KR20240009675A - Underfill Dispensing Device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판에 본딩된 반도체소자의 본딩 영역에 언더필을 도포하는 언더필 디스펜싱 장치에 관한 것으로서, 복수개의 반도체소자가 복수개의 행과 열로 본딩된 기판이 적재되는 기판테이블(110)과; 상기 기판테이블(110)의 상부에서 각 반도체소자의 본딩영역으로 언더필을 분사하는 디스펜싱노즐(121)이 구비된 언더필헤드(120)와; 상기 언더필헤드(120)를 상기 기판(10)에 대해 X축 또는 Y축 방향으로 이동시키며 복수개의 반도체소자에 순차적으로 언더필이 도포되게 지지하는 언더필헤드이송부(130)와; 상기 언더필헤드(120)와 이격되게 구비되어 기판에 본딩된 각 반도체소자를 스캔하는 카메라(143)를 이용하여 위치좌표를 산출하는 스캔헤드(140)와; 상기 스캔헤드(140)에서 산출된 각 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 상기 언더필헤드이송부(130)로 전송하는 제어부(160)를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an underfill dispensing device for applying underfill to a bonding area of a semiconductor device bonded to a substrate, comprising: a substrate table 110 on which a substrate having a plurality of semiconductor devices bonded in a plurality of rows and columns is loaded; an underfill head 120 equipped with a dispensing nozzle 121 that sprays underfill from the upper part of the substrate table 110 to the bonding area of each semiconductor device; an underfill head transfer unit 130 that moves the underfill head 120 in the X-axis or Y-axis direction with respect to the substrate 10 and supports sequential application of underfill to a plurality of semiconductor devices; a scan head 140 that is provided to be spaced apart from the underfill head 120 and calculates position coordinates using a camera 143 that scans each semiconductor device bonded to the substrate; It is characterized in that it includes a control unit 160 that transmits the positional coordinates of each semiconductor device (20, 20a, 20b, 20c) calculated by the scan head 140 to the underfill head transfer unit 130.
Description
본 발명은 언더필 디스펜싱 장치에 관한 것으로서, 보다 자세히는 기판에 본딩된 복수개의 반도체 소자의 언더필 디스펜싱에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 언더필 디스펜싱 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an underfill dispensing device, and more specifically, to an underfill dispensing device that can shorten the time required for underfill dispensing of a plurality of semiconductor devices bonded to a substrate.
반도체 소자(semiconductor device)에 적용되는 본딩 기술은 와이어 본딩(wire bonding), 탭(TAB; Tape Automated Bonding), 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 및 에이씨에프(ACF; Anisotropic Conductive Film) 본딩 기술 등이 있다. Bonding technologies applied to semiconductor devices include wire bonding, TAB (Tape Automated Bonding), flip chip bonding, and ACF (Anisotropic Conductive Film) bonding technology. there is.
이 중 반도체 소자를 직접 기판에 실장하는 플립 칩 본딩 기술에 대한 연구가 최근 활발히 이루어지고 있다. Among these, research on flip chip bonding technology, which mounts semiconductor devices directly on a substrate, has recently been actively conducted.
플립 칩 본딩 기술은 반도체 소자의 전극 패드(electrode pad)에 외부접속단자로서 활용할 수 있는 범프(bump)를 형성하고, 그 범프와 기판을 접속하는 방식으로 반도체 소자를 실장하는 기술이다. 전극 패드 상에 형성되는 범프에는 솔더 범프(solder bump), 금 범프(Au bump), 지주 범프(stud bump) 등이 있으며, 솔더 범프와 금 범프는 도금 방법을 활용하여 형성하고, 지주 범프는 와이어 본딩 방법을 활용하여 형성한다.Flip chip bonding technology is a technology for mounting a semiconductor device by forming a bump that can be used as an external connection terminal on the electrode pad of the semiconductor device and connecting the bump to the substrate. Bumps formed on electrode pads include solder bumps, Au bumps, and stud bumps. The solder bumps and gold bumps are formed using a plating method, and the stud bumps are formed using a wire. It is formed using a bonding method.
플립 칩 본딩 방법으로 반도체 소자를 기판에 실장한 이후에, 반도체 소자와 기판 사이의 열팽창 계수의 차이로 인한 불량을 방지하기 위해서, 플립 칩 본딩된 부분을 충진제로 메워주는 언더필 공정(underfill process)을 진행한다. After mounting a semiconductor device on a board using the flip chip bonding method, in order to prevent defects due to differences in thermal expansion coefficient between the semiconductor device and the board, an underfill process is performed to fill the flip chip bonded portion with a filler. Proceed.
