KR102312385B1 - Method of fabricating of pellicle for EUV lithography, and appartus of fabricating of the same - Google Patents

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Abstract

펠리클의 제조 방법이 제공된다. 상기 펠리클의 제조 방법은, 예비 펠리클 구조체를 준비하는 단계, 상기 예비 펠리클 구조체를 식각 용액 내에 제공하여, 상기 예비 펠리클 구조체를 식각하는 단계, 및 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 식각 용액으로부터 꺼내는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 열처리 건조하는 단계를 포함할 수 있다.A method of making a pellicle is provided. The method for manufacturing the pellicle includes the steps of preparing a preliminary pellicle structure, providing the preliminary pellicle structure in an etching solution to etch the preliminary pellicle structure, and simultaneously taking out the etched preliminary pellicle structure from the etching solution and etching It may include the step of heat-treating and drying the preliminary pellicle structure.

Description

EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치{Method of fabricating of pellicle for EUV lithography, and appartus of fabricating of the same}Method of fabricating of pellicle for EUV lithography, and appartus of fabricating of the same

본 출원은 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 펠리클 멤브레인의 식각 과정에서 멤브레인의 손상을 최소화할 수 있는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치에 관련된 것이다. The present application relates to a method for manufacturing a pellicle for EUV lithography and an apparatus for manufacturing the same, and more particularly, to a method for manufacturing a pellicle for EUV lithography capable of minimizing damage to the membrane during an etching process of the pellicle membrane, and an apparatus for manufacturing the same.

반도체 디바이스의 회로 선폭이 급격히 미세화 됨에 따라, 현재 사용되고 있는 193nm 파장대의 광원을 사용하는 액침 ArF 노광 장비로 미세 패턴을 형성하는 데 한계가 있다. 광원 및 노광 장비의 개선이 없이 미세 패턴을 형성하기 위하여 2중 노광 또는 4중 노광 등의 기술을 적용하고 있지만, 이는 대량생산이 중요한 반도체 디바이스 제조에서 공정 횟수의 증가, 공정 가격의 증가, 시간당 처리 매수의 감소 등과 같은 문제점을 야기 시킨다.As the circuit line width of semiconductor devices is rapidly reduced, there is a limit to forming a fine pattern with immersion ArF exposure equipment using a light source in the 193 nm wavelength band currently used. Although techniques such as double exposure or quadruple exposure are applied to form fine patterns without improvement of light sources and exposure equipment, this is an increase in the number of processes, increase in process cost, and processing per hour in semiconductor device manufacturing where mass production is important. It causes problems such as a decrease in the number of purchases.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 13.5nm 파장의 극자외선을 광원으로 사용하는 극자외선 리소그래피 기술을 적용한 차세대 노광 장비가 개발되고 있다. 극자외선 리소그래피 기술에서 사용하는13.5 nm 파장의 빛은 거의 모든 물질에서 흡수되기 때문에, 기존 투과형 레티클이 아닌 거울과 같은 반사형 레티클이 사용된다. 이러한 반사형 레티클은, 일반적으로, 낮은 열팽창 계수를 갖는 물질(LTEM, Low Thermal Expansion Material)인 석영 블랭크 마스크 상에 극자외선을 반사하기 위한 Mo/Si이 다층으로 증착되어 있는 반사 다층막, 반사 다층막의 손상을 방지하기 위한 보호막, 및 극자외선을 흡수하여 패턴을 형성하는 광 흡수층 패턴을 포함한다.In order to solve this problem, next-generation exposure equipment using extreme ultraviolet lithography technology using extreme ultraviolet light of a wavelength of 13.5 nm as a light source is being developed. Since light with a wavelength of 13.5 nm used in extreme ultraviolet lithography technology is absorbed by almost all materials, a reflective reticle such as a mirror is used instead of a conventional transmissive reticle. In general, such a reflective reticle is a reflective multilayer film, in which Mo/Si for reflecting extreme ultraviolet rays is deposited in multiple layers on a quartz blank mask, which is a material having a low thermal expansion coefficient (LTEM, Low Thermal Expansion Material), a reflective multilayer film and a protective film for preventing damage, and a light absorption layer pattern that absorbs extreme ultraviolet rays to form a pattern.

극자외선 리소그래피 공정 중 제조 수율을 저하시킬 수 있는 유기물, 무기물, 파티클 등과 같은 오염원으로부터 반사형 레티클을 보호하기 위하여 펠리클이 사용된다.A pellicle is used to protect a reflective reticle from contamination sources such as organic materials, inorganic materials, particles, etc. that may decrease the manufacturing yield during the extreme ultraviolet lithography process.

이러한 펠리클의 특성을 향상시키기 위한 다양한 연구들이 진행되고 있다. 구체적으로, 대한민국 특허 공개공보 10-2013-0125295(출원인 신에츠)에 따르면, 1매의 펠리클막을 임시 프레임 상에 첩부하고, 상기 임시 프레임의 내측 치수보다도 작은 외측 치수의 복수 나열하여 결합된 분할 프레임을 임시 프레임 상의 펠리클막에 접착하고나서, 펠리클막을 분할 프레임의 외변을 따라 임시 프레임으로부터 잘라냄과 아울러 결합된 분할 프레임을 분리하고, 각각의 분할 프레임 상에 접착된 펠리클막을 프레임에 첩부하고나서 분할 프레임을 제거하는 펠리클의 제조 방법이 개시되어 있다. Various studies are being conducted to improve the properties of the pellicle. Specifically, according to Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0125295 (Applicant Shin-Etsu), a single pellicle film is affixed on a temporary frame, and a plurality of outer dimensions smaller than the inner dimension of the temporary frame are arranged and combined into a divided frame. After adhering to the pellicle film on the temporary frame, the pellicle film is cut from the temporary frame along the outer edge of the divided frame, the combined divided frame is separated, the pellicle film adhered on each divided frame is pasted to the frame, and then the divided frame A method for producing a pellicle for removing the

본 출원이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 고신뢰성의 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치를 제공하는 데 있다. One technical problem to be solved by the present application is to provide a method for manufacturing a pellicle for EUV lithography with high reliability and an apparatus for manufacturing the same.

