KR20230171282A - Inductively coupled plasma processing apparatus - Google Patents

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KR20230171282A KR1020220071654A KR20220071654A KR20230171282A KR 20230171282 A KR20230171282 A KR 20230171282A KR 1020220071654 A KR1020220071654 A KR 1020220071654A KR 20220071654 A KR20220071654 A KR 20220071654A KR 20230171282 A KR20230171282 A KR 20230171282A
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최재훈
노덕희
김영필
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Abstract

본 발명은, 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유도전계를 이용하여 기판처리를 수행하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 상측에 개구부(110)가 형성된 챔버본체(100)와; 상기 개구부(110)에 설치되어 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와; 상기 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 상기 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하며, 서로 다른 영역에 배치되어 독립적으로 제어 가능한 복수의 안테나군을 포함하는 안테나부(300)와; 상기 윈도우(210)에 삽입 설치되어 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하며, 상기 안테나군들 각각에 대응하도록 배치되는 복수의 가스분사부(400)들을 포함하는 유도결합 플라즈마 처리장치를 개시한다.The present invention relates to an inductively coupled plasma processing device, and more specifically, to an inductively coupled plasma processing device that performs substrate processing using an induced electric field.
The present invention includes a chamber body 100 having an opening 110 formed on the upper side; A window including at least one window 210 installed in the opening 110 to form a processing space S1 together with the chamber body 100, and a support frame 220 supporting the window 210. assembly 200; an antenna unit 300 installed on the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1 and including a plurality of antenna groups arranged in different areas and independently controllable; Disclosed is an inductively coupled plasma processing device that is inserted into the window 210 to inject process gas into the processing space (S1) and includes a plurality of gas injection units 400 arranged to correspond to each of the antenna groups. do.

Figure P1020220071654
Figure P1020220071654

Description

유도결합 플라즈마 처리장치{Inductively coupled plasma processing apparatus}Inductively coupled plasma processing apparatus

본 발명은, 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유도전계를 이용하여 기판처리를 수행하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inductively coupled plasma processing device, and more specifically, to an inductively coupled plasma processing device that performs substrate processing using an induced electric field.

유도결합 플라즈마 처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리를 수행하는 장치이다.An inductively coupled plasma processing device is a device that performs substrate processing such as deposition and etching processes.

통상 유도결합 플라즈마 처리장치는, 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체, 챔버본체의 천정에 설치된 윈도우 및 윈도우의 상측에 설치된 고주파(RF) 안테나를 구비하며, 안테나에 전원을 인가하여 처리공간에 유도전계를 형성하고 유도전계에 의하여 처리가스를 플라즈마 화하여 기판처리를 수행한다.Typically, an inductively coupled plasma processing device includes a chamber body forming a sealed processing space, a window installed on the ceiling of the chamber body, and a radio frequency (RF) antenna installed on the upper side of the window. Power is applied to the antenna to induce the processing space. Substrate processing is performed by forming an electric field and converting the processing gas into plasma by the induced electric field.

여기서 상기 유도결합 플라즈마 처리장치의 기판처리의 대상에는 LCD 패널용 기판, 웨이퍼 등 증착, 식각 등 기판처리가 필요한 대상이면 어떠한 기판도 가능하다.Here, the object of substrate processing of the inductively coupled plasma processing device can be any substrate that requires substrate processing such as deposition or etching, such as a substrate for an LCD panel or a wafer.

한편 대형기판에 대한 수요의 증가, 보다 많은 수의 기판처리에 의한 생산속도의 증가의 요구에 부응하여 기판처리를 수행하는 유도결합 플라즈마 처리장치 또한 대형화되고 있다.Meanwhile, in response to the increase in demand for large-sized substrates and the demand for increased production speed by processing a larger number of substrates, inductively coupled plasma processing devices that perform substrate processing are also becoming larger.

이에 상기 유도결합 플라즈마 처리장치 또한 대형화되면서, 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치되는 부재들, 특히, 윈도우 크기 또한 대형화될 필요가 있으며, 이를 위해 분할된 다수의 윈도우들을 분할영역을 형성하는 지지프레임을 통해 지지하여 설치할 수 있다.Accordingly, as the inductively coupled plasma processing device also becomes larger, the size of the members installed in the inductively coupled plasma processing device, especially the windows, also needs to be larger. To this end, a plurality of divided windows are provided through a support frame that forms a divided area. It can be installed by supporting it.

한편, 기판처리를 위해서는 공정가스가 윈도우를 통과하여 처리공간에 분사될 필요가 있는데, 이때, 윈도우는 통상 세라믹 재질로서 세라믹 특성 상 정밀 가공이 어렵고 강성에 한계가 존재하는 바, 공정가스 분사를 위한 분사홀 형성 및이를 통한 공정가스 분사가 어려운 문제점이 있다.Meanwhile, for substrate processing, process gas needs to pass through a window and be injected into the processing space. In this case, the window is usually made of ceramic material, which makes precision processing difficult due to the nature of ceramics and has limitations in rigidity. There is a problem in that it is difficult to form injection holes and spray process gas through them.

이에, 종래 유도결합 플라즈마 처리장치는, 강성이 충분하고 가공이 용이한 지지프레임에 분사홀을 형성하여 처리공간에 공정가스를 분사하였으나, 공정가스의 분사유량과 분사위치가 중요한 기판처리 공정 상 공정가스 분사 위치가 제한되어 양질의 기판처리가 어려운 문제점이 있다.Accordingly, the conventional inductively coupled plasma processing device sprayed the process gas into the processing space by forming a spray hole in a support frame that was sufficiently rigid and easy to process, but in the substrate processing process, the spray flow rate and spray location of the process gas were important. There is a problem that quality substrate processing is difficult due to the limited gas injection location.

또한, 지지프레임에 분사홀을 형성하여 처리공간에 공정가스를 분사하는 경우, 제한적인 분사위치로 인해 분사 균일도가 낮고, 분사되는 공정가스가 안테나를 통해 생성되는 필드와 효과적으로 매칭되지 못하는 문제점이 있다.In addition, when forming a spray hole in the support frame to spray process gas into the processing space, there is a problem in that spray uniformity is low due to the limited spray location and the sprayed process gas does not effectively match the field generated through the antenna. .

특히, 제한적인 분사위치로 인해 필드를 생성하는 안테나와의 매칭관계를 고려하여 특정위치에서의 공정가스 유량을 제어하지 못해 전체적인 공정 컨트롤이 불가능한 문제점이 있다.In particular, due to the limited injection location, there is a problem that overall process control is impossible because the process gas flow rate at a specific location cannot be controlled considering the matching relationship with the antenna that generates the field.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 균일한 공정가스 분사가 가능한 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.The purpose of the present invention is to provide an inductively coupled plasma processing device capable of uniform injection of process gas in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상측에 개구부(110)가 형성된 챔버본체(100)와; 상기 개구부(110)에 설치되어 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와; 상기 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 상기 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하며, 서로 다른 영역에 배치되어 독립적으로 제어 가능한 복수의 안테나군을 포함하는 안테나부(300)와; 상기 윈도우(210)에 삽입 설치되어 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하며, 상기 안테나군들 각각에 대응하도록 배치되는 복수의 가스분사부(400)들을 포함하는 유도결합 플라즈마 처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention includes a chamber body 100 having an opening 110 formed on the upper side; A window including at least one window 210 installed in the opening 110 to form a processing space S1 together with the chamber body 100, and a support frame 220 supporting the window 210. assembly 200; an antenna unit 300 installed on the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1 and including a plurality of antenna groups arranged in different areas and independently controllable; Disclosed is an inductively coupled plasma processing device that is inserted into the window 210 to inject process gas into the processing space (S1) and includes a plurality of gas injection units 400 arranged to correspond to each of the antenna groups. do.

상기 가스분사부(400)들은, 단일의 상기 윈도우(210) 내 서로 다른 영역에 배치되는 상기 안테나군들 각각에 대응되어 평면 상 중첩되도록 서로 분리되어 배치될 수 있다.The gas injection units 400 may be arranged separately from each other so as to overlap on a plane corresponding to each of the antenna groups arranged in different areas within the single window 210.

복수의 상기 가스분사부(400)들은, 각각 독립적으로 제어가능하며, 복수의 상기 안테나군들 중 어느 하나의 안테나군과 중첩되는 복수의 가스분사부(400)들은, 서로 동일한 조건으로 제어될 수 있다.The plurality of gas injection units 400 can be controlled independently, and the plurality of gas injection units 400 overlapping with any one of the plurality of antenna groups can be controlled under the same conditions. there is.

복수의 상기 안테나군들은, 각각 독립적으로 제어가능하며, 복수의 상기 가스분사부(400)들 중 어느 하나의 가스분사부(400)와 중첩되는 복수의 안테나군들은, 서로 동일한 조건으로 제어될 수 있다.The plurality of antenna groups can be controlled independently, and the plurality of antenna groups overlapping with any one of the plurality of gas injection units 400 can be controlled under the same conditions. there is.

복수의 상기 가스분사부(400)들은, 전기적으로 플로팅상태, 접지상태 및 전원이 인가되는 전원인가상태 중 어느하나의 상태로 제어될 수 있다.The plurality of gas injection units 400 may be electrically controlled to any one of a floating state, a grounded state, and a power-on state.

상기 안테나부(300) 및 가스분사부(400)는, 각각 동일 평면 상 중심을 지나는 가상의 직선에 대하여 선대칭을 이루도록 배치될 수 있다.The antenna unit 300 and the gas injection unit 400 may be arranged to be line symmetrical with respect to an imaginary straight line passing through the center on the same plane.

상기 안테나부(300)는, 상기 윈도우조립체(200) 상부 직사각형 형상의 기판(10)에 대응되는 기준 직사각형 영역 중 코너 측에 인접하여 배치되어 코너 측 플라즈마 밀도를 제어하는 코너안테나군(310)과; 상기 기준 직사각형 영역의 변 및 상기 코너안테나군(310)과 간격을 두고 배치되는 측방안테나군(330)과; 상기 기준 직사각형 영역의 중심 측에 상기 측방안테나군(330)과 동심을 이루어 배치되는 내측안테나군(350)을 포함할 수 있다.The antenna unit 300 includes a corner antenna group 310 disposed adjacent to a corner of the reference rectangular area corresponding to the upper rectangular substrate 10 of the window assembly 200 and controlling the corner side plasma density; ; a side antenna group 330 arranged at intervals from the corners of the reference rectangular area and the corner antenna group 310; It may include an inner antenna group 350 disposed concentrically with the lateral antenna group 330 at the center of the reference rectangular area.

상기 가스분사부(400)는, 상기 기준 직사각형 영역의 코너 측에서 평면 상 상기 코너안테나군(310)과 중첩되도록 배치되는 복수의 코너가스분사부(450)와; 상기 기준 직사각형 영역의 변부 상기 코너가스분사부(450)들 사이에 평면 상 상기 측방안테나군(330)과 중첩되도록 배치되는 복수의 측방가스분사부(470)와; 상기 기준 직사각형 영역의 중심 측에서 평면 상 상기 내측안테나군(350)과 중첩되도록 배치되는 복수의 내측가스분사부(490)를 포함할 수 있다.The gas injection unit 400 includes a plurality of corner gas injection units 450 arranged to overlap the corner antenna group 310 on a plane at a corner side of the reference rectangular area; a plurality of lateral gas injection units 470 disposed between the corner gas injection units 450 at the edges of the reference rectangular area to overlap the lateral antenna group 330 on a plane; It may include a plurality of inner gas injection units 490 arranged to overlap the inner antenna group 350 on a plane at the center side of the reference rectangular area.

상기 코너가스분사부(450)는, 평면 상 상기 코너안테나군(310)과 상기 측방안테나군(330) 각각에 동시에 중첩되도록 배치될 수 있다.The corner gas injection unit 450 may be arranged to simultaneously overlap each of the corner antenna group 310 and the side antenna group 330 in a plane view.

상기 안테나부(300)는, 동심을 이루며 각각 독립제어되는 제1측방안테나군(332) 및 제2측방안테나군(334)을 구비하는 측방안테나군(330)을 포함하며, 상기 가스분사부(400)는, 상기 제1측방안테나군(332)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제1측방가스분사부(472)와, 상기 제2측방안테나군(334)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제2측방가스분사부(474)를 포함할 수 있다.The antenna unit 300 includes a lateral antenna group 330 including a first lateral antenna group 332 and a second lateral antenna group 334 that are concentric and each independently controlled, and the gas injection unit ( 400) includes at least one first lateral gas injection unit 472 arranged to overlap in a plane with the first lateral antenna group 332, and arranged to overlap in a plane with the second lateral antenna group 334. It may include at least one second side gas injection unit 474.

상기 제1측방가스분사부(472) 및 상기 제2측방가스분사부(474)는, 서로 분리되며, 동일방향으로 정렬되어 배치될 수 있다.The first lateral gas injection unit 472 and the second lateral gas injection unit 474 may be separated from each other and aligned in the same direction.

또한, 본 발명은, 상측에 개구부(110)가 형성된 챔버본체(100)와; 상기 개구부(110)에 설치되어 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하며, 설치구(230)가 관통하여 형성되는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와; 상기 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 상기 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나부(300)와; 상기 설치구(230)에 삽입 설치되어 상기 처리공간(S1)을 향해 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 가스분사부(400)를 포함하는 유도결합 플라즈마 처리장치를 개시한다.In addition, the present invention includes a chamber body 100 having an opening 110 formed on the upper side; At least one window 210 is installed in the opening 110 to form a processing space (S1) together with the chamber body 100 and through which the installation hole 230 penetrates, and the window 210 A window assembly 200 including a support frame 220 for supporting it; an antenna unit 300 installed on the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1; Disclosed is an inductively coupled plasma processing device including at least one gas injection unit 400 that is inserted into the installation port 230 and sprays process gas toward the processing space (S1).

상기 가스분사부(400)는, 가장자리가 상기 설치구(230) 내면에 단차를 가지고 형성되는 지지단차(231)에 지지되어 설치될 수 있다.The gas injection unit 400 may be installed with its edge supported by a support step 231 formed with a step on the inner surface of the installation hole 230.

상기 가스분사부(400)는, 상면이 상기 윈도우(210) 상면과 플랫하도록 상기 설치구(230)에 삽입되어 설치될 수 있다.The gas injection unit 400 may be installed by being inserted into the installation hole 230 so that its upper surface is flat with the upper surface of the window 210.

상기 가스분사부(400)는, 내부공간(S2)을 형성하며 저면에 다수의 분사홀(401)이 형성되고 상기 설치구(230)에 대응되는 형상의 바디부(410)와, 상기 바디부(410)를 상기 윈도우(210)에 결합하기 위하여 상기 바디부(410) 가장자리를 관통하여 상기 지지단차(231)에 결합하는 복수의 제1체결부재(420)를 포함할 수 있다.The gas injection unit 400 forms an internal space (S2) and has a plurality of injection holes 401 formed on the bottom, and includes a body portion 410 of a shape corresponding to the installation hole 230, and the body portion. In order to couple 410 to the window 210, it may include a plurality of first fastening members 420 that penetrate the edge of the body portion 410 and couple to the support step 231.

상기 바디부(410)는, 상측이 개구되며 상기 지지단차(231)에 결합하는 바디본체(411)와, 상기 바디본체(411) 상측에 결합되어 상기 내부공간(S2)을 형성하는 커버부(412)와, 상기 커버부(412) 가장자리를 관통하여 상기 바디본체(411)에 결합하는 제2체결부재(414)를 포함할 수 있다.The body portion 410 includes a body body 411 that is open at the upper side and coupled to the support step 231, and a cover portion coupled to the upper side of the body body 411 to form the internal space S2 ( 412) and a second fastening member 414 that penetrates the edge of the cover portion 412 and is coupled to the body 411.

상기 가스분사부(400)는, 상기 바디부(410)와 상기 지지단차(231) 사이에 설치되는 제1실링부재(430) 및 상기 바디본체(411)와 상기 커버부(412) 사이에 설치되는 제2실링부재(415) 중 적어도 하나를 추가로 포함할 수 있다.The gas injection unit 400 includes a first sealing member 430 installed between the body portion 410 and the support step 231, and a first sealing member 430 installed between the body portion 411 and the cover portion 412. At least one of the second sealing members 415 may be additionally included.

상기 윈도우(210)는, 세라믹 재질이며, 상기 가스분사부(400)는, 금속 재질일 수 있다.The window 210 may be made of a ceramic material, and the gas injection unit 400 may be made of a metal material.

상기 가스분사부(400)는, 길이방향이 상기 안테나부(300)에 흐르는 전류방향과 수직하도록 배치될 수 있다.The gas injection unit 400 may be arranged so that its longitudinal direction is perpendicular to the direction of current flowing in the antenna unit 300.

상기 가스분사부(400)는, 적어도 상기 처리공간(S1)에 노출되는 저면을 강화하기 위한 표면처리가 수행될 수 있다.The gas injection unit 400 may be subjected to surface treatment to strengthen at least the bottom surface exposed to the processing space S1.

상기 가스분사부(400)는, 상기 처리공간(S1)에 노출되는 저면이 상기 윈도우(210) 저면과 플랫하게 형성될 수 있다.The bottom surface of the gas injection unit 400 exposed to the processing space S1 may be formed to be flat with the bottom surface of the window 210.

상기 가스분사부(400) 하부에 배치되어 상기 가스분사부(400) 저면을 커버하는 커버플레이트(500)를 추가로 포함할 수 있다.It may further include a cover plate 500 disposed below the gas injection unit 400 and covering the bottom of the gas injection unit 400.

상기 커버플레이트(500)는, 세라믹 재질 또는 적어도 저면이 표면처리된 금속 재질일 수 있다. The cover plate 500 may be made of a ceramic material or a metal material with at least a bottom surface treated.

상기 커버플레이트(500)는, 상기 가스분사부(400) 하부에 일정간격 이격되어 배치되며, 상기 분사홀(401)에 평면 상 중첩을 방지하는 위치에 다수의 분사공(501)이 형성될 수 있다.The cover plate 500 is disposed at regular intervals below the gas injection unit 400, and a plurality of injection holes 501 may be formed in the injection hole 401 at a position to prevent overlap on a plane. there is.

상기 분사공(501)은, 상기 분사홀(401) 보다 내경이 작을 수 있다.The injection hole 501 may have a smaller inner diameter than the injection hole 401.

본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 윈도우 내에 형성되는 공정가스 분사구조를 통해 공정가스 분사위치의 제한을 해소하고 균일한 공정가스 분사가 가능한 이점이 있다.The inductively coupled plasma processing device according to the present invention has the advantage of eliminating limitations in the process gas injection location and enabling uniform process gas injection through a process gas injection structure formed within the window.

또한, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 윈도우 내에 공정가스 분사구조가 형성되어 분사위치의 제한이 해소됨에 따라 안테나가 형성하는 필드와의 매칭관계를 고려하여 공정가스 분사유량 및 분사위치를 제어할 수 있는 이점이 있다.In addition, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention adjusts the process gas injection flow rate and injection location in consideration of the matching relationship with the field formed by the antenna, as the process gas injection structure is formed within the window and the limitation of the injection location is eliminated. There is an advantage to being able to control it.

특히, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 독립적으로 제어 및 배치되는 안테나군이 형성하는 필드와의 매칭관계를 고려하여 가스분사부가 설치됨으로써, 특정 필드와 매칭관계를 고려한 특정위치에 대한 공정가스의 분사 유량을 정밀하게 조절 가능하며, 전체적인 공정 컨트롤이 용이한 이점이 있다.In particular, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention has a gas injection unit installed in consideration of the matching relationship with the field formed by the independently controlled and arranged antenna group, thereby performing a process for a specific location considering the matching relationship with the specific field. The gas injection flow rate can be precisely adjusted and the overall process control is easy.

또한, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 윈도우 내에 별도의 금속체의 공정가스 분사구조를 적용함에 따라 가공이 용이하고 제작비용이 저렴하며 내식성 및 강성이 뛰어난 이점이 있다.In addition, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention has the advantages of easy processing, low manufacturing cost, and excellent corrosion resistance and rigidity by applying a process gas injection structure of a separate metal body within the window.

특히, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 안테나 하부 금속체의 공정가스 분사구조의 적용에도 안테나의 전류방향과 금속체의 평면 상 중첩영역을 최소화하고, 금속체의 공정가스 분사구조의 전기적 상태를 플로팅 상태로 유지하여 이에 따른 필드 영향을 최소화할 수 있는 이점이 있다.In particular, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention minimizes the overlap area on the plane of the current direction of the antenna and the metal body even when applying the process gas injection structure of the metal body below the antenna, and minimizes the electrical and electrical problems of the process gas injection structure of the metal body. There is an advantage in that the field impact can be minimized by keeping the state floating.

또한, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 안테나 하부 금속체의 공정가스 분사구조 적용 및 금속체의 전기적 상태를 적절히 제어함으로써, 안테나군이 형성하는 필드의 영향을 정밀하게 제어할 수 있는 이점이 있다.In addition, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention has the advantage of precisely controlling the influence of the field formed by the antenna group by applying the process gas injection structure of the metal body below the antenna and appropriately controlling the electrical state of the metal body. There is.

특히, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 단순히 안테나군을 통한 필드제어에 더해 이에 매칭되는 가스유량 및 위치를 제어함으로써, 영역별로 플라즈마 생성 및 세기(해리율)을 정밀하게 제어할 수 있는 이점이 있다. In particular, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention is capable of precisely controlling plasma generation and intensity (dissociation rate) for each area by simply controlling the field through the antenna group, as well as controlling the gas flow rate and position matching it. There is an advantage.

도 1은, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 개략적인 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 모습을 보여주는 평면도이다.
도 3은, 도 1에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치 중 가스분사부의 구성을 보여주는 분해사시도이다.
도 4는, 도 1에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치 중 커버플레이트가 추가된 상태의 가스분사부 모습을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an inductively coupled plasma processing device according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the inductively coupled plasma processing device according to FIG. 1.
Figure 3 is an exploded perspective view showing the configuration of the gas injection part of the inductively coupled plasma processing device according to Figure 1.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the gas injection portion of the inductively coupled plasma processing device according to Figure 1 with a cover plate added.

이하 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상측에 개구부(110)가 형성된 챔버본체(100)와; 상기 개구부(110)에 설치되어 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하며, 설치구(230)가 관통하여 형성되는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와; 상기 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 상기 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나부(300)와; 상기 설치구(230)에 삽입 설치되어 상기 처리공간(S1)을 향해 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 가스분사부(400)를 포함한다.As shown in FIGS. 1 and 2, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention includes a chamber body 100 having an opening 110 formed on the upper side; At least one window 210 is installed in the opening 110 to form a processing space (S1) together with the chamber body 100 and through which the installation hole 230 penetrates, and the window 210 A window assembly 200 including a support frame 220 for supporting it; an antenna unit 300 installed on the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1; It includes at least one gas injection unit 400 that is inserted into the installation port 230 and sprays process gas toward the processing space S1.

또한, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 가스분사부(400) 하부에 배치되어 가스분사부(400) 저면을 커버하는 커버플레이트(500)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention, as shown in FIG. 4, further includes a cover plate 500 disposed below the gas injection unit 400 and covering the bottom of the gas injection unit 400. can do.

또한, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 챔버본체(100)에 설치되어 처리대상인 기판(10)을 지지하는 기판지지부(600)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention may further include a substrate support portion 600 installed in the chamber body 100 to support the substrate 10 to be processed.

또한, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 챔버본체(100) 상측을 관통하여 외부 가스공급부와 연결되어, 가스분사부(400)에 공정가스를 공급하는 가스공급라인(700)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention has an additional gas supply line 700 that penetrates the upper side of the chamber body 100 and is connected to an external gas supply unit to supply process gas to the gas injection unit 400. It can be included.

상기 챔버본체(100)는, 상측에 개구부(110)가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 100 has an opening 110 formed on the upper side, and various configurations are possible.

상기 챔버본체(100)는, 평면형상이 직사각형 형상을 가지며, 상측에 개구부(110)가 형성되며, 후술하는 윈도우조립체(200)와 함께 처리공간(S1)을 형성하기 위한 구성으로서 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The chamber body 100 has a rectangular shape in plan, has an opening 110 formed on the upper side, and is used to form a processing space (S1) together with a window assembly 200, which will be described later, necessary for performing the process. Any configuration is possible as long as it can withstand a predetermined vacuum pressure.

상기 챔버본체(100)는, 처리되는 기판(10)의 형상에 대응되는 평면형상, 예를 들면 직사각형 형상일 수 있고, 기판(10)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(120)가 형성되며 처리공간(S1) 내의 압력제어 및 부산물을 제거하기 위하여 진공펌프(미도시)와 연결되는 배기관(180)이 연결될 수 있다.The chamber body 100 may have a planar shape corresponding to the shape of the substrate 10 to be processed, for example, a rectangular shape, and one or more gates 120 for entering and exiting the substrate 10 are formed and provide a processing space. An exhaust pipe 180 connected to a vacuum pump (not shown) may be connected to control pressure and remove by-products in (S1).

또한 상기 챔버본체(100)는, 안테나부(300)의 지지, 안테나부(300)에서 형성되는 유도전계의 차폐 등을 위하여 안테나부(300)를 복개하도록 설치되는 상부리드(140)가 탈착가능하게 결합될 수 있다.In addition, the chamber body 100 has a detachable upper lid 140 installed to cover the antenna unit 300 for the purpose of supporting the antenna unit 300 and shielding the induced electric field formed in the antenna unit 300. can be combined.

상기 기판지지부(600)는, 챔버본체(100)에 설치되어 처리대상인 기판(10)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support portion 600 is installed in the chamber body 100 to support the substrate 10 to be processed, and various configurations are possible.

이때, 상기 기판지지부(300)는, 기판(10)이 안착되는 구성으로서 기판(10)을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며 공정에 따라서 RF전원이 인가되거나 접지될 수 있으며, 냉각 또는 가열을 위한 열전달부재가 설치될 수 있다.At this time, the substrate support 300 is a configuration on which the substrate 10 is mounted, and can have any configuration as long as it can support the substrate 10. RF power can be applied or grounded depending on the process, and cooling or A heat transfer member for heating may be installed.

상기 윈도우조립체(200)는, 챔버본체(100) 개구부(110)에 설치되어 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The window assembly 200 is installed in the opening 110 of the chamber body 100 to form the processing space S1 together with the chamber body 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 윈도우조립체(200)는, 개구부(110)에 설치되어 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하며, 설치구(230)가 관통하여 형성되는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함할 수 있다.For example, the window assembly 200 is installed in the opening 110 to form a processing space (S1) together with the chamber body 100, and includes at least one window through which the installation hole 230 penetrates. 210) and a support frame 220 supporting the window 210.

상기 윈도우(210)는, 안테나부(300)에 의하여 처리공간(S1)에 유도전계를 형성할 수 있도록 처리공간(S1)과 안테나부(300) 사이에 개재되는 구성으로서 다양한 구조를 가질 수 있으며, 그 재질은, 석영, 세라믹, 금속재질 등이 사용될 수 있으며, 본 발명에서는 세라믹 재질임을 전제로 이하 설명한다.The window 210 is a component interposed between the processing space (S1) and the antenna unit 300 to form an induced electric field in the processing space (S1) by the antenna unit 300, and may have various structures. , the material may be quartz, ceramic, metal, etc., and the present invention will be described below on the premise that it is a ceramic material.

상기 윈도우(210)는, 대형기판의 처리를 위하여 단일의 윈도우(210)로 구성되지 않고 복수개의 윈도우(210)들로 구성될 수도 있다.The window 210 may not be composed of a single window 210 but may be composed of a plurality of windows 210 for processing large substrates.

여기서 상기 윈도우(210)가 복수개로 설치되는 경우 기판처리를 위한 유도전계의 형성을 고려하여 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원형, 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.Here, when the windows 210 are installed in plural numbers, they may have various shapes such as polygons such as triangles and squares, circles, and ovals in consideration of the formation of an induced electric field for substrate processing.

또한 상기 윈도우(210)의 평면형상은, 사각형 등의 단일 형상을 가지거나, 모양 및 크기가 서로 다른 복수의 평면형상의 조합으로 구성되는 등 다양한 조합이 가능하다.Additionally, the planar shape of the window 210 can be combined in various ways, such as a single shape such as a square or a combination of a plurality of planar shapes of different shapes and sizes.

상기 지지프레임(220)은, 윈도우(210)를 지지하는 구성으로서 윈도우(210)를 안정적으로 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The support frame 220 supports the window 210 and can have any configuration as long as it can stably support the window 210.

예로서, 상기 지지프레임(220)은, 중량물인 윈도우(210)를 안정적으로 지지할 수 있도록 금속재질을 가짐이 바람직하나, 충분한 강성을 제공할 수 있다면 금속재질 및 비금속재질의 조합, 비금속재질 등 다양한 재질을 가질 수 있다.For example, the support frame 220 is preferably made of a metal material so that it can stably support the window 210, which is a heavy object. However, if sufficient rigidity can be provided, a combination of metal and non-metal materials, non-metal materials, etc. It can have various materials.

한편, 상기 윈도우(210)가 복수로 설치되는 경우 각 윈도우(210)를 지지할 수 있도록, 지지프레임(220)은, 지지하는 윈도우(210)의 평면형상에 대응되는 형상의 복수의 설치개구(221)들이 형성될 수 있다.On the other hand, when the windows 210 are installed in plural, the support frame 220 has a plurality of installation openings ( 221) can be formed.

즉, 상기 지지프레임(220)은, 복수의 설치개구(221)들이 형성되며, 복수의 설치개구(221)들 각각은, 해당 설치개구(221)의 평면형상에 대응되는 형상을 가지는 윈도우(210)가 각각 설치될 수 있다.That is, the support frame 220 is formed with a plurality of installation openings 221, and each of the plurality of installation openings 221 is a window 210 having a shape corresponding to the planar shape of the installation opening 221. ) can be installed respectively.

예로서, 상기 지지프레임(220)은, 복수의 윈도우(210)들이 가로방향 및 세로방향으로 m×n(m 및 n은 2 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있도록, 격자구조의 복수의 설치개구(211)들이 형성될 수 있다.For example, the support frame 220 is configured to install a plurality of grid structures so that a plurality of windows 210 can be arranged in an m×n array (m and n are natural numbers of 2 or more) in the horizontal and vertical directions. Openings 211 may be formed.

이를 위하여 상기 지지프레임(220)은, 챔버본체(100)의 상단에 설치되는 직사각형 형상의 외곽프레임(222)과, 외곽프레임(222)의 내측에서 격자구조의 설치개구(211)들을 형성하는 내부프레임(223)을 포함할 수 있다.For this purpose, the support frame 220 includes a rectangular outer frame 222 installed at the top of the chamber main body 100, and an inner frame forming grid-shaped installation openings 211 on the inside of the outer frame 222. It may include a frame 223.

상기 외곽프레임(222)은, 챔버본체(100)의 상단 평면형상, 즉 직사각형 형상을 가지며 챔버본체(100)의 상단에 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer frame 222 has a top planar shape, that is, a rectangular shape, and is installed on the top of the chamber body 100, and various configurations are possible.

여기서 상기 외곽프레임(222)은, 챔버본체(100)의 상단 사이에 오링(미도시)이 개재되어 챔버본체(100)와 밀폐 결합될 수 있다.Here, the outer frame 222 may be hermetically coupled to the chamber body 100 with an O-ring (not shown) interposed between the upper ends of the chamber body 100.

상기 내부프레임(223)은, 외곽프레임(222)의 내측에서 격자구조, 예를 들면 가로방향 및 세로방향으로 m×n(m 및 n은 2 이상의 자연수)로 배치된 설치개구(211)들을 형성하는 구성으로서, 격자숫자에 대응되어 (m-1)개의 가로프레임 및 (n-1)개의 세로프레임들로 구성될 수 있다.The inner frame 223 forms a lattice structure inside the outer frame 222, for example, installation openings 211 arranged in m×n (m and n are natural numbers of 2 or more) in the horizontal and vertical directions. As a configuration, it may be composed of (m-1) horizontal frames and (n-1) vertical frames corresponding to the grid numbers.

상기 내부프레임(223) 및 외곽프레임(222)은, 윈도우(210)의 하중을 고려하여 금속과 같은 강성이 큰 재질의 사용이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The inner frame 223 and the outer frame 222 are preferably made of a material with high rigidity, such as metal, in consideration of the load of the window 210, but are not necessarily limited thereto.

또한 상기 내부프레임(223) 및 외곽프레임(222)은, 복수의 프레임 부재로 형성될 수 있으나, 강성을 고려하여 최소한의 숫자, 바람직하게는 일체로 형성됨이 바람직하다.In addition, the inner frame 223 and the outer frame 222 may be formed of a plurality of frame members, but considering rigidity, it is preferable that they be formed as a minimum number, preferably integrally.

한편, 상기 지지프레임(220)에 형성된 설치개구(211)는, 윈도우(210)의 지지구조에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있다.Meanwhile, the installation opening 211 formed in the support frame 220 may have various structures depending on the support structure of the window 210.