도 1의 (a)는 일반적인 언더필 공정을 개략적으로 도시한 개략도이고, 도 1의 (b)는 기판(10)에 복수개의 반도체소자(20,20a,20b,20c)가 접착된 상태를 도시한 평면 예시도이고, 도 2는 종래 언더필 디스펜싱 장치의 동작과정을 도시한 개략도이다. Figure 1(a) is a schematic diagram schematically showing a general underfill process, and Figure 1(b) shows a state in which a plurality of
언더필공정은 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이 반도체 소자(20)의 하부에 형성된 범프(30)를 기판(10)에 플립 칩 본딩 방법으로 접합한 이후에, 반도체 소자(20)의 일측에 위치된 디스펜싱 노즐(50)에서 액상의 언더필(40)를 주입하여 반도체 소자(20)와 기판(10) 사이의 플립 칩 본딩된 부분을 메워준다. As shown in (a) of FIG. 1, the underfill process is performed by bonding the bump 30 formed on the lower part of the
하나의 기판(10)에는 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이 복수개의 반도체 소자(20,20a,20b,20c)가 본딩된다.A plurality of
이에 종래 언더필 디스펜싱 장치는 도 2에 도시된 바와 같이 디스펜싱노즐(50)이 노즐이송부(70)에 의해 반도체 소자 상부로 이송되며 복수개의 반도체 소자(20,20a,20b,20c)에 순차적으로 언더필(40)을 디스펜싱하게 된다. Accordingly, in the conventional underfill dispensing device, as shown in FIG. 2, the dispensing nozzle 50 is transferred to the upper part of the semiconductor device by the nozzle transfer unit 70 and is sequentially applied to a plurality of
이 때, 기판(10)에 본딩된 각 반도체 소자(20,20a,20b,20c)의 정확한 위치로 디스펜싱노즐(50)이 이동된 후 언더필을 도포해야 불량이 발생되지 않는다. 이에 각 반도체 소자(20,20a,20b,20c)의 정확한 위치좌표를 인식한 후 디스펜싱노즐(50)이 해당 위치좌표로 이동된다. At this time, the dispensing nozzle 50 must be moved to the exact position of each
이를 위해 도 2에 도시된 바와 같이 디스펜싱노즐(50)과 노즐이송부(70)를 연결하는 노즐헤드(55)의 하부에는 반도체 소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 스캔하는 카메라(60)가 구비된다. For this purpose, as shown in FIG. 2, there is a device at the bottom of the nozzle head 55 connecting the dispensing nozzle 50 and the nozzle transfer unit 70 to scan the position coordinates of the
카메라(60)가 먼저 디스펜싱을 수행할 해당 반도체 소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 스캔하면, 노즐이송부(70)가 카메라(60)가 스캔한 위치좌표로 디스펜싱노즐(50)을 이동시켜 언더필(40)을 디스펜싱한다. When the camera 60 first scans the position coordinates of the
그런데, 이러한 종래 언더필 디스펜싱 장치는 카메라(60)의 스캔 및 위치좌표 산출시간과 디스펜싱노즐(50)의 디스펜싱 시간이 거의 동일하게 소요되고 스캔과정과 디스펜싱과정이 교번적으로 반복 진행되므로, 기판(10)에 본딩된 복수개의 반도체 소자(20,20a,20b,20c) 모두에 언더필을 충진하는데 상당한 시간이 소요되는 단점이 있었다. However, in this conventional underfill dispensing device, the scanning and position coordinate calculation time of the camera 60 and the dispensing time of the dispensing nozzle 50 are almost the same, and the scanning process and dispensing process are repeated alternately. , there was a disadvantage that it took a considerable amount of time to fill all of the plurality of semiconductor devices (20, 20a, 20b, and 20c) bonded to the
즉, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(10)에 4개의 반도체 소자(20,20a,20b,20c)가 있는 경우, 카메라(60)가 제1반도체 소자(20)를 스캔한 후 디스펜싱노즐(50)이 제1반도체 소자(20)로 언더필을 디스펜싱하고, 노즐이송부(70)가 노즐헤드(55)를 제2반도체 소자(20a)로 이송한 후 카메라(60)가 제2반도체 소자(20a)를 스캔한 후 디스펜싱노즐(50)이 제2반도체 소자(20a)로 언더필을 디스펜싱하는 과정을 4번 반복하게 된다. That is, as shown in FIG. 2, when there are four
이에 따라 언더필 디스펜싱 장치 한 대의 시간당 언더필 공정 수행 효율이 낮으므로, 공장에서는 단위시간당 공정량을 맞추기 위해 언더필 장치의 보유대수를 증가시켜야했다. Accordingly, since the efficiency of performing the underfill process per hour of one underfill dispensing device is low, the factory had to increase the number of underfill devices in order to meet the processing volume per unit time.
본 발명의 목적은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 기판에 본딩된 반도체소자의 위치스캔 공정과 언더필 디스펜싱 공정이 동시에 수행될 수 있는 언더필 디스펜싱 장치를 제공하는 것이다. The purpose of the present invention is to solve the above-described problem and to provide an underfill dispensing device that can simultaneously perform a position scanning process of a semiconductor device bonded to a substrate and an underfill dispensing process.
