KR20240008072A - Method of fabricating pellicle frame - Google Patents
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Abstract
본 발명은 펠리클 프레임의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 화학 기상 증착 방법을 이용하여 펠리클 프레임을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 a) 중심부에 개구가 형성된 적어도 하나의 프레임을 포함하는 틀을 준비하는 단계와, b) 화학 기상 증착 장치의 챔버의 내부에 상기 틀을 배치하는 단계와, c) 화학 기상 증착 공정을 통해서, 상기 프레임의 표면에 상기 프레임과 다른 소재의 펠리클 프레임 층을 형성하는 단계와, d) 상기 펠리클 프레임 층이 형성된 상기 프레임의 두께 방향 중심부를 절단하여, 상기 펠리클 프레임 층이 형성된 한 쌍의 분할 프레임을 얻는 단계와, e) 상기 분할 프레임에서 프레임 부분을 제거하여 펠리클 프레임을 얻는 단계를 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법에 따르면 공정의 시간과 온도를 조절함으로써, 펠리클 프레임의 두께를 정밀하게 조절할 수 있다. 또한, 동일한 품질의 펠리클 프레임을 용이하게 대량 생산할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a pellicle frame, and more specifically, to a method of manufacturing a pellicle frame using a chemical vapor deposition method. The present invention includes the steps of a) preparing a frame including at least one frame with an opening formed in the center, b) placing the frame inside a chamber of a chemical vapor deposition apparatus, and c) a chemical vapor deposition process. forming a pellicle frame layer of a material different from the frame on the surface of the frame, and d) cutting the center portion in the thickness direction of the frame on which the pellicle frame layer is formed to split a pair of pellicle frame layers on which the pellicle frame layer is formed. A method of manufacturing a pellicle frame is provided including the steps of obtaining a frame, and e) removing a frame portion from the split frame to obtain a pellicle frame. According to the manufacturing method of the pellicle frame according to the present invention, the thickness of the pellicle frame can be precisely controlled by controlling the process time and temperature. Additionally, pellicle frames of the same quality can be easily mass-produced.
Description
본 발명은 펠리클 프레임의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 화학 기상 증착 방법을 이용하여 펠리클 프레임을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a pellicle frame, and more specifically, to a method of manufacturing a pellicle frame using a chemical vapor deposition method.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 형성된 각종 층에 전사된다. A method called photolithography is used to manufacture semiconductor devices or liquid crystal displays. In photolithography, a mask is used as a patterning plate, and the pattern on the mask is transferred to various layers formed on a wafer or liquid crystal substrate.
이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected due to the dust, which damages the transferred pattern, resulting in a decrease in performance or yield of semiconductor devices or liquid crystal displays.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 사용된다.Therefore, these works are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is used to prevent dust from adhering to the mask surface.
이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In this case, the dust is not attached directly to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film. During lithography, the focus is aligned with the pattern of the mask, so there is an advantage that the dust on the pellicle is not transferred to the pattern because it is out of focus.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.The resolution required for exposure equipment for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and in order to realize that resolution, the wavelength of the light source is becoming shorter and shorter. Specifically, the UV light source ranges from ultraviolet g-ray (436㎚), I-ray (365㎚), KrF excimer laser (248㎚), and ArF excimer laser (193㎚) to extreme ultraviolet (EUV, 13.5㎚). The wavelength is getting shorter.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, the development of new light sources, resists, masks, and pellicles is essential. That is, the conventional organic pellicle film has a problem in that it is difficult to use in a pellicle for extreme ultraviolet rays because its physical properties change due to exposure light sources with high energy and its lifespan is short. Various attempts are being made to solve these problems.
또한, 펠리클 막을 지지하는 펠리클 프레임으로 종래에는 강성과 가공성만을 고려하여 알루미늄, 스테인리스, 폴리에틸렌 등을 사용하고 있었다. 그러나 고에너지의 극자외선을 이용한 노광시에는 광 에너지에 의한 온도 상승으로 인한 펠리클 프레임의 수축과 팽창에 의해 펠리클 막에 주름이 발생하거나 파손될 수 있다는 문제가 있다.Additionally, conventionally, aluminum, stainless steel, polyethylene, etc. were used as a pellicle frame supporting the pellicle membrane, considering only rigidity and processability. However, during exposure using high-energy extreme ultraviolet rays, there is a problem that wrinkles or damage may occur in the pellicle film due to contraction and expansion of the pellicle frame due to temperature rise due to light energy.