본 출원이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 식각 공정에서 온도 차이에 의한 열화가 최소화된 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치를 제공하는 데 있다.Another technical problem to be solved by the present application is to provide a method for manufacturing a pellicle for EUV lithography in which deterioration due to a temperature difference in an etching process is minimized, and an apparatus for manufacturing the same.

본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 제조 공정이 간소화된 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치를 제공하는 데 있다.Another technical problem to be solved by the present application is to provide a method for manufacturing a pellicle for EUV lithography in which a manufacturing process is simplified and an apparatus for manufacturing the same.

본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 제조 공정이 절감된 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치를 제공하는 데 있다.Another technical problem to be solved by the present application is to provide a method for manufacturing a pellicle for EUV lithography in which the manufacturing process is reduced, and an apparatus for manufacturing the same.

본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 고품질 및 장수명의 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치를 제공하는 데 있다.Another technical problem to be solved by the present application is to provide a method for manufacturing a pellicle for EUV lithography of high quality and long life and an apparatus for manufacturing the same.

본 출원이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present application is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은 펠리클의 제조 방법을 제공한다. In order to solve the above technical problem, the present application provides a method of manufacturing a pellicle.

일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클의 제조 방법은, 예비 펠리클 구조체를 준비하는 단계, 상기 예비 펠리클 구조체를 식각 용액 내에 제공하여, 상기 예비 펠리클 구조체를 식각하는 단계, 및 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 식각 용액으로부터 꺼내는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 열처리 건조하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the method of manufacturing the pellicle includes the steps of preparing a preliminary pellicle structure, providing the preliminary pellicle structure in an etching solution to etch the preliminary pellicle structure, and the etched preliminary pellicle structure is the It may include the step of heat-drying the etched preliminary pellicle structure at the same time taking out from the etching solution.

일 실시 예에 따르면, 상기 식각 용액은, 제1 온도의 제1 영역, 및 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 제2 영역을 포함하고, 상기 예비 펠리클 구조체를 식각하는 단계는, 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 제1 영역에서 1차 식각하는 단계, 및 상기 1차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 제2 영역에서 2차 식각하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the etching solution includes a first region having a first temperature and a second region having a second temperature higher than the first temperature, and the etching of the preliminary pellicle structure includes: It may include primary etching the structure in the first region, and secondary etching the primary etched preliminary pellicle structure in the second region.

일 실시 예에 따르면, 상기 예비 펠리클 구조체는 제1 시간 동안 상기 1차 식각되고, 상기 제1 시간보다 짧은 제2 시간동안 상기 2차 식각될 수 있다. According to an embodiment, the preliminary pellicle structure may be first etched for a first time, and the second etch may be performed for a second time shorter than the first time.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 영역은, 상기 제2 영역 아래에 제공될 수 있다. According to an embodiment, the first area may be provided under the second area.

일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클의 제조 방법은, 상기 제2 영역에서 상기 2차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이를 왕복 이동하여, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체 상의 식각 잔여물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, in the method of manufacturing the pellicle, the preliminary pellicle structure secondarily etched in the second region reciprocates between the first region and the second region, and the etched preliminary pellicle structure is etched. The method may further include removing etch residues on the upper surface.

일 실시 예에 따르면, 상기 식각 용액은, 상기 제1 온도보다 낮은 제3 영역을 포함하고, 상기 2차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체는 상기 제3 영역으로 이동하여, 3차 식각될 수 있다. According to an embodiment, the etching solution may include a third region lower than the first temperature, and the secondary etched preliminary pellicle structure may be moved to the third region to be etched in a third manner.

일 실시 예에 따르면, 상기 제3 영역은 상기 제2 영역 상에 제공되는 것을 포함하고, 상기 예비 펠리클 구조체는, 상기 제3 영역에서 상기 3차 식각된 직후, 열처리 건조될 수 있다. According to an embodiment, the third region includes being provided on the second region, and the preliminary pellicle structure may be heat treated and dried immediately after the third etching is performed in the third region.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 영역 내지 상기 제3 영역 사이에, 온도 차이에 의한, 상기 식각 용액의 대류 현상이 발생할 수 있다. According to an embodiment, a convection phenomenon of the etching solution may occur between the first region and the third region due to a temperature difference.

일 실시 예에 따르면, 상기 식각 용액은 식각 용기 내에 제공되고, 상기 식각 용기의 입구에 배치된 외부 열원부를 이용하여 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가 열처리 건조될 수 있다. According to an embodiment, the etching solution may be provided in an etching vessel, and the preliminary pellicle structure etched using an external heat source disposed at an inlet of the etching vessel may be heat treated and dried.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은 펠리클의 제조 장치를 제공한다. In order to solve the above technical problem, the present application provides an apparatus for manufacturing a pellicle.

일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클의 제조 장치는, 예비 펠리클 구조체를 식각하는 식각 용액이 제공되는 식각 용기, 상기 식각 용액 내에 제공되어, 상기 식각 용액의 온도를 제어하는 내부 열원부, 및 상기 식각 용기의 입구에 배치되어, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가 상기 식각 용액으로부터 꺼내지는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 열처리 건조하는 외부 열원부를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the apparatus for manufacturing the pellicle includes an etching container in which an etching solution for etching the preliminary pellicle structure is provided, an internal heat source provided in the etching solution to control the temperature of the etching solution, and the etching container It is disposed at the entrance of the etched preliminary pellicle structure may include an external heat source for drying the heat treatment and drying the etched preliminary pellicle structure at the same time taken out from the etching solution.

일 실시 예에 따르면, 상기 내부 열원부는, 상기 식각 용기의 하단에 제공되고, 제1 온도의 상기 식각 용액을 갖는 제1 영역을 생성하는 제1 내부 열원부, 및 상기 제1 내부 열원부 상에 제공되고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 상기 식각 용액을 갖는 제2 영역을 생성하는 제2 내부 열원부를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the internal heat source unit is provided at the lower end of the etching vessel, the first internal heat source unit for generating a first region having the etching solution at a first temperature, and on the first internal heat source unit and a second internal heat source generating a second region having the etching solution having a second temperature higher than the first temperature.

일 실시 예에 따르면, 상기 내부 열원부는, 상기 제2 내부 열원부 상에 제공되고, 상기 제1 온도보다 낮은 제3 온도의 상기 식각 용액을 갖는 제3 영역을 생성하는 제3 내부 열원부를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the internal heat source further includes a third internal heat source that is provided on the second internal heat source and generates a third region having the etching solution having a third temperature lower than the first temperature. can do.

일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클의 제조 장치는, 상기 예비 펠리클 구조체와 체결되고, 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 식각 용액 내에서 이동시키는 승강 모듈을 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the apparatus for manufacturing the pellicle may further include a lifting module coupled to the preliminary pellicle structure and moving the preliminary pellicle structure in the etching solution.

본 출원의 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법은, 예비 펠리클 구조체를 식각 용액 내에 제공하여, 상기 예비 펠리클 구조체를 식각하고, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 식각 용액으로부터 꺼내는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 열처리 건조할 수 있다. 이에 따라, 상기 식각 용액에서 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가 꺼내어져 대기 중에 노출되는 과정에서 급격한 온도 변화에 따른 열팽창으로 상기 예비 펠리클 구조체가 열화되는 것이 최소화될 수 있다. 이에 따라, 고품질, 고신뢰성, 장수명의 펠리클 제조 방법이 제공될 수 있다. In the method for manufacturing a pellicle according to an embodiment of the present application, the preliminary pellicle structure is provided in an etching solution, the preliminary pellicle structure is etched, and the etched preliminary pellicle structure is taken out from the etching solution and the preliminary pellicle structure is etched at the same time. can be heat treated and dried. Accordingly, deterioration of the preliminary pellicle structure due to thermal expansion due to a sudden temperature change in the process of taking out the preliminary pellicle structure etched from the etching solution and exposing it to the atmosphere can be minimized. Accordingly, a method for manufacturing a pellicle of high quality, high reliability, and long life can be provided.

또한, 상기 식각 용액은, 상대적으로 온도가 낮은 제1 영역 및 상대적으로 온도가 높은 제2 영역을 포함하고, 상기 예비 펠리클 구조체는, 상기 제1 영역에서 1차 식각된 후, 상기 제2 영역에서 2차 식각될 수 있다. 이에 따라, 식각 균일성이 향상되어, 고품질의 펠리클 제조 방법이 제공될 수 있다. In addition, the etching solution includes a first region having a relatively low temperature and a second region having a relatively high temperature, and the preliminary pellicle structure is first etched in the first region, and then in the second region. Secondary etching may be performed. Accordingly, etching uniformity is improved, and a high-quality method of manufacturing a pellicle can be provided.

또한, 상기 제2 영역에서 상기 2차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이를 왕복 이동하여, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체 상의 식각 잔여물이 용이하게 제거될 수 있다. In addition, the secondary etched preliminary pellicle structure in the second region reciprocates between the first region and the second region, so that the etch residue on the etched preliminary pellicle structure may be easily removed. .

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 예비 펠리클 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법 및 그 제조 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법 및 그 제조 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법 및 그 제조 장치를 설명하기 위한 도면들이다.1 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a pellicle according to an embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining a preliminary pellicle structure according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a method for manufacturing a pellicle and an apparatus for manufacturing the same according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a method for manufacturing a pellicle and an apparatus for manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention.
5 and 6 are views for explaining a method for manufacturing a pellicle and an apparatus for manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when a component is referred to as being on another component, it may be directly formed on the other component or a third component may be interposed therebetween. In addition, in the drawings, thicknesses of films and regions are exaggerated for effective description of technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.In addition, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, third, etc. are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes a complementary embodiment thereof. In addition, in the present specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. In the specification, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate that a feature, number, step, element, or a combination thereof described in the specification exists, and one or more other features, numbers, steps, or configurations It should not be construed as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In addition, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 예비 펠리클 구조체를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법 및 그 제조 장치를 설명하기 위한 도면이다. Figure 1 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a pellicle according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view for explaining a preliminary pellicle structure according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a first embodiment of the present invention It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the pellicle and its manufacturing apparatus according to an example.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 예비 펠리클 구조체(100)가 준비된다(S110). 상기 예비 펠리클 구조체(100)는, 코어층(110), 제1 물질층(120), 및 제2 물질층(130)을 포함할 수 있다. 1 to 3, the preliminary pellicle structure 100 is prepared (S110). The preliminary pellicle structure 100 may include a core layer 110 , a first material layer 120 , and a second material layer 130 .

상기 코어층(110)은 EUV 리소그래피 공정에서 EUV광에 대한 투과도가 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 코어층(110)은 실리콘으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 예를 들어, 상기 코어층(110)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다. 또는, 다른 예를 들어, 상기 코어층(110)은 Rh, Ru, Mo, SiO2, Pd, Ge, Al2O3, GaAs, Ir, W, V, Pt, Ta, Nb, Au, MgF2, MgO, Co, Te, SiC, CaF2, SiO, Y2O3, Si3N4, C, 또는 Graphene 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The core layer 110 may be formed of a material having high transmittance to EUV light in an EUV lithography process. For example, the core layer 110 may be formed of silicon. Specifically, for example, the core layer 110 may be formed of single crystal silicon, polycrystalline silicon, or amorphous silicon. Or, for another example, the core layer 110 is Rh, Ru, Mo, SiO 2 , Pd, Ge, Al 2 O 3 , GaAs, Ir, W, V, Pt, Ta, Nb, Au, MgF 2 , MgO, Co, Te, SiC, CaF 2 , SiO, Y 2 O 3 , Si 3 N 4 It may include at least one of C, or Graphene.

한 쌍의 상기 제1 물질층(120)이 상기 코어층(110)은 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면 상에 각각 배치될 수 있다. 다시 말하면, 한 쌍의 상기 제1 물질층(120)이 상기 코어층(110)의 상부면 및 하부면을 덮을 수 있다. 상기 제1 물질층(120)은 EUV 리소그래피 공정에서 EUV 광에 대한 투과도가 높고, 기계적 강도 및/또는 화학적 내구성이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질층(120)은 실리콘 질화물(ex. Si3N4)로 형성될 수 있다. 또는, 다른 예를 들어, 상기 제1 물질층(120)은, SiO2, Al2O3, SiC, C, Graphene, ZnO, MgO, SrTiO3, ZrO2, 또는 HfO2 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. A pair of the first material layers 120 may be respectively disposed on a first surface of the core layer 110 and a second surface opposite to the first surface. In other words, the pair of first material layers 120 may cover the upper and lower surfaces of the core layer 110 . The first material layer 120 may be formed of a material having high transmittance to EUV light and excellent mechanical strength and/or chemical durability in the EUV lithography process. For example, the first material layer 120 may be formed of silicon nitride (eg, Si 3 N 4 ). Or, for another example, the first material layer 120, SiO 2 , Al 2 O 3 , SiC, C, Graphene, ZnO, MgO, SrTiO 3 , ZrO 2 , or HfO 2 At least one including at least one can do.

한 쌍의 상기 제2 물질층(130)이 한 쌍의 상기 제1 물질층(120) 상에 각각 배치될 수 있다. 상기 제2 물질층(130)은 상기 제1 물질층(120)과 식각 선택비를 갖는 물질로 형성되고, 기계적 강도가 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 물질층(130)은 실리콘으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 물질층(130)은 상기 코어층(110) 및 상기 제1 물질층(120)보다 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. A pair of the second material layers 130 may be respectively disposed on the pair of the first material layers 120 . The second material layer 130 may be formed of a material having an etch selectivity to the first material layer 120 , and may be formed of a material having excellent mechanical strength. For example, the second material layer 130 may be formed of silicon. Also, the second material layer 130 may be formed to have a thickness greater than that of the core layer 110 and the first material layer 120 .

상기 예비 펠리클 구조체(100)의 측면, 상기 측면에 인접한 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 상부면의 가장자리, 및 상기 측면에 인접한 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 하부면의 가장자리를 덮는 마스크층(140)이 제공될 수 있다. 상기 마스크층(140)은 후술되는 식각 공정에서, 식각 마스크로 사용될 수 있다. 이에 따라, 상기 마스크층(140)으로 덮인, 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 측면, 상기 측면에 인접한 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 상부면의 가장자리, 및 상기 측면에 인접한 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 하부면의 가장자리는, 후술되는 식각 공정에서 식각되지 않을 수 있다. A mask layer 140 covering the side surface of the preliminary pellicle structure 100, the edge of the upper surface of the preliminary pellicle structure 100 adjacent to the side, and the edge of the lower surface of the preliminary pellicle structure 100 adjacent to the side surface ) can be provided. The mask layer 140 may be used as an etching mask in an etching process to be described later. Accordingly, the side surface of the preliminary pellicle structure 100 covered with the mask layer 140 , the edge of the upper surface of the preliminary pellicle structure 100 adjacent to the side surface, and the preliminary pellicle structure 100 adjacent to the side surface ), the edge of the lower surface may not be etched in an etching process to be described later.

상기 예비 펠리클 구조체(100)를 식각하는 펠리클 제조 장치가 준비된다. 상기 펠리클 제조 장치는, 식각 용기(210), 내부 열원부(230) 및 외부 열원부(240)를 포함할 수 있다. A pellicle manufacturing apparatus for etching the preliminary pellicle structure 100 is prepared. The pellicle manufacturing apparatus may include an etching vessel 210 , an internal heat source 230 , and an external heat source 240 .

상기 식각 용기(210) 내에 식각 용액(220)이 준비될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 식각 용액(220)은 KOH, 계면활성제, 및 아이소프로필 알코올을 포함할 수 있다. An etching solution 220 may be prepared in the etching vessel 210 . According to an embodiment, the etching solution 220 may include KOH, a surfactant, and isopropyl alcohol.

상기 예비 펠리클 구조체(100)가 식각 용액(220) 내에 제공되어, 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 식각될 수 있다(S120). The preliminary pellicle structure 100 may be provided in the etching solution 220 so that the preliminary pellicle structure 100 may be etched ( S120 ).

상기 예비 펠리클 구조체(100)는 상기 예비 펠리클 구조체(100)와 체결되는 승상 모듈을 이용하여, 상기 식각 용기(210) 내의 상기 식각 용액(220) 내에 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 승강 모듈은, 상기 마스크층(140)에 체결될 수 있다. The preliminary pellicle structure 100 may be provided in the etching solution 220 in the etching vessel 210 by using an elevating module coupled to the preliminary pellicle structure 100 . According to an embodiment, the elevating module may be coupled to the mask layer 140 .

상기 내부 열원부(230)는, 상기 식각 용액(220) 내에 제공되어, 상기 식각 용액(220)의 온도를 제어할 수 있다. 상기 내부 열원부(230)는 한 쌍 제공될 수 있고, 한 쌍의 상기 내부 열원부(230) 사이에 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 제공되어, 상기 식각 용액(220)에 의해 식각될 수 있다. 도 3에서 상기 내부 열원부(230)가 코일 형태로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형태로 구현될 수 있음은 당업자에게 자명하다.The internal heat source 230 may be provided in the etching solution 220 to control the temperature of the etching solution 220 . A pair of the internal heat source parts 230 may be provided, and the preliminary pellicle structure 100 may be provided between the pair of internal heat source parts 230 to be etched by the etching solution 220 . . Although the internal heat source 230 is illustrated in the form of a coil in FIG. 3 , it is not limited thereto, and it is apparent to those skilled in the art that it may be implemented in various forms.

상기 내부 열원부(230)는 상기 식각 용액(220)의 온도를 70~100℃ 조건으로 제어하고, 온도가 상승된 상기 식각 용액(220)에 의해, 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 용이하게 식각될 수 있다. 구체적으로, 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 상기 제2 물질층(130)이 식각되어, 상기 제1 물질층(120)이 노출될 수 있다. 즉, 상술된 바와 같이, 상기 제1 물질층(120) 및 상기 제2 물직층(130)은 식각 선택비를 갖는 물질로 형성되어, 상기 제2 물질층(130)은 상기 식각 용액(220)에 의해 식각되고, 상기 제1 물질층(120)은 상기 식각 용액(220)에 의해 실질적으로 식각되지 않을 수 있다. The internal heat source 230 controls the temperature of the etching solution 220 to a condition of 70-100° C., and the preliminary pellicle structure 100 is easily etched by the etching solution 220 whose temperature is increased. can be Specifically, the second material layer 130 of the preliminary pellicle structure 100 may be etched to expose the first material layer 120 . That is, as described above, the first material layer 120 and the second material layer 130 are formed of a material having an etch selectivity, and the second material layer 130 is the etching solution 220 . is etched, and the first material layer 120 may not be substantially etched by the etching solution 220 .