본 발명의 다른 목적은 기판에 본딩된 복수개의 반도체 소자에 대한 언더필 공정에 소요되는 시간을 단축하여 공정 효율을 높일 수 있는 언더필 디스펜싱 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide an underfill dispensing device that can increase process efficiency by shortening the time required for the underfill process for a plurality of semiconductor devices bonded to a substrate.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 본 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above objects and various advantages of the present invention will become more apparent to those skilled in the art from preferred embodiments of the present invention.
본 발명의 목적은 기판에 본딩된 반도체소자의 본딩 영역에 언더필을 도포하는 언더필 디스펜싱 장치에 의해 달성될 수 있다. 본 발명의 언더필 디스펜싱 장치는, 복수개의 반도체소자가 복수개의 행과 열로 본딩된 기판이 적재되는 기판테이블(110)과; 상기 기판테이블(110)의 상부에서 각 반도체소자의 본딩영역으로 언더필을 분사하는 디스펜싱노즐(121)이 구비된 언더필헤드(120)와; 상기 언더필헤드(120)를 상기 기판(10)에 대해 X축 또는 Y축 방향으로 이동시키며 복수개의 반도체소자에 순차적으로 언더필이 도포되게 지지하는 언더필헤드이송부(130)와; 상기 언더필헤드(120)와 이격되게 구비되어 기판에 본딩된 각 반도체소자를 스캔하는 카메라(143)를 이용하여 위치좌표를 산출하는 스캔헤드(140)와; 상기 스캔헤드(140)에서 산출된 각 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 상기 언더필헤드이송부(130)로 전송하는 제어부(160)를 포함하는 것을 특징으로 한다. The object of the present invention can be achieved by an underfill dispensing device that applies underfill to a bonding area of a semiconductor device bonded to a substrate. The underfill dispensing device of the present invention includes a substrate table 110 on which a substrate in which a plurality of semiconductor devices are bonded in a plurality of rows and columns is placed; an
일 실시예에 따르면, 상기 스캔헤드(140)는 상기 언더필헤드이송부(130)에 상기 언더필헤드(120)와 이격되게 결합되고, 상기 언더필헤드이송부(130)는 상기 스캔헤드(140)를 상기 언더필헤드(120)에 비해 한 개 이상의 반도체소자의 간격 보다 먼저 이송하는 것이 바람직하다. According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 상기 스캔헤드(140)를 상기 기판(10)에 대해 X축 또는 Y축으로 이송시키는 스캔헤드이송부(150)를 더 포함하고, 상기 스캔헤드이송부(150)는 상기 언더필헤드이송부(130)와 독립적으로 상기 스캔헤드(140)를 이송할 수 있다. According to one embodiment, it further includes a scan
일 실시예에 따르면, 상기 스캔헤드(140)는 상기 기판(10)에 본딩된 전체 반도체소자(20,20a,20b,20c)를 복수개의 영역으로 분할하고, 분할된 각 영역에 본딩된 복수개의 반도체소자(20,20a,20b,20c)을 함께 스캔하여 위치좌표를 획득할 수 있다. According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 상기 스캔헤드(140)는 상기 언더필헤드이송부(130)에 의해 상기 언더필헤드(120)가 이동되기 전에 상기 기판(10)에 본딩된 전체 반도체소자(20,20a,20b,20c)를 동시에 스캔하여 전체 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 획득할 수 있다. According to one embodiment, the
본 발명에 따른 언더필 디스펜싱 장치는 기판에 본딩된 반도체 소자의 위치좌표를 획득하는 카메라가 분사노즐과 독립적으로 이송되며, 언더필 분사공정과 카메라의 스캔공정이 동시에 수행될 수 있다. In the underfill dispensing device according to the present invention, a camera that acquires the positional coordinates of a semiconductor device bonded to a substrate is transported independently of the spray nozzle, and the underfill spray process and the camera scan process can be performed simultaneously.
이에 따라 기판에 본딩된 복수개의 반도체 소자에 대한 전체 언더필 디스펜싱에 소요되는 시간이 종래 언더필 분사공정과 카메라의 스캔공정이 교번적으로 이루어지던 방식과 비교할 때 현저히 줄어들 수 있는 장점이 있다. Accordingly, there is an advantage that the time required for dispensing the entire underfill for a plurality of semiconductor devices bonded to the substrate can be significantly reduced compared to the conventional method in which the underfill spraying process and the camera scanning process are alternately performed.