따라서 펠리클 프레임의 재료로 열팽창 계수가 낮은 Si, SiC, SiN 등의 재료를 사용하는 방법이 연구되고 있다.Therefore, methods of using materials with low thermal expansion coefficients such as Si, SiC, and SiN as materials for the pellicle frame are being studied.
본 발명은 화학 기상 증착 방법을 이용하여 펠리클 프레임을 제조하는 새로운 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide a new method for manufacturing a pellicle frame using a chemical vapor deposition method.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 중심부에 개구가 형성된 적어도 하나의 프레임을 포함하는 틀을 준비하는 단계와, b) 화학 기상 증착 장치의 챔버의 내부에 상기 틀을 배치하는 단계와, c) 화학 기상 증착 공정을 통해서, 상기 프레임의 표면에 상기 프레임과 다른 소재의 펠리클 프레임 층을 형성하는 단계와, d) 상기 펠리클 프레임 층이 형성된 상기 프레임의 두께 방향 중심부를 절단하여, 상기 펠리클 프레임 층이 형성된 한 쌍의 분할 프레임을 얻는 단계와, e) 상기 분할 프레임에서 프레임 부분을 제거하여 펠리클 프레임을 얻는 단계를 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above-described object, the present invention includes the steps of: a) preparing a frame including at least one frame with an opening formed in the center; b) placing the frame inside a chamber of a chemical vapor deposition apparatus; , c) forming a pellicle frame layer of a material different from the frame on the surface of the frame through a chemical vapor deposition process, and d) cutting the central portion in the thickness direction of the frame on which the pellicle frame layer is formed, forming the pellicle. A method of manufacturing a pellicle frame is provided, including the steps of obtaining a pair of split frames on which a frame layer is formed, and e) removing a frame portion from the split frame to obtain a pellicle frame.
또한, 상기 틀은 링과, 상기 프레임과 상기 링을 연결하는 살을 더 포함하며, 상기 b) 단계는, 화학 기상 증착 장치의 챔버의 내부에 설치된 고정 축에 상기 링을 끼워, 상기 틀을 상기 챔버의 내부에 배치하는 단계인 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, the frame further includes a ring and spokes connecting the frame and the ring, and in step b), the ring is inserted into a fixed shaft installed inside the chamber of the chemical vapor deposition apparatus, and the frame is connected to the frame. A method of manufacturing a pellicle frame, which is a step of placing inside a chamber, is provided.
또한, 상기 틀은 흑연으로 이루어지며, 상기 펠리클 프레임 층은 탄화규소 층인 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, the frame is made of graphite, and the pellicle frame layer is a silicon carbide layer.
또한, 상기 링은 상기 프레임의 내부에 배치되며, 상기 살은 상기 링의 외측면과 상기 프레임의 내측면을 연결하는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, the ring is disposed inside the frame, and the spokes connect the outer surface of the ring and the inner surface of the frame, providing a method of manufacturing a pellicle frame.
또한, 상기 틀은 하나의 상기 링과, 상기 링 주위에 배치되는 복수의 프레임들과, 상기 링의 외측면과 상기 프레임의 외측면을 연결하는 복수의 살들을 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, the frame provides a method of manufacturing a pellicle frame including one ring, a plurality of frames arranged around the ring, and a plurality of spokes connecting the outer surface of the ring and the outer surface of the frame. do.
또한, 상기 링은 상기 프레임에 비해서 두꺼운 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.Additionally, the ring provides a method of manufacturing a pellicle frame that is thicker than the frame.
또한, 상기 b) 단계는 상기 고정 축에 끼워진 인접하는 상기 링들이 서로 밀착되고, 인접하는 상기 프레임들 사이에는 간격이 생기도록, 복수의 틀을 상기 챔버 내부에 배치하는 단계인 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, step b) is a method of manufacturing a pellicle frame, which is a step of arranging a plurality of frames inside the chamber so that the adjacent rings fitted on the fixed axis are in close contact with each other and a gap is created between the adjacent frames. provides.
또한, 상기 c) 단계 이후에 상기 프레임을 상기 틀로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다. In addition, it provides a method of manufacturing a pellicle frame further comprising the step of separating the frame from the frame after step c).
또한, 상기 c) 단계 이후에 상기 프레임의 측면이 노출되도록, 상기 프레임의 에지 부분을 절단하는 단계를 더 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, it provides a method of manufacturing a pellicle frame, further comprising cutting an edge portion of the frame so that the side of the frame is exposed after step c).
