KR20240015113A - 평면 트랜스포머들을 위한 공진 능력이 통합된 인쇄 회로 기판 - Google Patents

평면 트랜스포머들을 위한 공진 능력이 통합된 인쇄 회로 기판 Download PDF

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KR20240015113A
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Abstract

평면 트랜스포머는, 인쇄 회로 기판; 인쇄 회로 기판 내에 배치된 1차 평면 권취부; 인쇄 회로 기판 내에 배치된 2차 평면 권취부; 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 배치된 자기 재료, 2차 자기 플럭스 경로를 발생시키도록 구성된 자기 재료; 및 인쇄 회로 기판 주변에 그리고 인쇄 회로 기판을 통해 배치되고 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부에 자기적으로 커플링된 자기 코어, 1차 자기 플럭스 경로를 발생시키도록 구성된 자기 코어를 포함한다.

Description

평면 트랜스포머들을 위한 공진 능력이 통합된 인쇄 회로 기판
본 개시는, 대안적 플럭스 경로를 제공하고 누출 인덕턴스를 증가시키기 위해 인쇄 회로 기판 권취부들에 직접 적층된 자기 재료를 구비하는 평면 전력 트랜스포머에 관한 것이다.
평면 트랜스포머는 보통적으로 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 평평한 권취부들을 사용하는 본질적으로 트랜스포머이다. 평평한 권취부들은 코일들을 형성하기 위해 권취된 구리 와이어(wire) 대신 활용된다. 인쇄 회로 기판 구축은 일부 고유한 이점들 및 어느 정도의 절충(tradeoff)들을 제공하는 폼 팩터(form factor)를 생성한다.
전력 전자장치들에서, 더 높은 효율 및 전력 밀도에 대해 계속 증가하는 요구가 있다. 추가적으로, 고주파 자기들은 가능한 한 작아질 것이고 전자 회로들 및 디바이스들과 통합되는 것은 바람직하다. 이와 같이, 평면 트랜스포머들은 기존의 와이어 권취된 트랜스포머들을 사용했던 계속 증가하는 수의 산업들에서 사용되고 있다. 공진 스위칭이 있는 전력 변환은 데이터 센터들로부터 자동차 적용들로의 많은 적용들에서 사용된다. 평면 트랜스포머들의 최종 사용의 예시들은, AC/DC 및 DC/DC 모두 스위치 모드 전력 공급들(SMPS); 항공우주, 항공전자 기기들; 가전 제품들; 산업용 전력 시스템들; 레이더 전력 변환; 전력 전자장치들에서의 와이드 밴드갭(WBG) 디바이스 사용; 및 공진 또는 준공진 전력 컨버터들을 포함한다.
그러나, 평면 트랜스포머에서 본질적으로 낮은 누출 인덕턴스는 0-볼트(zero-volt) 또는 공진 스위칭 기술들의 사용을 제한한다. 공진 능력이 통합된 인쇄 회로 기판은 트랜지스터가 향상된 전력 시스템 효율 및 크기, 무게 및 전력 개선을 위한 연성 스위칭을 가능하게 한다.
필요되는 것은 누출 인덕턴스를 증가시키는 평면 트랜스포머이다.
본 개시에 따라, 제 1 층 및 제 1 층에 근접한 제 2 층을 구비하는 인쇄 회로 기판; 인쇄 회로 기판의 제 1 층 내에 배치된 제 1 평면 권취부; 인쇄 회로 기판의 제 2 층 내에 배치된 제 2 평면 권취부; 제 1 평면 권취부 및 제 2 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 배치된 자기 재료; 및 인쇄 회로 기판 위에 그리고 인쇄 회로 기판을 통해 배치되고 제 1 평면 권취부 및 제 2 평면 권취부에 자기적으로 커플링된 자기 코어를 포함하는 평면 트랜스포머가 제공된다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 인쇄 회로 기판이 윈도우 높이를 포함하고, 제 1 평면 권취부 및 제 2 평면 권취부가 권취 폭을 포함하고; 권취 폭에 대한 윈도우 높이의 비율은 적어도 1:1을 포함하는 것을 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 제 1 평면 권취부가 1차 평면 권취부를 포함하고; 제 2 평면 권취부가 2차 평면 권취부를 포함하는 것을 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는 제 1 권취된 권취부로 대체된 제 1 평면 권취부를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 제 1 평면 권취부에 반대되는 2차 평면 권취부에 근접한 인쇄 회로 기판에 배치된 추가적 1차 평면 권취부; 및 제 2 평면 권취부 및 추가적 1차 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 배치된 추가적 자기 재료를 더 포함하는 평면 트랜스포머를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 2차 평면 권취부를 포함하는 제 1 평면 권취부; 1차 평면 권취부를 포함하는 제 2 평면 권취부; 제 1 평면 권취부에 반대되는 1차 평면 권취부에 근접한 인쇄 회로 기판에 배치된 추가적 2차 평면 권취부; 및 1차 평면 권취부 및 추가적 2차 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 배치된 추가적 자기 재료를 더 포함하는 평면 트랜스포머를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는 초고밀도 전자장치들을 위한 컨버터 회로로 통합되는 청구항 1의 평면 트랜스포머를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
본 개시에 따라, 인쇄 회로 기판; 인쇄 회로 기판 내에 배치된 1차 평면 권취부; 인쇄 회로 기판 내에 배치된 2차 평면 권취부; 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 배치된 자기 재료, 2차 자기 플럭스 경로를 발생시키도록 구성된 자기 재료; 및 인쇄 회로 기판 주변에 그리고 인쇄 회로 기판을 통해 배치되고 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부에 자기적으로 커플링된 자기 코어, 1차 자기 플럭스 경로를 발생시키도록 구성된 자기 코어를 포함하는 평면 트랜스포머가 제공된다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 자기 코어 1차 자기 플럭스 경로로부터의 누출 인덕턴스보다 더 큰 누출 인덕턴스를 증가시키도록 구성된 2차 자기 플럭스 경로를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 어느 것의 추가 실시예는 인터리브된 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는 초고밀도 전자장치들을 위한 컨버터 회로로 통합되는 평면 트랜스포머를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 1차 평면 권취부에 반대되는 2차 평면 권취부에 근접한 인쇄 회로 기판에 배치된 추가적 1차 평면 권취부; 및 제 2 평면 권취부 및 추가적 1차 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 배치된 추가적 자기 재료를 더 포함하는 평면 트랜스포머를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 인쇄 회로 기판이 윈도우 높이를 포함하고, 제 1 평면 권취부 및 제 2 평면 권취부가 권취 폭을 포함하고; 권취 폭에 대한 윈도우 높이의 비율은 적어도 1:1을 포함하는 것을 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
본 개시에 따라, 인쇄 회로 기판; 인쇄 회로 기판 내에 1차 평면 권취부를 배치하는 단계; 1차 평면 권취부에 근접한 인쇄 회로 기판 내에 2차 평면 권취부를 배치하는 단계; 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 자기 재료를 배치하는 단계; 자기 재료로 2차 자기 플럭스 경로를 발생시키는 단계; 인쇄 회로 기판 주변에 그리고 인쇄 회로 기판을 통해 자기 코어를 배치하는 단계; 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부에 자기 코어를 자기적으로 커플링하는 단계; 자기 코어로 1차 자기 플럭스 경로를 발생시키는 단계; 및 평면 트랜스포머에서 누출 인덕턴스를 증가시키는 단계를 포함하는 평면 트랜스포머에서 누출 인덕턴스를 증가시키기 위해 제공된 프로세스이다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 1차 평면 권취부에 반대되는 2차 평면 권취부에 근접한 인쇄 회로 기판에 추가적 1차 평면 권취부를 배치하는 단계; 및 제 2 평면 권취부 및 추가적 1차 평면 권취부 사이의 인쇄 회로 기판 내에 추가적 자기 재료를 배치하는 단계를 더 포함하는 프로세스를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는, 자기 코어 1차 자기 플럭스 경로와 2차 자기 플럭스 경로의 조합을 포함하는 누출 인덕턴스를 증가시키는 단계를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 임의의 실시예의 추가 실시예는 초고밀도 전자장치들을 위한 컨버터 회로로 평면 트랜스포머를 통합하는 단계를 더 포함하는 프로세스를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
전술한 실시예들 중 어느 것의 추가 실시예는, 1차 평면 권취부 및 2차 평면 권취부를 인터리브하는 단계를 더 포함하는 프로세스를 추가적으로 및/또는 대안적으로 포함할 수 있다.
평면 트랜스포머의 다른 세부사항들은 다음의 상세한 설명 및 첨부된 도면들에서 설명되고, 유사한 참조 부호들은 유사한 요소들을 나타낸다.
도 1은 일 예시적 평면 트랜스포머의 등각 투영도이다.
도 2는 예시적 평면 트랜스포머의 분해도이다.
도 3은 예시적 평면 트랜스포머의 단면도이다.
도 4는 대안적인 예시적 평면 트랜스포머의 단면도이다.
도 5는 대안적인 예시적 평면 트랜스포머의 단면도이다.
도 6은 대안적인 예시적 평면 트랜스포머의 단면도이다.
도 7은 초고밀도 전자장치를 위한 컨버터 회로로 통합된 대안적인 예시적 평면 트랜스포머의 등각 투영도이다.
이제 도 1 및 도 2를 참조하면, 평면 트랜스포머(10)가 도시되어 있다. 평면 트랜스포머(10)는 인쇄 회로 기판(12)을 포함한다. 인쇄 회로 기판(12)은 평면 권취부(14)을 포함한다. 평면 권취부(14)는 도 2에 도시된 바와 같이 얇은 구리 시트 또는 에칭 나선형 패턴들로부터 형성될 수 있다. 인쇄 회로 기판(12)은 회로 기판(12) 안으로 적층된 층(16)들을 포함한다. 자기 재료(18)는 인쇄 회로 기판(12)의 층(16)들 사이에 적층된다. 자기 재료(18)는 인쇄 회로 기판(12) 재료와 단일형 일체형일 수 있다. 자기 재료(18)는 인쇄 회로 기판(12)의 재료 전체에 산재(intersperse)될 수 있다. 자기 재료(18)는 저손실, 고저항성 세라믹 필러 열가소성 매트릭스 재료와 같은 자기 열가소성 적층 재료들을 포함할 수 있다. 이러한 자기 재료(18)의 일 예시는 MAGTREX 555TM을 포함할 수 있다. 자기 코어(20)는, 자기 코어(20)가 1차 평면 권취부(28) 및 상기 2차 평면 권취부(32)에 자기적으로 커플링되도록 평면 권취부(14)에 근접한 인쇄 회로 기판(12) 위에 그리고 인쇄 회로 기판(12)을 통해 배치된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 권취 턴(turn)(22)의 평균 길이는 누출 인덕턴스(Llk)와 관련하여 개략적인 표현으로 도시된다. 또한 도 3을 참조하면, 평면 트랜스포머(10)의 단면도가 도시된다. 누출 인덕턴스는 윈도우 높이(24)와 직접적으로 관련되고 인쇄 회로 기판(12)의 폭(26)과 역으로 관련된다. 이 관계는 Llk ∝ lh/w로 표현될 수 있고; Llk = 누출 인덕턴스, l = 권취부 턴의 평균 길이, h = 윈도우 높이, w = 권취 폭이다. 인쇄 회로 기판(12)과 함께 짧은 윈도우 높이(24), 넓은 권취 폭(26)이 사용된 평면 자기 코어(20)는 누출 인덕턴스를 감소시킬 수 있다. 윈도우 높이(24)에 대한 코어 권취 폭(26)의 예시적 비율은 1:1 또는 그보다 높은 비율을 포함할 수 있고; 특히 2:1 또는 심지어 3:1의 비율은 기술적 이점들을 제공할 수 있다.
도 3은 제 2 층(34)에 인접한 2차 권취부(32)에 반대되는 제 1 층(30)에 인접한 1차 권취부(28)를 구비하는 인쇄 회로 기판(12)을 도시한다. 자기 재료(18)는 인쇄 회로 기판(12)의 재료 내에서 1차 권취부(28) 및 2차 권취부(32) 사이에 배치된다.
인쇄 회로 기판(12)의 성능은 벌크 자기 코어(20)의 상대 투자율과 대비하여 자기 재료(18)가 통합된 인쇄 회로 기판(12)의 상대 투자율에 의존할 수 있고, 여기서 P ∝ μA이고, μ는 자기 투과성이고 A는 자기 플럭스의 경로에 수직인 자기 재료의 단면적이다. 플럭스는 더 높은 투자율 경로를 따를 것이다. 따라서, 누출 경로(들)의 투자율은 벌크 코어의 투자율보다 훨씬 낮아야 하고, 훨씬 낮은 투자율 없이는 자기 성능에 효과적인 영향을 미치지 않는다. 도 3에 도시된 예시적인 실시예의 경우, 합리적인 투자율 범위는 Pcore > 5x 내지 100x Plk 일 수 있다. 그러나, 권취부 및 코어 형상 효과를 포함한 효과적인 투자율은 분석적으로 결정하기 어렵고 유한 요소 분석 또는 프로토타입과 같은 방법들은 누출 인덕턴스를 직접 평가하기 위해 사용된다.
인쇄 회로 기판(12)을 둘러싸는 자기 코어(20)는 도 3에 도시된 바와 같이 1차 자기 플럭스 경로(36)를 제공한다. 1차 권취부(28) 및 2차 권취부(32) 사이에 자기 재료(18)의 도입으로 추가적/2차 자기 플럭스 경로(38)들은 인쇄 회로 기판(12) 내의 자기 재료(18)에 의해 생성된다. 추가적/2차 자기 플럭스 경로(38)들은 누출 인덕턴스를 증가시키도록 작용한다. 결과적인 누출은 낮은 전자기 간섭(EMI)을 구비하고 자기 코어(20)에 내부적이다. 추가적 자기 플럭스 경로(38)들은 또한 베이스플레이트들, 인클로저(enclosure)들 또는 인근 전자장치들(미도시)과 같은 추가적 구조들에 대한 유해한 커플링을 회피하도록 도움을 준다.
또한 도 4를 참조하면 평면 트랜스포머(10)의 예시적인 실시예가 도시된다. 인쇄 회로 기판(12)은 인터리브된/대안하는 평면 권취부(40)들의 배열을 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 1차 권취부(42)는, 도시된 바와 같이 제 1 1차 권취부(42)에 반대되는 제 2 1차 권취부(46)와 함께 2차 권취부(44)에 인접하게 설정될 수 있다. 자기 재료의 제 1 층(48)은 제 1 1차 권취부(43) 및 2차 권취부(44) 사이에 배치될 수 있다. 자기 재료의 제 2 층(50)은 2차 권취부(44) 및 제 2 1차 권취부(46) 사이에 배치될 수 있다.
또한 도 5를 참조하면 평면 트랜스포머(10)의 예시적인 실시예가 도시된다. 인쇄 회로 기판(12)은 인터리브된/대안하는 평면 권취부(40)들의 배열을 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 2차 권취부(52)는, 도시된 바와 같이 제 1 2차 권취부(52)에 반대되는 제 2 2차 권취부(56)와 함께 1차 권취부(54)에 인접하게 설정될 수 있다. 자기 재료의 제 1 층(48)은 제 1 2차 권취부(52) 및 1차 권취부(54) 사이에 배치될 수 있다. 자기 재료의 제 2 층(50)은 1차 권취부(54) 및 제 2 2차 권취부(56) 사이에 배치될 수 있다. 인터리브된 배열(40)은 고주파 유도된 효과들로 인한 권취 손실들에서의 감소를 제공할 수 있고, 권취부들 사이의 개선된 커플링을 제공할 수 있다.
또한 도 6을 참조하면 하이브리드 평면 트랜스포머(60)를 갖는 예시적인 실시예가 도시된다. 하이브리드 평면 트랜스포머(60)는 권취된 권취부로 구성된 1차 권취부(62) 및 평면 권취부로 구성된 2차 권취부(64)의 배열을 갖는 인쇄 회로 기판(12)을 포함한다. 자기 재료 층(66)은 1차 권취부(62) 및 2차 권취부(64) 사이에 있을 수 있다. 다른 하이브리드 평면 트랜스포머(60) 실시예(미도시)에서, 1차 권취부(62)는 평면 권취부일 수 있고 2차 권취부(64)는 1차 권취부(62) 및 2차 권취부(64) 사이에 자기 재료 층(66)을 갖는 권취된 권취부일 수 있다. 또 다른 대안적인 실시예는, 멀티-탭 평면 트랜스포머 또는 멀티-2차 평면 트랜스포머(미도시)를 포함할 수 있다.
대안적인 실시예에서, 권취부들(28 및 32) 사이에 인쇄 회로 기판(12)과 일체형으로 적층된 자기 재료(18)로 개시된 평면 트랜스포머(10)는 도 7에 도시된 바와 같이 평면 트랜스포머(10)를 초고밀도 전자장치들을 위한 컨버터 회로로 통합하는 것을 포함한다. 예를 들어, 예시적 평면 트랜스포머(10)는, 평면 트랜스포머가 추가적 컨버터 회로와 통합되도록 컨버터로 통합될 수 있다.
개시된 평면 트랜스포머의 기술적 이점은, 더 낮은 주파수들에서 재료의 사용을 가능하게 하기 위해 개시의 자기 구조에서 낮은 투과성이 이용되기 때문에 회로 기판에 임베드될 수 있는 자기 재료들의 사용을 포함한다.
개시된 평면 트랜스포머의 또 다른 기술적 이점은 1MHz보다 작은 주파수에서 회로 기판에 임베드될 수 있는 자기 재료들을 활용하기 위한 능력을 포함한다.
개시된 평면 트랜스포머의 또 다른 기술적 이점은 벌크 자기 코어에 대한 적층된 자기 재료의 투과성의 비율이 0.25보다 작거나 그와 동일인 것을 포함한다.
개시된 평면 트랜스포머의 또 다른 기술적 이점은, 권취부들 사이의 인쇄 회로 기판에 자기 재료 적층 없이 평면 트랜스포머 약 10배의 누출 인덕턴스에서 퍼센트 증가를 포함한다.
평면 트랜스포머가 제공되었다. 평면 트랜스포머가 평면 트랜스포머의 특정 실시예들의 맥락에서 설명되었지만, 다른 예측하지 못한 대안들, 수정들 및 변형들이 전술한 설명을 읽은 통상의 기술자들에게 명백해질 수 있다. 따라서, 첨부된 청구범위의 넓은 범위 내에 속하는 이들 대안들, 수정들 및 변형들을 포괄하도록 의도된다.

Claims (18)

  1. 제 1 층 및 상기 제 1 층에 근접한 제 2 층을 구비하는 인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판의 상기 제 1 층 내에 배치된 제 1 평면 권취부;
    상기 인쇄 회로 기판의 상기 제 2 층 내에 배치된 제 2 평면 권취부;
    상기 제 1 평면 권취부 및 상기 제 2 평면 권취부 사이의 상기 인쇄 회로 기판 내에 배치된 자기 재료; 및
    상기 인쇄 회로 기판 위에 그리고 상기 인쇄 회로 기판을 통해 배치되고 상기 제 1 평면 권취부 및 상기 제 2 평면 권취부에 자기적으로 커플링된 자기 코어
    를 포함하는 평면 트랜스포머.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판은 윈도우 높이를 포함하고 상기 제 1 평면 권취부 및 제 2 평면 권취부는 권취 폭을 포함하고; 상기 권취 폭에 대한 상기 윈도우 높이의 비율은 적어도 1:1을 포함하는 평면 트랜스포머.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 평면 권취부는 1차 평면 권취부를 포함하고; 상기 제 2 평면 권취부는 2차 평면 권취부를 포함하는 평면 트랜스포머.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 평면 권취부는 제 1 권취된 권취부로 대체되는 평면 트랜스포머.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 평면 권취부에 반대되는 상기 2차 평면 권취부에 근접한 상기 인쇄 회로 기판에 배치된 추가적 1차 평면 권취부; 및
    상기 제 2 평면 권취부 및 상기 추가적 1차 평면 권취부 사이의 상기 인쇄 회로 기판 내에 배치된 추가적 자기 재료
    를 더 포함하는 평면 트랜스포머.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 평면 권취부는 2차 평면 권취부를 포함하고; 상기 제 2 평면 권취부는 1차 평면 권취부를 포함하고; 상기 평면 트랜스포머는,
    상기 제 1 평면 권취부에 반대되는 상기 1차 평면 권취부에 근접한 상기 인쇄 회로 기판에 배치된 추가적 2차 평면 권취부; 및
    상기 1차 평면 권취부 및 상기 추가적 2차 평면 권취부 사이의 상기 인쇄 회로 기판 내에 배치된 추가적 자기 재료
    를 더 포함하는 평면 트랜스포머.
  7. 제 1 항에 있어서,
    제 1 항의 상기 평면 트랜스포머는 초고밀도 전자장치들을 위한 컨버터 회로로 통합되는 평면 트랜스포머.
  8. 인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판 내에 배치된 1차 평면 권취부;
    상기 인쇄 회로 기판 내에 배치된 2차 평면 권취부;
    상기 1차 평면 권취부 및 상기 2차 평면 권취부 사이의 상기 인쇄 회로 기판 내에 배치된 자기 재료로서, 상기 자기 재료는 2차 자기 플럭스 경로를 발생시키도록 구성된, 상기 자기 재료; 및
    상기 인쇄 회로 기판 주위에 그리고 상기 인쇄 회로 기판을 통해 배치되고 상기 1차 평면 권취부 및 상기 2차 평면 권취부에 자기적으로 커플링된 자기 코어로서, 상기 자기 코어는 1차 자기 플럭스 경로를 발생시키도록 구성된, 상기 자기 코어
    를 포함하는 평면 트랜스포머.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 2차 자기 플럭스 경로는 상기 자기 코어 1차 자기 플럭스 경로로부터 누출 인덕턴스보다 큰 상기 누출 인덕턴스를 증가시키도록 구성되는 평면 트랜스포머.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 1차 평면 권취부 및 상기 2차 평면 권취부는 인터리브되는 평면 트랜스포머.
  11. 제 9 항에 있어서,
    제 8 항의 상기 평면 트랜스포머는 초고밀도 전자장치들을 위한 컨버터 회로로 통합되는 평면 트랜스포머.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 1차 평면 권취부에 반대되는 상기 2차 평면 권취부에 근접한 상기 인쇄 회로 기판에 배치된 추가적 1차 평면 권취부; 및
    상기 제 2 평면 권취부 및 상기 추가적 1차 평면 권취부 사이의 상기 인쇄 회로 기판 내에 배치된 추가적 자기 재료
    를 더 포함하는 평면 트랜스포머.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판은 윈도우 높이를 포함하고 상기 제 1 평면 권취부 및 제 2 평면 권취부는 권취 폭을 포함하고; 상기 권취 폭에 대한 상기 윈도우 높이의 비율은 적어도 1:1을 포함하는 평면 트랜스포머.
  14. 평면 트랜스포머에서 누출 인덕턴스를 증가시키기 위한 프로세스에 있어서,
    인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판 내에 1차 평면 권취부를 배치하는 단계;
    상기 1차 평면 권취부에 근접한 상기 인쇄 회로 기판 내에 2차 평면 권취부를 배치하는 단계;
    상기 1차 평면 권취부 및 상기 2차 평면 권취부 사이의 상기 인쇄 회로 기판 내에 자기 재료를 배치하는 단계;
    상기 자기 재료로 2차 자기 플럭스 경로를 발생시키는 단계;
    상기 인쇄 회로 기판 주위에 그리고 상기 인쇄 회로 기판을 통해 자기 코어를 배치하는 단계;
    상기 자기 코어를 상기 1차 평면 권취부 및 상기 2차 평면 권취부에 자기적으로 커플링하는 단계;
    상기 자기 코어로 1차 자기 플럭스 경로를 발생시키는 단계; 및
    상기 평면 트랜스포머에서 상기 누출 인덕턴스를 증가시키는 단계
    를 포함하는 프로세스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 1차 평면 권취부에 반대되는 상기 2차 평면 권취부에 근접한 상기 인쇄 회로 기판에 추가적 1차 평면 권취부를 배치하는 단계; 및
    상기 제 2 평면 권취부 및 상기 추가적 1차 평면 권취부 사이의 상기 인쇄 회로 기판 내에 추가적 자기 재료를 배치하는 단계
    를 더 포함하는 프로세스.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 누출 인덕턴스를 증가시키는 단계는 상기 자기 코어 1차 자기 플럭스 경로와 상기 2차 자기 플럭스 경로의 조합을 포함하는 프로세스.
  17. 제 14 항에 있어서,
    초고밀도 전자장치들을 위한 컨버터 회로로 제 14 항의 상기 평면 트랜스포머를 통합하는 단계를 더 포함하는 프로세스.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 1차 평면 권취부 및 상기 2차 평면 권취부를 인터리브하는 단계를 더 포함하는 프로세스.
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