도 1은 언더필 공정 과정을 개략적으로 도시한 개략도,
도 2는 종래 언더필 장치의 언더필 디스펜싱 장치의 동작 과정을 개략적으로 도시한 예시도,
도 3은 본 발명에 따른 언더필 디스펜싱 장치의 개념을 개략적으로 도시한 개략도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 언더필 디스펜싱 장치의 구성을 도시한 사시도,
도 5와 도 6은 본 발명에 따른 언더필 디스펜싱 장치에 의한 언더필 도포 경로와 반도체 소자 스캔 경로를 도시한 예시도이다.1 is a schematic diagram schematically showing the underfill process;
Figure 2 is an example diagram schematically showing the operation process of the underfill dispensing device of the conventional underfill device;
3 is a schematic diagram schematically showing the concept of an underfill dispensing device according to the present invention;
Figure 4 is a perspective view showing the configuration of an underfill dispensing device according to an embodiment of the present invention;
Figures 5 and 6 are exemplary diagrams showing an underfill application path and a semiconductor device scan path by the underfill dispensing device according to the present invention.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어 지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of elements in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description. It should be noted that identical members in each drawing may be indicated by the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention are omitted.
도 3은 본 발명에 따른 언더필 디스펜싱 장치(100)의 개념을 개략적으로 도시한 개략도이다. Figure 3 is a schematic diagram schematically showing the concept of the
본 발명에 따른 언더필 디스펜싱 장치(100)는 기판(10)에 본딩된 반도체소자(20,20a,20b,20c)에 언더필(40)을 분사하는 디스펜싱노즐(121)이 구비된 언더필헤드(120)와, 언더필헤드(120)를 이송하는 언더필헤드이송부(130)와, 기판(10)에 본딩된 반도체소자(20,20a,20b,20c)를 스캔하여 위치좌표를 산출하는 카메라(143)가 구비된 스캔헤드(140)와, 스캔헤드(140)를 이송하는 스캔헤드이송부(150)와, 스캔헤드(140)에서 산출한 반도체소자(20,20a,20b,20c)들의 각 위치좌표를 언더필헤드이송부(130)로 전송하는 제어부(160)를 포함한다. The
본 발명에 따른 언더필 디스펜싱 장치(100)는 디스펜싱노즐(121)과 카메라(143)가 독립적으로 분리되게 구비되고, 각각 독립적으로 이송된다. 즉, 디스펜싱노즐(121)은 언더필헤드(120)에 구비되며 언더필헤드이송부(130)에 의해 이송되고, 카메라(143)는 스캔헤드(140)에 구비되며 스캔헤드이송부(150)에 의해 자유롭게 이송된다. In the
도 3에 도시된 바와 같이 스캔헤드(140)는 언더필헤드(120)의 현재 위치와 상관없이 독립적으로 이동되며 언더필(40)이 도포되어야할 복수개의 반도체소자(20,20a,20b,20c)들을 먼저 스캔하고 스캔된 위치좌표를 제어부(160)로 전송한다. As shown in FIG. 3, the
그리고, 언더필헤드이송부(130)는 스캔헤드(140)가 위치좌표를 스캔하는 동안 수신받은 각 반도체소자(20,20a,20b,20c)들의 위치좌표로 순차적으로 언더필헤드(120)를 이송하고, 디스펜싱노즐(121)은 언더필(40)을 각 반도체소자(20,20a,20b,20c)들로 정확하게 충진하게 된다. In addition, the underfill
이렇게 스캔헤드(140)의 스캔공정과 디스펜싱노즐(121)의 디스펜싱공정이 동시에 병행하여 진행되므로 전체 기판(10)의 언더필에 소요되는 시간이 현저히 줄어들 수 있는 장점이 있다. In this way, since the scanning process of the
여기서, 기판(10)에 본딩된 복수개의 반도체소자(20,20a,20b,20c)들은 일정 간격 이격되게 배치된다. 도 3에 도시된 바와 같이 스캔헤드이송부(150)는 스캔헤드(140)가 디스펜싱노즐(121)의 언더필 분사공정에 간섭되지 않게 적어도 한 스텝 이상 앞서서 이동되는 것이 바람직하다. Here, a plurality of
즉, 언더필헤드이송부(130)에 의해 언더필헤드(120)가 직선방향으로 이송되며 제1반도체 소자(20), 제2반도체 소자(20a), 제3반도체 소자(20b), 제4반도체 소자(20c) 순으로 순차적으로 언더필(40)을 분사할 때, 스캔헤드이송부(150)는 현재 언더필헤드(120)가 위치된 반도체 소자(20)에 이웃한 차순위 반도체 소자(20a) 또는 차차순위 반도체 소자(20b) 보다 이격된 위치에서 스캔헤드(140)가 스캔작업을 수행하게 스캔헤드(140)를 이송하는 것이 바람직하다.That is, the
