KR20230174749A - 메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체 - Google Patents
메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230174749A KR20230174749A KR1020237001744A KR20237001744A KR20230174749A KR 20230174749 A KR20230174749 A KR 20230174749A KR 1020237001744 A KR1020237001744 A KR 1020237001744A KR 20237001744 A KR20237001744 A KR 20237001744A KR 20230174749 A KR20230174749 A KR 20230174749A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- memory
- read
- write
- speed data
- data
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 481
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 101100498818 Arabidopsis thaliana DDR4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
- G06F13/1689—Synchronisation and timing concerns
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/46—Multiprogramming arrangements
- G06F9/50—Allocation of resources, e.g. of the central processing unit [CPU]
- G06F9/5005—Allocation of resources, e.g. of the central processing unit [CPU] to service a request
- G06F9/5011—Allocation of resources, e.g. of the central processing unit [CPU] to service a request the resources being hardware resources other than CPUs, Servers and Terminals
- G06F9/5016—Allocation of resources, e.g. of the central processing unit [CPU] to service a request the resources being hardware resources other than CPUs, Servers and Terminals the resource being the memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/30—Arrangements for executing machine instructions, e.g. instruction decode
- G06F9/30181—Instruction operation extension or modification
- G06F9/30189—Instruction operation extension or modification according to execution mode, e.g. mode flag
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
본 출원은 메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체를 개시하고, 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계; 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계; 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정하는 단계를 포함한다. 본 출원은 단말기 시스템의 메모리 판독 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하고 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정하여 메모리의 이용률을 향상시킨다.
Description
본 발명은 메모리 제어의 기술 분야에 속하며, 특히 메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체에 관한 것이다.
현재 임베디드 설비가 발전함에 따라, 임베디드 시스템의 설비 하드웨어에 대한 요구가 점점 높아지고 있다. 현재 많은 칩이 성능, 원가 및 전력 소비를 고려하기 때문에 칩에 메모리 입자가 집성된다. 그러나 용량과 성능에 대한 요구로 인해 실제 응용 과정에서 상이한 주파수의 메모리 입자의 조합 방안이 사용된다.
종래 기술에서 단말기 시스템이 수행될 때 주파수가 낮은 메모리 입자에 대응하는 주파수로 메모리 판독/기입 동작을 수행하게 되는데, 주파수가 높은 메모리 입자의 성능이 충분히 발휘되지 않아 메모리의 이용 효율이 낮고 메모리 자원이 낭비된다. 따라서 종래 기술은 여전히 개선되고 개발되어야 한다.
본 출원의 실시예는 상술한 종래 기술의 결함에 대하여, 종래 기술의 메모리 이용 효율이 낮고 메모리 자원이 낭비되는 문제를 해결하기 위한 메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체를 제공한다.
제1 양태에서, 본 출원의 실시예는 메모리의 동작 주파수 조정 방법을 제공하고, 상기 방법은,
스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하고, 상기 수행 정보는 상기 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하는 데 사용되고, 상기 메모리 판독/기입 데이터는 상기 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계;
상기 동작 모드에 기초하여 상기 메모리의 동작 주파수를 조정하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계는,
상기 스마트 단말기의 수행 정보를 취득하는 단계;
상기 수행 정보에 기초하여 상기 단말기 시스템이 수행 중인 시스템 미션을 취득하고, 상기 시스템 미션은 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능 중 하나 이상을 포함하는 단계;
상기 시스템 미션에 기초하여 상기 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도 데이터를 결정하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 상기 시스템 미션에 기초하여 상기 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도 데이터를 결정하는 단계는,
상기 시스템 미션에 기초하여 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득하고, 상기 판독/기입 피크 속도 데이터는 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 자신의 메모리에 대한 최고 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 단계;
상기 단말기 시스템이 상기 시스템 미션을 수행할 때 상기 시스템 미션의 상기 메모리에 대한 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득하는 단계;
상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터에 기초하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 시스템 미션에 기초하여 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득하는 단계는,
미리 설정된 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 취득하고, 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블은 상기 애플리케이션에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터, 상기 서비스 프로세스에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터, 상기 시스템 기능에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 저장하는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블에 기초하여 상기 시스템 미션 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 각각 취득하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블에 기초하여 상기 시스템 미션 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 각각 취득하는 단계는,
상기 시스템 미션과 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 매칭하고 상기 단말기 시스템과 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 매칭하는 단계;
상기 시스템 미션에서의 상기 애플리케이션, 상기 서비스 프로세스 또는 상기 시스템 기능에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 각각 취득하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터에 기초하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계는,
상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터를 합산하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 얻는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계는,
미리 설정된 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 취득하고, 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터는 상기 메모리 중 상이한 모델의 메모리 입자의 동일 주파수에서의 순간 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터가 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 클 경우, 상기 메모리의 동작 모드를 비동일 주파수 동작 모드로 설정하는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터가 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 작은 경우, 상기 메모리의 동작 모드를 동일 주파수 동작 모드로 설정하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 동작 모드에 기초하여 상기 메모리의 동작 주파수를 조정하는 단계는,
상기 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수를 취득하고, 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수 중에서 최저 주파수를 결정하며, 상기 최저 주파수를 상기 메모리의 모든 메모리 입자의 동작 주파수로 하는 단계;
상기 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자를 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어하는 단계를 포함한다.
제2 양태에서, 본 출원의 실시예는 메모리 및 메모리에 저장된 하나 이상의 프로그램을 포함하고; 하나 이상의 프로세서에 의해 상기 하나 이상의 프로그램을 수행하도록 구성되는 상기 메모리의 동작 주파수 조정 방법을 포함하는 스마트 단말기를 제공한다.
제3 양태에서, 본 출원의 실시예는 저장 매체의 명령이 전자설비의 프로세서에 의해 수행될 때, 전자설비는 상기 메모리의 동작 주파수 조정 방법을 수행할 수 있도록 하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체를 제공한다.