또한, 상기 e) 단계는 연마공정을 통해서 상기 프레임 부분을 제거하는 단계인 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, step e) provides a method of manufacturing a pellicle frame, which is a step of removing the frame portion through a polishing process.
또한, 상기 e) 단계 이후에 상기 펠리클 프레임을 세정하고, 질소가스로 건조하는 단계를 더 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공한다.In addition, it provides a method of manufacturing a pellicle frame further comprising the step of cleaning the pellicle frame and drying it with nitrogen gas after step e).
본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법에 따르면 공정의 시간과 온도를 조절함으로써, 펠리클 프레임의 두께를 정밀하게 조절할 수 있다. 또한, 동일한 품질의 펠리클 프레임을 용이하게 대량 생산할 수 있다.According to the manufacturing method of the pellicle frame according to the present invention, the thickness of the pellicle frame can be precisely controlled by controlling the process time and temperature. Additionally, pellicle frames of the same quality can be easily mass-produced.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 펠리클 프레임의 제조방법의 순서도이다.
도 2는 도 1의 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 틀의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1의 화학 기상 증착 공정의 온도 프로파일의 일 예를 나타낸 도면이다. 1 is a flowchart of a method for manufacturing a pellicle frame according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram for explaining each step of the embodiment of Figure 1.
Figure 3 is a diagram showing another example of a frame.
FIG. 4 is a diagram showing an example of a temperature profile of the chemical vapor deposition process of FIG. 1.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법에 대해서 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the manufacturing method of the pellicle frame according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The examples introduced below are provided as examples so that the idea of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 펠리클 프레임의 제조방법의 순서도이며, 도 2는 도 1의 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.Figure 1 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle frame according to an embodiment of the present invention, and Figure 2 is a diagram for explaining each step of the embodiment of Figure 1.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 적어도 하나의 프레임을 포함하는 틀을 준비하는 단계(S1)와, 화학 기상 증착 장치의 챔버의 내부에 틀을 배치하는 단계(S2)와, 프레임의 표면에 펠리클 프레임 층을 형성하는 단계(S3)와, 펠리클 프레임 층이 형성된 한 쌍의 분할 프레임을 얻는 단계(S4)와, 분할 프레임에서 프레임 부분을 제거하여 펠리클 프레임을 얻는 단계(S5)와, 세정 및 건조 단계(S6)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the method of manufacturing a pellicle frame according to an embodiment of the present invention includes preparing a frame including at least one frame (S1), and placing the frame inside the chamber of the chemical vapor deposition apparatus. A step of arranging (S2), a step of forming a pellicle frame layer on the surface of the frame (S3), a step of obtaining a pair of split frames with the pellicle frame layer formed (S4), and removing the frame portion from the split frame. It includes a step of obtaining a pellicle frame (S5), and a cleaning and drying step (S6).
