JP2023529858A

JP2023529858A - メモリの動作周波数調整方法、スマート端末及び記憶媒体

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Publication number: JP2023529858A
Application number: JP2022574566A
Authority: JP
Inventors: 兆文黄
Original assignee: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd
Priority date: 2020-06-16
Filing date: 2021-07-08
Publication date: 2023-07-12
Also published as: US20230244529A1; CN113806062A; EP4167090A4; WO2021254526A1; EP4167090A1; KR20230174749A

Abstract

本発明は、メモリの動作周波数調整方法、スマート端末及び記憶媒体を開示し、スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定するステップと、メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定するステップと、動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整するステップと、を含む。本発明は、端末システムのメモリ読み出しデータに基づいてメモリの動作モードを決定し、動作モードに基づいてメモリの動作周波数を調整することにより、メモリの利用率を向上させる。【選択図】図１

Description

本発明は、メモリ制御の技術分野に属し、特にメモリの動作周波数調整方法、スマート端末及び記憶媒体に関する。

現在の組み込み機器の発展に伴い、組み込みシステムの機器ハードウェアに対する要求がますます高まっている。現在チップの多くは、性能、コスト、消費電力の観点から、チップ内にメモリダイが集積されている。しかしながら、容量及び性能に対する要求のため、実際の使用の際に、異なる周波数のメモリダイの組み合わせを使用している。

従来技術では、端末システムの動作時に、周波数が低いメモリダイに対応する周波数でメモリの読み書きを行うため、周波数が高いメモリダイの性能が十分に発揮されず、メモリの利用効率が悪く、メモリリソースを浪費していた。従って、従来技術には、改良及び発展の余地がある。

本発明の実施例は、従来技術の上記欠陥に対して、従来技術においてメモリの利用効率が悪く、メモリリソースを浪費しているという問題を解決することを目的とするメモリの動作周波数調整方法、スマート端末及び記憶媒体を提供する。

第１態様において、本発明の実施例は、
スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定するステップであって、前記動作情報は前記端末システムの動作中に生成された情報を反映するためのものであり、前記メモリ読み書きデータは前記端末システムのメモリに対する読み書き速度を反映するためのものであるステップと、
前記メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定するステップと、
前記動作モードに基づいて、前記メモリの動作周波数を調整するステップと、を含むメモリの動作周波数調整方法を提供する。

一実施形態において、前記スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書き速度データを決定する前記ステップは、
前記スマート端末の動作情報を取得するステップと、
前記動作情報に基づいて、前記端末システムの動作中のシステムタスクを取得するステップであって、前記システムタスクはアプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能のいずれか１つ又は複数を含むステップと、
前記システムタスクに基づいて、前記端末システムのメモリ読み書き速度データを決定するステップと、を含む。

一実施形態において、前記システムタスクに基づいて、前記端末システムのメモリ読み書き速度データを決定する前記ステップは、
前記システムタスクに基づいて、前記システムタスクの前記端末システムの起動時に対応する読み書きピーク速度データを取得するステップであって、前記読み書きピーク速度データは、前記システムタスクの前記端末システムの起動時に自体のメモリに対する最も高い読み書き速度を反映するためのものであるステップと、
前記端末システムが前記システムタスクを実行するときに、前記システムタスクの前記メモリに対する瞬時読み書き速度データを取得するステップと、
前記読み書きピーク速度データ及び前記瞬時読み書き速度データに基づいて、前記メモリ読み書きデータを決定するステップと、を含む。

一実施形態において、前記システムタスクに基づいて、前記システムタスクの前記端末システムの起動時に対応する読み書きピーク速度データを取得する前記ステップは、
前記アプリケーションに対応する読み書きピーク速度データ、前記サービスプロセスに対応する読み書きピーク速度データ、前記システム機能に対応する読み書きピーク速度データ、及び前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データを格納する予め設定されたメモリ読み書きデータテーブルを取得するステップと、
前記メモリ読み書きデータテーブルに基づいて、前記システムタスク及び前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データをそれぞれ取得するステップと、を含む。

一実施形態において、前記メモリ読み書きデータテーブルに基づいて、前記システムタスク及び前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データをそれぞれ取得する前記ステップは、
前記システムタスクと前記メモリ読み書きデータテーブルとをマッチングし、前記端末システムと前記メモリ読み書きデータテーブルとをマッチングするステップと、
前記システムタスクにおける前記アプリケーション、前記サービスプロセス又は前記システム機能に対応する読み書きピーク速度データと、前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データとをそれぞれ取得するステップと、を含む。

一実施形態において、前記読み書きピーク速度データ及び前記瞬時読み書き速度データに基づいて、前記メモリ読み書きデータを決定する前記ステップは、
前記読み書きピーク速度データと前記瞬時読み書き速度データとを加算して前記メモリ読み書きデータを得ることを含む。

一実施形態において、前記メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定する前記ステップは、
前記メモリにおける異なる型番のメモリダイが同じ周波数での瞬時読み書き速度を反映するための、予め設定された同一周波数帯域ピーク速度データを取得するステップと、
前記メモリ読み書きデータが前記同一周波数帯域ピーク速度データよりも大きい場合には、前記メモリの動作モードを異周波数動作モードにするステップと、
前記メモリ読み書きデータが前記同一周波数帯域ピーク速度データよりも小さい場合には、前記メモリの動作モードを同一周波数動作モードにするステップと、を含む。

一実施形態において、前記動作モードに基づいて、前記メモリの動作周波数を調整する前記ステップは、
前記メモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイに対応する周波数を取得し、全てのメモリダイに対応する周波数から最も低い周波数を決定するとともに、前記最も低い周波数を前記メモリの全てのメモリダイの動作周波数とするステップと、
前記メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイがそれぞれに対応する周波数を動作周波数として制御するステップと、を含む。

第２態様において、本発明の実施例は、メモリと、１つ以上のプログラムと、を含み、１つ以上のプログラムは、メモリに格納されて、１つ以上のプロセッサにより前記１つ以上のプログラムを実行するように構成されて、上記のいずれか一項に記載のメモリの動作周波数調整方法を実行することを含むスマート端末を提供する。

第３態様において、本発明の実施例は、前記記憶媒体における命令が電子機器のプロセッサにより実行される場合に、電子機器が上記のいずれか一項に記載のメモリの動作周波数調整方法を実行することができる、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体を提供する。

本実施例は、まずスマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定する。前記動作情報は前記端末システムの動作中に生成された情報を反映するため、前記動作情報に基づいて、前記端末システムの動作中にメモリに対する読み書き速度を決定することができ、即ち前記メモリ読み書きデータを得る。その後、前記メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定し、最後に前記メモリの動作モードに基づいて、前記メモリの動作周波数を調整する。本実施例における動作モードが前記メモリの読み書きデータに基づいて決定されたものであるが、前記メモリの読み書きデータがスマート端末の動作情報に基づいて得られたものであり、これにより、本実施例における動作モードは前記端末システムが実際の動作中に生成された動作情報に基づいて決定されるものである。このように前記動作モードに基づいてメモリの動作周波数を調整することにより、メモリの動作周波数を動作情報に基づいて調整することができ、前記メモリの動作周波数を動的に調整する効果を奏し、前記メモリの最大性能を発揮し、前記メモリの利用効率を向上させることができる。

以下、図面を参照して、本発明の具体的な実施形態について詳細に説明することにより、本発明の技術的手段及びその有益な効果を明らかにする。
図１は本発明の実施例に係るメモリの動作周波数調整方法のフローチャートである。図２は本発明の実施例に係るメモリの動作周波数調整方法においてメモリ読み書きデータを取得するフローチャートである。図３は本発明の実施例に係るメモリの動作周波数調整方法において動作モードを決定するフローチャートである。図４は本発明の実施例に係るメモリの動作周波数調整方法においてメモリの動作周波数を調整するフローチャートである。図５は本発明の実施例に係るメモリの動作周波数調整装置の原理図である。図６は本発明の実施例に係るメモリの動作周波数調整装置における具体的な応用実施例中の各モジュール間の原理図である。図７は本発明の実施例に係るスマート端末の内部構成を示すブロック図である。

本発明の目的、技術的手段及び利点をより明瞭、明確にするために、以下、図面を参照して実施例により、本発明を詳細に説明する。ここで記載する具体的な実施例は本発明を説明するためのものであり、本発明を限定するためのものではないことを理解されたい。

なお、本発明の実施例において、方向性指示（例えば上、下、左、右、前、後……）を用いる場合は、ある特定の姿勢（図に示すような）での各構成要素間の相対的な位置関係、移動状況などを説明するためのものに過ぎず、該特定の姿勢が変化すると、該方向性指示もそれに応じて変化する。

研究者らの発見から分かるように、現在の組み込み機器の発展に伴い、組み込みシステムの機器ハードウェアに対する要求がますます高まっている。現在チップの多くは、性能、コスト、消費電力の観点から、チップ内にメモリダイが集積されている。しかしながら、容量及び性能に対する要求のため、実際の使用の際に、異なる周波数のメモリダイの組み合わせを使用している。例えば、型番がＤＤＲ３のメモリダイの最大容量は５１２Ｍであるが、実際の使用中に、外付けの型番がＤＤＲ４のメモリダイ又は他の型番のメモリダイを選択する可能性があり、内蔵の型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイと外付けの型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイとの組み合わせであってもよく、これにより、異なる周波数のメモリダイの組み合わせが存在する。従来技術では、端末システムの動作時に、周波数が低いメモリダイに対応する周波数でメモリの読み書きを行うため、周波数が高いメモリダイの性能が十分に発揮されず、メモリの利用効率が悪く、メモリリソースを浪費していた。例えば、型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイと外付けの型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイとの組み合わせが存在する場合に、端末システムは、型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイに対応する周波数で全てのメモリダイに対して読み書きを行うため、型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイが最大限の性能を発揮することができず、リソースの無駄となる。

従来技術における問題を解決するために、本実施例はメモリの動作周波数調整方法を提供し、本実施例におけるメモリの動作周波数調整方法により、メモリの最大性能を発揮し、メモリの利用効率を向上させる。具体的には、本実施例は、まずスマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定する。動作情報は端末システムの動作中に生成された情報を反映するため、動作情報に基づいて、端末システムの動作中にメモリに対する読み書き速度を決定することができ、即ちメモリ読み書きデータを得る。その後、メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定し、最後にメモリの動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整する。本実施例における動作モードがメモリの読み書きデータに基づいて決定されたものであるが、メモリの読み書きデータがスマート端末の動作情報に基づいて得られたものであり、これにより、本実施例における動作モードは端末システムが実際の動作中に生成された動作情報に基づいて決定されるものである。このように動作モードに基づいてメモリの動作周波数を調整することにより、メモリの動作周波数を動作情報に基づいて調整することができ、メモリの動作周波数を動的に調整する効果を奏する。従来技術における端末システムが周波数の低いメモリダイに対応する周波数でメモリ読み書きを行うことに比べて、本実施例は、メモリの最大性能を発揮し、メモリの利用効率を向上させることができる。

例えば、スマート端末が動作中にスマート端末の動作情報を取得し、その後動作情報に基づいて、端末システムのメモリに対する読み書き速度を取得し、即ち端末システムのメモリ読み書きデータを得る。その後、メモリ読み書きデータに基づいて、例えば、同期周波数動作モード又は非同期周波数動作モードなどのメモリの動作モードを決定する。最後に動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整する。例えば、メモリは型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイと外付けの型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイとの組み合わせである場合に、本実施例では動作情報に基づいてメモリ読み書きデータを得ることができ、その後動作モードを決定し、動作モードに基づいて型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイと外付けの型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイとの動作周波数を調整することにより、型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイと外付けの型番がＤＤＲ４ー２６６６のメモリダイとの最大性能を発揮し、リソースの利用率を向上させる。

例示的な方法：

本実施例において、スマート端末に適用するメモリの動作周波数調整方法を提供し、図１に示すように、方法は、ステップＳ１００～ステップＳ３００を含む。

ステップＳ１００：スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定するステップであって、動作情報は端末システムの動作中に生成された情報を反映するためのものであり、メモリ読み書きデータは端末システムのメモリに対する読み書き速度を反映するためのものである。

具体的に実施する場合に、スマート端末は動作中に動作情報を生成するので、この動作情報はスマート端末の動作中及びシステムタスクを実行する際に生成された情報を反映することができ、これらの動作情報はスマート端末が動作中に占めるメモリ格納データであってもよい。又はスマート端末があるアプリケーションを動作する際に、そのアプリケーションの名称情報、そのアプリケーションのメモリに対する読み書きデータ、そのアプリケーションの動作ログデータなどである。従って、動作情報に基づいて、スマート端末によって現在実行されているシステムタスクが何であるかを判定することができる。例えば、動作情報を解析すると、ウィーチャットのチャットログデータが増加し続けることを得るため、これらのチャットログデータにより、スマート端末で現在実行中のシステムタスクがウィーチャットを動作していると判定することができる。スマート端末がシステムタスクを実行するときに、メモリに対する読み書きを行うため、本実施例では、端末システムがシステムタスクを実行する際のメモリ読み書きデータを取得することができ、該メモリ読み書きデータは端末システムのメモリに対して読み書きを行うときのデータであるため、メモリ読み書きデータは端末システムがメモリに対する読み書き速度を反映することができる。例えば、スマート端末があるアプリケーションを起動すると、そのアプリケーションの起動に関する動作情報を生成し、その動作情報には、アプリケーションの起動時及び後続のアプリケーションの動作時における端末システムのメモリ読み書きデータが含まれるので、その動作情報に基づいてメモリ読み書きデータを得ることができる。

一実施形態において、図２に示すように、本実施例は、メモリ読み書きデータを取得するときに、ステップＳ１０１～ステップＳ１０３を含む。

ステップＳ１０１：スマート端末の動作情報を取得する。

ステップＳ１０２：動作情報に基づいて、端末システムの動作中のシステムタスクを取得するステップであって、システムタスクはアプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能のいずれか１つ又は複数を含む。

ステップＳ１０３：システムタスクに基づいて、端末システムのメモリ読み書き速度データを決定する。

具体的に実施する場合に、端末システムのメモリ読み書きデータはスマート端末の動作情報に関連付けられるため、本実施例では、まずスマート端末の動作情報を取得する必要があり、その後、動作情報に基づいてスマート端末の実行中のシステムタスクを取得し、スマート端末がシステムタスクを実行する際にメモリに対して読み書きを行うため、本実施例ではシステムタスクに基づいて端末システムのメモリ読み書き速度データを取得することができる。一実施形態では、システムタスクは、アプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能のいずれか１つ又は複数を含み、即ち、スマート端末が現在実行しているシステムタスクが、１つだけではなく、複数であってもよい。例えば、スマート端末（例えば携帯電話）は、ウィーチャット及び網易雲音楽を実行しており、即ちユーザが網易雲音楽を用いて歌を聴きながら、ウィーチャットを用いて友人とチャットを行う。また、スマート端末はさらに、スマート端末の位置情報をリアルタイムで取得するＧＰＳ測位サービスをバックグラウンドで実行している。これから分かるように、スマート端末が実行しているシステムタスクは少なくともウィーチャットアプリケーション、網易雲音楽及びＧＰＳ測位サービスを含む。スマート端末がこれらのシステムタスクを実行するときに、データを格納するように、端末システムはメモリに対して読み書きを行う必要がある。

端末システムのメモリ読み書きデータは、複数次元のデータを含むため、後続ステップでメモリ読み書きデータに基づいてメモリの動作モードをより正確に決定するために、本実施例ではメモリ読み書きデータを正確に取得する必要がある。具体的には、端末システムは実行中に自体のメモリに対して読み書きを行うことがあり、システムタスクは起動後に自体のメモリに対して読み書きを行うことがある。例えば、データを保存するように、ウィーチャット自体が実行時にメモリに対して読み書きを行う。また、端末システムがシステムタスクを実行するときに、システムタスクはメモリに対して読み書きを行うことがあり、例えばウィーチャットは実行中にカメラ機能を起動し、カメラ機能がメモリに対して読み書きを行うことがある。これから分かるように、本実施例におけるメモリ読み書きデータは、端末システムの起動時に自体がメモリに対して読み書きを行うデータと、システムタスクの起動時に自体がメモリに対して読み書きを行うデータと、端末システムがシステムタスクを実行する際にシステムタスクがメモリに対して読み書きを行うデータとを含む。

一実施形態において、本実施例は、メモリの動作周波数を調整することによってメモリのリソース利用率を向上させるためのものであるが、メモリの動作周波数については、メモリに対する読み書き速度に基づいて測定されるのが一般的である。一般的に、メモリに対する読み書き速度が速いほど、対応する必要な動作周波数が高くなる。したがって、より正確に動作周波数を調整するために、本実施例では、メモリ読み出しデータを取得する際に、取得したのはメモリに対する読み出し速度である。具体的には、本実施例は、システムタスクを決定した後、まず、システムタスクに基づいて、システムタスクと端末システムとの起動時に、自体に対応する読み書きピーク速度データを取得する。その後、端末システムがシステムタスクを実行するときに、システムタスクのメモリに対する瞬時読み書き速度データを取得する。最後に、読み書きピーク速度データ及び瞬時読み書き速度データに基づいて、メモリ読み書きデータを決定する。つまり、メモリ読み書きデータには、端末システムの起動時の読み書きピーク速度データ、システムタスクの起動時の読み書きピーク速度データ、及びシステムタスクの実行時の瞬時読み書き速度データが含まれる。

具体的に適用する場合に、本実施例では、システムタスクと端末システムとの起動時に、対応する読み書きピーク速度データを取得する際に、主に予め設定されたメモリ読み書きデータテーブルを取得する。メモリ読み書きデータテーブルは、システムタスク及び端末システムのメモリに対する読み書きデータに基づいて予め作成されるものである。したがって、メモリデータテーブルには、システムタスクに対応する読み書きピーク速度データ及び端末システムに対応する読み書きピーク速度データが格納されており、即ち、メモリデータテーブルに基づいて、システムタスク毎のメモリに対する最も高い読み書きデータ及び端末システムのメモリに対する最も高い読み書きデータを求めて決定することができる。システムタスクは、アプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能のいずれか１つ又は複数を含むため、したがって、メモリ読み書きデータテーブルには、アプリケーションに対応する読み書きピーク速度データ、サービスプロセスに対応する読み書きピーク速度データ、システム機能に対応する読み書きピーク速度データ、及び端末システムに対応する読み書きピーク速度データが格納され、このメモリ読み書きデータテーブルに基づいて、システムタスクの端末システムに対応する読み書きピーク速度データを急速に決定することができる。一実施形態において、メモリ読み書きデータテーブルは予め設定されたものであり、随時呼び出すことができる。メモリ読み書きデータテーブルを設定する際に、図６に示すように、本実施例ではＣＰＵによりメモリ制御モジュールにおけるメモリコントローラを制御することにより、端末システムのメモリに対する読み書きのピーク速度（即ち得られた端末システムに対応する読み書きピーク速度データ）と、各アプリケーション、サービスプロセス及びシステム機構の起動時のメモリに対する最も高い読み書き速度（即ち得られたシステムに対応する読み書きピーク速度データ）とを読み出すとともに、記録してメモリ読み書きデータテーブルを形成し、具体的には、下記の表１に示した通りであり、表１にはシステムタスク（即ちアプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能のいずれか１つ又は複数）と、端末システムに対応する読み書きピーク速度データとが含まれる。

したがって、スマート端末が実行中のシステムタスクを取得すると、システムタスクとメモリ読み書きデータテーブルとをマッチングし、端末システムとメモリ読み書きデータテーブルとをマッチングすることができる。本実施例は、データ処理モジュールによりシステムタスクに基づいてメモリ読み出しデータテーブル（即ち上記の表１）を問い合わせしてシステムタスク（即ちアプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能）に対応する読み書きピーク速度データを決定し、さらにメモリ読み出しデータテーブル（即ち上記の表１）から端末システムの起動時に自体に対応する読み書きピーク速度データを取得する。例えば、スマート端末において実行しているシステムタスクがウィーチャットアプリケーション、網易雲音楽、ＧＰＳ測位サービスである場合に、上記の表１に基づいて、ウィーチャットアプリケーションに対応する読み書きピーク速度データが１２ＭＢ／ｓであり、網易雲音楽に対応する読み書きピーク速度データが５ＭＢ／ｓであり、ＧＰＳ測位サービスに対応する読み書きピーク速度データが４２ＭＢ／ｓであり、さらに端末システムに対応する読み書きピーク速度データが４５２０ＭＢ／ｓであることを取得することができる。

端末システム及びシステムタスクに対応する読み書きピーク速度データを取得した後、本実施例では、端末システムがシステムタスクを実行するときに、システムタスクのメモリに対する瞬時読み書き速度データをさらに取得する。具体的には、図６に示すように、本実施例におけるＣＰＵは、メモリ制御モジュールのメモリコントローラによってシステムタスクの動作中に生成される瞬時読み書き速度データを読み出すことができるが、システムタスクの動作中のメモリに対する瞬時読み書き速度は、帯域の速度によって異なる可能性があるため、本実施例では、瞬時読み書き速度データをリアルタイムな収集方式により取得する。例えば、ウィーチャットがカメラ機能を起動すると、そのカメラ機能はメモリに対して読み書きを行うことがあり、このときにメモリに対する瞬時読み書き速度データを取得することができ、この瞬時読み書き速度データはシステムタスクの動作中のメモリに対する瞬時読み書き速度である。

読み書きピーク速度データ及び瞬時読み書き速度データを取得した後、本実施例では読み書きピーク速度データと瞬時読み書き速度データとを加算して、メモリ読み書きデータを得る。例えば、端末システムに対応する読み書きピーク速度データをＳ１、システムタスクに対応する読み書きピーク速度データをＳ２、システムタスクの動作中の瞬時読み書き速度データをＳ３とすると、メモリ読み書きデータをＳ＝Ｓ１＋Ｓ２＋Ｓ３とする。

ステップＳ２００：メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定する。

具体的に実施する場合に、本実施例ではメモリ読み書きデータを取得した後、メモリ読み書きデータを解析することができ、メモリ読み書きデータに基づいてメモリの動作モードを決定する。メモリの動作モードは、メモリがどのような周波数を動作周波数として動作しているかを表す。メモリの動作モードは、同一周波数動作モード及び異周波数動作モードを含む。同一周波数動作モードとは、メモリ中の全てのメモリダイが同じ周波数を動作周波数とするモードである。異周波数動作モードとは、メモリダイがそれぞれに対応する周波数を動作周波数とするモードである。本実施例では、メモリの動作モードを決定するのは、動作モードに基づいてメモリの動作周波数を調整し、メモリの最大性能を発揮させ、リソースの利用率を向上させるためである。メモリの動作モードについては、同一周波数動作モード及び異周波数動作モードを含む。

一実施形態において、図３に示すように、本実施例では、ステップＳ２００はステップ２０１～ステップＳ２０３を含む。

ステップＳ２０１：メモリにおける異なる型番のメモリダイが同じ周波数での瞬時読み書き速度を反映するための、予め設定された同一周波数帯域ピーク速度データを取得する。

ステップＳ２０２：メモリ読み書きデータが同一周波数帯域ピーク速度データよりも大きい場合には、メモリの動作モードを異周波数動作モードにする。

ステップＳ２０３：メモリ読み書きデータが同一周波数帯域ピーク速度データよりも小さい場合には、メモリの動作モードを同一周波数動作モードにする。

具体的に実施する場合に、本実施例ではメモリ読み書きデータを決定した後、メモリ読み書きデータと同一周波数帯域ピーク速度データとを比較することにより、比較結果に基づいてメモリの動作モードを決定する。一実施形態において、同一周波数帯域ピーク速度データは予め設定されたものであり、随時呼び出すことができる。同一周波数帯域ピーク速度データは、メモリにおける異なる型番のメモリダイが同じ周波数での瞬時読み書き速度を反映するためのものである。本実施例における同一周波数帯域ピーク速度データは、同一周波数動作モードをメモリの動作モードとするか、異周波数動作モードをメモリの動作モードとするかを判断し決定するためのデータである。具体的には、本実施例は、ＣＰＵにより全てのアプリケーションやサービスプロセス等の起動・終了を予めスケジューリングしておくとともに、メモリコントローラを制御することによりメモリの帯域データを読み出し、メモリに複数のメモリダイが存在する可能性があるため、メモリコントローラを制御してアプリケーションやサービスプロセス等の起動・終了時に異なるメモリダイの読み書き瞬時速度を取得し、その後これらのメモリダイを同一周波数動作モードにすることにより、同一周波数動作モードでのメモリの帯域ピーク速度を取得し、即ち同一周波数帯域ピーク速度データを得ることができる。メモリ読み書きデータが同一周波数帯域ピーク速度データよりも大きい場合に、そのときスマート端末で動作しているアプリケーションやサービスプロセスのメモリリソースに対する需要が大きいことを示すが、同一周波数動作モードを採用すると、端末システムが周波数の低いメモリダイに対応する周波数でメモリの読み書きを行い、最も低い周波数よりも高いメモリダイの多くは最大性能を発揮できず、メモリリソースの無駄となる。この問題を解決するために、本実施例では、メモリ読み書きデータが同一周波数帯域ピーク速度データよりも大きい場合に、メモリの動作モードを異周波数動作モードにすることにより、メモリのメモリダイを異なる動作周波数で動作させて最大の性能を発揮させることができる。メモリ読み書きデータが同一周波数帯域ピーク速度データより小さい場合に、そのときスマート端末で動作しているアプリケーションやサービスプロセスのメモリリソースに対する需要が大きくないことを示し、メモリの動作モードを同一周波数動作モードにする、即ちメモリの全てのメモリダイを同じ動作周波数で動作させる。

例えば、メモリ読み書きデータが５５３２Ｍ／ｓであり、予め設定された同一周波数帯域ピーク速度データが４５０９Ｍ／ｓである場合に、メモリ読み書きデータが同一周波数帯域ピーク速度データより大きいことを示し、メモリの動作モードを異周波数動作モードにする。メモリ読み書きデータが４０３２Ｍ／ｓである場合に、メモリ読み書きデータが同一周波数帯域ピーク速度データより小さいことを示し、メモリの動作モードを同一周波数動作モードにする。

ステップＳ３００、動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整する。

本実施例における動作モードがメモリの読み書きデータに基づいて決定されたものであるが、メモリの読み書きデータは、端末システムが実際の動作中に生成された動作情報に基づいて決定されるものである。したがって、本実施例は、動作モードに基づいてメモリの動作周波数を調整することにより、メモリの動作周波数を動作情報に基づいて調整することができ、メモリの動作周波数を動的に調整する効果を奏し、メモリの最大性能を発揮し、メモリの利用効率を向上させることができる。

一実施形態において、図４に示すように、ステップＳ３００はステップ３０１～ステップＳ３０２を含む。

ステップＳ３０１：メモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、メモリの全てのメモリダイに対応する周波数を取得し、全てのメモリダイに対応する周波数から最も低い周波数を決定するとともに、最も低い周波数をメモリの全てのメモリダイの動作周波数とする。

ステップＳ３０２：メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、メモリの全てのメモリダイがそれぞれに対応する周波数を動作周波数とする。

具体的に実施する場合に、本実施例における同一周波数動作モードは、端末システムが周波数の低い方のメモリダイに対応する周波数でメモリの読み書きを行うことを制御する。異周波数動作モードはメモリ中の全てのメモリダイが異なる動作周波数で動作するモードである。したがって、本実施例におけるメモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、メモリの全てのメモリダイに対応する周波数を取得する。全てのメモリダイに対応する周波数から最も低い周波数を決定するとともに、最も低い周波数をメモリの全てのメモリダイの動作周波数とすることにより、メモリの全てのメモリダイの動作周波数が同一であり、且つ動作周波数が全てのメモリダイの最も低い周波数であることを確保する。メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、メモリの全てのメモリダイがそれぞれに対応する周波数を動作周波数とすることにより、メモリダイ毎に最大性能を発揮させ、メモリリソースを十分に使用することができる。

例えば、図６に示すように、本実施例のメモリには、型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイと型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイとが存在し、型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイに対応する周波数は、型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイに対応する周波数よりも低い。メモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、両種類の型番のメモリダイを、型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイに対応する周波数を動作周波数として動作させる。メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、型番がＤＤＲ３－２１３３のメモリダイ及び型番がＤＤＲ４－２６６６のメモリダイを、それぞれに対応する周波数を動作周波数として動作させる。

以上のようにして、本実施例は、まずスマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定する。動作情報は端末システムが動作中に生成された情報を反映するため、動作情報に基づいて、端末システムの動作中にメモリに対する読み書き速度を決定することができ、即ちメモリ読み書きデータを得る。その後、メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定し、最後にメモリの動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整する。本実施例における動作モードがメモリの読み書きデータに基づいて決定されたものであるが、メモリの読み書きデータがスマート端末の動作情報に基づいて得られたものであり、これにより、本実施例における動作モードは端末システムが実際の動作中に生成された動作情報に基づいて決定されるものである。したがって、動作モードに基づいてメモリの動作周波数を調整することにより、メモリの動作周波数を動作情報に基づいて調整することができ、メモリの動作周波数を動的に調整する効果を奏し、メモリの最大性能を発揮し、メモリの利用効率を向上させることができる。

例示的な装置：

図６に示すように、本発明の実施例は、データ取得ユニット１０、モード決定ユニット２０、周波数調整ユニット３０を含むメモリの動作周波数調整装置を提供する。具体的には、データ取得ユニット１０は、スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定するためのデータ取得ユニット１０であって、動作情報は端末システムの動作中に生成された情報を反映するためのものであり、メモリ読み書きデータは端末システムのメモリに対する読み書き速度を反映するためのものである。モード決定ユニット２０は、メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定するためのものである。周波数調整ユニット３０は、動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整するためのものである。

上記の実施例に基づいて、本発明は、ブロック図が図７に示す通りであるスマート端末をさらに提供する。該スマート端末は、システムバスによって接続されたプロセッサ、メモリ、ネットワークインタフェース、ディスプレイ、温度センサを含む。該スマート端末のプロセッサは、計算及び制御能力を提供するためのものである。該スマート端末のメモリは、不揮発性記憶媒体、内部メモリを含む。該不揮発性記憶媒体にオペレーティングシステム及びコンピュータプログラムが記憶されている。該内部メモリは不揮発性記憶媒体におけるオペレーティングシステム及びコンピュータプログラムの実行に環境を提供する。該スマート端末のネットワークインタフェースは外部の端末とネットワークを介して接続通信するためのものである。該コンピュータプログラムがプロセッサにより実行される場合に、メモリの動作周波数調整方法を実現する。該スマート端末のディスプレイは、液晶ディスプレイ又は電子ペーパーディスプレイであってもよく、該スマート端末の温度センサは、内部機器の動作温度を検出するために予めスマート端末の内部に設けられている。

当業者であれば、図７に示すブロック図は、本発明の技術的手段に関連する構造の一部のブロック図に過ぎず、本発明の技術的手段が適用されるスマート端末を限定するものではなく、具体的なスマート端末は、図示した構造よりも多い又は少ない構成要素を含んでいてもよいし、一部の構成要素を組み合わせていてもよいし、異なる構成要素を有していてもよいことを理解されたい。

一実施例において、メモリと、１つ以上のプログラムと、を含み、１つ以上のプログラムは、メモリに格納されて、１つ以上のプロセッサにより１つ以上のプログラムを実行するように構成されて、以下の動作を行うための命令を含むスマート端末を提供する。

スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定し、動作情報は端末システムの動作中に生成された情報を反映するためのものであり、メモリ読み書きデータは端末システムのメモリに対する読み書き速度を反映するためのものである。

メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定する。

動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整する。

当業者であれば、上記の実施例を実現する方法におけるフローの全て又は一部が、コンピュータプログラムによって関連するハードウェアを命令して完成することができ、コンピュータプログラムが不揮発性のコンピュータ読取可能な記録媒体に記憶されてもよく、該コンピュータプログラムが実行時に、上記の各方法の実施例のフローを含むことができる。本発明に係る各実施例において使用されるメモリ、ストレージ、データベース又は他の媒体への任意の参照は、不揮発性及び／又は揮発性メモリを含むことができる。不揮発性メモリは、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、電気的プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）又はフラッシュメモリを含むことができる。揮発性メモリは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は外部キャッシュメモリを含むことができる。限定するものではなくて説明するためのものとして、ＲＡＭは、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、ダブルデータレートＳＤＲＡＭ（ＤＤＲＳＤＲＡＭ）、エンハンストＳＤＲＡＭ（ＥＳＤＲＡＭ）、シンクロナスリンク（Ｓｙｎｃｈｌｉｎｋ）ＤＲＡＭ（ＳＬＤＲＡＭ）、ラムバス（Ｒａｍｂｕｓ）ダイレクトＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）、ダイレクトラムバスダイナミックＲＡＭ（ＤＲＤＲＡＭ）、及びラムバスダイナミックＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）など、様々な形式で入手可能である。

以上のようにして、本発明は、メモリの動作周波数調整方法、スマート端末及び記憶媒体を開示し、方法は、スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定するステップであって、動作情報は端末システムの動作中に生成された情報を反映するためのものであり、メモリ読み書きデータは端末システムのメモリに対する読み書き速度を反映するためのものであるステップと、メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定するステップと、動作モードに基づいて、メモリの動作周波数を調整するステップと、を含む。本発明は、スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み出しデータを取得し、その後、メモリ読み出しデータに基づいてメモリの動作モードを決定し、最後に、動作モードに基づいてメモリの動作周波数を調整することにより、メモリの最大性能を発揮し、メモリの利用率を向上させる。

なお、本発明の適用例は、上記の例に限定されるものではなく、当業者であれば、上記の説明に基づいて修正又は変更を加えることができ、これらの修正及び変更の全ては、本発明の添付の特許請求の範囲の保護範囲に属すべきことを理解されたい。

Claims

スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定するステップであって、前記動作情報は前記端末システムの動作中に生成された情報を反映するためのものであり、前記メモリ読み書きデータは前記端末システムのメモリに対する読み書き速度を反映するためのものであるステップと、
前記メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定するステップと、
前記動作モードに基づいて、前記メモリの動作周波数を調整するステップと、を含むメモリの動作周波数調整方法。
前記スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書き速度データを決定する前記ステップは、
前記スマート端末の動作情報を取得するステップと、
前記動作情報に基づいて、前記端末システムの動作中のシステムタスクを取得するステップであって、前記システムタスクはアプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能のいずれか１つ又は複数を含むステップと、
前記システムタスクに基づいて、前記端末システムのメモリ読み書き速度データを決定するステップと、を含む請求項１に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記システムタスクに基づいて、前記端末システムのメモリ読み書き速度データを決定する前記ステップは、
前記システムタスクに基づいて、前記システムタスクと前記端末システムとの起動時に対応する読み書きピーク速度データを取得するステップであって、前記読み書きピーク速度データは、前記システムタスクと前記端末システムとの起動時に自体のメモリに対する最も高い読み書き速度を反映するためのものであるステップと、
前記端末システムが前記システムタスクを実行するときに、前記システムタスクの前記メモリに対する瞬時読み書き速度データを取得するステップと、
前記読み書きピーク速度データ及び前記瞬時読み書き速度データに基づいて、前記メモリ読み書きデータを決定するステップと、を含む請求項２に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記読み書きピーク速度データ及び前記瞬時読み書き速度データに基づいて、前記メモリ読み書きデータを決定する前記ステップは、
前記読み書きピーク速度データと前記瞬時読み書き速度データとを加算して前記メモリ読み書きデータを得ることを含む請求項３に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記システムタスクに基づいて、前記システムタスクと前記端末システムとの起動時に対応する読み書きピーク速度データを取得する前記ステップは、
前記アプリケーションに対応する読み書きピーク速度データ、前記サービスプロセスに対応する読み書きピーク速度データ、前記システム機能に対応する読み書きピーク速度データ、及び前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データを格納する予め設定されたメモリ読み書きデータテーブルを取得するステップと、
前記メモリ読み書きデータテーブルに基づいて、前記システムタスク及び前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データをそれぞれ取得するステップと、を含む請求項３に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記メモリ読み書きデータテーブルに基づいて、前記システムタスク及び前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データをそれぞれ取得する前記ステップは、
前記システムタスクと前記メモリ読み書きデータテーブルとをマッチングし、前記端末システムと前記メモリ読み書きデータテーブルとをマッチングするステップと、
前記システムタスクにおける前記アプリケーション、前記サービスプロセス又は前記システム機能に対応する読み書きピーク速度データと、前記端末システムに対応する読み書きピーク速度データとをそれぞれ取得するステップと、を含む請求項５に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記読み書きピーク速度データ及び前記瞬時読み書き速度データに基づいて、前記メモリ読み書きデータを決定する前記ステップは、
前記読み書きピーク速度データと前記瞬時読み書き速度データとを加算して前記メモリ読み書きデータを得ることを含む請求項６に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記メモリの動作モード設定されたメモリ読み書きデータテーブルを取得する前に、
前記端末システムのメモリに対する読み書きピーク速度と、端末システムにおける各プリケーション及び各サービスプロセスの読み書きピーク速度データと、端末システムのシステム機能の起動時にメモリに対する読み書きピーク速度データとを読み出すステップと、
前記端末システムのメモリに対する読み書きピーク速度と、端末システムにおける各プリケーション及び各サービスプロセスの読み書きピーク速度データと、端末システムのシステム機能の起動時にメモリに対する読み書きピーク速度データとを記録して、前記メモリ読み書きデータテーブルを形成するステップと、をさらに含む請求項５に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定する前記ステップは、
前記メモリにおける異なる型番のメモリダイが同じ周波数での瞬時読み書き速度を反映するための、予め設定された同一周波数帯域ピーク速度データを取得するステップと、
前記メモリ読み書きデータと前記同一周波数帯域ピーク速度データとを比較することにより、比較結果に基づいて前記メモリの動作モードを決定するステップと、を含む請求項１に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記メモリ読み書きデータと前記同一周波数帯域ピーク速度データとを比較することにより、比較結果に基づいて前記メモリの動作モードを決定する前記ステップは、
前記メモリ読み書きデータが前記同一周波数帯域ピーク速度データよりも大きい場合には、前記メモリの動作モードを異周波数動作モードにするステップと、
前記メモリ読み書きデータが前記同一周波数帯域ピーク速度データよりも小さい場合には、前記メモリの動作モードを同一周波数動作モードにするステップと、を含む請求項９に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記動作モードに基づいて、前記メモリの動作周波数を調整する前記ステップは、
前記メモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイに対応する周波数を取得し、全てのメモリダイに対応する周波数から最も低い周波数を決定するとともに、前記最も低い周波数を前記メモリの全てのメモリダイの動作周波数とするステップと、
前記メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイがそれぞれに対応する周波数を動作周波数として制御するステップと、を含む請求項１０に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記メモリは第１型番のメモリダイ及び第２型番のメモリダイを含み、第１型番のメモリに対応する周波数が第２型番のメモリダイよりも低く、
前記メモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイに対応する周波数を取得し、全てのメモリダイに対応する周波数から最も低い周波数を決定するとともに、前記最も低い周波数を前記メモリの全てのメモリダイの動作周波数とする前記ステップは、
前記メモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、第１型番のメモリダイ及び第２型番のメモリダイを、第１型番のメモリダイに対応する周波数を動作周波数として動作させることを含む請求項１１に記載のメモリの動作周波数調整方法。
前記メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイを、それぞれに対応する周波数を動作周波数として制御する前記ステップは、
前記メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、第１型番のメモリダイ及び第２型番のメモリダイを、それぞれに対応する周波数を動作周波数として動作させることを含む請求項１２に記載のメモリの動作周波数調整方法。
スマート端末の動作情報に基づいて、端末システムのメモリ読み書きデータを決定するためのデータ取得ユニットであって、前記動作情報は前記端末システムの動作中に生成された情報を反映するためのものであり、前記メモリ読み書きデータは前記端末システムのメモリに対する読み書き速度を反映するためのものであるデータ取得ユニットと、
前記メモリ読み書きデータに基づいて、メモリの動作モードを決定するためのモード決定ユニットと、
前記動作モードに基づいて、前記メモリの動作周波数を調整するための周波数調整ユニットと、を含むメモリの動作周波数調整装置。
前記データ取得ユニットは、
前記スマート端末の動作情報を取得するための第１取得サブユニットと、
前記動作情報に基づいて、前記端末システムの動作中のシステムタスクを取得するための第２取得サブユニットであって、前記システムタスクはアプリケーション、サービスプロセス又はシステム機能のいずれか１つ又は複数を含む第２取得サブユニットと、
前記システムタスクに基づいて、前記端末システムのメモリ読み書き速度データを決定するための決定サブユニットと、を含む請求項１４に記載の動作周波数調整装置。
前記決定サブユニットは、
前記システムタスクに基づいて、前記システムタスクと前記端末システムとの起動時に対応する読み書きピーク速度データを取得するための第１取得モジュールであって、前記読み書きピーク速度データは、前記システムタスクと前記端末システムとの起動時に自体のメモリに対する最も高い読み書き速度を反映するためのものである第１取得モジュールと、
前記端末システムが前記システムタスクを実行するときに、前記システムタスクの前記メモリに対する瞬時読み書き速度データを取得するための第２取得モジュールと、
前記読み書きピーク速度データ及び前記瞬時読み書き速度データに基づいて、前記メモリ読み書きデータを決定するための決定モジュールと、を含む請求項１５に記載の動作周波数調整装置。
前記モード決定ユニットは、
予め設定された同一周波数帯域ピーク速度データを取得するための取得サブユニットと、
前記メモリ読み書きデータと前記同一周波数帯域ピーク速度データとを比較することにより、比較結果に基づいて前記メモリの動作モードを決定するための比較サブユニットと、を含む請求項１４に記載の動作周波数調整装置。
前記メモリの動作モードは同一周波数動作モード及び異周波数動作モードを含み、前記周波数調整ユニットは、
前記メモリの動作モードが同一周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイに対応する周波数を取得し、全てのメモリダイに対応する周波数から最も低い周波数を決定するとともに、前記最も低い周波数を前記メモリの全てのメモリダイの動作周波数とするための取得サブユニットと、
前記メモリの動作モードが異周波数動作モードである場合には、前記メモリの全てのメモリダイがそれぞれに対応する周波数を動作周波数として制御するための制御サブユニットと、を含む請求項１７に記載の動作周波数調整装置。
メモリと、１つ以上のプログラムと、を含み、１つ以上のプログラムは、メモリに格納されて、１つ以上のプロセッサにより前記１つ以上のプログラムを実行するように構成されて、請求項１～１３のいずれか一項に記載の方法を実行することを含むスマート端末。
記憶媒体における命令が電子機器のプロセッサにより実行される場合に、電子機器が請求項１～１３のいずれか一項に記載の方法を実行することができる、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。