본 실시예는 먼저 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정한다. 상기 수행 정보는 상기 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하기 때문에 상기 수행 정보에 따라 상기 단말기 시스템의 수행 과정에서 메모리에 대한 판독/기입 속도를 결정할 수 있고, 즉 상기 메모리 판독/기입 데이터를 얻을 수 있다. 다음 상기 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하고 마지막으로 상기 메모리의 동작 모드에 기초하여 상기 메모리의 동작 주파수를 조정한다. 본 실시예의 동작 모드는 상기 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 결정되고 상기 메모리 판독/기입 데이터는 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 얻어지므로, 본 실시예의 동작 모드는 상기 단말기 시스템의 실제 수행 과정에서 생성하는 수행 정보에 따라 결정됨을 알 수 있다. 이와 같이 상기 동작 모드에 따라 메모리의 동작 주파수를 조정함으로써 메모리의 동작 주파수가 수행 정보에 따라 조정되도록 하여 상기 메모리의 동작 주파수를 동적으로 조정하는 효과를 얻을 수 있어 상기 메모리의 최대 성능을 발휘하고 상기 메모리의 이용효율을 향상시킨다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 출원의 구체적인 실시예에 대한 자세한 설명을 통해 본 출원의 기술방안과 유익한 효과를 명확하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법의 흐름개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법에서 메모리 판독/기입 데이터를 취득하는 흐름개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법에서 동작 모드를 결정하는 흐름개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법에서 메모리의 동작 주파수를 조정하는 흐름개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 장치의 원리도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 장치에서 구체적인 응용 실시예의 각 모듈 간의 원리도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 스마트 단말기의 내부 구조 원리의 블록도이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법의 흐름개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법에서 메모리 판독/기입 데이터를 취득하는 흐름개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법에서 동작 모드를 결정하는 흐름개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법에서 메모리의 동작 주파수를 조정하는 흐름개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 장치의 원리도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 메모리의 동작 주파수 조정 장치에서 구체적인 응용 실시예의 각 모듈 간의 원리도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 스마트 단말기의 내부 구조 원리의 블록도이다.
본 출원의 목적, 기술방안 및 장점을 보다 명확하게 하기 위해 아래 첨부 도면을 참조하고 실시예를 들어 본 출원에 대해 더 자세히 설명한다. 여기에 설명된 구체적인 실시예는 본 출원을 해석하는 데만 사용되며 본 출원을 제한하는 데 사용되지 않음을 이해해야 한다.
설명해야 할 것은, 본 출원의 실시예에 방향지시(예를 들어, 상, 하, 좌, 우, 전, 후…)가 포함되는 경우, 상기 방향지시는 특정 자세(도면 참조)에서 각 부품 간의 상대적 위치 관계, 운동 상황 등을 해석하는 데만 사용되며, 상기 특정 자세가 변경되면 그에 따라 상기 방향지시도 변경된다.
연구자들은 현재 임베디드 설비가 발전함에 따라, 임베디드 시스템의 장비 하드웨어에 대한 요구가 점점 높아지고 있음을 발견했다. 현재 많은 칩이 성능, 원가 및 전력 소비를 고려하기 때문에 칩에 메모리 입자가 집성된다. 그러나 용량과 성능에 대한 요구로 인해 실제 응용 과정에서 다양한 주파수의 메모리 입자의 조합 방안이 사용된다. 예를 들어, DDR3 모델의 메모리 입자의 최대 용량은 512M이며 실제 응용 과정에서 모델이 DDR4인 메모리 입자 또는 기타 모델의 메모리 입자를 외장하는 것을 선택할 수 있으며 모델이 DDR3-2133인 메모리 입자를 내장하고 모델이 DDR4-2666인 메모리 입자를 외장하는 조합일 수도 있으므로 상이한 주파수의 메모리 입자의 조합이 존재한다. 그러나 종래 기술에서 단말기 시스템이 수행될 때 주파수가 낮은 메모리 입자에 대응하는 주파수로 메모리 판독/기입 동작을 수행하는데, 주파수가 높은 메모리 입자의 성능이 충분히 발휘되지 않아 메모리의 이용효율이 떨어지고 메모리 자원이 낭비된다. 예를 들어, 모델이 DDR3-2133인 메모리 입자와 외장하는 모델이 DDR4-2666인 메모리 입자의 조합이 있는 경우 단말기 시스템은 DDR3-2133 모델의 메모리 입자에 대응하는 주파수를 사용하여 모든 메모리 입자를 판독/기입 동작을 수행하므로 DDR4-2666 모델의 메모리 입자가 최대 성능을 발휘하지 못하고 자원 낭비를 조성한다.
종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 본 실시예는 본 실시예의 메모리의 동작 주파수 조정 방법을 통해 메모리의 최대 성능을 발휘하고 메모리의 이용효율을 향상시킨 메모리의 동작 주파수 조정 방법을 제공한다. 구체적으로, 본 실시예는 먼저 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정한다. 수행 정보는 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하기 때문에 수행 정보에 따라 단말기 시스템이 수행 중에 메모리에 대한 판독/기입 속도를 결정할 수 있고, 즉 메모리 판독/기입 데이터를 얻을 수 있다. 다음 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하고 마지막으로 메모리의 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정한다. 본 실시예의 동작 모드는 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 결정되고 메모리 판독/기입 데이터는 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 얻어지므로, 본 실시예의 동작 모드는 단말기 시스템의 실제 수행 과정에서 생성하는 수행 정보에 따라 결정됨을 알 수 있다. 이와 같이 동작 모드에 따라 메모리의 동작 주파수를 조정함으로써 메모리의 동작 주파수가 수행 정보에 따라 조정되도록 하여 메모리의 동작 주파수를 동적으로 조정하는 효과를 얻을 수 있다. 종래 기술의 단말기 시스템이 낮은 주파수의 메모리 입자에 대응하는 주파수로 메모리 판독/기입 동작을 수행하는 것에 비해, 본 실시예는 메모리의 최대 성능을 발휘하고 메모리의 이용효율을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 스마트 단말기가 수행될 때 스마트 단말기의 수행 정보를 취득한 후 수행 정보에 따라 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 취득하고, 즉 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 얻는다. 다음 메모리 판독/기입 데이터에 따라 동일 주파수 동작 모드 또는 비동일 주파수 동작 모드와 같은 메모리의 동작 모드를 결정한다. 마지막으로 동작 모드에 따라 메모리의 동작 주파수를 조정한다. 예를 들어, 메모리는 모델이 DDR3-2133인 메모리 입자와 외장모델이 DDR4-2666인 메모리 입자의 조합 방안인 경우 본 실시예에서는 수행 정보에 기초하여 메모리 판독/기입 데이터를 얻은 다음 동작 모드를 결정할 수 있으며 동작 모드에 따라 모델이 DDR3-2133인 메모리 입자와 외장모델이 DDR4-2666인 메모리 입자의 동작 주파수를 조정하여 모델이 DDR3-2133인 메모리 입자와 외장모델이 DDR4-2666인 메모리 입자의 최대 성능을 발휘하여 자원 이용률을 향상시킬 수 있다.