상기 제1 물질층(120)이 식각되어, 상기 코어층(110) 및 상기 제1 물질층(120)을 갖는 펠리클 멤브레인이 제조될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 마스크층(140)으로 덮여 식각되지 않은 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 부분들은, 펠리클 멤브레인을 지지하는 펠리클 프레임으로 정의될 수 있다. The first material layer 120 may be etched to prepare a pellicle membrane having the core layer 110 and the first material layer 120 . According to an embodiment, portions of the preliminary pellicle structure 100 that are covered with the mask layer 140 and are not etched may be defined as a pellicle frame supporting a pellicle membrane.

식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)를 상기 식각 용액으로부터 꺼내는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 열처리 건조될 수 있다(S130). The etched preliminary pellicle structure 100 may be taken out from the etching solution and at the same time the etched preliminary pellicle structure 100 may be heat treated and dried (S130).

상기 외부 열원부(240)는 상기 식각 용기(210) 입구에 배치되어, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 상기 식각 용액(220)으로부터 꺼내지는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)를 열처리 건조할 수 있다. The external heat source unit 240 is disposed at the entrance of the etching vessel 210 , the etched preliminary pellicle structure 100 is taken out from the etching solution 220 and the etched preliminary pellicle structure 100 is heat treated. can be dry.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 예비 펠리클 구조체(100)를 상기 식각 용액(220) 내에 제공하여, 상기 예비 펠리클 구조체(100)를 식각하고, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)를 상기 식각 용액(220)으로부터 꺼내는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 열처리 건조될 수 있다. 이에 따라, 상기 식각 용액(220)에서 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 꺼내어져 대기 중에 노출되는 과정에서 급격한 온도 변화에 따른 열팽창으로 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 열화되는 것이 최소화될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the preliminary pellicle structure 100 is provided in the etching solution 220 to etch the preliminary pellicle structure 100, and the etched preliminary pellicle structure 100 is used in the etching solution. The preliminary pellicle structure 100 etched at the same time as taken out from 220 may be heat treated and dried. Accordingly, deterioration of the preliminary pellicle structure 100 due to thermal expansion due to rapid temperature change in the process of taking out the preliminary pellicle structure 100 etched from the etching solution 220 and exposing it to the atmosphere can be minimized. .

만약, 상술된 바와 달리, 상기 식각 용액(220)으로부터 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 꺼내어지는 동시에 열처리되지 않는 경우, 상대적으로 고온의 상기 식각 용액(220)과 대기의 온도 차이가 발생하고, 이로 인해 상기 예비 펠리클 구조체(100)를 구성하는 각 박막층의 열팽창 계수가 달라, 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 열화될 수 있다. If, unlike described above, when the preliminary pellicle structure 100 etched from the etching solution 220 is taken out and not heat treated at the same time, a temperature difference between the relatively high temperature etching solution 220 and the atmosphere occurs and , because of the different coefficients of thermal expansion of each thin film layer constituting the preliminary pellicle structure 100 , the preliminary pellicle structure 100 may be deteriorated.

하지만, 상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 식각 용액(220)으로부터 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 꺼내어지는 동시에 열처리 건조되어, 온도 차이에 따른 상기 예비 펠리클 구조체(100)를 구성하는 각 박막층의 열팽창 계수가 달라, 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 열화가 최소화되고, 결과적으로, 고품질, 고신뢰성, 장수명의 펠리클 제조 방법이 제공될 수 있다.However, as described above, according to an embodiment of the present invention, the preliminary pellicle structure 100 etched from the etching solution 220 is taken out and heat-dried at the same time, and the preliminary pellicle structure 100 according to the temperature difference. The thermal expansion coefficient of each thin film layer constituting the is different, the deterioration of the preliminary pellicle structure 100 is minimized, and as a result, a high-quality, high-reliability, long-life pellicle manufacturing method can be provided.

상술된 실시 예에 달리, 본 발명의 제2 실시 예에 따르면, 상기 내부 열원부는 복수로 제공될 수 있고, 이에 따라, 상기 식각 용액은 서로 다른 온도의 복수의 영역으로 구분될 수 있다. 이하, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법, 및 그 제조 장치가 설명된다. Unlike the above-described embodiment, according to the second embodiment of the present invention, a plurality of the internal heat source may be provided, and accordingly, the etching solution may be divided into a plurality of regions having different temperatures. Hereinafter, a method for manufacturing a pellicle and an apparatus for manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법 및 그 제조 장치를 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a method for manufacturing a pellicle and an apparatus for manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 펠리클의 제조 장치는, 3개의 내부 열원부를 포함할 수 있고, 이에 따라 식각 용액은 서로 다른 3개의 영역으로 구분되고, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법은, 서로 다른 3개의 영역으로 구분된 상기 식각 용액을 이용하여, 예비 펠리클 구조체를 식각하여 펠리클을 제조할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the apparatus for manufacturing a pellicle according to the second embodiment of the present invention may include three internal heat sources, and thus the etching solution is divided into three different regions, and the second In the method of manufacturing a pellicle according to an embodiment, a pellicle may be manufactured by etching a preliminary pellicle structure using the etching solution divided into three different regions.

구체적으로, 제1 내지 제3 내부 열원부(232, 234, 236)이 제공될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 내부 열원부(232, 234, 236)은 차례로, 상기 식각 용기(210)의 바닥면 상에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제1 내부 열원부(232) 상에 상기 제2 내부 열원부(234)가 제공되고, 상기 제2 내부 열원부(234) 상에 상기 제3 내부 열원부(236)가 제공될 수 있다. Specifically, the first to third internal heat source parts 232 , 234 , and 236 may be provided. The first to third internal heat sources 232 , 234 , and 236 may be sequentially provided on the bottom surface of the etching vessel 210 . That is, the second internal heat source part 234 may be provided on the first internal heat source part 232 , and the third internal heat source part 236 may be provided on the second internal heat source part 234 . have.

도 4에서 상기 제1 내지 제3 내부 열원부(232, 234, 236)가 코일 형태로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형태로 구현될 수 있음은 당업자에게 자명하다.Although the first to third internal heat source parts 232 , 234 , and 236 are illustrated in the form of a coil in FIG. 4 , the present invention is not limited thereto, and it is apparent to those skilled in the art that it may be implemented in various forms.

상기 제1 내부 열원부(232)는 제1 온도의 식각 용액을 갖는 제1 영역(222)을 생성하고, 상기 제2 내부 열원부(234)는 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 식각 용액을 갖는 제2 영역(224)을 생성하고, 상기 제3 내부 열원부(236)는 상기 제1 온도보다 낮은 제3 온도의 식각 용액을 갖는 제3 영역(236)을 생성할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 영역(222, 224, 226)은 도 4에 도시된 바와 같이, 명확하게 구분되지는 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 온도는 60~80℃이고, 상기 제2 온도는 100℃이고, 상기 제3 온도는 60℃ 이하일 수 있다. The first internal heat source 232 generates a first region 222 having an etching solution having a first temperature, and the second internal heat source 234 includes an etching solution having a second temperature higher than the first temperature. A second region 224 having a . The first to third regions 222 , 224 , and 226 may not be clearly distinguished as shown in FIG. 4 . For example, the first temperature may be 60 to 80°C, the second temperature may be 100°C, and the third temperature may be 60°C or less.

상기 예비 펠리클 구조체(100)는 상기 제1 내지 제3 영역(222, 224, 226)을 갖는 상기 식각 용액 내에 제공되어, 식각될 수 있다. 구체적으로, 일 실시 예에 따르면, 상기 예비 펠리클 구조체(100)는 상기 제1 온도의 상기 제1 영역(222)에서 제1 시간 동안 1차 식각되고, 상기 1차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)는 상기 제2 온도의 상기 제2 영역(224)에서 제2 시간 동안 2차 식각될 수 있다. 상기 제1 시간은 상기 제2 시간보다 길 수 있다. 즉, 상대적으로 저온인 상기 제1 영역(222)에서 상대적으로 오랜 시간동안 식각되어, 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 상기 제2 물질막(130)이 균일하고 안정적으로 식각되고, 상기 제2 물질막(130)이 어느 정도 식각된 후, 남겨진 상기 제2 물질막(130)이 상대적으로 고온인 상기 제2 영역(224)에서 상대적으로 짧은 시간동안 빠르게 식각될 수 있다. 이에 따라, 얇은 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 안정적으로 그리고 빠르게 식각될 수 있다. The preliminary pellicle structure 100 may be provided in the etching solution having the first to third regions 222 , 224 , and 226 to be etched. Specifically, according to an embodiment, the preliminary pellicle structure 100 is first etched for a first time in the first region 222 at the first temperature, and the primary etched preliminary pellicle structure 100 is etched. ) may be secondarily etched for a second time in the second region 224 at the second temperature. The first time period may be longer than the second time period. That is, the second material layer 130 of the preliminary pellicle structure 100 is uniformly and stably etched by etching in the relatively low temperature first region 222 for a relatively long time, and the second material After the layer 130 is etched to some extent, the remaining second material layer 130 may be rapidly etched in the second region 224 at a relatively high temperature for a relatively short time. Accordingly, the thin preliminary pellicle structure 100 may be stably and rapidly etched.

반면, 상술된 바와 달리, 상대적으로 고온인 상기 제2 영역(224)에서 상대적으로 오랜 시간 동안 식각되거나, 상대적으로 고온인 상기 제2 영역(224)에서 1차적으로 식각되는 경우, 얇은 두께의 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 안정적으로 식각되지 않아 박막의 품질이 저하되고, 빠른 식각 속도로 인해 식각의 균일성이 문제될 수 있다. On the other hand, unlike the above, when etching is performed for a relatively long time in the second region 224 at a relatively high temperature, or when primarily etched in the second region 224 at a relatively high temperature, the thin film Since the preliminary pellicle structure 100 is not stably etched, the quality of the thin film is deteriorated, and the uniformity of the etching may be a problem due to the fast etching rate.

하지만, 상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 저온의 상기 제1 영역(222)에서 긴 시간 동안 상기 1차 식각된 후, 잔존된 부분이 고온의 상기 제2 영역(224)에서 짧은 시간 동안 상기 2차 식각될 수 있다. 이로 인해, 수율 및 막의 품질이 향상된 펠리클 제조 방법이 제공될 수 있다. However, as described above, according to an embodiment of the present invention, after the primary etching is performed in the low temperature first region 222 for a long time, the remaining portion is short in the high temperature second region 224 . The secondary etching may be performed for a period of time. Due to this, a method for manufacturing a pellicle with improved yield and film quality can be provided.

또한, 상술된 바와 같이, 상기 예비 펠리클 구조체(100)는 상기 제1 영역(222)에서 상대적으로 긴 시강동안 상기 1차 식각되어, 상기 제2 물질막(130)이 상기 1차 식각 공정에서 식각되는 식각량이 상기 제2 영역(224)의 상기 2차 식각 공정에서 식각되는 식각량보다 많을 수 있다. In addition, as described above, the preliminary pellicle structure 100 is first etched in the first region 222 for a relatively long period of time, so that the second material layer 130 is etched in the first etching process. The etching amount to be etched may be greater than the etching amount etched in the second etching process of the second region 224 .

상기 2차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)는 상기 제3 영역(226)으로 이동하여, 3차 식각될 수 있다. 제3 영역(226)에서 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 식각 공정이 종료되어, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 상기 식각 용액(222, 224, 226)으로부터 꺼내지는 동시에, 상기 외부 열원부(240)에 의해 열처리 건조될 수 있다. The secondary etched preliminary pellicle structure 100 may move to the third region 226 to be etched in a third manner. In the third region 226 , the etching process of the preliminary pellicle structure 100 is terminated, and the etched preliminary pellicle structure 100 is taken out from the etching solutions 222 , 224 and 226 , and the external heat source part (240) may be heat-dried.

