CN116060780A - 激光加工装置和激光加工方法 - Google Patents

Abstract

在激光加工装置(1)中，对经由器件层(150)与第2晶片(200)接合的第1晶片(100)照射激光L，进行激光加工。器件层(150)包含包括多个芯片的有源区域(160)和以包围有源区域(160)的方式位于有源区域(160)的外侧的周缘部(170)。而且，在激光加工中，通过沿着在该周缘部(170)上环状延伸的第1线(A1)照射激光(L)，形成沿着第1线(A1)的第1改性区域(121)。由此，能够利用第1改性区域(121)和从第1改性区域(121)延伸的第1裂纹(131)，进行将晶片的外缘部分作为不要部分(除去区域E)除去的切边。

Description

激光加工装置和激光加工方法

技术领域

本发明涉及激光加工装置和激光加工方法。

背景技术

在专利文献1中记载有一种激光加工装置，该激光加工装置包括保持工件的保持机构和对被保持机构保持的工件照射激光的激光照射机构。在专利文献1所记载的激光加工装置中，相对于基座固定具有聚光透镜的激光照射机构，通过保持机构实施沿着与聚光透镜的光轴垂直的方向的工件的移动。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5456510号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，例如在半导体器件的制造工序中，有时实施从半导体晶片将其外缘部分作为不要部分而除去的切边加工。即，为了从对象物除去其外缘部分，通过在对象物的外缘的内侧使激光的聚光区域沿着环状延伸的线相对性地移动，有时沿着该线形成改性区域。特别是目前，对于经由半导体晶片的器件层将半导体晶片与其它部件(例如其它的晶片)接合而构成的贴合晶片，要求进行上述的切边(trimming)加工。

在此，在贴合晶片中，有时在半导体晶片的内部产生应力。作为一例，该应力在将产生了翘曲的状态的半导体晶片或其它部件相互接合时、或在器件层的周缘部进行器件层与其它部件的剥离时可产生。如果在半导体晶片的内部产生这种应力，则在半导体晶片形成用于切边加工的改性区域时，从该改性区域向器件层(其它部件)侧延伸的裂纹可能由于该应力向非意图的方向伸展。这种裂纹向非意图的方向的伸展成为切边加工的品质下降的原因。

因此，本发明的目的在于，提供可抑制贴合晶片的切边加工的品质下降的激光加工装置、和激光加工方法。

用于解决课题的方法

本发明提供一种激光加工装置，对于包含第1面和与第1面相反侧的第2面且在第1面侧与其它部件接合的晶片，将第2面作为入射面来照射激光，由此，用于在晶片上形成改性区域，该激光加工装置包括：支承部，其用于支承晶片；照射部，其用于向被支承部支承的晶片照射激光；移动部，其用于使激光的聚光区域相对于晶片相对移动；控制部，其用于控制照射部和移动部，在第1面上形成有包含多个芯片并且与其它部件接合的器件层，器件层包含：有源区域，其包含多个芯片；和周缘部，其以从与第1面交叉的Z方向观察时包围有源区域的方式位于有源区域的外侧，周缘部具有包含器件层的外缘的区域即与其它部件的接合被弱化的前处理区域、和从Z方向观察时位于前处理区域的内侧的接合区域，控制部通过控制照射部和移动部，执行如下第1加工处理，通过使激光的聚光区域沿着从Z方向观察时在前处理区域上环状延伸的第1线相对移动，同时对晶片照射激光，而沿着第1线形成作为改性区域的第1改性区域，并且从第1改性区域形成第1裂纹，该第1裂纹随着从第2面朝向第1面，以从前处理区域和接合区域的边界的外侧朝向边界的方式倾斜地延伸。

本发明提供一种激光加工方法，包括如下激光加工工序，对于包含第1面和与第1面相反侧的第2面且在第1面侧与其它部件接合的晶片，将第2面作为入射面来照射激光，由此，用于在晶片上形成改性区域，在第1面上形成有包含多个芯片并且与其它部件接合的器件层，器件层包含：有源区域，其包含多个芯片；和周缘部，其以从与第1面交叉的Z方向观察时包围有源区域的方式位于有源区域的外侧，周缘部具有包含器件层的外缘的区域即与其它部件的接合被弱化的前处理区域和位于前处理区域的内侧的接合区域，激光加工工序包含如下第1加工工序，通过使激光的聚光区域沿着从Z方向观察时在前处理区域上环状延伸的第1线相对移动，同时对所述晶片照射激光，而沿着第1线形成作为改性区域的第1改性区域，并且从第1改性区域形成第1裂纹，该第1裂纹随着从第2面朝向第1面，以从前处理区域和接合区域的边界的外侧朝向边界的方式倾斜地延伸。

在该装置和方法中，对经由器件层与其它部件接合的晶片照射激光，进行激光加工。器件层包含：有源区域，其包含多个芯片；和周缘部，其以包围有源区域的方式位于有源区域的外侧。而且，在激光加工中，通过沿着在该周缘部上环状延伸的第1线对晶片照射激光，形成沿着第1线的第1改性区域。由此，能够利用第1改性区域和从第1改性区域延伸的第1裂纹，进行将晶片的外缘部分作为不要部分除去的切边。

特别是在该装置和方法中，相对于器件层的周缘部，形成与其它部件的接合被弱化的前处理区域。在这样形成前处理区域的情况下，如上所述，可能在晶片内部产生应力。前处理区域的形成所引起的晶片内部的应力可以通过在前处理区域上形成改性区域而缓和。因此，在该装置和方法中，通过在前处理区域上的位置，照射激光而形成第1改性区域，可以缓和前处理区域的形成所引起的晶片内部的应力，且使第1裂纹从第1改性区域向意图的方向倾斜地伸展。因此，根据该装置和方法，能够抑制贴合晶片的切边加工的品质下降。

在本发明的激光加工装置中，也可以是，在第1加工处理中，控制部执行：通过将聚光区域的位置在从晶片的中心朝向外缘的Y方向上设为第1Y位置，且在Z方向上设为第1Z位置并照射激光，形成作为第1改性区域的第1Z改性区域的第1斜加工处理；在第1斜加工处理之后，通过将聚光区域的位置在Y方向上设为比第1Y位置靠晶片的外缘侧的第2Y位置，且在Z方向上设为比第1Z位置靠第2面侧的第2Z位置并照射激光，而在比第1Z改性区域靠第2面侧且晶片的外缘侧形成作为第1改性区域的第2Z改性区域，使第1裂纹以从第1Z改性区域朝向边界的方式倾斜地伸展的第2斜加工处理。这样，通过依次形成倾斜地并排的至少两个改性区域，能够更适当地实现斜裂纹的形成。

在本发明的激光加工装置中，也可以是，在第1加工处理中，控制部在第2斜加工处理之后，执行如下垂直加工处理，在第2Y位置，通过使聚光区域位于比第2Z位置靠第2面侧的多个Z方向的位置并照射激光，在第2Y位置形成沿着Z方向排列的多个第1改性区域，遍及该多个第1改性区域使裂纹垂直地伸展。在该情况下，在更远离作为激光的入射面的第2面的(更深的)Z位置进行第1斜加工处理和第2斜加工处理后，在更浅的位置进行垂直加工处理。因此，在任意处理中，均不会受到已经形成的改性区域的影响，能够形成新的改性区域。

在本发明的激光加工装置中，也可以是，在第1加工处理中，控制部在第1斜加工处理之前，执行如下垂直加工处理，在第2Y位置，使聚光区域位于比第2Z位置靠第2面侧的多个Z方向的位置并照射激光，由此，在第2Y位置形成沿着Z方向排列的多个第1改性区域，遍及该多个第1改性区域使裂纹垂直地伸展。在该情况下，能够在通过垂直加工处理中形成的第1改性区域缓和了晶片内部的应力的状态下，形成第1斜加工处理和第2斜加工处理中倾斜地延伸的第1裂纹。

在本发明的激光加工装置中，也可以是，控制部在第1加工处理之后，通过控制照射部和移动部，执行如下第2加工处理，使聚光区域沿着从Z方向观察时在周缘部上以从晶片的外缘到第1线的方式延伸的第2线相对移动，同时对晶片照射激光，由此，沿着第2线形成作为改性区域的第2改性区域。在该情况下，沿着在器件层的周缘部上以从晶片的外缘到第1线的方式延伸的第2线对晶片照射激光，沿着第2线形成第2改性区域。由此，能够利用第2改性区域和从第2改性区域延伸的裂纹，将晶片的外缘部分沿周向分割成多个部分并容易地进行切边。特别是在该情况下，在第1加工处理之后进行第2加工处理。因此，可以通过沿着第1线已经形成的第1改性区域和从第1改性区域延伸的裂纹阻止从第2改性区域延伸的裂纹的伸展。因此，能够抑制加工品质的降低。

在本发明的激光加工装置中，也可以是，控制部在第1加工处理之前，通过控制照射部和移动部，执行如下第2加工处理，使聚光区域沿着从Z方向观察时在周缘部上以从晶片的外缘到第1线的方式延伸的第2线相对移动，同时对晶片照射激光，由此，沿着第2线形成作为改性区域的第2改性区域。在该情况下，也与所述情况同样，可以利用第2改性区域和从第2改性区域延伸的裂纹，将晶片的外缘部分沿周向分割成多个部分并容易地进行切边。特别是在该情况下，在第1加工处理之前进行第2加工处理。因此，可以在通过第2加工处理中形成的第2改性区域进一步缓和了晶片内部的应力的状态下，形成第1加工处理中倾斜地延伸的第1裂纹。

在本发明的激光加工装置中，也可以是，控制部在第1加工处理之前，执行如下第3加工处理，使聚光区域位于从Z方向观察时在周缘部上与第1线和第2线不同的位置，且对晶片照射激光，由此，形成作为改性区域的第3改性区域。在该情况下，可以在通过第3加工处理中形成的第3改性区域进一步缓和了晶片内部的应力的状态下，形成第1加工处理中倾斜地延伸的第1裂纹。

本发明提供一种激光加工装置，对于包含第1面和与第1面相反侧的第2面且在第1面侧与其它部件接合的晶片，将第2面作为入射面来照射激光，由此，用于在晶片上形成改性区域，所述激光加工装置中，包括：支承部，其用于支承晶片；照射部，其用于向被支承部支承的晶片照射激光；移动部，其用于使激光的聚光区域相对于晶片相对移动；控制部，其用于控制照射部和移动部，在第1面上形成有包含多个芯片并且与其它部件接合的器件层，器件层包含：有源区域，其包含多个芯片；和周缘部，其以从与第1面交叉的Z方向观察时包围有源区域的方式位于有源区域的外侧，控制部通过控制照射部和移动部，执行：使激光的聚光区域沿着从Z方向观察时在周缘部上环状延伸的第1线相对移动，同时对晶片照射激光，由此，沿着所述第1线形成作为改性区域的第1改性区域，并且以从第1改性区域到达第1面的方式形成第1裂纹的第1加工处理；从Z方向观察时使聚光区域位于周缘部上的位置并对晶片照射激光，由此，形成用于缓和产生于晶片的内部的应力的改性区域的应力缓和处理，控制部在使第1裂纹以到达第1面的方式伸展之前，执行应力缓和处理。

在该装置中，对经由器件层与其它部件接合的晶片照射激光，进行激光加工。器件层包含：有源区域，其包含多个芯片；和周缘部，其以包围有源区域的方式位于有源区域的外侧。而且，在激光加工中，通过沿着在该周缘部上环状延伸的第1线对晶片照射激光，形成沿着第1线的第1改性区域。由此，能够利用第1改性区域和从第1改性区域延伸的第1裂纹，进行将晶片的外缘部分作为不要部分除去的切边。