예를 들면 상기 지지프레임(220)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 윈도우(210)의 가장자리 측면에 형성된 단차에 대응되어 윈도우(210)를 지지할 수 있도록 설치개구(211)의 내주면에 단차가 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the support frame 220 has a step on the inner peripheral surface of the installation opening 211 to support the window 210 in correspondence with the step formed on the edge side of the window 210. can be formed.

또한, 상기 지지프레임(220)은, 강성이 높고 가공이 용이한 금속재질이 적용될 수 있으며, 다수의 관통공(미도시)이 형성되어 공정가스를 처리공간(S1)에 분사할 수 있다.In addition, the support frame 220 may be made of a metal material that has high rigidity and is easy to process, and has a plurality of through holes (not shown) so that process gas can be sprayed into the processing space (S1).

한편, 종래 유도결합 플라즈마 처리장치는, 지지프레임(220)을 통해서만 공정가스를 분사하였는 바, 처리공간(S1) 내 균일한 공정가스 분사가 어렵고 안테나부(300)를 고려한 특정 위치의 공정가스 분사 제어가 불가능한 문제점이 있다.Meanwhile, the conventional inductively coupled plasma processing device sprayed the process gas only through the support frame 220, making it difficult to spray the process gas uniformly within the processing space (S1), and spraying the process gas at a specific location considering the antenna unit 300. There is a problem that cannot be controlled.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 윈도우(210) 설치구(230)에 삽입 설치되어 처리공간(S1)을 향해 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 가스분사부(400)를 포함한다.In order to improve this problem, the inductively coupled plasma processing device according to the present invention is installed by inserting into the window 210 installation port 230 and includes at least one gas injection unit ( 400).

상기 가스분사부(400)는, 윈도우(210)에 형성되는 설치구(230)에 삽입 설치되어 처리공간(S1)을 향해 공정가스를 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 400 is inserted into the installation hole 230 formed in the window 210 and sprays process gas toward the processing space S1, and various configurations are possible.

이때, 상기 가스분사부(400)는, 복수개로 구비될 수 있으며, 가장자리가 설치구(230) 내면에 단차를 가지고 형성되는 지지단차(231)에 지지되어 설치될 수 있다.At this time, the gas injection unit 400 may be provided in plural pieces, and may be installed with its edge supported by a support step 231 formed with a step on the inner surface of the installation port 230.

즉, 상기 가스분사부(400)는, 윈도우(210)를 통과하여 윈도우(210) 하측 또는 상측에 설치되는 구성이 아닌, 윈도우(210)에 관통하여 형성되는 설치구(230) 내면 지지단차(231)에 지지되어 윈도우(210) 내에 설치되는 구성이며 이를 통해 처리공간(S1)에 공정가스를 분사할 수 있다.That is, the gas injection unit 400 is not configured to pass through the window 210 and be installed on the lower or upper side of the window 210, but is formed by penetrating the window 210, and has an inner support step ( It is supported on 231) and installed within the window 210, through which process gas can be sprayed into the processing space (S1).

이때, 상기 가스분사부(400)는, 상면이 윈도우(210) 상면과 플랫한 면을 이루도록 설치구(230)에 삽입되어 설치될 수 있으며, 더 나아가 저면이 윈도우(210) 저면과 플랫한 면을 이루도록 설치될 수 있다.At this time, the gas injection unit 400 may be inserted and installed in the installation port 230 so that its upper surface forms a flat surface with the upper surface of the window 210, and further, its bottom surface is flat with the bottom surface of the window 210. It can be installed to achieve.

이로써, 상기 가스분사부(400)는, 상측에서 윈도우(210)와 동일한 평면을 이룸으로써, 상측에 배치되는 후술하는 안테나부(300)와의 영향에 따른 필드영향을 최소화할 수 있다.Accordingly, the gas injection unit 400 forms the same plane as the window 210 on the upper side, thereby minimizing the field effect due to the influence of the antenna unit 300, which will be described later, disposed on the upper side.

이를 통해, 가스분사부(400)가 윈도우(210) 표면으로부터 돌출됨에 따라 부산물이 흡착되어 파티클이 다량 발생하는 문제를 사전에 차단할 수 있다.Through this, it is possible to prevent in advance the problem of a large amount of particles being generated due to adsorption of by-products as the gas injection unit 400 protrudes from the surface of the window 210.

더 나아가, 상기 가스분사부(400)는, 윈도우(210) 상면에서 지지단차(231)에 지지되도록 설치구(230)에 삽입 설치됨으로써, 진공상태인 처리공간(S1)의 진공압에 따른 외력에 대항하는 저항력 및 체결강성을 확보할 수 있다.Furthermore, the gas injection unit 400 is inserted into the installation hole 230 so as to be supported by the support step 231 on the upper surface of the window 210, so that the external force according to the vacuum pressure of the processing space S1 in a vacuum state Resistance against and fastening rigidity can be secured.

또한, 저면이 윈도우(210) 저면과 동일한 평면을 이룸으로써, 윈도우(210) 저면과 동일한 위치에서 공정가스가 분사되도록 유도하고, 처리공간(S1)에 형성되는 플라즈마에 의한 영향을 균일하게 유지할 수 있다.In addition, since the bottom is on the same plane as the bottom of the window 210, the process gas is induced to be sprayed at the same position as the bottom of the window 210, and the influence of the plasma formed in the processing space (S1) can be maintained uniformly. there is.

이때, 상기 가스분사부(400)는, 세라믹 재질의 윈도우(210)와는 이종 재질로서, 가공이 용이하고 내구성 및 강성이 뛰어난 금속 재질로 형성될 수 있다.At this time, the gas injection unit 400 is a different material from the ceramic window 210, and may be formed of a metal material that is easy to process and has excellent durability and rigidity.

한편, 이 경우 상기 가스분사부(400)는, 금속 재질로서, 후술하는 안테나부(300)에 의한 유도전계 형성과정에 영향을 미칠 수 있는 바, 전기적으로 플로팅 상태로 유지될 수 있고 이로써 플라즈마에 대한 영향을 최소화할 수 있다.Meanwhile, in this case, the gas injection unit 400 is made of a metal material and can affect the process of forming an induced electric field by the antenna unit 300, which will be described later, and can be maintained in an electrically floating state, thereby affecting the plasma. The impact can be minimized.

이때, 플로팅상태는, 전기적으로 인위적인 전위를 인가하지 않은 상태를 의미할 수 있다.At this time, the floating state may mean a state in which no artificial electrical potential is applied.

또한, 다른 예로서, 상기 가스분사부(400)는, 전기적으로 전원인가상태 및 접지상태일 수 있으며, 복수의 가스분사부(400)가 각각 서로 다른 전기적상태를 유지할 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명에 대하여는 후술한다.In addition, as another example, the gas injection unit 400 may be electrically in a power-on state and a grounded state, and the plurality of gas injection units 400 may each maintain different electrical states, and a detailed description thereof This will be described later.

한편, 상기 가스분사부(400)는, 길이방향이 안테나부(300)에 흐르는 전류방향과 수직하도록 배치될 수 있으며, 이로써 안테나부(300) 및 플라즈마에 대한 영향을 최소화할 수 있다.Meanwhile, the gas injection unit 400 may be arranged so that its longitudinal direction is perpendicular to the direction of the current flowing in the antenna unit 300, thereby minimizing the influence on the antenna unit 300 and the plasma.

특히, 상기 가스분사부(400)는, 안테나부(300)에 흐르는 전류방향과 평면 상 수직하도록 배치될 수 있으며, 다른 예로서, 안테나부(300)가 수직 또는 경사를 가지고 상하방향으로 설치됨으로써 안테나부(300)에 흐르는 전류방향과 가스분사부(400) 길이방향이 수직할 수도 있다.In particular, the gas injection unit 400 may be arranged perpendicular to the direction of the current flowing in the antenna unit 300 on a plane. As another example, the antenna unit 300 may be installed vertically or at an angle in the vertical direction. The direction of current flowing in the antenna unit 300 may be perpendicular to the longitudinal direction of the gas injection unit 400.

한편, 상기 가스분사부(400)는, 적어도 처리공간(S1)에 노출되는 저면 강화를 위한 표면처리가 수행될 수 있으며, 보다 구체적으로는, 알루미늄을 포함한 금속재질의 가스분사부(400) 저면이 처리공간(S1)에 노출되는 점을 고려하여, 강성 및 내부식성을 강화하기 위해 아노다이징 처리되거나, Y203코팅이 수행될 수 있다.Meanwhile, the gas injection unit 400 may be subjected to surface treatment to strengthen at least the bottom surface exposed to the processing space (S1). More specifically, the bottom surface of the gas injection unit 400 is made of a metal material including aluminum. Considering that it is exposed to this processing space (S1), it may be anodized or Y203 coated to enhance rigidity and corrosion resistance.

상기 가스분사부(400)는, 일예로, 내부공간(S2)을 형성하며 저면에 다수의 분사홀(401)이 형성되고 상기 설치구(230)에 대응되는 형상의 바디부(410)와, 상기 바디부(410)를 상기 윈도우(210)에 결합하기 위하여 상기 바디부(410) 가장자리를 관통하여 상기 지지단차(231)에 결합하는 복수의 제1체결부재(420)를 포함할 수 있다.For example, the gas injection unit 400 includes a body portion 410 that forms an internal space S2 and has a plurality of injection holes 401 formed on the bottom and has a shape corresponding to the installation port 230, In order to couple the body portion 410 to the window 210, it may include a plurality of first fastening members 420 that penetrate the edge of the body portion 410 and couple to the support step 231.

또한, 상기 가스분사부(400)는, 바디부(410)와 지지단차(231) 사이에 설치되는 제1실링부재(430)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the gas injection unit 400 may further include a first sealing member 430 installed between the body portion 410 and the support step 231.

상기 바디부(410)는, 내부공간(S2)을 형성하며 저면에 다수의 분사홀(401)이 형성되고 설치구(230)에 대응되는 형상으로서, 금속재질의 다양한 구성이 가능하다.The body portion 410 forms an internal space (S2) and has a plurality of spray holes 401 formed on its bottom, and has a shape corresponding to the installation port 230, and can be made of various metal materials.

즉, 상기 바디부(410)는, 평면 상 직사각형 형상으로 공정가스가 공급되기 위한 내부공간(S2)을 형성하는 구성일 수 있다.That is, the body portion 410 may have a rectangular shape in plan and form an internal space S2 through which process gas is supplied.

이때, 상기 바디부(410)는, 전술한 윈도우(210)에 형성되는 설치구(230) 내면 지지단차(231)에 지지되어 설치되도록, 전체적으로 'T'자 형상으로 형성될 수 있으며, 가장자리가 지지단차(231)에 지지될 수 있다.At this time, the body portion 410 may be formed as a whole in a 'T' shape so that it is supported and installed on the inner support step 231 of the installation hole 230 formed in the window 210 described above, and the edges may be It can be supported on the support step 231.

예를 들면, 상기 바디부(410)는, 상측이 개구되며 지지단차(231)에 결합하는 바디본체(411)와, 바디본체(411) 상측에 결합되어 내부공간(S2)을 형성하는 커버부(412)와, 커버부(412) 가장자리를 관통하여 바디본체(411)에 결합하는 제2체결부재(414)를 포함할 수 있다.For example, the body portion 410 includes a body portion 411 that is open at the top and coupled to the support step 231, and a cover portion coupled to the upper side of the body portion 411 to form an internal space (S2). It may include (412) and a second fastening member 414 that penetrates the edge of the cover portion 412 and is coupled to the body 411.

또한, 상기 바디부(410)는, 바디본체(411) 상면 가장자리에 후술하는 제2실링부재(415)가 설치되기 위해 형성되는 제2홈부(413)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the body portion 410 may further include a second groove portion 413 formed on the edge of the upper surface of the body main body 411 for installing a second sealing member 415, which will be described later.

또한, 상기 바디부(410)는, 바디본체(411)와 커버부(412) 사이에 설치되는 제2실링부재(415)를 추가로 포함할 수 있다. In addition, the body portion 410 may further include a second sealing member 415 installed between the body main body 411 and the cover portion 412.

상기 바디본체(411)는, 내부공간(S2)으로부터 처리공간(S1)을 향해 공정가스를 분사하도록 저면에 다수의 분사홀(401)이 형성될 수 있다.The body 411 may have a plurality of spray holes 401 formed on its bottom to spray process gas from the internal space S2 toward the processing space S1.

또한, 상기 커버부(412)는, 후술하는 가스공급라인(700)이 내부공간(S2)에 공정가스를 공급하도록 가스공급라인(700)과 연결되기 위한 공급구(미도시)가 형성될 수 있다.In addition, the cover part 412 may be formed with a supply port (not shown) for connection to the gas supply line 700 so that the gas supply line 700, which will be described later, supplies process gas to the internal space S2. there is.

다수의 상기 제2체결부재(414)는, 커버부(412)를 관통하여 바디본체(411) 가장자리에 결합함으로써, 커버부(412)를 바디본체(411)에 결합할 수 있고, 밀폐된 내부공간(S2)을 형성할 수 있다.The plurality of second fastening members 414 penetrate the cover part 412 and couple to the edge of the body main body 411, so that the cover part 412 can be coupled to the body main body 411, and the inside is sealed. A space (S2) can be formed.

이 경우, 상기 제2체결부재(414)는, 커버부(412)를 관통하여 바디본체(411)에 나사결합하는 볼트일 수 있다.In this case, the second fastening member 414 may be a bolt that penetrates the cover portion 412 and is screwed to the body 411.

상기 제2홈부(413)는, 바디본체(411) 가장자리에 형성되어 제2실링부재(415)가 커버부(412)와 바디본체(411) 사이에 설치되도록 하는 구성으로서, 이에 대응되는 단차 또는 홈으로 형성될 수 있으며, 이로써 내부공간(S2) 내 공정가스의 외부 누출을 방지할 수 있다.The second groove 413 is formed on the edge of the body 411 to allow the second sealing member 415 to be installed between the cover 412 and the body 411, and has a corresponding step or It may be formed as a groove, thereby preventing external leakage of process gas within the internal space (S2).

상기 제1체결부재(420)는, 바디부(410)를 윈도우(210) 설치구(230)에 결합하기 위한 구성으로서, 볼트, 리벳 등 다양한 구성이 적용될 수 있다.The first fastening member 420 is a component for coupling the body portion 410 to the window 210 installation port 230, and various configurations such as bolts and rivets may be applied.

상기 제1체결부재(420)는, 복수개로 구비되어, 바디부(410), 보다 구체적으로 바디본체(411) 가장자리를 관통하여 설치구(230) 내면 지지단차(231)에 결합할 수 있다.The first fastening member 420 is provided in plural pieces and can penetrate the body portion 410, more specifically, the edge of the body 411 and be coupled to the inner support step 231 of the installation port 230.

상기 제1실링부재(430)는, 바디부(410)와 지지단차(231) 사이에 설치되는 구성으로서, 지지단차(231)에 형성되는 제2홈부(232)에 안착되어 설치됨으로써, 가스분사부(400)와 윈도우(210) 사이를 밀폐할 수 있다.The first sealing member 430 is a component installed between the body portion 410 and the support step 231, and is installed by being seated in the second groove portion 232 formed in the support step 231, thereby allowing gas The space between the Sabu 400 and the window 210 can be sealed.

이를 통해, 처리공간(S1)으로부터 윈도우(210)와 가스분사부(400) 사이를 통과하여 각종 공정가스 및 공정부산물이 상측으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.Through this, it is possible to prevent various process gases and process by-products from penetrating upward from the processing space S1 through between the window 210 and the gas injection unit 400.

상기 커버플레이트(500)는, 가스분사부(400) 하부에 배치되어 가스분사부(400) 저면을 커버하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The cover plate 500 is disposed below the gas injection unit 400 and covers the bottom of the gas injection unit 400, and various configurations are possible.

이때, 상기 커버플레이트(500)는, 가스분사부(400)에 대응되는 크기 및 형상으로 가스분사부(400) 하부에 부분적으로 설치될 수 있으며, 다른 예로서, 가스분사부(400) 저면을 커버하도록 윈도우조립체(200) 저면을 전체 또는 일부를 커버하도록 설치되는 구성일 수 있다.At this time, the cover plate 500 may be partially installed in the lower part of the gas injection unit 400 in a size and shape corresponding to the gas injection unit 400. As another example, the cover plate 500 may be installed partially on the bottom of the gas injection unit 400. It may be installed to cover all or part of the bottom of the window assembly 200.

이때, 상기 커버플레이트(500)는, 세라믹 재질로서, 처리공간(S1)에 대한 영향을 최소화하는 구성일 수 있으며, 다른 예로서, 처리공간(S1)에 노출되는 저면 강화를 위해 표면 처리된 금속 재질로 구성될 수 있다.At this time, the cover plate 500 is made of a ceramic material and may be configured to minimize the impact on the processing space (S1). As another example, the cover plate 500 may be a metal surface treated to strengthen the bottom exposed to the processing space (S1). It may be composed of materials.

이때, 상기 커버플레이트(500)에 대한 표면처리는 전술한 바와 같이 내부식성 및 강성을 강화하기 위하여, 아노다이징 처리되거나, Y203 코팅이 수행될 수 있다.At this time, the surface treatment of the cover plate 500 may be anodizing or Y203 coating to enhance corrosion resistance and rigidity as described above.

한편, 상기 커버플레이트(500)는, 가스분사부(400) 하부에 일정간격 이격되어 배치됨으로써 가스분사부(400)와의 사이에 확산공간(S3)을 형성할 수 있고, 다수의 분사공(501)이 형성되어 가스분사부(400)를 통해 분사되는 공정가스를 처리공간(S1)으로 분사할 수 있다.Meanwhile, the cover plate 500 is disposed at regular intervals below the gas injection unit 400 to form a diffusion space S3 between the gas injection unit 400 and a plurality of injection holes 501. ) is formed so that the process gas injected through the gas injection unit 400 can be injected into the processing space (S1).

이를 위해, 상기 커버플레이트(500)는, 다수의 분사공(501)이 형성될 수 있으며, 이 경우 처리공간(S1) 플라즈마가 분사공(501)을 통과하여 가스분사부(400) 및 상측으로 상승 침투하는 현상을 방지하기 위하여 분사홀(401)에 평면 상 중첩을 방지하는 위치에 다수의 분사공(501)이 형성될 수 있다.To this end, the cover plate 500 may be formed with a plurality of injection holes 501, in which case the plasma in the processing space (S1) passes through the injection holes 501 to the gas injection unit 400 and upward. In order to prevent upward penetration, a plurality of injection holes 501 may be formed in the injection hole 401 at positions that prevent overlap on a plane.

즉, 상기 분사공(501)은 분사홀(401)과 평면상 중첩되지 않는 위치에 서로 어긋나도록 배치될 수 있다.That is, the injection hole 501 may be arranged to be offset from each other at a position that does not overlap the injection hole 401 in a plane.

이때, 상기 분사공(501)은, 분사홀(401) 보다 내경이 작게 형성될 수 있으며, 이로써 커버플레이트(500) 내측 윈도우(210)와 가스분사부(400) 표면에 부산물이 증착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.At this time, the injection hole 501 may be formed to have a smaller inner diameter than the injection hole 401, thereby effectively preventing by-products from being deposited on the surface of the window 210 inside the cover plate 500 and the gas injection unit 400. It can be prevented.

상기 가스공급라인(700)은, 챔버본체(100) 상측을 관통하여 외부 가스공급부와 연결되어, 가스분사부(400)에 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas supply line 700 passes through the upper side of the chamber body 100 and is connected to an external gas supply unit to supply process gas to the gas injection unit 400. Various configurations are possible.

상기 가스공급라인(700)은, 일단이 전술한 공급구에 연결되고 타단이 외부 가스공급구에 연결되는 구성으로서 금속의 도전체로 구성되며 접지상태를 유지하고, 가스분사부(400)는 전술한 바와 같이 전기적으로 플로팅상태일 수 있는 바, 가스분사부(400)와의 연결지점에 절연부재가 추가로 설치될 수 있다.The gas supply line 700 has one end connected to the above-mentioned supply port and the other end connected to the external gas supply port, is made of a metal conductor, and is maintained in a grounded state, and the gas injection unit 400 is connected to the above-described gas supply port. As shown, since it may be in an electrically floating state, an insulating member may be additionally installed at the connection point with the gas injection unit 400.

이때, 절연부재는, 가스공급라인(700)의 전기적상태와 가스분사부(400)의 전기적상태를 독립적으로 유지하도록 절연하기 위한 구성으로서, 일예로 세라믹, 테프론, PEEK 소재와 같은 절연재질로 구성될 수 있다.At this time, the insulating member is a component to insulate the electrical state of the gas supply line 700 and the electrical state of the gas injection unit 400 independently, and is made of an insulating material such as ceramic, Teflon, or PEEK material. It can be.

예를 들면, 상기 가스공급라인(700)은, 외부에 구비되는 가스공급부(미도시)와 상부리드(140)를 관통하여 연결하도록 설치되는 메인공급라인(710)과, 복수의 가스분사부(400)들에 공정가스를 공급하기 위하여 분기되어 가스분사부(400) 공급구에 연결되는 분기공급라인(730)과, 분기공급라인(730)과 메인공급라인(710) 사이를 연결하는 연결공급라인(720)을 포함할 수 있다.For example, the gas supply line 700 includes a main supply line 710 installed to connect an external gas supply unit (not shown) and the upper lead 140, and a plurality of gas injection units ( A branch supply line 730 that is branched and connected to the supply port of the gas injection unit 400 to supply process gas to 400, and a connection supply connecting between the branch supply line 730 and the main supply line 710. It may include line 720.

이때, 상기 가스공급라인(700)은, 가스분사부(400)들을 하나의 집단으로 구성하여 공정가스를 공급할 수 있고, 각 집단에 대해 서로 다른 공정가스 종류 및 유량을 공급 및 제어함으로써, 특정위치에서의 공정가스 유량 및 종류를 조절할 수 있다.At this time, the gas supply line 700 can supply process gas by configuring the gas injection units 400 into one group, and supplies and controls different process gas types and flow rates for each group, allowing The flow rate and type of process gas can be adjusted.

한편, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치에 관하여, 첨부된 도 2를 참조하여 안테나부(300) 및 가스분사부(400)의 배치에 대하여 설명한다.Meanwhile, with respect to the inductively coupled plasma processing device according to the present invention, the arrangement of the antenna unit 300 and the gas injection unit 400 will be described with reference to the attached FIG. 2.

본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 상측에 개구부(110)가 형성된 챔버본체(100)와; 상기 개구부(110)에 설치되어 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와; 상기 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 상기 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하며, 서로 다른 영역에 배치되어 독립적으로 제어 가능한 복수의 안테나군을 포함하는 안테나부(300)와; 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하며, 상기 윈도우조립체(200) 중 상기 안테나군들 각각에 대응되는 위치에 설치되는 복수의 가스분사부(400)들을 포함한다.The inductively coupled plasma processing device according to the present invention includes a chamber body 100 having an opening 110 formed on the upper side; A window including at least one window 210 installed in the opening 110 to form a processing space S1 together with the chamber body 100, and a support frame 220 supporting the window 210. assembly 200; an antenna unit 300 installed on the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1 and including a plurality of antenna groups arranged in different areas and independently controllable; Process gas is injected into the processing space (S1), and includes a plurality of gas injection units (400) installed at positions corresponding to each of the antenna groups in the window assembly (200).

여기서 전술한 구성에 대하여는 중복된 설명을 생략하며, 전술한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.Here, redundant description of the above-described configuration will be omitted, and the above-described description may be equally applied.

상기 안테나부(300)는, 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The antenna unit 300 is installed on the upper part of the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1, and various configurations are possible.

즉, 상기 안테나부(300)는, 윈도우조립체(200)의 상부에 설치되어 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 구성으로서, 처리대상인 기판(10)의 크기, 기판처리 공정조건 등에 따라서 서로 다른 영역에 배치되어 독립적으로 제어 가능한 복수의 안테나군으로 다양한 배치를 가지고 구비될 수 있다.That is, the antenna unit 300 is installed on the upper part of the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1, and is connected to each other depending on the size of the substrate 10 to be processed, substrate processing process conditions, etc. It can be equipped with a variety of arrangements as a plurality of antenna groups that are placed in different areas and can be controlled independently.

이 경우, 복수의 안테나군들에 각각 대응되어 배치되는 가스분사부(400)들 또한 서로 독립적으로 제어 가능할 수 있으며, 복수의 안테나군들 중 어느 하나의 안테나군, 즉 특정 안테나군과 중첩되는 복수의 가스분사부(400)들은 서로 동일한 조건으로 제어될 수 있다.In this case, the gas injection units 400 arranged to correspond to each of the plurality of antenna groups may also be controllable independently from each other, and the plurality of gas injection units 400 that overlap with any one of the plurality of antenna groups, that is, a specific antenna group, may be controlled independently of each other. The gas injection units 400 can be controlled under the same conditions.

이때의 제어조건은, 후술하는 가스분사부(400)에 대한 전기적 상태, 분사되는 공정가스의 유량 및 종류를 포함할 수 있다.The control conditions at this time may include the electrical status of the gas injection unit 400, which will be described later, and the flow rate and type of the injected process gas.

또한, 복수의 상기 안테나군들 또한, 각각 독립적으로 제어가능하며, 복수의 가스분사부(4000들 중 어느 하나의 가스분사부(400), 즉 특정 가스분사부(400)와 중첩되는 복수의 안테나군들은, 서로 동일한 조건으로 제어될 수 있다.In addition, the plurality of antenna groups are also independently controllable, and include a plurality of antennas overlapping with any one gas injection unit 400 among the plurality of gas injection units 4000, that is, a specific gas injection unit 400. Groups can be controlled under the same conditions as each other.

이때의 제어조건은, 안테나군에 대한 RF전원의 세기 및 전류 방향 등 종래 개시된 조건들을 포함할 수 있다.The control conditions at this time may include conventionally disclosed conditions, such as the intensity of RF power and the direction of current for the antenna group.

전술한 제어방식을 통해, 안테나군과 이에 대응되는 가스분사부(400) 사이의 매칭을 통한 정밀한 플라즈마 생성 및 세기 조절이 가능할 수 있다.Through the above-described control method, precise plasma generation and intensity control may be possible through matching between the antenna group and the corresponding gas injection unit 400.

예를 들면, 상기 안테나부(300)는, 윈도우조립체(200) 상부 직사각형 형상의 기판(10)에 대응되는 기준 직사각형 영역 중 코너 측에 인접하여 배치되어 코너 측 플라즈마 밀도를 제어하는 코너안테나군(310)과; 기준 직사각형 영역의 변 및 코너안테나군(310)과 간격을 두고 배치되는 측방안테나군(330)과; 기준 직사각형 영역의 중심 측에 측방안테나군(330)과 동심을 이루어 배치되는 내측안테나군(350)을 포함할 수 있다.For example, the antenna unit 300 is a corner antenna group ( 310) and; a side antenna group 330 arranged at intervals from the side and corner antenna groups 310 of the reference rectangular area; It may include an inner antenna group 350 disposed concentrically with the lateral antenna group 330 on the center side of the reference rectangular area.

이때, 복수의 안테나군으로 서로 독립적으로 제어 가능하도록 배치되는 안테나부(300)에 대응되어, 각 안테나군에 대응되도록 복수의 가스분사부(400)가 배치됨으로써, 특정 영역의 안테나군의 제어를 통한 필드제어와 함께 해당 영역의 가스분사부(400) 전기적 상태 및 유량을 매칭하여 조절함으로써, 플라즈마 생성 및 세기(해리율)을 정밀하게 제어할 수 있다.At this time, in response to the antenna unit 300, which is arranged to be independently controllable by a plurality of antenna groups, a plurality of gas injection units 400 are arranged to correspond to each antenna group, thereby enabling control of the antenna group in a specific area. By matching and adjusting the electrical state and flow rate of the gas injection unit 400 in the corresponding area along with field control through the plasma, plasma generation and intensity (dissociation rate) can be precisely controlled.

예를 들면, 상기 가스분사부(400)는, 기준 직사각형 영역의 코너 측에서 평면 상 코너안테나군(310)과 중첩되도록 배치되는 복수의 코너가스분사부(450)와; 기준 직사각형 영역의 변부 코너가스분사부(450)들 사이에 평면 상 측방안테나군(330)과 중첩되도록 배치되는 복수의 측방가스분사부(470)와; 기준 직사각형 영역의 중심 측에서 평면 상 내측안테나군(350)과 중첩되도록 배치되는 복수의 내측가스분사부(490)를 포함할 수 있다.For example, the gas injection unit 400 includes a plurality of corner gas injection units 450 arranged to overlap the corner antenna group 310 on a plane at the corner side of the reference rectangular area; A plurality of lateral gas injection units 470 arranged to overlap the side antenna group 330 on a plane between corner gas injection units 450 at the edges of the reference rectangular area; It may include a plurality of inner gas injection units 490 arranged to overlap the inner antenna group 350 on a plane at the center side of the reference rectangular area.

상기 코너가스분사부(450)는, 중첩되는 코너안테나군(310)에 대하여 평면 상 수직을 유지하도록, 도 2에 도시된 바와 같이 평면 상 대각선으로 복수개 구비될 수 있으며, 평면 상 코너안테나군(310)과 측방안테나군(330) 각각에 동시에 중첩될 수 있다.The corner gas injection unit 450 may be provided in plural numbers diagonally on the plane as shown in FIG. 2 so as to maintain a vertical position on the plane with respect to the overlapping corner antenna group 310, and may be provided as a corner antenna group on the plane ( 310) and the lateral antenna group 330 may be simultaneously overlapped.

즉, 상기 코너가스분사부(450)는, 상기 코너안테나군(310) 및 측방안테나군(330)은, 인가되는 전류 방향에 따라 서로 영향을 주면서 필드를 강화하는 구성으로 통합하여 하나의 안테나군처럼 제어되는 바, 하나의 가스분사부(400)가 코너안테나군(310) 및 측방안테나군(330) 모두에 평면 상 중첩 배치되도록 상대적으로 긴 길이를 가지고 복수개의 가스분사부(400)가 배치될 수 있다.That is, the corner gas injection unit 450, the corner antenna group 310 and the side antenna group 330 are integrated into a configuration that strengthens the field while influencing each other according to the direction of the applied current to form one antenna group. Controlled as follows, a plurality of gas injection units 400 are arranged with a relatively long length so that one gas injection unit 400 is arranged in a plane overlapping with both the corner antenna group 310 and the side antenna group 330. It can be.

보다 구체적으로, 이 경우 측방안테나군(330)의 동심을 이루는 제1측방안테나군(332)과 제2측방안테나군(334) 중, 외곽에 위치하여 코너안테나군(310)과 인접한 제2측방안테나군(334)과 코너안테나군(310) 모두에 동시에 중첩되도록 배치될 수 있다.More specifically, in this case, among the first lateral antenna group 332 and the second lateral antenna group 334 concentric with the lateral antenna group 330, the second lateral antenna group is located on the outside and is adjacent to the corner antenna group 310. It can be arranged to overlap both the antenna group 334 and the corner antenna group 310 simultaneously.

상기 측방가스분사부(470)는, 기준 직사각형 영역의 변부 코너가스분사부(450)들 사이에 평면 상 측방안테나군(330)과 중첩되도록 배치되는 구성일 수 있다.The lateral gas injection unit 470 may be arranged to overlap the lateral antenna group 330 on a plane between the corner gas injection units 450 at the edges of the reference rectangular area.

이 경우, 상기 측방가스분사부(470)는, 단일의 측방안테나군(330) 형성 시 측방안테나군(330)을 따라서 복수개 구비될 수 있으며, 일예로 복수의 가스분사부(400)를 하나의 집단으로 해서 4개의 코너가스분사부(450)들 사이에 복수의 집단이 배치될 수 있다.In this case, the lateral gas injection unit 470 may be provided in plural numbers along the lateral antenna group 330 when forming a single lateral antenna group 330. For example, a plurality of gas injection units 400 may be formed as one. A plurality of groups may be arranged between the four corner gas injection units 450.

한편, 다른 예로서, 측방안테나군(330)이 동심을 이루는 2개의 안테나군으로서, 각각 독립된 제어 구성인 제1측방안테나군(332) 및 제2측방안테나군(334)으로 형성될 경우, 측방가스분사부(470) 또한, 제1측방안테나군(332)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제1측방가스분사부(472)와, 제2측방안테나군(334)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제2측방가스분사부(474)를 포함할 수 있다.Meanwhile, as another example, when the lateral antenna group 330 is formed of two concentric antenna groups, the first lateral antenna group 332 and the second lateral antenna group 334, each of which is an independent control configuration, the lateral antenna group 330 The gas injection unit 470 also has at least one first lateral gas injection unit 472 arranged to overlap the first lateral antenna group 332 in a plane, and to overlap the second lateral antenna group 334 in a plane. It may include at least one second side gas injection unit 474 disposed.

즉, 이 경우, 상기 안테나부(300)는, 동심을 이루며 각각 독립제어되는 제1측방안테나군(332) 및 제2측방안테나군(334)을 구비하는 측방안테나군(330)을 포함하고, 이에 대응되어 상기 가스분사부(400)는, 상기 제1측방안테나군(332)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제1측방가스분사부(472)와, 상기 제2측방안테나군(334)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제2측방가스분사부(474)를 포함할 수 있다.That is, in this case, the antenna unit 300 includes a side antenna group 330 including a first side antenna group 332 and a second side antenna group 334 that are concentric and each independently controlled, Correspondingly, the gas injection unit 400 includes at least one first lateral gas injection unit 472 arranged to overlap the first lateral antenna group 332 in a plane, and the second lateral antenna group 334. ) may include at least one second lateral gas injection unit 474 arranged to overlap in a plane.

보다 구체적으로, 상기 측방가스분사부(470)는, 제1측방안테나군(332)과 중첩되도록 복수의 가스분사부(400)들을 하나의 집단으로 해서 4개의 코너가스분사부(450)들 사이에 복수의 집단인 제1측방가스분사부(472)가 배치되고, 이와 독립되어 제2측방안테나군(334)과 중첩되도록 복수의 가스분사부(400)들을 하나의 집단으로 해서 4개의 코너가스분사부(450)들 사이에 복수의 집단인 제2측방가스분사부(474)가 배치될 수 있다.More specifically, the lateral gas injection unit 470 is formed between four corner gas injection units 450 by grouping a plurality of gas injection units 400 into one group so as to overlap the first lateral antenna group 332. A plurality of groups of first lateral gas injection units 472 are disposed, and a plurality of gas injection units 400 are arranged as a group to be independent and overlap with the second lateral antenna group 334, thereby forming four corner gases. A plurality of groups of second side gas injection units 474 may be disposed between the injection units 450.

이때, 상기 제1측방가스분사부(472) 및 상기 제2측방가스분사부(474)는, 각각 복수개로 배치된 상태에서, 서로 물리적으로 분리되나 동일방향으로 정렬되어 배치될 수 있다.At this time, the first lateral gas injection unit 472 and the second lateral gas injection unit 474 may be arranged in plural numbers, and may be physically separated from each other but aligned in the same direction.

즉, 서로 독립적으로 제어되는 제1측방안테나군(332)과 제2측방안테나군(334)에 각각 중첩되는 제1측방가스분사부(472) 및 제2측방가스분사부(474)는, 비록 독립적으로 제어되고 서로 분리되어 있으나, 서로 엇갈려 배치되는 경우 형성되는 유도전계 필드에 부정적인 영향을 줄 수 있으므로, 서로 동일방향으로 정렬되어 형성되는 유도전계 필드의 영향을 최소화할 수 있다. That is, the first lateral gas injection unit 472 and the second lateral gas injection unit 474, respectively, overlapping with the first lateral antenna group 332 and the second lateral antenna group 334, which are controlled independently of each other, are, Although they are independently controlled and separated from each other, if they are arranged in a staggered manner, it may have a negative impact on the induced electric field formed, so the influence of the induced electric field formed by aligning them in the same direction can be minimized.

상기 내측가스분사부(490)는, 기준 직사각형 영역의 중심 측에서 평면 상 내측안테나군(350)과 중첩되도록 배치되는 구성일 수 있다.The inner gas injection unit 490 may be arranged to overlap the inner antenna group 350 on a plane at the center side of the reference rectangular area.

이때, 상기 내측가스분사부(490)는, 단일의 제어구성인 내측안테나군(350)에 대응되어 내측안테나군(350)을 따라서 평면 상 수직으로 중첩되도록 복수개의 가스분사부(400)가 배치될 수 있다.At this time, the inner gas injection unit 490 corresponds to the inner antenna group 350, which is a single control element, and a plurality of gas injection units 400 are arranged to overlap vertically in a plane along the inner antenna group 350. It can be.

한편, 전술한 코너가스분사부(450), 측방가스분사부(470) 및 내측가스분사부(490)는, 모두 복수의 가스분사부(400)들로 구성되며, 이때 가스분사부(400)들은, 기준 직사각형 영역의 중심을 지나는 가상의 직선에 대하여 선대칭을 이루도록 전체적으로 대칭구조로 배치될 수 있다.Meanwhile, the above-described corner gas injection unit 450, side gas injection unit 470, and inner gas injection unit 490 are all composed of a plurality of gas injection units 400, and at this time, the gas injection unit 400 They may be arranged in an overall symmetrical structure so as to achieve line symmetry with respect to an imaginary straight line passing through the center of the reference rectangular area.

더 나아가, 전술한 안테나부(300) 또한, 복수의 안테나군들이 동일 평면 상 중심을 지나는 가상의 직선에 대하여 선대칭을 이루도록 전체적으로 대칭구조로 배치될 수 있다.Furthermore, the antenna unit 300 described above may also be arranged in an overall symmetrical structure so that a plurality of antenna groups are line symmetrical with respect to an imaginary straight line passing through the center on the same plane.

이 경우, 상기 가스분사부(400)들은, 특정 필드에 분사되는 공정가스와 안테나부(300)와의 매칭관계를 고려하여 사용자의 의도에 따라 제어 가능하도록 전기적상태가 결정될 수 있다.In this case, the electrical state of the gas injection units 400 may be determined to be controllable according to the user's intention by considering the matching relationship between the process gas sprayed in a specific field and the antenna unit 300.

즉, 상기 가스분사부(400)들은, 각각 독립적으로 제어될 수 있으며, 이때 독립적인 제어는, 가스공급라인(700)을 통해 공급되는 공정가스의 유량 및 종류와 전기적상태를 포함하는 의미일 수 있다.In other words, the gas injection units 400 can be controlled independently, and in this case, independent control can mean including the flow rate and type of the process gas supplied through the gas supply line 700 and the electrical state. there is.

일예로, 상기 코너가스분사부(450), 측방가스분사부(470) 및 내측가스분사부(490)는, 각각 독립적으로 제어될 수 있으며, 전술한 메인가스라인(710)이 각각 구비되어 공정가스의 종류 및 유량이 각각 조절될 수 있다.For example, the corner gas injection unit 450, the side gas injection unit 470, and the inner gas injection unit 490 can each be controlled independently, and each of the above-described main gas lines 710 is provided to perform the process. The type and flow rate of gas can each be adjusted.

이 경우, 코너가스분사부(450), 측방가스분사부(470) 및 내측가스분사부(490) 내 각각의 가스분사부(400)와는 각각 대응되는 메인가스라인(710)으로부터 분기되어 연결되는 분기가스라인(730)이 연결되어 공정가스가 공급될 수 있다.In this case, each gas injection unit 400 in the corner gas injection unit 450, the side gas injection unit 470, and the inner gas injection unit 490 is branched from and connected to the corresponding main gas line 710. The branch gas line 730 may be connected to supply process gas.

한편, 하나 또는 다수의 메인가스라인(710)을 통해 각각의 가스분사부(400)에 공정가스를 공급할 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, of course, the process gas can be supplied to each gas injection unit 400 through one or more main gas lines 710.

또한, 복수의 상기 가스분사부(400)들은, 전기적으로 각각 독립적으로 제어될 수 있으며, 보다 구체적으로, 코너가스분사부(450), 측방가스분사부(470) 및 내측가스분사부(490)는 각각 독립적인 전기상태를 유지할 수 있다.In addition, the plurality of gas injection units 400 can be independently controlled electrically, and more specifically, the corner gas injection unit 450, the side gas injection unit 470, and the inner gas injection unit 490. Each can maintain an independent electrical state.

예를 들면, 복수의 상기 가스분사부(400)들은, 전기적으로 플로팅상태, 접지상태 및 전원이 인가되는 전원인가상태 중 어느 하나의 상태로 제어될 수 있으며, 보다 구체적으로, 인위적인 전위를 인가하지 않은 플로팅상태, 접지와 연결되는 접지상태, 외부의 RF전원을 통해 전원이 인가되는 전원인가상태 중 어느 하나의 상태로 제어될 수 있다.For example, the plurality of gas injection units 400 may be electrically controlled to any one of a floating state, a grounded state, and a power-applied state. More specifically, no artificial potential is applied. It can be controlled in any one of the following states: a floating state that is not connected to the ground, a grounded state that is connected to the ground, and a power-on state in which power is applied through an external RF power source.

한편, 전원인가상태는, 단순히 일단이 RF전원과 연결되고 타단이 접지와 연결되어 전위를 갖도록 하는 구성뿐만 아니라, 타단이 가변커패시터를 통해 접지되는 구성일 수 있다.Meanwhile, the power application state may be a configuration in which one end is connected to the RF power source and the other end is connected to the ground to have a potential, as well as a configuration in which the other end is grounded through a variable capacitor.

이를 통해, 안테나부(300)를 통해 형성되는 필드와의 매칭관계를 고려해, 플라즈마 세기를 낮추기 위해서 해당위치의 가스분사부(400)에 전원이 인가될 수 있으며, 가스분사부(400)의 필드 영향을 최소화하기 위해 플로팅상태를 유지하도록 사용자의 판단에 따라 제어될 수 있다.Through this, in consideration of the matching relationship with the field formed through the antenna unit 300, power can be applied to the gas injection unit 400 at the corresponding location to lower the plasma intensity, and the field of the gas injection unit 400 It can be controlled at the user's discretion to maintain a floating state to minimize the impact.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.

100: 챔버본체 200: 윈도우조립체
300: 안테나부 400: 가스분사부100: Chamber body 200: Window assembly
300: Antenna unit 400: Gas injection unit

Claims (25)

상측에 개구부(110)가 형성된 챔버본체(100)와;
상기 개구부(110)에 설치되어 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와;
상기 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 상기 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하며, 서로 다른 영역에 배치되어 독립적으로 제어 가능한 복수의 안테나군을 포함하는 안테나부(300)와;
상기 윈도우(210)에 삽입 설치되어 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하며, 상기 안테나군들 각각에 대응하도록 배치되는 복수의 가스분사부(400)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.A chamber body 100 having an opening 110 formed on the upper side;
A window including at least one window 210 installed in the opening 110 to form a processing space S1 together with the chamber body 100, and a support frame 220 supporting the window 210. assembly 200;
an antenna unit 300 installed on the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1 and including a plurality of antenna groups arranged in different areas and independently controllable;
Inductively coupled plasma is inserted into the window 210 to inject process gas into the processing space S1, and includes a plurality of gas injection units 400 arranged to correspond to each of the antenna groups. Processing device. 청구항 1에 있어서,
상기 가스분사부(400)들은,
단일의 상기 윈도우(210) 내 서로 다른 영역에 배치되는 상기 안테나군들 각각에 대응되어 평면 상 중첩되도록 서로 분리되어 배치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 1,
The gas injection units 400 are,
An inductively coupled plasma processing device characterized in that the antenna groups arranged in different areas within the single window 210 are arranged separately from each other so as to overlap each other on a plane. 청구항 1에 있어서,
복수의 상기 가스분사부(400)들은, 각각 독립적으로 제어가능하며,
복수의 상기 안테나군들 중 어느 하나의 안테나군과 중첩되는 복수의 가스분사부(400)들은, 서로 동일한 조건으로 제어되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 1,
The plurality of gas injection units 400 are each independently controllable,
An inductively coupled plasma processing device, characterized in that the plurality of gas injection units 400 overlapping with any one of the plurality of antenna groups are controlled under the same conditions. 청구항 1에 있어서,
복수의 상기 안테나군들은, 각각 독립적으로 제어가능하며,
복수의 상기 가스분사부(400)들 중 어느 하나의 가스분사부(400)와 중첩되는 복수의 안테나군들은, 서로 동일한 조건으로 제어되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 1,
Each of the plurality of antenna groups is independently controllable,
An inductively coupled plasma processing device, wherein a plurality of antenna groups overlapping with any one of the plurality of gas injection units 400 are controlled under the same conditions. 청구항 1에 있어서,
복수의 상기 가스분사부(400)들은,
전기적으로 플로팅상태, 접지상태 및 전원이 인가되는 전원인가상태 중 어느하나의 상태로 제어되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 1,
The plurality of gas injection units 400 are,
An inductively coupled plasma processing device characterized in that it is electrically controlled in any one of a floating state, a grounded state, and a power-applied state. 청구항 1에 있어서,
상기 안테나부(300) 및 가스분사부(400)는,
각각 동일 평면 상 중심을 지나는 가상의 직선에 대하여 선대칭을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 1,
The antenna unit 300 and the gas injection unit 400,
An inductively coupled plasma processing device characterized in that it is arranged to achieve line symmetry with respect to an imaginary straight line passing through the center on the same plane. 청구항 1에 있어서,
상기 안테나부(300)는,
상기 윈도우조립체(200) 상부 직사각형 형상의 기판(10)에 대응되는 기준 직사각형 영역 중 코너 측에 인접하여 배치되어 코너 측 플라즈마 밀도를 제어하는 코너안테나군(310)과;
상기 기준 직사각형 영역의 변 및 상기 코너안테나군(310)과 간격을 두고 배치되는 측방안테나군(330)과;
상기 기준 직사각형 영역의 중심 측에 상기 측방안테나군(330)과 동심을 이루어 배치되는 내측안테나군(350)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 1,
The antenna unit 300,
a corner antenna group 310 disposed adjacent to a corner of a reference rectangular area corresponding to the upper rectangular substrate 10 of the window assembly 200 and controlling plasma density at the corner;
a side antenna group 330 arranged at intervals from the corners of the reference rectangular area and the corner antenna group 310;
An inductively coupled plasma processing device comprising an inner antenna group (350) disposed concentrically with the lateral antenna group (330) at the center of the reference rectangular area. 청구항 7에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
상기 기준 직사각형 영역의 코너 측에서 평면 상 상기 코너안테나군(310)과 중첩되도록 배치되는 복수의 코너가스분사부(450)와;
상기 기준 직사각형 영역의 변부 상기 코너가스분사부(450)들 사이에 평면 상 상기 측방안테나군(330)과 중첩되도록 배치되는 복수의 측방가스분사부(470)와;
상기 기준 직사각형 영역의 중심 측에서 평면 상 상기 내측안테나군(350)과 중첩되도록 배치되는 복수의 내측가스분사부(490)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 7,
The gas injection unit 400,
a plurality of corner gas injection units 450 arranged to overlap the corner antenna group 310 on a plane at a corner side of the reference rectangular area;
a plurality of lateral gas injection units 470 disposed between the corner gas injection units 450 at the edges of the reference rectangular area to overlap the lateral antenna group 330 on a plane;
An inductively coupled plasma processing device comprising a plurality of inner gas injection units 490 arranged to overlap the inner antenna group 350 on a plane at the center side of the reference rectangular area. 청구항 8에 있어서,
상기 코너가스분사부(450)는,
평면 상 상기 코너안테나군(310)과 상기 측방안테나군(330) 각각에 동시에 중첩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 8,
The corner gas injection unit 450,
An inductively coupled plasma processing device, characterized in that it is arranged to simultaneously overlap each of the corner antenna group 310 and the side antenna group 330 on a plane. 청구항 1에 있어서,
상기 안테나부(300)는,
동심을 이루며 각각 독립제어되는 제1측방안테나군(332) 및 제2측방안테나군(334)을 구비하는 측방안테나군(330)을 포함하며,
상기 가스분사부(400)는,
상기 제1측방안테나군(332)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제1측방가스분사부(472)와, 상기 제2측방안테나군(334)에 평면 상 중첩되도록 배치되는 적어도 하나의 제2측방가스분사부(474)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 1,
The antenna unit 300,
It includes a lateral antenna group 330 that is concentric and includes a first lateral antenna group 332 and a second lateral antenna group 334, each of which is independently controlled,
The gas injection unit 400,
At least one first lateral gas injection unit 472 arranged to overlap in plan with the first lateral antenna group 332, and at least one gas injection unit 472 arranged to overlap in plan with the second lateral antenna group 334 An inductively coupled plasma processing device comprising a two-side gas injection unit (474). 청구항 10에 있어서,
상기 제1측방가스분사부(472) 및 상기 제2측방가스분사부(474)는,
서로 분리되며, 동일방향으로 정렬되어 배치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 10,
The first lateral gas injection unit 472 and the second lateral gas injection unit 474,
An inductively coupled plasma processing device characterized in that it is separated from each other and arranged in the same direction. 상측에 개구부(110)가 형성된 챔버본체(100)와;
상기 개구부(110)에 설치되어 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S1)을 형성하며, 설치구(230)가 관통하여 형성되는 적어도 하나의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와;
상기 윈도우조립체(200) 상부에 설치되어 상기 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나부(300)와;
상기 설치구(230)에 삽입 설치되어 상기 처리공간(S1)을 향해 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 가스분사부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.A chamber body 100 having an opening 110 formed on the upper side;
At least one window 210 is installed in the opening 110 to form a processing space (S1) together with the chamber body 100 and through which the installation hole 230 penetrates, and the window 210 A window assembly 200 including a support frame 220 for supporting it;
an antenna unit 300 installed on the window assembly 200 to form an induced electric field in the processing space S1;
An inductively coupled plasma processing device comprising at least one gas injection unit (400) inserted into the installation port (230) and spraying process gas toward the processing space (S1). 청구항 12에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
가장자리가 상기 설치구(230) 내면에 단차를 가지고 형성되는 지지단차(231)에 지지되어 설치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 12,
The gas injection unit 400,
An inductively coupled plasma processing device, characterized in that the edge is supported and installed on a support step (231) formed with a step on the inner surface of the installation hole (230). 청구항 12에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
상면이 상기 윈도우(210) 상면과 플랫하도록 상기 설치구(230)에 삽입되어 설치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 12,
The gas injection unit 400,
An inductively coupled plasma processing device, characterized in that it is inserted and installed in the installation hole 230 so that the upper surface is flat with the upper surface of the window 210. 청구항 12에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
내부공간(S2)을 형성하며 저면에 다수의 분사홀(401)이 형성되고 상기 설치구(230)에 대응되는 형상의 바디부(410)와, 상기 바디부(410)를 상기 윈도우(210)에 결합하기 위하여 상기 바디부(410) 가장자리를 관통하여 상기 지지단차(231)에 결합하는 복수의 제1체결부재(420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 12,
The gas injection unit 400,
It forms an internal space (S2) and has a plurality of injection holes 401 formed on the bottom, a body portion 410 of a shape corresponding to the installation hole 230, and the body portion 410 is connected to the window 210. An inductively coupled plasma processing device comprising a plurality of first fastening members (420) that penetrate the edge of the body portion (410) and couple to the support step (231) in order to couple to the. 청구항 15에 있어서,
상기 바디부(410)는,
상측이 개구되며 상기 지지단차(231)에 결합하는 바디본체(411)와, 상기 바디본체(411) 상측에 결합되어 상기 내부공간(S2)을 형성하는 커버부(412)와, 상기 커버부(412) 가장자리를 관통하여 상기 바디본체(411)에 결합하는 제2체결부재(414)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 15,
The body portion 410 is,
A body body 411 that is open on the upper side and coupled to the support step 231, a cover portion 412 coupled to the upper side of the body body 411 to form the internal space (S2), and the cover portion ( 412) An inductively coupled plasma processing device comprising a second fastening member 414 that penetrates the edge and is coupled to the body 411. 청구항 16에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
상기 바디부(410)와 상기 지지단차(231) 사이에 설치되는 제1실링부재(430) 및 상기 바디본체(411)와 상기 커버부(412) 사이에 설치되는 제2실링부재(415) 중 적어도 하나를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 16,
The gas injection unit 400,
Among the first sealing member 430 installed between the body portion 410 and the support step 231 and the second sealing member 415 installed between the body portion 411 and the cover portion 412. An inductively coupled plasma processing device, characterized in that it additionally includes at least one. 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 윈도우(210)는, 세라믹 재질이며,
상기 가스분사부(400)는, 금속 재질인 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of any one of claims 1 to 17,
The window 210 is made of ceramic material,
The gas injection unit 400 is an inductively coupled plasma processing device, characterized in that it is made of a metal material. 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
길이방향이 상기 안테나부(300)에 흐르는 전류방향과 수직하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of any one of claims 1 to 17,
The gas injection unit 400,
An inductively coupled plasma processing device characterized in that the longitudinal direction is arranged perpendicular to the direction of current flowing in the antenna unit 300. 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
적어도 상기 처리공간(S1)에 노출되는 저면을 강화하기 위한 표면처리가 수행된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of any one of claims 1 to 17,
The gas injection unit 400,
An inductively coupled plasma processing device, characterized in that surface treatment has been performed to strengthen at least the bottom surface exposed to the processing space (S1). 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가스분사부(400)는,
상기 처리공간(S1)에 노출되는 저면이 상기 윈도우(210) 저면과 플랫하게 형성되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of any one of claims 1 to 17,
The gas injection unit 400,
Inductively coupled plasma processing device, characterized in that the bottom surface exposed to the processing space (S1) is formed flat with the bottom surface of the window (210). 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가스분사부(400) 하부에 배치되어 상기 가스분사부(400) 저면을 커버하는 커버플레이트(500)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of any one of claims 1 to 17,
An inductively coupled plasma processing device further comprising a cover plate 500 disposed below the gas injection unit 400 and covering the bottom of the gas injection unit 400. 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 커버플레이트(500)는,
세라믹 재질 또는 적어도 저면이 표면처리된 금속 재질인 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of any one of claims 1 to 17,
The cover plate 500 is,
An inductively coupled plasma processing device characterized in that it is made of a ceramic material or at least a metal material with a surface treatment on the bottom. 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 커버플레이트(500)는,
상기 가스분사부(400) 하부에 일정간격 이격되어 배치되며, 상기 분사홀(401)에 평면 상 중첩을 방지하는 위치에 다수의 분사공(501)이 형성되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of any one of claims 1 to 17,
The cover plate 500 is,
An inductively coupled plasma processing device that is disposed at regular intervals below the gas injection unit 400 and has a plurality of injection holes 501 formed in the injection hole 401 at positions that prevent overlap on a plane. . 청구항 24에 있어서,
상기 분사공(501)은,
상기 분사홀(401) 보다 내경이 작은 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.In claim 24,
The injection hole 501 is,
An inductively coupled plasma processing device characterized in that the inner diameter is smaller than the injection hole (401).
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