상술된 바와 같이, 상기 제3 영역(226)은 상기 제1 및 제2 영역(222, 224)과 비교하여, 가장 낮은 상기 제3 온도를 가질 수 있다. 이에 따라, 외부 대기와 상기 제3 영역(226)의 온도 차이가 감소하여, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 상기 식각 용액(222, 224, 226)으로 꺼내어지는 과정에서, 온도 차이에 의한 열화가 최소화될 수 있다. As described above, the third region 226 may have the lowest third temperature compared to the first and second regions 222 and 224 . Accordingly, the temperature difference between the external atmosphere and the third region 226 is reduced, and in the process in which the etched preliminary pellicle structure 100 is taken out into the etching solutions 222 , 224 and 226 , the temperature difference Degradation can be minimized.

또한, 상기 제1 영역 내지 상기 제3 영역(222, 224, 226) 사이에, 대류 현상이 발생할 수 있고. 이로 인해, 상기 식각 용액(222, 224, 226)이 혼합되어, 식각의 균일성이 향상될 수 있다.Also, a convection phenomenon may occur between the first region to the third region 222 , 224 , and 226 . As a result, the etching solutions 222 , 224 , and 226 are mixed to improve uniformity of etching.

상술된 제2 실시 예에 달리, 본 발명의 제3 실시 예에 따르면, 식각 공정에서 식각 잔여물이 발생할 수 있고, 상기 식각 잔여물이 식각 공정에서 제거될 수 있다. 이하, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법, 및 그 제조 장치가 설명된다.Unlike the second embodiment described above, according to the third embodiment of the present invention, an etching residue may be generated in the etching process, and the etching residue may be removed in the etching process. Hereinafter, a method for manufacturing a pellicle and an apparatus for manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 5 및 도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법 및 그 제조 장치를 설명하기 위한 도면들이다.5 and 6 are views for explaining a method for manufacturing a pellicle and an apparatus for manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법은, 상술된 제2 실시 예에 따른 펠리클의 제조 방법에서, 상기 예비 펠리클 구조체(100)가 상기 제1 및 제2 영역(222, 224) 사이를 왕복 이동하여, 식각 잔여물(150)을 제거할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 예비 펠리클 구조체(100)는, 상술된 승강 모듈을 이용하여, 상기 제1 및 제2 영역(222, 224) 사이를 왕복 이동할 수 있다. Referring to FIG. 3 , in the method for manufacturing a pellicle according to a third embodiment of the present invention, in the method for manufacturing a pellicle according to the second embodiment described above, the preliminary pellicle structure 100 includes the first and second regions. By reciprocating between 222 and 224 , the etching residue 150 may be removed. According to an embodiment, the preliminary pellicle structure 100 may reciprocate between the first and second regions 222 and 224 by using the above-described elevating module.

구체적으로, 상기 1차 식각 및/또는 상기 2차 식각 공정에서, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 표면에 상기 식각 잔여물(150)이 생성될 수 있다. 예를 들어, 상기 식각 잔여물(150)은 실리콘 잔여물일 수 있다. 상기 식각 잔여물(150)이 상기 예비 펠리클 구조체(100)의 표면에 부착되는 경우, 식각 균일성이 저하되고, 이에 따라, 펠리클 멤브레인의 특성이 저하될 수 있다. Specifically, in the first etching and/or the second etching process, the etching residue 150 may be generated on the surface of the etched preliminary pellicle structure 100 . For example, the etching residue 150 may be a silicon residue. When the etch residue 150 is attached to the surface of the preliminary pellicle structure 100 , the etch uniformity may be reduced, and thus, properties of the pellicle membrane may be deteriorated.

하지만, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 영역(222)에서 상기 1차 식각 후, 상기 제2 영역(224)에서 상기 2차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100)가, 상기 제1 영역(222) 및 상기 제2 영역(224) 사이를 왕복 이동할 수 있고, 이에 따라, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체(100) 상의 상기 식각 잔여물(150)이 용이하게 제거될 수 있다. However, according to an embodiment of the present invention, after the first etching in the first region 222 , the preliminary pellicle structure 100 that is secondarily etched in the second region 224 is the first region The etched residue 150 on the etched preliminary pellicle structure 100 may be easily removed.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.As mentioned above, although the present invention has been described in detail using preferred embodiments, the scope of the present invention is not limited to specific embodiments and should be construed according to the appended claims. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

100: 예비 펠리클 구조체
110: 코어층
120: 제1 물질층
130: 제2 물질층
140: 마스크층
150: 식각 잔여물
210: 식각 용기
220: 식각 용액
222: 제1 영역
224: 제2 영역
226: 제3 영역
230: 내부 열원부
232: 제1 내부 열원부
234: 제2 내부 열원부
236: 제3 내부 열원부
240: 외부 열연부100: preliminary pellicle structure
110: core layer
120: first material layer
130: second material layer
140: mask layer
150: etch residue
210: etching vessel
220: etching solution
222: first area
224: second area
226: third area
230: internal heat source
232: first internal heat source unit
234: second internal heat source
236: third internal heat source
240: external hot rolled part

Claims (13)

다층막인 예비 펠리클 구조체를 준비하는 단계;
상기 예비 펠리클 구조체를 식각 용액 내에 제공하여, 상기 식각 용액 내에 배치된 내부 열원부를 통해 상기 식각 용액의 온도를 제어하며 상기 예비 펠리클 구조체를 식각하는 단계; 및
식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 식각 용액으로부터 꺼내는 동시에 상기 식각 용액 외부에 배치된 외부 열원부를 통해 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 열처리 건조하는 단계를 포함하는 펠리클의 제조 방법.
preparing a preliminary pellicle structure that is a multilayer film;
providing the preliminary pellicle structure in an etching solution, controlling the temperature of the etching solution through an internal heat source disposed in the etching solution, and etching the preliminary pellicle structure; and
Method of manufacturing a pellicle comprising the step of taking out the etched preliminary pellicle structure from the etching solution and at the same time heat-drying the etched preliminary pellicle structure through an external heat source disposed outside the etching solution.
 제1 항에 있어서,
상기 식각 용액은,
제1 온도의 제1 영역; 및
상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 제2 영역을 포함하고,
상기 예비 펠리클 구조체를 식각하는 단계는,
상기 예비 펠리클 구조체를 상기 제1 영역에서 1차 식각하는 단계; 및
상기 1차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 제2 영역에서 2차 식각하는 단계를 포함하는 펠리클의 제조 방법.
According to claim 1,
The etching solution is
a first region at a first temperature; and
a second region having a second temperature higher than the first temperature;
The step of etching the preliminary pellicle structure,
first etching the preliminary pellicle structure in the first region; and
Method of manufacturing a pellicle comprising the step of secondary etching the primary etched preliminary pellicle structure in the second region.
 제2 항에 있어서,
상기 예비 펠리클 구조체는 제1 시간 동안 상기 1차 식각되고, 상기 제1 시간보다 짧은 제2 시간동안 상기 2차 식각되는 것을 포함하는 펠리클의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The preliminary pellicle structure is first etched for a first time, and the second time is shorter than the first time, and the second pellicle is etched.
 제2 항에 있어서,
상기 제1 영역은, 상기 제2 영역 아래에 제공되는 것을 포함하는 펠리클의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The method of claim 1, wherein the first region is provided below the second region.
 제2 항에 있어서,
상기 제2 영역에서 상기 2차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이를 왕복 이동하여, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체 상의 식각 잔여물을 제거하는 단계를 더 포함하는 펠리클의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The secondary etched pellicle structure in the second region reciprocates between the first region and the second region to remove etch residues on the etched preliminary pellicle structure. manufacturing method.
 제2 항에 있어서,
상기 식각 용액은, 상기 제1 온도보다 낮은 제3 영역을 포함하고,
상기 2차 식각된 상기 예비 펠리클 구조체는 상기 제3 영역으로 이동하여, 3차 식각되는 것을 포함하는 펠리클의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The etching solution includes a third region lower than the first temperature,
The secondary etched preliminary pellicle structure is moved to the third region, and the method of manufacturing a pellicle comprising tertiary etching.
 제6 항에 있어서,
상기 제3 영역은 상기 제2 영역 상에 제공되는 것을 포함하고,
상기 예비 펠리클 구조체는, 상기 제3 영역에서 상기 3차 식각된 직후, 열처리 건조되는 것을 포함하는 펠리클의 제조 방법.
7. The method of claim 6,
wherein the third region is provided on the second region;
The preliminary pellicle structure, immediately after the tertiary etching in the third region, the method of manufacturing a pellicle comprising the drying of the heat treatment.
 제6 항에 있어서,
상기 제1 영역 내지 상기 제3 영역 사이에, 온도 차이에 의한, 상기 식각 용액의 대류 현상이 발생하는 것을 포함하는 펠리클의 제조 방법.
7. The method of claim 6,
The method of manufacturing a pellicle, comprising generating a convection phenomenon of the etching solution due to a temperature difference between the first region and the third region.
 제1 항에 있어서,
상기 식각 용액은 식각 용기 내에 제공되고,
상기 식각 용기의 입구에 배치된 외부 열원부를 이용하여 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가 열처리 건조되는 것을 포함하는 펠리클의 제조 방법.
According to claim 1,
The etching solution is provided in an etching vessel,
The method of manufacturing a pellicle, comprising drying the preliminary pellicle structure etched by using an external heat source disposed at the inlet of the etching vessel by heat treatment.
 다층막인 예비 펠리클 구조체를 식각하는 식각 용액이 제공되는 식각 용기;
상기 식각 용액 내에 제공되어, 상기 식각 용액의 온도를 제어하는 내부 열원부; 및
상기 식각 용액 외부에 배치되어, 식각된 상기 예비 펠리클 구조체가 상기 식각 용액으로부터 꺼내지는 동시에 식각된 상기 예비 펠리클 구조체를 열처리 건조하는 외부 열원부를 포함하는 펠리클 제조 장치.
an etching vessel in which an etching solution for etching the preliminary pellicle structure, which is a multilayer film, is provided;
an internal heat source provided in the etching solution to control a temperature of the etching solution; and
The pellicle manufacturing apparatus including an external heat source disposed outside the etching solution, the etched preliminary pellicle structure is taken out from the etching solution and at the same time heat-drying the etched preliminary pellicle structure.
 제10 항에 있어서,
상기 내부 열원부는,
상기 식각 용기의 하단에 제공되고, 제1 온도의 상기 식각 용액을 갖는 제1 영역을 생성하는 제1 내부 열원부; 및
상기 제1 내부 열원부 상에 제공되고, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 상기 식각 용액을 갖는 제2 영역을 생성하는 제2 내부 열원부를 포함하는 펠리클 제조 장치.
11. The method of claim 10,
The internal heat source unit,
a first internal heat source provided at a lower end of the etching vessel and configured to generate a first region having the etching solution at a first temperature; and
and a second internal heat source provided on the first internal heat source and configured to generate a second region having the etching solution having a second temperature higher than the first temperature.
 제11 항에 있어서,
상기 내부 열원부는,
상기 제2 내부 열원부 상에 제공되고, 상기 제1 온도보다 낮은 제3 온도의 상기 식각 용액을 갖는 제3 영역을 생성하는 제3 내부 열원부를 더 포함하는 펠리클 제조 장치.
12. The method of claim 11,
The internal heat source unit,
A pellicle manufacturing apparatus provided on the second internal heat source and further comprising a third internal heat source for generating a third region having the etching solution having a third temperature lower than the first temperature.
 제10 항에 있어서,
상기 예비 펠리클 구조체와 체결되고, 상기 예비 펠리클 구조체를 상기 식각 용액 내에서 이동시키는 승강 모듈을 더 포함하는 펠리클 제조 장치.
11. The method of claim 10,
The apparatus for manufacturing a pellicle further comprising a lifting module coupled to the preliminary pellicle structure and moving the preliminary pellicle structure in the etching solution.
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