도 4는 본 발명의 언더필 디스펜싱 장치(100)의 일례를 도시한 사시도이다. 도시된 바와 같이 본 발명의 일례에 따른 언더필 디스펜싱 장치(100)는 기판(10)이 안착되는 기판테이블(110)과, 기판테이블(110)의 상부에 이동가능하게 구비되어 기판(10)에 본딩된 반도체소자(20,20a,20b,20c)에 언더필(40)을 도포하는 디스펜싱노즐(121)이 결합된 언더필헤드(120)와, 언더필헤드(120)를 X축 및 Y축으로 이동시키는 언더필헤드이송부(130)와, 언더필헤드(120)와 이격되게 구비되는 스캔헤드(140)와, 스캔헤드(140)를 X축 및 Y축으로 이송하는 스캔헤드이송부(150)를 포함한다. Figure 4 is a perspective view showing an example of the
기판테이블(110)에는 기판 픽업로봇(미도시)이 기판(10)을 로딩하고, 언더필 디스펜싱이 완료되면 기판(10)을 언로딩한다. A substrate pick-up robot (not shown) loads the
언더필헤드(120)에는 디스펜싱노즐(121)과, 디스펜싱노즐(121)을 통해 언더필이 분사되게 단속하는 디스펜서(123)가 구비된다. 디스펜싱노즐(121)은 디스펜서(123)에 의해 언더필(40)을 분사하고 모세관력에 의해 반도체소자(20,20a,20b,20c)와 기판(10) 사이에 언더필(40)이 채워지게 한다. The
언더필헤드이송부(130)는 기판(10)에 반도체소자(20,20a,20b,20c)가 복수개의 행과 열로 부착될 때, X축 방향으로 언더필헤드(120)가 이송되게 지지하는 X축이송부(131)와, X축이송부(131)를 Y축방향으로 이송하는 Y축이송부(133)를 포함한다. 언더필헤드이송부(130)는 제어부(160)를 통해 수신된 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표로 언더필헤드(120)를 이송한다. The underfill
스캔헤드(140)는 기판(10) 상에 본딩된 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 각 모서리(21,23, 도 1(b) 참조)를 촬영하는 카메라(143)와, 카메라(143)에서 촬영된 이미지에 기초하여 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 산출하는 좌표산출부(141)를 포함한다. The
스캔헤드이송부(150)는 스캔헤드(140)를 X축 방향으로 이송하는 스캔헤드X축이송부(151)와, 스캔헤드(140)를 Y축 방향으로 이송하는 스캔헤드Y축이송부(153)를 포함한다. 경우에 따라 스캔헤드이송부(150)는 스캔헤드(140)와 기판(10) 사이의 높이를 조절하는 스캔헤드승강부(미도시)를 더 포함할 수 있다. The scan
도 1의 (b)에 도시된 바와 같이 기판(10)의 모서리영역에는 기준좌표(11)가 표시된다. 좌표산출부(141)는 카메라(143)에서 촬영된 모서리(21,23)의 이미지와, 기준좌표(11,11a)로부터 스캔헤드X축이송부(151)와 스캔헤드Y축이송부(153)의 X축 및 Y축 이송거리에 기초하여 각 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 정확한 위치좌표를 산출하고 제어부(160)로 전송한다. As shown in (b) of FIG. 1, reference coordinates 11 are displayed on the corner area of the
도 5와 도 6은 본 발명의 언더필 디스펜싱 장치(100)의 스캔공정과 디스펜싱 공정이 동시에 수행되는 다양한 방식을 도시한 예시도이다. Figures 5 and 6 are illustrations showing various ways in which the scanning process and the dispensing process of the
도면에서 점선으로 표시된 경로(T1, T2, T3, T4)는 스캔헤드(140)에 의해 기판(10) 위에서 위치좌표가 산출된 반도체소자(20,20a,20b,20c)를 도시한 것이고, 빗금으로 표시된 반도체 소자(20, 20a)는 기판(10)에 본딩된 반도체 소자 중 언더필(S1,S2)이 도포된 반도체소자를 도시한 것이다. The paths (T1, T2, T3, T4) indicated by dotted lines in the drawing show the semiconductor devices (20, 20a, 20b, 20c) whose positional coordinates have been calculated on the
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에는 복수개의 반도체 소자가 5*4 형태로 배열된다. 디스펜싱노즐(121)은 제1행의 제1반도체소자(20), 제2반도체소자(20a), 제3반도체소자(20b) 순으로 X축방향으로 순차적으로 이동하며 각 반도체 소자에 언더필(40)을 분사하고, Y축방향으로 이동한 후 다시 X축방향으로 이동하며 제2행, 제3행의 마지막 반도체소자(20d-2)까지 순차적으로 언더필(40)을 분사한다. As shown in (a) of FIG. 5, a plurality of semiconductor devices are arranged in a 5*4 shape on the
이 때, 스캔헤드(140)는 스캔헤드이송부(150)에 의해 디스펜싱노즐(121) 보다 2스텝 앞서서 디스펜싱노즐(121)과 동시에 동일한 경로로 복수개의 반도체 소자를 순차적으로 경유하며 반도체 소자 각각의 위치좌표를 획득하여 제어부(160)로 전송한다. At this time, the
즉, 스캔헤드(140)가 제1반도체소자(20)와 제2반도체소자(20a)를 스캔한 후 제3반도체소자(20b)를 스캔하기 위해 이동하면, 언더필헤드(120)가 제1반도체소자(20)의 위치좌표로 이동하며 제1반도체소자(20)로 언더필(40)을 분사한다. 이러한 방식으로 2스텝씩 차이나게 스캔헤드(140)와 언더필헤드(120)가 동시에 스캔과정과 언더필 충진과정을 수행한다. That is, when the
