech Co., Ltd., brand name "SP-PET381031") so that the thickness after drying was 20 μm, and then heated and dried to form a peeling adhesive layer. A sheet was manufactured.

그 점착제층 부착 박리 시트의 점착제층을, 상기 적층체가 갖는 기재의 완충층이 형성되어 있지 않은 면에 첩부함으로써, 양면에 박리 시트를 갖고, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖는 점착 시트를 얻었다.The adhesive layer of the release sheet with an adhesive layer is attached to the side of the base material of the laminate on which the buffer layer is not formed, thereby having a release sheet on both sides and forming a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order. A pressure-sensitive adhesive sheet was obtained.

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.Table 1 shows the evaluation results of the adhesive sheets obtained in each Example and Comparative Example.

Figure pat00001
Figure pat00001

·S2104 : 수소 첨가 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (SEPS), 스티렌 함유량 : 65 질량%, 주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「셉톤 (등록 상표) 2104」S2104: Hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer (SEPS), styrene content: 65% by mass, manufactured by Kuraray Co., Ltd., product name “Septon (registered trademark) 2104”

·H1043 : 수소 첨가 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (SEBS), 스티렌 함유량 : 67 질량%, 아사히 화성 주식회사 제조, 상품명 「터프텍 (등록상표) H1043」・H1043: Hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer (SEBS), styrene content: 67% by mass, manufactured by Asahi Chemical Co., Ltd., product name “Toughtech (registered trademark) H1043”

·S2006 : 수소 첨가 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (SEPS), 스티렌 함유량 : 35 질량%, 주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「셉톤 (등록 상표) 2006」S2006: Hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer (SEPS), styrene content: 35% by mass, manufactured by Kuraray Co., Ltd., product name “Septon (registered trademark) 2006”

·PMA-L : 프로필렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 무수 말레산 변성률 : 1.5 질량%, 질량 평균 분자량 (Mw) : 75,000, 토요보 주식회사 제조, 상품명 「토요택 (등록상표) PMA-L」・PMA-L: Propylene-butene-maleic anhydride copolymer, maleic anhydride modification ratio: 1.5% by mass, mass average molecular weight (Mw): 75,000, manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name “Toyotaek (registered trademark) PMA-L” 」

·에너지선 중합성 다관능 화합물 : 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트와 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트의 혼합물, 닛폰 화약 주식회사 제조, 상품명 「KAYARAD DPHA」Energy ray polymerizable multifunctional compound: mixture of dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate, manufactured by Nippon Gunpowder Co., Ltd., brand name “KAYARAD DPHA”

·광중합 개시제 : 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로파논, IGM Resins B.V. 제조, 상품명 「Omnirad1173」· Photopolymerization initiator: 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropanone, IGM Resins B.V. Manufactured, brand name “Omnirad1173”

·소수성 실리카 : 소수화 처리된 부정형의 침전법 실리카·Hydrophobic silica: Hydrophobized amorphous precipitated silica

표 1 로부터, 본 실시형태의 점착 시트의 구성을 충족하는 실시예 1 ∼ 4 의 점착 시트는, 워크 가공 후의 반송성이 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 ∼ 4 의 점착 시트는, 가열 후의 점착 시트에 백화가 발생하지 않았다. 한편, 본 실시형태의 점착 시트의 구성을 충족하지 않는 비교예 1 및 2 의 점착 시트는, 워크 가공 후의 반송성이 열등하고, 가열 후의 점착 시트에 백화가 발생하였다.From Table 1, it can be seen that the adhesive sheets of Examples 1 to 4, which satisfy the configuration of the adhesive sheet of this embodiment, are excellent in transportability after work processing. Additionally, whitening did not occur in the adhesive sheets of Examples 1 to 4 after heating. On the other hand, the adhesive sheets of Comparative Examples 1 and 2, which did not meet the configuration of the adhesive sheet of this embodiment, were inferior in transportability after work processing, and whitening occurred in the adhesive sheet after heating.

Claims (11)

표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,
상기 표면 코트층이, 스티렌계 수지를 함유하고,
상기 스티렌계 수지 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 50 질량% 이상인, 반도체 가공용 점착 시트.
It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,
The surface coat layer contains a styrene-based resin,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the content of structural units derived from a styrene-based compound in the styrene-based resin is 50% by mass or more.
제 1 항에 있어서,
상기 스티렌계 수지 중에 있어서의 스티렌계 화합물에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 80 질량% 이하인, 반도체 가공용 점착 시트.
According to claim 1,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the content of structural units derived from a styrene-based compound in the styrene-based resin is 80% by mass or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 스티렌계 수지가, 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 스티렌-에틸렌-프로필렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체 및 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인, 반도체 가공용 점착 시트.
The method of claim 1 or 2,
The styrene-based resin is styrene-butadiene block copolymer, styrene-ethylene-propylene block copolymer, styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer. An adhesive sheet for semiconductor processing, which is at least one selected from the group consisting of polymers and styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymers.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 스티렌계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 10,000 ∼ 600,000 인, 반도체 가공용 점착 시트.
The method of claim 1 or 2,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the mass average molecular weight (Mw) of the styrene-based resin is 10,000 to 600,000.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 반도체 가공용 점착 시트.
The method of claim 1 or 2,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the surface coat layer has a thickness of 0.05 to 10 μm.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층인, 반도체 가공용 점착 시트.
The method of claim 1 or 2,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the buffer layer is a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing urethane (meth)acrylate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 반도체 가공용 점착 시트.
The method of claim 1 or 2,
Adhesive sheet for semiconductor processing, used for backside grinding of semiconductor wafers.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
A step of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing according to claim 1 or 2 to the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device.
반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,
상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;
A sheet sticking process in which the adhesive sheet for semiconductor processing according to claim 1 or 2 is attached to the surface of the semiconductor wafer using the adhesive layer as a sticking surface after the step a, or before or after the step b. class,
With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground, and the groove or the modified region is used as a starting point to form a plurality of semiconductor chips. A method of manufacturing a semiconductor device comprising grinding, grinding, and segmentation processes.
표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,
상기 표면 코트층의 90 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 E’가 100 MPa 이상인, 반도체 가공용 점착 시트.
It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the storage modulus E' of the surface coat layer at 90°C is 100 MPa or more.
표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,
하기 조건으로 가열 처리한 후의 헤이즈값과 상기 가열 처리하기 전의 헤이즈값의 차 [가열 처리한 후의 헤이즈값 - 가열 처리하기 전의 헤이즈값] 가 2.0 % 이하인, 반도체 가공용 점착 시트.
(가열 처리의 조건)
연마면을 갖는 금속판 (1) 을, 상기 연마면을 상향으로 하여, 온도가 90 ℃ 로 유지된 열판 상에 재치하고, 그 금속판 (1) 의 상기 연마면 상에, 상기 점착제층에 박리 시트를 첩부한 상기 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 표면 코트층이 상기 연마면 측이 되는 방향으로 재치하고, 그 반도체 가공용 점착 시트의 박리 시트 상에, 그 박리 시트와 접촉하는 측에 연마면을 갖는 금속판 (2) 과, 추를 이 순서로 적층함으로써, 상기 반도체 가공용 점착 시트를 90 ℃ 에서 1 분간 가열 처리한다.
상기 가열 처리에 이용하는 상기 반도체 가공용 점착 시트는, 평면에서 본 형상이 직사각형상, 평면에서 본 크기가 5 cm × 5 cm 인 것으로 하고, 상기 금속판 (1) 및 상기 금속판 (2) 은, 모두, SUS304 제, 평면에서 본 형상이 직사각형상, 평면에서 본 크기가 7 cm × 15 cm, 두께가 0.5 mm, 무게가 40 g, 상기 연마면으로서, 600 번 연마에 의해 표면 마무리한 표면을 갖는 것으로 하고, 상기 추는, 무게가 1 kg, 저면이 직경 4 cm 의 원형인 원기둥형상을 갖는 것으로 한다. 상기 금속판 (1), 상기 반도체 가공용 점착 시트 및 상기 금속판 (2) 은, 각각의 4 변이 서로 평행이 되도록 재치하고, 상기 금속판 (1), 상기 반도체 가공용 점착 시트, 상기 금속판 (2) 및 상기 추는, 평면에서 본 각각의 중심점의 위치가 일치하도록 재치하는 것으로 한다.
It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the difference between the haze value after heat treatment under the following conditions and the haze value before the heat treatment (haze value after heat treatment - haze value before heat treatment) is 2.0% or less.
(Conditions of heat treatment)
A metal plate (1) having a polished surface is placed on a hot plate whose temperature is maintained at 90°C with the polished surface facing upward, and a release sheet is applied to the adhesive layer on the polished surface of the metal plate (1). The attached adhesive sheet for semiconductor processing is placed in the direction in which the surface coat layer is on the polished surface side, and on the release sheet of the adhesive sheet for semiconductor processing, a metal plate having a polished surface on the side in contact with the release sheet ( 2) The adhesive sheet for semiconductor processing is heat-treated at 90°C for 1 minute by laminating the weight and the weight in this order.
The adhesive sheet for semiconductor processing used in the heat treatment has a rectangular shape in plan view and a size of 5 cm × 5 cm in plan view, and both the metal plate 1 and the metal plate 2 are made of SUS304. First, the shape in the plan view is rectangular, the size in the plan view is 7 cm The weight is assumed to have a circular cylindrical shape with a weight of 1 kg and a bottom diameter of 4 cm. The metal plate (1), the adhesive sheet for semiconductor processing, and the metal plate (2) are placed so that their four sides are parallel to each other, and the metal plate (1), the adhesive sheet for semiconductor processing, the metal plate (2), and the weight are , the positions of each center point as seen from the plane are arranged so that they coincide.
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