예시적 방법:
본 실시예는 스마트 단말기에 응용되는 메모리의 동작 주파수 조정 방법을 제공하며, 구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.
단계 S100, 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하고, 수행 정보는 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하는 데 사용되고, 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용된다.
구체적으로 실시할 때, 스마트 단말기는 수행 중에 수행 정보를 생성하기 때문에 상기 수행 정보는 스마트 단말기가 수행 중 및 시스템 미션을 수행하는 동안 생성된 정보를 반영할 수 있으며 이러한 수행 정보는 스마트 단말기가 수행 중에 차지하는 저장 메모리 데이터일 수 있고, 또는 스마트 단말기가 애플리케이션을 수행할 때 상기 애플리케이션의 명칭 정보, 상기 애플리케이션이 메모리에 대한 판독/기입 데이터 및 상기 애플리케이션의 수행 기록 데이터 등이다. 따라서, 스마트 단말기가 현재 수행하고 있는 시스템 미션은 수행 정보에 기초하여 결정할 수 있다. 예를 들어, 수행 정보를 분석한 후 위챗의 채팅 기록 데이터가 계속 증가되고 있으므로 이러한 채팅 기록 데이터를 통해 스마트 단말기가 현재 수행 중인 시스템 미션이 위챗의 수행임을 확정할 수 있다. 스마트 단말기는 시스템 미션을 수행할 때 메모리에 대한 판독/기입 동작을 수행하므로 본 실시예에서는 시스템 미션을 수행하는 동안 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 얻을 수 있으며 상기 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템이 메모리를 판독/기입할 때의 데이터이므로 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도를 반영할 수 있다. 예를 들어, 스마트 단말기가 특정 애플리케이션을 기동할 때 상기 애플리케이션의 기동에 대한 수행 정보가 생성되고, 상기 수행 정보는 애플리케이션을 기동할 때와 후속 애플리케이션을 수행할 때 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 포함하므로 상기 수행 정보에 기초하여 메모리 판독/기입 데이터를 얻을 수 있다.
일 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 메모리 판독/기입 데이터를 취득할 때 다음과 같은 단계를 포함한다.
단계 S101, 스마트 단말기의 수행 정보를 취득하고;
단계 S102, 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템이 수행 중인 시스템 미션을 취득하고, 시스템 미션은 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능 중 하나 이상을 포함하고;
단계 S103, 시스템 미션에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도 데이터를 결정한다.
구체적으로 실시할 때, 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터는 스마트 단말기의 수행 정보와 관련이 있으므로 본 실시예는 먼저 스마트 단말기의 수행 정보를 얻은 다음 수행 정보에 따라 스마트 단말기가 수행 중인 시스템 미션을 취득해야 하며, 스마트 단말기는 시스템 미션을 수행할 때 메모리에 대해 판독/기입 동작을 실시하기 때문에 본 실시예는 시스템 미션에 따라 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도 데이터를 얻을 수 있다. 일 실시예에서, 시스템 미션은 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능 중 하나 이상을 포함하고, 즉 스마트 단말기가 현재 수행하고 있는 시스템 미션은 한 가지가 아니라 여러 가지가 있을 수 있다. 예를 들어, 스마트 단말기(예를 들어, 스마트폰)는 위챗과 왕이윈(網易雲) 음악을 수행하고 있고, 즉 사용자가 왕이윈 음악을 사용하여 노래를 들으면서 위챗을 사용하여 친구와 채팅한다. 또한 스마트 단말기의 백그라운드에서 실시간으로 스마트 단말기의 위치 정보를 얻을 수 있는 GPS 위치추적 서비스가 수행되고 있다. 스마트 단말기에서 수행 중인 시스템 미션에는 적어도 위챗 앱, 왕이윈 음악 및 GPS 위치추적 서비스가 포함되어 있음을 알 수 있다. 스마트 단말기가 이러한 시스템 미션을 수행할 때 단말기 시스템은 데이터를 저장하기 위해 메모리를 판독/기입 동작을 수행해야 한다.
단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터는 복수개의 차원의 데이터를 포함하므로 후속 단계에서 메모리 판독/기입 데이터에 따라 메모리의 동작 모드를 보다 정확하게 결정할 수 있도록 본 실시예는 메모리 판독/기입 데이터를 정확하게 취득해야 한다. 구체적으로, 단말기 시스템은 수행 중 자체적으로 메모리에 대한 판독/기입 동작을 수행하고 시스템 미션도 기동 후 자체적으로 메모리에 대한 판독/기입 동작을 수행한다. 예를 들어, 위챗 자체는 데이터를 저장하기 위해 수행 중에 메모리에 대해 판독/기입한다. 또한 단말기 시스템이 시스템 미션을 수행할 때 시스템 미션도 메모리에 대한 판독/기입 동작을 수행하는데, 예를 들어 위챗은 수행 중에 카메라 기능을 켜고 카메라 기능은 메모리에 대해 판독/기입 동작을 수행한다. 따라서, 본 실시예의 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템의 기동 시 자체적으로 메모리에 대해 판독/기입 동작을 수행하는 데이터, 시스템 미션의 기동 시 자체적으로 메모리에 대해 판독/기입 동작을 수행하는 데이터 및 단말기 시스템이 시스템 미션을 수행할 때 시스템 미션이 메모리에 대해 판독/기입 동작을 수행하는 데이터를 포함한다.
일 실시예에서, 본 실시예는 메모리의 동작 주파수를 조정하여 메모리의 자원 이용률을 향상시키기 위한 것으로, 메모리의 동작 주파수는 일반적으로 메모리의 판독/기입 속도를 기준으로 측정된다. 일반적으로 메모리에 대한 판독/기입 속도가 빠르면 대응하는 필요한 동작 주파수도 높아진다. 따라서, 본 실시예는 동작 주파수를 보다 정확하게 조정하기 위해 메모리 판독 데이터를 취득할 때 메모리에 대한 판독 속도를 취득한다. 구체적으로, 본 실시예는 시스템 미션을 결정한 후, 먼저 시스템 미션에 기반하여 시스템 미션과 단말기 시스템의 기동 시 자체에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득한다. 다음 단말기 시스템이 시스템 미션을 수행할 때 메모리에 대한 시스템 미션의 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득한다. 마지막으로 판독/기입 피크 속도 데이터와 순간 판독/기입 속도 데이터를 기반으로 메모리 판독/기입 데이터를 결정한다. 즉, 메모리 판독/기입 데이터에는 단말기 시스템의 기동 시 판독/기입 피크 속도 데이터, 시스템 미션의 기동 시 판독/기입 피크 속도 데이터 및 시스템 미션의 수행 시 순간 판독/기입 속도 데이터가 포함된다.
구체적으로 응용할 때, 본 실시예에서 주로 미리 설정된 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 얻는 것을 통해 시스템 미션 및 단말기 시스템의 기동 시 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 얻는다. 메모리 판독/기입 데이터 테이블은 시스템 미션 및 단말기 시스템이 메모리에 대한 판독/기입 데이터를 기반으로 미리 설정된다. 따라서 메모리 데이터 테이블에는 시스템 미션에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터와 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터가 저장되어 있으며, 즉 메모리 데이터 테이블에 따라 각 시스템 미션이 메모리에 대한 최고 판독/기입 데이터 및 단말기 시스템이 메모리에 대한 최고 판독/기입 데이터를 결정할 수 있다. 그러나 시스템 미션은 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능 중 하나 이상을 포함하므로 메모리 판독/기입 데이터 테이블에는 애플리케이션에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터, 서비스 프로세스에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터, 시스템 기능에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터 및 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터가 저장되어 있고 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블에 의해 시스템 미션과 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 신속하게 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 메모리 판독/기입 데이터 테이블은 미리 설정되어 있으며 언제든지 호출될 수 있다. 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 설정할 때, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 CPU를 사용하여 메모리 제어 모듈의 메모리 컨트롤러를 제어하여 단말기 시스템이 메모리에 대한 판독/기입 피크 속도(즉, 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득)와 각 애플리케이션, 서비스 프로세스 및 시스템 기능이 기동될 때 메모리에 대한 최고 판독/기입 속도(즉, 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득)를 판독하고 기록하여 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 형성하며, 구체적으로 아래 표 1과 같이 표 1은 시스템 미션(즉, 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능 중 하나 이상) 및 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 포함한다.
| 번호 | 명칭 | 판독/기입 피크 속도 |
| 1 | 단말기 시스템 | 4520MB/s |
| 2 | 통신 서비스 | 20 MB/s |
| 3 | GPS위치추적 서비스 | 42MB/s |
| 4 | 위챗 앱 | 12MB/s |
| 5 | 왕이윈 음악 | 5MB/s |
| … | … | … |
| n | xx기능 | 35MB/s |
따라서 스마트 단말기가 수행하고 있는 시스템 미션을 취득하면 시스템 미션을 메모리 판독/기입 데이터 테이블과 매칭시킬 수 있고 단말기 시스템을 메모리 판독/기입 데이터 테이블과 매칭시킬 수 있다. 본 실시예는 데이터 처리 모듈을 사용하여 시스템 미션에 따라 메모리 판독 데이터 테이블(즉, 상기 표 1)을 검색하여 시스템 미션(즉, 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능)에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 결정한 다음, 다시 메모리 판독 데이터 테이블(즉, 상기 표 1)에서 단말기 시스템의 기동 시 자체에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득한다. 예를 들어 스마트 단말기에서 수행 중인 시스템 미션이 위챗 앱, 왕이윈 음악, GPS 위치추적 서비스인 경우 상기 표 1에 따르면 위챗 앱에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 12MB/s로 얻을 수 있고, 왕이윈 음악에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 5MB/s로 얻을 수 있고; GPS위치추적 서비스에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 42MB/s로 얻을 수 있으며 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 4520MB/s로 취득할 수도 있다.단말기 시스템 및 시스템 미션에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득한 후, 본 실시예는 단말기 시스템이 시스템 미션을 수행할 때 메모리에 대한 시스템 미션의 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득한다. 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 CPU도 메모리 제어 모듈의 메모리 컨트롤러를 통해 시스템 미션이 수행 중에 생성하는 순간 판독/기입 속도 데이터를 판독할 수 있으며, 시스템 미션이 수행 중에 메모리에 대한 순간 판독/기입 속도는 대역폭의 속도에 따라 다를 수 있으므로 본 실시예는 실시간 수집 방식을 통해 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득한다. 예를 들어, 위챗이 카메라 기능을 켜면 상기 카메라 기능은 메모리에 대한 판독/기입 동작을 수행하고, 이때 메모리에 대한 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득할 수 있으며, 상기 순간 판독/기입 속도 데이터는 시스템 미션 수행 중 메모리에 대한 순간 판독/기입 속도이다.
판독/기입 피크 속도 데이터와 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득한 후, 본 실시예는 판독/기입 피크 속도 데이터와 순간 판독/기입 속도 데이터를 합산하여 메모리 판독/기입 데이터를 얻는다. 예를 들어, 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터가 S1이고, 시스템 미션에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터가 S2이고, 시스템 미션 수행 중의 순간 판독/기입 속도 데이터가 S3인 경우 메모리 판독/기입 데이터는 S=S1+S2+S3이다.
단계 S200, 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정한다.
구체적으로 실시할 때, 본 실시예는 메모리 판독/기입 데이터를 취득한 후 메모리 판독/기입 데이터를 분석하고 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정할 수 있다. 메모리의 동작 모드는 메모리가 어떤 주파수를 동작 주파수로하여 동작하는가를 나타낸다. 메모리의 동작 모드는 동일 주파수 동작 모드와 비동일 주파수 동작 모드를 포함한다. 동일 주파수 동작 모드는 메모리의 모든 메모리 입자가 동일한 주파수를 동작 주파수로 사용하는 것이다. 비동일 주파수 동작 모드는 메모리 입자가 각자에 대응하는 주파수를 동작 주파수로 사용하는 것이다. 본 실시예에서, 메모리의 동작 모드를 결정하는 것은 메모리의 최대 성능을 발휘하고 자원의 이용률을 향상시키기 위해 동작 모드에 따라 메모리의 동작 주파수를 조정하는 것이다. 메모리의 동작 모드에는 동일 주파수 동작 모드와 비동일 주파수 동작 모드가 포함된다.
일 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 단계 S200은 다음과 같은 단계를 포함한다.