이 경우, 도 2의 종래 언더필 디스펜싱 장치의 디스펜싱 방식과 비교할 때 스캔헤드(140)가 2스텝 앞서 스캔공정과 언더필 디스펜싱 공정이 동시에 진행되므로 2스텝 먼저 이동되는 시간을 고려하더라도 전체 디스펜싱 소요시간이 30-40% 줄어들 수 있다. In this case, compared to the dispensing method of the conventional underfill dispensing device of FIG. 2, the scanning process and the underfill dispensing process proceed simultaneously with the
한편, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 스캔헤드(140)는 기판(10)에 본딩된 복수개의 반도체소자(20,20a,20b,20c)들을 일정 영역으로 그룹핑하고 이들의 위치좌표를 한꺼번에 획득할 수 있도록 스캔헤드이송부(150)에 의해 이송될 수 있다. Meanwhile, as shown in (b) of FIG. 5, the
즉, 각 열을 기준으로 세 개씩의 반도체 소자를 그룹핑하여, 1열(T1), 2열(T2), 3열(T3) 순으로 전체 반도체 소자의 위치좌표를 획득할 수 있다. 이 경우 좌표산출부(141)는 그룹핑된 반도체 소자의 위치좌표를 취합하여 제어부(160)로 전송한다. That is, by grouping three semiconductor devices based on each column, the position coordinates of all semiconductor devices can be obtained in the order of the first column (T1), the second column (T2), and the third column (T3). In this case, the coordinate
제어부(160)는 수신받은 그룹핑 영역의 반도체 소자들의 위치좌표 중 실시간으로 언더필헤드(120)가 이동되어야할 위치의 반도체 소자의 위치좌표만 순차적으로 언더필헤드이송부(130)로 전송한다. The control unit 160 sequentially transmits only the position coordinates of the semiconductor elements to which the
즉, 스캔헤드(140)가 3열의 반도체소자들의 위치좌표 획득을 위해 스캔헤드이송부(150)에 의해 이동될 때, 제어부(160)는 2열의 제2반도체소자(20a)의 위치좌표를 언더필헤드이송부(130)로 전송하고, 해당 위치좌표로 이동된 디스펜싱노즐(121)은 제2반도체소자(20a)로 언더필(40)을 분사하게 된다. That is, when the
이 경우, 도 2의 종래 언더필 디스펜싱 장치의 디스펜싱 방식과 비교할 때 복수개의 반도체 소자의 위치좌표 획득시간이 더 짧아지고 스캔공정이 디스펜싱 공정보다 먼저 끝나게 되므로 전체 소요시간이 40% 가까이 줄어들 수 있는 장점이 있다.In this case, compared to the dispensing method of the conventional underfill dispensing device of FIG. 2, the time to acquire the position coordinates of a plurality of semiconductor elements is shorter and the scanning process is completed before the dispensing process, so the total time required can be reduced by nearly 40%. There is an advantage.
한편, 도 6은 스캔헤드(140)의 카메라(143)가 기판(10)에 본딩된 전체 반도체 소자의 이미지를 촬영하고, 전체 반도체 소자의 위치정보를 한번에 산출하는 경우이다. 이 경우 좌표산출부(141)가 모든 반도체 소자의 위치좌표를 일괄 산출한 후 제어부(160)로 전송하면, 제어부(160)는 현재 언더필헤드(120)가 이동되어야할 반도체 소자의 위치좌표를 순차적으로 언더필헤드이송부(130)로 전송한다. Meanwhile, FIG. 6 shows a case where the
이 경우 언더필헤드(120)의 이동 전에 전체 반도체 소자의 위치좌표가 스캔헤드(140)를 통해 한번에 획득되고, 제어부(160)가 언더필헤드이송부(130)로 순차적으로 각 반도체 소자의 위치좌표만 전송한 후 언더필헤드(120)가 이동된다. In this case, before moving the
그리고, 디스펜싱노즐(121)은 언더필(40)을 분사만 하면 되므로, 종래 언더필 디스펜싱 장치의 디스펜싱 방식과 비교할 때 전체 소요시간이 50% 가까이 줄어들 수 있다.Additionally, since the dispensing
다만, 도 5의 (b)에 도시된 그룹핑 형태로 위치좌표를 획득하는 경우와 도 6에 도시된 한번에 모든 반도체 소자의 위치좌표를 획득하는 경우 도 5의 (a)에 도시된 개별 위치좌표 획득방식와 위치좌표 획득 알고리즘이 달라질 수 있다. However, in the case of acquiring the position coordinates in the grouping form shown in (b) of FIG. 5 and in the case of acquiring the position coordinates of all semiconductor devices at once shown in FIG. 6, the individual position coordinates shown in (a) of FIG. 5 are obtained. The method and location coordinate acquisition algorithm may vary.
한편, 스캔헤드이송부(150)는 언더필헤드이송부(130)와 독립적으로 구비되어 언더필헤드(120)의 위치와 상관없이 이송될 수 있는 장점이 있다. 다만, 도 4에 도시된 바와 같이 언더필헤드이송부(130)와 스캔헤드이송부(150)가 함께 배치되므로 전체 언더필 디스펜싱 장치(100)의 구조가 복잡해지고 부피가 커질 수 있다. Meanwhile, the scan
이에 도 4에 점선으로 표시된 바와 같이 언더필헤드(120)와 스캔헤드(140')가 스캔헤드이송부(150)를 공유하여 사용할 수 있다. Accordingly, as indicated by a dotted line in FIG. 4, the
스캔헤드(140')는 언더필헤드(120)와 Y축 방향으로는 동일하게 이동되고, X축 방향만 언더필헤드(120)와 독립적으로 이동될 수 있다. 이 때, Y축 방향 이송 후 스캔헤드(140')가 최소 한 스텝은 먼저 이동된 후 언더필헤드(120)가 후속하여 이동된다. The scan head 140' can be moved in the same direction as the
이에 따라 언더필헤드이송부(130)가 독립적으로 구비된 경우와 비교할 때 언더필 도포 속도가 저하될 수 있지만 전체 구조가 간소화될 수 있고, 도 2의 종래 언더필 디스펜싱 장치의 디스펜싱 방식과 비교할 때 전체 소요시간이 20~30% 줄어들 수 있는 장점이 있다. Accordingly, compared to the case where the underfill
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 언더필 디스펜싱 장치는 기판에 본딩된 반도체 소자의 위치좌표를 획득하는 카메라가 분사노즐과 독립적으로 이송되며, 언더필 분사공정과 카메라의 스캔공정이 동시에 수행될 수 있다. As discussed above, in the underfill dispensing device according to the present invention, the camera that acquires the positional coordinates of the semiconductor device bonded to the substrate is transported independently of the spray nozzle, and the underfill spray process and the camera scan process can be performed simultaneously. .
이에 따라 기판에 본딩된 복수개의 반도체 소자에 대한 전체 언더필 디스펜싱에 소요되는 시간이 종래 언더필 분사공정과 카메라의 스캔공정이 교번적으로 이루어지던 방식과 비교할 때 현저히 줄어들 수 있는 장점이 있다. Accordingly, there is an advantage that the time required for dispensing the entire underfill for a plurality of semiconductor devices bonded to the substrate can be significantly reduced compared to the conventional method in which the underfill spraying process and the camera scanning process are alternately performed.
이상에서 설명된 본 발명의 언더필 디스펜싱 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments of the underfill dispensing device of the present invention described above are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. You will find out. Therefore, it will be understood that the present invention is not limited to the forms mentioned in the detailed description above. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims. In addition, the present invention should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes within the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.
10 : 기판 11 : 기준좌표
20, 20a, 20b, 20c... : 반도체칩 30 : 범프
40 : 언더필 50 : 디스펜싱노즐
55 : 노즐헤드 60 : 카메라
70 : 노즐이송부 100 : 언더필 디스펜싱 장치
110 : 기판테이블 120 : 언더필헤드
121 : 디스펜싱노즐 123 : 디스펜서
130 : 언더필헤드이송부 131 : X축이송부
133 : Y축이송부 140 : 스캔헤드
141 : 좌표산출부 143 : 카메라
150 : 스캔헤드이송부 151 : 스캔헤드X축이송부
153 : 스캔헤드Y축이송부
160 : 제어부10: substrate 11: reference coordinate
20, 20a, 20b, 20c...: Semiconductor chip 30: Bump
40: Underfill 50: Dispensing nozzle
55: nozzle head 60: camera
70: Nozzle transfer unit 100: Underfill dispensing device
110: substrate table 120: underfill head
121: Dispensing nozzle 123: Dispenser
130: Underfill head transfer unit 131: X-axis transfer unit
133: Y-axis transfer unit 140: Scan head
141: Coordinate calculation unit 143: Camera
150: Scan head transfer unit 151: Scan head X-axis transfer unit
153: Scan head Y-axis transfer unit
160: control unit
Claims (5)
복수개의 반도체소자가 복수개의 행과 열로 본딩된 기판이 적재되는 기판테이블(110)과;
상기 기판테이블(110)의 상부에서 각 반도체소자의 본딩영역으로 언더필을 분사하는 디스펜싱노즐(121)이 구비된 언더필헤드(120)와;
상기 언더필헤드(120)를 상기 기판(10)에 대해 X축 또는 Y축 방향으로 이동시키며 복수개의 반도체소자에 순차적으로 언더필이 도포되게 지지하는 언더필헤드이송부(130)와;
상기 언더필헤드(120)와 이격되게 구비되어 기판에 본딩된 각 반도체소자를 스캔하는 카메라(143)를 이용하여 위치좌표를 산출하는 스캔헤드(140)와;
상기 스캔헤드(140)에서 산출된 각 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 상기 언더필헤드이송부(130)로 전송하는 제어부(160)를 포함하는 것을 특징으로 하는 언더필 디스펜싱 장치.
In the underfill dispensing device for applying underfill to the bonding area of a semiconductor device bonded to a substrate,
a substrate table 110 on which a substrate on which a plurality of semiconductor devices are bonded in a plurality of rows and columns is placed;
an underfill head 120 equipped with a dispensing nozzle 121 that sprays underfill from the upper part of the substrate table 110 to the bonding area of each semiconductor device;
an underfill head transfer unit 130 that moves the underfill head 120 in the X-axis or Y-axis direction with respect to the substrate 10 and supports sequential application of underfill to a plurality of semiconductor devices;
a scan head 140 that is provided to be spaced apart from the underfill head 120 and calculates position coordinates using a camera 143 that scans each semiconductor device bonded to the substrate;
An underfill dispensing device comprising a control unit 160 that transmits the positional coordinates of each semiconductor device 20, 20a, 20b, 20c calculated by the scan head 140 to the underfill head transfer unit 130. .
상기 스캔헤드(140)는 상기 언더필헤드이송부(130)에 상기 언더필헤드(120)와 이격되게 결합되고,
상기 언더필헤드이송부(130)는 상기 스캔헤드(140)를 상기 언더필헤드(120)에 비해 한 개 이상의 반도체소자의 간격 보다 먼저 이송하는 것을 특징으로 하는 언더필 디스펜싱 장치.
According to paragraph 1,
The scan head 140 is coupled to the underfill head transfer unit 130 to be spaced apart from the underfill head 120,
The underfill dispensing device is characterized in that the underfill head transfer unit 130 transfers the scan head 140 ahead of the underfill head 120 by an interval of one or more semiconductor devices.
상기 스캔헤드(140)를 상기 기판(10)에 대해 X축 또는 Y축으로 이송시키는 스캔헤드이송부(150)를 더 포함하고,
상기 스캔헤드이송부(150)는 상기 언더필헤드이송부(130)와 독립적으로 상기 스캔헤드(140)를 이송하는 것을 특징으로 하는 언더필 디스펜싱 장치.
According to paragraph 1,
It further includes a scan head transfer unit 150 that transfers the scan head 140 in the X-axis or Y-axis with respect to the substrate 10,
The underfill dispensing device is characterized in that the scan head transfer unit 150 transfers the scan head 140 independently of the underfill head transfer unit 130.
상기 스캔헤드(140)는 상기 기판(10)에 본딩된 전체 반도체소자(20,20a,20b,20c)를 복수개의 영역으로 분할하고, 분할된 각 영역에 본딩된 복수개의 반도체소자(20,20a,20b,20c)을 함께 스캔하여 위치좌표를 획득하는 것을 특징으로 하는 언더필 디스펜싱 장치.
According to paragraph 3,
The scan head 140 divides all of the semiconductor devices 20, 20a, 20b, and 20c bonded to the substrate 10 into a plurality of regions, and divides the plurality of semiconductor devices 20, 20a bonded into each divided region. An underfill dispensing device characterized by obtaining position coordinates by scanning , 20b, 20c) together.
상기 스캔헤드(140)는 상기 언더필헤드이송부(130)에 의해 상기 언더필헤드(120)가 이동되기 전에 상기 기판(10)에 본딩된 전체 반도체소자(20,20a,20b,20c)를 동시에 스캔하여 전체 반도체소자(20,20a,20b,20c)의 위치좌표를 획득하는 것을 특징으로 하는 언더필 디스펜싱 장치. According to paragraph 3,
The scan head 140 simultaneously scans all semiconductor devices 20, 20a, 20b, and 20c bonded to the substrate 10 before the underfill head 120 is moved by the underfill head transfer unit 130. An underfill dispensing device characterized in that it acquires the positional coordinates of all semiconductor devices (20, 20a, 20b, 20c).
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |