KR20240013095A - 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 - Google Patents

레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240013095A
KR20240013095A KR1020237035679A KR20237035679A KR20240013095A KR 20240013095 A KR20240013095 A KR 20240013095A KR 1020237035679 A KR1020237035679 A KR 1020237035679A KR 20237035679 A KR20237035679 A KR 20237035679A KR 20240013095 A KR20240013095 A KR 20240013095A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
modified region
modified
laser
crack
control
Prior art date
Application number
KR1020237035679A
Other languages
English (en)
Inventor
다카후미 오기와라
하야테 조안
Original Assignee
하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 filed Critical 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Publication of KR20240013095A publication Critical patent/KR20240013095A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/044—Seam tracking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/046—Automatically focusing the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B23K26/0861—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane in at least in three axial directions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

레이저 가공 장치는, 레이저 조사 유닛과 제어부를 구비하고, 제어부는, X 방향으로 연장되는 라인 각각을 따라, 분할용의 개질 영역이 형성되고 이 개질 영역으로부터 표면 방향으로 균열이 연장되도록 레이저 조사 유닛을 제어하는 제1 제어와, 제1 제어 후에서, Y 방향으로 복수의 라인 각각을 따라, 분할용의 개질 영역이 형성되고 이 개질 영역으로부터 표면 방향으로 균열이 연장되도록 레이저 조사 유닛을 제어하는 제2 제어와, 제2 제어 전에서, 휨 억제용의 복수의 개질 영역으로부터 연장되는 균열이, 이면에 도달함과 아울러 분할용의 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않게 형성되도록, 레이저 조사 유닛을 제어하는 제3 제어를 실행하도록 구성되어 있다.

Description

레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
본 발명의 일 태양은, 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 기판과, 반도체 기판의 일방의 표면에 형성된 기능 소자층을 구비하는 웨이퍼를 복수의 라인 각각을 따라 절단하기 위하여, 반도체 기판의 타방의 면측으로부터 웨이퍼에 레이저광을 조사하는 것에 의해, 복수의 라인 각각을 따라 반도체 기판의 내부에 복수 열의 분할(절단)용의 개질 영역을 형성하는 레이저 가공 장치가 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조). 이러한 레이저 가공 장치에서는, 개질 영역을 형성하는 가공 후에, 개질 영역을 연삭(硏削)하는 것에 의해, 항절(抗折) 강도가 강한 반도체 칩을 생산할 수 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 제376209호 공보
상술한 바와 같은 레이저 가공 장치를 이용한 레이저 가공에서는, 서로 교차하는 복수의 라인을 따라 차례로 분할용의 개질 영역의 형성이 행해지는 경우가 있다. 이 경우, 먼저 레이저광이 조사되는 라인(제1 라인)을 따른 개질 영역의 형성에 의해서 웨이퍼에 휨이 생기고, 당해 웨이퍼의 휨의 영향에 의해서, 후에 레이저광이 조사되는 교차하는 라인(제2 라인)의 가공의 정밀도가 저하될 우려가 있다. 즉, 휨이 생긴 상태에서, 후에 레이저광이 조사되는 라인(제2 라인)의 가공이 실시되면, 제2 라인의 가공 시에서의 레이저광의 집광 스폿 조정을 위한 오토 포커스 등의 정밀도를 담보하는 것이 어려워지고, 적절히 개질 영역의 형성 등이 행해질 수 없게 될 우려가 있다.
본 발명의 일 태양은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 대상물에 대하여 적절히 분할용의 개질 영역을 형성하고, 레이저 가공 정밀도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양에 관한 레이저 가공 장치는, 제1 면과 제1 면의 반대측의 제2 면을 포함하는 대상물의 제1 면을 입사면으로 하여 대상물에 레이저광을 조사하는 레이저 조사부와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 입사면을 따르는 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 라인 각각을 따라, 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광의 조사에 의해서 대상물의 내부에 분할용의 제1 개질 영역이 형성되고 이 제1 개질 영역으로부터 제2 면 방향으로 균열이 연장되도록 레이저 조사부를 제어하는 제1 제어와, 제1 제어 후에서, 제1 방향에 교차함과 아울러 입사면을 따르는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 라인 각각을 따라, 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광의 조사에 의해서 대상물의 내부에 분할용의 제2 개질 영역이 형성되고 이 제2 개질 영역으로부터 제2 면 방향으로 균열이 연장되도록 레이저 조사부를 제어하는 제2 제어와, 제2 제어 전에서, 레이저광의 조사에 의해서 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제3 개질 영역이 형성되고 이 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이, 제1 면에 도달함과 아울러 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않게 형성되도록, 레이저 조사부를 제어하는 제3 제어를 실행하도록 구성되어 있다.
본 발명의 일 태양에 관한 레이저 가공 장치에서는, 레이저광의 조사에 의해서, 입사면을 따르는 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 라인 각각을 따라 분할용의 제1 개질 영역이 형성되고 제1 개질 영역으로부터 제2 면 방향으로 연장되는 균열이 형성되고, 그 후에, 레이저광의 조사에 의해서, 제1 방향에 교차함과 아울러 입사면을 따르는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 라인 각각을 따라 분할용의 제2 개질 영역이 형성되고 제2 개질 영역으로부터 제2 면 방향으로 연장되는 균열이 형성된다. 이와 같이, 서로 교차하는 복수의 라인을 따라 차례로 개질 영역의 형성이 행해지는 경우, 먼저 레이저광이 조사되는 라인(제1 라인)을 따른 제1 개질 영역의 형성에 의해서 대상물에 휨이 생기고, 당해 대상물의 휨의 영향에 의해서, 후에 레이저광이 조사되는 라인(제2 라인)의 가공의 정밀도가 저하될 우려가 있다. 대상물의 휨은, 구체적으로는, 제1 개질 영역의 형성 및 제1 개질 영역으로부터 제2 면 방향으로 연장되는 균열의 형성에 의해서, 대상물의 편면(片面)(여기에서는, 균열이 주로 연장되는 방향인 제2 면)에 응력이 집중하는 것에 의해 생긴다. 이러한 대상물의 휨은, 대상물이 미소 칩인 경우나 비교적 큰 균열을 형성하는 경우에서 특히 현저하게 된다. 그리고, 휨이 생긴 상태에서, 후에 레이저광이 조사되는 라인(제2 라인)의 가공이 실시되면, 제2 라인의 가공 시에서의 레이저광의 집광 스폿 조정을 위한 오토 포커스 등의 정밀도를 담보하는 것이 어려워져, 적절히 제2 개질 영역의 형성 등을 실시할 수 없게 될 우려가 있다.
이 점, 본 발명의 일 태양에 관한 레이저 가공 장치에서는, 제2 라인의 가공에 관한 제어(제2 제어)에 선행하여, 레이저광의 조사에 의해 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제3 개질 영역이 형성되고, 당해 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이, 제1 면에 도달함과 아울러 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않도록 형성된다. 이와 같이, 분할용의 제1 개질 영역의 형성에 의해서 응력이 집중되는 제2 면과는 반대측의 제1 면에 균열이 도달하도록 제3 개질 영역이 형성되는 것에 의해서, 응력의 국재화(局在化)가 완화되고, 대상물의 휨을 경감할 수 있다. 이것에 의해, 휨 억제용의 제3 개질 영역의 형성 후에 실시되는 제2 라인의 가공에서, 적절히 제2 개질 영역을 형성하는 것이 가능하게 된다. 그리고, 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않도록 형성되어 있는 것에 의해, 휨 억제용의 제3 개질 영역이 형성되는 것에 의해서 의도하지 않은 대상물의 갈라짐이 발생하는 것을 적절히 억제할 수 있다. 이상과 같이, 본 발명의 일 태양에 관한 레이저 가공 장치에 의하면, 대상물의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 억제하면서, 대상물에 대하여 적절히 분할용의 개질 영역을 형성할 수 있고, 레이저 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제어부는, 제3 제어에서, 제2 방향에서의 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 제3 개질 영역이 형성되도록, 레이저 조사부를 제어하여도 된다. 이것에 의해, 제1 개질 영역으로부터의 균열과 제3 개질 영역으로부터의 균열이 연속하는 것을 적절히 회피할 수 있어, 대상물의 의도하지 않는 갈라짐이 생기는 것을 보다 바람직하게 억제할 수 있다.
제어부는, 제3 제어에서, 제2 방향에서 서로 인접하는 2개의 제1 라인 각각의 형성 위치의 제2 방향에서의 중간의 위치에 제3 개질 영역이 형성되도록, 레이저 조사부를 제어하여도 된다. 2개의 제1 라인 사이에 끼워진 정확히 한가운데의 위치에 제3 개질 영역이 형성되는 것에 의해, 어느 제1 라인의 개질 영역과도 제3 개질 영역과의 이간 거리를 크게 할 수 있어, 제1 개질 영역의 균열과 제3 개질 영역의 균열이 연속하는 것을 적절히 회피할 수 있다. 이것에 의해, 대상물의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 보다 바람직하게 억제할 수 있다.
레이저 조사부는, 설정된 변조 패턴을 따라 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기를 가지고 있고, 제어부는, 제3 제어에서, 제2 방향에서의 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 제3 개질 영역이 형성되도록 변조 패턴을 설정하여도 된다. 이와 같이, 공간 광 변조기의 변조 패턴의 설정에 의해서 제3 개질 영역의 형성 위치가 조정되는 것에 의해, 스테이지 동작에 의해서 개질 영역의 형성 위치가 변경되는 경우와 비교하여, 가공 시간을 단축할 수 있다.
레이저 조사부는, 설정된 변조 패턴을 따라 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기를 가지고 있고, 제어부는, 제1 제어 및 제3 제어 중 적어도 어느 일방에서, 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 제1 면측의 단부의 위치가, 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 제2 면측의 단부의 위치와 다르도록, 변조 패턴을 설정하여도 된다. 이와 같이, 공간 광 변조기의 변조 패턴의 설정에 의해서 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 단부의 위치가 조정되는 것에 의해, 균열의 단부의 위치를 적절히 조정하여, 균열끼리가 연속하는 것에 의해서 대상물의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 보다 바람직하게 억제할 수 있다.
제어부는, 제3 제어에서, 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열보다도 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이 짧게 되도록, 레이저 조사부를 제어하여도 된다. 휨 억제용의 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 대해서는, 분할용의 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열과 달리, 분할에 기여시키고 싶은 균열은 아니기 때문에, 짧게 되는 것에 의해, 균열끼리가 연속하는 것에 의해서 대상물의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 보다 바람직하게 억제할 수 있다.
제어부는, 제3 제어에서는, 제2 방향에서, 제1 개질 영역의 수보다도 많은 수의 제3 개질 영역이 형성되도록, 레이저 조사부를 제어하여도 된다. 상술한 바와 같이, 적절한 분할을 행하는 점에서는 휨 억제용의 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열을 짧게 하고 싶다. 그러나, 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이 짧게 되었을 경우에는, 휨 억제의 효과가 충분히 발휘되지 않을 우려가 있다. 이 점, 제2 방향에서 제3 개질 영역의 수가 많게(제1 개질 영역 보다도 많게) 되는 것에 의해, 다수의 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 의해서, 휨 억제 효과에 대해서도 충분히 발휘하면서, 대상물의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 억제할 수 있다.
제어부는, 제3 제어에서, 대상물의 제2 방향에서의 중앙부의 제3 개질 영역과 양단부의 제3 개질 영역을 비교한 경우에, 양단부의 쪽이 제2 방향에서의 제3 개질 영역의 수가 많게 되는 것, 및 양단부의 쪽이 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 길이가 길게 되는 것 중 적어도 어느 일방이 만족되도록 제3 개질 영역이 형성되도록, 레이저 조사부를 제어하여도 된다. 제1 개질 영역이 형성되는 것에 의한 대상물의 휨은, 제2 방향에서의 양단부일수록 현저해진다. 이 점, 대상물의 제2 방향에서의 중앙부보다도 양단부에서, 제3 개질 영역의 수가 많게 되거나, 또는, 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 길이가 길게 되는 것에 의해, 휨이 현저해지는 제2 방향 양단부에서의 대상물의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
제어부는, 제1 제어에서의 어느 하나의 제1 라인에 관한 제1 개질 영역의 형성과, 제3 제어에서의 제3 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하도록, 레이저 조사부를 제어하여도 된다. 제1 개질 영역의 형성에 의한 대상물의 휨은, 복수의 제1 라인에 관한 제1 개질 영역의 형성이 진행되는 것에 따라 서서히 진행한다. 그 때문에, 먼저 가공이 실시되는 제1 라인의 가공의 영향은, 후에 가공이 실시되는 제1 라인의 가공에 미치게 된다. 즉, 복수의 제1 라인 중, 비교적 후반에 가공이 실시되는 제1 라인의 가공에서는, 대상물이 휘어진 상태에서 제1 개질 영역이 형성되게 되므로, 예를 들면 대상물의 제2 면에 대하여 비스듬하게 균열이 연장되거나, 가공 위치 정밀도가 악화되거나, 가공 시의 흡착 불량이 생길 우려가 있다. 이 점, 분할용의 제1 개질 영역의 형성과 휨 억제용의 제3 개질 영역의 형성이 교호로 실시되는 것에 의해, 먼저 실시된 제1 라인의 가공의 영향이 후에 실시되는 제1 라인의 가공에 미치는 것이 억제되어, 대상물에 대하여 적절히 분할용의 제1 개질 영역을 형성할 수 있다.
제어부는, 레이저광의 조사에 의해서 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제4 개질 영역이 형성되고 이 제4 개질 영역으로부터 연장되는 균열이, 제1 면에 도달함과 아울러 제2 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않게 형성되도록, 레이저 조사부를 제어하는 제4 제어를 더 실행하도록 구성되어 있고, 제2 제어에서의 어느 하나의 제2 라인에 관한 제2 개질 영역의 형성과, 제4 제어에서의 제4 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하도록, 레이저 조사부를 제어하여도 된다. 이와 같이, 제2 라인에 관한 제2 개질 영역의 형성과, 휨 억제용의 제4 개질 영역의 형성이 교호로 실시되는 것에 의해, 먼저 실시된 제2 라인의 가공의 영향이 후에 실시되는 제2 라인의 가공에 미치는 것이 억제되어, 대상물에 대하여 적절히 분할용의 제2 개질 영역을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 태양에 관한 레이저 가공 방법은, 제1 면과 제1 면의 반대측의 제2 면을 포함하는 대상물의 제1 면을 입사면으로 하여 대상물에 레이저광을 조사하고, 대상물의 레이저 가공을 행하는 레이저 가공 방법으로서, 입사면을 따르는 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 라인 각각을 따라, 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광의 조사에 의해서 대상물의 내부에 분할용의 제1 개질 영역을 형성하고, 이 제1 개질 영역으로부터 제2 면 방향으로 연장되는 균열을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정 후에서, 제1 방향에 교차함과 아울러 입사면을 따르는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 라인 각각을 따라, 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광의 조사에 의해서 대상물의 내부에 분할용의 제2 개질 영역을 형성하고, 이 제2 개질 영역으로부터 제2 면 방향으로 연장되는 균열을 형성하는 제2 공정과, 제2 공정 전에서, 레이저광의 조사에 의해서 사기 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제3 개질 영역을 형성하고, 이 제3 개질 영역으로부터 제1 면에 도달함과 아울러 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않는 균열을 형성하는 제3 공정을 구비한다.
제3 공정에서는, 제2 방향에서의 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 제3 개질 영역을 형성하여도 된다.
제3 공정에서는, 제2 방향에서 서로 이웃하는 2개의 제1 라인 각각의 형성 위치의 제2 방향에서의 중간의 위치에 제3 개질 영역을 형성하여도 된다.
제3 공정에서는, 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기의 변조 패턴을 설정하는 것에 의해, 제2 방향에서의 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 제3 개질 영역을 형성하여도 된다.
제1 공정 및 제3 공정 중 적어도 어느 일방에서는, 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기의 변조 패턴을 설정하는 것에 의해, 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 제1 면측의 단부의 위치와, 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 제2 면측의 단부의 위치를 다르게 하여도 된다.
제3 공정에서는, 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열보다도 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이 짧게 되도록, 제3 개질 영역을 형성하여도 된다.
제3 공정에서는, 제2 방향에서, 제1 개질 영역의 수보다도 많은 수의 제3 개질 영역을 형성하여도 된다.
제3 공정에서는, 대상물의 제2 방향에서의 중앙부의 제2 개질 영역과 양단부의 제3 영역을 비교한 경우에, 양단부의 쪽이 제2 방향에서의 제3 개질 영역의 수가 많게 되는 것, 및 양단부의 쪽이 제3 영역으로부터 연장되는 균열의 길이가 짧게 되는 것 중 적어도 어느 일방이 만족되도록 제3 개질 영역을 형성하여도 된다.
제1 공정에서의 어느 하나의 제1 라인에 관한 제1 개질 영역의 형성과, 제3 제어에서의 제3 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하여도 된다.
상기 레이저 가공 방법은, 레이저광의 조사에 의해서 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제4 개질 영역을 형성하고, 이 제4 개질 영역으로부터 제1 면에 도달함과 아울러 제2 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않는 균열을 형성하는 제4 공정을 더 구비하고, 제2 공정에서의 어느 하나의 제2 라인에 관한 제2 개질 영역의 형성과, 제4 공정에서의 제4 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하여도 된다.
본 발명의 일 태양에 의하면, 대상물에 대하여 적절히 분할용의 개질 영역을 형성하고, 레이저 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 1은, 일 실시 형태의 검사 장치의 구성도이다.
도 2는, 일 실시 형태의 웨이퍼의 평면도이다.
도 3은, 도 2에 나타내어지는 웨이퍼의 일부분의 단면도이다.
도 4는, 도 1에 나타내어지는 레이저 조사 유닛의 구성도이다.
도 5는, 도 4에 나타내어지는 4f 렌즈 유닛을 나타내는 도면이다.
도 6은, 도 4에 나타내어지는 공간 광 변조기를 나타내는 도면이다.
도 7은, 도 1에 나타내어지는 검사용 촬상 유닛의 구성도이다.
도 8은, 도 1에 나타내어지는 얼라이먼트 보정용 촬상 유닛의 구성도이다.
도 9는, 웨이퍼 휨의 발생 원리를 설명하는 도면이다.
도 10은, CH1 가공 후의 CH2 가공 진행 방향의 휨을 나타내는 도면이다.
도 11은, CH2 가공 시의 AF(오토 포커스) 추종 불량에 대하여 설명하는 도면이다.
도 12는, 휨 억제용의 개질 영역의 형성에 대하여 설명하는 도면이다.
도 13은, 칩 중앙 위치 부근에서의 휨 억제용의 개질 영역의 형성에 대하여 설명하는 도면이다.
도 14는, 다점분기 가공에 의한 휨 억제용의 개질 영역의 형성에 대하여 설명하는 도면이다.
도 15는, 웨이퍼의 외주 부분에서의 휨을 중점적으로 억제하기 위한 가공 방법에 대하여 설명하는 도면이다.
도 16은, 휨 억제용의 개질 영역의 형성 태양 별, CH1 가공 후의 CH2 가공 진행 방향의 휨을 나타내는 도면이다.
도 17은, 공간 광 변조기의 변조 패턴 설정에 의한 가공 위치 시프트를 설명하는 도면이다.
도 18은, 공간 광 변조기의 변조 패턴 설정에 의한 경사 균열의 형성을 설명하는 도면이다.
도 19는, CH1 후반 가공 시의 가공 안정 악화에 대하여 설명하는 도면이다.
도 20은, 분할용의 개질 영역과 휨 억제용의 개질 영역을 교호로 형성하는 가공 방법을 설명하는 도면이다.
도 21은, 본 실시 형태에 관한 작용 효과를 설명하는 도면이며, CH1 가공 후의 CH2 가공 진행 방향의 휨을 나타내는 도면이다.
도 22는, 본 실시 형태에 관한 작용 효과를 설명하는 도면이며, CH2 가공 후의 웨이퍼의 휨을 나타내는 도면이다.
도 23은, CH1 가공 후의 CH1 가공 진행 방향의 휨을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다.
[검사 장치의 구성]
도 1에 나타내어지는 바와 같이, 레이저 가공 장치(1)는, 스테이지(2)와, 레이저 조사 유닛(3)과, 복수의 촬상 유닛(4, 5, 6)과, 구동 유닛(9)과, 제어부(8)와, 디스플레이(150)(표시부)를 구비하고 있다. 레이저 가공 장치(1)는, 대상물(11)에 레이저광(L)을 조사하는 것에 의해, 대상물(11)에 개질 영역(12)을 형성하는 장치이다.
스테이지(2)는, 예를 들면 대상물(11)에 첩부(貼付)된 필름을 흡착하는 것에 의해, 대상물(11)을 지지한다. 스테이지(2)는, X 방향 및 Y 방향 각각을 따라 이동 가능하고, Z 방향에 평행한 축선을 중심선으로 하여 회전 가능하다. 또한, X 방향 및 Y 방향은, 서로 수직인 제1 수평 방향 및 제2 수평 방향이며, Z 방향은, 연직 방향이다.
레이저 조사 유닛(3)은, 대상물(11)에 대하여 투과성을 가지는 레이저광(L)을 집광하여 대상물(11)에 조사한다. 스테이지(2)에 지지된 대상물(11)의 내부에 레이저광(L)이 집광되면, 레이저광(L)의 집광 스폿(C)에 대응하는 부분에서의 레이저광(L)이 특히 흡수되고, 대상물(11)의 내부에 개질 영역(12)이 형성된다.
개질 영역(12)은, 밀도, 굴절률, 기계적 강도, 그 외의 물리적 특성이 주위의 비개질 영역과는 다른 영역이다. 개질 영역(12)으로서는, 예를 들면, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역 등이 있다. 개질 영역(12)은, 개질 영역(12)으로부터 레이저광(L)의 입사측 및 그 반대측으로 균열이 연장되기 쉽다고 하는 특성을 가지고 있다. 이러한 개질 영역(12)의 특성은, 대상물(11)의 절단에 이용된다.
일 예로서, 스테이지(2)를 X 방향을 따라 이동시키고, 대상물(11)에 대하여 집광 스폿(C)을 X 방향을 따라 상대적으로 이동시키면, 복수의 개질 스폿(12s)이 X 방향을 따라 1열로 늘어서도록 형성된다. 1개의 개질 스폿(12s)은, 1 펄스의 레이저광(L)의 조사에 의해서 형성된다. 1열의 개질 영역(12)은, 1열로 늘어선 복수의 개질 스폿(12s)의 집합이다. 서로 이웃하는 개질 스폿(12s)은, 대상물(11)에 대한 집광 스폿(C)의 상대적인 이동 속도 및 레이저광(L)의 반복 주파수에 의해서, 서로 연결되는 경우도, 서로 떨어지는 경우도 있다.
촬상 유닛(4)은, 대상물(11)에 형성된 개질 영역(12), 및 개질 영역(12)으로부터 연장된 균열의 선단을 촬상 가능하게 구성되어 있다. 또한, 촬상 유닛(4)에 대하여는, 필수의 구성요소는 아니지만, 본 실시 형태에서는 레이저 가공 장치(1)가 촬상 유닛(4)을 가지고 있는 것으로 설명한다.
촬상 유닛(5) 및 촬상 유닛(6)은, 제어부(8)의 제어 하에서, 스테이지(2)에 지지된 대상물(11)을, 대상물(11)을 투과하는 광에 의해 촬상한다. 촬상 유닛(5, 6)이 촬상하는 것에 의해 얻어진 화상은, 일 예로서 레이저광(L)의 조사 위치의 얼라이먼트에 제공된다. 또한, 촬상 유닛(5, 6)에 대하여는, 필수의 구성요소는 아니지만, 본 실시 형태에서는 레이저 가공 장치(1)가 촬상 유닛(5, 6)을 가지고 있는 것으로 설명한다.
구동 유닛(9)은, 레이저 조사 유닛(3) 및 복수의 촬상 유닛(4, 5, 6)을 지지하고 있다. 구동 유닛(9)은, 레이저 조사 유닛(3) 및 복수의 촬상 유닛(4, 5, 6)을 Z 방향을 따라 이동시킨다.
제어부(8)는, 스테이지(2), 레이저 조사 유닛(3), 복수의 촬상 유닛(4, 5, 6), 및 구동 유닛(9)의 동작을 제어한다. 제어부(8)는, 프로세서, 메모리, 스토리지 및 통신 디바이스 등을 포함하는 컴퓨터 장치로서 구성되어 있다. 제어부(8)에서는, 프로세서가, 메모리 등에 읽혀 넣어진 소프트웨어(프로그램)를 실행하고, 메모리 및 스토리지에서의 데이터의 읽어내기 및 써넣기, 및, 통신 디바이스에 의한 통신을 제어한다.
디스플레이(150)는, 유저로부터 정보의 입력을 접수하는 입력부로서의 기능과, 유저에 대하여 정보를 표시하는 표시부로서의 기능을 가지고 있다.
[대상물의 구성]
본 실시 형태의 대상물(11)은, 도 2 및 도 3에 나타내어지는 바와 같이, 웨이퍼(20)이다. 웨이퍼(20)는, 반도체 기판(21)과, 기능 소자층(22)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(20)는 기능 소자층(22)을 가지는 것으로 하여 설명하지만, 웨이퍼(20)는 기능 소자층(22)을 가지고 있어도 가지고 있지 않아도 되고, 베어 웨이퍼여도 된다. 반도체 기판(21)은, 표면(21a) 및 이면(21b)을 가지고 있다. 반도체 기판(21)은, 예를 들면, 실리콘 기판이다. 기능 소자층(22)은, 반도체 기판(21)의 표면(21a)에 형성되어 있다. 기능 소자층(22)은, 표면(21a)을 따라 2차원으로 배열된 복수의 기능 소자(22a)를 포함하고 있다. 기능 소자(22a)는, 예를 들면, 포토 다이오드 등의 수광 소자, 레이저 다이오드 등의 발광 소자, 메모리 등의 회로 소자 등이다. 기능 소자(22a)는, 복수의 층이 스택되어 3차원적으로 구성되는 경우도 있다. 또한, 반도체 기판(21)에는, 결정 방위를 나타내는 노치(21c)가 마련되어 있지만, 노치(21c) 대신에 오리엔테이션 플랫이 마련되어 있어도 된다.
웨이퍼(20)는, 복수의 라인(15) 각각을 따라 기능 소자(22a)마다 절단된다. 복수의 라인(15)은, 웨이퍼(20)의 두께 방향으로부터 보았을 경우에 복수의 기능 소자(22a) 각각의 사이를 통과하고 있다. 보다 구체적으로는, 라인(15)은, 웨이퍼(20)의 두께 방향으로부터 보았을 경우에 스트리트 영역(23)의 중심(폭 방향에서의 중심)을 통과하고 있다. 스트리트 영역(23)은, 기능 소자층(22)에서, 서로 이웃하는 기능 소자(22a)의 사이를 통과하도록 연재하여 있다. 본 실시 형태에서는, 복수의 기능 소자(22a)는, 표면(21a)을 따라 매트릭스 모양으로 배열되어 있고, 복수의 라인(15)은, 격자 모양으로 설정되어 있다. 즉, 웨이퍼(20)에서는, X 방향으로 연장되는 복수의 라인(15)(제1 라인)과, Y 방향으로 연장되는 복수의 라인(15)(제2 라인)이 설정되어 있다. 또한, 라인(15)은, 가상적인 라인이지만, 실제로 그어진 라인이어도 된다.
[레이저 조사 유닛의 구성]
도 4에 나타내어지는 바와 같이, 레이저 조사 유닛(3)은, 광원(31)(레이저 조사부)과, 공간 광 변조기(7)와, 집광 렌즈(33)와, 4f 렌즈 유닛(34)을 가지고 있다. 광원(31)은, 예를 들면 펄스 발진 방식에 의해서, 레이저광(L)을 출력한다. 공간 광 변조기(7)는, 광원(31)으로부터 출력된 레이저광(L)을 변조한다. 공간 광 변조기(7)는, 예를 들면 반사형 액정(LCOS: Liquid Crystal on Silicon)의 공간 광 변조기(SLM: Spatial Light Modulator)이다. 집광 렌즈(33)는, 공간 광 변조기(7)에 의해서 변조된 레이저광(L)을 집광한다. 또한, 집광 렌즈(33)는, 보정환 렌즈여도 된다.
본 실시 형태에서는, 레이저 조사 유닛(3)은, 복수의 라인(15) 각각을 따라 반도체 기판(21)의 이면(21b)측으로부터 웨이퍼(20)에 레이저광(L)을 조사하는 것에 의해, 복수의 라인(15) 각각을 따라 반도체 기판(21)의 내부에 개질 영역(12)(예를 들면 2열의 개질 영역(12a, 12b))을 형성한다. 개질 영역(12a)은, 2열의 개질 영역(12a, 12b) 중 표면(21a)에 가장 가까운 개질 영역이다. 개질 영역(12b)은, 2열의 개질 영역(12a, 12b) 중, 개질 영역(12a)에 가장 가까운 개질 영역으로, 이면(21b)에 가장 가까운 개질 영역이다.
2열의 개질 영역(12a, 12b)은, 웨이퍼(20)의 두께 방향(Z 방향)에서 이웃하고 있다. 2열의 개질 영역(12a, 12b)은, 반도체 기판(21)에 대하여 2개의 집광 스폿(C1, C2)이 라인(15)을 따라 상대적으로 이동시켜지는 것에 의해 형성된다. 레이저광(L)은, 예를 들면 집광 스폿(C1)에 대하여 집광 스폿(C2)이 진행 방향의 후측이면서 또한 레이저광(L)의 입사측에 위치하도록, 공간 광 변조기(7)에 의해서 변조된다. 또한, 개질 영역의 형성에 관해서는, 단초점이어도 다초점이어도 되고, 1개의 절단 예정 라인에 1열의 개질 영역을 형성(1패스)해도 복수열의 개질 영역을 형성(복수 패스)해도 된다.
이러한 2열의 개질 영역(12a, 12b) 및 균열(14)의 형성은, 다음과 같은 경우에 실시된다. 즉, 후의 공정에서, 예를 들면, 반도체 기판(21)의 이면(21b)을 연삭하는 것에 의해 반도체 기판(21)을 박화함과 아울러 균열(14)을 이면(21b)에 노출시키고, 복수의 라인(15) 각각을 따라 웨이퍼(20)를 복수의 반도체 디바이스로 절단하는 경우이다.
도 5에 나타내어지는 바와 같이, 4f 렌즈 유닛(34)은, 공간 광 변조기(7)로부터 집광 렌즈(33)를 향하는 레이저광(L)의 광로 상에 배열된 한쌍의 렌즈(34A, 34B)를 가지고 있다. 한쌍의 렌즈(34A, 34B)는, 공간 광 변조기(7)의 변조면(7a)과 집광 렌즈(33)의 입사동면(동면)(33a)이 결상 관계에 있는 양측 텔레센트릭 광학계를 구성하고 있다. 이것에 의해, 공간 광 변조기(7)의 변조면(7a)에서의 레이저광(L)의 상(像)(공간 광 변조기(7)에서 변조된 레이저광(L)의 상(像))이, 집광 렌즈(33)의 입사동면(33a)에 전상(결상)된다. 또한, 도면 중의 Fs는 푸리에면을 나타낸다.
도 6에 나타내어지는 바와 같이, 공간 광 변조기(7)는, 반사형 액정(LCOS: Liquid Crystal on Silicon)의 공간 광 변조기(SLM: Spatial Light Modulator)이다. 공간 광 변조기(7)는, 반도체 기판(71) 상에, 구동 회로층(72), 화소 전극층(73), 반사막(74), 배향막(75), 액정층(76), 배향막(77), 투명 도전막(78) 및 투명 기판(79)이 이 순서로 적층됨으로써, 구성되어 있다.
반도체 기판(71)은, 예를 들면, 실리콘 기판이다. 구동 회로층(72)은, 반도체 기판(71) 상에서, 액티브·매트릭스 회로를 구성하고 있다. 화소 전극층(73)은, 반도체 기판(71)의 표면을 따라 매트릭스 모양으로 배열된 복수의 화소 전극(73a)을 포함하고 있다. 각 화소 전극(73a)은, 예를 들면, 알루미늄 등의 금속 재료에 의해서 형성되어 있다. 각 화소 전극(73a)에는, 구동 회로층(72)에 의해서 전압이 인가된다.
반사막(74)은, 예를 들면, 유전체 다층막이다. 배향막(75)은, 액정층(76)에서의 반사막(74)측의 표면에 마련되어 있고, 배향막(77)은, 액정층(76)에서의 반사막(74)과는 반대측의 표면에 마련되어 있다. 각 배향막(75, 77)은, 예를 들면, 폴리이미드 등의 고분자 재료에 의해서 형성되어 있고, 각 배향막(75, 77)에서의 액정층(76)과의 접촉면에는, 예를 들면, 러빙 처리가 실시되어 있다. 배향막(75, 77)은, 액정층(76)에 포함되는 액정 분자(76a)를 일정 방향으로 배열시킨다.
투명 도전막(78)은, 투명 기판(79)에서의 배향막(77)측의 표면에 마련되어 있고, 액정층(76) 등을 사이에 두고 화소 전극층(73)과 마주하고 있다. 투명 기판(79)은, 예를 들면, 유리 기판이다. 투명 도전막(78)은, 예를 들면, ITO 등의 광 투과성 또한 도전성 재료에 의해서 형성되어 있다. 투명 기판(79) 및 투명 도전막(78)은, 레이저광(L)을 투과시킨다.
이상과 같이 구성된 공간 광 변조기(7)에서는, 변조 패턴을 나타내는 신호가 제어부(8)로부터 구동 회로층(72)에 입력되면, 당해 신호에 따른 전압이 각 화소 전극(73a)에 인가되고, 각 화소 전극(73a)과 투명 도전막(78)과의 사이에 전계가 형성된다. 당해 전계가 형성되면, 액정층(76)에서, 각 화소 전극(73a)에 대응하는 영역마다 액정 분자(76a)의 배열 방향이 변화하고, 각 화소 전극(73a)에 대응하는 영역마다 굴절률이 변화한다. 이 상태가, 액정층(76)에 변조 패턴이 표시된 상태이다. 변조 패턴은, 레이저광(L)을 변조하기 위한 것이다.
즉, 액정층(76)에 변조 패턴이 표시된 상태에서, 레이저광(L)이, 외부로부터 투명 기판(79) 및 투명 도전막(78)을 거쳐 액정층(76)에 입사하고, 반사막(74)에서 반사되어, 액정층(76)으로부터 투명 도전막(78) 및 투명 기판(79)을 거쳐 외부로 출사되면, 액정층(76)에 표시된 변조 패턴에 따라, 레이저광(L)이 변조된다. 이와 같이, 공간 광 변조기(7)에 의하면, 액정층(76)에 표시하는 변조 패턴을 적절히 설정함으로써, 레이저광(L)의 변조(예를 들면, 레이저광(L)의 강도, 진폭, 위상, 편광 등의 변조)가 가능하다. 또한, 도 5에 나타난 변조면(7a)은, 예를 들면 액정층(76)이다.
이상과 같이, 광원(31)으로부터 출력된 레이저광(L)이, 공간 광 변조기(7) 및 4f 렌즈 유닛(34)을 거쳐 집광 렌즈(33)에 입사되고, 집광 렌즈(33)에 의해서 대상물(11) 내로 집광되는 것에 의해, 그 집광 스폿(C)에서 대상물(11)에 개질 영역(12) 및 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열이 형성된다. 또한, 제어부(8)가 스테이지(2)를 제어하는 것에 의해, 집광 스폿(C)을 웨이퍼(20)에 대하여 상대 이동시키는 것에 의해, 집광 스폿(C)의 이동 방향을 따라 개질 영역(12) 및 균열이 형성되게 된다.
도 4에 나타내어지는 바와 같이, 레이저 조사 유닛(3)은, AF(오토 포커스) 유닛(91)(측정부, 측정 유닛)을 더 가지고 있다. AF 유닛(91)은, 웨이퍼(20)에서의 입사면인 이면(21b)에 두께 방향(Z 방향)의 변위(굴곡)가 존재하는 경우에서도, 이면(21b)으로부터 소정 거리의 위치에 레이저광(L)의 집광 스폿을 정밀도 좋게 맞추기 위한 구성이다. AF 유닛(91)은, 광원(31)에 의해서 웨이퍼(20)에 조사되는 레이저광(L)의 집광 스폿을 조정하기 위해서, 이면(21b)(측정 대상면)에서의 변위를 측정한다. AF 유닛(91)은, 구체적으로는, AF용 레이저광(LA)(측정 광)을 이면(21b)에 조사함과 아울러, 이면(21b)에서의 AF용 레이저광(LA)의 반사광을 수광하여 검출하는 것에 의해, 이면(21b)의 변위 데이터를 취득한다(변위를 측정한다).
AF 유닛(91)은, AF용 레이저광(LA)을 출력하는 AF용 광원(91a)과, AF용 레이저광(LA)의 반사광을 수광하여 검출하는 변위 검출부(91b)를 가지고 있다. AF용 광원(91a)으로부터 출사된 AF용 레이저광(LA)은, AF용 다이클로익 미러(92)에서 반사되고, 집광 렌즈(33)를 거쳐 이면(21b)에 조사된다. 이와 같이, AF용 레이저광(LA)과 레이저광(L)은, 동일한 집광 렌즈(33)로부터 웨이퍼(20)에 조사된다(동축이다). 그리고, 이면(21b)에서의 AF용 레이저광(LA)의 반사광은, AF용 다이클로익 미러(92)에서 반사되어 변위 검출부(91b)에 검출된다. 변위 검출부(91b)는, 예를 들면 4 분할 포토 다이오드를 포함하여 구성되어 있다. 4 분할 포토 다이오드는, AF용 레이저광(LA)의 반사광의 집광상(集光像)을 분할하여 수광하고, 각각의 광량에 따른 전압값을 출력하는 구성이다. 당해 집광상은, AF용 레이저광(LA)의 반사광에 비점수차가 부가되어 있기 때문에, AF용 레이저광(LA)의 집광 스폿에 대하여 웨이퍼(20)의 이면(21b)이 어느 위치에 있는지에 의해서, 형상(세로 길이, 진원, 가로 길이)이 변화한다. 즉, 집광상은, 집광 스폿에 대한 웨이퍼(20)의 이면(21b)의 위치에 따라 변화한다. 그 때문에, 4 분할 포토 다이오드로부터 출력되는 전압값은, AF용 레이저광(LA)의 집광 스폿에 대한 웨이퍼(20)의 이면(21b)의 위치에 따라 변화하게 된다.
변위 검출부(91b)의 4 분할 포토 다이오드로부터 출력되는 전압값은, 제어부(8)에 입력된다. 제어부(8)는, 변위 검출부(91b)의 4 분할 포토 다이오드로부터 출력된 전압값에 기초하여, AF용 레이저광(LA)의 집광 스폿에 대한 웨이퍼(20)의 이면(21b)의 위치에 관한 위치 정보로서 연산값을 연산한다. 그리고, 제어부(8)는, 당해 연산값에 기초하여, 구동 유닛(9)(액츄에이터)를 제어하여, 광원(31)으로부터 조사되는 레이저광(L)의 집광 스폿의 위치가 이면(21b)으로부터 일정한 깊이가 되도록 집광 렌즈(33)의 위치를 상하 방향으로 미세 조정한다. 이와 같이, 레이저광(L)에 의한 레이저 가공과 함께(레이저 가공에 선행하여) AF 유닛(91)에 의한 측거 결과에 기초하는 제어를 행하는 것에 의해, 입사면인 이면(21b)에 굴곡이 존재하는 경우에서도, 이면(21b)으로부터 소정 거리의 위치에 레이저광(L)의 집광 스폿을 정밀도 좋게 맞출 수 있다.
[검사용 촬상 유닛의 구성]
도 7에 나타내어지는 바와 같이, 촬상 유닛(4)(촬상부)은, 광원(41)과, 미러(42)와, 대물 렌즈(43)와, 광 검출부(44)를 가지고 있다. 촬상 유닛(4)은 웨이퍼(20)를 촬상한다. 광원(41)은, 반도체 기판(21)에 대하여 투과성을 가지는 광(I1)을 출력한다. 광원(41)은, 예를 들면, 할로겐 램프 및 필터에 의해서 구성되어 있고, 근적외 영역의 광(I1)을 출력한다. 광원(41)으로부터 출력된 광(I1)은, 미러(42)에 의해서 반사되어 대물 렌즈(43)를 통과하고, 반도체 기판(21)의 이면(21b)측으로부터 웨이퍼(20)에 조사된다. 이 때, 스테이지(2)는, 상술한 바와 같이 2열의 개질 영역(12a, 12b)이 형성된 웨이퍼(20)를 지지하고 있다.
대물 렌즈(43)는, 반도체 기판(21)의 표면(21a)에서 반사된 광(I1)을 통과시킨다. 즉, 대물 렌즈(43)는, 반도체 기판(21)을 전반(傳搬)한 광(I1)을 통과시킨다. 대물 렌즈(43)의 개구수(NA)는, 예를 들면 0.45 이상이다. 대물 렌즈(43)는, 보정환(43a)을 가지고 있다. 보정환(43a)은, 예를 들면 대물 렌즈(43)를 구성하는 복수의 렌즈에서의 상호간의 거리를 조정하는 것에 의해, 반도체 기판(21) 내에서의 광(I1)에 생기는 수차를 보정한다. 또한, 수차를 보정하는 수단은, 보정환(43a)에 한정되지 않고, 공간 광 변조기 등의 그 외의 보정 수단이어도 된다. 광 검출부(44)는, 대물 렌즈(43) 및 미러(42)를 투과한 광(I1)을 검출한다. 광 검출부(44)는, 예를 들면, InGaAs 카메라에 의해서 구성되어 있고, 근적외 영역의 광(I1)을 검출한다. 또한, 근적외 영역의 광(I1)을 검출(촬상)하는 수단은 InGaAs 카메라에 한정되지 않고, 투과형 콘포컬 현미경 등, 투과형의 촬상을 행하는 것이면 그 외의 촬상 수단이어도 된다.
촬상 유닛(4)은, 2열의 개질 영역(12a, 12b) 각각, 및, 복수의 균열(14a, 14b, 14c, 14d) 각각의 선단을 촬상할 수 있다. 균열(14a)은, 개질 영역(12a)으로부터 표면(21a)측으로 연장되는 균열이다. 균열(14b)은, 개질 영역(12a)으로부터 이면(21b)측으로 연장되는 균열이다. 균열(14c)은, 개질 영역(12b)으로부터 표면(21a)측으로 연장되는 균열이다. 균열(14d)은, 개질 영역(12b)으로부터 이면(21b)측으로 연장되는 균열이다.
[얼라이먼트 보정용 촬상 유닛의 구성]
도 8에 나타내어지는 바와 같이, 촬상 유닛(5)은, 광원(51)과, 미러(52)와, 렌즈(53)와, 광 검출부(54)를 가지고 있다. 광원(51)은, 반도체 기판(21)에 대하여 투과성을 가지는 광(I2)을 출력한다. 광원(51)은, 예를 들면, 할로겐 램프 및 필터에 의해서 구성되어 있고, 근적외 영역의 광(I2)을 출력한다. 광원(51)은, 촬상 유닛(4)의 광원(41)과 공통화되어 있어도 된다. 광원(51)으로부터 출력된 광(I2)은, 미러(52)에 의해서 반사되어 렌즈(53)를 통과하고, 반도체 기판(21)의 이면(21b)측으로부터 웨이퍼(20)에 조사된다.
렌즈(53)는, 반도체 기판(21)의 표면(21a)에서 반사된 광(I2)을 통과시킨다. 즉, 렌즈(53)는, 반도체 기판(21)을 전반한 광(I2)을 통과시킨다. 렌즈(53)의 개구수는, 0.3 이하이다. 즉, 촬상 유닛(4)의 대물 렌즈(43)의 개구수는, 렌즈(53)의 개구수보다도 크다. 광 검출부(54)는, 렌즈(53) 및 미러(52)를 통과한 광(I2)을 검출한다. 광 검출부(54)는, 예를 들면, InGaAs 카메라에 의해서 구성되어 있고, 근적외 영역의 광(I2)을 검출한다. 또한, 광 검출부(54)는, SD 카메라여도 되고, 투과성을 가지지 않는 광을 검출하는 것이어도 된다.
촬상 유닛(5)은, 제어부(8)의 제어 하에서, 이면(21b)측으로부터 광(I2)을 웨이퍼(20)에 조사함과 아울러, 표면(21a)(기능 소자층(22))로부터 돌아오는 광(I2)을 검출하는 것에 의해, 기능 소자층(22)을 촬상한다. 또한, 촬상 유닛(5)은, 마찬가지로, 제어부(8)의 제어 하에서, 이면(21b)측으로부터 광(I2)을 웨이퍼(20)에 조사함과 아울러, 반도체 기판(21)에서의 개질 영역(12a, 12b)의 형성 위치로부터 돌아오는 광(I2)을 검출하는 것에 의해, 개질 영역(12a, 12b)을 포함하는 영역의 화상을 취득한다. 이들 화상은, 레이저광(L)의 조사 위치의 얼라이먼트에 이용된다. 촬상 유닛(6)은, 렌즈(53)가 보다 저배율(예를 들면, 촬상 유닛(5)에서는 6배이며, 촬상 유닛(6)에서는 1.5배)인 점을 제외하고, 촬상 유닛(5)과 마찬가지의 구성을 구비하고, 촬상 유닛(5)과 마찬가지로 얼라이먼트에 이용된다.
[레이저 가공 방법의 상세]
이하에서는, 레이저 가공 장치(1)가 실시하는 레이저 가공 방법의 상세에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법은, 이면(21b)(제1 면)과, 이면(21b)의 반대측의 표면(21a)(제2 면)을 포함하는 웨이퍼(20)(대상물)의 이면(21b)을 입사면으로 하여 웨이퍼(20)에 레이저광(L)을 조사하고, 웨이퍼(20)의 레이저 가공을 행하는 레이저 가공 방법이다. 본 레이저 가공 방법은, 제1 공정과, 당해 제1 공정 보다도 후에 실시되는 제2 공정을 포함하고 있다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼(20)는 복수의 라인(15) 각각을 따라 기능 소자(22a)마다로 절단된다. 제1 공정에서는, 이면(21b)을 따르는 X 방향(제1 방향)으로 연장되는 복수의 라인(15)(제1 라인, 도 2 참조) 각각을 따라, 레이저 조사를 행한다. 제2 공정에서는, 이면(21b)을 따르는 Y 방향(제2 방향)으로 연장되는 복수의 라인(15)(제2 라인, 도 2 참조) 각각을 따라, 레이저 조사를 행한다. 이하에서는, 제1 공정의 가공을 CH1 가공, 제2 공정의 가공을 CH2 가공으로서 설명하는 경우가 있다.
상세하게는, 제1 공정의 가공(CH1 가공)에서는, X 방향으로 연장되는 복수의 라인(15) 각각을 따라, 레이저광(L)의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광(L)의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 분할용의 개질 영역(12)(제1 개질 영역)를 형성하고, 당해 개질 영역(12)으로부터 표면(21a) 방향으로 연장되는 균열(14)을 형성한다. 제어부(8)는, 이러한 균열(14)이 형성되도록 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다(제1 제어). 여기에서는, 제1 공정에서, 균열(14)이 표면(21a)에 도달한 소위 BHC(Bottom side half-cut) 상태가 되도록, 개질 영역(12)이 형성되는 것으로 한다. 또한, 제1 공정에서는, 균열(14)이 표면(21a)에 도달하고 있지 않은 소위 ST(Stealth) 상태가 되도록, 개질 영역(12)이 형성되어도 된다. 또, 제2 공정의 가공(CH2 가공)에서는, Y 방향으로 연장되는 복수의 라인(15) 각각을 따라, 레이저광(L)의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광(L)의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 분할용의 개질 영역(12)(제2 개질 영역)을 형성하고, 이 개질 영역(12)으로부터 표면(21a) 방향으로 연장되는 균열(14)을 형성한다. 제어부(8)는, 이러한 균열(14)이 형성되도록 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다(제2 제어). 여기에서는, 제2 공정에서, 균열(14)이 표면(21a)에 도달한 소위 BHC 상태가 되도록, 개질 영역(12)이 형성되는 것으로 한다. 또한, 제2 공정에서는, 균열(14)이 표면(21a)에 도달하고 있지 않은 소위 ST 상태가 되도록, 개질 영역(12)이 형성되어도 된다.
여기서, 상술한 CH1 가공 및 CH2 가공과 같이, 서로 교차하는 복수의 라인(15)을 따라 차례로 개질 영역(12)의 형성이 행해지는 경우, 먼저 레이저광(L)이 조사되는 X 방향으로 연장되는 라인(15)(제1 라인)을 따른 개질 영역(12)의 형성에 의해서, 웨이퍼(20)에 휨이 생기는 일이 있다. 도 9는, 웨이퍼(20)의 휨의 발생 원리를 설명하는 도면이다. 웨이퍼(20)의 휨은, 구체적으로는, 도 9에 나타내어지는 바와 같이, 개질 영역(12)의 형성 및 개질 영역(12)으로부터 표면(21a) 방향으로 연장되는 균열(14)의 형성에 의해서, 웨이퍼(20)의 편면(片面)(여기에서는, 균열(14)이 도달하고 있는 표면(21a))에 응력이 집중하는 것에 의해 생긴다. 도 9에 나타내어지는 예에서는, CH1 가공에서 X 방향으로 연장됨과 아울러 Y 방향에서 서로 이웃하고 있는 복수의 라인(15)(제1 라인)에 차례로 개질 영역(12)이 형성되어 균열(14)이 표면(21a) 방향으로 연장되는 것에 의해, 특히 웨이퍼(20)의 Y 방향의 양단부측에서 휨량이 커지게 되어 있다. 즉, CH1 가공에 의해서, CH2 가공에서의 가공 진행 방향인 Y 방향에서의 휨이 생기고 있다. 이러한 웨이퍼(20)의 휨은, 웨이퍼(20)가 미소 칩인 경우나 웨이퍼(20)에 비교적 큰 균열(14)을 형성하는 경우에서 특히 현저하게 된다.
도 10은, CH1 가공 후이면서 또한 CH2 가공 전의, CH2 가공 진행 방향에서의 휨을 나타내는 도면이다. 도 10에서, 횡축은 CH2의 가공 진행 방향(웨이퍼(20)의 폭 방향)을 나타내고 있고, 종축은 전압값으로 나타내어지는 변위량을 나타내고 있다. 종축의 전압값 1V는, 예를 들면 8μm 정도의 변위량에 상당한다. 도 10에는, 워크 사이즈: 775μm(65mm×36mm 소편), 칩 사이즈: 1mm, 연삭 후의 마무리 두께: 80μm, 분할용의 개질 영역: 3패스(총 균열 약 300μm, BHC 균열 약 80μm), 측정점: 소편의 단부로부터 1.5mm의 위치의 조건으로 CH1 가공을 행했을 경우의 결과의 일 예가 나타내어져 있다. 도 10으로부터도 명백한 바와 같이, CH1 가공 후에서는, CH2 가공 진행 방향의 양단부(웨이퍼 에지부)에서 휨량이 크게 되어 있다.
도 11은, CH1 가공 후에서의 CH2 가공 시의 AF(오토 포커스) 추종 불량에 대하여 설명하는 도면이다. 상술한 바와 같이, 레이저 조사 유닛(3)에서는, AF 유닛(91)에 의해서, 이면(21b)으로부터의 반사광이 검출되는 것에 의해 이면(21b)의 변위 데이터가 취득된다. 그렇지만, CH1 가공 후에서는 상술한 바와 같이 웨이퍼 에지부에서의 휨량이 크게 되어 있고, AF 추종 불량이 생기고, AF 유닛(91)에 의해서도 이면(21b)의 정확한 변위 데이터를 취득할 수 없을 우려가 있다. 이것에 의해서, CH2 가공 시의 개질 영역(12)(제2 개질 영역) 형성의 정밀도가 악화될 우려가 있다.
그래서, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법에서는, 제2 공정 전에서, 휨 억제에 관한 제3 공정을 실시한다. 제3 공정에서는, 제2 공정 전에서, 레이저광(L)의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 휨 억제용의 개질 영역(12)(제3 개질 영역)을 형성하고, 이 개질 영역(12)으로부터 입사면인 이면(21b)에 도달함과 아울러, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)에 연속하지 않은 균열(114)(도 12 참조)을 형성한다. 이 경우, 제어부(8)는, 레이저광(L)의 조사에 의해서 복수의 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이 이면(21b)에 도달함과 아울러 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)에 연속하지 않게 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다(제3 제어).
도 12는, 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성에 대하여 설명하는 도면이다. 도 12에 나타내어지는 바와 같이, CH1 가공에서 분할용의 개질 영역(12)이 형성되고, 이 개질 영역(12)으로부터 표면(21a) 방향으로 균열(14)이 형성되는 것으로 한다. CH1 가공에서의 분할용의 개질 영역(12) 및 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)은, 예를 들면, X 방향으로 연장되는 라인(15)(제1 라인)이 형성된, 스트리트 영역(23)의 중앙에 형성된다. 이 경우, 제3 공정에서는, 도 12에 나타내어지는 바와 같이, Y 방향에서의, 분할용의 개질 영역(12)(균열(14)에 관한 개질 영역(12))과 다른 위치(분할용의 개질 영역(12)으로부터 어긋난 위치)에, 휨 억제용의 개질 영역(12)(균열(114)에 관한 개질 영역(12))을 형성한다. 즉, 제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서의 분할용의 개질 영역(12)의 형성 위치와 다른 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다. 제3 공정에서는, 균열(114)이 이면(21b)에 도달한 소위 HC(Half-cut) 상태가 되도록, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성한다. 이와 같이, HC 상태가 되는 것에 의해, 휨 억제용의 개질 영역(12) 유래의 휨이 생기고, 분할용의 개질 영역(12) 유래의 휨을 보다 경감할 수 있다(자세한 것은 후술). 분할용의 개질 영역(12)의 위치와 휨 억제용의 개질 영역(12)의 위치(및 균열(14)의 위치와 균열(114)의 위치)와의 어긋남 방식은 한정되지 않지만, 예를 들면, 스테이지(2)의 동작, 또는, 공간 광 변조기(7)의 Y 시프트 패턴(자세한 것은 후술)에 의해서 실시된다.
제3 공정에서는, Y 방향에서 서로 이웃하는 2개의 라인(15)(제1 라인) 각각의 형성 위치의 Y 방향에서의 중간의 위치에, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하여도 된다. 이 경우, 제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서 서로 이웃하는 2개의 라인(15)(제1 라인) 각각의 형성 위치의 Y 방향에서의 중간의 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다. 상술한 바와 같이, Y 방향에서 서로 이웃하여 X 방향으로 연장되는 라인(15)(제1 라인)에는, CH1 가공에서 분할용의 개질 영역(12) 및 당해 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)이 형성된다. 그 때문에, Y 방향에서 서로 이웃하는 2개의 라인(15) 각각의 형성 위치의 Y 방향에서의 중간의 위치는, 절단(분할) 후의 칩 중앙 위치가 된다. 도 13은, 칩 중앙 위치 부근에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성에 대하여 설명하는 도면이다. 제3 공정에서, 이러한 칩 중앙 위치에, 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되는 것에 의해, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)과, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)과의 이간 거리를 최대화할 수 있고, 이들 균열이 연속하는 것에 의한 웨이퍼 갈라짐 리스크를 저감할 수 있다. 또한, 도 13의 (a)에 나타내어지는 바와 같이, 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되는 칩 중앙 위치 부근이 기능 소자(22a) 상(上)이 되기 때문에, 액티브 에어리어 상에 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하게 되지만, 제3 공정에서의 집광 스폿으로부터 기능 소자(22a)까지의 거리를 충분히 멀게 할 수 있기 때문에, 제3 공정의 레이저 조사에 관한 빠짐광에 의해서 기능 소자(22a)가 손상되는 것은 아니다. 그리고, 도 13의 (b)에 나타내어지는 바와 같이, 휨 억제용의 개질 영역(12)에 대하여는 후의 연삭에서 제거되기 때문에, 제3 공정에서 액티브 에어리어 상에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되어 있어도, 칩화된 반도체 디바이스에 영향을 미치는 것은 아니다.
제3 공정에서는, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)보다도 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이 짧게 되도록, 균열(114)을 형성하여도 된다. 또한, 제3 공정에서는, 균열(114)의 길이를 상기와 같이 짧게 하면서, 제2 방향에서, 분할용의 개질 영역(12)보다도 많은 수의 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하여도 된다. 도 14는, 다점분기 가공에 의한 휨 억제용의 개질 영역의 형성에 대하여 설명하는 도면이다. 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 길이를 짧게 하면서 휨 억제용의 개질 영역(12)의 수를 많이 하는 가공 방법으로서, 예를 들면, 공간 광 변조기(7)에 설정되는 변조 패턴(다점분기 패턴)을 이용한 다점분기 가공이 실시되어도 된다. 이 경우, 제어부(8)는, 균열(14)보다도 균열(114)이 짧게 되고, 또한, 분할용의 개질 영역(12)보다도 많은 수의 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록, 변조 패턴(다점분기 패턴)을 공간 광 변조기(7)에 설정한다. 도 14에 나타내어지는 바와 같이, 공간 광 변조기(7)의 다점분기 가공에 의해서, 한 번에 다수의 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성된다. 또, 집광 스폿 수가 늘려져 에너지가 분산되는 것에 의해, 수직 방향의 균열(114)을 짧게(웨이퍼 갈라짐 리스크를 작게)할 수 있다. 이러한, 공간 광 변조기(7)에 설정되는 변조 패턴(다점분기 패턴)을 이용한 다점분기 가공에 의하면, 택트를 떨어뜨리지 않고, 웨이퍼 갈라짐 리스크를 저감한 휨 억제 가공이 가능하다. 또한, 균열(14)보다도 균열(114)을 짧게 함과 아울러, 분할용의 개질 영역(12)보다도 많은 수의 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하는 방법은, 공간 광 변조기(7)에 의한 다점분기 가공으로 한정되지 않고, 예를 들면, 테이블을 이송하여 1 라인씩 가공되어도 된다.
제3 공정에서는, 휨량이 크게 되는 웨이퍼(20)의 외주 부분(CH2 가공 진행 방향의 양단부인 웨이퍼 에지부)의 휨을 중점적으로 억제하도록, 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되어도 된다. 도 15는, 웨이퍼(20)의 외주 부분에서의 휨을 중점적으로 억제하기 위한 가공 방법에 대하여 설명하는 도면이다. 도 15의 (a)에 나타내어지는 바와 같이, 제3 공정에서는, 웨이퍼(20)의 Y 방향에서의 중앙부의 휨 억제용의 개질 영역(12)과 양단부의 휨 억제용의 개질 영역(12)을 비교했을 경우에, 양단부 쪽이 제2 방향에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 수가 많아지도록, 장소에 의해서 가공 인덱스를 변경하여, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성해도 된다. 이 경우, 제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서의 양단부 쪽이 휨 억제용의 개질 영역(12)의 수가 많아지도록 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다. 또한, 도 15의 (b)에 나타내어지는 바와 같이, 제3 공정에서는, 웨이퍼(20)의 Y 방향에서의 중앙부의 휨 억제용의 개질 영역(12)과 양단부의 휨 억제용의 개질 영역(12)을 비교했을 경우에, 양단부의 균열(114)인 균열(114L)의 길이가 중앙부의 균열(114)인 균열(114S)과 비교하여 길어지도록, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성해도 된다. 이 경우, 제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서의 양단부 쪽이 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 길이가 길어지도록 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다.
도 16은, 휨 억제용의 개질 영역의 형성 태양 별, CH1 가공 후의 CH2 가공 진행 방향의 휨을 나타내는 도면이다. 도 16에서, 횡축은 CH2의 가공 진행 방향(웨이퍼(20)의 폭 방향)을 나타내고 있고, 종축은 전압값으로 나타내어지는 변위량을 나타내고 있다. 종축의 전압값 1V는, 예를 들면 8μm정도의 변위량에 상당한다. 도 16에는, 워크 사이즈: 775μm(65mm×36mm 소편), 칩 사이즈: 1mm, 연삭 후의 마무리 두께: 80μm, 분할용의 개질 영역: 3패스(총 균열 약 300μm, BHC 균열 약 80μm), 측정점: 소편의 단부로부터 1.5 mm의 위치의 조건으로 CH1 가공을 행했을 경우의 결과의 일 예가 나타내어져 있다. 도 16에는, 분할용의 개질 영역(12)만을 형성했을 경우(패턴 1), 분할용의 개질 영역(12)을 형성함과 아울러 동수의 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성했을 경우(패턴 2), 및, 패턴 2에 더하여 웨이퍼(20)의 외주 부분인 에지 10mm 부분에 대하여는 휨 억제용의 개질 영역(12)을 2라인 형성했을 경우(패턴 3) 각각에 대하여, 휨량(변위량)이 나타내어져 있다. 도 16에 나타내어지는 바와 같이, 패턴 3을 채용했을 경우에는, 휨량이 커지기 쉬운 웨이퍼(20)의 외주 부분에 대하여도, 휨량을 억제할 수 있다.
또한, 도 15의 (c)에 나타내어지는 바와 같이, 제3 공정에서는, 웨이퍼(20)의 중앙부의 휨 억제용의 개질 영역(12)이 솎아 내어지도록, 각 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되어도 된다. 예를 들면, 웨이퍼(20)의 중앙부에서는 휨량이 매우 작고, 양단부에서만 휨이 크게 되어 있는 경우에는, 이와 같이, 웨이퍼(20)의 중앙부의 휨 억제용의 개질 영역(12)이 솎아 내어져도, 웨이퍼(20)의 휨을 적절히 억제할 수 있다.
제3 공정에서는, 레이저광(L)을 변조하는 공간 광 변조기(7)의 변조 패턴(집광 스폿을 시프트시키는 변조 패턴)을 설정하는 것에 의해, Y 방향에서의 분할용의 개질 영역(12)과 다른 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성해도 된다. 즉, 제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서의 분할용의 개질 영역(12)의 형성 위치와는 다른 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록 변조 패턴을 설정해도 된다. 도 17은, 공간 광 변조기(7)의 변조 패턴 설정에 의한 가공 위치 시프트를 설명하는 도면이다. 도 17에 나타내어지는 예에서는, 제1 공정에서 분할용의 개질 영역(12)의 집광 스폿을 기준 집광 위치로부터 -Y 방향으로 시프트시키고 있고, 제3 공정에서 휨 억제용의 개질 영역(12)의 집광 스폿을 기준 집광 위치로부터 +Y 방향으로 시프트시키고 있다. 이것에 의해, 분할용의 개질 영역(12) 및 휨 억제용의 개질 영역(12)을 Y 방향에서 역방향으로 시프트할 수 있고, 이들 개질 영역(12)끼리의 위치 및 이들 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14, 114)을 충분히 이간시킬 수 있다. 그리고, 제1 공정 및 제3 공정에서, 변조 패턴의 전환만에 의해서 가공 위치를 시프트시킬 수 있기 때문에, 스테이지(2)를 동작시키는 경우와 비교하여, 가공에 걸리는 처리 시간을 단축할 수 있다.
제1 공정 및 제3 공정 중 적어도 어느 일방에서는, 공간 광 변조기(7)의 변조 패턴을 설정하는 것에 의해, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)의 이면(21b)측의 단부의 위치와, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 표면(21a)측의 표면(21a)측의 단부의 위치를 다르게 해도 된다. 즉, 제어부(8)는, 제1 제어 및 제3 제어 중 적어도 어느 일방에서, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)의 이면(21b)측의 단부의 위치가, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 표면(21a)측의 단부의 위치와 다르도록, 변조 패턴을 설정하여도 된다. 여기에서는, 제1 공정에서 공간 광 변조기(7)의 변조 패턴을 설정하는 것에 의해, 균열(14)의 이면(21b)측의 단부의 위치와 균열(114)의 표면(21a)측의 단부의 위치를 다르게 하는 것으로 설명한다. 구체적으로는, 제1 공정에서, Z 방향 및 Y 방향에 대하여 경사지는 균열(14)을 형성하는 것에 의해, 균열(14)의 이면(21b)측의 단부의 위치와 균열(114)의 표면(21a)측의 단부의 위치를 다르게 한다(도 18의 (a) 참조).
도 18은, 공간 광 변조기의 변조 패턴 설정에 의한 경사 균열의 형성을 설명하는 도면이다. 도 18의 (a)에 나타내어지는 예에서는, 제1 공정에서, 분할용의 2열의 개질 영역(12)을 형성하고 있고, 표면(21a)측의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14A)에 대하여는 라인(15)을 따라 연장되도록 형성하고, 이면(21b)측의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14B)에 대하여는 균열(14A)에 연속함과 아울러 Z 방향 및 Y 방향에 대해서 경사지는 경사 균열로서 형성하고 있다. 이것에 의해, 예를 들면 도 18의 (a)에 나타내어지는 바와 같이 제3 공정에서 균열(14A)과 Y 방향에서의 동일한 위치에 균열(114)이 형성되도록 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되는 경우에서도, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)(상세하게는 균열(14B))의 이면(21b)측의 단부의 위치와 균열(114)의 표면(21a)측의 단부의 위치를 다르게 할 수 있다. 그리고, 균열(14B)에 이어지는 균열(14A)에 대하여는 라인(15)을 따라 연장되어 있기 때문에, 분할용의 균열(14)로서 요구되는 위치 및 방향으로 적절히 균열(14)(상세하게는 균열(14A))을 연장시킬 수 있다.
도 18의 (b)에 나타내어지는 예에서는, 분할용의 3열의 개질 영역(12)을 형성하고 있고, 가장 표면(21a)측의 개질 영역(12)(도 18의 (b)에서의 SD1)에 대하여는 라인(15)을 따라 균열(14A)이 연장되도록 형성되어 있다. 또한, 공간 광 변조기(7)의 변조 패턴의 설정(Y 시프트 및 코마 수차의 설정)에 의해서, 한가운데의 개질 영역(12)(도 18의 (b)에서의 SD2)에 대하여는 SD1로부터 Y 방향으로 시프트함과 아울러 거기로부터 경사 균열(14B)이 연장되어 있고, 가장 이면(21b)측의 개질 영역(12)(도 18의 (b)에서의 SD3)에 대하여는 SD2로부터 더 Y 방향으로 시프트함과 아울러 거기로부터 경사 균열(14C)이 연장되어 있다. 경사 균열(14B)은 균열(14A) 및 경사 균열(14C)에 연속하고 있고, 경사 균열(14B) 및 경사 균열(14C)은 동일한 방향(경사 방향)으로 연장되어 있다.
여기까지는, 제1 공정의 가공(CH1 가공)에 의해서 웨이퍼(20)에 휨이 생기고 제2 공정의 가공(CH2 가공)에 악영향이 나오는 것을 억제하기 위하여, 제2 공정 전의 제3 공정에서 웨이퍼(20)의 내부에 휨 억제용의 개질 영역(12)(제3 개질 영역)을 형성하는 것을 설명해 왔다. 여기서, CH1 가공에서의 개질 영역(12)의 형성에 의한 웨이퍼(20)의 휨은, 복수의 라인(15)에 관한 분할용의 개질 영역(12)의 형성이 진행됨에 따라 서서히 진행한다. 그 때문에, CH1 가공에서, 먼저 가공이 실시되는 라인(15)의 가공의 영향은, 후에 가공이 실시되는 라인(15)의 가공에 미쳐지게 된다. 즉, CH1 가공에서, 복수의 라인(15) 중, 비교적 후반에 가공이 실시되는 라인(15)의 가공에서는, 웨이퍼(20)가 휘어진 상태에서 분할용의 개질 영역(12)이 형성될 가능성이 있고, 이 경우, 가공 안정성이 악화될 우려가 있다.
도 19는, CH1 후반 가공 시의 가공 안정 악화에 대해 설명하는 도면이다. 도 19에 나타내어지는 바와 같이, 이미 복수의 라인에 대하여 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 균열(14)이 연장되어 있는 상태에서는, 웨이퍼(20)에 휨이 생기고 있다. 이 상태에서, CH1 가공에서 추가적인 분할용의 개질 영역(12)의 형성을 위하여 레이저광(L)이 조사되면, 웨이퍼(20)의 디바이스면에 대하여 비스듬하게 균열(14)이 연장되는 것, 가공 위치 정밀도가 악화되는 것 등이 문제가 된다. 또한, 웨이퍼(20)가 휘어진 상태에서는 스테이지(2)에서의 웨이퍼(20)의 흡착 불량이 생기는 일이 있다. 이와 같이, CH1 후반 가공 시에서는, 안정적으로 정밀도 좋게 가공을 실시하는 것이 어려운 경우가 있다.
이러한 사정을 감안하여, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법에서는, 제1 공정에서의 어느 라인(15)에 관한 분할용의 개질 영역(12)의 형성과, 제3 공정에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성을, 교호로 실시해도 된다. 즉, 제어부(8)는, 제1 제어에서의 어느 라인(15)에 관한 분할용의 개질 영역(12)의 형성과, 제3 제어에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성을, 교호로 실시하도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어한다. 여기서의 교호로 실시란, 완전하게 1대 1로 교호로 실시하는 경우뿐만 아니라, 복수의 분할용의 개질 영역(12)의 형성과 복수의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성을 교호로 실시하는 것을 포함하고 있다.
도 20은, 분할용의 개질 영역(12)과 휨 억제용의 개질 영역(12)을 교호로 형성하는 가공 방법을 설명하는 도면이다. 도 20의 (a)~도 20의 (c)에서, 1~9의 각 숫자는, 가공 순서를 나타내고 있다. 도 20의 (a)에 나타내어지는 예에서는, 최초로 제3 공정에서의 휨 억제용의 개질 영역(12) 및 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 형성(가공 순서 1)이 행해지고, 제1 공정에서의 분할용의 개질 영역(12) 및 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)의 형성(가공 순서 2)이 행해지고, 그 후, 제3 공정 및 제1 공정이 1 가공씩 차례로 실시되고 있다. 이 경우, 각 가공에서의 가공 개소는, Y 방향에서 가공 순서순으로 늘어서 있다. 도 20의 (b)에 나타내어지는 예에서는, 최초로 제3 공정에서의 휨 억제용의 개질 영역(12) 및 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 형성이 2 가공(가공 순서 1, 2) 행해지고, 이어서, 제1 공정에서의 분할용의 개질 영역(12) 및 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)의 형성이 2 가공(가공 순서 3, 4) 행해지고, 그 후, 이러한 2 가공씩의 가공이 반복하여 실시되고 있다. 이 경우, 제1 공정 및 제3 공정 각각에서 개별로 보면, 각 가공에서의 가공 개소는, Y 방향에서 가공 순서순으로 늘어서 있다. 도 20의 (c)에 나타내어지는 예에서는, 최초로 제3 공정에서의 휨 억제용의 개질 영역(12) 및 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 형성이 3 가공(가공 순서 1, 2, 3) 행해지고, 이어서, 제1 공정에서의 분할용의 개질 영역(12) 및 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)의 형성이 3 가공(가공 순서 4, 5, 6) 행해지고 있다. 이 경우, 제1 공정 및 제3 공정 각각에서 개별로 보면, 각 가공에서의 가공 개소는, Y 방향에 대해 가공 순서순으로 늘어서 있다.
또한, 동일 공정(상술한 예에서는 CH1 가공) 내에서 앞의 가공의 영향이 후의 가공에 미쳐지는 것에 대하여는, CH2 가공에 대해도 마찬가지로 생긴다. 이 때문에, CH2 후반 가공 시의 가공 안정 악화를 억제하는 목적으로, 이하의 제4 공정을 더 실시하여도 된다. 즉, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법은, 레이저광의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 휨 억제용의 복수의 개질 영역(12)(제4 개질 영역)를 형성하고, 이 개질 영역(12)으로부터 이면(21b)에 도달함과 아울러 CH2 가공에 의해서 형성된 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)에 연속하지 않은 균열(114)을 형성하는 제4 공정을 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 제2 공정에서의 어느 하나의 라인(15)에 관한 분할용의 개질 영역(12)의 형성과, 제4 공정에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성을, 교호로 실시하여 된다.
다음으로, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(1)의 작용 효과에 대해 설명한다.
본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(1)는, 레이저 조사 유닛(3)과 제어부(8)를 구비하고, 제어부(8)는, 이면(21b)을 따라 X 방향으로 연장되는 복수의 라인(15) 각각을 따라, 레이저광(L)의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광(L)의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 분할용의 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 표면(21a)방향으로 균열(14)이 연장되도록 레이저 조사 유닛(3)을 제어하는 제1 제어와, 제1 제어 후에서, X 방향에 교차함과 아울러 이면(21b)을 따르는 Y 방향으로 연장되는 복수의 라인(15) 각각을 따라, 레이저광(L)의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 레이저광(L)의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 분할용의 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 표면(21a)방향으로 균열(14)이 연장되도록 레이저 조사 유닛(3)을 제어하는 제2 제어와, 제2 제어 전에서, 레이저광(L)의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 휨 억제용의 복수의 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이, 이면(21b)에 도달함과 아울러 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)에 연속하지 않게 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어하는 제3 제어를 실행하도록 구성되어 있다.
본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(1)에서는, 레이저광(L)의 조사에 의해서, 이면(21b)을 따르는 X 방향으로 연장되는 복수의 라인(15) 각각을 따라 분할용의 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 표면(21a)방향으로 연장되는 균열(14)이 형성되고, 그 후에, 레이저광(L)의 조사에 의해서, Y 방향으로 연장되는 복수의 라인(15) 각각을 따라 분할용의 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 표면(21a)방향으로 연장되는 균열(14)이 형성된다. 이와 같이, 서로 교차하는 복수의 라인(15)을 따라 차례로 개질 영역(12)의 형성이 행해지는, 먼저 레이저광(L)이 조사되는 라인(15)(제1 라인)을 따른 개질 영역(12)의 형성(CH1 가공)에 의해서 웨이퍼(20)에 휨이 생기고, 당해 웨이퍼(20)의 휨의 영향에 의해서, 후에 레이저광(L)이 조사되는 라인(15)(제2 라인)의 가공의 정밀도가 저하될 우려가 있다. 웨이퍼(20)의 휨은, 구체적으로는, 개질 영역(12)의 형성 및 개질 영역(12)으로부터 표면(21a) 방향으로 연장되는 균열(14)의 형성에 의해서, 웨이퍼(20)의 편면(여기에서는, 균열(14)이 주로 연장되는 방향인 표면(21a))에 응력이 집중되는 것에 의해 생긴다. 이러한 웨이퍼(20)의 휨은, 웨이퍼(20)가 미소 칩인 경우나 비교적 큰 균열을 형성하는 경우에서 특히 현저하게 된다. 그리고, 휨이 생긴 상태에서, 후에 레이저광(L)이 조사되는 라인(15)(제2 라인)의 가공(CH2 가공)이 실시되면, 라인(15)의 가공 시에서의 레이저광(L)의 집광 스폿 조정을 위한 오토 포커스 등의 정밀도를 담보하는 것이 어려워지게 되고, CH2 가공에서 적절히 개질 영역(12)의 형성 등을 행할 수 없게 될 우려가 있다.
이 점, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(1)에서는, CH2 가공에 관한 제어(제2 제어)에 선행하여, 레이저광(L)의 조사에 의해 웨이퍼(20)의 내부에 휨 억제용의 복수의 개질 영역(12)이 형성되고, 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이, 이면(21b)에 도달함과 아울러 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)에 연속하지 않게 형성된다. 이와 같이, 분할용의 개질 영역(12)의 형성에 의해서 응력이 집중하는 표면(21a)과는 반대측의 이면(21b)에 균열(141)이 도달하도록 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되는 것에 의해서, 응력의 국재화가 완화되어, 웨이퍼(20)의 휨을 경감할 수 있다. 이것에 의해, 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성 후에 실시되는 CH2 가공에서, 적절히 개질 영역(12)을 형성하는 것이 가능하게 된다. 그리고, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(141)이 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)에 연속하지 않도록 형성되어 있는 것에 의해, 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되는 것에 의해서 의도하지 않은 웨이퍼(20)의 갈라짐가 발생하는 것을 적절히 억제할 수 있다. 이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(1)에 의하면, 웨이퍼(20)의 의도하지 않는 갈라짐이 생기는 것을 억제하면서, 웨이퍼(20)에 대하여 적절히 분할용의 개질 영역(12)을 형성할 수 있고, 레이저 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 21은, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(1)의 작용 효과를 설명하는 도면이며, CH1 가공 후의 CH2 가공 진행 방향의 휨을 나타내는 도면이다. 도 21에서, 횡축은 CH2의 가공 진행 방향(웨이퍼(20)의 폭 방향)을 나타내고 있고, 종축은 전압값으로 나타내어지는 변위량을 나타내고 있다. 종축의 전압값 1V는, 예를 들면 8μm정도의 변위량에 상당한다. 도 21에는, CH1 가공 후이면서 또한 CH2 가공 전의 휨량이 나타내어져 있고, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하고 있지 않은 경우(도 21 중에서 「BHC만」이라고 기재), 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이 ST 상태인 경우(도 21 중에서 「BHC + 휨 억제 SD(ST)」라고 기재), 및, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이 이면(21b)에 도달한 HC 상태인 경우(도 21 중에서 「BHC + 휨 억제 SD(HC)」라고 기재) 각각에 대하여, 휨량의 결과가 나타내어져 있다. 도 21에는, 워크 사이즈: 775μm(65mm×36mm 소편), 칩 사이즈: 1mm, 연삭 후의 마무리 두께: 80μm, 분할용의 개질 영역: 3패스(총 균열 약 300μm, BHC 균열 약 80μm), 휨 억제용의 개질 영역: 1패스(총 균열 약 60μm)의 조건으로 가공을 실시했을 경우의 결과의 일 예가 나타내어져 있다. 도 21으로부터도 명백한 바와 같이, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하고, 또한, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이 이면(21b)에 도달한 HC 상태가 되는 것에 의해, 분할용의 개질 영역(12)의 형성에 관한 BHC 유래의 웨이퍼(20)의 휨을 크게 저감할 수 있다.
도 22는, 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(1)의 작용 효과를 설명하는 도면이며, CH1 가공 및 CH2 가공 후의 웨이퍼(20)의 휨을 나타내는 도면이다. 도 22에서, 횡축은 웨이퍼(20)의 폭 방향에서의 위치를 나타내고 있고, 종축은 표면 변위를 나타내고 있다. 여기서의 표면 변위는, 현미경에 의해서 측정되고 있다. 도 22에는, CH1 가공 및 CH2 가공 후의 웨이퍼(20)의 휨량을 나타내는 표면 변위가 나타내어져 있고, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하고 있지 않은 경우(도 22 중에서 「분할용 SD만」이라고 기재), 및, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 칩 중앙에 형성하고 있는 경우(도 22 중에서 「분할용 SD + 휨 억제 SD(칩 중앙에 가공)」이라고 기재) 각각에 대하여, 휨량을 나타내는 표면 변위가 나타내어져 있다. 도 22에는, 워크 사이즈: 775μm(12 inch), 칩 사이즈: 1mm, 연삭 후의 마무리 두께: 80μm, 분할용의 개질 영역: 3패스(총 균열 약 300μm, BHC 균열 약 80μm), 휨 억제용의 개질 영역: 3패스(총 균열 약 150μm)의 조건에서 가공을 행했을 경우의 결과의 일 예가 나타내어져 있다. 도 22에 나타내어지는 바와 같이, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 칩 중앙에 형성했을 경우에서는, 휨 억제용의 개질 영역(12)을 형성하지 않은 경우와 비교하여, 웨이퍼(20)의 양단부에서의 휨량(변위)을 절반 이하로 할 수 있었다. 웨이퍼(20)의 양단부에서의 휨량이 큰 경우에는, 가공 후에서 반송 암에 웨이퍼(20)를 적절히 흡착시키지 못하고 웨이퍼(20)의 낙하 등의 반송 불량이 생길 우려가 있다. 이 점, 상기와 같이 휨 억제용의 개질 영역(12)에 의해서 휨량을 절반 이하로 한 웨이퍼(20)에 대해서는, 웨이퍼(20)를 적절히 반송할 수 있었다. 또, 반송 후의 웨이퍼(20)에 갈라짐이 생기지도 않았다.
제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서의 분할용의 개질 영역(12)의 형성 위치와 다른 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어하여도 된다. 이것에 의해, 분할용의 개질 영역(12)으로부터의 균열(14)과 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터의 균열(114)이 연속하는 것을 적절히 회피할 수 있어, 웨이퍼(20)의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 보다 바람직하게 억제할 수 있다.
제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서 서로 이웃하는 2개의 라인(15) 각각의 형성 위치의 Y 방향에서의 중간의 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어하여도 된다. 2개의 라인(15) 사이에 끼워진 정확히 한가운데의 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되는 것에 의해, 어느 분할용의 개질 영역(12)과도 휨 억제용의 개질 영역(12)과의 이간 거리를 크게 할 수 있어, 균열(14)과 균열(114)이 연속하는 것을 적절히 회피할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(20)의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 바람직하게 억제할 수 있다.
제어부(8)는, 제3 제어에서, Y 방향에서의 분할용의 개질 영역(12)의 형성 위치와 다른 위치에 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록 변조 패턴을 설정해도 된다. 이와 같이, 공간 광 변조기(7)의 변조 패턴의 설정에 의해서 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성 위치가 조정되는 것에 의해, 스테이지(2)의 동작에 의해서 개질 영역(12)의 형성 위치가 변경되는 경우와 비교하여, 가공 시간을 단축할 수 있다.
제어부(8)는, 제1 제어 및 제3 제어 중 적어도 어느 일방에서, 균열(14)의 이면(21b)측의 단부의 위치가, 균열(114)의 표면(21a)측의 단부의 위치와 다르도록, 변조 패턴을 설정해도 된다. 이와 같이, 공간 광 변조기(7)의 변조 패턴의 설정에 의해서 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14, 114)의 단부의 위치가 조정되는 것에 의해, 균열(14), 114의 단부의 위치를 적절히 조정하고, 균열(14, 114)끼리가 연속하는 것에 의해서 웨이퍼(20)의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 보다 바람직하게 억제할 수 있다.
제어부(8)는, 제3 제어에서, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)보다도 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이 짧아지도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어해도 된다. 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)에 대하여는, 분할용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(14)과 달리, 분할에 기여시키고 싶은 균열이 아니기 때문에, 짧게 하는 것에 의해, 균열(14, 114)끼리가 연속하는 것에 의해서 웨이퍼(20)의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 보다 바람직하게 억제할 수 있다.
제어부(8)는, 제3 제어에서는, Y 방향에서, 분할용의 개질 영역(12)의 수보다도 많은 수의 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어해도 된다. 상술한 바와 같이, 적절한 분할을 실시하는 점에서는 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)을 짧게 하고 싶다. 그렇지만, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이 짧게 되었을 경우에는, 휨 억제의 효과가 충분히 발휘되지 않을 우려가 있다. 이 점, 휨 억제용의 개질 영역(12)의 수가 많게(분할용의 개질 영역(12)보다도 많게) 되는 것에 의해, 다수의 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)에 의해서, 휨 억제 효과에 대해서도 충분히 발휘하면서, 웨이퍼(20)의 의도하지 않은 갈라짐이 생기는 것을 억제할 수 있다.
제어부(8)는, 제3 제어에서, 웨이퍼(20)의 Y 방향에서의 중앙부의 휨 억제용의 개질 영역(12)과 양단부의 휨 억제용의 개질 영역(12)을 비교했을 경우에, 양단부 쪽이 Y 방향에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 수가 많게 되는 것, 및, 양단부 쪽이 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 길이가 길게 되는 것, 중 적어도 어느 일방이 만족되도록 휨 억제용의 개질 영역(12)이 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어하여도 된다. 분할용의 개질 영역(12)이 형성되는 것에 의한 웨이퍼(20)의 휨은, Y 방향에서의 양단부일수록 현저하게 된다. 이 점, 웨이퍼(20)의 Y 방향에서의 중앙부보다도 양단부에서, 휨 억제용의 개질 영역(12)의 수가 많게 되거나, 또는, 휨 억제용의 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)의 길이가 길게 되는 것에 의해, 휨이 현저하게 되는 Y 방향 양단부에서의 웨이퍼(20)의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
제어부(8)는, 제1 제어에서의 어느 라인(15)에 관한 분할용의 개질 영역(12)의 형성과, 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성을, 교호로 실시하도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어해도 된다. 분할용의 개질 영역(12)의 형성에 의한 웨이퍼(20)의 휨은, 복수의 라인(15)에 관한 분할용의 개질 영역(12)의 형성이 진행되는 것에 따라 서서히 진행한다. 그 때문에, 먼저 가공이 실시되는 라인(15)의 가공의 영향은, 후에 가공이 실시되는 라인(15)의 가공에 미쳐지게 된다. 즉, 복수의 라인(15) 중, 비교적 후반에 가공이 실시되는 라인(15)의 가공에서는, 웨이퍼(20)가 휘어진 상태에서 개질 영역(12)이 형성되게 되므로, 예를 들면 웨이퍼(20)의 표면(21a)에 대하여 비스듬하게 균열(14)이 연장되거나, 가공 위치 정밀도가 악화되거나, 가공 시의 흡착 불량이 생길 우려가 있다. 이 점, 분할용의 개질 영역(12)의 형성과 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성이 교호로 실시되는 것에 의해, 먼저 실시된 라인(15)의 가공의 영향이 후에 실시되는 라인(15)의 가공에 미쳐지는 것이 억제되어, 웨이퍼(20)에 대하여 보다 적절히 분할용의 개질 영역(12)을 형성할 수 있다.
또한, 이러한 CH1 가공 내에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성(분할용의 개질 영역(12)과 휨 억제용의 개질 영역(12)을 교호의 실시하는 가공)은, 반드시 실시되지 않아도 되고, 예를 들면, CH1 가공 후에서 CH1 가공 방향에서 웨이퍼(20)의 요철이 생겨 있는 경우에만 실시되어도 된다. 도 23은, CH1 가공 후의 CH1 가공 진행 방향의 휨을 나타내는 도면이다. 도 23에서, 횡축은 CH1 가공 진행 방향을 나타내고 있고, 종축은 전압값으로 나타내어지는 변위량을 나타내고 있다. 도 23에는, 워크 사이즈: 775μm(65mm×36mm 소편), 칩 사이즈: 1mm, 연삭 후의 마무리 두께: 80μm, 분할용의 개질 영역: 3패스(총 균열 약 300μm, BHC 균열 약 80μm), 측정점: 소편의 단부로부터 1.5mm의 위치의 조건으로 CH1 가공을 실시했을 경우의 결과의 일 예가 나타내어져 있다. 도 23에 나타내어지는 예에서는, 가공 전후에서 휨량이 변화하고 있지만, 가공 후에서도 CH1의 가공 진행 방향에서의 요철은 보여지지 않는다. 이러한 경우에는, CH1 가공 내에서의 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성은 반드시 실시되지 않아도 되고, CH2 가공 전에 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성이 행해지면 된다.
제어부(8)는, 레이저광(L)의 조사에 의해서 웨이퍼(20)의 내부에 휨 억제용의 복수의 개질 영역(12)이 형성되고 이 개질 영역(12)으로부터 연장되는 균열(114)이, 이면(21b)에 도달함과 아울러 CH2 가공에서의 분할용의 개질 영역(12)(제2 개질 영역)로부터 연장되는 균열에 연속하지 않게 형성되도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어하는 제4 제어를 더 실행하도록 구성되어 있고, 제2 제어에서의 어느 하나의 라인(15)에 관한 개질 영역(12)의 형성과, 제4 제어에서의 개질 영역(12)의 형성을, 교호로 실시하도록, 레이저 조사 유닛(3)을 제어해도 된다. 이와 같이, CH2 가공에서의 개질 영역(12)의 형성과, 휨 억제용의 개질 영역(12)의 형성이 교호로 실시되는 것에 의해, CH2 가공에서도, 먼저 실시된 라인(15)의 가공의 영향이 후에 실시되는 라인(15)의 가공에 미쳐지는 것이 억제되어, 웨이퍼(20)에 대해서 적절히 분할용의 개질 영역(12)을 형성할 수 있다.
1: 레이저 가공 장치
3: 레이저 조사 유닛(레이저 조사부)
7: 공간 광 변조기
8: 제어부
12: 개질 영역(제1 개질 영역, 제2 개질 영역, 제3 개질 영역)
14, 114: 균열
15: 라인(제1 라인, 제2 라인)
20: 웨이퍼(대상물)

Claims (20)

  1. 제1 면과 상기 제1 면의 반대측의 제2 면을 포함하는 대상물의 상기 제1 면을 입사면으로 하여 상기 대상물에 레이저광을 조사하는 레이저 조사부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 입사면을 따르는 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 라인 각각을 따라, 상기 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 대상물의 내부에 분할용의 제1 개질 영역이 형성되고 상기 제1 개질 영역으로부터 상기 제2 면 방향으로 균열이 연장되도록 상기 레이저 조사부를 제어하는 제1 제어와,
    상기 제1 제어 후에서, 상기 제1 방향에 교차함과 아울러 상기 입사면을 따라 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 라인 각각을 따르는, 상기 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 대상물의 내부에 분할용의 제2 개질 영역이 형성되고 상기 제2 개질 영역으로부터 상기 제2 면 방향으로 균열이 연장되도록 상기 레이저 조사부를 제어하는 제2 제어와,
    상기 제2 제어 전에서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제3 개질 영역이 형성되고 상기 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이, 상기 제1 면에 도달함과 아울러 상기 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않게 형성되도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는 제3 제어를 실행하도록 구성되어 있는, 레이저 가공 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 제어에서, 상기 제2 방향에서의 상기 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 상기 제3 개질 영역이 형성되도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는, 레이저 가공 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 제어에서, 상기 제2 방향에서 서로 인접하는 2개의 상기 제1 라인 각각의 형성 위치의 상기 제2 방향에서의 중간의 위치에 상기 제3 개질 영역이 형성되도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는, 레이저 가공 장치.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 레이저 조사부는, 설정된 변조 패턴을 따라 상기 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기를 가지고 있고,
    상기 제어부는, 상기 제3 제어에서, 상기 제2 방향에서의 상기 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 상기 제3 개질 영역이 형성되도록 상기 변조 패턴을 설정하는, 레이저 가공 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는, 설정된 변조 패턴을 따라 상기 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기를 가지고 있고,
    상기 제어부는, 상기 제1 제어 및 상기 제3 제어 중 적어도 어느 일방에서, 상기 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 상기 제1 면측의 단부의 위치가, 상기 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 상기 제2 면측의 단부의 위치와 다르도록, 상기 변조 패턴을 설정하는, 레이저 가공 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 제어에서, 상기 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열보다도 상기 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이 짧게 되도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는, 레이저 가공 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 제어에서는, 상기 제2 방향에서, 상기 제1 개질 영역의 수보다도 많은 수의 상기 제3 개질 영역이 형성되도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는, 레이저 가공 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 제어에서, 상기 대상물의 상기 제2 방향에서의 중앙부의 상기 제3 개질 영역과 양단부의 상기 제3 개질 영역을 비교한 경우에, 상기 양단부의 쪽이 상기 제2 방향에서의 상기 제3 개질 영역의 수가 많게 되는 것, 및 상기 양단부의 쪽이 상기 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 길이가 길게 되는 것 중 적어도 어느 일방이 만족되도록 상기 제3 개질 영역이 형성되도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는, 레이저 가공 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 제어에서의 어느 하나의 상기 제1 라인에 관한 상기 제1 개질 영역의 형성과, 상기 제3 제어에서의 상기 제3 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는, 레이저 가공 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제4 개질 영역이 형성되고 상기 제4 개질 영역으로부터 연장되는 균열이, 상기 제1 면에 도달함과 아울러 상기 제2 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않게 형성되도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는 제4 제어를 더 실행하도록 구성되어 있고,
    상기 제2 제어에서의 어느 하나의 상기 제2 라인에 관한 상기 제2 개질 영역의 형성과, 상기 제4 제어에서의 상기 제4 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하도록, 상기 레이저 조사부를 제어하는, 레이저 가공 장치.
  11. 제1 면과 상기 제1 면의 반대측의 제2 면을 포함하는 대상물의 상기 제1 면을 입사면으로 하여 상기 대상물에 레이저광을 조사하고, 상기 대상물의 레이저 가공을 행하는 레이저 가공 방법으로서,
    상기 입사면을 따르는 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 라인 각각을 따라, 상기 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 대상물의 내부에 분할용의 제1 개질 영역을 형성하고, 상기 제1 개질 영역으로부터 상기 제2 면 방향으로 연장되는 균열을 형성하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정 후에서, 상기 제1 방향으로 교차함과 아울러 상기 입사면을 따르는 상기 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 라인 각각을 따라, 상기 레이저광의 집광 스폿을 상대 이동시키면서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 대상물의 내부에 분할용의 제2 개질 영역을 형성하고, 상기 제2 개질 영역으로부터 상기 제2 면 방향으로 연장되는 균열을 형성하는 제2 공정과,
    상기 제2 공정 전에서, 상기 레이저광의 조사에 의해서 사기 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제3 개질 영역을 형성하고, 상기 제3 영역으로부터 상기 제1 면에 도달함과 아울러 상기 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않는 균열을 형성하는 제3 공정을 구비하는 레이저 가공 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제3 공정에서는, 상기 제2 방향에서의 상기 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 상기 제3 개질 영역을 형성하는, 레이저 가공 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제3 공정에서는, 상기 제2 방향에서 서로 이웃하는 2개의 상기 제1 라인 각각의 형성 위치의 상기 제2 방향에서의 중간의 위치에 상기 제3 개질 영역을 형성하는, 레이저 가공 방법.
  14. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 제3 공정에서는, 상기 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기의 변조 패턴을 설정하는 것에 의해, 상기 제2 방향에서의 상기 제1 개질 영역의 형성 위치와 다른 위치에 상기 제3 개질 영역을 형성하는, 레이저 가공 방법.
  15. 청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 어느 일방에서는, 상기 레이저광을 변조하는 공간 광 변조기의 변조 패턴을 설정하는 것에 의해, 상기 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 제1 면측의 단부의 위치와, 상기 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열의 상기 제2 면측의 단부의 위치를 다르게 하는, 레이저 가공 방법.
  16. 청구항 11 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 공정에서는, 상기 제1 개질 영역으로부터 연장되는 균열보다도 상기 제3 개질 영역으로부터 연장되는 균열이 짧게 되도록, 상기 제3 개질 영역을 형성하는, 레이저 가공 방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 제3 공정에서는, 상기 제2 방향에서, 상기 제1 개질 영역의 수보다도 많은 수의 상기 제3 개질 영역을 형성하는, 레이저 가공 방법.
  18. 청구항 11 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 공정에서는, 상기 대상물의 상기 제2 방향에서의 중앙부의 상기 제2 개질 영역과 양단부의 상기 제3 영역을 비교한 경우에, 상기 양단부의 쪽이 상기 제2 방향에서의 상기 제3 개질 영역의 수가 많게 되는 것, 및 상기 양단부의 쪽이 상기 제3 영역으로부터 연장되는 균열의 길이가 짧게 되는 것 중 적어도 어느 일방이 만족되도록 상기 제3 개질 영역을 형성하는, 레이저 가공 방법.
  19. 청구항 11 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정에서의 어느 하나의 상기 제1 라인에 관한 상기 제1 개질 영역의 형성과, 상기 제3 제어에서의 상기 제3 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하는, 레이저 가공 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 레이저광의 조사에 의해서 상기 대상물의 내부에 휨 억제용의 복수의 제4 개질 영역을 형성하고, 상기 제4 개질 영역으로부터 상기 제1 면에 도달함과 아울러 상기 제2 개질 영역으로부터 연장되는 균열에 연속되지 않는 균열을 형성하는 제4 공정을 더 구비하고,
    상기 제2 공정에서의 어느 하나의 상기 제2 라인에 관한 상기 제2 개질 영역의 형성과, 상기 제4 공정에서의 상기 제4 개질 영역의 형성을, 교호로 실시하는, 레이저 가공 방법.
KR1020237035679A 2021-05-28 2022-01-25 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 KR20240013095A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021090392A JP2022182693A (ja) 2021-05-28 2021-05-28 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JPJP-P-2021-090392 2021-05-28
PCT/JP2022/002640 WO2022249541A1 (ja) 2021-05-28 2022-01-25 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240013095A true KR20240013095A (ko) 2024-01-30

Family

ID=84229767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237035679A KR20240013095A (ko) 2021-05-28 2022-01-25 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP2022182693A (ko)
KR (1) KR20240013095A (ko)
CN (1) CN117396299A (ko)
DE (1) DE112022002818T5 (ko)
TW (1) TW202245952A (ko)
WO (1) WO2022249541A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0376209A (ja) 1989-08-18 1991-04-02 Nichicon Corp アルミニウム固体電解コンデンサ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5491761B2 (ja) * 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2011159827A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Nano-Process Co Ltd 透明基板の改質領域形成方法
JP5988603B2 (ja) * 2012-02-17 2016-09-07 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの分割方法
JP6817761B2 (ja) * 2016-09-21 2021-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
WO2020004210A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0376209A (ja) 1989-08-18 1991-04-02 Nichicon Corp アルミニウム固体電解コンデンサ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022249541A1 (ja) 2022-12-01
JP2022182693A (ja) 2022-12-08
TW202245952A (zh) 2022-12-01
CN117396299A (zh) 2024-01-12
DE112022002818T5 (de) 2024-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI649145B (zh) Laser processing device and laser processing method
JP6258787B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6272145B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR20160141814A (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
KR102128416B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
TW201505744A (zh) 雷射加工裝置及雷射加工方法
US20230095941A1 (en) Laser machining device and laser machining method
KR20240013095A (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
KR20220109315A (ko) 관찰 장치 및 관찰 방법
US20230249285A1 (en) Laser machining method and method for manufacturing semiconductor member
US20230245906A1 (en) Laser processing device and laser processing method
US20230120386A1 (en) Laser processing device and laser processing method
US20230219172A1 (en) Laser machining apparatus, laser machining method, and method for manufacturing semiconductor member
JP7305495B2 (ja) 検査装置及び検査方法
US20230307237A1 (en) Semiconductor member manufacturing method
WO2024034193A1 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
TW202313233A (zh) 雷射加工裝置、及雷射加工方法
CN114905140A (zh) 激光加工装置、激光加工方法和贴合晶圆
KR20220055476A (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP2022138500A (ja) レーザ加工装置
CN116060780A (zh) 激光加工装置和激光加工方法
JP2013038350A (ja) 露光装置用のアライメント装置