단계 S201, 미리 설정된 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 취득하고, 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터는 메모리 중 상이한 모델의 메모리 입자의 동일한 주파수에서의 순간 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되고;
단계 S202, 메모리 판독/기입 데이터가 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 클 경우, 메모리의 동작 모드를 비동일 주파수 동작 모드로 설정하고;
단계 S203, 메모리 판독/기입 데이터가 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 작은 경우, 메모리의 동작 모드를 동일 주파수 동작 모드로 설정한다.
구체적으로 실시할 때, 본 실시예는 메모리 판독/기입 데이터를 결정한 후 메모리 판독/기입 데이터를 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터와 비교하여 비교 결과에 따라 메모리의 동작 모드를 결정한다. 일 실시예에서, 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터는 미리 설정되어 있으며, 언제든지 호출될 수 있다. 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터는 메모리 중 상이한 모델의 메모리 입자의 동일한 주파수에서의 순간 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용된다. 본 실시예에서 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터는 메모리가 동일 주파수 동작 모드를 메모리의 동작 모드로 해야 하는지 또는 비동일 주파수 동작 모드를 메모리의 동작 모드로 해야 하는지를 가늠하고 결정하는 데 사용된다. 구체적으로, 본 실시예는 CPU를 통해 모든 애플리케이션 또는 서비스 프로세스 등의 기동 및 퇴출을 미리 호출하고 메모리 컨트롤러를 제어하여 메모리의 대역폭 데이터를 판독하며, 메모리에 복수개의 메모리 입자가 있을 수 있으므로 메모리 컨트롤러를 제어하여 애플리케이션 또는 서비스 프로세스 등의 기동 및 퇴출 시 상이한 메모리 입자의 순간 판독/기입 속도를 취득한 다음 이러한 메모리 입자를 동일 주파수 동작 모드로 설정하여 동일 주파수 동작 모드에서의 메모리의 대역폭 피크 속도를 얻을 수 있으며, 즉, 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 얻을 수 있다. 메모리 판독/기입 데이터가 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 크면 스마트 단말기에서 수행 중인 애플리케이션 또는 서비스 프로세스가 메모리 자원에 대한 수요가 크다는 것을 의미하며, 동일 주파수 동작 모드를 채택하면, 즉, 단말기 시스템이 낮은 주파수의 메모리 입자에 대응하는 주파수로 메모리 판독/기입 동작을 수행하게 되면, 이는 최저 주파수보다 높은 많은 메모리 입자에 대해 말하면 최대 성능을 발휘할 수 없어 메모리 자원의 낭비를 야기한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 실시예는 메모리 판독/기입 데이터가 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 클 때 메모리의 동작 모드를 비동일 주파수 동작 모드로 설정하여 메모리의 메모리 입자가 상이한 동작 주파수로 동작하도록 하여 최대 성능을 발휘할 수 있다. 메모리 판독/기입 데이터가 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 작으면 스마트 단말기에서 수행 중인 애플리케이션 또는 서비스 프로세스가 메모리 자원에 대한 수요가 크지 않음을 나타내며 메모리의 동작 모드를 동일 주파수 동작 모드로 설정하고, 즉, 메모리의 모든 메모리 입자가 동일한 동작 주파수로 동작하도록 한다.
예를 들어, 메모리 판독/기입 데이터가 5532M/s이고 미리 설정된 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터가 4509M/s이면 메모리 판독/기입 데이터가 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 크다는 것을 의미하며 메모리의 동작 모드를 비동일 주파수 동작 모드로 설정한다. 메모리 판독/기입 데이터가 4032M/s이면 메모리 판독/기입 데이터가 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 작음을 나타내며 메모리의 동작 모드를 동일 주파수 동작 모드로 설정한다.
단계 S300, 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정한다.
본 실시예의 동작 모드는 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 결정되고 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템이 실제 수행과정에서 생성된 수행 정보에 기초하여 결정되기 때문에 본 실시예는 동작 모드에 따라 메모리의 동작 주파수를 조정하여 메모리의 동작 주파수를 수행 정보에 따라 조정할 수 있도록 하여 메모리의 동작 주파수를 동적으로 조정하는 효과를 실현하여 메모리의 최대 성능을 발휘하고 메모리의 이용효율을 향상시킨다.
일 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 단계 S300은 다음과 같은 단계를 포함한다.
단계 S301, 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드일 때, 메모리의 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수를 취득하고, 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수 중에서 최저 주파수를 결정하며, 최저 주파수를 메모리의 모든 메모리 입자의 동작 주파수로 하고;
단계 S302, 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드일 때, 메모리의 모든 메모리 입자를 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어한다.
구체적으로 실시할 때, 본 실시예의 동일 주파수 동작 모드는 단말기 시스템을 제어하여 주파수가 낮은 메모리 입자에 대응하는 주파수로 메모리 판독/기입 동작을 수행하는 것을 말한다. 비동일 주파수 동작 모드는 메모리의 모든 메모리 입자가 상이한 동작 주파수로 동작하는 것을 말한다. 따라서, 본 실시예에서 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드일 때, 메모리의 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수를 취득한다. 다음 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수에서 최저 주파수를 결정한 후 최저 주파수를 메모리의 모든 메모리 입자의 동작 주파수로 사용하여 메모리의 모든 메모리 입자의 동작 주파수가 동일하고 동작 주파수가 모든 메모리 입자 중 최저 주파수임을 보장한다. 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드일 때 메모리의 모든 메모리 입자를 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어하여 각 메모리 입자가 최대 성능을 발휘하고 메모리 자원을 충분히 사용할 수 있다.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 메모리에는 모델이DDR3-2133인 메모리 입자와 모델이 DDR4-2666인 메모리 입자가 있으며 모델이DDR3-2133인 메모리 입자에 대응하는 주파수는 모델이 DDR4-2666인 메모리 입자에 대응하는 주파수보다 낮다. 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드인 경우 이 두 모델의 메모리 입자를 DDR3-2133 모델의 메모리 입자에 대응하는 주파수를 동작 주파수로 하여 동작하도록 제어한다. 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드인 경우 모델이DDR3-2133인 메모리 입자와 모델이 DDR4-2666인 메모리 입자는 모두 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하여 동작하도록 제어된다.