特别是在该装置中，在使从第1改性区域延伸的第1裂纹以到达第1面的方式伸展之前，形成用于缓和晶片内部的应力的改性区域。因此，抑制第1裂纹由于晶片内部的应力而向非意图的方向伸展。因此，根据该装置，可以抑制贴合晶片的切边加工的品质下降。

发明效果

根据本发明，能够提供能够抑制贴合晶片的切边加工的品质下降的激光加工装置和激光加工方法。

附图说明

图1是表示一个实施方式的激光加工装置的结构的示意图。

图2是表示图1所示的照射部的结构的示意图。

图3是表示图2所示的4f透镜单元的图。

图4是表示图2所示的空间光调制器的图。

图5是用于说明斜裂纹形成的见解的对象物的截面图。

图6是用于说明斜裂纹形成的见解的对象物的截面图。

图7是表示激光的聚光区域的光束形状的图。

图8是表示调制图案的偏移的图。

图9是表示斜裂纹的形成状态的截面照片。

图10是表示调制图案的一例的图。

图11是表示聚光透镜的入射光瞳面的强度分布、和聚光区域的光束形状的图。

图12是表示聚光区域的光束形状、和聚光区域的强度分布的观测结果的图。

图13是表示调制图案的一例的图。

图14是表示非对称的调制图案的另一例的图。

图15是表示聚光透镜的入射光瞳面的强度分布、和聚光区域的光束形状的图。

图16是表示调制图案的一例、和聚光区域的形成的图。

图17是表示本实施方式的加工对象物的截面图。

图18是表示本实施方式的加工对象物的图。(a)为俯视图，(b)为截面图。

图19是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的图。(a)为俯视图，(b)为截面图。

图20是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的图。(a)为俯视图，(b)为截面图。

图21是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的图。(a)为俯视图，(b)为截面图。

图22是表示第1加工工序的一个工序的截面图。

图23是表示第1加工工序的一个工序的截面图。

图24是表示第1加工工序的一个工序的截面图。

图25是表示第1加工工序的一个工序的截面图。

图26是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的图。(a)为俯视图，(b)为截面图。

图27是用于说明变形例的截面图。

图28是用于说明变形例的俯视图。

图29是用于说明变形例的截面图。

图30是表示第1晶片的一例的俯视图。

图31是表示本实施方式的加工对象物的图。(a)为俯视图，(b)为截面图。

图32是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的图。(a)为俯视图，(b)为截面图。

图33是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的截面图。

图34是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的截面图。

图35是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的截面图。

图36是表示本实施方式的激光加工方法的一个工序的截面图。

附图标记说明

1…激光加工装置

2…载置台(支承部)

3…照射部

4、5…移动部

6…控制部

12…改性区域

13…裂纹

100…第1晶片(晶片)

101…第1面

102…第2面

103…外缘

121…第1改性区域

121a…第1Z改性区域

121b…第2Z改性区域

121c…第3Z改性区域

122…第2改性区域

123…第3改性区域

131…第1裂纹

131b…第3裂纹

150…器件层

153…外缘

160…有源区域

170…周缘部

171…接合区域

172…前处理区域

A1…第1线

A2…第2线

A3…第3线

B12…边界。

具体实施方式

以下，参照附图对一个实施方式进行详细地说明。此外，在各图中，对相同或相当的部分标注相同的符号，有时省略重复的说明。另外，在各图中，有时表示由X轴、Y轴和Z轴规定的正交坐标系。

[激光加工装置、和激光加工的概要]

图1是表示一个实施方式的激光加工装置的结构的示意图。如图1所示，激光加工装置1包括载置台(支承部)2、照射部3、移动部4、5、和控制部6。激光加工装置1是通过向对象物11照射激光L，用于在对象物11上形成改性区域12的装置。

载置台2例如通过保持贴附于对象物11的膜，支承对象物11。载置台2能够将与Z方向平行的轴线作为旋转轴来旋转。载置台2也能够沿着X方向和Y方向分别移动。此外，X方向和Y方向是相互交叉(正交)的第1水平方向和第2水平方向，Z方向为铅垂方向。

照射部3将相对于对象物11具有透射性的激光L聚光并照射至对象物11。当激光L被聚光于被载置台2支承的对象物11的内部时，特别是在与激光L的聚光区域C(例如后述的中心Ca)对应的部分吸收激光L，在对象物11的内部形成改性区域12。此外，聚光区域C是后面叙述详细的说明，但距激光L的光束强度最高的位置或光束强度的重心位置为规定范围的区域。

改性区域12是密度、折射率、机械强度、其它的物理特性与周围的非改性区域不同的区域。作为改性区域12，例如，具有熔融处理区域、裂纹区域、绝缘击穿区域、折射率变化区域等。改性区域12可形成为裂纹从改性区域12向激光L的入射侧和其相反侧延伸。这种改性区域12和裂纹被用于例如对象物11的切断。

作为一例，当使载置台2向X方向移动，使聚光区域C相对于对象物11沿着X方向相对移动时，多个改性点12s以沿着X方向并排成一列的方式形成。一个改性点12s通过一个脉冲的激光L的照射而形成。一列的改性区域12是并排成一列的多个改性点12s的集合。相邻的改性点12s根据聚光区域C相对于对象物11相对性的移动速度和激光L的重复频率，有时相互相连，也有时相互分开。

移动部4包含使载置台2向与Z方向交叉(正交)的面内的一方向移动的第1移动部41、和使载置台2向与Z方向交叉(正交)的面内的另一方向移动的第2移动部42。作为一例，第1移动部41使载置台2沿着X方向移动，第2移动部42使载置台2沿着Y方向移动。另外，移动部4使载置台2以与Z方向平行的轴线为旋转轴而旋转。移动部5支承照射部3。移动部5使照射部3沿着X方向、Y方向、和Z方向移动。在形成有激光L的聚光区域C的状态下移动载置台2和/或照射部3，由此，使聚光区域C相对于对象物11相对移动。即，移动部4、5为了使激光L的聚光区域C相对于对象物11相对移动，而移动载置台2和照射部3的至少一者。

控制部6控制载置台2、照射部3、和移动部4、5的动作。控制部6具有处理部、存储部和输入接收部(未图示)。处理部作为包含处理器、内存、存储装置和通信器件等的计算机装置而构成。在处理部中，处理器执行被内存等读入的软件(程序)，控制内存和存储装置中的数据的读出和写入、以及通信器件进行的通信。存储部例如为硬盘等，存储各种数据。输入接收部是显示各种信息，并且从用户接收各种信息的输入的接口部。输入接收部构成GUI(Graphical User Interface：图形用户界面)。

图2是表示图1所示的照射部的结构的示意图。在图2中表示有表示激光加工的预定的假想的线A。如图2所示，照射部3具有光源31、空间光调制器(成形部)7、聚光透镜33、和4f透镜单元34。光源31例如通过脉冲振荡方式输出激光L。此外，照射部3也可以构成为不具有光源31，而从照射部3的外部导入激光L。空间光调制器7调制从光源31输出的激光L。聚光透镜33将被空间光调制器7调制并从空间光调制器7输出的激光L向对象物11聚光。

如图3所示，4f透镜单元34具有在从空间光调制器7朝向聚光透镜33的激光L的光路上排列的一对透镜34A、34B。一对透镜34A、34B构成空间光调制器7的调制面7a和聚光透镜33的入射光瞳面(瞳面)33a处于成像关系的两侧远心光学系统。由此，空间光调制器7的调制面7a上的激光L的图像(在空间光调制器7中被调制的激光L的图像)被传像(成像)于聚光透镜33的入射光瞳面33a。此外，图中的Fs表示傅立叶面。

如图4所示，空间光调制器7为反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)的空间光调制器(SLM：Spatial Light Modulator)。空间光调制器7通过在半导体基板71上依次层叠驱动电路层72、像素电极层73、反射膜74、取向膜75、液晶层76、取向膜77、透明导电膜78和透明基板79而构成。

半导体基板71例如为硅基板。驱动电路层72在半导体基板71上构成有源矩阵电路。像素电极层73包含沿着半导体基板71的表面排列成矩阵状的多个像素电极73a。各像素电极73a例如由铝等金属材料形成。利用驱动电路层72对各像素电极73a施加电压。

反射膜74例如为电介质多层膜。取向膜75设置于液晶层76中的反射膜74侧的表面，取向膜77设置于液晶层76中的与反射膜74相反侧的表面。各取向膜75、77例如由聚酰亚胺等高分子材料形成，对各取向膜75、77中的与液晶层76的接触面例如施加摩擦处理。取向膜75、77将液晶层76中所含的液晶分子76a在一定方向排列。

透明导电膜78设置于透明基板79中的取向膜77侧的表面，夹着液晶层76等与像素电极层73面对面。透明基板79例如为玻璃基板。透明导电膜78例如由ITO等光透射性且导电性材料形成。透明基板79和透明导电膜78透射激光L。

在如上构成的空间光调制器7中，当从控制部6向驱动电路层72输入表示调制图案的信号时，对各像素电极73a施加与该信号相应的电压，在各像素电极73a和透明导电膜78之间形成电场。当形成该电场时，在液晶层76中，液晶分子76a的排列方向按照与各像素电极73a对应的区域而变化，折射率按照与各像素电极73a对应的区域而变化。该状态为在液晶层76中显示有调制图案的状态。调制图案用于调制激光L。

即，在液晶层76显示有调制图案的状态下，激光L从外部经由透明基板79和透明导电膜78入射到液晶层76，被反射膜74反射，从液晶层76经由透明导电膜78和透明基板79出射到外部时，根据显示于液晶层76的调制图案，调制激光L。这样，根据空间光调制器7，通过适当设定显示于液晶层76的调制图案，能够进行激光L的调制(例如，激光L的强度、振幅、相位、偏振光等调制)。此外，图3所示的调制面7a例如为液晶层76。

如上所述，从光源31输出的激光L经由空间光调制器7和4f透镜单元34向聚光透镜33入射，在对象物11内被聚光透镜33聚光，由此，在该聚光区域C中，在对象物11上形成改性区域12和从改性区域12延伸的裂纹。另外，控制部6通过控制移动部4、5，使聚光区域C相对于对象物11相对移动，由此，沿着聚光区域C的移动方向形成改性区域12和裂纹。

[关于斜裂纹形成的见解的说明]

在此，将此时的聚光区域C的相对移动的方向(加工进行方向)设为X方向。另外，将与作为对象物11中的激光L的入射面的第2面11a交叉(正交)的方向设为Z方向。另外，将与X方向和Z方向交叉(正交)的方向设为Y方向。X方向和Y方向是沿着第2面11a的方向。此外，Z方向也可以被规定为聚光透镜33的光轴、经由聚光透镜33朝向对象物11聚光的激光L的光轴。

如图5所示，要求在与作为加工进行方向的X方向交叉的交叉面(包含Y方向和Z方向的YZ面S)内，沿着相对于Z方向和Y方向倾斜的线RA(在此，从Y方向以规定的角度θ倾斜的线RA)倾斜地形成裂纹。一边表示加工例一边说明相对于这种斜裂纹形成的见解。

在此，作为改性区域12，形成改性区域12a、12b。由此，将从改性区域12a延伸的裂纹13a和从改性区域12b延伸的裂纹13b相连，形成沿着线RA倾斜地延伸的裂纹13。在此，首先，如图6所示，将对象物11的第2面11a设为激光L的入射面且形成聚光区域C1。另一方面，在比聚光区域C1靠第2面11a侧，将第2面11a设为激光L的入射面且形成聚光区域C2。此时，聚光区域C2比聚光区域C1向Z方向移动距离Sz，且比聚光区域C1向Y方向移动距离Sy。作为一例，距离Sz和距离Sy与线RA的倾斜度对应。

另一方面，如图7所示，通过使用空间光调制器7调制激光L，将聚光区域C(至少聚光区域C2)的在YZ面S内的光束形状设为至少在比聚光区域C的中心Ca靠第2面11a侧，相对于Z方向向移动的方向(在此，Y方向的负侧)倾斜的倾斜形状。在图7的例子中，设为在比中心Ca靠第2面11a侧，相对于Z方向向Y方向的负侧倾斜，并且在比中心Ca靠与第2面11a相反侧的第1面11b侧，相对于Z方向也向Y方向的负侧倾斜的弧形状。此外，YZ面S内的聚光区域C的光束形状是YZ面S内的聚光区域C中的激光L的强度分布。

这样，至少使两个聚光区域C1、C2向Y方向移动，并且至少将聚光区域C2(在此，聚光区域C1、C2两者)的光束形状设为倾斜形状，由此，如图9的(a)所示，能够形成倾斜地伸展的裂纹13。此外，在对象物11在Z方向上较薄的情况下，或在第1面11b侧进一步进行加工的情况下，即使仅改性区域12a的形成，有时从改性区域12a延伸的裂纹13a也到达第1面11b。在该情况下，通过将用于形成改性区域12a的聚光区域C1的光束形状设为至少在比聚光区域C的中心Ca靠第2面11a侧、与期望的裂纹13a相对于Z方向的倾斜方向对应的倾斜形状，不进行改性区域12b的形成，就能够形成到达第1面11b的斜裂纹(裂纹13a)。另外，例如也可以通过空间光调制器7的调制图案的控制，将激光L分支，由此，同时形成聚光区域C1、C2，进行改性区域12和裂纹13的形成(多焦点加工)，也可以通过聚光区域C1的形成而形成改性区域12a和裂纹13a后，通过聚光区域C2的形成形成改性区域12b和裂纹13b(单行道加工)。

另外，也可以通过在聚光区域C1和聚光区域C2之间形成另一聚光区域，如图9的(b)所示，在改性区域12a和改性区域12b之间介设另一改性区域12c，形成更长地倾斜伸展的裂纹13。

接着，对用于将聚光区域C的在YZ面S内的光束形状设为倾斜形状的见解进行说明。首先，对聚光区域C的定义进行具体地说明。在此，聚光区域C是距中心Ca为规定范围(例如距Z方向上的中心Ca为±25μm的范围)的区域。如上所述，中心Ca是光束强度最高位置、或光束强度的重心位置。光束强度的重心位置是例如光束强度的重心位于不根据用于将激光L分支的调制图案那样的使激光L的光轴移动的调制图案进行调制的状态下的激光L的光轴上的位置。光束强度最高的位置和光束强度的重心能够如下获取。即，在将激光L的输出降低至在对象物11上未形成改性区域12的程度(低于加工阈值)的状态下，向对象物11照射激光L。与此同时，例如利用摄像机对图12所示的Z方向的多个位置F1～F7拍摄来自对象物11的与激光L的入射面相反侧的面(在此，第1面11b)的激光L的反射光。由此，基于得到的图像，能够获取光束强度的最高的位置和重心。此外，改性区域12在其中心Ca附近形成。

为了将聚光区域C中的光束形状设为倾斜形状，具有使调制图案偏移的方法。更具体而言，在空间光调制器7中显示用于修正波阵面的失真的失真修正图案、用于分支激光的光栅图案、狭缝图案、像散图案、彗形像差图案、和球面像差修正图案等各种图案(显示重叠了这些图案的图案)。其中，如图8所示，通过使球面像差修正图案Ps偏移，能够调整聚光区域C的光束形状。

在图8的例子中，在调制面7a上，使球面像差修正图案Ps的中心Pc相对于激光L的(光束点的)中心Lc向Y方向的负侧偏移偏移量Oy1。如上所述，调制面7a通过4f透镜单元34向聚光透镜33的入射光瞳面33a传像。因此，调制面7a上的偏移在入射光瞳面33a上成为向Y方向的正侧的偏移。即，在入射光瞳面33a上，球面像差修正图案Ps的中心Pc从激光L的中心Lc、和入射光瞳面33a的中心(在此，与中心Lc一致)向Y方向的正侧偏移偏移量Oy2。

这样，通过偏移球面像差修正图案Ps，激光L的聚光区域C的光束形状如图7所示变形成弧状的倾斜形状。如上所述，偏移球面像差修正图案Ps相当于对激光L赋予彗形像差。因此，也可以通过在空间光调制器7的调制图案中包含用于对激光L赋予彗形像差的彗形像差图案，将聚光区域C的光束形状设为倾斜形状。此外，作为彗形像差图案，能够使用相当于Zernike的多项式的9项(3次彗形像差的Y成分)的图案，即在Y方向上产生彗形像差的图案。

此外，用于形成这样倾斜地延伸的裂纹13的光束形状的控制不限定于上述的例子。接着，对用于将光束形状设为倾斜形状的另一例进行说明。如图10的(a)所示，也可以根据相对于沿着作为加工进行方向的X方向的轴线Ax非对称的调制图案PG1调制激光L，将聚光区域C的光束形状设为倾斜形状。调制图案PG1在比沿着穿过Y方向上的激光L的光束点的中心Lc的X方向的轴线Ax靠Y方向的负侧包含光栅图案Ga，并且在比轴线Ax靠Y方向的正侧包含非调制区域Ba。换言之，调制图案PG1仅在比轴线Ax靠Y方向的正侧包含光栅图案Ga。此外，图10的(b)是使图10的(a)的调制图案PG1以与聚光透镜33的入射光瞳面33a对应的方式反转的图像。

图11的(a)表示聚光透镜33的入射光瞳面33a上的激光L的强度分布。如图11的(a)所示，通过使用这种调制图案PG1，入射到空间光调制器7的激光L中的被光栅图案Ga调制的部分不会入射至聚光透镜33的入射光瞳面33a。其结果是，如图14的(b)和图15所示，能够将YZ面S内的聚光区域C的光束形状设为其整体相对于Z方向向一方向倾斜的倾斜形状。

即，在该情况下，聚光区域C的光束形状在比聚光区域C的中心Ca靠第2面11a侧，相对于Z方向向Y方向的负侧倾斜，并且在比聚光区域C的中心Ca靠与第2面11a相反侧的第1面11b侧，相对于Z方向向Y方向的正侧倾斜。此外，图12的(b)的各图表示图12的(a)所示的Z方向的各位置F1～F7处的激光L的XY面内的强度分布，是摄像机的实际的观测结果。即使在这样控制聚光区域C的光束形状的情况下，也与上述的例子同样，能够形成倾斜地伸展的裂纹13。

另外，作为相对于轴线Ax非对称的调制图案，也能够采用图13所示的调制图案PG2、PG3、PG4。调制图案PG2在比轴线Ax靠Y方向的负侧，包含向轴线Ax离开的方向依次排列的非调制区域Ba和光栅图案Ga，在比轴线Ax靠Y方向的正侧包含非调制区域Ba。即，调制图案PG2在比轴线Ax靠Y方向的负侧的区域的一部分包含光栅图案Ga。

调制图案PG3在比轴线AX靠Y方向的负侧，包含向离开轴线Ax的方向依次排列的非调制区域Ba和光栅图案Ga，并且在比轴线Ax靠Y方向的正侧，也包含向离开轴线Ax的方向依次排列的非调制区域Ba和光栅图案Ga。在调制图案PG3中，在比轴线Ax靠Y方向的正侧和Y方向的负侧，使非调制区域Ba和光栅图案Ga的比例不同(通过在Y方向的负侧，相对变窄非调制区域Ba)，由此，构成相对于轴线Ax非对称。

调制图案PG4与调制图案PG2同样，在比轴线Ax靠Y方向的负侧的区域的一部分包含光栅图案Ga。在调制图案PG4中，在X方向上，设置有光栅图案Ga的区域也构成一部分。即，在调制图案PG4中，在比轴线Ax靠Y方向的负侧的区域中，包含向X方向依次排列的非调制区域Ba、光栅图案Ga、和非调制区域Ba。在此，光栅图案Ga配置于包含穿过X方向上的激光L的光束点的中心Lc的沿着Y方向的轴线Ay的区域。

根据以上的任一调制图案PG2～PG4，也能够将聚光区域C的光束形状设为至少在比中心Ca靠第2面11a侧相对于Z方向向Y方向的负侧倾斜的倾斜形状。即，为了以至少在比中心Ca靠第2面11a侧相对于Z方向向Y方向的负侧倾斜的方式控制聚光区域C的光束形状，如调制图案PG1～PG4或不限于调制图案PG1～PG4，能够使用包含光栅图案Ga的非对称的调制图案。

另外，作为用于将聚光区域C的光束形状设为倾斜形状的非对称的调制图案，不限定于利用光栅图案Ga。图14是表示非对称的调制图案的另一例的图。如图14的(a)所示，调制图案PE在比轴线Ax靠Y方向的负侧包含椭圆图案Ew，并且在比轴线Ax靠Y方向的正侧包含椭圆图案Es。此外，图14的(b)是使图14的(a)的调制图案PE以与聚光透镜33的入射光瞳面33a对应的方式反转的图像。

如图14的(c)所示，椭圆图案Ew、Es均是用于将包含X方向和Y方向的XY面上的聚光区域C的光束形状设为以X方向为长边方向的椭圆形状的图案。但是，在椭圆图案Ew和椭圆图案Es中，调制的强度不同。更具体而言，椭圆图案Es产生的调制的强度大于椭圆图案Ew产生的调制的强度。即，由椭圆图案Es调制的激光L形成的聚光区域Cs成为在X方向上比由椭圆图案Ew调制的激光L形成的聚光区域Cw长的椭圆形状。在此，在比轴线Ax靠Y方向的负侧配置有相对强的椭圆图案Es。

如图15的(a)所示，通过使用这种调制图案PE，能够将YZ面S内的聚光区域C的光束形状设为在比中心Ca靠第2面11a侧相对于Z方向向Y方向的负侧倾斜的倾斜形状。特别是在该情况下，YZ面S内的聚光区域C的光束形状在比中心Ca靠与第2面11a相反侧相对于Z方向也向Y方向的负侧倾斜，作为整体成为弧状。此外，图15的(b)的各图表示图15的(a)所示的Z方向的各位置H1～F8处的激光L的XY面内的强度分布，是摄像机的实际的观测结果。

另外，用于将聚光区域C的光束形状设为倾斜形状的调制图案不限定于以上的非对称的图案。作为一例，作为这种调制图案，如图16所示，可举出以在YZ面S内的多个位置形成聚光点CI，在多个聚光点CI的整体(包含多个聚光点CI)形成倾斜形状的聚光区域C的方式，用于调制激光L的图案。作为一例，这种调制图案能够基于圆锥透镜图案形成。在使用了这种调制图案的情况下，改性区域12本身也能够在YZ面S内倾斜地形成。因此，在该情况下，能够根据期望的倾斜精确地形成倾斜的裂纹13。另一方面，在使用了这种调制图案的情况下，与上述的其它例相比，裂纹13的长度趋于变短。因此，通过根据要求分别使用各种调制图案，能够进行期望的加工。

此外，上述聚光点CI例如是使非调制的激光聚光的点。如上所述，根据本发明人的见解，通过在YZ面S内使少量的两个改性区域12a、12b向Y方向和Z方向移动，且在YZ面S内将聚光区域C的光束形状设为倾斜形状，能够形成以相对于Z方向向Y方向倾斜的方式倾斜地延伸的裂纹13。

此外，在控制光束形状时，在利用球面像差修正图案的偏移的情况、利用彗形像差图案的情况、和利用椭圆图案的情况下，与利用衍射光栅图案切断激光的一部分的情况相比，能够进行高能量下的加工。另外，在这些情况下，在重视裂纹的形成的情况下是有效的。另外，在利用彗形像差图案的情况下，在多焦点加工时，能够仅将一部分聚光区域的光束形状设为倾斜形状。另外，在利用圆锥透镜图案的情况下，与其它的图案相比，其它的图案的利用在重视改性区域的形成的情况下是有效的。

[激光加工的第1实施方式]

接着，对第1实施方式的激光加工进行说明。在此，进行切边加工。切边加工是在对象物11中除去不要部分的加工。图17和图18是表示本实施方式的加工对象物的图。图17的(a)、(b)和图18的(b)为截面图，图18的(a)为俯视图。以下，为了容易理解，有时在截面图中省略阴影。

如图17和图18所示，对象物11包含第1晶片(晶片)100和第2晶片(其它部件)200。第1晶片100包含第1面101和第1面101的相反侧的第2面102。第1晶片100和第2晶片200是任意的晶片，例如为半导体晶片(例如硅晶片)。

第1晶片100在第1面101侧与第2晶片200接合。更具体而言，在第1晶片100的第1面101上形成有器件层150，在该器件层150与第2晶片200接合。此外，在此，在第2晶片200上也形成有器件层250，器件层150和器件层250相互接合。这样，在本实施方式中，对象物11是第1晶片100经由器件层150、250与作为其它部件的第2晶片200接合而构成的贴合晶片。

器件层150例如包含光电二极管等受光元件、激光二极管等发光元件、内存等电路元件等的多个功能元件的芯片。器件层150包含从与第1面101和第2面102交叉(正交)的Z方向观察时包含器件层的中心部分的有源区域160、以从Z方向观察时包围有源区域160的方式位于有源区域160的外侧的环状的周缘部170。有源区域160是包含上述多个芯片的区域。

周缘部170包含通过切边加工而被除去的部分。周缘部170包括包含器件层150的外缘153的区域即与第2晶片200的接合被弱化的前处理区域172。另外，周缘部170包含从Z方向观察时位于前处理区域的内侧(有源区域160侧)，并且维持与第2晶片200的接合的接合区域。在器件层150的周缘部170，接合区域171和前处理区域172相接，形成彼此的边界B12。

前处理区域172例如可通过在将第1晶片100和第2晶片200接合之前、通过蚀刻等使接合面粗糙的前处理而形成。在该情况下，在将第1晶片100和第2晶片200接合时，有时在前处理区域172的整体无法接合，也有时局部进行接合，但作为整体，接合比其它的部分弱化(接合强度变小)。

另外，前处理区域172可通过如下前处理形成，在将第1面101和第2晶片200接合后，照射透射第1晶片100并且被接合部分吸收的激光，由此，在与Z方向交叉的面内形成延伸的裂纹。在该情况下，遍及前处理区域172的整体形成裂纹，也有时在前处理区域172的整体进行剥离，也有时局部维持接合，但作为整体，接合比其它的部分弱化(接合强度变小)。

在本实施方式的激光加工中，抑制激光L向第1晶片100的与有源区域160对应的区域的照射，且通过以上那样激光L向与周缘部170对应的区域的照射，进行除去第1晶片100的除去区域E而使有效区域R残留的切边加工。为此，在本实施方式的激光加工中，进行：沿着从Z方向观察时在周缘部170上环状(在此，圆环状)延伸的第1线A1的第1加工、沿着从Z方向观察时在周缘部170上以从第1晶片100的外缘103到达第1线A1的方式直线状延伸的多个(在此，4个)第2线A2的第2加工、从Z方向观察时在周缘部170上与第1线A1和第2线A2不同的位置处的第3加工。

在本实施方式中，第3加工沿着从Z方向观察时在周缘部170上环状(在此，圆环状)延伸的第3线A3进行。第3线A3设定于第1线A1和外缘103之间，更具体而言，设定于边界B12和外缘103之间。即，第3线A3位于前处理区域172上。此外，在本实施方式中，第1线A1设定于比边界B12靠有源区域160侧。即，第1线A1位于接合区域171上。

接着，对包含各加工的本实施方式的激光加工方法(激光加工工序)进行具体地说明。此外，在以下的说明中，Z方向为与第1晶片100的第1面101和第2面102交叉(正交)的方向，X方向为从Z方向观察时时的第1晶片100的外缘103的接线方向(或周向)，Y方向为从Z方向观察时时的从第1晶片100的中心朝向外缘103的径向。

如图19所示，在本实施方式的激光加工方法中，首先，进行第3加工(工序S101：第3加工工序)。更具体而言，在该工序S101中，以第1晶片100的第1面101成为载置台2侧的方式，构成对象物11被载置台2支承的状态。因此，在包含该工序S101的以下的工序中，构成第1晶片100的第2面102面向照射部3侧的状态。然后，将第2面102作为激光L的入射面，对第1晶片100照射激光L，由此，在第1晶片100上形成改性区域12和从改性区域12延伸的裂纹13。

在工序S101中，控制部6通过控制移动部4、5，调整载置台2和照射部3的相对的位置，使照射部3位于第1晶片100上。特别是在工序S101中，激光L的聚光区域C在第1晶片100的内部位于第3线A3正下方。在该状态下，控制部6通过控制照射部3，对第1晶片100照射激光L，并且控制移动部4，由此，使载置台2旋转。由此，激光L的聚光区域C沿着第3线A3相对于第1晶片100相对移动，同时对第1晶片100照射激光L。由此，在第1晶片100的内部形成作为改性区域12的第3改性区域123(参照图20)。

即，在工序S101中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下第3加工处理，使聚光区域C位于从Z方向观察时在周缘部170上与第1线A1和第2线A2不同的位置，且对第1晶片100照射激光L，由此，形成作为改性区域12的第3改性区域123。特别是在工序S101中，作为第3加工处理，控制部6使聚光区域C沿着第3线A3相对移动，同时照射激光L，由此，沿着第3线A3形成第3改性区域123。如上所述，第3线A3设定于前处理区域172上。因此，在第3加工处理中，控制部6使聚光区域C位于前处理区域172上并照射激光L，由此，在前处理区域172上形成第3改性区域123。

另外，在工序S101中，如图20所示，控制部6使聚光区域C位于Z方向上的多个位置并进行同样的激光L的照射，由此，沿着Z方向形成多个第3改性区域123。而且，在该例中，形成沿着Z方向遍及多个第3改性区域123延伸的第3裂纹133，使该第3裂纹133到达第2面102。

接着，如图21所示，在本实施方式的激光加工方法中，进行第1加工(工序S102：第1加工工序)。更具体而言，在该工序S102中，控制部6通过控制移动部4、5，调整载置台2和照射部3的相对的位置，使激光L的聚光区域C在第1晶片100的内部位于第1线A1的下部。在该状态下，控制部6通过控制照射部3，对第1晶片100照射激光L，并且通过控制移动部4，使载置台2旋转。由此，使激光L的聚光区域C沿着第1线A1相对于第1晶片100相对移动，同时对第1晶片100照射激光L。由此，在第1晶片100的内部形成作为改性区域12的第1改性区域121(参照图26等)。

即，在工序S102中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下第1加工处理，使聚光区域C沿着从Z方向观察时在周缘部170上环状延伸的第1线A1相对移动，同时对第1晶片100照射激光L，由此，沿着第1线A1形成作为改性区域12的第1改性区域121。

在此，在工序S102(第1加工处理)中，进行斜裂纹的形成和垂直裂纹的形成。更具体地说明这一点。在工序S102中，首先，进行斜裂纹的形成。为此，首先，如图22所示，将聚光区域C的位置在从第1晶片100的中心朝向外缘103的Y方向上设为第1Y位置Y1，且在Z方向上设为第1Z位置Z1，沿着第1线A1照射激光L。此外，第1Y位置Y1是在形成多个第1改性区域121时使聚光区域C所在的多个Y方向的位置中的最靠边界B12侧的位置。另外，第1Z位置Z1是在形成多个第1改性区域121时使聚光区域C所在的多个Z方向的位置中的最靠第1面101侧的位置。由此，如图23所示，形成作为第1改性区域121的第1Z改性区域121a和从第1Z改性区域121a延伸的作为裂纹13的第1裂纹131。

然后，将聚光区域C的位置在Y方向上设为比第1Y位置Y1靠与边界B12相反侧(即第1晶片100的中心侧)的第2Y位置Y2，且在Z方向上设为比第1Z位置Z1靠第2面102侧的第2Z位置Z2，沿着第1线A1照射激光L。由此，如图24所示，在比第1Z改性区域121a靠第2面102侧且与第1晶片100的外缘103相反侧形成作为第1改性区域121的第2Z改性区域121b。在形成这些第1Z改性区域121a和第2Z改性区域121b时，如上述的斜裂纹形成的见解所示，在聚光区域C的至少比中心Ca靠第2面102侧设为相对于Z方向向从第1Y位置Y1朝向第2Y位置Y2的方向(移动方向)倾斜的倾斜形状。由此，第1裂纹131以从第2Z改性区域121b遍及第1Z改性区域121a并且从第1Z改性区域121a朝向边界B12的方式倾斜地伸展，并到达第1面101(特别是边界B12)。

如上所述，在工序S102(第1加工处理)中，控制部6通过使聚光区域C位于多个Z方向的位置并照射激光L，沿着Z方向形成多个第1改性区域121(第1Z改性区域121a和第2Z改性区域121b)，以从多个第1改性区域121中的位于最靠第1面101侧的第1改性区域121(第1Z改性区域121a)到达第1面101的方式形成第1裂纹131。

另外，在工序S102(第1加工处理)中，控制部6以第1裂纹131朝向前处理区域172和接合区域171的边界B12延伸的方式，形成多个第1改性区域121(第1Z改性区域121a和第2Z改性区域121b)。特别是在工序S102(第1加工处理)中，控制部6以随着从第2面102朝向第1面101，第1裂纹131从接合区域171朝向边界B12倾斜地延伸的方式，形成多个第1改性区域121(第1Z改性区域121a和第2Z改性区域121b)。

更具体而言，在工序S102(第1加工处理)中，控制部6执行如下第1斜加工处理，将聚光区域C的位置在Y方向上设为第1Y位置Y1，且在Z方向上设为第1Z位置Z1并照射激光L，由此，形成第1Z改性区域121a。然后，在第1斜加工处理后，控制部6执行如下第2斜加工处理，将聚光区域C的位置在Y方向上设为比第1Y位置Y1靠与第1晶片100的外缘103相反侧的第2Y位置Y2，且在上述Z方向上设为比第1Z位置Z1靠第2面102侧的第2Z位置Z2并照射激光L，由此，在比第1Z改性区域121a靠第2面102侧且与第1晶片100的外缘103相反侧形成第2Z改性区域121b，使第1裂纹131以从第1Z改性区域121a朝向边界B12的方式倾斜地伸展。

接着，在工序S102中，进行垂直裂纹的形成。为此，如图24所示，将激光L的聚光区域C的位置在Y方向上设为第2Y位置Y2，且在Z方向设为比第2Z位置Z2靠第2面102侧的第3Z位置Z3，沿着第1线A1照射激光L。由此，如图25所示，形成作为第1改性区域121的第3Z改性区域121c。在此，对于多个第3Z位置Z3同样进行激光L的照射，由此，沿着Z方向形成多个第3Z改性区域121c，并且以遍及该多个第3Z改性区域121c的方式形成沿着Z方向延伸的第3裂纹(垂直裂纹)131b。此时，能够使第3裂纹131b以到达第2面102的方式伸展。

这样，在工序S102(第1加工处理)中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下垂直加工处理，在第2Y位置Y2，使聚光区域C位于比第2Z位置Z2靠第2面102侧的多个第3Z位置Z3，沿着第1线A1照射激光L，由此，在第2Y位置Y2形成沿着Z方向排列的多个第3Z改性区域121c，遍及该多个第3Z改性区域121c使第3裂纹131b垂直地伸展。

接着，如图26所示，在本实施方式的激光加工方法中，进行第2加工(工序S103，第2加工工序)。更具体而言，在该工序S103中，控制部6通过控制移动部4、5，调整载置台2和照射部3的相对的位置，使激光L的聚光区域C在第1晶片100的内部位于第2线A2的下部。在该状态下，控制部6通过控制照射部3，对第1晶片100照射激光L，并且通过控制移动部4和移动部5的至少一者，使载置台2沿着Y方向移动。由此，使激光L的聚光区域C沿着第2线A2相对于第1晶片100相对移动，同时对第1晶片100照射激光L。由此，在第1晶片100的内部形成作为改性区域12的第2改性区域122(参照图26等)。

这样，在工序S103中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下第2加工处理，使聚光区域C沿着从Z方向观察时在周缘部170上以从第1晶片100的外缘103到达第1线A1的方式直线状延伸的第2线A2相对移动，同时对第1晶片100照射激光L，由此，沿着第2线A2形成作为改性区域12的第2改性区域122。

从以上的第2工序中形成的第2改性区域122和第2改性区域122延伸的裂纹以从第1晶片100的外缘103到达沿着第1线A1形成的第1改性区域121和第1裂纹131的方式形成。由此，第1晶片100的除去区域E能够沿着周向以第2线A2的数量(在此，4个)分割。

然后，利用规定的夹具和装置，将除去区域E从第1晶片100除去，使经由器件层150、250与第2晶片200接合的有效区域R残留。由此，对象物11的切边加工完成。然后，能够在实施了从第2面102侧磨削有效区域R而薄化的工序后，对薄化的有效区域R进一步接合其它的晶片，并且重复实施上述一连串的工序。

如以上进行的说明，在本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1中，对经由器件层150、250与第2晶片200接合的第1晶片100照射激光L，进行激光加工。器件层150包含包括多个芯片的有源区域160和以包围有源区域160的方式位于有源区域160的外侧的周缘部170。而且，在激光加工中，通过沿着在该周缘部170上环状延伸的第1线A1照射激光L，形成沿着第1线A1的第1改性区域121。由此，能够利用第1改性区域121和从第1改性区域121延伸的第1裂纹131，进行将晶片的外缘部分作为不要部分(除去区域E)除去的切边。

特别是在本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1中，在激光加工中，通过沿着在器件层150的周缘部170上以从第1晶片100的外缘103到达第1线A1的方式延伸的第2线A2照射激光，沿着第2线A2形成第2改性区域122。由此，能够利用第2改性区域122和从第2改性区域122延伸的裂纹，将第1晶片100的除去区域E沿周向分割成多个部分并容易地进行切边。

另外，在本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1中，通过在器件层150的周缘部170上的与第1线A1和第2线A2不同的位置照射激光L，形成第3改性区域123。这种第3改性区域123缓和产生于第1晶片100内部的应力。因此，通过在使从第1改性区域121延伸的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前进行该第3改性区域123的形成，抑制第1裂纹131由于第1晶片100内部的应力向非意图的方向伸展。因此，能够抑制贴合晶片的切边加工的品质下降。

此外，在使从第1改性区域121延伸的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前(作为一例，第1加工处理之前)形成的改性区域12(在此，第3改性区域123)作为用于缓和第1晶片100内部的应力的改性区域发挥作用，以使第1裂纹131不向非意图的方向伸展。

从这种观点来看，在激光加工装置1中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下应力缓和处理，从Z方向观察时使聚光区域C位于周缘部170上的位置并对第1晶片100照射激光L，由此，形成用于缓和产生于第1晶片100的内部的应力的改性区域12。特别是控制部6在使从第1改性区域121延伸的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前(作为一例，第1加工处理之前)，执行应力缓和处理。

此外，在本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1中，在Z方向上形成多个沿着第1线A1的第1改性区域121。由此，能够利用多个第1改性区域121和从第1改性区域121延伸的第1裂纹131，进行将晶片的外缘部分作为不要部分(除去区域E)除去的切边。而且，通过在用于使从多个第1改性区域121中的位于最靠第1晶片100的第1面101侧(即器件层150侧)的第1Z改性区域121a延伸的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展的加工前进行第3改性区域123的形成，抑制第1裂纹131由于第1晶片100内部的应力而向非意图的方向伸展。因此，能够抑制贴合晶片的切边加工的品质下降。此外，在此，用于使从多个第1改性区域121中的位于最靠第1晶片100的第1面101侧的第1Z改性区域121a延伸的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展的加工是形成第2Z改性区域121b的加工。

由此，在本实施方式的激光加工装置1中，控制部6在形成用于使多个第1改性区域121中的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展的第1改性区域121(在此，第2Z改性区域121b)之前(作为一例，第1加工处理之前)，执行应力缓和处理。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，控制部6在第1加工处理之前执行第3加工处理。由此，能够在第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前更可靠地进行第3改性区域123的形成。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，周缘部170具有包含器件层150的外缘153的区域即与第2晶片200的接合被弱化的前处理区域172、和从Z方向观察时位于前处理区域172的内侧的接合区域171。而且，在第1加工处理中，控制部6以第1裂纹131朝向前处理区域172和接合区域171的边界B12延伸的方式形成第1改性区域121。这样，在作为第1晶片100的接合部分的器件层150包含接合被弱化的前处理区域172的情况下，容易在第1晶片100的内部产生应力。因此，如上所述，形成第3改性区域123，实现应力缓和变得更有效。另外，在该情况下，抑制第1裂纹131以到达前处理区域172的内部的方式非意图地伸展，抑制品质下降。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，在第1加工处理中，控制部6以随着从第2面102朝向第1面101，第1裂纹131从接合区域171朝向边界B12倾斜延伸的方式形成第1改性区域121。因此，第1裂纹131成为斜裂纹，所以抑制第1裂纹131越过器件层150到达第2晶片200。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，在第3加工处理中，控制部6通过使聚光区域C位于前处理区域172上并照射激光L，在前处理区域172上形成第3改性区域123。由此，能够可靠地缓和前处理区域172引起的第1晶片100内部的应力。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，在第3加工处理中，控制部6通过使聚光区域C沿着从Z方向观察时在前处理区域172上环状延伸的第3线A3相对移动，同时照射激光L，沿着第3线A3形成第3改性区域123。因此，能够遍及第1晶片100的整周实现应力缓和。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，在第3加工处理中，控制部6通过使聚光区域C位于多个Z方向的位置并照射激光L，沿着Z方向形成多个第3改性区域123，并且使遍及该多个第3改性区域123延伸的第3裂纹133到达第2面102。由此，除了第1晶片100内部的应力缓和之外，还能够抑制第1晶片100的翘曲。

[第1实施方式的变形例]

接着，对第1实施方式的变形例进行说明。另外，在上述第1实施方式的激光加工装置1中，对如下例子进行了说明，在工序S101(第3加工工序、第3加工处理)中，控制部6通过使聚光区域C位于多个Z方向的位置并照射激光L，沿着Z方向形成多个第3改性区域123，并且使遍及该多个第3改性区域123延伸的第3裂纹133到达第2面102。但是，在工序S101中，也可以形成单一的第3改性区域123且使第3裂纹133到达第2面102。即，在工序S101中，控制部6也可以形成第3改性区域123并且使从该第3改性区域123延伸的第3裂纹133到达第2面102。另外，在上述第1实施方式中，对如下例子进行了说明，在工序S101(第3加工工序、第3加工处理)中，以第3裂纹133到达第1晶片100的第2面102的方式，且以不到达第1晶片100的第1面101的方式形成多个第3改性区域123。

但是，如图27的(a)所示，在工序S101中，也可以以第3裂纹133均不到达第1面101和第2面102中的任一面的方式形成多个第3改性区域123(第3改性区域123也可以为一个)。即，在第3加工处理中，控制部6通过使聚光区域C位于周缘部170上与第1线A1和第2线A2不同的位置且照射激光L，能够以从第3改性区域123延伸的第3裂纹133不到达第1面101和第2面102的方式形成第3改性区域123。在该情况下，能够抑制第3改性区域和从第3改性区域延伸的裂纹引起的晶片的破裂。

另外，如图27的(b)所示，在工序S101中，在以第3裂纹133不到达第1面101和第2面102的方式形成第3改性区域123的情况下，也可以在更深的位置(更接近第1面101的位置)形成第3改性区域123。该情况下的第3改性区域123(形成该第3改性区域123时的聚光区域C)的Z方向的位置能够设为至少比第1晶片100的Z方向的中心靠第1面101侧的位置。

在该例中，在第1加工处理中，控制部6通过使聚光区域C位于多个Z方向的位置并照射激光L，沿着Z方向形成多个第1改性区域121，使聚光区域C位于形成该多个第1改性区域121中的位于最靠第1面101侧的第1改性区域121时的聚光区域C的Z方向的位置即第1Z位置Z1，形成第3改性区域123。即，在第3加工处理中，也可以控制部6通过使聚光区域C位于形成多个第1改性区域121中的位于最靠第1面101侧的第1改性区域121时的聚光区域C的Z方向的位置即第1Z位置Z1并照射激光L，形成第3改性区域123。在该情况下，能够抑制第3改性区域123和从第3改性区域123延伸的第3裂纹133所引起的第1晶片100的破裂。特别是在该情况下，第3改性区域123形成于前处理区域172的正上方，所以能够适当缓和前处理区域172所引起的应力。

此外，在以上的例子中，举出了在工序S101中，在Y方向上形成一列第3改性区域123的例子，但也可以在Y方向上形成多列第3改性区域123。例如，在周缘部170上同心圆状地设定多个第3线A3，且进行沿着各个第3线A3的激光L的照射，由此，能够在Y方向上形成多列第3改性区域123。

另外，在上述第1实施方式中，说明了如下例子，在工序S103(第2加工工序、第2加工处理)中，沿着从第1晶片100的外缘103到第1线A1的一个第2线A2，一并进行激光L的照射。但是，也可以分多次进行沿着第2线A2的激光L的照射。

更具体而言，如图28所示，第2线A2包含从第1晶片100的外缘103到第3线A3的第1部分A2a和从第3线A3到第1线A1的第2部分A2b，能够对各个部分进行激光L的照射。作为一例，能够在第1工序S101之前进行沿着第1部分A2a的激光L的照射，并且在第1工序S101之后进行沿着第2部分A2b的激光L的照射。

即，在第2加工处理中，控制部6执行：通过使聚光区域C沿着第2线A2中的第1部分A2a相对移动，同时照射激光L，而沿着第1部分A2a形成第2改性区域122的第1部分处理、和通过使聚光区域C沿着第2线中的第2部分A2b相对移动，同时照射激光L，而沿着第2部分A2b形成第2改性区域122的第2部分处理，并且控制部6能够至少在第1加工处理之前执行第1部分处理。

在该情况下，能够在第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前，除了利用第3改性区域123之外，还利用形成于第2线A2的第1部分A2a的第2改性区域122，实现第1晶片100内部的应力缓和。在该情况下，除了第3改性区域123之外，通过第1部分处理形成的第2改性区域122也作为用于缓和产生于第1晶片100的内部的应力的改性区域12发挥作用。因此，控制部6在第1部分处理的同时，执行应力缓和处理。

另外，在该情况下，控制部6也能够在第1加工处理之前进行第1部分处理和第2部分处理两者。在该情况下，能够在第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前，除了第3改性区域123之外，还利用形成于第2线A2的第1部分A2a和第2部分A2b的第2改性区域122，实现第1晶片100内部的应力缓和。在该情况下，除了第3改性区域123之外，通过第1部分处理和第2部分处理而形成的第2改性区域122也作为用于缓和产生于第1晶片100的内部的应力的改性区域12发挥作用。因此，控制部6在第1部分处理和第2部分处理的同时，执行应力缓和处理。

另一方面，控制部6也能够在第1加工处理之前进行第1部分处理，并且在第1加工处理之后进行第2部分处理。在该情况下，在形成第2线A2中的到达第1线A1的第2部分A2b中的第2改性区域122时，在第1线A1上已经形成第1改性区域121，所以通过第1改性区域121阻止从第2改性区域122沿水平方向延伸的裂纹的伸展。此外，在任意情况下，与工序S101(第3加工工序、第3加工处理)的前后关系也是任意的。

另外，也可以至少局部地同时进行工序S101和工序S102。更具体而言，如图29所示，在工序S101中形成第1Z改性区域121a时(第1斜加工处理时)，将激光L分支成多个(在此，两个)激光L1、L2，使激光L1的聚光区域C位于第1Z位置Z1和第1Y位置Y1，且使激光L2的聚光区域C位于第1Z位置Z1和第3Y位置Y3并进行激光L1、L2的照射，由此，能够在各个位置同时形成第1Z改性区域121a和第3改性区域123。此外，第3Y位置Y3是比边界B12的Y方向的位置靠外缘153侧的位置。另外，在Y方向上与第1Z改性区域121a同时形成多个第3改性区域123的情况下，只要将激光L分支成3个以上即可。

在以上的例子中，说明了在工序S102(第1加工工序、第1加工处理)中形成斜裂纹(第1裂纹131)的情况。但是，也可以在工序S102中，仅形成垂直裂纹。即，也可以以到达第1面101(特别是边界B12)的方式形成从第1改性区域121向Z方向延伸的第1裂纹131。或者，也可以以到达第1面101(特别是边界B12)的方式形成从多个第1改性区域121中的最靠第1面101侧的第1改性区域121向Z方向延伸的第1裂纹131。

在此，在以上的例子中，在工序S101(第3加工工序、第3加工处理)中，进行沿着从Z方向观察时圆环状的第3线A3的激光L的照射，沿着第3线A3形成第3改性区域123。但是，第3改性区域123只要形成于第1晶片100的至少周缘部170上的区域即可，不限定于遍及这种圆环状的第3线A3的整体而形成的情况。换言之，在工序S101中，也可以仅在第3线A3的一部分形成第3改性区域123。

图30是表示第1晶片的一例的俯视图。在图30的例子中，第1晶片100为硅晶片。第1晶片100将第2面102设为(100)面，具有包含一个(110)面、另一个(110)面、与一个(110)面正交的第1结晶方位K1、和与另一个(110)面正交的第2结晶方位K2的结晶结构。此外，第3结晶方位K3和第4结晶方位K4均为与(100)面正交的结晶方位。

将第2结晶方位K2和第3线A3正交的点设为0°和180°，将第1结晶方位K1和第3线A3正交的点设为90°和270°，将第3线A3上的0°和90°的中间的点设为45°，将90°和180°的中间的点设为135°，将180°和270°的中间的点设为225°，将270°和0°的中间的点设为315°。45°和225°的点是第3结晶方位K3和第3线A3正交的点。135°和315°的点是第4结晶方位K4和第3线A3正交的点。此外，在第1晶片100上，在0°的位置设置有槽口100n。

在工序S101中仅在第3线A3的一部分形成第3改性区域123的情况，即在工序S102中仅形成垂直裂纹的情况下，按照以上的角度的定义，在第3线A3的5°～15°的第1角度范围、和75°～85°的第2角度范围内，进行激光L的照射而局部形成第3改性区域123是有效的。这是由于，第1角度范围和第2角度范围是垂直裂纹的控制相对困难的范围，所以应力缓和更有效地发挥作用。此外，第1角度范围和第2角度范围还包含分别对上述的数值相加90°的整数倍的范围。

另外，在工序S101中仅在第3线A3的一部分形成第3改性区域123的情况，即在工序S102中形成斜裂纹的情况下(上述第1实施方式的情况下)，在第3线A3的包含45°的范围(例如40°～50°)的第3角度范围内，进行激光L的照射而局部形成第3改性区域123是有效的。这是由于，第3角度范围为斜裂纹的控制相对困难的范围，所以应力缓和更有效地发挥作用。此外，第3角度范围还包含对上述的数值相加90°的整数倍的范围。

此外，在上述变形例中，说明了在圆环状的第3线A3的一部分形成第3改性区域123的情况，但第3改性区域123的形成的方式不限定于形成为圆环状的情况，是任意的。另外，第3改性区域123的形成位置和形成数也是任意的。例如，第3改性区域123在周缘部170上，可以形成于比第1改性区域121靠第1晶片100的中心侧，也可以形成于第1改性区域121的两侧。

[激光加工的第2实施方式]

接着，对第2实施方式的激光加工进行说明。在此，与第1实施方式同样地进行切边加工。图31是表示本实施方式的加工对象物的图。图31的(a)为俯视图，图31的(b)为截面图。图31所示的对象物11与图17等所示的第1实施方式的对象物11同样。即，在本实施方式中，对象物11也是将第1晶片100经由器件层150、250与作为其它部件的第2晶片200接合而构成的贴合晶片。

在本实施方式的激光加工中，也与第1实施方式同样，抑制激光L对第1晶片100的与有源区域160对应的区域的照射，通过激光L对与周缘部170对应的区域的照射，进行除去第1晶片100的除去区域E而使有效区域R残留的切边加工。但是，在本实施方式的激光加工中，进行沿着从Z方向观察时在周缘部170上环状(在此，圆环状)延伸的第1线A1的第1加工、和沿着以从第1晶片100的外缘103到第1线A1的方式直线状延伸的多个(在此，4个)第2线A2的第2加工。即，在本实施方式的激光加工中，与第1实施方式相比，不进行从Z方向观察时在周缘部170上与第1线A1和第2线A2不同的位置处的第3加工(第3加工不是必须的)。另外，在本实施方式中，从Z方向观察时将第1线A1设定于前处理区域172上。

具体地说明包含各加工的本实施方式的激光加工方法(激光加工工序)。如图32所示，在本实施方式的激光加工方法中，首先，进行第1加工(工序S201：第1加工工序)。更具体而言，在该工序S101中，控制部6通过控制移动部4、5，调整载置台2和照射部3的相对的位置，使激光L的聚光区域C在第1晶片100的内部位于第1线A1的下部。在该状态下，控制部6通过控制照射部3，对第1晶片100照射激光L，并且通过控制移动部4，使载置台2旋转。由此，使激光L的聚光区域C沿着第1线A1相对于第1晶片100相对移动，同时对第1晶片100照射激光L。由此，在第1晶片100的内部形成作为改性区域12的第1改性区域121(参照图36等)。

即，在工序S201中，控制部通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下第1加工处理，使聚光区域C沿着从Z方向观察时在周缘部170上环状延伸的第1线A1相对移动，同时通过对第1晶片100照射激光L，沿着第1线A1形成作为改性区域12的第1改性区域121。

在此，在工序S201(第1加工处理)中，进行斜裂纹的形成和垂直裂纹的形成。更具体地说明这一点。在工序S201中，首先，进行斜裂纹的形成。为此，首先，如图33所示，将聚光区域C的位置在从第1晶片100的中心朝向外缘103的Y方向上设为第1Y位置Y1，且在Z方向上设为第1Z位置Z1，沿着第1线A1照射激光L。此外，第1Y位置Y1是在形成多个第1改性区域121时使聚光区域C所在的多个Y方向的位置中的最靠边界B12侧的位置。另外，第1Z位置Z1是在形成多个第1改性区域121时使聚光区域C所在的多个Z方向的位置中的最靠第1面101侧的位置。

另外，作为一例，这里的第1Z位置Z1与第1实施方式中的第1Z位置Z1同样，且第1Y位置Y1与第1实施方式中的第1Y位置Y1不同。即，在第1实施方式中，第1Y位置Y1是比边界B12靠有源区域160侧的位置，但在此，是比边界B12靠外缘103、153侧的位置。由此，如图34所示，形成作为第1改性区域121的第1Z改性区域121a和从第1Z改性区域121a延伸的作为裂纹13的第1裂纹131。在此，第1Z改性区域121a和第1裂纹131根据上述那样的第1Y位置Y1形成于比边界B12靠外缘103、153侧。即，在本实施方式中，在第1晶片100的前处理区域172上的区域形成第1Z改性区域121a和第1裂纹131。

然后，将聚光区域C的位置在Y方向上设为比第1Y位置Y1靠外缘103、153侧的第2Y位置Y2，且在Z方向上设为比第1Z位置Z1靠第2面102侧的第2Z位置Z2，沿着第1线A1照射激光L。由此，如图35所示，在比第1Z改性区域121a靠第2面102侧且第1晶片100的外缘103侧形成作为第1改性区域121的第2Z改性区域121b。在形成这些第1Z改性区域121a和第2Z改性区域121b时，如上述的斜裂纹形成的见解所示，即使没有聚光区域C，在比聚光区域C的中心Ca靠第2面102侧，也设为相对于Z方向向从第1Y位置Y1朝向第2Y位置Y2的方向(移动方向)倾斜的倾斜形状。由此，第1裂纹131以从第2Z改性区域121b遍及第1Z改性区域121a并且从第1Z改性区域121a朝向边界B12的方式倾斜地伸展，并到达第1面101(特别是边界B12)。

如上所述，在工序S201(第1加工处理)中，控制部6通过从Z方向观察时在前处理区域172上的位置，使聚光区域C位于多个Z方向的位置并照射激光L，沿着Z方向形成多个第1改性区域121(第1Z改性区域121a和第2Z改性区域121b)，从多个第1改性区域121中的位于最靠第1面101侧的第1改性区域121(第1Z改性区域121a)形成第1裂纹131，该第1裂纹131随着从第2面102朝向第1面101，而以从边界B12的外侧朝向边界B12的方式倾斜地延伸。

更具体而言，在工序S201(第1加工处理)中，控制部6执行如下第1斜加工处理，通过将聚光区域C的位置在Y方向上设为第1Y位置Y1，且在Z方向上设为第1Z位置Z1并在照射激光L，形成作为第1改性区域121的第1Z改性区域121a。而且，在第1斜加工处理之后，控制部6执行如下第2斜加工处理，通过将聚光区域C的位置在Y方向上设为比第1Y位置Y1靠第1晶片100的外缘103侧的第2Y位置Y2，且在Z方向上设为比第1Z位置Z1靠第2面102侧的第2Z位置Z2并照射激光L，在比第1Z改性区域121a靠第2面102侧且第1晶片100的外缘103侧形成作为第1改性区域121的第2Z改性区域121b，并使以从第1Z改性区域121a朝向边界B12的方式倾斜地第1裂纹131伸展。

此外，多个第1改性区域121中的第2Z改性区域121b用于使第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展。另外，第1Z改性区域121a形成于前处理区域172上而有助于第1晶片100内部的应力缓和。因此，在工序S201中，控制部6在形成用于使多个第1改性区域121中的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展的第1改性区域121(第2Z改性区域121b)之前执行通过从Z方向观察时使聚光区域C位于周缘部170上的位置并对第1晶片100照射激光L，形成用于缓和产生于第1晶片100的内部的应力的改性区域12(第1Z改性区域121a)的应力缓和处理。即，在此，第1斜加工处理被认为是应力缓和处理。

接着，在工序S201中，进行垂直裂纹的形成。为此，如图35所示，将激光L的聚光区域C的位置在Y方向上设为第2Y位置Y2，且在Z方向上设为比第2Z位置Z2靠第2面102侧的第3Z位置Z3，沿着第1线A1照射激光L。由此，如图36所示，形成作为第1改性区域121的第3Z改性区域121c。在此，对于多个第3Z位置Z3同样进行激光L的照射，由此，沿着Z方向形成多个第3Z改性区域121c，并且以遍及该多个第3Z改性区域121c的方式形成沿着Z方向延伸的第3裂纹(垂直裂纹)131b。此时，能够使第3裂纹131b以到达第2面102的方式伸展。

这样，在工序S201(第1加工处理)中，控制部6在第2斜加工处理之后，执行如下垂直加工处理，通过在第2Y位置Y2，使聚光区域C位于比第2Z位置Z2靠第2面102侧的多个Z方向的位置并照射激光L，在第2Y位置Y2形成沿着Z方向排列的多个第1改性区域121(第3Z改性区域121c)，遍及该多个第1改性区域121使第3裂纹131b垂直地伸展。

接着，与第1实施方式同样，在本实施方式的激光加工方法中，也进行第2加工(工序S202，第2加工工序)。更具体而言，在该工序S202中，控制部6通过控制移动部4、5，调整载置台2和照射部3的相对的位置，使激光L的聚光区域C在第1晶片100的内部位于第2线A2的下部(参照图26)。在该状态下，控制部6通过控制照射部3，对第1晶片100照射激光L，并且通过控制移动部4和移动部5的至少一者，使载置台2沿着Y方向移动。由此，使激光L的聚光区域C沿着第2线A2相对于第1晶片100相对移动，同时对第1晶片100照射激光L。由此，在第1晶片100的内部形成作为改性区域12的第2改性区域122(参照图26)。

这样，在工序S202中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下第2加工处理，使聚光区域C沿着从Z方向观察时在周缘部170上以从第1晶片100的外缘103到第1线A1的方式直线状延伸的第2线A2相对移动，同时对第1晶片100照射激光L，由此，沿着第2线A2形成作为改性区域12的第2改性区域122。

从以上的第2工序中形成的第2改性区域122和第2改性区域122延伸的裂纹以从第1晶片100的外缘103到达沿着第1线A1形成的第1改性区域121和第1裂纹131的方式形成。由此，第1晶片100的除去区域E能够沿着周向以第2线A2的数量(在此，4个)分割。

然后，利用规定的夹具和装置，将除去区域E从第1晶片100除去，使经由器件层150、250与第2晶片200接合的有效区域R残留。由此，对象物11的切边加工完成。然后，能够在实施了从第2面102侧磨削有效区域R而薄化的工序后，对薄化的有效区域R进一步接合其它的晶片，并且重复实施上述一连串的工序。

如以上进行的说明，在本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1中，对经由器件层150、250与第2晶片200接合的第1晶片100照射激光L，进行激光加工。器件层150包含包括多个芯片的有源区域160和以包围有源区域160的方式位于有源区域160的外侧的周缘部170。而且，在激光加工中，通过沿着在该周缘部170上环状延伸的第1线A1照射激光L，形成沿着第1线A1的第1改性区域121。由此，能够利用第1改性区域121和从第1改性区域121延伸的第1裂纹131，进行将晶片的外缘部分作为不要部分(除去区域E)除去的切边。

特别是在本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1中，相对于器件层150的周缘部170，形成有与第2晶片200的接合被弱化的前处理区域172。在这样形成前处理区域172的情况下，可能如上述那样在第1晶片100内部产生应力。前处理区域172的形成所引起的第1晶片100内部的应力能够通过在前处理区域172上形成改性区域12而缓和。因此，在本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1中，在前处理区域172上的位置，照射激光L而形成第1改性区域121，由此，能够缓和前处理区域172的形成所引起的第1晶片100内部的应力，且使第1裂纹131从第1改性区域121向意图的方向倾斜地伸展。因此，根据本实施方式的激光加工方法和激光加工装置1，能够抑制贴合晶片的切边加工的品质下降。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，在第1加工处理中，控制部6执行：通过将聚光区域C的位置在Y方向上设为第1Y位置Y1，且在Z方向上设为第1Z位置Z1并照射激光L，形成作为第1改性区域121的第1Z改性区域121a的第1斜加工处理；通过在第1斜加工处理之后，将聚光区域C的位置在Y方向上设为比第1Y位置Y1靠外缘103侧的第2Y位置Y2，且在Z方向上设为比第1Z位置Z1靠第2面102侧的第2Z位置Z2并照射激光L，在比第1Z改性区域121a靠第2面102侧且外缘103侧形成作为第1改性区域121的第2Z改性区域121b，使第1裂纹131以从第1Z改性区域121a朝向边界B12的方式倾斜地伸展的第2斜加工处理。这样，通过依次形成倾斜地并排的至少两个改性区域12，能够更适当地实现斜裂纹的形成。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，在第1加工处理中，控制部6在第2斜加工处理之后，执行如下垂直加工处理，通过在第2Y位置Y2，使聚光区域C位于比第2Z位置Z2靠第2面102侧的多个Z方向的位置并照射激光L，在第2Y位置Y2形成沿着Z方向排列的多个第1改性区域121(第3Z改性区域121c)，遍及该多个第1改性区域121使第3裂纹131b垂直地伸展。这样，在更远离作为激光L的入射面的第2面102的(更深的)Z位置进行第1斜加工处理和第2斜加工处理后，在更浅的位置进行垂直加工处理。因此，在任意处理中，均不会受到已经形成的改性区域12的影响，能够形成新的改性区域12。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，控制部6在第1加工处理之后，通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下第2加工处理，通过使聚光区域C沿着从Z方向观察时在周缘部170上以从第1晶片100的外缘103到第1线A1的方式延伸的第2线A2相对移动，同时对第1晶片100照射激光L，沿着第2线A2形成作为改性区域12的第2改性区域122。由此，能够利用第2改性区域122和从第2改性区域122延伸的裂纹，将第1晶片100的外缘部分(除去区域E)沿周向分割成多个部分而容易地进行切边。特别是在该情况下，在第1加工处理之后进行第2加工处理。因此，能够通过沿着第1线A1已经形成的第1改性区域121和从第1改性区域121延伸的裂纹阻止从第2改性区域122延伸的裂纹的伸展。因此，能够抑制加工品质的降低。

另外，在本实施方式的激光加工装置1中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下应力缓和处理(第1斜加工处理)，通过从Z方向观察时使聚光区域C位于周缘部170上的位置并对第1晶片100照射激光L，形成用于缓和产生于第1晶片100的内部的应力的改性区域12(第1Z改性区域121a)。特别是，控制部6在使第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前，执行应力缓和处理。

这样，在本实施方式的激光加工装置1中，从第1改性区域121延伸的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前，形成用于缓和第1晶片100内部的应力的改性区域12(第1Z改性区域121a)。因此，抑制第1裂纹131由于第1晶片100内部的应力向非意图的方向伸展。因此，根据本实施方式的激光加工装置1，能够抑制贴合晶片的切边加工的品质下降。

此外，在本实施方式的激光加工装置1中，在Z方向上形成多个沿着第1线A1的第1改性区域121。由此，能够利用多个第1改性区域121和从第1改性区域121延伸的第1裂纹131，进行将晶片的外缘部分作为不要部分(除去区域E)除去的切边。而且，控制部6在形成用于使多个第1改性区域121中的至少第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展的第1改性区域121(第2Z改性区域121b)之前，执行应力缓和处理。

这样，在本实施方式的激光加工装置1中，在用于使从多个第1改性区域121中的位于最靠第1晶片100的第1面101侧(即器件层150侧)的第1改性区域121(第1Z改性区域121a)延伸的第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展的加工前，形成用于缓和第1晶片100内部的应力的改性区域12(第1Z改性区域121a)。因此，抑制第1裂纹131由于第1晶片100内部的应力向非意图的方向伸展。因此，根据本实施方式的激光加工装置1，能够抑制贴合晶片的切边加工的品质下降。

[第2实施方式的变形例]

接着，对第2实施方式的变形例进行说明。首先，在上述第2实施方式中，对不进行形成第3改性区域123的第3加工处理的情况进行了说明。但是，在第2实施方式中，也可以与第1实施方式同样，进一步进行第3加工处理。即，控制部6也可以在工序S201(第1加工工序、第1加工处理)之前，执行如下第3加工处理，通过使聚光区域C位于从Z方向观察时在周缘部170上与第1线A1和第2线A2不同的位置，且对第1晶片100照射激光L，而形成作为改性区域12的第3改性区域123。第3加工处理的执行的时刻和具体的处理内容能够与第1实施方式同样地进行。另外，在第2实施方式中进行第3加工处理的情况下，也能够采用与第1实施方式的变形例同样的变形。

另外，在上述第2实施方式中，说明了在工序S201(第1加工工序、第1加工处理)之后，进行工序S202(第2加工工序、第2加工处理)，沿着第2线A2形成第2改性区域122的例子。但是，该顺序能够变更。更具体地说明这一点。

即，在第2实施方式的激光加工装置1中，控制部6也可以在第1加工处理之前，通过控制照射部3和移动部4、5，执行如下第2加工处理，通过使聚光区域C沿着第2线A2相对移动，同时对第1晶片100照射激光L，而沿着第2线A2形成作为改性区域12的第2改性区域122。在该情况下，也与上述的情况同样，能够利用第2改性区域122和从第2改性区域122延伸的裂纹，将第1晶片100的除去区域E沿周向分割成多个部分而容易地进行切边。特别是在该情况下，在第1加工处理之前进行第2加工处理。因此，能够在通过第2加工处理中形成的第2改性区域122，进一步缓和第1晶片100内部的应力的状态下，形成第1加工处理中倾斜地延伸的第1裂纹131。

另一方面，第2实施方式也与第1实施方式同样，在第2加工处理中，控制部6执行：通过使聚光区域C沿着第2线A2中的第1部分A2a相对移动，同时照射激光L，沿着第1部分A2a形成第2改性区域122的第1部分处理；通过使聚光区域C沿着第2线中的第2部分A2b相对移动，同时照射激光L，沿着第2部分A2b形成第2改性区域122的第2部分处理，并且控制部6能够至少在第1加工处理之前执行第1部分处理。

在该情况下，能够在第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前，除了利用第3改性区域123之外，还利用形成于第2线A2的第1部分A2a的第2改性区域122，实现第1晶片100内部的应力缓和。在该情况下，第1部分处理中形成的第2改性区域122也作为用于缓和产生于第1晶片100的内部的应力的改性区域12发挥作用。因此，控制部6在第1部分处理的同时，执行应力缓和处理。

另外，在该情况下，控制部6也能够在第1加工处理之前进行第1部分处理和第2部分处理两者。在该情况下，能够在第1裂纹131以到达第1面101的方式伸展之前，通过形成于第2线A2的第1部分A2a和第2部分A2b的第2改性区域122，实现第1晶片100内部的应力缓和。在该情况下，第1部分处理和第2部分处理中形成的第2改性区域122也作为用于缓和产生于第1晶片100的内部的应力的改性区域12发挥作用。因此，控制部6在第1部分处理和第2部分处理的同时，执行应力缓和处理。

另一方面，在第2实施方式中，控制部6也能够在第1加工处理之前进行第1部分处理，并且在第1加工处理之后进行第2部分处理。在该情况下，在形成第2线A2中的到达第1线A1的第2部分A2b中的第2改性区域122时，在第1线A1上已经形成第1改性区域121，所以通过第1改性区域121阻止从第2改性区域122沿水平方向延伸的裂纹的伸展。

[与第1实施方式和第2实施方式共通的变形例]

在此，在上述第1和第2实施方式中说明了如下例子，在工序S102、S201中，依次进行用于形成斜裂纹的第1斜加工处理、第2斜加工处理、和用于形成垂直裂纹的垂直加工处理。但是，该顺序能够变更。更具体而言，控制部6也可以在工序S102、S201中，在第1斜加工处理和第2斜加工处理之前执行垂直加工处理。

即，控制部6能够在第1加工处理中，在第1斜加工处理之前，执行如下垂直加工处理，通过在第2Y位置Y2，使聚光区域C位于比第2Z位置Z2靠第2面102侧的多个Z方向的位置并照射激光L，而在第2Y位置Y2形成沿着Z方向排列的多个第1改性区域121(第3Z改性区域121c)，遍及该多个第1改性区域121使第3裂纹131b垂直地伸展。在该情况下，能够在通过垂直加工处理中形成的第1改性区域121缓和了晶片内部的应力的状态下，形成第1斜加工处理和第2斜加工处理中倾斜地延伸的第1裂纹131。

另外，在上述第1和第2实施方式中，在第1加工处理、第2加工处理、和第3加工处理中，通过激光L的照射形成了改性区域12，但也能够在各处理中使用不同的激光。

另外，在上述第1和第2实施方式中说明了如下情况，在第1加工处理中，控制部6通过控制照射部3和移动部4、5，使聚光区域C位于多个Z方向的位置并照射激光L，而沿着Z方向形成多个第1改性区域121。但是，在对象物11在Z方向上较薄的情况或在第1面101侧进一步进行加工的情况下，能够在第1加工处理中，通过第1Z改性区域121a的形成(未形成第2Z改性区域121b)，形成从第1Z改性区域121a到第1面101的第1裂纹131。这在第1裂纹131为相对于Z方向倾斜的斜裂纹的情况、和第1裂纹131为沿着Z方向延伸的垂直裂纹的情况中的任一情况下也同样。

另外，在上述第1和第2实施方式中，说明了第2线A2以从第1晶片100的外缘103到达第1线A1的方式直线状延伸的情况。但是，第2线A2只要从外缘103到达第1线A1即可，也可以是曲线状。作为一例，第2线A2可设为通过绕沿着载置台2的Z轴的旋转轴的旋转运动和照射部3的向Y方向的直线运动的组合而生成的(局部)涡旋状的曲线。

另外，上述第1和第2实施方式的对象物11设为通过将第1晶片100与第2晶片200接合而构成的贴合晶片。但是，接合第1晶片100的其它部件不限定于第2晶片200。

Claims (9)

1.一种激光加工装置，对于包含第1面和与所述第1面相反侧的第2面且在所述第1面侧与其它部件接合的晶片，将所述第2面作为入射面来照射激光，由此，在所述晶片上形成改性区域，所述激光加工装置的特征在于，包括：

支承部，其用于支承所述晶片；

照射部，其用于向被所述支承部支承的所述晶片照射所述激光；

移动部，其用于使所述激光的聚光区域相对于所述晶片相对移动；和

控制部，其用于控制所述照射部和所述移动部，

在所述第1面上形成有包含多个芯片并且与所述其它部件接合的器件层，

所述器件层包含：有源区域，其包含所述多个芯片；和周缘部，其以从与所述第1面交叉的Z方向观察时包围所述有源区域的方式位于所述有源区域的外侧，

所述周缘部具有作为包含所述器件层的外缘的区域的与所述其它部件的接合被弱化了的前处理区域、和从所述Z方向观察时位于所述前处理区域的内侧的接合区域，

所述控制部通过控制所述照射部和所述移动部，执行如下第1加工处理，通过一边使所述激光的聚光区域沿着从所述Z方向观察时在所述前处理区域上环状延伸的第1线相对移动，一边对所述晶片照射所述激光，而沿着所述第1线形成作为所述改性区域的第1改性区域，并且从所述第1改性区域形成第1裂纹，该第1裂纹以随着从所述第2面向所述第1面去，从所述前处理区域和所述接合区域的边界的外侧向所述边界的方式倾斜地延伸。

2.如权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于：

在所述第1加工处理中，所述控制部执行如下处理：

通过将所述聚光区域的位置在从所述晶片的中心朝向外缘的Y方向上设为第1Y位置，且在所述Z方向上设为第1Z位置并照射所述激光，而形成作为所述第1改性区域的第1Z改性区域的第1斜加工处理；和

在所述第1斜加工处理之后，通过将所述聚光区域的位置在所述Y方向上设为比所述第1Y位置靠所述晶片的外缘侧的第2Y位置，且在所述Z方向上设为比所述第1Z位置靠所述第2面侧的第2Z位置并照射所述激光，而在比所述第1Z改性区域靠所述第2面侧且所述晶片的外缘侧形成作为所述第1改性区域的第2Z改性区域，使所述第1裂纹以从所述第1Z改性区域朝向所述边界的方式倾斜地伸展的第2斜加工处理。

3.如权利要求2所述的激光加工装置，其特征在于：

在所述第1加工处理中，所述控制部在所述第2斜加工处理之后，执行如下垂直加工处理，在所述第2Y位置，通过使所述聚光区域位于比所述第2Z位置靠所述第2面侧的多个所述Z方向的位置并照射所述激光，而在所述第2Y位置形成沿着所述Z方向排列的多个所述第1改性区域，遍及该多个所述第1改性区域使裂纹垂直地伸展。

4.如权利要求2所述的激光加工装置，其特征在于：

在所述第1加工处理中，所述控制部在所述第1斜加工处理之前，执行如下垂直加工处理，在所述第2Y位置，使所述聚光区域位于比所述第2Z位置靠所述第2面侧的多个所述Z方向的位置并照射所述激光，由此，在所述第2Y位置形成沿着所述Z方向排列的多个所述第1改性区域，遍及该多个所述第1改性区域使裂纹垂直地伸展。

5.如权利要求1～4中任一项所述的激光加工装置，其特征在于：

所述控制部在所述第1加工处理之后，通过控制所述照射部和所述移动部，执行如下第2加工处理，一边使所述聚光区域沿着从所述Z方向观察时在所述周缘部上以从所述晶片的外缘到所述第1线的方式延伸的第2线相对移动，一边对所述晶片照射所述激光，由此，沿着所述第2线形成作为所述改性区域的第2改性区域。

6.如权利要求1～4中任一项所述的激光加工装置，其特征在于：

所述控制部在所述第1加工处理之前，通过控制所述照射部和所述移动部，执行如下第2加工处理，一边使所述聚光区域沿着从所述Z方向观察时在所述周缘部上以从所述晶片的外缘到所述第1线的方式延伸的第2线相对移动，一边对所述晶片照射所述激光，由此，沿着所述第2线形成作为所述改性区域的第2改性区域。

7.如权利要求5或6所述的激光加工装置，其特征在于：

所述控制部在所述第1加工处理之前，执行如下第3加工处理，使所述聚光区域位于从所述Z方向观察时在所述周缘部上与所述第1线和所述第2线不同的位置，且对所述晶片照射所述激光，由此，形成作为所述改性区域的第3改性区域。

8.一种激光加工方法，其特征在于：

包括对于包含第1面和与所述第1面相反侧的第2面且在所述第1面侧与其它部件接合的晶片，将所述第2面作为入射面来照射激光，由此，用于在所述晶片上形成改性区域的激光加工工序，

在所述第1面上形成有包含多个芯片并且与所述其它部件接合的器件层，

所述器件层包含：有源区域，其包含所述多个芯片；和周缘部，其以从与所述第1面交叉的Z方向观察时包围所述有源区域的方式位于所述有源区域的外侧，

所述周缘部具有包含作为所述器件层的外缘的区域的与所述其它部件的接合被弱化了的前处理区域和位于所述前处理区域的内侧的接合区域，

所述激光加工工序包含如下第1加工工序，通过一边使所述激光的聚光区域沿着从所述Z方向观察时在所述前处理区域上环状延伸的第1线相对移动，一边对所述晶片照射所述激光，而沿着所述第1线形成作为所述改性区域的第1改性区域，并且从所述第1改性区域形成第1裂纹，该第1裂纹随着从所述第2面向所述第1面去，以从所述前处理区域和所述接合区域的边界的外侧朝向所述边界的方式倾斜地延伸。

9.一种激光加工装置，对于包含第1面和与所述第1面相反侧的第2面且在所述第1面侧与其它部件接合的晶片，将所述第2面作为入射面来照射激光，由此，在所述晶片上形成改性区域，所述激光加工装置的特征在于，包括：

支承部，其用于支承所述晶片；

照射部，其用于向被所述支承部支承的所述晶片照射所述激光；

移动部，其用于使所述激光的聚光区域相对于所述晶片相对移动；和

控制部，其用于控制所述照射部和所述移动部，

在所述第1面上形成有包含多个芯片并且与所述其它部件接合的器件层，

所述器件层包含：有源区域，其包含所述多个芯片；和周缘部，其以从与所述第1面交叉的Z方向观察时包围所述有源区域的方式位于所述有源区域的外侧，

所述控制部通过控制所述照射部和所述移动部，执行如下处理：

第1加工处理，一边使所述聚光区域沿着从所述Z方向观察时在所述周缘部上环状延伸的第1线进行相对移动，一边对所述晶片照射所述激光，由此，沿着所述第1线形成作为所述改性区域的第1改性区域，并且以从所述第1改性区域到所述第1面的方式形成第1裂纹；和

使所述聚光区域位于从所述Z方向观察时的所述周缘部上的位置并对所述晶片照射所述激光，由此，形成用于缓和产生于所述晶片的内部的应力的所述改性区域的应力缓和处理，

所述控制部在使所述第1裂纹以到达所述第1面的方式伸展之前，执行所述应力缓和处理。

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