먼저, 적어도 하나의 프레임을 포함하는 틀(10)을 준비하는 단계(S1)에 대해서 설명한다.First, the step S1 of preparing the
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 틀(10)은 프레임(12), 링(14), 살(16)을 포함한다. 프레임(12)은 중심부에 개구가 형성된 직사각형 프레임(12)일 수 있다. 링(14)은 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 원형 링일 수 있으며, 타원형이나 다각형 링일 수도 있다. 링(14)은 프레임(12)의 내부에 배치된다. 링(14)과 프레임(12)은 동일한 평면상에 배치된다. 링(14)은 프레임(12)에 비해서 두께가 두껍다. 살(16)은 프레임(12)의 내측면과 링(14)의 외측면을 연결한다. 도 2의 (a)에서는 4개의 살(16)이 링(14)과 프레임(12)을 연결하는 것으로 되어있으나, 살(16)의 개수는 필요에 따라서 조절할 수 있다.As shown in (a) of FIG. 2, the
틀(10)은 열전도도가 높은 소재로 이루어진다. 예를 들어, 틀(10)은 흑연으로 이루어질 수 있다. 틀(10)의 프레임(12)의 형태와 크기는 생산하고자 하는 펠리클 프레임의 형태와 크기에 의해서 정해질 수 있다. 틀(10)의 프레임(12)의 길이와 폭은 생산하고자 하는 펠리클 프레임의 길이와 폭에 비해서 약간 큰 것이 바람직하다.The
도 3은 틀의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 3에 도시된 틀(20)은 3개의 프레임(22)을 포함한다. 3개의 프레임(22)은 링(24)의 주위에 배치된다. 링(24)과 프레임(22)은 동일 평면상에 배치된다. 살(26)은 링(24)의 외측면와 프레임(22)의 외측면을 연결한다. 도 3에 도시된 틀(20)은 생산성 측면에서, 도 2의 (a)에 도시된 틀(10)에 비해서 우수하다는 장점이 있다.Figure 3 is a diagram showing another example of a frame. The
다음, 화학 기상 증착 장치의 챔버(1)의 내부에 틀(10)을 배치한다(S2).Next, the
먼저, 화학 기상 증착 장치의 챔버(1)의 내부에 틀(10)의 링(14)을 고정시킬 수 있는 고정 축(2)을 설치한다. 화학 기상 증착 장치(1)로는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 장치를 사용할 수 있다. LPCVD는 공정 챔버를 저압 상태로 만들기 때문에 고순도의 층을 형성할 수 있다는 장점이 있다.First, a fixing
그리고 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 고정 축(2)에 틀(10)의 링(14)을 끼워, 틀(10)을 챔버(1)의 내부에 배치한다. 이때, 복수의 틀(10)을 하나의 고정 축(2)에 고정시킬 수 있다. 링(14)의 두께가 프레임(12)의 두께에 비해서 두꺼우므로 링(14)들이 서로 밀착되도록 틀(10)들은 끼우면 인접하는 프레임(12)들 사이에는 링(14)과 프레임(12)의 두께 차이에 의한 간격(G)이 형성된다.And as shown in (b) of FIG. 2, the
다음, 프레임(12)의 표면에 펠리클 프레임 층(18)을 형성한다(S3).Next, a
도 2의 (c)에 도시되 바와 같이, 본 단계에서는 화학 기상 증착 방법으로 틀(10)의 프레임(12)의 표면에 펠리클 프레임 층(18)을 형성한다. 펠리클 프레임 층(18)은 틀(10)의 상면, 하면, 측면 모두에 증착된다. 단, 링(14)의 상하면과 내측면은 외부로 노출되지 않으므로, 펠리클 프레임 층(18)이 형성되지 않을 수 있다. 펠리클 프레임 층(18)은 탄화규소 층일 수 있다. 탄화규소는 융점이 높고, 열팽창계수가 낮으며, 강성이 높기 때문에 극자외선용 펠리클의 펠리클 프레임으로 적합하다.As shown in (c) of FIG. 2, in this step, the
화학 기상 증착 방법은 초고순도로 탄화규소 층을 성장시킬 수 있다. 또한, 화학 기상 증착 방법은 공정 시간과 온도를 조절함으로써 탄화규소 층의 두께를 정밀하게 조절할 수 있다는 장점도 있다. 또한, 화학 기상 증착 방법을 사용하면, 도 3과 같이 복수의 프레임(22)을 구비하는 틀(20)을 사용하고, 여러 개의 틀(20)을 겹치게 배치하는 방법으로 대량 생산이 가능하다.Chemical vapor deposition methods can grow silicon carbide layers with ultra-high purity. Additionally, the chemical vapor deposition method has the advantage of being able to precisely control the thickness of the silicon carbide layer by controlling the process time and temperature. In addition, using the chemical vapor deposition method, mass production is possible by using a
도 4는 도 1의 화학 기상 증착 공정의 온도 프로파일의 일 예를 나타낸 도면이다. 화학 기상 증착 공정은 크게 3단계로 구성된다. 첫 번째, 챔버 컨디셔닝(chamber condition) 단계는 800 내지 900℃에서 진행되며, 캐리어 가스로는 수소가스가 사용될 수 있다. FIG. 4 is a diagram showing an example of a temperature profile of the chemical vapor deposition process of FIG. 1. The chemical vapor deposition process largely consists of three steps. The first, chamber conditioning step is performed at 800 to 900°C, and hydrogen gas can be used as the carrier gas.
두 번째, 성장 단계는 1500 내지 1600℃에서 진행되며, 챔버(1) 내로 전구체와 캐리어 가스가 모두 주입된다. 전구체로는 SiH4, Si2H6, SiCl4, SiH2Cl2, CH3SiCl3 중 적어도 하나와, CH4, C2H2, CCl4 중 적어도 하나를 함께 사용할 수 있다. 이러한 전구체를 사용할 경우에는 공정 변수를 정밀하게 조절하여 C와 Si의 비율을 조절할 수 있으나, 공정 온도가 높다는 단점이 있다. 또한, 헥사메틸다이실레인(HMDS), 메틸트리클로로실레인(MTS), 실라시이클로부테인(SCB), 비스트리메틸실릴메테인(BTMSM)을 전구체로 사용할 수도 있다. 이러한 전구체를 사용할 경우에는 낮은 온도에서 탄화규소 층을 성장시킬 수 있다는 장점이 있다.The second, growth step is performed at 1500 to 1600°C, and both precursor and carrier gas are injected into the chamber 1. As a precursor, at least one of SiH 4 , Si 2 H 6 , SiCl 4 , SiH 2 Cl 2 , CH 3 SiCl 3 and at least one of CH 4 , C 2 H 2 , and CCl 4 may be used together. When using such a precursor, the ratio of C and Si can be adjusted by precisely controlling the process variables, but it has the disadvantage of high process temperature. Additionally, hexamethyldisilane (HMDS), methyltrichlorosilane (MTS), silacyclobutane (SCB), and bistrimethylsilylmethane (BTMSM) can be used as precursors. The advantage of using such a precursor is that the silicon carbide layer can be grown at a low temperature.
세 번째, 냉각 단계에서는 캐리어 가스만 주입된다.Third, in the cooling step, only the carrier gas is injected.
다음, 펠리클 프레임 층(18)이 형성된 한 쌍의 분할 프레임(13)을 얻는다(S4).Next, a pair of split frames 13 on which the
도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 본 단계에서는, 먼저, 프레임(12)의 측면이 노출되도록, 프레임(12)의 안쪽과 바깥쪽 에지 부분을 절단한다. 그러면 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 살(16)과 링(14)이 프레임(12)으로부터 분리되며, 상면과 하면에 각각 펠리클 프레임 층(18')이 형성된 프레임(12')을 얻게 된다. 절단 후의 프레임(12')의 폭과 길이는 제조될 펠리클 프레임의 폭과 길이와 대체로 동일하다.As shown in (d) of FIG. 2, in this step, first, the inner and outer edge portions of the
다음, 펠리클 프레임 층(18')이 형성된 프레임(12')의 두께 방향 중심부를 절단한다. 그러면 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임 층(18')이 형성된 한 쌍의 분할 프레임(19)을 얻는다. 펠리클 프레임 층(18')은 각각의 분할 프레임(19)의 한쪽 면에만 남아있다.Next, the central portion in the thickness direction of the frame 12' on which the pellicle frame layer 18' is formed is cut. Then, as shown in (f) of FIG. 2, a pair of split frames 19 on which the pellicle frame layer 18' is formed is obtained. The pellicle frame layer 18' remains on only one side of each
다음, 도 2의 (g)에 도시된 바와 같이, 분할 프레임(19)에서 프레임 부분(13)을 제거하여 펠리클 프레임(30)을 얻는다(S5).Next, as shown in (g) of FIG. 2, the
본 단계에서는 분할 프레임(19)의 프레임 부분(13)을 연마하여, 펠리클 프레임 층(18')만 남기고 프레임 부분(13)을 제거한다.In this step, the
필요한 경우에는 프레임 부분(13)을 제거하여 얻은 펠리클 프레임(30)의 표면을 2차로 곱게 연마하여 펠리클 프레임(30)의 두께, 표면 조도를 조절할 수도 있다.If necessary, the surface of the
다음, 펠리클 프레임(30)을 세정하고 건조한다(S6).Next, the
본 단계에서는 펠리클 프레임(30)을 아세톤 및 RCA 등으로 세정하여 그 표면에 남아있는 파티클 등을 제거한다. 그리고 고순도 질소 가스를 이용하여 건조한다.In this step, the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been shown and described, but the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and may be commonly used in the technical field to which the invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Of course, various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be understood individually from the technical idea or perspective of the present invention.
10, 20: 틀
12, 22: 프레임
14, 24: 링
16, 26: 살
18: 펠리클 프레임 층
19: 분할 프레임
30: 펠리클 프레임10, 20: frame
12, 22: frame
14, 24: Ring
16, 26: flesh
18: Pellicle frame layer
19: Split frame
30: Pellicle frame
Claims (11)
b) 화학 기상 증착 장치의 챔버의 내부에 상기 틀을 배치하는 단계와,
c) 화학 기상 증착 공정을 통해서, 상기 프레임의 표면에 상기 프레임과 다른 소재의 펠리클 프레임 층을 형성하는 단계와,
d) 상기 펠리클 프레임 층이 형성된 상기 프레임의 두께 방향 중심부를 절단하여, 상기 펠리클 프레임 층이 형성된 한 쌍의 분할 프레임을 얻는 단계와,
e) 상기 분할 프레임에서 프레임 부분을 제거하여 펠리클 프레임을 얻는 단계를 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법.a) preparing a frame including at least one frame with an opening formed in the center;
b) placing the frame inside a chamber of a chemical vapor deposition apparatus;
c) forming a pellicle frame layer of a material different from that of the frame on the surface of the frame through a chemical vapor deposition process;
d) cutting the center portion in the thickness direction of the frame on which the pellicle frame layer is formed to obtain a pair of split frames on which the pellicle frame layer is formed;
e) A method of manufacturing a pellicle frame comprising the step of removing a frame portion from the split frame to obtain a pellicle frame.
상기 틀은 링과, 상기 프레임과 상기 링을 연결하는 살을 더 포함하며,
상기 b) 단계는, 화학 기상 증착 장치의 챔버의 내부에 설치된 고정 축에 상기 링을 끼워, 상기 틀을 상기 챔버의 내부에 배치하는 단계인 펠리클 프레임의 제조방법.According to paragraph 1,
The frame further includes a ring and spokes connecting the frame and the ring,
The step b) is a method of manufacturing a pellicle frame, which is a step of inserting the ring into a fixed shaft installed inside the chamber of a chemical vapor deposition apparatus and placing the frame inside the chamber.
상기 틀은 흑연으로 이루어지며,
상기 펠리클 프레임 층은 탄화규소 층인 펠리클 프레임의 제조방법.According to paragraph 1,
The frame is made of graphite,
A method of manufacturing a pellicle frame in which the pellicle frame layer is a silicon carbide layer.
상기 링은 상기 프레임의 내부에 배치되며, 상기 살은 상기 링의 외측면과 상기 프레임의 내측면을 연결하는 펠리클 프레임의 제조방법.According to paragraph 2,
The ring is disposed inside the frame, and the spokes connect the outer surface of the ring and the inner surface of the frame.
상기 틀은 하나의 상기 링과, 상기 링 주위에 배치되는 복수의 프레임들과, 상기 링의 외측면과 상기 프레임의 외측면을 연결하는 복수의 살들을 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법.According to paragraph 2,
The frame is a method of manufacturing a pellicle frame including one ring, a plurality of frames arranged around the ring, and a plurality of spokes connecting the outer surface of the ring and the outer surface of the frame.
상기 링은 상기 프레임에 비해서 두꺼운 펠리클 프레임의 제조방법.According to paragraph 2,
A method of manufacturing a pellicle frame in which the ring is thicker than the frame.
상기 b) 단계는 상기 고정 축에 끼워진 인접하는 상기 링들이 서로 밀착되고, 인접하는 상기 프레임들 사이에는 간격이 생기도록, 복수의 틀을 상기 챔버 내부에 배치하는 단계인 펠리클 프레임의 제조방법.According to clause 6,
The step b) is a step of arranging a plurality of frames inside the chamber so that the adjacent rings inserted into the fixed axis are in close contact with each other and a gap is created between the adjacent frames.
상기 c) 단계 이후에 상기 프레임을 상기 틀로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법. According to paragraph 1,
A method of manufacturing a pellicle frame further comprising the step of separating the frame from the frame after step c).
상기 c) 단계 이후에 상기 프레임의 측면이 노출되도록, 상기 프레임의 에지 부분을 절단하는 단계를 더 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a pellicle frame further comprising cutting an edge portion of the frame so that the side of the frame is exposed after step c).
상기 e) 단계는 연마공정을 통해서 상기 프레임 부분을 제거하는 단계인 펠리클 프레임의 제조방법. According to paragraph 1,
Step e) is a method of manufacturing a pellicle frame in which the frame portion is removed through a polishing process.
상기 e) 단계 이후에 상기 펠리클 프레임을 세정하고, 질소가스로 건조하는 단계를 더 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a pellicle frame further comprising cleaning the pellicle frame after step e) and drying it with nitrogen gas.
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|---|---|---|---|
| KR1020220084981A KR20240008072A (en) | 2022-07-11 | 2022-07-11 | Method of fabricating pellicle frame |
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|---|---|---|---|---|
| KR20080099920A (en) | 2007-05-11 | 2008-11-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | Photomask with suppressing haze |
| KR101866017B1 (en) | 2015-12-17 | 2018-06-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
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2022
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