요약하면, 본 실시예는 먼저 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정한다. 수행 정보는 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하기 때문에 수행 정보에 따라 단말기 시스템이 수행 중에 메모리에 대한 판독/기입 속도를 결정할 수 있고, 즉 메모리 판독/기입 데이터를 얻을 수 있다. 다음 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하고 마지막으로 메모리의 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정한다. 본 실시예의 동작 모드는 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 결정되고 메모리 판독/기입 데이터는 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 얻어지므로, 본 실시예의 동작 모드는 단말기 시스템의 실제 수행 과정에서 생성하는 수행 정보에 따라 결정됨을 알 수 있다. 이와 같이 동작 모드에 따라 메모리의 동작 주파수를 조정함으로써 메모리의 동작 주파수가 수행 정보에 따라 조정되도록 하여 메모리의 동작 주파수를 동적으로 조정하는 효과를 얻을 수 있어 메모리의 최대 성능을 발휘하고 메모리의 이용효율을 향상시킨다.
예시적인 설비:
도 6에 도시된 바와 같이, 본 출원의 실시예는 메모리의 동작 주파수 조정 장치를 제공하고, 상기 장치는 데이터 취득 유닛(10), 모드 결정 유닛(20), 주파수 조정 유닛(30)을 포함한다. 구체적으로, 데이터 취득 유닛(10)은 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 데 사용되고, 수행 정보는 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하는 데 사용되고, 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용된다. 모드 결정 유닛(20)은 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 데 사용된다. 주파수 조정 유닛(30)은 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정하는 데 사용된다.
상기 실시예에 기초하여, 본 출원은 도 7과 같은 원리 블록도를 제공할 수 있는 스마트 단말기를 더 제공한다. 상기 스마트 단말기는 시스템 버스를 통해 연결된 프로세서, 기억 장치, 네트워크 인터페이스, 디스플레이, 온도 센서를 포함한다. 여기서, 상기 스마트 단말기의 프로세서는 컴퓨팅 및 제어 기능을 제공하는 데 사용된다. 상기 스마트 단말기의 기억 장치는 비휘발성 저장 매체, 내부 메모리를 포함한다. 상기 비휘발성 저장 매체는 동작 시스템 및 컴퓨터 프로그램을 저장한다. 상기 내부 메모리는 비휘발성 저장 매체에서의 동작 시스템 및 컴퓨터 프로그램의 수행을 위한 환경을 제공한다. 상기 스마트 단말기의 네트워크 인터페이스는 외부의 단말기와 네트워크 연결을 통해 통신하는 데 사용된다. 상기 컴퓨터 프로그램이 프로세서에 의해 수행될 때 메모리의 동작 주파수 조정 방법을 구현한다. 상기 스마트 단말기의 디스플레이는 액정 디스플레이 또는 전자잉크 디스플레이일 수 있으며, 상기 스마트 단말기의 온도 센서는 내부 설비의 수행 온도를 감지하기 위해 스마트 단말기 내부에 미리 설치된다.
본 분야의 기술자가 이해할 수 있는 것은, 도 7에 표시된 원리 블록도는 본 출원의 방안과 관련된 일부 구조의 블록도일 뿐이며, 본 출원의 방안이 응용되는 스마트 단말기에 대한 제한이 아니며, 구체적인 스마트 단말기는 도면에 표시된 것보다 더 많거나 적은 부품을 포함하거나, 또는 특정 부품을 조합하거나 상이한 부품 설치를 가질 수 있다는 것이다.
일 실시예에서, 기억 장치 및 기억 장치에 저장된 하나 이상의 프로그램을 포함하고, 하나 이상의 프로세서에 의해 다음 동작을 수행하기 위한 명령을 포함하는 하나 이상의 프로그램을 수행하도록 구성되는 스마트 단말기가 제공된다.
스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하고, 수행 정보는 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하는 데 사용되고, 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되고;
메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하고;
동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정한다.
본 분야의 기술자는 상기 실시예의 방법을 구현하는 프로세스의 전부 또는 일부를 컴퓨터 프로그램을 통해 관련 하드웨어를 명령하여 완료할 수 있음을 이해할 수 있으며, 컴퓨터 프로그램은 비휘발성 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수 있으며 상기 컴퓨터 프로그램은 수행될 때 상기 각 방법의 실시예의 프로세스를 포함할 수 있다. 여기서, 본 출원이 제공하는 각 실시예에서 사용되는 기억 장치, 저장, 데이터베이스 또는 기타 매체에 대한 모든 인용에는 비휘발성 및/또는 휘발성 메모리가 포함될 수 있다. 비휘발성 메모리는 읽기 전용 메모리(ROM), 프로그래머블 ROM(PROM), 전기 프로그래머블 ROM(EPROM), 전기 소거 프로그래머블 ROM(EEPROM) 또는 플래시 메모리를 포함할 수 있다. 휘발성 메모리는 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 외부 캐시 메모리를 포함할 수 있다. 한정이 아니라 설명으로 RAM은 정적 RAM(SRAM), 동적 RAM(DRAM), 동기 DRAM(SDRAM), 이중 데이터 레이트 SDRAM(DDRSDRAM), 강화형 SDRAM(ESDRAM), 동기 링크(Synchlink) DRAM(SLDRAM), 메모리 버스(Rambus) 직접 RAM(RDRAM), 직접 메모리 버스 동적 RAM(DRDRAM) 및 메모리 버스 동적 RAM(RDRAM) 등 다양한 형식으로 제공된다.
요약하면, 본 출원은 메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체를 개시하고, 상기 방법은, 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계, 수행 정보는 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하는 데 사용되고, 메모리 판독/기입 데이터는 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되고; 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계; 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정하는 단계를 포함한다. 본 출원은 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독 데이터를 취득한 후 메모리 판독 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하고 마지막으로 동작 모드에 기초하여 메모리의 동작 주파수를 조정하여 메모리의 최대 성능을 발휘하고 메모리의 이용률을 향상시킨다.
이해해야 할 것은, 본 출원의 응용은 상기 예시에 한정되지 않으며, 본 분야의 기술자는 상기 설명에 따라 개선 또는 변환할 수 있으며 이러한 모든 개선 및 변환은 본 출원에 첨부된 청구항의 보호 범위에 속해야 한다.
Claims (20)
- 메모리의 동작 주파수 조정 방법에 있어서,
스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하고, 상기 수행 정보는 상기 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하는 데 사용되고, 상기 메모리 판독/기입 데이터는 상기 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계;
상기 동작 모드에 기초하여 상기 메모리의 동작 주파수를 조정하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제1항에 있어서, 상기 스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계는,
상기 스마트 단말기의 수행 정보를 취득하는 단계;
상기 수행 정보에 기초하여 상기 단말기 시스템이 수행 중인 시스템 미션을 취득하고, 상기 시스템 미션은 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능 중 하나 이상을 포함하는 단계;
상기 시스템 미션에 기초하여 상기 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도 데이터를 결정하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제2항에 있어서, 상기 상기 시스템 미션에 기초하여 상기 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도 데이터를 결정하는 단계는,
상기 시스템 미션에 기초하여 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득하고, 상기 판독/기입 피크 속도 데이터는 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 자체의 메모리에 대한 최고 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 단계;
상기 단말기 시스템이 상기 시스템 미션을 수행할 때 상기 시스템 미션의 상기 메모리에 대한 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득하는 단계;
상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터에 기초하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제3항에 있어서, 상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터에 기초하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계는,
상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터를 합산하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 얻는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제3항에 있어서, 상기 시스템 미션에 기초하여 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득하는 단계는,
미리 설정된 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 취득하고, 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블은 상기 애플리케이션에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터, 상기 서비스 프로세스에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터, 상기 시스템 기능에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 저장하는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블에 기초하여 상기 시스템 미션 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 각각 취득하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제5항에 있어서, 상기 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블에 기초하여 상기 시스템 미션 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 각각 취득하는 단계는,
상기 시스템 미션과 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 매칭하고 상기 단말기 시스템과 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 매칭하는 단계;
상기 시스템 미션에서의 상기 애플리케이션, 상기 서비스 프로세스 또는 상기 시스템 기능에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 단말기 시스템에 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 각각 취득하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제6항에 있어서, 상기 상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터에 기초하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 단계는,
상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터를 합산하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 얻는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제5항에 있어서, 상기 미리 설정된 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 취득하는 단계 전에,
상기 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 피크 속도, 단말기 시스템에서의 각 애플리케이션과 각 서비스 프로세스의 판독/기입 피크 속도 데이터 및 단말기 시스템의 시스템 기능이 기동될 때 메모리에 대한 판독/기입 피크 속도 데이터를 판독하는 단계;
상기 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 피크 속도, 단말기 시스템에서의 각 애플리케이션과 각 서비스 프로세스의 판독/기입 피크 속도 데이터 및 단말기 시스템의 시스템 기능이 기동될 때 메모리에 대한 판독/기입 피크 속도 데이터를 기록하여 상기 메모리 판독/기입 데이터 테이블을 형성하는 단계를 더 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제1항에 있어서, 상기 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계는,
미리 설정된 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 취득하고, 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터는 상기 메모리 중 상이한 모델의 메모리 입자의 동일한 주파수에서의 순간 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터와 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 비교하여 비교 결과에 기초하여 상기 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제9항에 있어서, 상기 메모리 판독/기입 데이터와 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 비교하여 비교 결과에 기초하여 상기 메모리의 동작 모드를 결정하는 단계는,
상기 메모리 판독/기입 데이터가 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 클 경우, 상기 메모리의 동작 모드를 비동일 주파수 동작 모드로 설정하는 단계;
상기 메모리 판독/기입 데이터가 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터보다 작은 경우, 상기 메모리의 동작 모드를 동일 주파수 동작 모드로 설정하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제10항에 있어서, 상기 동작 모드에 기초하여 상기 메모리의 동작 주파수를 조정하는 단계는,
상기 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수를 취득하고, 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수 중에서 최저 주파수를 결정하며, 상기 최저 주파수를 상기 메모리의 모든 메모리 입자의 동작 주파수로 하는 단계;
상기 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자를 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제11항에 있어서, 상기 메모리는 제1 모델 메모리 입자 및 제2 모델 메모리 입자를 포함하며, 제1 모델 메모리 입자에 대응하는 주파수는 제2 모델 메모리 입자보다 낮고;
상기 상기 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수를 취득하고, 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수 중에서 최저 주파수를 결정하며, 상기 최저 주파수를 상기 메모리의 모든 메모리 입자의 동작 주파수로 하는 단계는,
상기 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드일 때, 제1 모델 메모리 입자 및 제2 모델 메모리 입자를 제1 모델 메모리 입자에 대응하는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 제12항에 있어서, 상기 상기 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자를 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어하는 단계는,
상기 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드일 때, 제1 모델 메모리 입자 및 제2 모델 메모리 입자를 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어하는 단계를 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 방법. - 메모리의 동작 주파수 조정 장치에 있어서,
스마트 단말기의 수행 정보에 기초하여 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 데 사용되고, 상기 수행 정보는 상기 단말기 시스템이 수행 중에 생성하는 정보를 반영하는 데 사용되고, 상기 메모리 판독/기입 데이터는 상기 단말기 시스템의 메모리에 대한 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 데이터 취득 유닛;
상기 메모리 판독/기입 데이터에 기초하여 메모리의 동작 모드를 결정하는 데 사용되는 모드 결정 유닛;
상기 동작 모드에 기초하여 상기 메모리의 동작 주파수를 조정하는 데 사용되는 주파수 조정 유닛을 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 장치. - 제14항에 있어서, 상기 데이터 취득 유닛은,
상기 스마트 단말기의 수행 정보를 취득하는 데 사용되는 제1 취득 서브 유닛;
상기 수행 정보에 기초하여 상기 단말기 시스템이 수행 중인 시스템 미션을 취득하는 데 사용되고, 상기 시스템 미션은 애플리케이션, 서비스 프로세스 또는 시스템 기능 중 하나 이상을 포함하는 제2 취득 서브 유닛;
상기 시스템 미션에 기초하여 상기 단말기 시스템의 메모리 판독/기입 속도 데이터를 결정하는 데 사용되는 결정 서브 유닛을 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 장치. - 제15항에 있어서, 상기 결정 서브 유닛은,
상기 시스템 미션에 기초하여 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 대응하는 판독/기입 피크 속도 데이터를 취득하는 데 사용되고, 상기 판독/기입 피크 속도 데이터는 상기 시스템 미션과 상기 단말기 시스템이 기동될 때 자체의 메모리에 대한 최고 판독/기입 속도를 반영하는 데 사용되는 제1 취득 모듈;
상기 단말기 시스템이 상기 시스템 미션을 수행할 때 상기 시스템 미션의 상기 메모리에 대한 순간 판독/기입 속도 데이터를 취득하는 데 사용되는 제2 취득 모듈;
상기 판독/기입 피크 속도 데이터 및 상기 순간 판독/기입 속도 데이터에 기초하여 상기 메모리 판독/기입 데이터를 결정하는 데 사용되는 결정 모듈을 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 장치. - 제14항에 있어서, 상기 모드 결정 유닛은,
미리 설정된 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 취득하는 데 사용되는 취득 서브 유닛;
상기 메모리 판독/기입 데이터와 상기 동일 주파수 대역폭 피크 속도 데이터를 비교하여 비교 결과에 기초하여 상기 메모리의 동작 모드를 결정하는 데 사용되는 비교 서브 유닛을 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 장치. - 제17항에 있어서, 상기 메모리 동작 모드는 동일 주파수 동작 모드와 비동일 주파수 동작 모드를 포함하고, 상기 주파수 조정 유닛은,
상기 메모리의 동작 모드가 동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수를 취득하고, 모든 메모리 입자에 대응하는 주파수 중에서 최저 주파수를 결정하며, 상기 최저 주파수를 상기 메모리의 모든 메모리 입자의 동작 주파수로 하는 데 사용되는 취득 서브 유닛;
상기 메모리의 동작 모드가 비동일 주파수 동작 모드일 때, 상기 메모리의 모든 메모리 입자를 각자에 대응되는 주파수를 동작 주파수로 하도록 제어하는 데 사용되는 제어 서브 유닛을 포함하는,
메모리의 동작 주파수 조정 장치. - 스마트 단말기에 있어서,
기억 장치 및 기억 장치에 저장된 하나 이상의 프로그램을 포함하고; 하나 이상의 프로세서에 의해 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 방법을 포함하는 상기 하나 이상의 프로그램을 수행하도록 구성되는,
스마트 단말기. - 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 있어서,
상기 저장 매체의 명령이 전자설비의 프로세서에 의해 수행될 때, 전자설비가 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행할 수 있도록 하는,
비일시적 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010550270.5A CN113806062A (zh) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | 一种内存的工作频率调整方法、智能终端及存储介质 |
| PCT/CN2021/105348 WO2021254526A1 (zh) | 2020-06-16 | 2021-07-08 | 一种内存的工作频率调整方法、智能终端及存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230174749A true KR20230174749A (ko) | 2023-12-28 |
Family
ID=78892594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237001744A KR20230174749A (ko) | 2020-06-16 | 2021-07-08 | 메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230244529A1 (ko) |
| EP (1) | EP4167090A1 (ko) |
| JP (1) | JP2023529858A (ko) |
| KR (1) | KR20230174749A (ko) |
| CN (1) | CN113806062A (ko) |
| WO (1) | WO2021254526A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117573381B (zh) * | 2024-01-16 | 2024-03-29 | 苏州元脑智能科技有限公司 | 一种扩展内存调频的方法、系统、设备及存储介质 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102402454B (zh) * | 2010-09-10 | 2013-10-02 | 联想(北京)有限公司 | 一种调节内存运行频率的方法及电子设备 |
| JP2013229068A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置及びこれを備える情報処理システム |
| CN109343954B (zh) * | 2018-08-31 | 2022-10-25 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备工作方法及系统 |
| CN109471716A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-03-15 | 努比亚技术有限公司 | 一种应用线程处理方法、终端及计算机可读存储介质 |
-
2020
- 2020-06-16 CN CN202010550270.5A patent/CN113806062A/zh active Pending
-
2021
- 2021-07-08 US US18/002,214 patent/US20230244529A1/en active Pending
- 2021-07-08 EP EP21826396.0A patent/EP4167090A1/en active Pending
- 2021-07-08 JP JP2022574566A patent/JP2023529858A/ja active Pending
- 2021-07-08 WO PCT/CN2021/105348 patent/WO2021254526A1/zh unknown
- 2021-07-08 KR KR1020237001744A patent/KR20230174749A/ko active Search and Examination
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021254526A1 (zh) | 2021-12-23 |
| EP4167090A1 (en) | 2023-04-19 |
| CN113806062A (zh) | 2021-12-17 |
| US20230244529A1 (en) | 2023-08-03 |
| JP2023529858A (ja) | 2023-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9645829B2 (en) | Techniques to communicate with a controller for a non-volatile dual in-line memory module | |
| US9606920B2 (en) | Multi-CPU system and computing system having the same | |
| KR101311116B1 (ko) | 비-휘발성 메모리를 구비한 시스템에 대한 전력 예산의 동적 할당 | |
| US8380916B2 (en) | Control of page access in memory | |
| JP2019159802A (ja) | 記憶装置の電力制御方法および記憶装置 | |
| TW201339820A (zh) | 使用串列介面之適應性電壓比例調整 | |
| WO2022022403A1 (zh) | 数据处理设备快速搜频方法和装置以及数据处理设备 | |
| US20160342191A1 (en) | Cpu frequency scaling apparatus and method | |
| CN111522602B (zh) | 通信装置的启动方法 | |
| US9183057B2 (en) | Systems and methods for accessing memory | |
| JP2007507776A (ja) | コンピュータ装置におけるデフラグを用いたメモリ管理 | |
| KR20230174749A (ko) | 메모리의 동작 주파수 조정 방법, 스마트 단말기 및 저장 매체 | |
| CN112860516A (zh) | 一种日志保存方法、通信装置、芯片及模组设备 | |
| US10162636B2 (en) | Control apparatus, integrated circuit and management method for stack | |
| US20180004657A1 (en) | Data storage in a mobile device with embedded mass storage device | |
| CN101788847A (zh) | 系统内存性能调整方法与计算机系统 | |
| CN109375543B (zh) | Dvs电压管理装置、系统及方法、存储介质、计算机设备 | |
| KR20150106144A (ko) | 메모리 스왑 오퍼레이션 제어 방법 및 이를 적용하는 데이터 처리 시스템 | |
| CN104750425A (zh) | 一种存储系统及其非易失性存储器的控制方法 | |
| KR20150116627A (ko) | 컨트롤러 및 그것을 포함하는 데이터 저장 장치 | |
| CN111857584A (zh) | 一种写入速度控制方法、装置及电子设备和存储介质 | |
| US9658674B2 (en) | Mobile system optimization method | |
| KR100618965B1 (ko) | 휴대정보단말장치 | |
| US20150049571A1 (en) | Memory control device, control method of memory control device, information processing apparatus | |
| CN111177027A (zh) | 动态随机存取存储器、内存管理方法、系统及存储介质 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |